JP3085100B2 - 磁電変換素子 - Google Patents
磁電変換素子Info
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】磁性体基板に磁気抵抗効果層が形
成された磁電変換素子に関する。
成された磁電変換素子に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来から絶縁材料あるいは磁性材料から
なる基板に、磁気抵抗効果を有するＩｎＳｂなどからな
る磁気抵抗効果層が形成された磁電変換素子が、厚さ、
角度、回転数などを検知するためのセンサ−を構成する
ための素子として広く用いられている。このような磁電
変換素子の構造を図２、４、５を用いて説明する。
なる基板に、磁気抵抗効果を有するＩｎＳｂなどからな
る磁気抵抗効果層が形成された磁電変換素子が、厚さ、
角度、回転数などを検知するためのセンサ−を構成する
ための素子として広く用いられている。このような磁電
変換素子の構造を図２、４、５を用いて説明する。
【０００３】図４は従来の磁電変換素子２０の断面図
で、磁性体基板１にミアンダライン形状を有するＩｎＳ
ｂ薄膜からなる磁気抵抗効果層２が、例えばエポキシ樹
脂などの熱硬化性樹脂による接着層３により接着されて
いる。さらに前記ミアンダライン形状を有する磁気抵抗
効果層２には電気伝導性を有するショ−トバ−４．．．
４が多数個形成されている。図２の部分平面図にショ−
トバ−４．．．．４が形成された磁気抵抗効果層２を示
す。図２に示すように磁気抵抗効果層２の両端には外部
素子と電気的に接続するための接続端子（図示せず）を
接続するための電極５、５が形成されている。
で、磁性体基板１にミアンダライン形状を有するＩｎＳ
ｂ薄膜からなる磁気抵抗効果層２が、例えばエポキシ樹
脂などの熱硬化性樹脂による接着層３により接着されて
いる。さらに前記ミアンダライン形状を有する磁気抵抗
効果層２には電気伝導性を有するショ−トバ−４．．．
４が多数個形成されている。図２の部分平面図にショ−
トバ−４．．．．４が形成された磁気抵抗効果層２を示
す。図２に示すように磁気抵抗効果層２の両端には外部
素子と電気的に接続するための接続端子（図示せず）を
接続するための電極５、５が形成されている。
【０００４】このような磁電変換素子の製造方法を図５
を用いて説明する。
を用いて説明する。
【０００５】まずＩｎＳｂウェハ−６を準備する。この
ＩｎＳｂウェハ−６の片面を鏡面研磨し、さらに研磨面
に全面エッチングを施す。次に図５（１）に示すように
ＩｎＳｂウェハ−６にＡｌなどの電極材料を蒸着もしく
はスパッタリングにより成膜し電極材７を形成する。次
に図５（２）に示すように電極材７をフォトリソグラフ
ィ−によりショ−トバ−４．．．．４と接続電極５、５
に形成する。次に図５（３）に示すようにＩｎＳｂウェ
ハ−６をフォトリソグラフィ−によりミアンダライン形
状に成形し、磁気抵抗効果層２を形成する。ここで同時
に個々の磁電変換素子２０を分離するための溝
８．．．．８も形成する。次に図５（４）に示すように
ＩｎＳｂウェハ−６の磁気抵抗効果層２の形成面をエポ
キシ樹脂などの熱硬化性樹脂からなる接着層３により磁
性体基板１に接着する。次に図５（５）に示すようにＩ
ｎＳｂウェハ−６を前記溝８．．．．８の底面まで研削
することにより多数個の磁電変換素子２０が独立して形
成された磁性体基板１を得る。次にダイシングにより溝
８．．．．８で切断し磁電変換素子２０を得る。
ＩｎＳｂウェハ−６の片面を鏡面研磨し、さらに研磨面
に全面エッチングを施す。次に図５（１）に示すように
ＩｎＳｂウェハ−６にＡｌなどの電極材料を蒸着もしく
はスパッタリングにより成膜し電極材７を形成する。次
に図５（２）に示すように電極材７をフォトリソグラフ
ィ−によりショ−トバ−４．．．．４と接続電極５、５
に形成する。次に図５（３）に示すようにＩｎＳｂウェ
ハ−６をフォトリソグラフィ−によりミアンダライン形
状に成形し、磁気抵抗効果層２を形成する。ここで同時
に個々の磁電変換素子２０を分離するための溝
８．．．．８も形成する。次に図５（４）に示すように
ＩｎＳｂウェハ−６の磁気抵抗効果層２の形成面をエポ
キシ樹脂などの熱硬化性樹脂からなる接着層３により磁
性体基板１に接着する。次に図５（５）に示すようにＩ
ｎＳｂウェハ−６を前記溝８．．．．８の底面まで研削
することにより多数個の磁電変換素子２０が独立して形
成された磁性体基板１を得る。次にダイシングにより溝
８．．．．８で切断し磁電変換素子２０を得る。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら従来の磁
電変換素子はショ−トバ−と磁気抵抗効果層が形成され
た面をエポキシ樹脂で磁性体基板に接着するとき、樹脂
の硬化収縮により、磁気抵抗効果層にクラックが入るこ
とがあった。また磁気抵抗効果層が形成された面にエポ
キシ樹脂が十分入り込まないことがありその部分に気泡
が生じるので、磁気抵抗効果層の端が欠けたりショ−ト
バ−が脱落することがあった。
電変換素子はショ−トバ−と磁気抵抗効果層が形成され
た面をエポキシ樹脂で磁性体基板に接着するとき、樹脂
の硬化収縮により、磁気抵抗効果層にクラックが入るこ
とがあった。また磁気抵抗効果層が形成された面にエポ
キシ樹脂が十分入り込まないことがありその部分に気泡
が生じるので、磁気抵抗効果層の端が欠けたりショ−ト
バ−が脱落することがあった。
【０００７】本発明は上記問題点を解決するために考案
されたものであり、ショ−トバ−と磁気抵抗効果層を保
護するために、応力緩和効果のある保護層を形成するも
のである。
されたものであり、ショ−トバ−と磁気抵抗効果層を保
護するために、応力緩和効果のある保護層を形成するも
のである。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明の請求項１にかか
る磁電変換素子は、応力緩和効果のある樹脂による保護
膜を有する磁気抵抗効果層が基板に形成され、さらに、
前記磁気抵抗効果層には電気導電性を有するショートバ
ーが形成されており、前記保護膜を介して磁性体基板に
前記磁気抵抗効果層のショートバーが形成されている面
が接着された事を特徴とする。
る磁電変換素子は、応力緩和効果のある樹脂による保護
膜を有する磁気抵抗効果層が基板に形成され、さらに、
前記磁気抵抗効果層には電気導電性を有するショートバ
ーが形成されており、前記保護膜を介して磁性体基板に
前記磁気抵抗効果層のショートバーが形成されている面
が接着された事を特徴とする。
【０００９】
【作用】請求項１記載の磁電変換素子は、応力緩和効果
のある保護膜を有する磁気抵抗効果層が基板に形成さ
れ、前記保護膜を介して磁性体基板に接着されているの
で、磁気抵抗効果層に樹脂の硬化収縮による応力により
クラックが生じたり、ショ−トバ−が脱落したりするこ
とがなくなる。
のある保護膜を有する磁気抵抗効果層が基板に形成さ
れ、前記保護膜を介して磁性体基板に接着されているの
で、磁気抵抗効果層に樹脂の硬化収縮による応力により
クラックが生じたり、ショ−トバ−が脱落したりするこ
とがなくなる。
【００１０】
【実施例】（実施例１）以下に本発明の一実施例磁電変
換素子を図１、２、３を用いて説明する。なお従来例と
同一の部分については同一の符号を用いてその説明を省
略する。
換素子を図１、２、３を用いて説明する。なお従来例と
同一の部分については同一の符号を用いてその説明を省
略する。
【００１１】図１は本実施例の磁電変換素子１０の断面
図である。磁電変換素子１０はミアンダライン形状を有
するＩｎＳｂ薄膜からなる磁気抵抗効果層２と、前記磁
気抵抗効果層２に形成された電気伝導性を有するショ−
トバ−４．．．．４が応力緩和効果のある例えばポリイ
ミドなどの樹脂による保護層３ａにより被覆され、保護
層３ａの形成面が例えばエポキシ樹脂などの熱硬化性樹
脂による接着層３により、磁性体基板１に接着された構
造を有している。図２の部分平面図にショ−トバ−
４．．．．４が形成された磁気抵抗効果層２を示す。図
２に示すように磁気抵抗効果層２の両端には外部素子と
電気的に接続するための接続端子（図示せず）を接続す
るための電極５、５が形成されている。
図である。磁電変換素子１０はミアンダライン形状を有
するＩｎＳｂ薄膜からなる磁気抵抗効果層２と、前記磁
気抵抗効果層２に形成された電気伝導性を有するショ−
トバ−４．．．．４が応力緩和効果のある例えばポリイ
ミドなどの樹脂による保護層３ａにより被覆され、保護
層３ａの形成面が例えばエポキシ樹脂などの熱硬化性樹
脂による接着層３により、磁性体基板１に接着された構
造を有している。図２の部分平面図にショ−トバ−
４．．．．４が形成された磁気抵抗効果層２を示す。図
２に示すように磁気抵抗効果層２の両端には外部素子と
電気的に接続するための接続端子（図示せず）を接続す
るための電極５、５が形成されている。
【００１２】このような磁電変換素子の製造方法を図３
を用いて説明する。
を用いて説明する。
【００１３】まずＩｎＳｂウェハ−６を準備する。この
ＩｎＳｂウェハ−６の片面を鏡面研磨し、さらに研磨面
に全面エッチングを施す。次に図３（１）に示すように
ＩｎＳｂウェハ−６にまずＡｌなどの電極材料を蒸着も
しくはスパッタリングにより成膜し電極材７を形成す
る。次に図３（２）に示すように電極材７をフォトリソ
グラフィ−によりショ−トバ−４．．．．４と接続電極
５、５に形成する。次に図３（３）に示すようにＩｎＳ
ｂウェハ−６をフォトリソグラフィ−によりミアンダラ
イン形状に成形し、磁気抵抗効果層２を形成する。ここ
で同時に個々の磁電変換素子２０を分離するための溝
８．．．．８も形成する。次に図３（４）に示すように
ポリイミドの有機溶媒溶液をスピンコ−ト法により塗布
し、９０℃で３０分間乾燥したのち３５０℃で２時間硬
化し、保護層３ａを形成する。次に図３（５）に示すよ
うに保護層３ａ形成面にエポキシ樹脂などの熱硬化性樹
脂による接着層３を介して、磁性体基板１を接着する。
次に図３（６）に示すようにＩｎＳｂウェハ−６を前記
溝８．．．．８の底面まで研削することにより個々の磁
電変換素子１０が独立して他数個形成された磁性体基板
１を得る。次にダイシングソ−により溝８．．．．８で
切断し磁電変換素子１０を得る。
ＩｎＳｂウェハ−６の片面を鏡面研磨し、さらに研磨面
に全面エッチングを施す。次に図３（１）に示すように
ＩｎＳｂウェハ−６にまずＡｌなどの電極材料を蒸着も
しくはスパッタリングにより成膜し電極材７を形成す
る。次に図３（２）に示すように電極材７をフォトリソ
グラフィ−によりショ−トバ−４．．．．４と接続電極
５、５に形成する。次に図３（３）に示すようにＩｎＳ
ｂウェハ−６をフォトリソグラフィ−によりミアンダラ
イン形状に成形し、磁気抵抗効果層２を形成する。ここ
で同時に個々の磁電変換素子２０を分離するための溝
８．．．．８も形成する。次に図３（４）に示すように
ポリイミドの有機溶媒溶液をスピンコ−ト法により塗布
し、９０℃で３０分間乾燥したのち３５０℃で２時間硬
化し、保護層３ａを形成する。次に図３（５）に示すよ
うに保護層３ａ形成面にエポキシ樹脂などの熱硬化性樹
脂による接着層３を介して、磁性体基板１を接着する。
次に図３（６）に示すようにＩｎＳｂウェハ−６を前記
溝８．．．．８の底面まで研削することにより個々の磁
電変換素子１０が独立して他数個形成された磁性体基板
１を得る。次にダイシングソ−により溝８．．．．８で
切断し磁電変換素子１０を得る。
【００１４】なお本発明は上記各実施例に限定されるも
のではなく、前記電極材はＡｌの他にＣｕやＡｕなど他
の金属材料でも良いし、Ｔｉ／ＡｌやＴｉ／Ｎｉ／Ａｌ
等の二層以上の多層膜構造を用いても良く、またＣｒ・
Ｃｕなどの合金を用いても良い事はいうまでもない。
のではなく、前記電極材はＡｌの他にＣｕやＡｕなど他
の金属材料でも良いし、Ｔｉ／ＡｌやＴｉ／Ｎｉ／Ａｌ
等の二層以上の多層膜構造を用いても良く、またＣｒ・
Ｃｕなどの合金を用いても良い事はいうまでもない。
【００１５】また保護層を形成する材料として、無機材
料のシリカ（ＳｉＯ2 ）、酸化シリコン（ＳｉＯ）、窒
化ケイ素（ＳｉＮx ）などの材料をスパッタリングや蒸
着により形成しても良い。
料のシリカ（ＳｉＯ2 ）、酸化シリコン（ＳｉＯ）、窒
化ケイ素（ＳｉＮx ）などの材料をスパッタリングや蒸
着により形成しても良い。
【００１６】
【発明の効果】本発明の磁電変換素子は磁気抵抗効果層
の形成面を、応力緩和効果を有する樹脂による保護層で
被覆することにより、磁性体基板に接着するための熱硬
化性樹脂の硬化収縮の影響を無くすことができた。した
がって磁気抵抗効果層のクラック、欠けおよびショ−ト
バ−の脱落が大幅に削減できた。その結果、良品率を向
上できると共に磁気抵抗効果層の厚みを増やすことがで
きるので、パタ−ン設計の制約が減らせる。
の形成面を、応力緩和効果を有する樹脂による保護層で
被覆することにより、磁性体基板に接着するための熱硬
化性樹脂の硬化収縮の影響を無くすことができた。した
がって磁気抵抗効果層のクラック、欠けおよびショ−ト
バ−の脱落が大幅に削減できた。その結果、良品率を向
上できると共に磁気抵抗効果層の厚みを増やすことがで
きるので、パタ−ン設計の制約が減らせる。
【図１】本発明の一実施例磁電変換素子の断面図であ
る。
る。
【図２】本発明の一実施例磁電変換素子の部分平面図で
ある。
ある。
【図３】本発明の一実施例磁電変換素子の製造途中を示
す図である。
す図である。
【図４】従来の磁電変換素子の断面図である
【図５】従来の磁電変換素子の製造途中を示す図であ
る。
る。
１ 磁性体基板 ２ 磁気抵抗効果層 ３ 接着層 ３ａ 保護層 ４ ショ−トバ− ５ 接続電極 ６ ＩｎＳｂウェハ− ７ 電極材 ８ 溝 １０、２０ 磁電変換素子
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 43/08
Claims (1)
- 【請求項１】応力緩和効果のある樹脂による保護膜を有
する磁気抵抗効果層が基板に形成され、さらに、前記磁
気抵抗効果層には電気導電性を有するショートバーが形
成されており、前記保護膜を介して磁性体基板に前記磁
気抵抗効果層のショートバーが形成されている面が接着
された事を特徴とする磁電変換素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP06213756A JP3085100B2 (ja) | 1994-09-07 | 1994-09-07 | 磁電変換素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP06213756A JP3085100B2 (ja) | 1994-09-07 | 1994-09-07 | 磁電変換素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0878755A JPH0878755A (ja) | 1996-03-22 |
| JP3085100B2 true JP3085100B2 (ja) | 2000-09-04 |
Family
ID=16644513
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP06213756A Expired - Lifetime JP3085100B2 (ja) | 1994-09-07 | 1994-09-07 | 磁電変換素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3085100B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1284412A4 (en) * | 2000-05-15 | 2006-10-25 | Mitsubishi Electric Corp | DETECTION ELEMENT AND METHOD OF MANUFACTURING |
| WO2015182370A1 (ja) * | 2014-05-30 | 2015-12-03 | 株式会社村田製作所 | 電子部品の製造方法 |
-
1994
- 1994-09-07 JP JP06213756A patent/JP3085100B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0878755A (ja) | 1996-03-22 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
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