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JP3030526B2 - 半導体冷却構造 - Google Patents

半導体冷却構造

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JP3030526B2
JP3030526B2 JP3324654A JP32465491A JP3030526B2 JP 3030526 B2 JP3030526 B2 JP 3030526B2 JP 3324654 A JP3324654 A JP 3324654A JP 32465491 A JP32465491 A JP 32465491A JP 3030526 B2 JP3030526 B2 JP 3030526B2
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Japan
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heat sink
cooling
heat
memory
lsi
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松島  均
義広 近藤
敏夫 畑田
明 山際
進 岩井
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Hitachi Ltd
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Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は半導体冷却構造及びそれ
を搭載したコンピュータに係り、特に電子計算機やワー
クステーション等に用いられる半導体モジュールの半導
体冷却構造及びそれを搭載したコンピュータに関する。
【0002】
【従来の技術】パッケージの冷却を効率良く行うため
に、例えば特開平2−138761号に見られるよう
に、パッケージを覆うような放熱キャップをかぶせるこ
とが考えられている。しかし、このような構成では、チ
ップからヒートシンクに至る径路が長く、放熱キャップ
とパッケージ間の熱抵抗が大きくなり、本発明で対象と
するような発熱量の大きなパッケージの冷却には適さな
い。
【0003】発熱量が大きなLSIを冷却するためには
例えば実公昭53−21002号に見られるように、パ
ッケージ上面に直接各種のヒートシンクを付け、冷却風
は電子回路基板に平行に流すのが通例である。発熱量が
著しく大きいLSIではその冷却を行うために冷却風の
速度を大きくすることが有効であるが、これが大きくな
りすぎると騒音上の問題が生じる。このような制約から
冷却風の速度を大きくできない場合には、ヒートシンク
の寸法をパッケージのものよりも大きなオーバハングフ
ィンにすることが考えられる。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】しかし、上述のヒート
シンクの寸法をパッケージのものよりも大きなオーバハ
ングフィンにする場合には、例えば図3に見られるよう
なメモリ2とLSI6が混在する基板3上では、図29
及び図30に示すようになり、ヒートシンク下側のメモ
リ2の部分がヒートシンク1に覆われてしまうために空
気が流れにくくなり、メモリ2の冷却が不十分になる問
題があった。
【0005】また、発熱量の大きなLSIとメモリの混
在する電子回路の冷却法としては特公昭58−3651
9号にあるように、発熱量の大きなLSIのみ噴流で冷
却する方法も考えられている。しかし、このような構成
では冷却風をメモリ用とLSI用の2種類に分ける必要
があり、効率的でなく、かつメモリの発熱量が増大した
場合、前述の騒音等の制約上、冷却が著しく困難になる
という問題があった。
【0006】本発明の目的は、発熱量の著しく大きなL
SIと、発熱量が比較的小さいメモリの混在する半導体
モジュールに対し、LSI及びメモリをそれぞれ効率的
に冷却することのできる半導体冷却構造及びそれを搭載
したコンピュータを提供することである。
【0007】
【0008】
【課題を解決するための手段】 上記目的を達成するため
に本発明は、 電子回路基板上に配置された論理LSI、
複数のメモリ、該論理LSIを冷却するためのヒートシ
ンク、該論理LSIとヒートシンクとを熱的に接続させ
るための熱拡散板、および前記電子回路基板と電子機器
筐体とを接続させるためのコネクタを含み、前記ヒート
シンクをくし歯状の平行平板フィンとし、該ヒートシン
クのベース部に切欠きを設けるとともに、前記ヒートシ
ンクのフィン上端部にガイドベンを設けた半導体冷却構
造において、前記ガイドベンを複数個とし、下流側のガ
イドベンほど、流れの主流方向に対する傾き角を大きく
したことを特徴とするものである。
【0009】また、本発明は、電子回路基板上に配置さ
れた論理LSI、複数のメモリ、該論理LSIを冷却す
るためのヒートシンクを含む半導体冷却構造において、
前記ヒートシンクの空気流れ方向に対して前後が開口す
る中空体のベースと、前記ベースの一方の面を前記論理
LSIとに熱的に接続し、他方の面が複数の平板フィン
よりなる前記ヒートシンクに接続されてなり、前記ヒー
トシンクの空気流れ方向の長さ寸法が、前記ベースの空
気流れ方向長さ寸法よりも大なることを特徴とする。
【0010】
【0011】
【作用】上記構成によれば、くし歯状のヒートシンクを
オーバーハングさせることにより発熱量の大きなLSI
の冷却をするに十分なだけの放熱面積を得ることができ
る。また、そのヒートシンクのベース部に切欠きを設け
ることにより、ヒートシンク下部での風温上昇を上部に
比べて抑えることが可能となる。このため、ヒートシン
ク後流におけるメモリの冷却を十分に行うことができ
る。また、ヒートシンクにガイドベンを付け、フィン間
を流れる冷却空気の向きを強制的に変えることができる
ようになるので、メモリの冷却が効率的に行われる。
【0012】また、例えば、基板間に挿入したエアダク
トからスリットノズルを通してヒートシンク及びメモリ
に冷却空気を直接当てることによりむだな空気流をなく
すとともに高い伝熱特性により効率の良い冷却を行うこ
とができる。また、平行平板状のヒートシンクに当てた
噴流空気を下流側のメモリに当たるようにすることによ
り、エアダクトの形状を簡略化することが可能となる。
【0013】さらに、例えば、以上の冷却を可能とする
ために筐体中に筐体全体を冷却するのとは別の専用ファ
ンを設けると、半導体モジュールユニットの冷却に十分
な空気流を筐体全体の風量を増加させることなく得るこ
とができる。
【0014】
【実施例】以下、本発明のいくつかの実施例を、図面を
参照して説明する。
【0015】(実施例1)図1、図2、図3により本発
明の第1の実施例を説明する。電子回路の基板3の両面
にメモリ2が接続されており、中央部にはLSI6が存
在し、LSI6で発生した熱をヒートシンク1との間で
拡散させる熱拡散板4とLSI6を保護するためのキャ
ップ5とが付いている。また、電気信号を伝えるために
コンデンサ7やコネクタ8が設けてあり、熱拡散板4と
ヒートシンク1との間は接着剤で密着されている。ヒー
トシンク1は平行平板状のフィンで構成されており、熱
拡散板4に対してオーバーハングしている。ヒートシン
ク1は、押し出し加工により成形し、その後、ヒートシ
ンク1のベース部をカットすることによりでき上ってい
る。
【0016】基板3は上下方向に複数あり冷却風は基板
3間を図中左から右に向って流れている。このような構
成において、発熱量の大きなLSI6はヒートシンク1
に十分な放熱面積があるため冷却可能である。ヒートシ
ンク1のオーバハング部とメモリ2との間を流れる冷却
空気は加熱される区間が少ないためヒートシンク1であ
たためられることが少なく、ヒートシンク1の下流側の
メモリ2まわりの冷却空気温度は高くならないため、メ
モリ2の冷却が有効に行われる。
【0017】(実施例2)図4、図5は本発明の第2の
実施例を説明するものである。本実施例においてはオー
バーハング状ヒートシンク1の上端部に2つのガイドベ
ン9a、9bが付いている。ガイドベンの流れに対する
角度は上流側ガイドベン9aのものが下流側ガイドベン
9bのものに比べて小さい。このような構成においては
ヒートシンク1内を流れる冷却空気がガイドベン9a、
9bにより曲げられてメモリ2に当るため、メモリ2の
冷却が良好になる。
【0018】なお、ガイドベン9a、9bの流れに対す
る角度は等しくても良い。また、ガイドベン9の数も1
つでも良く2つ以上でも良い。
【0019】さらにガイドベン9を形状記憶合金やバイ
メタルで構成し、ヒートシンク間温度により可変させて
も良い。
【0020】(実施例3)図6、図7は本発明の第3の
実施例を説明するものである。本実施例においてはヒー
トシンク1と熱拡散板4との間にベース10が介在する
ようになっている。このような構成においては、基板3
間を流れる冷却空気はヒートシンク1を冷却するものと
メモリ2を冷却するものとに完全に分離されるため、そ
れぞれ所望の冷却性能を達成することができる。
【0021】なお、ベース10の形状は図8(a)に示
したものに限ることはなく、図8(b)、(c)、
(d)に示すように、例えばベース10a、10b、1
0cのようなものを1又は複数個並べるようにしても良
い。
【0022】また、第1ないし第3実施例において説明
したヒートシンクの代りに、図9ないし図10に示すヒ
ートシンクを用いても良い。
【0023】(実施例4)図13、図14は本発明の第
4の実施例を説明するものである。本実施例において
は、基板3間にエアダクト11が挿入されている。図
中、冷却空気はエアダクト11の左端から流入し、エア
ダクト11にあけられたノズル12から噴出し、ヒート
シンク1a、メモリ2に直接当る。ヒートシンク1aは
平行平板状のフィンにより構成され押し出し加工により
形成される。本実施例に用いられるヒートシンク1aは
図14に示すように、これまでの実施例のヒートシンク
1に比べフィン高さをおさえ、代りに枚数を増やしてあ
る。またヒートシンク1aはメモリ2にかぶらない程度
の大きさを有する。
【0024】ノズル12の形状は図15(a)、
(b)、(c)に示すようにヒートシンク1a用のもの
は二次元スリット状あるいはそれと同等のもので、ヒー
トシンク1とほぼ同等幅である。メモリ用は丸又は多角
形のもので各メモリ2の位置に1ヶずつ設けてある。こ
のような構成においてはエアダクト11からの冷却空気
がヒートシンク1a又びメモリ2にむだなく当り、かつ
噴流による高い伝熱性能が出るために少ない冷却空気流
量で有効に冷却することができる。
【0025】なお、本実施例においてヒートシンク1a
として平行平板フィンの代りにスリットフィンないしピ
ンフィンにしたものを使用しても良い。
【0026】(実施例5)図16、図17は本発明の第
5の実施例を説明するもので、ヒートシンク1としてピ
ン15を立てたピンフィンを用いた例である。本実施例
ではヒートシンク1上のノズル12の形状として、図1
8(a)、(b)、(c)に示すように、同心状の円形
または多角形を用いる。ピンフィンを用いることにより
平板フィンよりも高い伝熱性能が得られ発熱量のより大
きなLSI6を冷却することが可能となる。
【0027】(実施例6)図19は本発明の第6の実施
例を説明するものである。本実施例においてはエアダク
ト11に設けられたノズル12は、ヒートシンク1用と
基板3の下側のメモリ2aとのそれぞれに対してのみあ
けられている。ヒートシンク1の形状は平行平板状フィ
ンである。基板3の上側のメモリ2bは、ヒートシンク
1に当てられた噴出空気流が平板に平行に流れた後メモ
リ2bに当たることを利用して、高い冷却伝熱性能を得
ることができる。
【0028】本実施例では、メモリ2bとヒートシンク
1aとを冷却する空気を同一にすることができるため、
ヒートシンク1aにより多くの冷却空気を集中させるこ
とが可能である。このため、より発熱量の大きいLSI
6の冷却が可能になる。
【0029】(実施例7)図20は本発明の第7の実施
例を説明するものである。本実施例においてはエアダク
ト11のノズル12は平行平板状のヒートシンク1に対
してのみ設けられている。また、基板3間にエアガイド
13が設けられている。このような構成においては、ノ
ズル12を出た噴流空気流はヒートシンク1に当った
後、平板フィンに沿って前後に流れ、一部はエアガイド
13により曲げられ基板3下側のメモリを冷却し、残り
はエアガイド13とメモリ2との間を流れることにより
基板3の上面のメモリ2を冷却する。本実施例では、エ
アダクトの形状と寸法を簡略化できる利点がある。
【0030】なお、エアガイド13としては図21、図
22に示すようなものでも良く、いずれの場合でも本実
施例とほほ同様な冷却性能を得ることができる。
【0031】(実施例8)図23に示す本発明の第8の
実施例は、基板3間にエアガイド13の代りに風車14
を設けたものである。エアガイド11からの噴出空気流
は平行平板状のヒートシンク1の前後面を流れた後、風
車14を回転させる。これらの流れを利用して基板3の
上、下面のメモリ2を冷却させることができる。
【0032】(実施例9)図24は本発明の第9の実施
例を説明するものである。本実施例においてはエアダク
ト11の先端にあるノズル12はヒートシンク1の斜め
前方を向くように設置されている。ノズル12の形状
は、図25(a)、(b)に示すように、二次元スリッ
ト状或いはそれと同等のものであり、ヒートシンク1は
平行平板状のものである。図24の右側のメモリ2の上
部にはエアガイド13が設けられている。
【0033】このような構成においてエアダクト11を
流れる冷却空気は、一部はエアダクト11の途中にある
ノズル12aから噴出しメモリ2を冷却し、残りはエア
ダクト11の先端にあるノズル12から噴出し、ヒート
シンク1を冷却し、その後、下流側にあるメモリ2を冷
却する。この際、エアガイド13により冷却空気流れを
制御し基板3の上下面のメモリ2の冷却が均等に行われ
るようになっている。
【0034】本実施例は図24に示す基板3間を全体的
に空気が左から右に向って流れて行くような流路構成の
際に有効であり、全体の空気流れをノズル12からの噴
出空気がじゃまをすることがない。
【0035】(実施例10)図26で説明する本発明の
第10の実施例は、図24の実施例のエアガイド13を
取り除いたものである。エアダクト11は先端部で2つ
のノズル12を有している。下部のノズル12aを出た
噴出空気はヒートシンク1を冷却した後に下流側にある
メモリ2の冷却を行なう。上部のノズル12bを出た噴
出空気は上側の基板3の下面にあるメモリ2の冷却を行
なう。本実施例ではエアガイド13を用いないため基板
3間の冷却流路の構成が簡略化できる。
【0036】(実施例11)図27で説明する本発明の
第11の実施例は、図26に示した例の上部のノズル1
2bの先端を伸ばし、メモリ2の一つ一つに噴出空気が
近くから直接当るようにしたものである。本実施例では
上側の基板3の下面にあるメモリ2の冷却を均等に行う
ことが容易となる。
【0037】(実施例12)図28で説明する第12の
実施例は、上述の第1ないし第11実施例において説明
した半導体モジュールの冷却構造をコンピュータの筐体
18中に設けた場合を示す。本実施例においては筐体1
8内全体を冷却するためのファン16が冷却空気の出口
部に設けてあり、筐体18内の冷却空気は図の右側から
左側に向って流れている。発熱量の大きいモジュールの
集合体17は筐体18の冷却空気入口側にある。モジュ
ール集合体17で発熱量の大きなLSI6やメモリ2を
効率的に冷却するためにモジュール集合体17の入口部
に筐体18全体を冷却するためのファン16とは別のフ
ァン16aを設けてある。本実施例によれば筐体18中
の全体の冷却空気の量を増加させることなく、発熱量の
大きなモジュール集合体17の冷却を行うことができ
る。
【0038】
【発明の効果】以上、本発明によれば半導体モジュール
の冷却に必要な冷却空気を制御することができるため
に、発熱量の著しく大きなLSIとそれが比較的小さい
メモリの混在する半導体モジュール及びそれを搭載した
コンピュータに対して、LSI及びメモリ共に効率よく
冷却できる冷却構造を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の第1実施例を示す斜視図である。
【図2】本発明の第1実施例を示す断面図である。
【図3】本発明の第1実施例を示す上面図である。
【図4】本発明の第2実施例を示す断面図である。
【図5】本発明の第2実施例のヒートシンクを示す斜視
図である。
【図6】本発明の第3実施例を示す断面図である。
【図7】本発明の第3実施例のヒートシンクを示す斜視
図である。
【図8】図7に示したベースの変形例を示す説明図であ
る。
【図9】本発明の実施例に用いたヒートシンクの変形例
を示す斜視図である。
【図10】本発明の実施例に用いたヒートシンクの変形
例を示す斜視図である。
【図11】本発明の実施例に用いたヒートシンクの変形
例を示す斜視図である。
【図12】本発明の実施例に用いたヒートシンクの変形
例を示す斜視図である。
【図13】本発明の第4実施例を示す断面図である。
【図14】図13のもののヒートシンクの説明図であ
る。
【図15】図13のもののノズルの説明図である。
【図16】本発明の第5実施例を示す断面図である。
【図17】図16のもののヒートシンクの説明図であ
る。
【図18】図16のもののノズルの説明図である。
【図19】本発明の第6実施例を示す断面図である。
【図20】本発明の第7実施例を示す断面図である。
【図21】図20のもののエアガイドの変形例の説明図
である。
【図22】図20のもののエアガイドの変形例の説明図
である。
【図23】本発明の第8実施例を示す断面図である。
【図24】本発明の第9実施例を示す断面図である。
【図25】図24のもののノズルの説明図である。
【図26】本発明の第10実施例を示す断面図である。
【図27】本発明の第11実施例を示す断面図である。
【図28】本発明の第12実施例を示す説明図である。
【図29】従来例を示す断面図である。
【図30】図29のものの冷却構造を示す斜視図であ
る。
【符号の説明】
1 ヒートシンク 2 メモリ 3 基板 4 熱拡散板 5 キャップ 6 LSI 7 コンデンサ 8 コネクタ 9 ガイドベン 10 ベース 11 エアダクト 12 ノズル 13 エアガイド 14 風車 15 ピン 16 ファン 17 モジュール集合体 18 筐体
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 山際 明 神奈川県秦野市堀山下1番地 株式会社 日立製作所 神奈川工場内 (72)発明者 岩井 進 神奈川県秦野市堀山下1番地 株式会社 日立製作所 神奈川工場内 (56)参考文献 特開 平5−21666(JP,A) 特開 平1−204498(JP,A) 実開 昭61−34742(JP,U) 実開 平3−23941(JP,U) 実開 平3−88389(JP,U) 実開 平4−51149(JP,U) 実開 昭51−11765(JP,U) (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) H01L 23/34 - 23/473

Claims (2)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 電子回路基板上に配置された論理LS
    I、複数のメモリ、該論理LSIを冷却するためのヒー
    トシンク、該論理LSIとヒートシンクとを熱的に接続
    させるための熱拡散板、および前記電子回路基板と電子
    機器筐体とを接続させるためのコネクタを含み、前記ヒ
    ートシンクをくし歯状の平行平板フィンとし、該ヒート
    シンクのベース部に切欠きを設けるとともに、前記ヒー
    トシンクのフィン上端部にガイドベンを設けた半導体冷
    却構造において、前記ガイドベンを複数個とし、下流側
    のガイドベンほど、流れの主流方向に対する傾き角を大
    きくしたことを特徴とする半導体冷却構造。
  2. 【請求項2】 電子回路基板上に配置された論理LS
    I、複数のメモリ、該論理LSIを冷却するためのヒー
    トシンクを含む半導体冷却構造において、前記ヒートシ
    ンクの空気流れ方向に対して前後が開口する中空体のベ
    ースと、前記ベースの一方の面を前記論理LSIとに熱
    的に接続し、他方の面が複数の平板フィンよりなる前記
    ヒートシンクに接続されてなり、前記ヒートシンクの空
    気流れ方向の長さ寸法が、前記ベースの空気流れ方向長
    さ寸法よりも大なることを特徴とする半導体冷却構造。
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