JP3085635B2 - 誘電体磁器組成物 - Google Patents
誘電体磁器組成物Info
- Publication number
- JP3085635B2 JP3085635B2 JP06315050A JP31505094A JP3085635B2 JP 3085635 B2 JP3085635 B2 JP 3085635B2 JP 06315050 A JP06315050 A JP 06315050A JP 31505094 A JP31505094 A JP 31505094A JP 3085635 B2 JP3085635 B2 JP 3085635B2
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- Japan
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- weight
- parts
- dielectric
- molar ratio
- terms
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- Ceramic Capacitors (AREA)
- Inorganic Insulating Materials (AREA)
- Control Of Motors That Do Not Use Commutators (AREA)
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、高周波領域で使用する
電子回路基板や電子部品等に用いられる誘電体磁器組成
物に関するもので、例えば、共振器，コンデンサ，ＬＣ
フィルター等に最適な誘電体磁器組成物に関するもので
ある。
電子回路基板や電子部品等に用いられる誘電体磁器組成
物に関するもので、例えば、共振器，コンデンサ，ＬＣ
フィルター等に最適な誘電体磁器組成物に関するもので
ある。
【０００２】
【従来の技術】従来より誘電体材料として各種誘電体セ
ラミックスが電子回路基板や電子部品等に広く使用され
ており、近年、携帯電話に代表される移動体通信等の高
周波機器の発展と普及に伴い、高周波領域で使用する電
子回路基板や電子部品として、誘電体セラミックスが積
極的に利用されるようになってきた。
ラミックスが電子回路基板や電子部品等に広く使用され
ており、近年、携帯電話に代表される移動体通信等の高
周波機器の発展と普及に伴い、高周波領域で使用する電
子回路基板や電子部品として、誘電体セラミックスが積
極的に利用されるようになってきた。
【０００３】前記誘電体セラミックスからなる電子回路
基板等と導体を同時焼成するに際しては、基板上に印刷
された導体が誘電体セラミックスの焼成温度で溶融する
ことがないように、該導体には、アルミナ、ステアタイ
ト、フォルステライト等の誘電体セラミックスの焼成温
度よりも高い融点を有する、例えば、Ｐｔ，Ｐｄ，Ｗ，
Ｍｏ等の金属が用いられていた。
基板等と導体を同時焼成するに際しては、基板上に印刷
された導体が誘電体セラミックスの焼成温度で溶融する
ことがないように、該導体には、アルミナ、ステアタイ
ト、フォルステライト等の誘電体セラミックスの焼成温
度よりも高い融点を有する、例えば、Ｐｔ，Ｐｄ，Ｗ，
Ｍｏ等の金属が用いられていた。
【０００４】しかしながら、前記金属は導通抵抗が大き
いことから、従来の電子回路基板では、共振回路やＬＣ
フィルタのＱ値が小さくなってしまい、導体線路の伝送
損失が大きくなる等の問題があった。
いことから、従来の電子回路基板では、共振回路やＬＣ
フィルタのＱ値が小さくなってしまい、導体線路の伝送
損失が大きくなる等の問題があった。
【０００５】そこで係る問題を解消するために導通抵抗
の小さいＡｇやＣｕ等の金属を導体として採用し、低温
で同時焼成できる誘電体セラミックスが種々提案されて
いる。更に、最近の高周波電子回路基板に対する小型化
と高性能化の要求に応えるために、特定の周波数領域で
比誘電率εｒを高くすることにより共振回路やＬＣフィ
ルタの小型化を可能とし、また、誘電体セラミックスの
Ｑ値を高くすることにより、共振回路やＬＣフィルタの
Ｑ値も高くすることができて低損失となることから、各
種の複合誘電体が提案されている。
の小さいＡｇやＣｕ等の金属を導体として採用し、低温
で同時焼成できる誘電体セラミックスが種々提案されて
いる。更に、最近の高周波電子回路基板に対する小型化
と高性能化の要求に応えるために、特定の周波数領域で
比誘電率εｒを高くすることにより共振回路やＬＣフィ
ルタの小型化を可能とし、また、誘電体セラミックスの
Ｑ値を高くすることにより、共振回路やＬＣフィルタの
Ｑ値も高くすることができて低損失となることから、各
種の複合誘電体が提案されている。
【０００６】このような誘電体磁器組成物として、従
来、例えば、特開平４−２９２４６０号公報に開示され
るものが知られており、この公報には、アノーサイト−
チタン酸カルシウム系のガラスとＴｉＯ2 からなるもの
が開示され、低温焼成できるため、導体としてＡｇやＣ
ｕ等の金属と同時焼成できる。
来、例えば、特開平４−２９２４６０号公報に開示され
るものが知られており、この公報には、アノーサイト−
チタン酸カルシウム系のガラスとＴｉＯ2 からなるもの
が開示され、低温焼成できるため、導体としてＡｇやＣ
ｕ等の金属と同時焼成できる。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、特開平
４−２９２４６０号公報に開示された誘電体磁器組成物
では、比誘電率εｒが４〜６ＧＨｚの高周波領域の測定
では１６未満と低く、高周波電子回路基板の小型化、高
性能化には限界があった。また、この誘電体磁器組成物
は、６ＧＨｚの測定周波数でＱ値が最大３３０程度と低
いため、共振回路のＱ値が低いものであった。
４−２９２４６０号公報に開示された誘電体磁器組成物
では、比誘電率εｒが４〜６ＧＨｚの高周波領域の測定
では１６未満と低く、高周波電子回路基板の小型化、高
性能化には限界があった。また、この誘電体磁器組成物
は、６ＧＨｚの測定周波数でＱ値が最大３３０程度と低
いため、共振回路のＱ値が低いものであった。
【０００８】本発明は上記課題に鑑みなされたもので、
８５０〜９５０℃の比較的低温でＡｇやＣｕ等の導体金
属と同時に焼成でき、誘電体セラミックスの比誘電率ε
ｒやＱ値が高く、かつ共振周波数の温度係数τｆが比較
的小さい等の特徴を有し、高周波電子回路基板等の小型
化と高性能化を実現できる誘電体磁器組成物の提供を目
的とするものである。
８５０〜９５０℃の比較的低温でＡｇやＣｕ等の導体金
属と同時に焼成でき、誘電体セラミックスの比誘電率ε
ｒやＱ値が高く、かつ共振周波数の温度係数τｆが比較
的小さい等の特徴を有し、高周波電子回路基板等の小型
化と高性能化を実現できる誘電体磁器組成物の提供を目
的とするものである。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明の誘電体磁器組成
物は、金属成分として少なくともＢａ，Ｍｇ，Ｗおよび
Ｔａを含有する複合酸化物であって、モル比による組成
式をａＢａＯ・ｂＭｇＯ・ｃＷＯ3 ・ｄＴａＯ5/2 と表
した時、ａ、ｂ、ｃおよびｄが、０．４０≦ａ≦０．５
５、０．１０≦ｂ≦０．４０、０≦ｃ≦０．３０、０≦
ｄ≦０．４０、０．２０≦ｃ＋ｄ≦０．４０、ａ＋ｂ＋
ｃ＋ｄ＝１を満足する主成分１００重量部に対して、硼
酸化合物をＢ2 Ｏ3 換算で０．２重量部よりも多く５．
０重量部以下、アルカリ金属含有化合物を炭酸塩換算で
１．０〜９．０重量部添加してなるものである。
物は、金属成分として少なくともＢａ，Ｍｇ，Ｗおよび
Ｔａを含有する複合酸化物であって、モル比による組成
式をａＢａＯ・ｂＭｇＯ・ｃＷＯ3 ・ｄＴａＯ5/2 と表
した時、ａ、ｂ、ｃおよびｄが、０．４０≦ａ≦０．５
５、０．１０≦ｂ≦０．４０、０≦ｃ≦０．３０、０≦
ｄ≦０．４０、０．２０≦ｃ＋ｄ≦０．４０、ａ＋ｂ＋
ｃ＋ｄ＝１を満足する主成分１００重量部に対して、硼
酸化合物をＢ2 Ｏ3 換算で０．２重量部よりも多く５．
０重量部以下、アルカリ金属含有化合物を炭酸塩換算で
１．０〜９．０重量部添加してなるものである。
【００１０】ここで、主成分におけるＢａＯのモル比ａ
を０．４０≦ａ≦０．５５としたのは、ＢａＯのモル比
が０．４０未満の場合にはＱ値が低下し焼結が困難とな
り、ａが０．５５を越える場合にはＱ値が低下するから
である。ＢａＯのモル比ａは０．４６≦ａ≦０．５４と
することが特に望ましい。
を０．４０≦ａ≦０．５５としたのは、ＢａＯのモル比
が０．４０未満の場合にはＱ値が低下し焼結が困難とな
り、ａが０．５５を越える場合にはＱ値が低下するから
である。ＢａＯのモル比ａは０．４６≦ａ≦０．５４と
することが特に望ましい。
【００１１】また、ＭｇＯのモル比ｂを０．１０≦ｂ≦
０．４０としたのは、ＭｇＯのモル比が０．１０未満の
場合には焼結が困難となり、あるいはＱ値の低下を招
き、モル比ｂが０．４０を越える場合にはＱ値が低下
し、焼結体が困難となるからである。ＭｇＯのモル比ｂ
は０．１３≦ｂ≦０．２５とすることが特に望ましい。
０．４０としたのは、ＭｇＯのモル比が０．１０未満の
場合には焼結が困難となり、あるいはＱ値の低下を招
き、モル比ｂが０．４０を越える場合にはＱ値が低下
し、焼結体が困難となるからである。ＭｇＯのモル比ｂ
は０．１３≦ｂ≦０．２５とすることが特に望ましい。
【００１２】さらに、ＷＯ3 のモル比ｃを０≦ｃ≦０．
３０としたのは、ＷＯ3 のモル比が０．３０を越える場
合にはＱ値が低下するからである。ＷＯ3 のモル比ｃは
０＜ｃ≦０．１５とすることが特に望ましい。
３０としたのは、ＷＯ3 のモル比が０．３０を越える場
合にはＱ値が低下するからである。ＷＯ3 のモル比ｃは
０＜ｃ≦０．１５とすることが特に望ましい。
【００１３】また、ＴａＯ5/2 のモル比ｄを０≦ｄ≦
０．４０としたのは、ＴａＯ5/2 モル比が０．４０より
大きい場合にはＱ値が低下するからである。ＴａＯ5/2
のモル比ｄは０．１５≦ｄ＜０．４０とすることが特に
望ましい。
０．４０としたのは、ＴａＯ5/2 モル比が０．４０より
大きい場合にはＱ値が低下するからである。ＴａＯ5/2
のモル比ｄは０．１５≦ｄ＜０．４０とすることが特に
望ましい。
【００１４】さらに、ＷＯ3 のモル比ｃとＴａＯ5/2 の
モル比ｄの合量を０．２０≦ｃ＋ｄ≦０．４０としたの
は、ｃ＋ｄが０．２０よりも小さい場合や逆にｃ＋ｄが
０．４０よりも大きい場合には、Ｑ値が低下したり、焼
結不良となるからである。ＷＯ3 のモル比ｃとＴａＯ
5/2 のモル比ｄの合量は０．２４≦ｃ＋ｄ≦０．４０と
することが望ましい。
モル比ｄの合量を０．２０≦ｃ＋ｄ≦０．４０としたの
は、ｃ＋ｄが０．２０よりも小さい場合や逆にｃ＋ｄが
０．４０よりも大きい場合には、Ｑ値が低下したり、焼
結不良となるからである。ＷＯ3 のモル比ｃとＴａＯ
5/2 のモル比ｄの合量は０．２４≦ｃ＋ｄ≦０．４０と
することが望ましい。
【００１５】本発明の誘電体磁器組成物は、前記主成分
１００重量部に対して、硼酸化合物をＢ2 Ｏ3 換算で
０．２重量部より多く５．０重量部以下、アルカリ金属
含有化合物を炭酸塩換算で１．０〜９．０重量部添加し
てなるものである。
１００重量部に対して、硼酸化合物をＢ2 Ｏ3 換算で
０．２重量部より多く５．０重量部以下、アルカリ金属
含有化合物を炭酸塩換算で１．０〜９．０重量部添加し
てなるものである。
【００１６】主成分１００重量部に対して、硼酸化合物
をＢ2 Ｏ3 換算で０．２重量部より多く５．０重量部以
下添加したのは、硼酸化合物をＢ2 Ｏ3 換算で０．２重
量部以下の場合には９５０℃以下で焼結が困難となり、
Ａｇ等との同時焼成ができなくなり、逆に５重量部より
多い場合にはＱ値が小さくなってしまうからである。
をＢ2 Ｏ3 換算で０．２重量部より多く５．０重量部以
下添加したのは、硼酸化合物をＢ2 Ｏ3 換算で０．２重
量部以下の場合には９５０℃以下で焼結が困難となり、
Ａｇ等との同時焼成ができなくなり、逆に５重量部より
多い場合にはＱ値が小さくなってしまうからである。
【００１７】硼酸化合物はＢ2 Ｏ3 換算で０．３〜３重
量部添加することが特に望ましい。硼酸化合物として
は、Ｂ2 Ｏ3 ，コレマナイト，ＣａＢ2 Ｏ4 ，ＺｎＢ2
Ｏ4 がある。
量部添加することが特に望ましい。硼酸化合物として
は、Ｂ2 Ｏ3 ，コレマナイト，ＣａＢ2 Ｏ4 ，ＺｎＢ2
Ｏ4 がある。
【００１８】主成分１００重量部に対して、アルカリ金
属含有化合物を炭酸塩換算で１．０〜９．０重量部添加
したのは、アルカリ金属含有化合物を炭酸塩換算で１．
０重量部よりも少ない場合には９５０℃以下での焼結が
困難となり、Ａｇ等との同時焼成ができなくなり、逆に
９重量部よりも多い場合にはＱ値が小さくなってしまう
からである。例えば、アルカリ金属がＬｉの場合にはＬ
ｉ2 ＣＯ3 換算で１．０〜９．０重量部、アルカリ金属
がＫの場合にはＫ2 ＣＯ3 換算で１．０〜９．０重量
部、アルカリ金属がＮａの場合にはＮａ2 ＣＯ3 換算で
１．０〜９．０重量部添加する。アルカリ金属化合物は
酸化物換算で１〜７重量部添加することが望ましい。ア
ルカリ金属としては、Ｌｉ，Ｎａ，Ｋ，Ｒｂ，Ｃｓがあ
る。
属含有化合物を炭酸塩換算で１．０〜９．０重量部添加
したのは、アルカリ金属含有化合物を炭酸塩換算で１．
０重量部よりも少ない場合には９５０℃以下での焼結が
困難となり、Ａｇ等との同時焼成ができなくなり、逆に
９重量部よりも多い場合にはＱ値が小さくなってしまう
からである。例えば、アルカリ金属がＬｉの場合にはＬ
ｉ2 ＣＯ3 換算で１．０〜９．０重量部、アルカリ金属
がＫの場合にはＫ2 ＣＯ3 換算で１．０〜９．０重量
部、アルカリ金属がＮａの場合にはＮａ2 ＣＯ3 換算で
１．０〜９．０重量部添加する。アルカリ金属化合物は
酸化物換算で１〜７重量部添加することが望ましい。ア
ルカリ金属としては、Ｌｉ，Ｎａ，Ｋ，Ｒｂ，Ｃｓがあ
る。
【００１９】また、本発明の誘電体磁器組成物では、上
記組成を満足するとともに、０．１７≦５｜ａ−０．５
｜＋ｂ＋０．２ｃ＜０．９４を満足することが望まし
い。これは、この範囲内であれば、Ｑ値がより高く、回
路の特性をさらに向上できるからである。
記組成を満足するとともに、０．１７≦５｜ａ−０．５
｜＋ｂ＋０．２ｃ＜０．９４を満足することが望まし
い。これは、この範囲内であれば、Ｑ値がより高く、回
路の特性をさらに向上できるからである。
【００２０】さらに、本発明の誘電体磁器組成物では、
モル比による組成式をａＢａＯ・ｂＭｇＯ・ｃＷＯ3 ・
ｄＴａＯ5/2 と表した時、０．４６≦ａ≦０．５４、
０．１３≦ｂ≦０．２５、０＜ｃ≦０．１５、０．１５
≦ｄ＜０．４０、０．２４≦ｃ＋ｄ≦０．４０、ａ＋ｂ
＋ｃ＋ｄ＝１を満足する主成分１００重量部に対して、
硼酸化合物をＢ2 Ｏ3 換算で０．３〜３重量部、アルカ
リ金属含有化合物を炭酸塩換算で１〜７重量部添加する
ことが望ましい。
モル比による組成式をａＢａＯ・ｂＭｇＯ・ｃＷＯ3 ・
ｄＴａＯ5/2 と表した時、０．４６≦ａ≦０．５４、
０．１３≦ｂ≦０．２５、０＜ｃ≦０．１５、０．１５
≦ｄ＜０．４０、０．２４≦ｃ＋ｄ≦０．４０、ａ＋ｂ
＋ｃ＋ｄ＝１を満足する主成分１００重量部に対して、
硼酸化合物をＢ2 Ｏ3 換算で０．３〜３重量部、アルカ
リ金属含有化合物を炭酸塩換算で１〜７重量部添加する
ことが望ましい。
【００２１】本発明における硼酸化合物とアルカリ金属
含有化合物は、主成分の構成元素であるＢａ，Ｍｇ，
Ｗ，Ｔａの一部と反応しガラス相を形成し、ＢａＯ粒
子、ＭｇＯ粒子、ＷＯ3 粒子、ＴａＯ5/2 粒子との間の
粒界に、或いはこれらの粒子とＢａ，Ｍｇ，Ｗ，Ｔａが
相互に固溶した固溶体粒子の間の粒界に存在することと
なる。
含有化合物は、主成分の構成元素であるＢａ，Ｍｇ，
Ｗ，Ｔａの一部と反応しガラス相を形成し、ＢａＯ粒
子、ＭｇＯ粒子、ＷＯ3 粒子、ＴａＯ5/2 粒子との間の
粒界に、或いはこれらの粒子とＢａ，Ｍｇ，Ｗ，Ｔａが
相互に固溶した固溶体粒子の間の粒界に存在することと
なる。
【００２２】本発明の誘電体磁器組成物は、例えば、Ｂ
ａＣＯ3 、ＭｇＣＯ3 、ＷＯ3 、Ｔａ2 Ｏ5 の各原料粉
末を所定量となるように秤量し、混合粉砕し、これを１
２００〜１４００℃の温度で１〜３時間仮焼する。得ら
れた仮焼物に、例えば、Ｂ2Ｏ3 等の硼酸化合物と、例
えばＬｉ2 ＣＯ3 等のアルカリ金属含有化合物の各粉末
を所定量となるように秤量し、混合粉砕し、プレス成形
等により成形した後、大気中において脱バインダー処理
し、この後、大気中または窒素雰囲気中において８５０
〜９５０℃で０．５〜２．０時間焼成することにより得
られる。
ａＣＯ3 、ＭｇＣＯ3 、ＷＯ3 、Ｔａ2 Ｏ5 の各原料粉
末を所定量となるように秤量し、混合粉砕し、これを１
２００〜１４００℃の温度で１〜３時間仮焼する。得ら
れた仮焼物に、例えば、Ｂ2Ｏ3 等の硼酸化合物と、例
えばＬｉ2 ＣＯ3 等のアルカリ金属含有化合物の各粉末
を所定量となるように秤量し、混合粉砕し、プレス成形
等により成形した後、大気中において脱バインダー処理
し、この後、大気中または窒素雰囲気中において８５０
〜９５０℃で０．５〜２．０時間焼成することにより得
られる。
【００２３】
【作用】本発明の誘電体磁器組成物では、８５０〜９５
０℃の比較的低温でＡｇやＣｕ等の導体金属と同時に焼
成でき、誘電体セラミックスの比誘電率εｒやＱ値が高
く、かつ共振周波数の温度係数τｆを比較的小さくする
ことができ、高周波電子回路基板等の小型化と高性能化
を実現できる。
０℃の比較的低温でＡｇやＣｕ等の導体金属と同時に焼
成でき、誘電体セラミックスの比誘電率εｒやＱ値が高
く、かつ共振周波数の温度係数τｆを比較的小さくする
ことができ、高周波電子回路基板等の小型化と高性能化
を実現できる。
【００２４】
【実施例】以下、本発明の誘電体磁器組成物を実施例に
基づいて詳細に説明する。
基づいて詳細に説明する。
【００２５】先ず、純度９９％以上のＢａＣＯ3 、Ｍｇ
ＣＯ3 、ＷＯ3 、Ｔａ2 Ｏ5 の各原料粉末を表１，２に
示すモル比となるように秤量し、該原料粉末に媒体とし
て水を加えて２４時間、ボールミルにて混合した後、該
混合物を乾燥し、次いで該乾燥物を１４００℃の温度で
１時間仮焼した。
ＣＯ3 、ＷＯ3 、Ｔａ2 Ｏ5 の各原料粉末を表１，２に
示すモル比となるように秤量し、該原料粉末に媒体とし
て水を加えて２４時間、ボールミルにて混合した後、該
混合物を乾燥し、次いで該乾燥物を１４００℃の温度で
１時間仮焼した。
【００２６】得られた仮焼物にＢ2 Ｏ3 粉末とアルカリ
金属含有化合物を表１，２に示す割合となるように秤量
し、ボールミルにて２４時間、混合した後、バインダー
としてポリビニルアルコールを１重量％加えてから造粒
し、該造粒物を約１ｔ／ｃｍ2 の加圧力でプレス成形し
て直径約２０ｍｍ、高さ１０ｍｍの円柱状の成形体を成
形した。
金属含有化合物を表１，２に示す割合となるように秤量
し、ボールミルにて２４時間、混合した後、バインダー
としてポリビニルアルコールを１重量％加えてから造粒
し、該造粒物を約１ｔ／ｃｍ2 の加圧力でプレス成形し
て直径約２０ｍｍ、高さ１０ｍｍの円柱状の成形体を成
形した。
【００２７】
【表１】
【００２８】
【表２】
【００２９】その後、前記成形体を大気中において４０
０℃の温度で４時間加熱して脱バインダー処理し、引き
続いて９５０℃で３０分間焼成した。かくして得られた
円柱体の両端面を平面研磨し、誘電体特性評価用の試料
を作製した。
０℃の温度で４時間加熱して脱バインダー処理し、引き
続いて９５０℃で３０分間焼成した。かくして得られた
円柱体の両端面を平面研磨し、誘電体特性評価用の試料
を作製した。
【００３０】誘電体特性の評価は、前記試料を用いて誘
電体円柱共振器法により、共振周波数を６〜８ＧＨｚに
設定して各試料の比誘電率εｒと７ＧＨｚにおける１／
ｔａｎδ、即ちＱ値を測定するとともに、−４０〜＋８
５℃の温度範囲における共振周波数の温度係数τｆを測
定した。これらの結果を表３，４に示す。
電体円柱共振器法により、共振周波数を６〜８ＧＨｚに
設定して各試料の比誘電率εｒと７ＧＨｚにおける１／
ｔａｎδ、即ちＱ値を測定するとともに、−４０〜＋８
５℃の温度範囲における共振周波数の温度係数τｆを測
定した。これらの結果を表３，４に示す。
【００３１】
【表３】
【００３２】
【表４】
【００３３】これらの表３および表４によれば、本発明
の誘電体磁器組成物では、９５０℃以下の比較的低温で
焼成でき、さらに、比誘電率εｒが１２以上、Ｑ値が５
００以上、かつ共振周波数の温度係数τｆが±３０以内
の優れた特性を有することが判る。
の誘電体磁器組成物では、９５０℃以下の比較的低温で
焼成でき、さらに、比誘電率εｒが１２以上、Ｑ値が５
００以上、かつ共振周波数の温度係数τｆが±３０以内
の優れた特性を有することが判る。
【００３４】
【発明の効果】本発明の誘電体磁器組成物では、９５０
℃以下の比較的低温でＡｇやＣｕ等の導体金属と同時に
焼成でき、高周波領域において高い比誘電率を有すると
ともに、Ｑ値も高く、かつ共振周波数の温度特性にも優
れ、高周波電子回路基板等のより一層の小型化と高性能
化が実現できる。
℃以下の比較的低温でＡｇやＣｕ等の導体金属と同時に
焼成でき、高周波領域において高い比誘電率を有すると
ともに、Ｑ値も高く、かつ共振周波数の温度特性にも優
れ、高周波電子回路基板等のより一層の小型化と高性能
化が実現できる。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 藤川 信儀 鹿児島県国分市山下町１番４号 京セラ 株式会社総合研究所内 審査官 深草 祐一 (56)参考文献 特開 平６−187828（ＪＰ，Ａ) 特開 平５−85804（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−18806（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) C04B 35/495
Claims (1)
- 【請求項１】金属成分として少なくともＢａ，Ｍｇ，Ｗ
およびＴａを含有する複合酸化物からなり、モル比によ
る組成式を ａＢａＯ・ｂＭｇＯ・ｃＷＯ3 ・ｄＴａＯ5/2 と表した時、ａ、ｂ、ｃおよびｄが ０．４０≦ａ≦０．５５ ０．１０≦ｂ≦０．４０ ０ ≦ｃ≦０．３０ ０ ≦ｄ≦０．４０ ０．２０≦ｃ＋ｄ≦０．４０ ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＝１ を満足する主成分１００重量部に対して、硼酸化合物を
Ｂ2 Ｏ3 換算で０．２重量部より多く５．０重量部以
下、アルカリ金属含有化合物を炭酸塩換算で１．０〜
９．０重量部添加してなることを特徴とする誘電体磁器
組成物。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP06315050A JP3085635B2 (ja) | 1994-12-19 | 1994-12-19 | 誘電体磁器組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP06315050A JP3085635B2 (ja) | 1994-12-19 | 1994-12-19 | 誘電体磁器組成物 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08169760A JPH08169760A (ja) | 1996-07-02 |
| JP3085635B2 true JP3085635B2 (ja) | 2000-09-11 |
Family
ID=18060835
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP06315050A Expired - Fee Related JP3085635B2 (ja) | 1994-12-19 | 1994-12-19 | 誘電体磁器組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
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1994
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