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JP3058899B2 - Magnetic sensing element - Google Patents

Magnetic sensing element

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JP3058899B2
JP3058899B2 JP02237772A JP23777290A JP3058899B2 JP 3058899 B2 JP3058899 B2 JP 3058899B2 JP 02237772 A JP02237772 A JP 02237772A JP 23777290 A JP23777290 A JP 23777290A JP 3058899 B2 JP3058899 B2 JP 3058899B2
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magnetic
strips
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好彦 大川原
寿一 小池
政則 柏内
孝介 松浦
克浩 河合
伸一 鈴木
哲夫 桜木
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Kohden Co Ltd
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Kohden Co Ltd
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Description

【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分野] 本発明は、強磁性体の電気抵抗が磁界の影響を受けて
変化する強磁性磁気電気抵抗効果を利用して磁気を検出
する磁気検出素子に関するものである。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Industrial Application Field] The present invention relates to a magnetic sensing element for detecting magnetism using a ferromagnetic magneto-resistance effect in which the electrical resistance of a ferromagnetic material changes under the influence of a magnetic field. It is about.

[従来の技術] 従来の磁気検出素子(1)は、第25図に示すように、
非磁性体の基板(2)の表面上に、磁界検出用の抵抗体
(3)(以下、検出抵抗体と略す)と、温度補償用の抵
抗体(4)(以下、補償抵抗体と略す)と、入力端子
(5)(6)と出力端子(7)とが形成されている。
[Prior Art] A conventional magnetic sensing element (1) has a structure as shown in FIG.
A resistor (3) for detecting a magnetic field (hereinafter abbreviated as a detection resistor) and a resistor (4) for a temperature compensation (hereinafter abbreviated as a compensation resistor) are provided on the surface of the nonmagnetic substrate (2). ), Input terminals (5) and (6), and an output terminal (7).

検出抵抗体(3)は、磁界の強さで電気抵抗が変化す
る強磁性磁気電気抵抗材料による多数の平行な短冊部
(8)が直列に結合され、この短冊部(8)の各々は幅
がW、長さが1に形成されている。また補償抵抗体
(4)は、前記検出抵抗体(3)の短冊部(8)と同
長、同幅、同本数の短冊部(9)が直列に結合され、こ
の短冊部(9)の方向は前記短冊部(8)に対して直角
方向に向けて形成され、前記抵抗体(3)の一方の端部
とこの抵抗体(4)の一方の端部が結合されている。
The detection resistor (3) is formed by connecting a number of parallel strips (8) of a ferromagnetic magnetoresistive material whose electric resistance changes with the strength of the magnetic field in series, and each of the strips (8) has a width. Is formed to have a length of W. The compensating resistor (4) has strips (9) of the same length, width and number as the strips (8) of the detection resistor (3) connected in series. The direction is formed at right angles to the strip portion (8), and one end of the resistor (3) and one end of the resistor (4) are connected.

前記入力端子(5)(6)は、電気良導体により形成
され、前記抵抗体(3)(4)の他方の端部にそれぞれ
結合されている。
The input terminals (5) and (6) are formed of an electric conductor and are respectively coupled to the other ends of the resistors (3) and (4).

前記出力端子(7)は、電気良導体により形成され、
前記抵抗体(3)と(4)との結合点に結合されてい
る。
The output terminal (7) is formed of a good electrical conductor,
It is connected to the connection point between the resistors (3) and (4).

この磁気検出素子(1)は、例えば第26図に示すよう
な近接スイッチ(10)として用いられる。この近接スイ
ッチ(10)は、磁気検出素子(1)と信号処理回路(1
1)が実装された回路基板(12)が樹脂などで成形され
た筐体(13)に組み込まれ、入出力信号ケーブル(14)
が取付けられている。なお、磁気検出素子(1)と回路
基板(12)の配線は金線(15)で電気的に結合されてい
る。
This magnetic sensing element (1) is used as a proximity switch (10) as shown in FIG. 26, for example. This proximity switch (10) is composed of a magnetic detection element (1) and a signal processing circuit (1).
The circuit board (12) on which 1) is mounted is incorporated into a housing (13) molded of resin or the like, and input / output signal cables (14)
Is installed. The wiring between the magnetic sensing element (1) and the circuit board (12) is electrically connected by a gold wire (15).

この近接スイッチ(10)の回路図を第27図に示す。こ
の回路は、電源E0が磁気検出素子(1)の入力端子
(5)(6)に結合され、この磁気検出素子(1)と並
列に抵抗(16)と可変抵抗(17)の直列回路が接続され
て、検出抵抗体(3)および補償抵抗体(4)の結合点
(出力端子)(7)と、抵抗(16)および可変抵抗(1
7)の結合点(18)が差動増幅器(19)に入力されてホ
イートストーンブリッジ(以下ブリッジと略す)が形成
されている。さらに、差動増幅器(19)の出力VAはしき
い値がVTのコンパレータ(20)に入力されている。
FIG. 27 shows a circuit diagram of the proximity switch (10). This circuit, power E 0 is coupled to an input terminal of the magnetic sensor (1) (5) (6), the series circuit of the magnetic detection element (1) parallel with the resistor (16) variable resistance (17) Are connected, the junction (output terminal) (7) of the detection resistor (3) and the compensation resistor (4), the resistor (16) and the variable resistor (1).
The connection point (18) of (7) is input to the differential amplifier (19) to form a Wheatstone bridge (hereinafter abbreviated as bridge). Further, the output V A of the differential amplifier (19) is inputted to the comparator (20) of the threshold V T.

この近接スイッチ(10)は、磁界のない状態で可変抵
抗(17)を調節して差動増幅器(19)の出力VAが0とな
るように、すなわち前記ブリッジが平衡するように調節
し、例えば第28図に示すように、小型ピストンシリンダ
(21)のピストン位置検出スイッチとしてシリンダ(2
2)の外側にバンド(23)などで、抵抗体(3)(4)
が目的の検出位置Oに来るように固定する。
The proximity switch (10) adjusts the variable resistor (17) in the absence of a magnetic field so that the output VA of the differential amplifier (19) becomes zero, that is, the bridge is balanced, For example, as shown in FIG. 28, the cylinder (2) is used as a piston position detection switch for the small piston cylinder (21).
2) A resistor (3) (4) with a band (23) outside
Is fixed at the target detection position O.

第28図のピストンシリンダ(21)の構成を簡単に説明
しておくと、シリンダ(22)の内部にピストン(24)が
隙間なく摺動自在に嵌入し、このピストン(24)にはリ
ング状の磁石(25)が組み込まれており、さらに、この
ピストン(24)はロッド(26)によってピストンシリン
ダ(21)外部の駆動装置(図示せず)に連結されてい
る。
Briefly explaining the configuration of the piston cylinder (21) in FIG. 28, a piston (24) is slidably fitted into the cylinder (22) without any gap, and the piston (24) has a ring shape. The piston (24) is connected to a driving device (not shown) outside the piston cylinder (21) by a rod (26).

[発明が解決しようとする課題] 従来の磁気検出素子(1)を用いた上述の構成の近接
スイッチ(10)において、磁石(25)の位置に対する差
動増幅器(19)の出力VAは、第29図(a)に示すよう
に、検出位置Oの中心にある鋭い正のピークP1と、その
両側の大きな負のピークP2と、さらに、その両外側の小
さな正のピークP3を有する形となる。コンパレータ(2
0)のしきい値VTを中心のピークP1の2分の1とする
と、コンパレータ(20)の出力V0がオンとなる領域(以
下、作動領域と略す)Lは第29図(b)に示すように、
中心の約2.5mm程度しか得られない。このため、近接ス
イッチ(10)を極めて正確な位置に取付けなければピス
トン(24)を検出できず、位置調整に多大な労力を要し
ていた。
[Problem to be Solved by the Invention] In the proximity switch (10) having the above-described configuration using the conventional magnetic sensing element (1), the output VA of the differential amplifier (19) with respect to the position of the magnet (25) is: as shown in Figure No. 29 (a), and a sharp positive peak P 1 in the center of the detection position O, the large negative peak P 2 on both sides, further, a small positive peak P 3 of the both sides It has a shape. Comparator (2
0) 1 When half the threshold V T of the center of the peak P 1 of the comparator (20) area where the output V 0 is turned on (hereinafter, referred to as operating region) L is Figure 29 (b ),
Only about 2.5mm at the center can be obtained. For this reason, unless the proximity switch (10) is mounted at an extremely accurate position, the piston (24) cannot be detected, and the position adjustment requires a great deal of labor.

差動増幅器(19)の出力VAが検出位置Oの中心以外に
ピークを有するのは以下の理由によるものである。
The output VA of the differential amplifier (19) has a peak other than the center of the detection position O for the following reason.

第28図において、ピストン(24)に組み込まれた磁石
(25)が磁気検出素子(1)に接近すると、この磁石
(25)が発生する略円弧状の磁界HMは、第30図(a)に
示すように、磁気検出素子(1)を通過する。このと
き、検出抵抗体(3)と補償抵抗体(4)は、第30図
(b)の説明図に示すように、それぞれの短冊部(8)
(9)の長手方向に対して直角方向の磁束成分Hx、Hyが
それぞれ検出抵抗体(3)および補償抵抗体(4)の抵
抗値に影響を与え、第31図の静特性に示すように、その
抵抗値Rが減少する。
In Figure 28, the magnet incorporated in the piston (24) (25) approaches the magnetic detection device (1), the magnetic field H M of substantially arcuate This magnet (25) is generated, Figure 30 (a ), The light passes through the magnetic sensing element (1). At this time, as shown in an explanatory diagram of FIG. 30 (b), the detection resistor (3) and the compensation resistor (4) have respective strip portions (8).
The magnetic flux components Hx and Hy in the direction perpendicular to the longitudinal direction of (9) affect the resistance values of the detection resistor (3) and the compensation resistor (4), respectively, as shown in the static characteristics in FIG. , Its resistance value R decreases.

検出抵抗体(3)および補償抵抗体(4)が差動増幅
器(19)の出力VAに与える影響を個別に分解すると、補
償抵抗体(4)の出力は、第32図(a)に示すように、
検出位置Oの中心の両側に大きな負のピークP2′を有し
ており、このピークは第29図(a)の負のピークP2と略
一致している。検出抵抗体(3)の出力は第32図(b)
に示すように、検出位置Oの中心に正のピークP1′と、
外側に小さな正のピークP3′を有しており、この中心の
ピークP1′は第29図(a)の中心のピークP1より若干太
い。第29図(a)の中心のピークP1が、第32図(b)の
中心のピークP1′より細くなるのは、第32図(b)の中
心のピークP1′が第32図(a)の2個の負のピークP2
によって生ずる検出位置Oの中心の山と合成され、その
分が削られるからである。その結果、コンパレータ(2
0)の作動領域Lを狭めている。
When the effects of the detection resistor (3) and the compensation resistor (4) on the output VA of the differential amplifier (19) are individually decomposed, the output of the compensation resistor (4) becomes as shown in FIG. As shown,
There is a large negative peak P 2 ′ on both sides of the center of the detection position O, and this peak substantially coincides with the negative peak P 2 in FIG. 29 (a). The output of the detection resistor (3) is shown in FIG.
, A positive peak P 1 ′ at the center of the detection position O,
There is a small positive peak P 3 ′ on the outside, and the central peak P 1 ′ is slightly thicker than the central peak P 1 in FIG. 29 (a). Figure 29 peak P 1 of the center of (a) is 32 view (b) peak P 1 of the center of the 'become thinner than the peak P 1 of the center of the 32 view (b)' Figure 32 is (A) two negative peaks P 2
This is because the peak is combined with the peak at the center of the detection position O, and the portion is cut off. As a result, the comparator (2
The operation area L of (0) is narrowed.

また、前記補償抵抗体(4)の出力である第32図
(a)の2個の負のピークP2′によって削られる分を捕
える以上に前記検出抵抗体(3)の出力である第32図
(b)の中心ピークP1′を太くできないのは、第30図
(a)(b)の説明図に示すように磁界HMは略円弧状の
ため、磁石(25)が検出位置Oの中心に位置するときは
HX HMとなるが、磁石(25)が検出位置Oの中心より僅
かに移動しただけでHX<<HMとなるからである。そのた
め、コンパレータ(20)の作動領域Lを広く確保するこ
とは難しい。
In addition, the output of the detection resistor (3) is larger than the output of the detection resistor (3) because the output of the compensation resistor (4) is reduced by two negative peaks P 2 ′ in FIG. 32 (a). Figure can not thickened central peak P 1 'of (b) is Figure 30 (a) since the magnetic field H M as shown in the explanatory view of (b) of substantially arcuate magnet (25) is detected position O When located in the center of
The H X H M, but because the H X << H M only magnet (25) is slightly moved from the center of the detection position O. Therefore, it is difficult to secure a wide operation region L of the comparator (20).

補償抵抗体(4)は、単にブリッジを構成する抵抗の
1つとして捉えれば、磁界の影響を受けないことが望ま
しく、Tiなどのような非磁性体金属を用いることも考え
られる。ところが、補償抵抗体(4)は検出抵抗体
(3)と対をなして温度補償に用いられているため、抵
抗率の温度係数が検出抵抗体(3)と等しいものでなけ
ればならず、今のところこのような非磁性体金属素材は
なく、またこのような素材に近いものがあったとして
も、補償抵抗体(4)と検出抵抗体(3)を別々に形成
しなければならず、製造工程が増すという問題がある。
If the compensating resistor (4) is simply regarded as one of the resistors constituting the bridge, it is preferable that the compensating resistor (4) is not affected by a magnetic field, and a non-magnetic metal such as Ti may be used. However, since the compensating resistor (4) is used for temperature compensation in pairs with the detecting resistor (3), the temperature coefficient of resistivity must be equal to that of the detecting resistor (3). At present, there is no such non-magnetic metal material, and even if there is a material similar to such a material, the compensation resistor (4) and the detection resistor (3) must be formed separately. However, there is a problem that the number of manufacturing steps increases.

また、磁石(25)の幅Dを広くすれば磁界HMは横向き
の略楕円状に近づくため、検出位置Oの前後で検出抵抗
体(4)に直交する磁束成分が増し、HX HM、HY 0と
なる領域を広く得ることができ、コンパレータ(20)の
作動領域を広げることはできる。しかし、逆にピストン
(24)の動作範囲を狭めたり、摩擦抵抗がより大きくな
ることによりピストン(24)の動作速度を低下させるた
め、磁石(25)の幅Dをあまり広くすることはできな
い。
Further, since the magnetic field H M if the width D of the magnet (25) to approach the lateral substantially elliptical shape, the magnetic flux components perpendicular to the sensing resistor before and after the detection position O (4) increases, H X H M , H Y 0 can be widened, and the operating range of the comparator (20) can be widened. However, conversely, the operating range of the piston (24) is reduced, and the operating speed of the piston (24) is reduced by increasing the frictional resistance. Therefore, the width D of the magnet (25) cannot be made too large.

また、さらに、コンパレータ(20)のしきい値VTを下
げれば、第29図(b)に示すコンパレータ(20)の作動
領域Lを広げることはできるが、第29図(a)に示す外
側の正のピークP3の影響を受けるため、しきい値VTを下
げることはあまり望ましくない。
Also, further, by lowering the threshold V T of the comparator (20), although it is possible to widen the operating range L of the comparator (20) shown in Figure No. 29 (b), outer shown in Figure No. 29 (a) for receiving the impact of the positive peak P 3, it is less desirable to lower the threshold V T.

本発明の目的は、上記のような欠点がなく、充分に広
い作動領域を有する近接スイッチ用の磁気検出素子を提
供するものである。
An object of the present invention is to provide a magnetic sensing element for a proximity switch which does not have the above-mentioned disadvantages and has a sufficiently wide operating area.

[課題を解決するための手段] 本発明は以上のような問題点を解決するためになされ
たもので、強磁性磁気電気抵抗材料により電流通路とな
る複数の細長い短冊部を折り返し配置して、これら短冊
部を直列に結合した磁気検出用と温度補償用の各抵抗体
を、無磁界状態での抵抗値が略等しくなるように絶縁性
基板上に形成し、これら磁気検出用と温度補償用の抵抗
体を構成するそれぞれの短冊部を流れる電流の平均方向
が互いに略直角となるように配置し、これら磁気検出用
と温度補償用の抵抗体を直列に結合し、磁気の接近を磁
気電気抵抗効果による前記磁気検出用抵抗体の電気抵抗
の変化で検出する磁気検出素子において、磁気の接近に
よる磁気電気抵抗効果による電気抵抗変化を、前記温度
補償用の抵抗体は前記磁気検出用の抵抗体より小さく、
あるいは、前記磁気検出用の抵抗体は前記温度補償用の
抵抗体より大きくしてなるものである。
[Means for Solving the Problems] The present invention has been made to solve the above problems, and a plurality of elongated strip portions serving as current paths are folded back by using a ferromagnetic magnetoresistive material. The resistors for magnetic detection and temperature compensation, which are formed by connecting these strips in series, are formed on an insulating substrate so that the resistance values in a no-magnetic-field state are substantially equal to each other. Are arranged so that the average directions of the currents flowing through the respective strips constituting the resistors are substantially perpendicular to each other.These resistors for magnetic detection and temperature compensation are connected in series, and the approach of magnetism In a magnetic sensing element for detecting by a change in electric resistance of the magnetic detection resistor due to a resistance effect, a change in electric resistance due to a magnetoelectric resistance effect due to approach of magnetism is detected by the temperature compensation resistor. Body Smaller
Alternatively, the resistor for magnetic detection is made larger than the resistor for temperature compensation.

具体的には、温度補償用の抵抗体の短冊部の幅を、検
出用の抵抗体の短冊部の幅より狭く形成することによ
り、磁気の接近による磁気電気抵抗効果による電気抵抗
変化を磁気検出用の抵抗体より小さくしてなるものであ
る。
Specifically, the width of the strip portion of the temperature compensating resistor is formed narrower than the width of the strip portion of the detecting resistor, so that the change in electric resistance due to the magneto-resistance effect due to the approach of magnetism is magnetically detected. It is made smaller than the resistor for use.

また、他の手段として、磁気検出用の抵抗体の両側の
短冊部のなす角度θが、0゜<θ≦75゜であって、片側
の短冊部がそれぞれ平行に形成されたハの字状に配置す
ることにより、または、磁気検出用の抵抗体の両端の短
冊部のなす角度θが0゜<θ≦125゜の範囲の略扇状に
配置することにより、磁気の接近による磁気電気抵抗効
果による電気抵抗変化を温度補償用の抵抗体より大きく
してなるものである。
Further, as another means, an angle θ formed by the strips on both sides of the magnetic detection resistor is 0 ° <θ ≦ 75 °, and a rectangular shape in which the strips on one side are respectively formed in parallel. Or the angle θ between the strips at both ends of the resistor for magnetic detection is arranged in a substantially fan shape in the range of 0 ° <θ ≦ 125 °, so that the magneto-resistance effect due to the approach of magnetism is obtained. The change in electrical resistance caused by the resistance is made larger than that of the resistor for temperature compensation.

[作用] 検出用の抵抗体の短冊部より、温度補償用の抵抗体の
短冊部の幅を狭めて面積を小さくすることにより、これ
らの抵抗体に同一の磁気を接近させた場合、検出用の抵
抗体の抵抗変化より、温度補償用の抵抗体の抵抗変化の
方が小さくなり、磁界の影響による抵抗変化がないこと
が望ましい温度補償用の強磁性磁気抵抗体の磁気抵抗特
性が従来より理想に近い特性となる。
[Operation] By reducing the width of the strip portion of the temperature compensation resistor to make the area smaller than the strip portion of the detection resistor, when the same magnetism is brought close to these resistors, the detection The resistance change of the temperature compensating resistor is smaller than the resistance change of the resistor, and it is desirable that there is no resistance change due to the influence of the magnetic field. The characteristics are close to ideal.

また、検出用の抵抗体を片側の短冊部がそれぞれ平行
に形成されたハの字状に配置したり、検出用の抵抗体の
一部ないし前部の短冊部間に角度をつけて抵抗体を略扇
状にすることにより、円弧状の磁界の作用を効率良く受
け、検出位置を中心とした所望の範囲内では、より多く
の磁界の影響を受けることが望ましい検出用の強磁性磁
気抵抗体の磁気抵抗特性が従来より理想に近い特性とな
る。」 [実施例] 本発明の第1実施例を第1図ないし第8図に基づいて
説明する。
In addition, the detecting resistor may be arranged in a C shape in which the strip portions on one side are formed in parallel with each other, or the resistor may be formed by forming an angle between a part of the detecting resistor or the front strip portion. Is approximately fan-shaped so that the effect of the arc-shaped magnetic field is efficiently received, and within a desired range centered on the detection position, it is desirable that the magnetic field is more affected by the magnetic field. Are closer to ideal characteristics than before. Example A first example of the present invention will be described with reference to FIG. 1 to FIG.

第1図において、(1a)はガラス基板(2)の表面上
に検出抵抗体(3a)、補償抵抗体(4a)、入力端子
(5)(6)および出力端子(7)が形成された磁気検
出素子である。
In FIG. 1, (1a) has a detection resistor (3a), a compensation resistor (4a), input terminals (5) and (6) and an output terminal (7) formed on the surface of a glass substrate (2). It is a magnetic detection element.

検出抵抗体(3a)は、強磁性磁気電気抵抗材料である
Ni−Fe合金で複数の平行な短冊部(8)を形成し、この
短冊部(8)を直列に結合して形成され、この短冊部
(8)は約1000Åの厚さで18μmの幅WAに設定されてい
る。補償抵抗体(4a)は、前記検出抵抗体(3a)の短冊
部(8)に対して直角方向に向けられた複数の短冊部
(9)で形成され、この短冊部(9)はNi−Fe合金によ
り、約1000Åの厚さ、6μmの幅WBで、かつ、この補償
抵抗体(4a)と前記検出抵抗体(3a)の抵抗値が略等し
くなる長さlBに形成され、この面積が前記検出抵抗(3
a)よりも小さくされている。この補償抵抗体(4a)の
一方の端部と前記検出抵抗体(3a)の一方の端部は結合
され、この結合点に接続して前記出力端子(7)が電気
良導体により形成されている。前記入力端子(5)
(6)は、電気良導体により形成され、前記検出抵抗体
(3a)および補償抵抗体(4a)の他方の端部にそれぞれ
結合されている。
The sensing resistor (3a) is a ferromagnetic magnetoresistive material
A plurality of parallel strips (8) are formed from a Ni-Fe alloy and formed by connecting the strips (8) in series. The strips (8) are about 1000 mm thick and 18 μm wide. Set to A. The compensation resistor (4a) is formed of a plurality of strips (9) oriented at right angles to the strip (8) of the detection resistor (3a). the Fe alloy, a thickness of about 1000 Å, a width W B of 6 [mu] m, and the resistance value of the compensating resistor (4a) and the detection resistor (3a) is formed in a substantially equal length l B, the The area is the detection resistance (3
a) It is smaller than. One end of the compensation resistor (4a) and one end of the detection resistor (3a) are connected, and the output terminal (7) is connected to this connection point to be formed of an electric conductor. . The input terminal (5)
(6) is formed of a good electric conductor, and is respectively coupled to the other ends of the detection resistor (3a) and the compensation resistor (4a).

つぎに上記磁気検出素子(1a)の製造工程を簡単に説
明する。
Next, the manufacturing process of the magnetic sensing element (1a) will be briefly described.

清浄なガラス基板(2)の表面上に、強磁性磁気電気
抵抗材料であるNi−Fe合金を約1000Åの厚さの薄膜に真
空蒸着する。
On a surface of a clean glass substrate (2), a Ni—Fe alloy, which is a ferromagnetic magnetoresistive material, is vacuum-deposited into a thin film having a thickness of about 1000 °.

フォトエッチングにより、検出抵抗体(3a)および補
償抵抗体(4a)以外の部分の薄膜を除去し、短冊部
(8)および短冊部(9)がそれぞれ連結した検出抵抗
3a 3a)および補償抵抗体(4a)を形成する。
The thin film other than the detection resistor (3a) and the compensation resistor (4a) is removed by photoetching, and the strip resistor (8) and the strip resistor (9) are connected to each other.
3a 3a) and the compensation resistor (4a) are formed.

検出抵抗体(3a)および補償抵抗体(4a)を形成した
上に、電気良導体であるAlを1.5μmの厚さに真空蒸着
する。
After forming the detection resistor (3a) and the compensation resistor (4a), Al, which is an electric conductor, is vacuum-deposited to a thickness of 1.5 μm.

再び、フォトエッチングにより、入力端子(5)
(6)と出力端子(7)以外の部分のAlを除去する。
Again, by photo-etching, the input terminal (5)
Al is removed from portions other than (6) and the output terminal (7).

以上の構成においては、検出抵抗体(3a)および補償
抵抗体(4a)の磁界に対する静特性は、それぞれ第2図
に示すように、低磁界では検出抵抗体(3a)の静特性R3
より補償抵抗体(4a)の静特性R4の方が小さい抵抗変化
を示すものとなる。
In the above configuration, the static characteristics to the magnetic field of the sensing resistor (3a) and the compensation resistor (4a), as shown in FIG. 2, respectively, the static characteristics R 3 of the detection resistor with a low magnetic field (3a)
Is as shown more resistance change the smaller the static characteristics R 4 of the compensating resistor (4a).

以上の磁気検出素子(1a)を、第3図および第4図に
示すように、この磁気検出素子(1a)以外は従来例と同
じ構成の近接スイッチ(10a)に組み込む。そして、第
5図に示すように、この近接スイッチ(10a)をピスト
ンシリンダ(21)に取付けたとき、補償抵抗体(4a)お
よび検出抵抗体(3a)が差動増幅器(19)の出力VAに与
える影響を個別に分解した出力特性を第8図(a)
(b)に示す。
As shown in FIGS. 3 and 4, the above magnetic detecting element (1a) is incorporated in a proximity switch (10a) having the same configuration as that of the conventional example, except for the magnetic detecting element (1a). As shown in FIG. 5, when this proximity switch (10a) is mounted on the piston cylinder (21), the compensation resistor (4a) and the detection resistor (3a) change the output V of the differential amplifier (19). Fig. 8 (a) shows the output characteristics obtained by individually decomposing the effect on A.
(B).

検出抵抗体(3a)の出力特性は第7図(b)に示すよ
うに、補償抵抗体(4a)をこの補償抵抗体(4a)と等し
い抵抗値を有する抵抗器(4r)に置き換えた回路(但
し、温度係数は無視し、一定温度の条件の下)で測定
し、補償抵抗体(4a)の出力特性もまた同様、第7図
(a)に示すように、検出抵抗体(3a)をこの検出抵抗
体(3a)と等しい抵抗値を有する抵抗器(3r)に置き換
えた回路で測定した。
As shown in FIG. 7 (b), the output characteristic of the detection resistor (3a) is a circuit in which the compensation resistor (4a) is replaced with a resistor (4r) having the same resistance value as the compensation resistor (4a). (However, the temperature coefficient is ignored, and the measurement is performed under the condition of a constant temperature.) The output characteristic of the compensation resistor (4a) is also the same as shown in FIG. 7 (a). Was measured by a circuit in which a resistor (3r) having the same resistance value as the detection resistor (3a) was replaced.

この結果検出抵抗体(3a)の特性は、第8図(b)に
示すように、検出位置Oの中心に従来の磁気検出素子
(1)の特性(第32図(b))より太いピークP1′と外
側のピークP3′を有する。
As a result, as shown in FIG. 8 (b), the characteristic of the detection resistor (3a) has a broader peak at the center of the detection position O than the characteristic of the conventional magnetic sensing element (1) (FIG. 32 (b)). It has P 1 ′ and an outer peak P 3 ′.

補償抵抗体(4a)の特性は、第8図(a)に示すよう
に、検出位置Oの中心の両側にごく小さい負のピーク
P2′を有し、差動増幅器(19)の出力特性は、第6図
(a)に示すように、第8図(a)(b)の前記検出抵
抗体(3a)と補償抵抗体(4a)の特性を合成したものと
なり、コンパレータ(20)のしきい値VTを差動増幅器
(19)の出力VAの検出位置Oの中心のピークP1の2分の
1とすると、コンパレータ(20)の出力V0がオンとなる
作動領域L1は、第6図(b)に示すように約5mmとな
る。
As shown in FIG. 8 (a), the characteristic of the compensating resistor (4a) has a very small negative peak on both sides of the center of the detection position O.
P 2 ′, and the output characteristics of the differential amplifier (19) are, as shown in FIG. 6 (a), the detection resistor (3a) and the compensation resistor (FIG. 8 (a), (b)). be a composite of characteristics of (4a), when one half of the peak P 1 of the center of the detection position O of the output V a of the threshold V T of the differential amplifier (19) of the comparator (20), operating region L 1 to the output V 0 is on the comparator (20) is about 5mm as shown in FIG. 6 (b).

つぎに、本発明の第2実施例を第9図ないし第12図に
基づいて説明する。
Next, a second embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS.

第9図に示す磁気検出素子(1b)は、1枚の基板
(2)上に第1実施例と同様の検出抵抗体および補償抵
抗体(3b1)(4b1)と(3b2)(4b2)を2組、並列に接
続して形成し、入力端子(5)(6)を共通とし、出力
端子(71)(72)を別々に設けたものである。
The magnetic sensing element (1b) shown in FIG. 9 has the same detection resistors and compensation resistors (3b 1 ) (4b 1 ) and (3b 2 ) (3b 2 ) as those of the first embodiment on one substrate (2). 4b 2 ) are formed by connecting two sets in parallel, the input terminals (5) and (6) are common, and the output terminals (7 1 ) and (7 2 ) are separately provided.

この磁気検出素子(1b)の短冊部(81)(82)は16μ
mの幅WAに設定され、短冊部(91)(92)は8μmの幅
WBに設定されている。
The strips (8 1 ) (8 2 ) of this magnetic sensing element (1b) are 16μ
It is set to a width W A of m, the strip section (9 1) (9 2) the width of 8μm
Set to W B.

これら短冊部(81)(82)(81)(82)の長さlA、lB
は、検出抵抗体(3b1)と補償抵抗体(4b1)との抵抗値
および検出抵抗体(3b2)と補償抵抗体(4b2)との抵抗
値がそれぞれ略等しくなるように設定され、短冊部
(81)(82)(91)(92)は、SiOの保護膜(27)で被
覆されている。
The lengths l A and l B of these strips (8 1 ) (8 2 ) (8 1 ) (8 2 )
Are set so that the resistance values of the detection resistor (3b 1 ) and the compensation resistor (4b 1 ) and the resistance value of the detection resistor (3b 2 ) and the compensation resistor (4b 2 ) are substantially equal to each other. The strip portions (8 1 ) (8 2 ) (9 1 ) (9 2 ) are covered with a SiO protective film (27).

また入力端子(5)(6)および出力端子(71
(72)はCu−Sn合金により形成されている。
The input terminal (5) (6) and an output terminal (7 1)
(7 2) is formed by Cu-Sn alloy.

以上の磁気検出素子(1b)は、第10図に示すような近
接スイッチ(10b)に、検出および補償抵抗体(3b1
(3b2)(4b1)(4b2)が回路基板(12)側に伏せられ
て組み込まれている。第10図において(11)は信号処理
回路である。
The above magnetic sensing element (1b) includes a proximity switch (10b) as shown in FIG. 10 and a detection and compensation resistor (3b 1 ).
(3b 2 ), (4b 1 ), and (4b 2 ) are mounted face down on the circuit board (12) side. In FIG. 10, (11) is a signal processing circuit.

近接スイッチ(10b)の回路は、第11図に示すように
検出抵抗体(3b1)および補償抵抗体(4b1)の結合点
(出力端子)(71)と、抵抗(161)および可変抵抗(1
71)の結合点が差動増幅器(191)に入力されて第1の
ブリッジが構成され、同様に検出抵抗体(3b2)、補償
抵抗体(4b2)、抵抗(162)、可変抵抗(172)および
差動増幅器(192)により、第2のブリッジが構成さ
れ、これらのブリッジは入力端子(5)(6)を介して
ともに電源E0に結合されている。前記差動増幅器(1
91)(192)の出力VA1、VA2は、それぞれの出力VA1、V
A2の正の最大のピークP1の2分の1のしきい値のコンパ
レータ(201)(202)に入力されている。これらのコン
パレータ(201)(202)の出力V01、V02は、一方でEOR
(ExclusiveOR)回路(29)を介してVsとして出力さ
れ、他方でAND回路(30)を介してVcとして出力され
る。
Circuit of the proximity switch (10b) is detecting resistors as shown in FIG. 11 and (3b 1) and the compensation resistor coupling point (4b 1) (output terminal) (7 1), resistor (16 1) and Variable resistance (1
The connection point of 7 1 ) is input to the differential amplifier (19 1 ) to form a first bridge. Similarly, a detection resistor (3 b 2 ), a compensation resistor (4 b 2 ), a resistor (16 2 ), the variable resistor (17 2) and a differential amplifier (19 2), the second bridge is configured, these bridges through the input terminal (5) (6) are both coupled to the power source E 0. The differential amplifier (1
9 1) (output V A1, V A2 19 2), each output V A1, V
It is input to the A2 positive maximum 1 threshold comparator half of the peak P 1 (20 1) (20 2). The output of these comparators (20 1) (20 2) V0 1, V0 2 , on the one hand EOR
(ExclusiveOR) It is output as Vs through a circuit (29), and is output as Vc through an AND circuit (30).

以上の構成の近接スイッチ(10b)を第1実施例同様
のピストンシリンダ(212)に取り付けたときの各素子
の出力を第12図(a)〜(f)に示す。
FIGS. 12 (a) to 12 (f) show outputs of the respective elements when the proximity switch (10b) having the above configuration is attached to the piston cylinder (212) similar to the first embodiment.

差動増幅器(191)(192)の出力VA1、VA2は第12図
(a)(b)に示すように、第6図(a)の第1実施例
の差動増幅器(19)の出力VAと略同じであるが、抵抗体
(3b1)(4b1)と抵抗体(3b2)(4b2)のピッチ分(0.
8mm)だけ、中心位置が左右にずれており、第12図
(c)(d)に示すようにコンパレータ(201)(202
の出力V01、V02も同様にずれてそれぞれ約4.6mmの作動
領域L2およびL3となる。
As shown in FIGS. 12 (a) and 12 (b), the outputs VA1 and VA2 of the differential amplifiers (19 1 ) and (19 2 ) are as shown in FIGS. 12 (a) and 12 (b). ) is substantially the same as the output V a of pitch (0 of the resistor (3b 1) (4b 1) and the resistor (3b 2) (4b 2).
8mm), the center position is shifted to the left and right, and the comparators (20 1 ) (20 2 ) as shown in FIGS.
The outputs V 01 and V 02 are similarly shifted to be operating regions L 2 and L 3 of about 4.6 mm, respectively.

AND回路(30)の出力Vcは、第12図(c)(d)の論
理積であるから、第12図(e)に示すように、検出位置
Oを中心とした約3.8mmの作動領域L4となる。
Since the output Vc of the AND circuit (30) is the logical product of FIGS. 12 (c) and (d), as shown in FIG. the L 4.

EOR回路(29)の出力Vsは、第12図(c)(d)の排
他的論理和であるから第12図(f)に示すように、前記
AND回路(30)の作動領域L4の両側に0.8mmの作動領域L5
を生ずる。
Since the output Vs of the EOR circuit (29) is the exclusive OR of FIGS. 12 (c) and 12 (d), as shown in FIG.
Of 0.8mm on each side of the operating region L 4 of the AND circuit (30) operating region L 5
Is generated.

以上の構成では、AND回路(30)の出力Vcはピストン
(24)が検出位置Oを中心とした3.8mmの作動領域L4
範囲内にあることを示し、EOR回路(29)の出力Vsは作
動領域L4には達してはいないが、この作動領域L4の近傍
0.8mm以内の作動領域L5の範囲にあることを示す信号と
なる。
In the above configuration, the output Vc of the AND circuit (30) indicates that the piston (24) is within the range of operating region L 4 of 3.8mm around the detection position O, the output Vs of the EOR circuit (29) Does not reach the working area L 4 , but in the vicinity of the working area L 4
A signal indicating that the range of the operating region L 5 within 0.8 mm.

本発明の第3実施例を第13図ないし第20図に基づいて
説明する。
A third embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS.

第13図において、(1c)はガラス基板(2)の表面上
に検出抵抗体(3c)、補償抵抗体(4c)、入力端子
(5)(6)および出力端子(7)が形成された磁気検
出素子である。
In FIG. 13, (1c) has a detection resistor (3c), a compensation resistor (4c), input terminals (5) (6) and an output terminal (7) formed on the surface of a glass substrate (2). It is a magnetic detection element.

検出抵抗体(3c)は、強磁性磁気電気抵抗材料である
Ni−Fe合金で複数の短冊部(8J)と短冊部(8K)が各々
平行に形成され、これら短冊部(8J)と短冊部(8K)と
の間の角度θが60゜に設定された略ハの字状に形成さ
れ、これらの短冊部(8J)および(8K)が直列に結合さ
れている。そして、この検出抵抗体(3c)の短冊部(8
J)(8K)は約800Åの厚さで18μmの幅WAに設定されて
いる。
The sensing resistor (3c) is a ferromagnetic magnetoresistive material
A plurality of strips (8J) and strips (8K) were formed in parallel with the Ni-Fe alloy, and the angle θ between these strips (8J) and strips (8K) was set to 60 °. The rectangular portions (8J) and (8K) are connected in series. Then, the strip (8) of this detection resistor (3c)
J) (8K) is set to 18μm in width W A at a thickness of about 800 Å.

補償抵抗体(4c)は、前記検出抵抗体(3c)の短冊部
(8J)(8K)の平均方向に対して直角方向に向けられた
複数の並行な短冊部(9)を直列に結合し、全体として
略長方形に形成されている。この短冊部(9)はNi−Fe
合金により、約800Åの厚さ、6μmの幅WBで、かつ、
この補償抵抗体(4c)と前記検出抵抗体(3c)の抵抗値
が略等しくなる長さlBに形成され、この面積が前記検出
抵抗(3c)よりも小さくされている。
The compensating resistor (4c) connects a plurality of parallel strips (9) oriented in a direction perpendicular to the average direction of the strips (8J) and (8K) of the detection resistor (3c) in series. Are formed in a substantially rectangular shape as a whole. This strip (9) is made of Ni-Fe
An alloy, a thickness of about 800 Å, a width W B of 6 [mu] m, and,
The resistance value of the compensating resistor (4c) and the sensing resistor (3c) is formed in a substantially equal length l B, is smaller than the detection resistor this area (3c).

この補償抵抗体(4c)の一方の端部と前記検出抵抗体
(3c)の一方の端部は結合され、この結合点に接続して
前記出力端子(7)が電気良導体により形成されてい
る。前記入力端子(5)(6)は、電気良導体により形
成され、前記検出抵抗体(3c)および補償抵抗体(4c)
の他方の端部にそれぞれ結合されている。
One end of the compensating resistor (4c) and one end of the detecting resistor (3c) are connected to each other, and the output terminal (7) is formed of an electric conductor to be connected to the connection point. . The input terminals (5) and (6) are formed of a good electrical conductor, and the detection resistor (3c) and the compensation resistor (4c)
Are respectively connected to the other ends of the.

以上の構成において、検出抵抗体(3c)および補償抵
抗体(4c)の磁界に対する静特性は、それぞれ第14図に
示すように低磁界では検出抵抗体(3c)の静特性R3より
補償抵抗体(4c)の静特性R4の方が小さい抵抗変化を示
すものとなる。
In the above configuration, the static characteristics to the magnetic field of the sensing resistor (3c) and the compensation resistor (4c), the compensation resistance than static characteristics R 3 each detection resistor in the low magnetic field as shown in FIG. 14 (3c) a indicates the resistance change the smaller the static characteristics R 4 of the body (4c).

以上の磁気検出素子(1c)を、第15図および第16図に
示すように、この磁気検出素子(1c)以外は従来例と同
じ構成の近接スイッチ(10c)に組み込む。この近接ス
イッチ(10c)を第1実施例同様にピストンシリンダ(2
1)に取付けたとき、補償抵抗体(4c)および検出抵抗
体(3c)が差動増幅器(19)の出力VAに与える影響を個
別に分解した出力特性を第17図(a)(b)に示す。補
償抵抗体(4c)の出力特性は第7図(a)の第1実施例
と略同様に、検出抵抗体(3c)をこの検出抵抗体(3c)
等しい抵抗値を有する抵抗器(3r)に置き換えた回路で
測定し、検出抵抗体(3c)の出力特性もまた同様、第7
図(b)の第1実施例と略同様に、補償抵抗体(4c)を
この検出抵抗体(4c)と等しい抵抗値を有する抵抗器
(4r)に置き換えた回路で測定した。
As shown in FIGS. 15 and 16, the above magnetic detecting element (1c) is incorporated in a proximity switch (10c) having the same configuration as that of the conventional example except for the magnetic detecting element (1c). This proximity switch (10c) is connected to the piston cylinder (2
The output characteristics obtained by separately decomposing the effects of the compensation resistor (4c) and the detection resistor (3c) on the output VA of the differential amplifier (19) when attached to (1) are shown in FIGS. ). The output characteristic of the compensation resistor (4c) is substantially the same as that of the first embodiment shown in FIG. 7 (a), and the detection resistor (3c) is replaced by the detection resistor (3c).
The output characteristic of the detection resistor (3c) is measured by a circuit in which the resistor (3r) having the same resistance value is replaced.
In a manner similar to the first embodiment of FIG. 7B, the measurement was performed using a circuit in which the compensation resistor (4c) was replaced with a resistor (4r) having the same resistance value as the detection resistor (4c).

この結果、検出抵抗体(3c)の特性は第17図(b)に
示すように、検出位置Oの中心の先端がわずかに凹んで
はいるが従来の磁気検出素子(1)の特性(第32図
(b))より太いピークP1′を有する。補償抵抗体(4
c)の特性は第17図(a)に示すように、検出位置Oの
中心の両側にごく小さい負のピークP2′を有し、差動増
幅器(19)の出力特性は、第18図(a)に示すように、
第17図(a)(b)の補償抵抗体(4c)と前記検出抵抗
体(3c)の特性を合成したものとなり、コンパレータ
(20)のしきい値VTを差動増幅器(19)の出力VAの検出
位置Oの中心の値P1の2分の1とすると、コンパレータ
(20)の出力V0がオンとなる作動領域L6は、第18図
(b)に示すように約7mmとなる。
As a result, as shown in FIG. 17 (b), the characteristic of the detection resistor (3c) is slightly concave at the center of the detection position O, but the characteristic of the conventional magnetic detection element (1) (32). It has a thicker peak P 1 ′ than FIG. Compensation resistor (4
The characteristic of c) has a very small negative peak P 2 ′ on both sides of the center of the detection position O as shown in FIG. 17A, and the output characteristic of the differential amplifier (19) is as shown in FIG. As shown in (a),
Figure 17: (a) compensating resistors (b) (4c) and the detection resistor becomes a composite of characteristics of (3c), the comparator differential amplifier a threshold V T of (20) (19) Assuming that the value P 1 at the center of the detection position O of the output VA is 2, the operating area L 6 where the output V 0 of the comparator (20) is turned on is approximately as shown in FIG. 18 (b). 7 mm.

第13図において、検出抵抗体(3c)の短冊部(8J)と
短冊部(8K)とのなす角度θを1゜〜90゜まで変化させ
たときのコンパレータ(20)の作動領域L6と実使用の可
否をつぎの表1に示す。
In Figure 13, the operating region L 6 of the comparator (20) when the angle θ of the strip portion and (8 J) strip portion and (8K) was varied 1 ° to 90 DEG of the sensing resistor (3c) Table 1 below shows whether the device can be actually used.

第13図において角度θが80゜以上になると、検出抵抗
体(3c)の特性は第19図に示すように、検出位置Oの中
心の値P1′が大幅に下がるとともに両側に大きなピーク
P4′を有するようになり、この特性と第17図(a)に示
す補償抵抗体(4c)の特性との合成である差動増幅器
(19)の出力特性は、第20図(a)に示すように2個の
ピークP4を有する。このため、コンパレータ(20)のし
きい値VTを差動増幅器(19)の出力VAの検出位置Oの中
心となる値P1の2分の1とすると基準電位である0Vとの
差がほとんどなくなり、しきい値VTをピークP4の2分の
1とすると第20図(b)に示すようにコンパレータ(2
0)の出力V0がオンとなると作動領域L6′が2個に分裂
して、検出位置Oを定めることができにくくなる。
When the angle θ becomes 80 ° or more in FIG. 13, the characteristic of the detection resistor (3c) shows a large decrease in the value P 1 ′ at the center of the detection position O and a large peak on both sides as shown in FIG.
P 4 ′, and the output characteristic of the differential amplifier (19), which is a combination of this characteristic and the characteristic of the compensation resistor (4c) shown in FIG. 17 (a), is shown in FIG. as shown in having two peaks P 4. Therefore, the difference 0V to be 1 to the reference potential of half the value P 1 that is central to the detection position O of the output V A of the differential amplifier (19) a threshold value V T of the comparator (20) And the threshold value V T is set to one half of the peak P 4 , as shown in FIG.
0) output V 0 is split into two is the operating region L 6 'turned on, the less likely it is possible to determine the detection position O.

したがって、本発明の第3実施例においては、検出抵
抗体(3c)の短冊部(8J)と短冊部(8K)とでなす角度
θは0゜≦θ≦75゜の範囲が適当である。
Therefore, in the third embodiment of the present invention, the angle θ formed between the strip portion (8J) and the strip portion (8K) of the detection resistor (3c) is suitably in the range of 0 ° ≦ θ ≦ 75 °.

つぎに、本発明の第4実施例を第21図ないし第24図に
基づいて説明する。
Next, a fourth embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 21 to 24.

第21図に示す磁気検出素子(1d)は、基板(2)上に
第3実施例と同様の補償抵抗体(4d)と、複数の短冊部
(8)のそれぞれの間に角度を持たせ、全体として略扇
状に形成された検出抵抗体(3d)とを接続して形成し、
入力端子(5)(6)および出力端子(7)を設けたも
のである。検出抵抗体(3d)の右端の短冊部(8)と左
端の短冊部(8)とでなす角度θは90゜に設定されてい
る。
The magnetic sensing element (1d) shown in FIG. 21 has an angle between a compensation resistor (4d) similar to the third embodiment and a plurality of strips (8) on a substrate (2). Is formed by connecting the detection resistor (3d) formed in a substantially fan shape as a whole,
An input terminal (5) (6) and an output terminal (7) are provided. The angle θ formed between the right end strip (8) and the left end strip (8) of the detection resistor (3d) is set to 90 °.

この磁気検出素子(1d)の短冊部(8)は16μmの幅
WAに、短冊部(9)は6μmの幅WBに設定され、これら
短冊部(8)(9)の長さlA、lBは検出抵抗体(3d)と
補償抵抗体(4d)との抵抗値がそれぞれ略等しくなるよ
うに設定され、短冊部(8)(9)はSiOの保護膜(2
7)で被覆され、さらにエポキシ樹脂の防湿膜(28)で
被覆されている。
The strip (8) of the magnetic sensing element (1d) has a width of 16 μm.
To W A, the strip section (9) is set to a width W B of 6 [mu] m, these strip parts (8) (9) of length l A, l B detection resistor (3d) and the compensating resistor (4d) Are set to be substantially equal to each other, and the strip portions (8) and (9) are formed of the SiO protective film (2
7), and further covered with a moisture-proof film of epoxy resin (28).

また、入力端子(5)(6)および出力端子(7)は
Cu−Ni合金により形成されている。
The input terminals (5) and (6) and the output terminal (7)
It is formed of a Cu-Ni alloy.

以上の磁気検出素子(1d)は、第22図に示すように近
接スイッチ(10d)に、検出および補償抵抗体(3d)(4
d)が回路基板(12)側に伏せられて組み込まれる。
As shown in FIG. 22, the magnetic detection element (1d) is connected to the proximity switch (10d) and the detection and compensation resistor (3d) (4
d) is mounted face down on the circuit board (12) side.

以上の構成の近接スイッチ(10d)を,第1実施例と
同様のピストンシリンダ(21)の取り付けたときの出力
を第23図(a)(b)に示す。
FIGS. 23 (a) and 23 (b) show the outputs when the proximity switch (10d) having the above configuration is attached to the same piston cylinder (21) as the first embodiment.

差動増幅器(19)の出力は、第23図(a)に示すよう
に、検出位置Oを中心として従来の磁気検出素子(1)
より太いピークP1を有し、コンパレータ(20)の出力V0
がオンとなる差動領域L7は、第23図(b)に示すように
約6.5mmとなる。
The output of the differential amplifier (19) is, as shown in FIG.
Has a thicker peak P 1, the output V 0 which comparator (20)
There differential area L 7 which is turned is about 6.5mm, as shown in Figure 23 (b).

第21図において、検出抵抗体(3d)の複数の短冊部
(8)間に持たせた角度を変え、右端の短冊部(8)と
左端の短冊部(8)とでなす角度θを1゜〜135゜まで
変化させたときのコンパレータ(20)の差動領域L7と実
使用の可否を表2に示す。
In FIG. 21, the angle provided between the plurality of strips (8) of the detection resistor (3d) is changed, and the angle θ between the right end strip (8) and the left end strip (8) is set to one. ° 135 and differential area L 7 of the comparator (20) when changing at DEG whether the actual use are shown in Table 2.

第21図において角度θが130゜以上になると、検出抵
抗体(3d)の特性は第24図に示すように、検出位置Oの
中心の値P1′が大幅に下がるとともに両側に大きなピー
クP4を有するようになり、第20図(a)(b)に示す第
3実施例と同様に検出位置Oを定めることができにくく
なる。
21 When the angle θ is equal to or greater than 130 ° in view, the characteristics of the sensing resistor (3d), as shown in FIG. 24, a large peak with the value P 1 'of the center of the detection position O drops significantly on either side P 4 and it becomes difficult to determine the detection position O as in the third embodiment shown in FIGS. 20 (a) and 20 (b).

したがって、本発明の第4実施例においては、検出抵
抗体(3d)の右端の短冊部(8)と左端の短冊部(8)
とでなす角度θは、0゜<θ≦125゜の範囲が適当であ
る。
Therefore, in the fourth embodiment of the present invention, the right end strip (8) and the left end strip (8) of the detection resistor (3d).
Is appropriately in the range of 0 ° <θ ≦ 125 °.

以上の第3および第4実施例では、ガラス基板(2)
上に1組の検出用と温度補償用の抵抗体(3c)(4c)ま
たは(3d)(4d)が形成されているが、第2実施例のよ
うに1枚のガラス基板上に、2組の検出用と温度補償用
の抵抗体(3c)(4c)または(3d)(4d)を並列に接続
して形成し入力端子(5)(6)を共通とすることもで
きる。
In the above third and fourth embodiments, the glass substrate (2)
A pair of detecting and temperature compensating resistors (3c) (4c) or (3d) (4d) are formed on the top, but as in the second embodiment, two resistors are provided on one glass substrate. A pair of detecting and temperature compensating resistors (3c) (4c) or (3d) (4d) may be connected in parallel to form a common input terminal (5) (6).

以上の各実施例では、温度補償用の抵抗体(4a)(4b
1)(4b2)(4c)(4d)を略方形としたが、本発明はこ
れに限られるものではなく、短冊部(9)が並行であれ
ば、例えば、台形状などであってもよい。
In each of the above embodiments, the temperature compensation resistors (4a) (4b
1 ) Although (4b 2 ), (4c) and (4d) are substantially rectangular, the present invention is not limited to this. If the strips (9) are parallel, for example, a trapezoidal shape may be used. Good.

以上の各実施例では、絶縁性基板としてガラス基板
(2)を用いているが、本発明はこれに限られるもので
はなく、例えば、表面が酸化されたSi基板など絶縁性を
有するものであればよい。
In each of the above embodiments, the glass substrate (2) is used as the insulating substrate. However, the present invention is not limited to this. For example, any insulating substrate such as a oxidized Si substrate may be used. I just need.

以上の各実施例では、強磁性磁気電気抵抗材料とし
て、Ni−Fe合金を用いたが、本発明はこれに限られるも
のではなく、例えば、Ni−Co合金などのような強磁性磁
気電気抵抗材料であればよい。
In each of the above embodiments, a Ni-Fe alloy was used as the ferromagnetic magneto-resistance material. However, the present invention is not limited to this. For example, a ferromagnetic magneto-resistance material such as a Ni-Co alloy may be used. Any material may be used.

以上の実施例では、磁気検出素子を近接スイッチとし
てピストンシリンダのピストン位置検出に用いた例を説
明したが、本発明はこれに限られるものではなく、強磁
性磁気電気抵抗材料の検出用の抵抗体と温度補償用の抵
抗体を有する磁気検出素子であればよい。
In the above embodiment, an example was described in which the magnetic detection element was used as a proximity switch to detect the piston position of a piston cylinder. However, the present invention is not limited to this, and the resistance for detecting a ferromagnetic magnetoresistive material is not limited to this. Any magnetic sensing element having a body and a resistor for temperature compensation may be used.

[発明の効果] 本発明は以上のように構成したので、温度補償用の抵
抗体と磁気検出用の抵抗体を1回の工程で形成できるよ
うに同一の強磁性磁気電気抵抗材料で形成したにもかか
わらず、温度補償用の抵抗体が受ける磁界の影響を減ら
すとともに磁気検出用の抵抗体が受ける磁界の範囲を充
分に広くし、磁気の検出領域を大幅に広げることがで
き、検出ミスのない高い信頼性を有する近接スイッチを
提供でき、また、近接スイッチの取付調整も極めて容易
になるという効果を有するものである。
[Effects of the Invention] Since the present invention is configured as described above, the resistor for temperature compensation and the resistor for magnetic detection are formed of the same ferromagnetic magnetoresistive material so that they can be formed in one process. Nevertheless, the influence of the magnetic field received by the temperature compensation resistor is reduced, and the range of the magnetic field received by the magnetic detection resistor is sufficiently widened. The present invention can provide a proximity switch having high reliability without any problem, and has an effect that mounting adjustment of the proximity switch becomes extremely easy.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

第1図ないし第8図は本発明の第1実施例を示すもの
で、第1図は磁気検出素子の平面図、第2図は第1図の
磁気検出素子の検出抵抗体と補償抵抗体の磁気電気抵抗
変化特性図、第3図は第1図の磁気検出素子を組み込ん
だ近接スイッチの1部切り欠いた平面図、第4図は第3
図の近接スイッチの回路図、第5図は第3図の近接スイ
ッチをピストンシリンダに固定した例を示す断面図、第
6図(a)は第3図の近接スイッチの差動増幅器の出力
特性図、第6図(b)は第3図の近接スイッチのコンパ
レータの出力特性図、第7図(a)は補償抵抗体の特性
を得るための回路の回路図、第7図(b)は検出抵抗体
の特性を得るための回路の回路図、第8図(a)は第1
図の磁気検出素子の補償抵抗体の分解出力特性図、第8
図(b)は第1図の磁気検出素子の検出抵抗体の分解出
力特性図である。 第9図ないし第12図は本発明の第2実施例を示すもの
で、第9図は磁気検出素子の平面図、第10図は第9図の
磁気検出素子を組み込んだ近接スイッチの1部切り欠い
た平面図、第11図は第10図の近接スイッチの回路図、第
12図(a)〜(f)は第10図の近接スイッチの各素子の
出力特性図である。 第13図ないし第20図は本発明の第3実施例を示すもの
で、第13図は磁気検出素子の平面図、第14図は第13図の
磁気検出素子の検出抵抗体と補償抵抗体の磁気電気抵抗
特性図、第15図は第13図の磁気検出素子を組み込んだ近
接スイッチの1部切り欠いた平面図、第16図は第15図の
近接スイッチの回路図、第17図(a)は第13図の磁気検
出素子の補償抵抗体の分解出力特性図、第17図(b)は
第13図の磁気検出素子の検出抵抗体の分解出力特性図、
第18図(a)は第15図の近接スイッチの差動増幅器の出
力特性図、第18図(b)は第15図の近接スイッチのコン
パレータの出力特性図、第19図はθ=80゜のときの検出
抵抗体の分解出力特性図、第20図(a)はθ=80゜のと
きの差動増幅器の出力特性図、第20図(b)はθ=80゜
のときのコンパレータの出力特性図である。 第21図ないし第24図は本発明の第4実施例を示すもの
で、第21図は磁気検出素子の平面図、第22図は第21図の
磁気検出素子を組み込んだ近接スイッチの1部切い欠い
た平面図、第23図(a)は第22図の近接スイッチの差動
増幅器の出力特性図、第23図(b)は第22図の近接スイ
ッチのコンパレータの出力特性図、第24図はθ=130゜
のときの検出抵抗体の分解出力特性図である。 第25図ないし第32図は従来例を示すもので、第25図は従
来の磁気検出素子の平面図、第26図は第25図の磁気検出
素子を組み込んだ近接スイッチの1部切り欠いた平面
図、第27図は第26図の近接スイッチの回路図、第28図は
第26図の近接スイッチをピストンシリンダに固定した例
を示す断面図、第29図(a)は第26図の近接スイッチの
差動増幅器の出力特性図、第29図(b)は第26図の近接
スイッチのコンパレータの出力特性図、第30図(a)
(b)は磁気検出素子が磁界の中に置かれたときの説明
図、第31図は第25図の磁気検出素子の検出抵抗体と補償
抵抗体の磁気電気抵抗変化特性図、第32図(a)は第25
図の磁気検出素子の補償抵抗体の分解出力特性図、第32
図(b)は第25図の磁気検出素子の検出抵抗体の分解出
力特性図である。 (1a)(1b)(1c)(1d)……磁気検出素子、(2)…
…基板、(3a)(3b1)(3b2)(3c)(3d)……磁界検
出用の抵抗体、(4a)(4b1)(4b2)(4c)(4d)……
温度補償用の抵抗体、(5)(6)……入力端子、
(7)(71)(72)……出力端子、(8)(81)(82
(8J)(8K)(9)(91)(91)……短冊部、(10a)
(10b)(10c)(10d)……近接スイッチ、(11)……
信号処理回路、(12)……回路基板、(13)……筐体、
(14)……入出力信号ケーブル、(15)……金線、(1
6)(161)(162)……抵抗、(17)(171)(172)…
…可変抵抗、(19)(191)(192)……差動増幅器、
(20)(201)(202)……コンパレータ、(21)……小
型ピストンシリンダ、(22)……シリンダ、(23)……
バンド、(24)……ピストン、(25)……磁石、(26)
……ロッド、(27)……保護膜、(28)……防湿膜、
(29)……EOR(ExclusiveOR)回路、(30)……AND回
路。
1 to 8 show a first embodiment of the present invention. FIG. 1 is a plan view of a magnetic detecting element, and FIG. 2 is a detecting resistor and a compensating resistor of the magnetic detecting element of FIG. FIG. 3 is a plan view of a proximity switch in which the magnetic detection element of FIG. 1 is incorporated, and FIG.
FIG. 5 is a circuit diagram of the proximity switch shown in FIG. 5, FIG. 5 is a cross-sectional view showing an example in which the proximity switch shown in FIG. 3 is fixed to a piston cylinder, and FIG. 6A is an output characteristic of a differential amplifier of the proximity switch shown in FIG. FIG. 6 (b) is an output characteristic diagram of the comparator of the proximity switch of FIG. 3, FIG. 7 (a) is a circuit diagram of a circuit for obtaining characteristics of the compensation resistor, and FIG. 7 (b) is FIG. 8A is a circuit diagram of a circuit for obtaining the characteristics of the detection resistor, and FIG.
8 is an exploded output characteristic diagram of the compensating resistor of the magnetic sensing element shown in FIG.
FIG. 2B is an exploded output characteristic diagram of the detection resistor of the magnetic detection element of FIG. 9 to 12 show a second embodiment of the present invention. FIG. 9 is a plan view of a magnetic sensor, and FIG. 10 is a part of a proximity switch incorporating the magnetic sensor of FIG. FIG. 11 is a circuit diagram of the proximity switch of FIG. 10, and FIG.
12 (a) to 12 (f) are output characteristic diagrams of each element of the proximity switch of FIG. 13 to 20 show a third embodiment of the present invention. FIG. 13 is a plan view of a magnetic sensing element, and FIG. 14 is a detection resistor and a compensation resistor of the magnetic sensing element of FIG. FIG. 15 is a partially cutaway plan view of a proximity switch incorporating the magnetic sensing element of FIG. 13, FIG. 16 is a circuit diagram of the proximity switch of FIG. 15, and FIG. FIG. 17A is an exploded output characteristic diagram of the compensating resistor of the magnetic detecting element of FIG. 13, FIG. 17B is an exploded output characteristic diagram of the detecting resistor of the magnetic detecting element of FIG.
18 (a) is an output characteristic diagram of the differential amplifier of the proximity switch of FIG. 15, FIG. 18 (b) is an output characteristic diagram of the comparator of the proximity switch of FIG. 15, and FIG. 19 is θ = 80 ° 20 (a) is the output characteristic diagram of the differential amplifier when θ = 80 °, and FIG. 20 (b) is the output characteristic diagram of the comparator when θ = 80 °. It is an output characteristic diagram. 21 to 24 show a fourth embodiment of the present invention. FIG. 21 is a plan view of a magnetic sensing element, and FIG. 22 is a part of a proximity switch incorporating the magnetic sensing element of FIG. FIG. 23 (a) is an output characteristic diagram of the differential amplifier of the proximity switch of FIG. 22, FIG. 23 (b) is an output characteristic diagram of the comparator of the proximity switch of FIG. 22, and FIG. FIG. 24 is an exploded output characteristic diagram of the detection resistor when θ = 130 °. FIGS. 25 to 32 show a conventional example. FIG. 25 is a plan view of a conventional magnetic detecting element, and FIG. 26 is a partially cutaway view of a proximity switch incorporating the magnetic detecting element of FIG. 26 is a plan view, FIG. 27 is a circuit diagram of the proximity switch of FIG. 26, FIG. 28 is a cross-sectional view showing an example in which the proximity switch of FIG. 26 is fixed to a piston cylinder, and FIG. FIG. 29 (b) is an output characteristic diagram of the proximity switch comparator of FIG. 26, and FIG. 30 (a).
(B) is an explanatory diagram when the magnetic sensing element is placed in a magnetic field, FIG. 31 is a diagram showing the magneto-resistance change characteristics of the detecting resistor and the compensating resistor of the magnetic sensing element in FIG. 25, and FIG. (A) is the 25th
FIG. 32 is an exploded output characteristic diagram of the compensating resistor of the magnetic sensing element in FIG.
(B) is an exploded output characteristic diagram of the detection resistor of the magnetic detection element of FIG. (1a) (1b) (1c) (1d) ... magnetic detection element, (2) ...
... substrate, (3a) (3b 1) (3b 2) (3c) (3d) resistor for ...... magnetic field detection, (4a) (4b 1) (4b 2) (4c) (4d) ......
Resistor for temperature compensation, (5) (6) ... input terminal,
(7) (7 1) (7 2) ... output terminal, (8) (8 1) (8 2)
(8J) (8K) (9) (9 1 ) (9 1 ) ... Strip section, (10a)
(10b) (10c) (10d) ... proximity switch, (11) ...
Signal processing circuit, (12) ... circuit board, (13) ... housing,
(14) ... I / O signal cable, (15) ... gold wire, (1
6) (16 1) (16 2) ...... resistance, (17) (17 1) (17 2) ...
... variable resistance, (19) (19 1) (19 2) ...... differential amplifier,
(20) (20 1) (20 2) ...... comparator (21) .... small piston cylinder, (22) ... cylinder, (23) ....
Band, (24) ... Piston, (25) ... Magnet, (26)
…… Rod, (27) …… Protective film, (28) …… Moisture proof film,
(29) EOR (ExclusiveOR) circuit, (30) AND circuit.

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 大川原 好彦 静岡県磐田郡竜洋町宮本364―1 浜松 光電株式会社竜洋工場内 (72)発明者 小池 寿一 静岡県磐田郡竜洋町宮本364―1 浜松 光電株式会社竜洋工場内 (72)発明者 柏内 政則 静岡県磐田郡竜洋町宮本364―1 浜松 光電株式会社竜洋工場内 (72)発明者 松浦 孝介 静岡県磐田郡竜洋町宮本364―1 浜松 光電株式会社竜洋工場内 (72)発明者 河合 克浩 静岡県磐田郡竜洋町宮本364―1 浜松 光電株式会社竜洋工場内 (72)発明者 鈴木 伸一 静岡県磐田郡竜洋町宮本364―1 浜松 光電株式会社竜洋工場内 (72)発明者 桜木 哲夫 静岡県磐田郡竜洋町宮本364―1 浜松 光電株式会社竜洋工場内 (56)参考文献 特開 平2−300681(JP,A) 特開 昭57−83074(JP,A) 特開 昭57−80578(JP,A) 特開 昭57−80579(JP,A) 特開 昭57−98103(JP,A) 特開 昭52−33508(JP,A) 特開 昭48−71893(JP,A) (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) G01R 33/00 - 33/18 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continuing from the front page (72) Inventor Yoshihiko Okawara, 364-1 Miyamoto, Ryuyo-cho, Iwata-gun, Shizuoka Prefecture Inside the Ryuyo Plant of Hamamatsu Electric Co., Ltd. (72) Inventor Juichi Koike 364-1, Miyamoto, Ryuyo-cho, Iwata-gun, Shizuoka Prefecture Hamamatsu Photoelectric Inside the Ryuyo Plant Co., Ltd. (72) Inventor Masanori Kashiuchi, 364-1 Miyamoto, Ryuyo-cho, Iwata-gun, Shizuoka Prefecture Inside the Ryuyo Plant Co., Ltd. (72) Kosuke Matsuura 364-1 Miyamoto, Ryuyo-cho, Iwata-gun, Shizuoka Prefecture Hamamatsu Photoelectric Co., Ltd. (72) Inventor Katsuhiro Kawai 364-1 Miyamoto, Ryuyo-cho, Iwata-gun, Shizuoka Prefecture Hamamatsu Photoelectricity Co., Ltd. (72) Inventor Shinichi Suzuki 364-1 Miyamoto, Ryuyo-cho, Iwata-gun, Shizuoka Prefecture Hamamatsu Photoelectric Co., Ltd. Inside the factory (72) Inventor Tetsuo Sakuragi 364-1 Miyamoto, Ryuyo-cho, Iwata-gun, Shizuoka Prefecture Inside the Ryuyo factory of Hamamatsu Koden Co., Ltd. (56) References JP-A-2-300681 (JP, A) JP-A-57-83074 (JP, A) JP-A-57-80578 (JP, A) JP-A-57-80579 (JP, A) JP-A-57-98103 (JP, A) JP-A-52-33508 (JP, A) JP-A-48-71893 (JP, A) (58) Fields investigated (Int. Cl. 7 , DB name) G01R 33/00-33/18

Claims (3)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】強磁性磁気電気抵抗材料により電流通路と
なる複数の細長い短冊部を折り返し配置して、これら短
冊部を直列に結合した磁気検出用と温度補償用の各抵抗
体を、無磁界状態での抵抗値が略等しくなるように絶縁
性基板上に形成し、これら磁気検出用と温度補償用の抵
抗体を構成するそれぞれの短冊部を流れる電流の平均方
向が互いに略直角となるように配置し、これら磁気検出
用と温度補償用の抵抗体を直列に結合し、磁気の接近を
磁気電気抵抗効果による前記磁気検出用抵抗体の電気抵
抗の変化で検出する磁気検出素子において、 前記温度補償用の抵抗体は、短冊部の幅を前記検出用の
抵抗体の短冊部の幅より狭く形成することにより、磁気
の接近による磁気電気抵抗効果による電気抵抗変化を前
記磁気検出用の抵抗体より小さくしてなることを特徴と
する磁気検出素子。
A plurality of elongated strips serving as a current path are folded back by a ferromagnetic magneto-resistive material, and these strips are connected in series to each other for magnetic detection and temperature compensation. It is formed on an insulating substrate so that the resistance values in the state are substantially equal, and the average directions of the currents flowing through the respective strips constituting these magnetic detection and temperature compensation resistors are substantially perpendicular to each other. In the magnetic detection element, these magnetic detection and temperature compensation resistors are connected in series, and the approach of magnetism is detected by a change in electric resistance of the magnetic detection resistor due to a magnetoelectric resistance effect. The resistor for temperature compensation is formed such that the width of the strip is narrower than the width of the strip of the resistor for detection. Smaller than body A magnetic sensing element, which is characterized in that the magnetic sensing element is formed.
【請求項2】強磁性磁気電気抵抗材料により電流通路と
なる複数の細長い短冊部を折り返し配置して、これら短
冊部を直列に結合した磁気検出用と温度補償用の各抵抗
体を、無磁界状態での抵抗値が略等しくなるように絶縁
性基板上に形成し、これら磁気検出用と温度補償用の抵
抗体を構成するそれぞれの短冊部を流れる電流の平均方
向が互いに略直角となるように配置し、これら磁気検出
用と温度補償用の抵抗体を直列に結合し、磁気の接近を
磁気電気抵抗効果による前記磁気検出用抵抗体の電気抵
抗の変化で検出する磁気検出素子において、 前記磁気検出用の抵抗体は、両側の短冊部のなす角度θ
が0゜<θ≦75゜であって、片側の短冊部がそれぞれ平
行に形成されたハの字状に配置することにより、磁気の
接近による磁気電気抵抗効果による電気抵抗変化を前記
温度補償用の抵抗体より大きくしてなることを特徴とす
る磁気検出素子。
2. A plurality of elongated strips serving as current paths made of a ferromagnetic magneto-resistive material are folded back, and these strips are connected in series to each other for magnetic detection and temperature compensation. It is formed on an insulating substrate so that the resistance values in the state are substantially equal, and the average directions of the currents flowing through the respective strips constituting these magnetic detection and temperature compensation resistors are substantially perpendicular to each other. In the magnetic detection element, these magnetic detection and temperature compensation resistors are connected in series, and the approach of magnetism is detected by a change in electric resistance of the magnetic detection resistor due to a magnetoelectric resistance effect. The angle θ between the strips on both sides of the magnetic detection resistor
Is 0 ° <θ ≦ 75 °, and the strip portions on one side are arranged in a C-shape formed in parallel with each other, so that the electric resistance change due to the magnetoelectric resistance effect due to the approach of magnetism is used for the temperature compensation. A magnetic sensing element characterized by being made larger than the resistor.
【請求項3】強磁性磁気電気抵抗材料により電流通路と
なる複数の細長い短冊部を折り返し配置して、これら短
冊部を直列に結合した磁気検出用と温度補償用の各抵抗
体を、無磁界状態での抵抗値が略等しくなるように絶縁
性基板上に形成し、これら磁気検出用と温度補償用の抵
抗体を構成するそれぞれの短冊部を流れる電流の平均方
向が互いに略直角となるように配置し、これら磁気検出
用と温度補償用の抵抗体を直列に結合し、磁気の接近を
磁気電気抵抗効果による前記磁気検出用抵抗体の電気抵
抗の変化で検出する磁気検出素子において、 前記磁気検出用の抵抗体は、両端の短冊部のなす角度θ
が0゜<θ≦125゜の範囲の略扇状に配置することによ
り、磁気の接近による磁気電気抵抗効果による電気抵抗
変化を前記温度補償用の抵抗体より大きくしてなること
を特徴とする磁気検出素子。
3. A plurality of elongated strips serving as current paths made of a ferromagnetic magneto-resistive material are folded back, and these strips are connected in series to each other for magnetic detection and temperature compensation. It is formed on an insulating substrate so that the resistance values in the state are substantially equal, and the average directions of the currents flowing through the respective strips constituting these magnetic detection and temperature compensation resistors are substantially perpendicular to each other. In the magnetic detection element, these magnetic detection and temperature compensation resistors are connected in series, and the approach of magnetism is detected by a change in electric resistance of the magnetic detection resistor due to a magnetoelectric resistance effect. The angle θ between the strips at both ends of the resistor for magnetic detection
Is arranged in a substantially fan shape within a range of 0 ° <θ ≦ 125 °, whereby a change in electric resistance due to a magnetoelectric resistance effect due to approach of magnetism is made larger than that of the temperature compensating resistor. Detection element.
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