JP3034420B2 - 蛍光ｘ線分析におけるバックグランド補正法 - Google Patents
蛍光ｘ線分析におけるバックグランド補正法Info
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、蛍光Ｘ線分析におい
て、試料からのＸ線を回折する分光素子に含まれた元素
に起因する誤差分を補正するバックグランド補正法に関
するものである。
て、試料からのＸ線を回折する分光素子に含まれた元素
に起因する誤差分を補正するバックグランド補正法に関
するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来の、蛍光Ｘ線分析法として、図４に
示すものがある。同図において、Ｘ線管１からの一次Ｘ
線Ｘ１を試料２に照射し、この試料２で発生する蛍光Ｘ
線Ｘ２を分光素子３で回折させ、この分光素子３からの
回折Ｘ線Ｘ３を検出器４に入射させ、この検出器４でＸ
線強度を測定する。そして、濃度算出式を用いて、上記
強度から試料２に含まれた測定対象元素の濃度を算出す
る。なお、同図において、５，５はＸ線を平行光にする
ためのソーラースリットである。なお、図４に示した上
記技術以外に分光素子３として弯曲分光素子を使用し、
ソーラースリット５に代えて単孔の光集中用のスリット
を使用した集中法がある。
示すものがある。同図において、Ｘ線管１からの一次Ｘ
線Ｘ１を試料２に照射し、この試料２で発生する蛍光Ｘ
線Ｘ２を分光素子３で回折させ、この分光素子３からの
回折Ｘ線Ｘ３を検出器４に入射させ、この検出器４でＸ
線強度を測定する。そして、濃度算出式を用いて、上記
強度から試料２に含まれた測定対象元素の濃度を算出す
る。なお、同図において、５，５はＸ線を平行光にする
ためのソーラースリットである。なお、図４に示した上
記技術以外に分光素子３として弯曲分光素子を使用し、
ソーラースリット５に代えて単孔の光集中用のスリット
を使用した集中法がある。
【０００３】上記検出器４で測定される強度には、各種
の散乱Ｘ線がバックグランド成分として含まれるため、
上記濃度算出式においてバックグランド補正を行う必要
がある。
の散乱Ｘ線がバックグランド成分として含まれるため、
上記濃度算出式においてバックグランド補正を行う必要
がある。
【０００４】そこで、従来では、蛍光Ｘ線ピーク付近の
散乱Ｘ線を測定し、そのピークトップのＸ線強度から散
乱Ｘ線強度を差し引く方法でバックグランド補正を行っ
ている。図６は、上記分光素子３として、２ｄ（ｄは結
晶面間隔）＝１６０オングストロームのＭｏ／Ｂ4 Ｃか
らなる人工累積膜を使用した場合のＢ−Ｋα曲線を示し
ている。なお、同図は、別の説明に使用するものである
ため、詳細については後で説明する。そして、上記曲線
において、ピークトップのＸ線強度から、このピークト
ップの両側裾野部分ａ，ｂに現れる散乱Ｘ線の強度をバ
ックグランド値ＢＧとして差し引くことにより、バック
グランド補正を行っている。
散乱Ｘ線を測定し、そのピークトップのＸ線強度から散
乱Ｘ線強度を差し引く方法でバックグランド補正を行っ
ている。図６は、上記分光素子３として、２ｄ（ｄは結
晶面間隔）＝１６０オングストロームのＭｏ／Ｂ4 Ｃか
らなる人工累積膜を使用した場合のＢ−Ｋα曲線を示し
ている。なお、同図は、別の説明に使用するものである
ため、詳細については後で説明する。そして、上記曲線
において、ピークトップのＸ線強度から、このピークト
ップの両側裾野部分ａ，ｂに現れる散乱Ｘ線の強度をバ
ックグランド値ＢＧとして差し引くことにより、バック
グランド補正を行っている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】ところで、半導体のウ
ェハーや磁気ディスクなどの表層部に含まれるボロン
（Ｂ）や炭素（Ｃ）などの超軽元素を分析する場合に
は、これら超軽元素からなる測定対象元素の蛍光Ｘ線の
エネルギーが小さいことから、分光素子におけるエネル
ギーの吸収を少なくする必要がある。そこで、蛍光Ｘ線
の吸収を少なくするため、上記分光素子３として、その
構成膜に上記測定対象元素と同一元素を用いた人工累積
膜が使用される。
ェハーや磁気ディスクなどの表層部に含まれるボロン
（Ｂ）や炭素（Ｃ）などの超軽元素を分析する場合に
は、これら超軽元素からなる測定対象元素の蛍光Ｘ線の
エネルギーが小さいことから、分光素子におけるエネル
ギーの吸収を少なくする必要がある。そこで、蛍光Ｘ線
の吸収を少なくするため、上記分光素子３として、その
構成膜に上記測定対象元素と同一元素を用いた人工累積
膜が使用される。
【０００６】しかし、上記超軽元素を分析するに際し
て、以上のバックグランド補正を行っても、正確な濃度
測定はできなかった。つまり、たとえばＢＰＳＧ／Ｓｉ
ウェハー（Ｓｉ基板上にＢ2 Ｏ3 ・Ｐ2 Ｏ5 ・ＳｉＯ2
のガラス状混合物からなる表層部（ＢＰＳＧ膜）が形成
されたもの）について膜厚・組成分析する場合には、Ｂ
−Ｋαの分光素子３として、図５に示すように、多数の
反射層Ｍｏをスペーサ層Ｂ4 Ｃを介して積層してなる人
工累積膜が使用される。
て、以上のバックグランド補正を行っても、正確な濃度
測定はできなかった。つまり、たとえばＢＰＳＧ／Ｓｉ
ウェハー（Ｓｉ基板上にＢ2 Ｏ3 ・Ｐ2 Ｏ5 ・ＳｉＯ2
のガラス状混合物からなる表層部（ＢＰＳＧ膜）が形成
されたもの）について膜厚・組成分析する場合には、Ｂ
−Ｋαの分光素子３として、図５に示すように、多数の
反射層Ｍｏをスペーサ層Ｂ4 Ｃを介して積層してなる人
工累積膜が使用される。
【０００７】ところで、上記分光素子３に試料２から上
記蛍光Ｘ線Ｘ２を含むＸ線ＸＯが入射されると、この入
射Ｘ線ＸＯにより上記分光素子３のＢ4 Ｃ層中のボロン
Ｂが励起されて、蛍光Ｘ線Ｂ−Ｋαが全方向に向けて発
生する。一方、上記試料２からの入射Ｘ線ＸＯは、上記
分光素子３に入射して、その入射角度θに対応する波長
を持った蛍光Ｘ線Ｘ２のみがＭｏ層で回折され、角度θ
の回折Ｘ線Ｘ３が上記検出器４に入射される。このた
め、上記回折Ｘ線Ｘ３と、上記ボロンＢの励起により発
生した蛍光Ｘ線のうち、上記角度θで出射されるものＸ
４とが、それぞれ上記検出器４に入射される。
記蛍光Ｘ線Ｘ２を含むＸ線ＸＯが入射されると、この入
射Ｘ線ＸＯにより上記分光素子３のＢ4 Ｃ層中のボロン
Ｂが励起されて、蛍光Ｘ線Ｂ−Ｋαが全方向に向けて発
生する。一方、上記試料２からの入射Ｘ線ＸＯは、上記
分光素子３に入射して、その入射角度θに対応する波長
を持った蛍光Ｘ線Ｘ２のみがＭｏ層で回折され、角度θ
の回折Ｘ線Ｘ３が上記検出器４に入射される。このた
め、上記回折Ｘ線Ｘ３と、上記ボロンＢの励起により発
生した蛍光Ｘ線のうち、上記角度θで出射されるものＸ
４とが、それぞれ上記検出器４に入射される。
【０００８】従って、上記検出器４で検出されるＸ線強
度は、上記試料２からの蛍光Ｘ線に基づく回折Ｘ線Ｘ３
だけではなく、上記分光素子３のボロンＢの励起による
ものＸ４も含むことになり、正確な強度測定はできな
い。
度は、上記試料２からの蛍光Ｘ線に基づく回折Ｘ線Ｘ３
だけではなく、上記分光素子３のボロンＢの励起による
ものＸ４も含むことになり、正確な強度測定はできな
い。
【０００９】図６は、上述したＭｏ／Ｂ4 Ｃからなる人
工累積膜からなる分光素子３を使用した場合で、縦軸に
検出器４で検出されたＸ線強度を、また、横軸に波長に
対応する回折角θを２倍した２θ（ｄｅｇ）をとって、
軽元素からなるＮａＦとＬｉＦの分析曲線を、Ｂの分析
曲線と共に示している。ＮａＦとＬｉＦの各曲線におい
ては、Ｂが含まれていないにもかかわらず、上記Ｂ−Ｋ
α曲線のピーク対応箇所に山ｄ，ｅが現れている。他
方、図７は、上記分光素子３として、ボロン元素を含ま
ないＮｉ／Ｃからなる人工累積膜を使用した場合のＮａ
ＦとＬｉＦの分析曲線を示している。図７の各分析曲線
には、上記ボロン元素を含む分光素子を使用した場合の
ようにＢ−Ｋα曲線のピーク対応箇所に山が現れない。
このことから、分光素子３に含まれたボロンの励起によ
る蛍光Ｘ線が、分析曲線に影響を与えていることが理解
される。
工累積膜からなる分光素子３を使用した場合で、縦軸に
検出器４で検出されたＸ線強度を、また、横軸に波長に
対応する回折角θを２倍した２θ（ｄｅｇ）をとって、
軽元素からなるＮａＦとＬｉＦの分析曲線を、Ｂの分析
曲線と共に示している。ＮａＦとＬｉＦの各曲線におい
ては、Ｂが含まれていないにもかかわらず、上記Ｂ−Ｋ
α曲線のピーク対応箇所に山ｄ，ｅが現れている。他
方、図７は、上記分光素子３として、ボロン元素を含ま
ないＮｉ／Ｃからなる人工累積膜を使用した場合のＮａ
ＦとＬｉＦの分析曲線を示している。図７の各分析曲線
には、上記ボロン元素を含む分光素子を使用した場合の
ようにＢ−Ｋα曲線のピーク対応箇所に山が現れない。
このことから、分光素子３に含まれたボロンの励起によ
る蛍光Ｘ線が、分析曲線に影響を与えていることが理解
される。
【００１０】従って、Ｂ−Ｋα線にも上記ボロンの励起
による影響が含まれるから、この影響を含まない上記両
側裾野部分ａ，ｂに現れる散乱Ｘ線の強度をバックグラ
ンド値ＢＧとして差し引いても、正確な測定はできなか
った。
による影響が含まれるから、この影響を含まない上記両
側裾野部分ａ，ｂに現れる散乱Ｘ線の強度をバックグラ
ンド値ＢＧとして差し引いても、正確な測定はできなか
った。
【００１１】なお、図６および図７においては、それぞ
れ同一のＮａＦおよびＬｉＦの分析結果を示し、図７の
各分析曲線には、図６に示すもののように多くのピーク
トップが発生することなく、なだらかな右下がりの傾斜
勾配となっているが、これは使用する分光素子３の膜組
成が異なり、その蛍光Ｘ線の吸収率が異なることに起因
する。
れ同一のＮａＦおよびＬｉＦの分析結果を示し、図７の
各分析曲線には、図６に示すもののように多くのピーク
トップが発生することなく、なだらかな右下がりの傾斜
勾配となっているが、これは使用する分光素子３の膜組
成が異なり、その蛍光Ｘ線の吸収率が異なることに起因
する。
【００１２】この発明の目的は、分光素子で発生するＸ
線による分析誤差を少なくして、たとえ超軽元素でも正
確に分析することができるバックグランド補正法を提供
することにある。
線による分析誤差を少なくして、たとえ超軽元素でも正
確に分析することができるバックグランド補正法を提供
することにある。
【００１３】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、この発明のバックグランド補正法では、濃度算出式
が、試料に含まれた測定対象元素からの蛍光Ｘ線強度に
比例した項と、上記分光素子に入射する外乱Ｘ線の強度
に比例した項であって、この外乱Ｘ線によって上記分光
素子に含まれた上記測定対象元素と同一の元素が励起さ
れて、上記測定対象元素からの蛍光Ｘ線が上記分光素子
で回折される回折角と同一角度で分光素子から出射する
蛍光Ｘ線の強度を示す項と、定数項とからなることを特
徴としている。
め、この発明のバックグランド補正法では、濃度算出式
が、試料に含まれた測定対象元素からの蛍光Ｘ線強度に
比例した項と、上記分光素子に入射する外乱Ｘ線の強度
に比例した項であって、この外乱Ｘ線によって上記分光
素子に含まれた上記測定対象元素と同一の元素が励起さ
れて、上記測定対象元素からの蛍光Ｘ線が上記分光素子
で回折される回折角と同一角度で分光素子から出射する
蛍光Ｘ線の強度を示す項と、定数項とからなることを特
徴としている。
【００１４】
【作用】上記濃度算出式を用いることにより、外乱Ｘ線
によって分光素子に含まれた測定対象元素と同一の元素
が励起されて生じる蛍光Ｘ線の強度を、誤差分として補
正できる。従って、ウェハーや磁気ディスクなどの表層
部に含まれるボロンや炭素などの超軽元素を含む分光素
子を使用しても、正確に元素の分析が可能となる。
によって分光素子に含まれた測定対象元素と同一の元素
が励起されて生じる蛍光Ｘ線の強度を、誤差分として補
正できる。従って、ウェハーや磁気ディスクなどの表層
部に含まれるボロンや炭素などの超軽元素を含む分光素
子を使用しても、正確に元素の分析が可能となる。
【００１５】
【実施例】先ず、上述したＢＰＳＧ／Ｓｉウェハーを試
料として、この試料に含まれるボロンの含有率について
検量線、つまり、組成（元素の種類とその濃度）が既知
の試料の濃度−Ｘ線強度の相関曲線を引いて見たとこ
ろ、図１のようになった。この図は、横軸にＢ2 Ｏ3 の
濃度を、縦軸にＢ−Ｋα線強度をとり、組成が同一のＢ
ＰＳＧ膜の厚さを、３０００，６０００，９０００オン
グストロームに設定した場合の各検量線を示している。
同図で明らかなように、膜厚が厚いものほど一次Ｘ線の
吸収が大となるため、試料から発生するＢ−Ｋα線が弱
くなり、また、薄いものほどＢ−Ｋα線が強くなる。
料として、この試料に含まれるボロンの含有率について
検量線、つまり、組成（元素の種類とその濃度）が既知
の試料の濃度−Ｘ線強度の相関曲線を引いて見たとこ
ろ、図１のようになった。この図は、横軸にＢ2 Ｏ3 の
濃度を、縦軸にＢ−Ｋα線強度をとり、組成が同一のＢ
ＰＳＧ膜の厚さを、３０００，６０００，９０００オン
グストロームに設定した場合の各検量線を示している。
同図で明らかなように、膜厚が厚いものほど一次Ｘ線の
吸収が大となるため、試料から発生するＢ−Ｋα線が弱
くなり、また、薄いものほどＢ−Ｋα線が強くなる。
【００１６】また、膜厚９０００オングストロームの試
料を基準として、これとの見かけの濃度差を偏差ΔＢと
したとき、図２に示すように、縦軸に上記偏差ΔＢを、
横軸に膜厚をとって、上記偏差ΔＢの変化を調べたとこ
ろ、上記偏差ΔＢは膜厚が薄いほど大きく，厚いほど小
さくなり、このことは、分析曲線の裾野部分を差し引く
バックグランド補正を行っても同じ傾向となる。
料を基準として、これとの見かけの濃度差を偏差ΔＢと
したとき、図２に示すように、縦軸に上記偏差ΔＢを、
横軸に膜厚をとって、上記偏差ΔＢの変化を調べたとこ
ろ、上記偏差ΔＢは膜厚が薄いほど大きく，厚いほど小
さくなり、このことは、分析曲線の裾野部分を差し引く
バックグランド補正を行っても同じ傾向となる。
【００１７】さらに、図３に示すように、縦軸に上記偏
差ΔＢを、横軸に上記ウェハーの基板から発生するＳｉ
−Ｋα線の強度をとって、ΔＢの変化を調べたところ、
このＳｉ−Ｋα線の強度と偏差ΔＢは比例関係にある、
つまり、上記Ｓｉ−Ｋα線の強度が大きくなるほど偏差
ΔＢが大となり、また、上記Ｓｉ−Ｋα線の強度が小さ
くなるほど偏差ΔＢが小となることが分かった。このこ
とは、上記試料のＳｉ基板からのＳｉ−Ｋα線が強いほ
ど、上記分光素子（Ｍｏ・Ｂ4 Ｃ）に含まれるボロンが
強く励起されることに起因すると考えられる。特に、上
記試料中のＳｉ層（基板）は、その上のＢＰＳＧ膜に較
べてはるかに厚いため、このＳｉ層から強いＳｉ−Ｋα
線が発生し、このＳｉ−Ｋα線がボロンを強く励起する
ことが主要な誤差発生原因になると推定される。
差ΔＢを、横軸に上記ウェハーの基板から発生するＳｉ
−Ｋα線の強度をとって、ΔＢの変化を調べたところ、
このＳｉ−Ｋα線の強度と偏差ΔＢは比例関係にある、
つまり、上記Ｓｉ−Ｋα線の強度が大きくなるほど偏差
ΔＢが大となり、また、上記Ｓｉ−Ｋα線の強度が小さ
くなるほど偏差ΔＢが小となることが分かった。このこ
とは、上記試料のＳｉ基板からのＳｉ−Ｋα線が強いほ
ど、上記分光素子（Ｍｏ・Ｂ4 Ｃ）に含まれるボロンが
強く励起されることに起因すると考えられる。特に、上
記試料中のＳｉ層（基板）は、その上のＢＰＳＧ膜に較
べてはるかに厚いため、このＳｉ層から強いＳｉ−Ｋα
線が発生し、このＳｉ−Ｋα線がボロンを強く励起する
ことが主要な誤差発生原因になると推定される。
【００１８】ここでは、分光素子３に入射するＸ線のう
ち、測定対象元素（ボロン）からの蛍光Ｘ線（Ｂ−Ｋα
線）を除くＸ線を外乱Ｘ線と呼ぶ。この外乱Ｘ線のう
ち、分光素子３に含まれたボロンを励起するＸ線として
は、上記Ｓｉ−Ｋα線以外に、試料２からの１次Ｘ線Ｘ
１の反射線、コンプトン散乱線、ボロン以外の元素の蛍
光Ｘ線なども含まれるが、Ｓｉ−Ｋα線の強度が圧倒的
に大きいので、ここではＳｉ−Ｋα線を、ボロンを励起
させて偏差ΔＢを生じさせる外乱Ｘ線とみなして、他の
Ｘ線の影響を無視しても、補正精度はあまり低下しな
い。この外乱Ｘ線Ｓｉ−ＫαはＢ−Ｋαとは波長が異な
るので、Ｓｉ−Ｋα測定専用分光系を用いるか、また
は、分光素子３をＳｉ−Ｋα測定用分光素子に交換して
回折角度θをＳｉ−Ｋαの波長に合致させてその強度を
検出器４で測定する。
ち、測定対象元素（ボロン）からの蛍光Ｘ線（Ｂ−Ｋα
線）を除くＸ線を外乱Ｘ線と呼ぶ。この外乱Ｘ線のう
ち、分光素子３に含まれたボロンを励起するＸ線として
は、上記Ｓｉ−Ｋα線以外に、試料２からの１次Ｘ線Ｘ
１の反射線、コンプトン散乱線、ボロン以外の元素の蛍
光Ｘ線なども含まれるが、Ｓｉ−Ｋα線の強度が圧倒的
に大きいので、ここではＳｉ−Ｋα線を、ボロンを励起
させて偏差ΔＢを生じさせる外乱Ｘ線とみなして、他の
Ｘ線の影響を無視しても、補正精度はあまり低下しな
い。この外乱Ｘ線Ｓｉ−ＫαはＢ−Ｋαとは波長が異な
るので、Ｓｉ−Ｋα測定専用分光系を用いるか、また
は、分光素子３をＳｉ−Ｋα測定用分光素子に交換して
回折角度θをＳｉ−Ｋαの波長に合致させてその強度を
検出器４で測定する。
【００１９】図３から、上記試料に含まれるＢ2 Ｏ3 濃
度の偏差ΔＢは、次の一次式で表すことができる。 ΔＢ＝０．０１５９・Ｉsi-kα−９．９６ ……（１） ここで、Ｉsi-kαはＳｉ−Ｋα線の強度を表す。
度の偏差ΔＢは、次の一次式で表すことができる。 ΔＢ＝０．０１５９・Ｉsi-kα−９．９６ ……（１） ここで、Ｉsi-kαはＳｉ−Ｋα線の強度を表す。
【００２０】一方、Ｂの濃度Ｗは次式で表される。 Ｗ＝ｂ・ＩB -kα＋Ｃ１−ΔＢ ……（２） ここで、ｂは図１の検量線の勾配に相当し、Ｃ１は前述
した裾野部分の散乱Ｘ線強度ＢＧに相当する濃度であ
る。そして、上記式（１）を式（２）に代入し、下記の
ようなＢ2 Ｏ3 濃度Ｗの検量線式を求めて、これにより
バックグランド補正を行う。 Ｗ＝ｂ・ＩB-K α＋Ｃ−０．０１５９・Ｉsi-kα ……（３）
した裾野部分の散乱Ｘ線強度ＢＧに相当する濃度であ
る。そして、上記式（１）を式（２）に代入し、下記の
ようなＢ2 Ｏ3 濃度Ｗの検量線式を求めて、これにより
バックグランド補正を行う。 Ｗ＝ｂ・ＩB-K α＋Ｃ−０．０１５９・Ｉsi-kα ……（３）
【００２１】上記式（３）において、ｂ・ＩB-Kαｂが
試料中の測定対象元素の蛍光Ｘ線に比例した項、Ｃが上
記式（１）に示す−９．９６とその他のバックグランド
補正値Ｃ１を含む定数項、０．０１５９・Ｉsi-kα が
試料から発生する外乱Ｘ線Ｉsi-kαの強度に比例した項
である。定数項Ｃの値は、例えば組成が既知の標準試料
について、Ｍｏ・Ｂ4 Ｃからなる分光素子を用いたＸ線
測定結果と、化学分析による濃度測定結果とを比較して
求めることができる。従来の検量線（式(2) ）と本発明
の検量線（式(3) ）とは、図１に示したように、ΔＢだ
けずれた関係となる。
試料中の測定対象元素の蛍光Ｘ線に比例した項、Ｃが上
記式（１）に示す−９．９６とその他のバックグランド
補正値Ｃ１を含む定数項、０．０１５９・Ｉsi-kα が
試料から発生する外乱Ｘ線Ｉsi-kαの強度に比例した項
である。定数項Ｃの値は、例えば組成が既知の標準試料
について、Ｍｏ・Ｂ4 Ｃからなる分光素子を用いたＸ線
測定結果と、化学分析による濃度測定結果とを比較して
求めることができる。従来の検量線（式(2) ）と本発明
の検量線（式(3) ）とは、図１に示したように、ΔＢだ
けずれた関係となる。
【００２２】そして、図１で示すように、上記補正検量
線式によってバックグランド補正を行うことにより、上
記ＢＰＳＧ／Ｓｉウェハーの膜厚・組成分析を行う場合
で、上記分光素子として人工累積膜（Ｍｏ・Ｂ4 Ｃ）を
用いるとき、また、試料の膜厚が異なる場合でも、従来
のものに較べて正確な分析を行うことができる。また、
上記ＢＰＳＧ膜中のＢ2 Ｏ3 含有率分析を行ったとこ
ろ、従来法による正確度（σd ）は０．９重量％である
のに対し、本発明によると０．２重量％に向上させるこ
とができた。
線式によってバックグランド補正を行うことにより、上
記ＢＰＳＧ／Ｓｉウェハーの膜厚・組成分析を行う場合
で、上記分光素子として人工累積膜（Ｍｏ・Ｂ4 Ｃ）を
用いるとき、また、試料の膜厚が異なる場合でも、従来
のものに較べて正確な分析を行うことができる。また、
上記ＢＰＳＧ膜中のＢ2 Ｏ3 含有率分析を行ったとこ
ろ、従来法による正確度（σd ）は０．９重量％である
のに対し、本発明によると０．２重量％に向上させるこ
とができた。
【００２３】Ｂ以外の超軽元素、例えば炭素の分析にお
いても、同様な濃度算出式により、正確な濃度が得られ
た。
いても、同様な濃度算出式により、正確な濃度が得られ
た。
【００２４】
【発明の効果】以上説明したように、この発明によれ
ば、分光素子で発生するＸ線による分析誤差を少なくで
きて、超軽元素でも正確に分析することができる。
ば、分光素子で発生するＸ線による分析誤差を少なくで
きて、超軽元素でも正確に分析することができる。
【図１】本発明のバックグランド補正法を説明するグラ
フである。
フである。
【図２】試料膜厚による濃度偏差の変化を示すグラフで
ある。
ある。
【図３】試料からのＳｉ−Ｋα線の強度による濃度偏差
の変化を示すグラフである。
の変化を示すグラフである。
【図４】蛍光Ｘ線分析装置を概略的に示す図である。
【図５】人工累積膜（Ｍｏ・Ｂ4 Ｃ）を示す断面図であ
る。
る。
【図６】人工累積膜（Ｍｏ・Ｂ4 Ｃ）を用いたＮａＦと
ＬｉＦの分析曲線を示すグラフである。
ＬｉＦの分析曲線を示すグラフである。
【図７】人工累積膜（Ｎｉ・Ｃ）を用いたＮａＦとＬｉ
Ｆの分析曲線を示すグラフである。
Ｆの分析曲線を示すグラフである。
２…試料、３…分光素子、Ｘ１…１次Ｘ線、Ｘ２…蛍光
Ｘ線、Ｘ３…回折Ｘ線。
Ｘ線、Ｘ３…回折Ｘ線。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平５−240809（ＪＰ，Ａ) 特開 平８−271455（ＪＰ，Ａ) 特開 昭63−191951（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) G01N 23/22 - 23/227
Claims (1)
- 【請求項１】 一次Ｘ線が照射された試料から発生する
蛍光Ｘ線を分光素子で回折してその強度を測定し、 濃度算出式を用いて上記強度から試料に含まれた測定対
象元素の濃度を算出する蛍光Ｘ線分析方法において、 上記濃度算出式は、上記試料中の測定対象元素からの蛍
光Ｘ線強度に比例した項と、上記分光素子に入射する外乱Ｘ線の強度に比例した項で
あって、この外乱Ｘ線によって上記分光素子に含まれた
上記測定対象元素と同一の元素が励起されて、上記測定
対象元素からの蛍光Ｘ線が上記分光素子で回折される回
折角と同一角度で分光素子から出射する蛍光Ｘ線の強度
を示す 項と、 定数項とからなることを特徴とするバックグランド補正
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6047763A JP3034420B2 (ja) | 1994-02-21 | 1994-02-21 | 蛍光ｘ線分析におけるバックグランド補正法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6047763A JP3034420B2 (ja) | 1994-02-21 | 1994-02-21 | 蛍光ｘ線分析におけるバックグランド補正法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
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