JP3074579B2 - 位置ずれ補正方法 - Google Patents
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- G01—MEASURING; TESTING
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- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はＸ線ステッパー等、マイ
クロメータ以下の製造ルールが必要とされる半導体等用
の露光装置におけるマスクとウェハとの位置ずれ補正方
法に関する。
クロメータ以下の製造ルールが必要とされる半導体等用
の露光装置におけるマスクとウェハとの位置ずれ補正方
法に関する。
【０００２】
【従来の技術】ＬＳＩ等の半導体素子の集積度は高密度
化の一途をたどり、現在はｇ線、ｉ線ステッパーが実用
化され、さらにエキシマレーザを用いた露光装置、Ｘ線
ステッパーも研究段階から実用化に進み始めている。こ
のような露光装置においては、０．２５〜０．１μｍの
線幅解像がなされつつあるが、このために必要なマスク
・ウェハの相対位置合わせ精度はその１／１０、すなわ
ち、３０〜１０ナノメートルが最低限必要とされてい
る。このような高精度位置合わせ方法として、二重回折
格子法が提案されている［Ｆｌａｎｄｅｒｓ ｅｔ．ａ
ｌ，”Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．３１，４２６
（１９７７）”］。この方法の原理を図１３に示す。こ
の方法は、マスク及びウェハにそれぞれ回折格子を設
け、これらにレーザー光を入射し、それぞれの回折格子
からの複数の回折光の干渉光強度を検知することによ
り、マスク及びウェハの相対位置ずれを検出し、相対位
置合わせを行なうものである。
化の一途をたどり、現在はｇ線、ｉ線ステッパーが実用
化され、さらにエキシマレーザを用いた露光装置、Ｘ線
ステッパーも研究段階から実用化に進み始めている。こ
のような露光装置においては、０．２５〜０．１μｍの
線幅解像がなされつつあるが、このために必要なマスク
・ウェハの相対位置合わせ精度はその１／１０、すなわ
ち、３０〜１０ナノメートルが最低限必要とされてい
る。このような高精度位置合わせ方法として、二重回折
格子法が提案されている［Ｆｌａｎｄｅｒｓ ｅｔ．ａ
ｌ，”Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．３１，４２６
（１９７７）”］。この方法の原理を図１３に示す。こ
の方法は、マスク及びウェハにそれぞれ回折格子を設
け、これらにレーザー光を入射し、それぞれの回折格子
からの複数の回折光の干渉光強度を検知することによ
り、マスク及びウェハの相対位置ずれを検出し、相対位
置合わせを行なうものである。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら上記従来
例の二重回折格子法では、位置合わせ精度が、マスク・
ウェハに設ける回折格子の作製精度で決まり、現状では
回折格子のピッチが〜１μｍ、その作製精度は〜０．１
μｍとなる。光の回折に寄与する格子の本数分の平均化
効果を考慮に入れても、位置合わせ精度は、１０ナノメ
ートルが限界であった。したがって、今後さらに微細化
が進むことが予想される、半導体微細加工のための露光
装置において、マスクとウェハとを１ナノメートルオー
ダーの精度で相対位置合わせを行なう方法が求められて
いる。
例の二重回折格子法では、位置合わせ精度が、マスク・
ウェハに設ける回折格子の作製精度で決まり、現状では
回折格子のピッチが〜１μｍ、その作製精度は〜０．１
μｍとなる。光の回折に寄与する格子の本数分の平均化
効果を考慮に入れても、位置合わせ精度は、１０ナノメ
ートルが限界であった。したがって、今後さらに微細化
が進むことが予想される、半導体微細加工のための露光
装置において、マスクとウェハとを１ナノメートルオー
ダーの精度で相対位置合わせを行なう方法が求められて
いる。
【０００４】
【課題を解決するための手段及び作用】原子間力顕微鏡
（以下「ＡＦＭ」と記す）が開発され［Ｂｉｎｎｉｇ
ｅｔ．ａｌ，Ｐｈｙｓ．Ｒｅｖ．Ｌｅｔｔ．５６，９３
０（１９８６）］、表面の凹凸情報を原子・分子オーダ
ーで得ることができるようになった。ＡＦＭは試料表面
に対して１ナノメートル以下の距離まで接近させた探針
を支持する弾性体からなるカンチレバー（片持ちばり）
が、試料−探針間に働く力を受けて撓む量から逆に力を
検出し、この力を一定にするように、試料−探針間の距
離を制御しながら試料表面を走査することにより、表面
の三次元形状をナノメートル以下の分解能で観察するも
のである。ＡＦＭでは、試料が導電性を有する必要がな
く、絶縁性試料、特に半導体レジスト面や生体高分子な
どを原子・分子オーダーで観察可能である。
（以下「ＡＦＭ」と記す）が開発され［Ｂｉｎｎｉｇ
ｅｔ．ａｌ，Ｐｈｙｓ．Ｒｅｖ．Ｌｅｔｔ．５６，９３
０（１９８６）］、表面の凹凸情報を原子・分子オーダ
ーで得ることができるようになった。ＡＦＭは試料表面
に対して１ナノメートル以下の距離まで接近させた探針
を支持する弾性体からなるカンチレバー（片持ちばり）
が、試料−探針間に働く力を受けて撓む量から逆に力を
検出し、この力を一定にするように、試料−探針間の距
離を制御しながら試料表面を走査することにより、表面
の三次元形状をナノメートル以下の分解能で観察するも
のである。ＡＦＭでは、試料が導電性を有する必要がな
く、絶縁性試料、特に半導体レジスト面や生体高分子な
どを原子・分子オーダーで観察可能である。
【０００５】本発明は、ＡＦＭの原理を応用した露光装
置の位置ずれ補正方法であり、以下の構成を有するもの
である。 即ち、本発明は、弾性体によって支持された探
針がマスクに設けられ、該探針によってウェハに設けら
れた位置検出マークを検出し、検出された結果に従って
マスクとウェハとの位置ずれを補正する露光装置の位置
ずれ補正方法において、 前記位置検出マークを含む予め
定められたウェハ上の第１の領域を探針が走査するよう
にウェハとマスクとに第１の相対移動を行わせる工程
と、第１の相対移動時の探針と位置検出マーク間の作用
力に基づく弾性体の第１の変形を検知する工程と、検知
された第１の変形からウェハとマスクとの第１の位置ず
れ量を算出する工程と、算出された第１の位置ずれ量に
基づいてウェハとマスクとの相対位置を補正する第１の
補正を行う工程と、前記第１の補正の後、前記位置検出
マークを含み、且つ前記第１の領域よりも小さい第２の
領域を探針が走査するようにウェハとマスクとに第２の
相対移動を行わせる工程と、第２の相対移動時の探針と
位置検出マーク間の作用力に基づく弾性体の第２の変形
を検知する工程と、検知された第２の変形からウェハと
マスクとの第２の位置ずれ量を算出する工程と、算出さ
れた第２の位置ずれ量に基づいてウェハとマスクとの相
対位置を補正する第２の補正を行う工程と、から成るこ
とを特徴とする。 また、本発明は、弾性体によって支持
された探針がマスクに設けられ、該探針によってウェハ
に設けられた位置検出マークを検出し、検出された結果
に従ってマスクとウェハとの位置ずれを補正する露光装
置の位置ずれ補正方法において、 前記位置検出マークに
対して探針が円を描いて走査するように、ウェハとマス
クとに相対移動を行わせる工程と、前記相対移動時の探
針と位置検出マーク間の作用力に基づく弾性体の変形を
検知する工程と、検知された弾性体の変形からウェハと
マスクとの位置ずれ量を算出する工程と、算出された位
置ずれ量に基づいてウェハとマスクとの相対位置を補正
する工程と、から成ることを特徴とする。 また、本発明
は、複数の弾性体によって各々支持された複数の探針が
マスクに設けられ、これらの探針によってウェハに設け
られた複数の位置検出マークを検出し、検出された結果
に従ってマスクとウェハとの位置ずれを補正する露光装
置 の位置ずれ補正方法において、 各々が前記位置検出マ
ークを含む予め定められたウェハ上の複数の領域を、こ
れらに対応する複数の探針がそれぞれ走査するようにウ
ェハとマスクとに相対移動を行わせる工程と、前記相対
移動時の探針と位置検出マーク間の作用力に基づく複数
の弾性体の変形をそれぞれ検知する工程と、検知された
それぞれの弾性体の変形からウェハとマスクとの複数の
位置ずれ量を算出する工程と、算出された複数の位置ず
れ量の偏差が最小となるようにウェハとマスクとの相対
位置を補正する工程と、から成ることを特徴とする。 さ
らに本発明は、ウェハに複数のマスクで露光を行うこと
によってパターンを形成する露光装置に用いられ、複数
のマスクのそれぞれに弾性体によって支持された探針が
設けられ、各々のマスクによって露光を行う際に、前記
探針によってウェハに設けられた位置検出マークを検出
し、検出された結果に従って各々のマスクとウェハとの
位置ずれを補正する方法において、 前記ウェハの露光に
先立って位置検出マークを有する基準ウェハを用意し、
該基準ウェハの位置検出マークをそれぞれのマスクに設
けられた探針で検出することによって基準ウェハとマス
クの位置ずれを補正した後、それぞれのマスクで基準ウ
ェハに露光を行い、基準ウェハ上に露光されたパターン
を観察することにより、それぞれのマスクにおける探針
の誤差量を測定しておき、これらのマスクで前記ウェハ
に露光を行う際の位置検出マークの検出結果を測定され
た誤差量で補正し、補正された検出結果に従って各々の
マスクとウェハとの位置ずれを補正することを特徴とす
る。本発明によれば、ＡＦＭの原理を応用し、マスクに
探針を支持する弾性体を設け、この探針をウェハ上に設
けた位置検出マークに対向させ、探針と位置検出マーク
との間に働く力による弾性体の変形を検出しながら、例
えばマスクとウェハとの法線方向の間隔制御を行ない、
あるいはマスクとウェハとを横方向に相対的に走査さ
せ、その際の働く力による弾性体の変形から、探針と位
置検出マークとの間の相対位置ずれを検出し補正するこ
とにより、マスクとウェハとの相対位置合わせを１ナノ
メートルオーダーの精度で行うことができる。また、本
発明によれば、不導体レジストを塗布されたウェハとマ
スクとの相対位置ずれ補正をも可能にする。
置の位置ずれ補正方法であり、以下の構成を有するもの
である。 即ち、本発明は、弾性体によって支持された探
針がマスクに設けられ、該探針によってウェハに設けら
れた位置検出マークを検出し、検出された結果に従って
マスクとウェハとの位置ずれを補正する露光装置の位置
ずれ補正方法において、 前記位置検出マークを含む予め
定められたウェハ上の第１の領域を探針が走査するよう
にウェハとマスクとに第１の相対移動を行わせる工程
と、第１の相対移動時の探針と位置検出マーク間の作用
力に基づく弾性体の第１の変形を検知する工程と、検知
された第１の変形からウェハとマスクとの第１の位置ず
れ量を算出する工程と、算出された第１の位置ずれ量に
基づいてウェハとマスクとの相対位置を補正する第１の
補正を行う工程と、前記第１の補正の後、前記位置検出
マークを含み、且つ前記第１の領域よりも小さい第２の
領域を探針が走査するようにウェハとマスクとに第２の
相対移動を行わせる工程と、第２の相対移動時の探針と
位置検出マーク間の作用力に基づく弾性体の第２の変形
を検知する工程と、検知された第２の変形からウェハと
マスクとの第２の位置ずれ量を算出する工程と、算出さ
れた第２の位置ずれ量に基づいてウェハとマスクとの相
対位置を補正する第２の補正を行う工程と、から成るこ
とを特徴とする。 また、本発明は、弾性体によって支持
された探針がマスクに設けられ、該探針によってウェハ
に設けられた位置検出マークを検出し、検出された結果
に従ってマスクとウェハとの位置ずれを補正する露光装
置の位置ずれ補正方法において、 前記位置検出マークに
対して探針が円を描いて走査するように、ウェハとマス
クとに相対移動を行わせる工程と、前記相対移動時の探
針と位置検出マーク間の作用力に基づく弾性体の変形を
検知する工程と、検知された弾性体の変形からウェハと
マスクとの位置ずれ量を算出する工程と、算出された位
置ずれ量に基づいてウェハとマスクとの相対位置を補正
する工程と、から成ることを特徴とする。 また、本発明
は、複数の弾性体によって各々支持された複数の探針が
マスクに設けられ、これらの探針によってウェハに設け
られた複数の位置検出マークを検出し、検出された結果
に従ってマスクとウェハとの位置ずれを補正する露光装
置 の位置ずれ補正方法において、 各々が前記位置検出マ
ークを含む予め定められたウェハ上の複数の領域を、こ
れらに対応する複数の探針がそれぞれ走査するようにウ
ェハとマスクとに相対移動を行わせる工程と、前記相対
移動時の探針と位置検出マーク間の作用力に基づく複数
の弾性体の変形をそれぞれ検知する工程と、検知された
それぞれの弾性体の変形からウェハとマスクとの複数の
位置ずれ量を算出する工程と、算出された複数の位置ず
れ量の偏差が最小となるようにウェハとマスクとの相対
位置を補正する工程と、から成ることを特徴とする。 さ
らに本発明は、ウェハに複数のマスクで露光を行うこと
によってパターンを形成する露光装置に用いられ、複数
のマスクのそれぞれに弾性体によって支持された探針が
設けられ、各々のマスクによって露光を行う際に、前記
探針によってウェハに設けられた位置検出マークを検出
し、検出された結果に従って各々のマスクとウェハとの
位置ずれを補正する方法において、 前記ウェハの露光に
先立って位置検出マークを有する基準ウェハを用意し、
該基準ウェハの位置検出マークをそれぞれのマスクに設
けられた探針で検出することによって基準ウェハとマス
クの位置ずれを補正した後、それぞれのマスクで基準ウ
ェハに露光を行い、基準ウェハ上に露光されたパターン
を観察することにより、それぞれのマスクにおける探針
の誤差量を測定しておき、これらのマスクで前記ウェハ
に露光を行う際の位置検出マークの検出結果を測定され
た誤差量で補正し、補正された検出結果に従って各々の
マスクとウェハとの位置ずれを補正することを特徴とす
る。本発明によれば、ＡＦＭの原理を応用し、マスクに
探針を支持する弾性体を設け、この探針をウェハ上に設
けた位置検出マークに対向させ、探針と位置検出マーク
との間に働く力による弾性体の変形を検出しながら、例
えばマスクとウェハとの法線方向の間隔制御を行ない、
あるいはマスクとウェハとを横方向に相対的に走査さ
せ、その際の働く力による弾性体の変形から、探針と位
置検出マークとの間の相対位置ずれを検出し補正するこ
とにより、マスクとウェハとの相対位置合わせを１ナノ
メートルオーダーの精度で行うことができる。また、本
発明によれば、不導体レジストを塗布されたウェハとマ
スクとの相対位置ずれ補正をも可能にする。
【０００６】
【実施例】以下、本発明を実施例を用いて詳細に説明す
る。
る。
【０００７】実施例 図１〜図３に本発明の一実施例であるマスク・ウェハ位
置合わせ装置（ここではＸ線露出装置）装置を示す。図
１は、断面図、図２はマスク上に設けられた弾性体から
なるカンチレバーの配置図、図３はウェハ上の位置決め
マークの配置図である。図１において、マスク１００上
に設けられた弾性体からなるカンチレバーａ：１０１，
ｂ：１０２，ｃ：１０３，ｄ：１０４（１０３，１０４
は図２参照）の先端裏面に上部よりレーザー光ａ：１０
５，ｂ：１０６，ｃ，ｄ（ｃ，ｄについては図に記載し
ていない）を照射し、反射光の光スポットの位置を位置
検出素子ａ：１０７，ｂ：１０８，ｃ，ｄ（ｃ，ｄにつ
いては図に記載していない）によって検知する。カンチ
レバーａ：１０１，ｂ：１０２，ｃ：１０３，ｄ：１０
４の先端表面には、探針ａ：１０９，ｂ：１１０，ｃ：
１１１，ｄ：１１２（１１１，１１２は図２参照）が設
けられており、それぞれレジスト１１３を介してウェハ
１１４上の位置決めマークａ：１１５，ｂ：１１６，
ｃ：１１７，ｄ：１１８（１１７，１１８は図３参照）
に対向している。探針ａ：１０９，ｂ：１１０，ｃ：１
１１，ｄ：１１２と位置決めマークａ：１１５，ｂ：１
１６，ｃ：１１７，ｄ：１１８上のレジスト１１３との
間隔は、１ナノメートル以下の距離に設定されており、
探針ａ〜ｄの先端とレジスト１１３との間には１０-6〜
１０-8ニュートン程度の微弱な力（ファンデルワールス
力）が働く状態になっている。マスク１００とウェハ１
１４との間にｘ，ｙ方向やｚ方向の相対位置ずれが生
じ、探針ａ〜ｄの先端とレジスト１１３との間に働く力
の大きさに変化が生じると、探針ａ〜ｄの先端がｚ方向
に動くため探針ａ〜ｄを支持する弾性体からなるカンチ
レバーａ〜ｄの撓み量に変化を生じ、位置検出素子ａ，
ｂ，ｃ，ｄにおける反射光の光スポットに位置ずれが生
じる。この位置ずれ量（△Ζ）を検出することにより、
カンチレバーａ〜ｄの撓み量、すなわち探針ａ〜ｄ先端
の動き量（△ｚ）を検知することができる。実際カンチ
レバーの長さをｌ，カンチレバー裏面から位置検出素子
までの距離をＬとすると となる。これらの動き量及びカンチレバーの弾性定数よ
り探針ａ〜ｄ先端とレジスト１１３との間に働く力の大
きさを算出することができる。
置合わせ装置（ここではＸ線露出装置）装置を示す。図
１は、断面図、図２はマスク上に設けられた弾性体から
なるカンチレバーの配置図、図３はウェハ上の位置決め
マークの配置図である。図１において、マスク１００上
に設けられた弾性体からなるカンチレバーａ：１０１，
ｂ：１０２，ｃ：１０３，ｄ：１０４（１０３，１０４
は図２参照）の先端裏面に上部よりレーザー光ａ：１０
５，ｂ：１０６，ｃ，ｄ（ｃ，ｄについては図に記載し
ていない）を照射し、反射光の光スポットの位置を位置
検出素子ａ：１０７，ｂ：１０８，ｃ，ｄ（ｃ，ｄにつ
いては図に記載していない）によって検知する。カンチ
レバーａ：１０１，ｂ：１０２，ｃ：１０３，ｄ：１０
４の先端表面には、探針ａ：１０９，ｂ：１１０，ｃ：
１１１，ｄ：１１２（１１１，１１２は図２参照）が設
けられており、それぞれレジスト１１３を介してウェハ
１１４上の位置決めマークａ：１１５，ｂ：１１６，
ｃ：１１７，ｄ：１１８（１１７，１１８は図３参照）
に対向している。探針ａ：１０９，ｂ：１１０，ｃ：１
１１，ｄ：１１２と位置決めマークａ：１１５，ｂ：１
１６，ｃ：１１７，ｄ：１１８上のレジスト１１３との
間隔は、１ナノメートル以下の距離に設定されており、
探針ａ〜ｄの先端とレジスト１１３との間には１０-6〜
１０-8ニュートン程度の微弱な力（ファンデルワールス
力）が働く状態になっている。マスク１００とウェハ１
１４との間にｘ，ｙ方向やｚ方向の相対位置ずれが生
じ、探針ａ〜ｄの先端とレジスト１１３との間に働く力
の大きさに変化が生じると、探針ａ〜ｄの先端がｚ方向
に動くため探針ａ〜ｄを支持する弾性体からなるカンチ
レバーａ〜ｄの撓み量に変化を生じ、位置検出素子ａ，
ｂ，ｃ，ｄにおける反射光の光スポットに位置ずれが生
じる。この位置ずれ量（△Ζ）を検出することにより、
カンチレバーａ〜ｄの撓み量、すなわち探針ａ〜ｄ先端
の動き量（△ｚ）を検知することができる。実際カンチ
レバーの長さをｌ，カンチレバー裏面から位置検出素子
までの距離をＬとすると となる。これらの動き量及びカンチレバーの弾性定数よ
り探針ａ〜ｄ先端とレジスト１１３との間に働く力の大
きさを算出することができる。
【０００８】次に、マスク１００とウェハ１１４間の間
隔制御方法について説明する。カンチレバー先端の探針
ａ〜ｄの長さは、１０〜３０μｍ程度のある決められた
長さにそろえられており、これが、マスク１００とウェ
ハ１１４間の間隔を定める。すなわち初期の離れた状態
からマスクに対してウェハを近づけていく際に、４つの
探針ａ〜ｄが、ウェハ上レジスト１１３に近接し、１０
-6ニュートン以下の同じ大きさの力が各探針ａ〜ｄとレ
ジスト間に働くように４つのｚ方向駆動機構ａ：１１
９，ｂ：１２０，ｃ，ｄ（ｃ，ｄについては図１に記載
していないが、マスク・ウェハの中心軸に関して４回対
称の位置、すなわち図１の紙面に対して垂直方向に設け
られている）の駆動量を調節する。ただし、平面を決定
するのは３点であるので、４つのｚ方向駆動機構を独立
に駆動するわけではなく、具体的には、例えば４つの探
針ａ〜ｄとレジストとの間に働く力のばらつき（標準偏
差）が最小になるようにウェハ面の位置を算出し、その
値に基づいて４つのｚ方向駆動機構の駆動を行なう。
隔制御方法について説明する。カンチレバー先端の探針
ａ〜ｄの長さは、１０〜３０μｍ程度のある決められた
長さにそろえられており、これが、マスク１００とウェ
ハ１１４間の間隔を定める。すなわち初期の離れた状態
からマスクに対してウェハを近づけていく際に、４つの
探針ａ〜ｄが、ウェハ上レジスト１１３に近接し、１０
-6ニュートン以下の同じ大きさの力が各探針ａ〜ｄとレ
ジスト間に働くように４つのｚ方向駆動機構ａ：１１
９，ｂ：１２０，ｃ，ｄ（ｃ，ｄについては図１に記載
していないが、マスク・ウェハの中心軸に関して４回対
称の位置、すなわち図１の紙面に対して垂直方向に設け
られている）の駆動量を調節する。ただし、平面を決定
するのは３点であるので、４つのｚ方向駆動機構を独立
に駆動するわけではなく、具体的には、例えば４つの探
針ａ〜ｄとレジストとの間に働く力のばらつき（標準偏
差）が最小になるようにウェハ面の位置を算出し、その
値に基づいて４つのｚ方向駆動機構の駆動を行なう。
【０００９】次にマスク１００とウェハ１１４とのｘｙ
方向の位置決め方法について説明する。ウェハ１１４
は、ｘｙθステージ１２１上に載せられ、マスクに対し
てｘｙ方向に２次元に走査される。このとき、各々の探
針ａ〜ｄは、位置決めマークａ〜ｄ上をレジスト越しに
走査することになり、位置決めマークａ〜ｄの凹凸に応
じた、探針ａ〜ｄのｚ方向の動き量（〜カンチレバーの
撓み量〜位置検出素子上光スポット位置ずれ量）を２次
元走査の各点でプロットすることにより、各探針ａ〜ｄ
の２次元走査範囲における位置決めマークの位置を検知
することができる。ファンデルワールス力を検出する形
態なので、レジストが塗布されていても（例えば不導体
レジストでも）マーク検出可能である。マーク位置検出
の一例を図８に示す。ここでは、あるプロセス前後にお
ける位置決めマークａ〜ｄの位置ずれを示している。こ
のときのそれぞれのプロセス前からの位置ずれ量を（△
ｘa，△ｙa ），（△ｘb ，△ｙb ），（△ｘc ，△ｙ
c ），（△ｘd ，△ｙd ）とする。これらの位置ずれの
要因としては、プロセス前後のウェハの再セッティング
時のｘ，ｙ方向のずれ△ｘ1 ，△ｙ1 ，回転ずれ△θ，
プロセス時の歪み（熱による膨張、収縮等）△ｘ2 ，△
ｙ2 があり、上記位置ずれ量との間には、以下の関係が
ある。
方向の位置決め方法について説明する。ウェハ１１４
は、ｘｙθステージ１２１上に載せられ、マスクに対し
てｘｙ方向に２次元に走査される。このとき、各々の探
針ａ〜ｄは、位置決めマークａ〜ｄ上をレジスト越しに
走査することになり、位置決めマークａ〜ｄの凹凸に応
じた、探針ａ〜ｄのｚ方向の動き量（〜カンチレバーの
撓み量〜位置検出素子上光スポット位置ずれ量）を２次
元走査の各点でプロットすることにより、各探針ａ〜ｄ
の２次元走査範囲における位置決めマークの位置を検知
することができる。ファンデルワールス力を検出する形
態なので、レジストが塗布されていても（例えば不導体
レジストでも）マーク検出可能である。マーク位置検出
の一例を図８に示す。ここでは、あるプロセス前後にお
ける位置決めマークａ〜ｄの位置ずれを示している。こ
のときのそれぞれのプロセス前からの位置ずれ量を（△
ｘa，△ｙa ），（△ｘb ，△ｙb ），（△ｘc ，△ｙ
c ），（△ｘd ，△ｙd ）とする。これらの位置ずれの
要因としては、プロセス前後のウェハの再セッティング
時のｘ，ｙ方向のずれ△ｘ1 ，△ｙ1 ，回転ずれ△θ，
プロセス時の歪み（熱による膨張、収縮等）△ｘ2 ，△
ｙ2 があり、上記位置ずれ量との間には、以下の関係が
ある。
【００１０】
【関係式】 これらの関係式を用いて△ｘ1 ，△ｙ1 ，△ｘ2 ，△ｙ
2 ，△θを算出し、この算出値に基づき、図１に示した
ｘｙθステージ１２１を駆動し、プロセス前後の位置ず
れを補正する。例えば位置決めマークの大きさを０．５
μｍ、走査領域を２μｍ×２μｍとし、探針による位置
決めマーク走査時のｘｙ方向（横方向）分解能を走査領
域の１／１００×１／１００とすると、位置決め精度は
２０ナノメートルとなる。さらに精度を上げるために
は、上記の手順で位置ずれを補正後、走査領域を１／１
０すなわち２００ナノメートル×２００ナノメートルと
して、再び同様の手順をとることにより、位置決め精度
をさらに１ナノメートルオーダーまで向上させることが
できる。原理的には、上記の手順を繰り返すことによ
り、位置決めの精度は、いくらでも向上するが、実際に
は、プロセス時の歪み△ｘ2 ，△ｙ2 については完全に
は補正できずこれが、位置決めの精度を決める。そこで
全体の位置ずれ量が小さくなるように（例えばそれぞれ
の探針におけるｘ，ｙ二方向の位置ずれ量の偏差が最小
になるように）補正を行なう。
2 ，△θを算出し、この算出値に基づき、図１に示した
ｘｙθステージ１２１を駆動し、プロセス前後の位置ず
れを補正する。例えば位置決めマークの大きさを０．５
μｍ、走査領域を２μｍ×２μｍとし、探針による位置
決めマーク走査時のｘｙ方向（横方向）分解能を走査領
域の１／１００×１／１００とすると、位置決め精度は
２０ナノメートルとなる。さらに精度を上げるために
は、上記の手順で位置ずれを補正後、走査領域を１／１
０すなわち２００ナノメートル×２００ナノメートルと
して、再び同様の手順をとることにより、位置決め精度
をさらに１ナノメートルオーダーまで向上させることが
できる。原理的には、上記の手順を繰り返すことによ
り、位置決めの精度は、いくらでも向上するが、実際に
は、プロセス時の歪み△ｘ2 ，△ｙ2 については完全に
は補正できずこれが、位置決めの精度を決める。そこで
全体の位置ずれ量が小さくなるように（例えばそれぞれ
の探針におけるｘ，ｙ二方向の位置ずれ量の偏差が最小
になるように）補正を行なう。
【００１１】上記例では位置決めマークとして図３に示
したような十字型の形状としたが、マーク形状は、これ
に限定するものではなく、矩形等他の形状でもよいし、
不規則なものでもよい。また探針の走査方法として、位
置決めマークを含むマスク上の矩形の領域の２次元走査
により画像情報から探針と位置決めマークとの相対位置
ずれを検出する方法を示したが、これ以外にも図９に示
すような円周に沿った走査法により、円周上で位置決め
マークの一部分を走査する際の探針のｚ方向動き量波形
から相対位置ずれを検出する方法でもよい。これを図９
および図１０を用いて簡単に説明しておく。プロセス前
において、仮に４つの探針ａ〜ｄと４つの位置決めマー
クａ〜ｄとの間に位置ずれがなければ、図９に示すよう
にそれぞれの探針は、点線で示した位置決めマークａ〜
ｄ上を円周に沿って走査し、この時の円周上の各点に対
するそれぞれの探針のｚ方向動き量波形は、図１０の点
線で示したものとなる。プロセス後に再び探針が、位置
決めマーク上を走査する際、位置決めマークａ〜ｄが図
９の実線で示したような位置にずれていると、円周上の
各点に対するそれぞれの探針のｚ方向動き量波形は図１
０の実線で示したものとなる。図１０における各波形の
点線から実線への波形の変化（各ピークのシフト量及び
シフト位置）から、位置ずれ量（△ｘa ，△ｙa ），
（△ｘb ，△ｙb ），（△ｘc ，△ｙc ），（△ｘd ，
△ｙd ）を求めることができる。以下、前記の例と同様
にしてプロセス前後のウェハの再セッティング時のｘ，
ｙ方向のずれ△ｘ1 ，△ｙ1 ，回転ずれ△θ，プロセス
時の歪み△ｘ2 ，△ｙ2 を算出し、位置ずれを補正す
る。
したような十字型の形状としたが、マーク形状は、これ
に限定するものではなく、矩形等他の形状でもよいし、
不規則なものでもよい。また探針の走査方法として、位
置決めマークを含むマスク上の矩形の領域の２次元走査
により画像情報から探針と位置決めマークとの相対位置
ずれを検出する方法を示したが、これ以外にも図９に示
すような円周に沿った走査法により、円周上で位置決め
マークの一部分を走査する際の探針のｚ方向動き量波形
から相対位置ずれを検出する方法でもよい。これを図９
および図１０を用いて簡単に説明しておく。プロセス前
において、仮に４つの探針ａ〜ｄと４つの位置決めマー
クａ〜ｄとの間に位置ずれがなければ、図９に示すよう
にそれぞれの探針は、点線で示した位置決めマークａ〜
ｄ上を円周に沿って走査し、この時の円周上の各点に対
するそれぞれの探針のｚ方向動き量波形は、図１０の点
線で示したものとなる。プロセス後に再び探針が、位置
決めマーク上を走査する際、位置決めマークａ〜ｄが図
９の実線で示したような位置にずれていると、円周上の
各点に対するそれぞれの探針のｚ方向動き量波形は図１
０の実線で示したものとなる。図１０における各波形の
点線から実線への波形の変化（各ピークのシフト量及び
シフト位置）から、位置ずれ量（△ｘa ，△ｙa ），
（△ｘb ，△ｙb ），（△ｘc ，△ｙc ），（△ｘd ，
△ｙd ）を求めることができる。以下、前記の例と同様
にしてプロセス前後のウェハの再セッティング時のｘ，
ｙ方向のずれ△ｘ1 ，△ｙ1 ，回転ずれ△θ，プロセス
時の歪み△ｘ2 ，△ｙ2 を算出し、位置ずれを補正す
る。
【００１２】本方法は前記の例と比べて、２次元に走査
（面走査）することなく、１次元走査（円周走査）によ
って位置ずれ量を検出することができるので、より高速
の位置ずれ検出が可能となる。
（面走査）することなく、１次元走査（円周走査）によ
って位置ずれ量を検出することができるので、より高速
の位置ずれ検出が可能となる。
【００１３】また、さらに高速の位置ずれ検出を可能に
するために、図１１に示すような、直線的な走査法によ
り、直線上で位置決めマークの一部分を走査し、探針の
ｚ方向動き量波形から、相対位置ずれを検出する方法も
適用できる。図１１は図９同様、探針の走査軌跡及び、
プロセス前後での各位置決めマークの位置を示してお
り、図１２は図１０同様、プロセス前後における、探針
の走査軌跡上の各点に対する、それぞれの探針のｚ方向
動き量波形と、位置ずれ量を示したものである。この場
合の位置ずれの補正も、前記の例と同様にして行なう事
ができる。
するために、図１１に示すような、直線的な走査法によ
り、直線上で位置決めマークの一部分を走査し、探針の
ｚ方向動き量波形から、相対位置ずれを検出する方法も
適用できる。図１１は図９同様、探針の走査軌跡及び、
プロセス前後での各位置決めマークの位置を示してお
り、図１２は図１０同様、プロセス前後における、探針
の走査軌跡上の各点に対する、それぞれの探針のｚ方向
動き量波形と、位置ずれ量を示したものである。この場
合の位置ずれの補正も、前記の例と同様にして行なう事
ができる。
【００１４】また、この場合においても、位置決めマー
クとして、図１１に示したような形状に限定されるもの
ではない。
クとして、図１１に示したような形状に限定されるもの
ではない。
【００１５】さて、以上に述べてきたマスク・ウェハ位
置合わせ方法を用いてＸ線ステッパー、アライナー等の
超精密位置合わせを実現するわけであるが、実際のプロ
セスでは、何回もの露光の工程を経るのに伴ない、複数
のマスクに対してウェハの位置合わせを行なう必要があ
る。ところが、本発明の方法においてもマスク上の弾性
体に設ける探針の作成精度（特にｘｙ方向）に限界があ
り、マスクごとに探針の位置がわずかにずれてしまう。
これを補正するためには、あらかじめ位置決めマークを
有する基準となるウェハを用いて、プロセスで用いる複
数のマスクに対してそれぞれ露光を行ない、露光パター
ンの位置ずれ量を電子顕微鏡等で測定することにより、
逆にマスクごとの作成時に生じる探針のｘｙ方向の位置
ずれ量を求めておき、その分だけ、実際のプロセス時の
マスク・ウェハの位置合わせ量に補正をかければよい。
置合わせ方法を用いてＸ線ステッパー、アライナー等の
超精密位置合わせを実現するわけであるが、実際のプロ
セスでは、何回もの露光の工程を経るのに伴ない、複数
のマスクに対してウェハの位置合わせを行なう必要があ
る。ところが、本発明の方法においてもマスク上の弾性
体に設ける探針の作成精度（特にｘｙ方向）に限界があ
り、マスクごとに探針の位置がわずかにずれてしまう。
これを補正するためには、あらかじめ位置決めマークを
有する基準となるウェハを用いて、プロセスで用いる複
数のマスクに対してそれぞれ露光を行ない、露光パター
ンの位置ずれ量を電子顕微鏡等で測定することにより、
逆にマスクごとの作成時に生じる探針のｘｙ方向の位置
ずれ量を求めておき、その分だけ、実際のプロセス時の
マスク・ウェハの位置合わせ量に補正をかければよい。
【００１６】次に本発明におけるマスク上カンチレバー
および探針の作成法について説明する。本実施例では図
４に示した様なマスク母材４００からなるカンチレバー
４０１上の探針台座４０２の上に探針４０３を設けたも
のについて説明してきたが、この作成法としては、例え
ば、Ｓｉ基板上にスパッタ法によりＳｉ3 Ｎ4 薄膜を形
成し、フォトリソ工程によりカンチレバー形状を形成
後、Ｓｉ3 Ｎ4 薄膜（厚さ２μｍ）からなるマスク母材
上に、電子線リソグラフィー法を用いて金のマスクパタ
ーン（図１の１２２に示す）を作成するのと同時に、金
からなる探針台座を作成する。通常金のマスクパターン
の厚さ、すなわち探針台座の高さは０．７μｍ程度であ
る。その後Ｓｉをエッチングにより取り除き、マスク母
材中に空隙部分ＳＰを設け、カンチレバーを形成する。
本実施例で実際に作成したカンチレバーの長さは１００
μｍ、幅は２０μｍであった。最後に例えば、炭素等の
電子線デポジジョン法によってカンチレバー先端に任意
の長さ（１０〜３０μｍ）の探針を形成する。また本発
明におけるマスク上の弾性体の例としては、図５、図６
に示すような、十字型クロスレバー形状弾性体４０１Ｃ
や、円形薄膜形状弾性体４０１Ｌでもよい。ただしこれ
らの場合は、探針先端とレジストとの間に働く力を検出
する手段として、例えば図７に示すように弾性体の裏面
から光波干渉計で検出する方法を用いることができる。
ここではレーザーＬＺからのレーザー光をビームスプリ
ッタＢＳで分離し、透過光を集光レンズＣＬで薄膜４０
１Ｌの台座裏に集光し、ここで反射された光をレンズＣ
Ｌを介してビームスプリッタＢＳに導き、ここでミラー
ＭＲ１を介して固定部としてのマスク１００面から反射
されてきた反射光と合波され、ミラーＭＲ２を介してフ
ォトダイオードＰＤで検出される様にした干渉計であ
る。
および探針の作成法について説明する。本実施例では図
４に示した様なマスク母材４００からなるカンチレバー
４０１上の探針台座４０２の上に探針４０３を設けたも
のについて説明してきたが、この作成法としては、例え
ば、Ｓｉ基板上にスパッタ法によりＳｉ3 Ｎ4 薄膜を形
成し、フォトリソ工程によりカンチレバー形状を形成
後、Ｓｉ3 Ｎ4 薄膜（厚さ２μｍ）からなるマスク母材
上に、電子線リソグラフィー法を用いて金のマスクパタ
ーン（図１の１２２に示す）を作成するのと同時に、金
からなる探針台座を作成する。通常金のマスクパターン
の厚さ、すなわち探針台座の高さは０．７μｍ程度であ
る。その後Ｓｉをエッチングにより取り除き、マスク母
材中に空隙部分ＳＰを設け、カンチレバーを形成する。
本実施例で実際に作成したカンチレバーの長さは１００
μｍ、幅は２０μｍであった。最後に例えば、炭素等の
電子線デポジジョン法によってカンチレバー先端に任意
の長さ（１０〜３０μｍ）の探針を形成する。また本発
明におけるマスク上の弾性体の例としては、図５、図６
に示すような、十字型クロスレバー形状弾性体４０１Ｃ
や、円形薄膜形状弾性体４０１Ｌでもよい。ただしこれ
らの場合は、探針先端とレジストとの間に働く力を検出
する手段として、例えば図７に示すように弾性体の裏面
から光波干渉計で検出する方法を用いることができる。
ここではレーザーＬＺからのレーザー光をビームスプリ
ッタＢＳで分離し、透過光を集光レンズＣＬで薄膜４０
１Ｌの台座裏に集光し、ここで反射された光をレンズＣ
Ｌを介してビームスプリッタＢＳに導き、ここでミラー
ＭＲ１を介して固定部としてのマスク１００面から反射
されてきた反射光と合波され、ミラーＭＲ２を介してフ
ォトダイオードＰＤで検出される様にした干渉計であ
る。
【００１７】なお、本実施例では、探針を支持する弾性
体を有するマスクと、該探針に対向する位置に位置決め
マークを有するウェハとの相対位置合わせ方法について
述べたが、これとは逆に、探針を支持する弾性体を有す
るウェハと、該探針に対向する位置に、位置決めマーク
を有するマスクとの相対位置合わせをすることもでき
る。
体を有するマスクと、該探針に対向する位置に位置決め
マークを有するウェハとの相対位置合わせ方法について
述べたが、これとは逆に、探針を支持する弾性体を有す
るウェハと、該探針に対向する位置に、位置決めマーク
を有するマスクとの相対位置合わせをすることもでき
る。
【００１８】
【発明の効果】以上説明したように、マスク上に弾性体
に支持された探針を設け、その探針を、ウェハ上に設け
た位置検出マークに対向させ、探針と位置検出マークと
の間に働く力を検出することにより、マスク・ウェハ間
の相対位置ずれを検出し、これを補正するので、たとえ
ウェハ上に導電性のないレジストが塗布されていても、 １ナノメートルオーダーの精度を有するマスク・ウェ
ハ間の法線方向の間隔制御 １ナノメートルオーダーの精度を有するマスク・ウェ
ハ間の横方向相対位置合わせ が可能となった。
に支持された探針を設け、その探針を、ウェハ上に設け
た位置検出マークに対向させ、探針と位置検出マークと
の間に働く力を検出することにより、マスク・ウェハ間
の相対位置ずれを検出し、これを補正するので、たとえ
ウェハ上に導電性のないレジストが塗布されていても、 １ナノメートルオーダーの精度を有するマスク・ウェ
ハ間の法線方向の間隔制御 １ナノメートルオーダーの精度を有するマスク・ウェ
ハ間の横方向相対位置合わせ が可能となった。
【図１】本発明の一実施例であるマスク・ウェハ位置合
わせ装置の断面図である。
わせ装置の断面図である。
【図２】図１のマスク上に設けられた、弾性体からなる
カンチレバーの配置図である。
カンチレバーの配置図である。
【図３】図１のウェハ上の位置決めマークの配置図であ
る。
る。
【図４】図１のカンチレバーの構成を示す模式図であ
る。
る。
【図５】本発明に適用される弾性体の一例である十字ク
ロスレバーの構成を示す模式図である。
ロスレバーの構成を示す模式図である。
【図６】本発明に適用される弾性体の一例である円形薄
膜の構成を示す模式図である。
膜の構成を示す模式図である。
【図７】図６の弾性体に支持された探針の移動量を検出
するための光波干渉計の構成を示す模式図である。
するための光波干渉計の構成を示す模式図である。
【図８】マスク・ウェハの横方向の２次元面走査による
位置決め方法の一例を説明するための説明図である。
位置決め方法の一例を説明するための説明図である。
【図９】マスク・ウェハの横方向の１次元曲線走査によ
る位置決め方法の一例を説明するための説明図である。
る位置決め方法の一例を説明するための説明図である。
【図１０】図９の位置決め方法における位置検出波形を
示す図である。
示す図である。
【図１１】マスク・ウェハの横方向の１次元直線走査に
よる位置決め方法の一例を説明するための説明図であ
る。
よる位置決め方法の一例を説明するための説明図であ
る。
【図１２】図１１の位置決め方法における位置検出波形
を示す図である。
を示す図である。
【図１３】マスク・ウェハ位置合わせ装置の従来例を示
す図である。
す図である。
１００ マスク １０１ カンチレバーａ １０２ カンチレバーｂ １０３ カンチレバーｃ １０４ カンチレバーｄ １０５ レーザー光ａ １０６ レーザー光ｂ １０７ 位置検出素子ａ １０８ 位置検出素子ｂ １０９ 探針ａ １１０ 探針ｂ １１１ 探針ｃ １１２ 探針ｄ １１３ レジスト １１４ ウェハ １１５ 位置決めマークａ １１６ 位置決めマークｂ １１７ 位置決めマークｃ １１８ 位置決めマークｄ １１９ ｚ方向駆動機構ａ １２０ ｚ方向駆動機構ｂ １２１ ｘｙθステージ １２２ マスクパターン ４００ マスク母材 ４０１ カンチレバー ４０２ 探針台座 ４０３ 探針 ８０１〜８０４ 探針ａ〜ｄの走査範囲 ８０５〜８０８ 位置決めマークａ〜ｄの初めの位置 ８０９〜８１２ プロセス後にずれた位置決めマークａ
〜ｄの位置 ９０１〜９０４ 探針ａ〜ｄの走査軌跡
〜ｄの位置 ９０１〜９０４ 探針ａ〜ｄの走査軌跡
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 酒井 邦裕 東京都大田区下丸子３丁目30番２号 キ ヤノン株式会社内 (72)発明者 能瀬 博康 東京都大田区下丸子３丁目30番２号 キ ヤノン株式会社内 (56)参考文献 特開 平３−139820（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−342112（ＪＰ，Ａ) 特開 平５−217859（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−233718（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 21/027 G03F 9/00
Claims (11)
- 【請求項１】 弾性体によって支持された探針がマスク
に設けられ、該探針によってウェハに設けられた位置検
出マークを検出し、検出された結果に従ってマスクとウ
ェハとの位置ずれを補正する露光装置の位置ずれ補正方
法において、 前記位置検出マークを含む予め定められたウェハ上の第
１の領域を探針が走査するようにウェハとマスクとに第
１の相対移動を行わせる工程と、第１の相対移動時の探
針と位置検出マーク間の作用力に基づく弾性体の第１の
変形を検知する工程と、検知された第１の変形からウェ
ハとマスクとの第１の位置ずれ量を算出する工程と、算
出された第１の位置ずれ量に基づいてウェハとマスクと
の相対位置を補正する第１の補正を行う工程と、前記第
１の補正の後、前記位置検出マークを含み、且つ前記第
１の領域よりも小さい第２の領域を探針が走査するよう
にウェハとマスクとに第２の相対移動を行わせる工程
と、第２の相対移動時の探針と位置検出マーク間の作用
力に基づく弾性体の第２の変形を検知する工程と、検知
された第２の変形からウェハとマスクとの第２の位置ず
れ量を算出する工程と、算出された第２の位置ずれ量に
基づいてウェハとマスクとの相対位置を補正する第２の
補正を行う工程と、から成ることを特徴とする位置ずれ
補正方法。 - 【請求項２】 前記弾性体はカンチレバーから成ること
を特徴とする請求項１記載の位置ずれ補正方法。 - 【請求項３】 前記カンチレバーの自由端に前記探針が
設けられたことを特徴とする請求項２記載の位置ずれ補
正方法。 - 【請求項４】 前記第１及び第２の変形を検知する工程
は、前記弾性体の一部にレーザー光を照射し、弾性体の
一部によって反射されたレーザー光を受光素子で検出
し、該受光素子へのレーザー光の入射位置の変化から弾
性体の変形を検知することを特徴とする請求項１乃至３
のいずれか一項に記載の位置ずれ補正方法。 - 【請求項５】 前記第１及び第２の相対移動は、位置検
出マークに対して探針が円を描いて走査するように、ウ
ェハとマスクとを相対移動させることを特徴とする請求
項１乃至４のいずれか一項に記載の位置ずれ補正方法。 - 【請求項６】 弾性体によって支持された探針がマスク
に設けられ、該探針 によってウェハに設けられた位置検
出マークを検出し、検出された結果に従ってマスクとウ
ェハとの位置ずれを補正する露光装置の位置ずれ補正方
法において、 前記位置検出マークに対して探針が円を描いて走査する
ように、ウェハとマスクとに相対移動を行わせる工程
と、前記相対移動時の探針と位置検出マーク間の作用力
に基づく弾性体の変形を検知する工程と、検知された弾
性体の変形からウェハとマスクとの位置ずれ量を算出す
る工程と、算出された位置ずれ量に基づいてウェハとマ
スクとの相対位置を補正する工程と、から成ることを特
徴とする位置ずれ補正方法。 - 【請求項７】 前記弾性体はカンチレバーから成ること
を特徴とする請求項６記載の位置ずれ補正方法。 - 【請求項８】 前記カンチレバーの自由端に前記探針が
設けられたことを特徴とする請求項７記載の位置ずれ補
正方法。 - 【請求項９】 前記弾性体の変形を検知する工程は、前
記弾性体の一部にレーザー光を照射し、弾性体の一部に
よって反射されたレーザー光を受光素子で検出し、該受
光素子へのレーザー光の入射位置の変化から弾性体の変
形を検知することを特徴とする請求項６乃至８のいずれ
か一項に記載の位置ずれ補正方法。 - 【請求項１０】 複数の弾性体によって各々支持された
複数の探針がマスクに設けられ、これらの探針によって
ウェハに設けられた複数の位置検出マークを検出し、検
出された結果に従ってマスクとウェハとの位置ずれを補
正する露光装置の位置ずれ補正方法において、 各々が前記位置検出マークを含む予め定められたウェハ
上の複数の領域を、これらに対応する複数の探針がそれ
ぞれ走査するようにウェハとマスクとに相対移動を行わ
せる工程と、前記相対移動時の探針と位置検出マーク間
の作用力に基づく複数の弾性体の変形をそれぞれ検知す
る工程と、検知されたそれぞれの弾性体の変形からウェ
ハとマスクとの複数の位置ずれ量を算出する工程と、算
出された複数の位置ずれ量の偏差が最小となるようにウ
ェハとマスクとの相対位置を補正する工程と、から成る
ことを特徴とする位置ずれ補正方法。 - 【請求項１１】 ウェハに複数のマスクで露光を行うこ
とによってパターンを形成する露光装置に用いられ、複
数のマスクのそれぞれに弾性体によって支持 された探針
が設けられ、各々のマスクによって露光を行う際に、前
記探針によってウェハに設けられた位置検出マークを検
出し、検出された結果に従って各々のマスクとウェハと
の位置ずれを補正する方法において、 前記ウェハの露光に先立って位置検出マークを有する基
準ウェハを用意し、該基準ウェハの位置検出マークをそ
れぞれのマスクに設けられた探針で検出することによっ
て基準ウェハとマスクの位置ずれを補正した後、それぞ
れのマスクで基準ウェハに露光を行い、基準ウェハ上に
露光されたパターンを観察することにより、それぞれの
マスクにおける探針の誤差量を測定しておき、これらの
マスクで前記ウェハに露光を行う際の位置検出マークの
検出結果を測定された誤差量で補正し、補正された検出
結果に従って各々のマスクとウェハとの位置ずれを補正
することを特徴とする位置ずれ補正方法。
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