JP3050721B2 - Optical integrated circuit, optical pickup and optical information processing device - Google Patents
Optical integrated circuit, optical pickup and optical information processing deviceInfo
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Description
【0001】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は、例えばレーザビームを
微細な光スポットに絞って光ディスク等の情報記録媒体
の記録面に入射させ、記録面からの反射光を多分割受光
素子等の検出手段により検出し、これにより、光ディス
ク等に書き込まれた信号情報を読み取るために供される
光集積回路およびこのような光集積回路を備えた光ピッ
クアップ、並びにこのような光集積回路を備えたレーザ
プリンタや光距離計等の光情報処理装置に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a detecting means such as a multi-divided light receiving element or the like which focuses a laser beam on a fine light spot and makes it incident on a recording surface of an information recording medium such as an optical disk. , An optical integrated circuit provided for reading signal information written on an optical disc or the like, an optical pickup including such an optical integrated circuit, and a laser printer including such an optical integrated circuit And an optical information processing device such as an optical distance meter.
【0002】[0002]
【従来の技術】光ディスク上に記録された信号情報を読
み取る光ピックアップには、フォーカシング用及びトラ
ッキング用のサーボ機能が搭載され、このサーボ機能に
より、光ディスクの回転に伴う面振れや偏心等のメカニ
カルな変動に、光ピックアップを精度良く追従させてい
る。2. Description of the Related Art An optical pickup for reading signal information recorded on an optical disk is equipped with a servo function for focusing and tracking, and this servo function makes it possible to perform mechanical operations such as surface deflection and eccentricity due to rotation of the optical disk. The optical pickup is made to accurately follow the fluctuation.
【0003】ところで、光ピックアップの追従性を向上
させ、その信頼性を高めるためには、光ピックアップの
小型化および軽量化を図る必要がある。すなわち、その
ようにすれば、光ピックアップの可動部を高速で駆動で
き、また慣性の悪影響を抑制できるからである。Incidentally, in order to improve the followability of the optical pickup and increase its reliability, it is necessary to reduce the size and weight of the optical pickup. That is, in this case, the movable portion of the optical pickup can be driven at high speed, and the adverse effect of inertia can be suppressed.
【0004】このような要請に答える小型化、軽量化さ
れた光ピックアップの一従来例として、特開昭62−1
17150号公報に開示されたものがある。図8はこの
光ピックアップを示す。直方体状をなす透明基板100
0の上面には、例えば半導体レーザ素子からなる発光素
子1001が取り付けられており、発光素子1001か
ら透明基板1000の内部に向けて出射されるレーザ拡
散光は、透明基板1000の上面に形成された回折格子
1002によって図上右側に相当する方向に光路を変更
される。As one conventional example of a miniaturized and lightened optical pickup responding to such a demand, Japanese Patent Application Laid-Open No. Sho 62-1 is an example.
There is one disclosed in Japanese Patent No. 17150. FIG. 8 shows this optical pickup. Transparent substrate 100 having a rectangular parallelepiped shape
A light emitting element 1001 composed of, for example, a semiconductor laser element is attached to the upper surface of the transparent substrate 1000. Laser diffused light emitted from the light emitting element 1001 toward the inside of the transparent substrate 1000 is formed on the upper surface of the transparent substrate 1000. The optical path is changed by the diffraction grating 1002 in a direction corresponding to the right side in the figure.
【0005】続いて、透明基板1000の表裏(上下)
両面に形成された反射面(全反射面)1003、100
4、1005によって順に反射され、透明基板1000
内をジグザグ状に伝送される。そして、透明基板100
0の上面に形成された回折格子1006によって平行光
線化され、回折格子1006の真上の位置に所定距離を
隔てて別途設けられた対物レンズ1007によって光デ
ィスク1110の記録面に集光される。これにより、光
ディスク1110の記録面に光スポットが形成される。Subsequently, the front and back (up and down) of the transparent substrate 1000
Reflection surfaces (total reflection surfaces) 1003, 100 formed on both surfaces
4, 1005 in order, the transparent substrate 1000
Is transmitted in a zigzag pattern. Then, the transparent substrate 100
The light is collimated by a diffraction grating 1006 formed on the upper surface of the optical disk 11 and focused on a recording surface of an optical disk 1110 by an objective lens 1007 separately provided at a position directly above the diffraction grating 1006 with a predetermined distance. Thereby, a light spot is formed on the recording surface of the optical disk 1110.
【0006】光ディスク1110からの反射光は、上記
とは逆の経路を辿って透明基板1000内を図上左側に
相当する方向に伝送され、透明基板1000の裏面に形
成した凹レンズ1008、上面に形成されたシリンドカ
ルレンズ1009の各反射面で反射され、最終的に多分
割受光素子1010に検出され、これによりディスク面
に記録された信号情報の読み取りが行われる。また、多
分割受光素子1010の検出結果を利用して、フォーカ
シングサーボおよびトラッキングサーボが行われる。[0006] The reflected light from the optical disk 1110 is transmitted through the transparent substrate 1000 in a direction corresponding to the left side in the figure along a path reverse to the above, and is formed on the rear surface of the transparent substrate 1000 with a concave lens 1008 formed on the upper surface. The reflected light is reflected by each reflecting surface of the cylindrical lens 1009 and finally detected by the multi-segment light receiving element 1010, whereby the signal information recorded on the disk surface is read. Further, focusing servo and tracking servo are performed using the detection result of the multi-segment light receiving element 1010.
【0007】ところで、上記構成の光ピックアップは、
回折格子1002、1006、凹レンズ1008および
シリンドカルレンズ1009等の光学部品を透明基板1
000の表裏両面に組み付ける構成をとるため、これら
光学部品相互の透明基板1000に対する位置決めが困
難であり、組み付け精度上の制約により、組み付け作業
が煩わしく、コストアップを招来するという欠点があ
る。By the way, the optical pickup having the above configuration has
Optical components such as diffraction gratings 1002, 1006, concave lens 1008, cylindrical lens 1009, etc.
Therefore, it is difficult to position these optical components with respect to the transparent substrate 1000, and there is a drawback that the assembly work is complicated and the cost is increased due to the limitation on the assembly accuracy.
【0008】このような欠点を解消するために、上記の
特開昭62−117150号公報では、光学部品に相当
する光学素子を透明基板1000の表裏両面に成形技術
を利用して一体成形する方法が他の実施例として開示さ
れている。In order to solve such a drawback, Japanese Patent Application Laid-Open No. Sho 62-117150 discloses a method of integrally forming an optical element corresponding to an optical component on both the front and back surfaces of a transparent substrate 1000 by using a molding technique. Is disclosed as another embodiment.
【0009】しかるに、この他の実施例においても、上
記構成同様に透明基板1000に別体の対物レンズ10
07を組み付ける構成をとるため、依然として組み付け
精度上の制約により、迅速な組み付け作業が行えず、コ
ストアップを招来するという欠点がある。また、対物レ
ンズ1007と回折格子1006との間に所定の離隔寸
法を必要とするため、光ピックアップの厚み寸法が全体
として大きくなり、特に光ピックアップの薄型化を図る
上でのネックになっていた。However, in another embodiment, a separate objective lens 10 is provided on the transparent substrate 1000 similarly to the above configuration.
07, there is a drawback that a quick assembling operation cannot be performed due to a limitation in assembling accuracy, resulting in an increase in cost. In addition, since a predetermined separation dimension is required between the objective lens 1007 and the diffraction grating 1006, the thickness dimension of the optical pickup is increased as a whole, which has been a bottleneck particularly in reducing the thickness of the optical pickup. .
【0010】このような従来技術の欠点を解消するもの
として、本願出願人が、例えば特願平3−332232
号で先に提案したものがある。図9および図10はこの
光ピックアップに搭載される光集積回路を示す。As a solution to the above disadvantages of the prior art, the present applicant has disclosed in Japanese Patent Application No. 3-332232, for example.
There is one proposed earlier in the issue. FIG. 9 and FIG. 10 show an optical integrated circuit mounted on this optical pickup.
【0011】この光集積回路200は、直方体状をなす
透明基板230の上面における一端側にシリコン基板か
らなる光電子集積基板240を組み付けて構成される。
透明基板230は刻印技術を含む成型法により形成され
る。すなわち、一例として、PMMAやPC等の透明樹
脂材料を金型内に流し込み、同時に上下(表裏)両面に
刻印技術を用いて0次光、±1次光の3ビームを形成す
るための回折格子232、ピッチの異なる2種類の回折
格子からなるホログラムビームスプリッタ233および
ホログラムコリメートレンズ234が形成される。ま
た、反射用のミラー236および非球面対物レンズ23
5が形成される。The optical integrated circuit 200 is constructed by assembling an optoelectronic integrated substrate 240 made of a silicon substrate at one end on the upper surface of a transparent substrate 230 having a rectangular parallelepiped shape.
The transparent substrate 230 is formed by a molding method including an engraving technique. That is, as an example, a diffraction grating for pouring a transparent resin material such as PMMA or PC into a mold, and simultaneously forming three beams of 0th-order light and ± 1st-order light on both upper and lower (front and back) surfaces by using an engraving technique. A hologram beam splitter 233 and a hologram collimating lens 234 are formed. Further, the mirror 236 for reflection and the aspherical objective lens 23 are used.
5 are formed.
【0012】具体的には、該透明基板230の上面23
0aにおける長手方向他端部に、非球面対物レンズ23
5が膨出形成され、下面230bにおける非球面対物レ
ンズ235の真下に位置する部分にホログラムコリメー
トレンズ234が形成されている。また、ホログラムビ
ームスプリッタ233は、上面230aの長手方向中央
部から非球面対物レンズ235側に若干偏位した位置に
形成される。更に、下面230bの長手方向中央部に3
ビーム形成用の回折格子232が形成されている。More specifically, the upper surface 23 of the transparent substrate 230
0a, the aspherical objective lens 23
5, a hologram collimating lens 234 is formed in a portion of the lower surface 230b located directly below the aspherical objective lens 235. Further, the hologram beam splitter 233 is formed at a position slightly deviated from the longitudinal center of the upper surface 230a toward the aspherical objective lens 235. Further, 3 is provided at the longitudinal center of the lower surface 230b.
A diffraction grating 232 for beam formation is formed.
【0013】加えて、上面230aの長手方向一端部に
は、底面側に向けて狭幅になった角穴状をなす収納凹部
231が形成されている。この収納凹部231は、透明
基板230の上面側に組み付けられている光電子集積基
板240に組み込まれた半導体レーザ素子241および
この半導体レーザ素子241が搭載されたサブマウント
243を収納するために設けられる。In addition, at one end in the longitudinal direction of the upper surface 230a, there is formed a storage recess 231 having a square hole shape narrowing toward the bottom surface. The housing recess 231 is provided for housing the semiconductor laser element 241 incorporated in the optoelectronic integrated substrate 240 mounted on the upper surface side of the transparent substrate 230 and the submount 243 on which the semiconductor laser element 241 is mounted.
【0014】このような構成によれば、組み付け状態に
おいて半導体レーザ素子241が外部から密閉されるの
で、半導体レーザ素子241に水分が付着する等してそ
の寿命が劣化することがない。また、半導体レーザ素子
241の出力の安定化が図られる。According to such a configuration, the semiconductor laser element 241 is hermetically sealed from the outside in the assembled state, so that the life of the semiconductor laser element 241 does not deteriorate due to adhesion of moisture to the semiconductor laser element 241. Further, the output of the semiconductor laser element 241 is stabilized.
【0015】図10に示すように、光電子集積基板24
0の表面には半導体レーザ素子241の出力をモニター
するための受光素子242、その制御回路(図示せ
ず)、多分割フォトダイオードからなる多分割受光素子
244、およびその信号処理回路(図示せず)がモノシ
リックに組み付けられている。具体的には、表面実装技
術等の既存の製造プロセス技術を用いて組み付けられ
る。そして、その後、半導体レーザ素子241が搭載さ
れたサブマウント243が組み付けられる。[0015] As shown in FIG.
The light-receiving element 242 for monitoring the output of the semiconductor laser element 241, a control circuit thereof (not shown), a multi-division light receiving element 244 composed of a multi-division photodiode, and a signal processing circuit thereof (not shown) ) Is monolithically assembled. Specifically, it is assembled using an existing manufacturing process technology such as a surface mounting technology. After that, the submount 243 on which the semiconductor laser element 241 is mounted is assembled.
【0016】サブマウント243は図示するように、三
角柱状をなし、傾斜面243aの上端部に半導体レーザ
素子241が実装されている。サブマウント243と光
電子集積基板240との電気的な接続は、該サブマウン
ト243と、光電子集積基板240の表面に形成された
電極ランド246とをワイヤボンディングして行われ
る。As shown, the submount 243 has a triangular prism shape, and a semiconductor laser element 241 is mounted on the upper end of the inclined surface 243a. The electrical connection between the submount 243 and the optoelectronic integrated substrate 240 is made by wire bonding the submount 243 and the electrode lands 246 formed on the surface of the optoelectronic integrated substrate 240.
【0017】また、モニター手段としての受光素子24
2は、半導体レーザ素子241から出射されるレーザビ
ームを受光し、受光量を電気信号に光電変換して制御回
路にフィードバック信号として与える。これにより、制
御回路が半導体レーザ素子241の出力レベルを常時一
定の値に制御する。A light receiving element 24 as a monitor means
2 receives the laser beam emitted from the semiconductor laser element 241, photoelectrically converts the amount of received light into an electric signal, and supplies the electric signal as a feedback signal to the control circuit. Thereby, the control circuit controls the output level of the semiconductor laser device 241 to a constant value at all times.
【0018】信号処理回路はノイズフィルタ、アンプ等
を備えており、多分割受光素子244から与えられる検
出信号を信号処理して、光電子集積基板240の長手方
向一端部における表面に形成された電極ランド245を
介して外部に出力する。The signal processing circuit includes a noise filter, an amplifier, etc., performs signal processing on a detection signal provided from the multi-segment light receiving element 244, and forms an electrode land formed on the surface at one longitudinal end of the optoelectronic integrated board 240. Output to the outside via 245.
【0019】このような構成の光集積回路によれば、そ
の製造プロセスにより上記した従来技術の欠点を解消で
き、光ピックアップの低コスト化に寄与できる。According to the optical integrated circuit having such a configuration, the above-mentioned drawbacks of the prior art can be solved by the manufacturing process, and the cost of the optical pickup can be reduced.
【0020】しかしながら、図9および図10に示す光
集積回路では以下に示す問題点を有するため、製造効率
およびコストダウンを図る上でまだまだ改善の余地があ
るのが現状である。However, since the optical integrated circuits shown in FIGS. 9 and 10 have the following problems, there is still room for improvement in manufacturing efficiency and cost reduction.
【0021】(1)光電子集積基板240に半導体レー
ザ素子241からなる発光素子を搭載したサブマウント
243を実装する時、この光集積回路の光学系の機能を
損なわないようにするために、極めて高い精度でレーザ
光の出射位置や出射方向を合わせる必要がある。このた
め、実装時に複雑な製造プロセスを必要とする結果、製
造効率が悪く、コストアップを招来するという問題があ
る。(1) When mounting the submount 243 on which the light emitting element including the semiconductor laser element 241 is mounted on the opto-electronic integrated board 240, it is extremely high so as not to impair the function of the optical system of this optical integrated circuit. It is necessary to adjust the emission position and the emission direction of the laser light with high accuracy. Therefore, there is a problem that a complicated manufacturing process is required at the time of mounting, resulting in poor manufacturing efficiency and an increase in cost.
【0022】このような問題は、半導体レーザ素子24
1からなる発光素子を直接光電子集積基板240に実装
する場合も同様である。Such a problem arises because the semiconductor laser element 24
The same applies to the case where the light emitting element made of 1 is directly mounted on the optoelectronic integrated substrate 240.
【0023】(2)光電子集積基板240の製造工程
は、受光素子242、信号処理回路、電極ランド24
5、246等を光電子集積基板240上に集積化する集
積回路製造プロセスを用いる工程と、半導体レーザ素子
241からなる発光素子を搭載したサブマウント243
を光電子集積基板240上に実装し、このサブマウント
243と光電子集積基板240上の電極ランド246と
をワイヤボンディングするアセンブリ工程との2工程か
ら構成されているが、この2つの工程は大きく異なって
いるため、製造工程を一元化することが困難である。こ
のため、両工程を分割して行わなければならず、処理時
間がかかるため、この点においても、コストアップを招
来するという問題がある。(2) The manufacturing process of the optoelectronic integrated substrate 240 includes a light receiving element 242, a signal processing circuit, and an electrode land 24.
A process using an integrated circuit manufacturing process for integrating 5, 246, etc. on the optoelectronic integrated substrate 240, and a submount 243 on which a light emitting element including a semiconductor laser element 241 is mounted.
Is mounted on the opto-electronic integrated board 240, and an assembly step of wire bonding the submount 243 and the electrode lands 246 on the opto-electronic integrated board 240 is performed. Therefore, it is difficult to unify the manufacturing process. For this reason, both processes must be performed in a divided manner, and it takes a long processing time. In this respect, there is a problem that the cost is increased.
【0024】このような問題は、半導体レーザ素子24
1からなる発光素子を直接光電子集積基板240に実装
する場合も同様である。Such a problem arises because the semiconductor laser element 24
The same applies to the case where the light emitting element made of 1 is directly mounted on the optoelectronic integrated substrate 240.
【0025】このような先行技術が有する問題点を解消
するものとして、その後に、本願出願人が特願平4−3
07408号で提案した光ピックアップがある。As a solution to the problems of the prior art, the applicant of the present application has subsequently filed Japanese Patent Application No. Hei.
There is an optical pickup proposed in 07408.
【0026】図11および図12はこの光ピックアップ
に搭載される光集積回路を示す。この光集積回路100
は、透明樹脂材料をモールドする時に光電子集積基板1
10を取り込んで製造される。図11に示すように、こ
の光電子集積基板110は、GaAs/GaAlAs系
基板、InP/InGaAsP系基板等の化合物半導体
を材料とし、その上面(表面)に半導体レーザ素子から
なる発光素子111、受光素子112および図示しない
電子集積回路からなる電子部品と、ホログラムビームス
プリッタ114、ホログラムコリメートレンズ115か
らなる光学部品とを設けて構成される。FIGS. 11 and 12 show an optical integrated circuit mounted on this optical pickup. This optical integrated circuit 100
Means that the optoelectronic integrated substrate 1 is used when molding a transparent resin material.
10 is manufactured. As shown in FIG. 11, the opto-electronic integrated substrate 110 is made of a compound semiconductor such as a GaAs / GaAlAs-based substrate or an InP / InGaAsP-based substrate. An electronic component including an electronic integrated circuit 112 and an electronic integrated circuit (not shown) and an optical component including a hologram beam splitter 114 and a hologram collimating lens 115 are provided.
【0027】ここで、発光素子111、受光素子112
および電子集積回路は既存の半導体プロセス技術を用い
て直接光電子集積基板110上に形成される。また、ホ
ログラムビームスプリッタ114およびホログラムコリ
メートレンズ115も同様に半導体プロセス技術を用い
て光電子集積基板110上に表面溝形状を刻み込むこと
により形成される。Here, the light emitting element 111 and the light receiving element 112
The electronic integrated circuit is formed directly on the optoelectronic integrated substrate 110 by using an existing semiconductor process technology. The hologram beam splitter 114 and the hologram collimating lens 115 are also formed by carving a surface groove shape on the optoelectronic integrated substrate 110 by using a semiconductor process technique.
【0028】モールド時に光電子集積基板110を取り
込む透明樹脂成型体120は、一例として、PMMA、
PC等の透明樹脂を材料とし、この透明樹脂を金型に流
し込み光電子集積回路110を内部に取り込むようにし
て形成される。この時、直方体状をなす透明樹脂成型体
120の上面120aに非球面対物レンズ121と、反
射面122a、122b、122cおよび122dが形
成される。The transparent resin molded body 120 for taking in the optoelectronic integrated substrate 110 during molding is, for example, PMMA,
A transparent resin such as a PC is used as a material, and the transparent resin is poured into a mold so that the optoelectronic integrated circuit 110 is taken in. At this time, the aspherical objective lens 121 and the reflection surfaces 122a, 122b, 122c and 122d are formed on the upper surface 120a of the transparent resin molded body 120 having a rectangular parallelepiped shape.
【0029】今少し具体的に説明すると、非球面対物レ
ンズ121は透明樹脂成型体120の上面120aの図
上右端部に相当する長手方向一端部に膨出形成される。
また、反射面122b、122c、122dは上面12
0aの長手方向中央部から長手方向他端部側にかけて形
成される。更に、反射面122aは長手方向他端部端面
に傾斜面として形成される。More specifically, the aspherical objective lens 121 is formed to protrude at one end in the longitudinal direction corresponding to the right end in the figure of the upper surface 120a of the transparent resin molded body 120.
Further, the reflecting surfaces 122b, 122c, 122d
0a is formed from the center in the longitudinal direction to the other end in the longitudinal direction. Further, the reflection surface 122a is formed as an inclined surface on the end surface at the other end in the longitudinal direction.
【0030】そして、光電子集積基板110の非球面対
物レンズ121の真下に位置する表面部分にホログラム
コリメートレンズ115が形成される。また、ホログラ
ムビームスプリッタ114は、光電子集積基板110上
の長手方向中央部に形成される。Then, a hologram collimating lens 115 is formed on a surface portion of the optoelectronic integrated substrate 110 located directly below the aspherical objective lens 121. The hologram beam splitter 114 is formed on the optoelectronic integrated substrate 110 at the center in the longitudinal direction.
【0031】半導体レーザ素子からなる発光素子111
は、光電子集積基板110の長手方向他端部に、その端
面を光電子集積基板110の端面110bと面一状態に
して形成される。発光素子111から光電子集積基板1
10の内部に向けて出射されるレーザビームの光路は光
電子集積基板110の表面に平行となり、かつ端面11
0bに対し垂直となる。また、受光素子112は光電子
集積基板110の表面であって、ホログラムビームスプ
リッタ114から長手方向他端部側に若干偏位した位置
に形成される。Light emitting device 111 composed of a semiconductor laser device
Is formed on the other end of the optoelectronic integrated substrate 110 in the longitudinal direction, with its end face flush with the end face 110b of the optoelectronic integrated substrate 110. Light emitting element 111 to optoelectronic integrated substrate 1
The optical path of the laser beam emitted toward the inside of the substrate 10 is parallel to the surface of the optoelectronic integrated substrate 110 and the end surface 11
0b. The light receiving element 112 is formed on the surface of the optoelectronic integrated substrate 110 at a position slightly deviated from the hologram beam splitter 114 toward the other end in the longitudinal direction.
【0032】受光素子112は多分割フォトダイオード
からなり、光電子集積基板110と透明樹脂成型体12
0の間を伝播してくる光を受光し、電気信号に光電変換
する。また、電子集積回路は、受光素子112から与え
られる検出信号を処理して、光電子集積基板110上に
形成された電極ランド(図示せず)を介して外部に出力
する。The light receiving element 112 is composed of a multi-segmented photodiode, and includes an optoelectronic integrated substrate 110 and a transparent resin molded body 12.
The light propagating between 0 is received and photoelectrically converted into an electric signal. Further, the electronic integrated circuit processes a detection signal given from the light receiving element 112 and outputs the processed signal to the outside via an electrode land (not shown) formed on the optoelectronic integrated substrate 110.
【0033】この光集積回路100を光ピックアップに
利用する場合、非球面対物レンズ121が光ディスクの
記録面の下方に位置するように配設する。発光素子11
1から出射されたレーザビームは、反射面122a、1
22bで反射された後、光電子集積基板110上に形成
されたホログラムビームスプリッタ114を経て反射面
122cで反射され、光電子集積基板110上に形成さ
れたホログラムコリメートレンズ115に導かれる。続
いて、ホログラムコリメートレンズ115によって平行
光線化され、この平行光は非球面対物レンズ121によ
り集光されて、光ディスクの記録面に光スポットとして
照射される。When the optical integrated circuit 100 is used for an optical pickup, the aspherical objective lens 121 is disposed so as to be located below the recording surface of the optical disk. Light emitting element 11
The laser beam emitted from 1 is reflected by the reflection surfaces 122a, 1a
After being reflected by 22 b, it is reflected by a reflection surface 122 c via a hologram beam splitter 114 formed on the optoelectronic integrated substrate 110, and is guided to a hologram collimating lens 115 formed on the optoelectronic integrated substrate 110. Subsequently, the light is collimated by the hologram collimating lens 115, and the collimated light is condensed by the aspherical objective lens 121 and is irradiated as a light spot on the recording surface of the optical disc.
【0034】一方、光ディスクからの反射光は、上記と
は逆の経路を辿ってホログラムビームスプリッタ114
の位置に導かれ、反射面122dによって反射された
後、受光素子112に入射する。受光素子112の多分
割フォトダイオードは、光ディスクからの反射光を検出
し、検出した光を光電変換して電子集積回路に与える。
電子集積回路は、与えられた電気信号を信号処理するこ
とにより、光ディスクに記録されている信号情報、トラ
ッキング誤差信号およびフォーカシング誤差信号を出力
する。On the other hand, the reflected light from the optical disk follows the reverse path to that described above, and the hologram beam splitter 114
And after being reflected by the reflecting surface 122d, it enters the light receiving element 112. The multi-segmented photodiode of the light receiving element 112 detects the reflected light from the optical disk, photoelectrically converts the detected light, and provides the light to the electronic integrated circuit.
The electronic integrated circuit outputs signal information, a tracking error signal, and a focusing error signal recorded on the optical disc by performing signal processing on the applied electric signal.
【0035】尚、この光集積回路100を光ピックアッ
プに利用する場合は、フォーカシング用アクチュエータ
およびトラッキング用アクチュエータが光集積回路10
0に搭載される。フォーカシング用アクチュエータは、
フォーカシング誤差信号に基づき光ピックアップ、すな
わち光集積回路100をサーボ制御する。また、トラッ
キング用アクチュエータはトラッキング誤差信号に基づ
き光集積回路100をサーボ制御する。When the optical integrated circuit 100 is used for an optical pickup, the focusing actuator and the tracking actuator are used for the optical integrated circuit 10.
0. Focusing actuators are
The optical pickup, that is, the optical integrated circuit 100 is servo-controlled based on the focusing error signal. The tracking actuator servo-controls the optical integrated circuit 100 based on the tracking error signal.
【0036】このような光集積回路100によれば、透
明材料で透明樹脂成型体120をモールドする時に、光
電子集積基板110を取り込んで製造されるので、上記
した先行技術の問題点を解消し得て、低価格の光ピック
アップを実現できる。According to such an optical integrated circuit 100, when the transparent resin molded body 120 is molded with a transparent material, the optical integrated circuit 100 is manufactured by taking in the optoelectronic integrated substrate 110, so that the above-mentioned problems of the prior art can be solved. Thus, a low-priced optical pickup can be realized.
【0037】[0037]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、図11
および図12に示す光集積回路100では、以下に示す
新たな問題点がある。However, FIG.
The optical integrated circuit 100 shown in FIG. 12 has the following new problem.
【0038】(1)この光集積回路100は、上記のよ
うに、透明樹脂材料をモールドする時に光電子集積基板
110を取り込んで製造され、この時、透明樹脂成型体
120の上面120aに非球面対物レンズ121が形成
されるが、モールド時に、光電子集積基板110と非球
面対物レンズ121の位置関係、特に角度に関する位置
関係が設計上の位置関係から外れると、非球面対物レン
ズ121によって集光される光には大きな光線収差が発
生し、光ディスクの記録面で微小な光スポットに絞るこ
とができなくなるため、光ディスク面に記録された信号
情報を読み損なうおそれがある。即ち、光ピックアップ
の信頼性が損なわれるおそれがある。(1) As described above, the optical integrated circuit 100 is manufactured by incorporating the optoelectronic integrated substrate 110 when molding a transparent resin material. At this time, the upper surface 120a of the transparent resin molded body 120 is provided with an aspherical objective. The lens 121 is formed. If the positional relationship between the optoelectronic integrated substrate 110 and the aspherical objective lens 121, particularly the angular positional relationship, deviates from the designed positional relationship during molding, the light is condensed by the aspherical objective lens 121. Since a large ray aberration occurs in the light and it becomes impossible to narrow down to a minute light spot on the recording surface of the optical disk, there is a possibility that the signal information recorded on the optical disk surface may not be read. That is, the reliability of the optical pickup may be impaired.
【0039】このような問題を解消するためには、光電
子集積基板110と非球面対物レンズ121の位置関係
を高精度に保てばよい。しかるに、そのようにするため
には、複雑な製造工程を必要とし、製造に時間を要する
結果、コストダウンを図ることが困難になる。このよう
なコスト上の制約により、光ピックアップの信頼性の向
上を図る上で限界があったのが現状である。In order to solve such a problem, the positional relationship between the optoelectronic integrated substrate 110 and the aspherical objective lens 121 may be maintained with high precision. However, in order to do so, a complicated manufacturing process is required, and it takes time to manufacture, and it is difficult to reduce the cost. At present, due to such cost restrictions, there is a limit in improving the reliability of the optical pickup.
【0040】このような問題は、透明樹脂で光電子集積
基板をモールドする代わりに、光電子集積基板110を
透明樹脂又はガラス材を材料とする透明材料成型体12
0の内部に収納するように取り付けた構成の光集積回路
についても同様である。Such a problem arises because instead of molding the optoelectronic integrated substrate with a transparent resin, the optoelectronic integrated substrate 110 is made of a transparent material molded body 12 made of a transparent resin or a glass material.
The same applies to an optical integrated circuit configured to be housed inside the optical integrated circuit.
【0041】(2)この光集積回路100は、透明樹脂
成型体120の上面120aに非球面対物レンズ121
が膨出形成されるため、その分、光集積回路100の寸
法の小型化、特に厚みの薄型化を図ることが困難であ
る。(2) The optical integrated circuit 100 has an aspherical objective lens 121 on an upper surface 120 a of a transparent resin molded body 120.
Is bulged, and accordingly, it is difficult to reduce the size of the optical integrated circuit 100, especially to reduce the thickness.
【0042】このような問題は、透明樹脂で光電子集積
基板をモールドする代わりに、光電子集積基板110を
透明樹脂又はガラス材を材料とする透明材料成型体12
0の内部に収納するように取り付けた構成の光集積回路
についても同様である。Such a problem arises because instead of molding the optoelectronic integrated substrate with a transparent resin, the optoelectronic integrated substrate 110 is made of a transparent material molded body 12 made of a transparent resin or a glass material.
The same applies to an optical integrated circuit configured to be housed inside the optical integrated circuit.
【0043】本発明は、このような従来技術の諸欠点を
解消するものであり、製造プロセスの簡略化が図れ、量
産性の向上と大幅なコストダウンが可能になる光集積回
路を提供することを目的とする。An object of the present invention is to solve such disadvantages of the prior art, and to provide an optical integrated circuit which can simplify a manufacturing process, improve mass productivity and significantly reduce costs. With the goal.
【0044】本発明の他の目的は、小型化および薄型化
が図れ、かつ信頼性を格段に向上できる光集積回路を提
供することを目的とする。Another object of the present invention is to provide an optical integrated circuit that can be reduced in size and thickness and that can significantly improve reliability.
【0045】また、本発明の他の目的は、このような光
集積回路が有する利点を享受できる光ピックアップおよ
び光情報処理装置を提供することにある。Another object of the present invention is to provide an optical pickup and an optical information processing apparatus that can enjoy the advantages of such an optical integrated circuit.
【0046】[0046]
【課題を解決するための手段】本発明の光集積回路は、
半導体レーザ素子で形成される発光素子、受光素子、反
射型ホログラムビームスプリッタ、および集光機能を持
つ反射型ホログラムを、同一半導体基板の同一面上に半
導体プロセス技術を用いて直接形成した光電子集積基板
と、上面と長手方向端面の傾斜面とに反射面が形成され
ると共に、内部が光路となる透明体とを有し、前記光電
子集積基板を該透明体の内部に取り込むようにしてモー
ルドされて構成され、前記発光素子から前記光電子集積
基板の長手方向と平行な方向に発せられた光が前記透明
体の長手方向端面の傾斜面の反射面を介して前記透明体
の上面の反射面に向かうように、前記発光素子が前記光
電子集積基板の長手方向端部に配置されており、そのこ
とにより上記目的が達成される。An optical integrated circuit according to the present invention comprises:
An optoelectronic integrated substrate in which a light emitting element, a light receiving element, a reflection type hologram beam splitter, and a reflection type hologram having a condensing function are formed directly on the same surface of the same semiconductor substrate by using a semiconductor process technology. A reflection surface is formed on the upper surface and the inclined surface of the longitudinal end surface , and the inside has a transparent body serving as an optical path, and is molded so as to take the optoelectronic integrated substrate into the inside of the transparent body. Comprising the light emitting element and the optoelectronic integrated
Light emitted in a direction parallel to the longitudinal direction of the substrate is transmitted through the reflecting surface of the inclined surface of the longitudinal end surface of the transparent body.
To face the reflective surface of the upper surface of the light emitting element is the light
The electronic integrated substrate is disposed at the longitudinal end, thereby achieving the above object.
【0047】また、本発明の光集積回路は、半導体レー
ザ素子で形成される発光素子、受光素子、反射型ホログ
ラムビームスプリッタ、および集光機能を持つ反射型ホ
ログラムを、同一半導体基板の同一面上に半導体プロセ
ス技術を用いて直接形成した光電子集積基板と、上面と
長手方向端面の傾斜面とに反射面が形成されると共に、
内部が光路となる透明体とを有し、前記光電子集積基板
を該透明体の内部に収納するように取り付けられて構成
され、前記発光素子から前記光電子集積基板の長手方向
と平行な方向に発せられた光が前記透明体の長手方向端
面の傾斜面の反射面を介して前記透明体の上面の反射面
に向かうように、前記発光素子が前記光電子集積基板の
長手方向端部に配置されており、そのことにより上記目
的が達成される。In the optical integrated circuit of the present invention, a light emitting element, a light receiving element, a reflection type hologram beam splitter and a reflection type hologram having a condensing function are formed on a same semiconductor substrate on the same surface. and optoelectronic integrated substrate formed directly by using a semiconductor process technology, the upper surface
A reflection surface is formed on the inclined surface of the longitudinal end surface , and
An optoelectronic integrated substrate having a transparent body having an optical path inside.
Is mounted so as to be accommodated inside the transparent body , and the light-emitting element extends in the longitudinal direction of the optoelectronic integrated substrate.
The light emitted in a direction parallel to the longitudinal direction of the transparent body
The light-emitting element is disposed on the optoelectronic integrated substrate so that the light-emitting element faces the reflection surface on the upper surface of the transparent body via the reflection surface of the inclined surface .
It is arranged at the longitudinal end, thereby achieving the above object.
【0048】また、本発明の光ピックアップは、請求項
1又は請求項2記載の光集積回路を備えている。An optical pickup according to the present invention includes the optical integrated circuit according to the first or second aspect.
【0049】また、本発明の光情報処理装置は、レーザ
プリンタ、光距離計等に利用される光情報処理装置であ
って、請求項1又は請求項2記載の光集積回路を備えて
いる。An optical information processing apparatus according to the present invention is an optical information processing apparatus used for a laser printer, an optical distance meter, and the like, and includes an optical integrated circuit according to claim 1 or 2.
【0050】[0050]
【作用】上記のような構成によれば、半導体レーザ素子
からなる発光素子、受光素子、反射型ホログラムビーム
スプリッタ、および集光機能を持つ反射型ホログラム
を、半導体プロセス技術を用いて同一半導体基板上の同
一面上に一体的に形成することができるので、製造工程
の簡略化が可能になる。従って、製造能率の効率化が図
れる。SUMMARY OF] According to the above configuration, the light emitting element composed of a semiconductor laser element, the light receiving element, the reflection-type hologram beam splitter, and the reflection-type hologram having a light condensing function
And can be integrally formed on the same surface on the same semiconductor substrate by using a semiconductor process technology, it is possible to simplify the manufacturing process. Therefore, the efficiency of manufacturing efficiency can be improved.
【0051】また、集光機能を持つ反射型ホログラムを
有するので、上記の先行技術で必要であった非球面対物
レンズを膨出形成する必要がない。従って、薄型、かつ
小型、軽量の光集積回路を実現できる。また、信頼性の
向上が図れる。Further, since the reflection type hologram having the light condensing function is provided, it is not necessary to bulge the aspherical objective lens required in the above prior art. Therefore, a thin, small, and lightweight optical integrated circuit can be realized. Further, the reliability can be improved.
【0052】[0052]
【実施例】以下に本発明の実施例を示す。Examples of the present invention will be described below.
【0053】(光集積回路の実施例1)図1および図2
は本発明の光集積回路の実施例1を示す。本実施例1の
光集積回路1は、透明樹脂材料をモールドする時に光電
子集積基板10をその内部に取り込んで作製される。即
ち、透明樹脂材料をモールドして作製される直方体状の
透明樹脂成型体20の内部に光電子集積基板10を取り
込んで作製される。(Embodiment 1 of Optical Integrated Circuit) FIGS. 1 and 2
Shows an optical integrated circuit according to a first embodiment of the present invention. The optical integrated circuit 1 according to the first embodiment is manufactured by incorporating the optoelectronic integrated substrate 10 into a transparent resin material when molding the same. That is, the optoelectronic integrated substrate 10 is taken into the inside of a rectangular parallelepiped transparent resin molded body 20 produced by molding a transparent resin material.
【0054】図2に示すように、この光電子集積基板1
0は、GaAs/GaAlAs系基板、InP/InG
aAsP系基板等の化合物半導体を材料とする基板の上
面に、半導体レーザ素子からなる発光素子11、受光素
子12および図示しない電子集積回路等の電子デバイス
と、ホログラムビームスプリッタ14および集光機能を
持つホログラムレンズ15等からなる光学部品を設けて
構成されている。As shown in FIG. 2, this optoelectronic integrated substrate 1
0 is a GaAs / GaAlAs-based substrate, InP / InG
On the upper surface of a substrate made of a compound semiconductor such as an aAsP-based substrate, a light emitting element 11, a light receiving element 12, an electronic device such as an electronic integrated circuit (not shown), a hologram beam splitter 14, and a condensing function are provided. An optical component including the hologram lens 15 and the like is provided.
【0055】発光素子11、受光素子12および電子集
積回路(図示せず)等の電子デバイスは、表面実装技術
等の既存の半導体プロセス技術を用いて直接光電子集積
基板10上に形成される。また、ホログラムビームスプ
リッタ14、ホログラムレンズ15等の光学部品も同様
に既存の半導体プロセス技術を用い、かつ刻印技術を用
いて光電子集積基板10表面の所定箇所に溝形状を刻み
込むことにより形成される。Electronic devices such as the light emitting element 11, the light receiving element 12, and an electronic integrated circuit (not shown) are formed directly on the optoelectronic integrated substrate 10 by using an existing semiconductor process technology such as a surface mounting technology. Similarly, optical components such as the hologram beam splitter 14 and the hologram lens 15 are formed by engraving a groove shape at a predetermined position on the surface of the optoelectronic integrated substrate 10 using an existing semiconductor process technology and also using an engraving technology.
【0056】上記の透明樹脂成型体20は、一例とし
て、PMMA、PC等の透明樹脂を材料とし、この樹脂
を金型に流し込み、光集積回路10を内部に取り込むよ
うにして形成される。この時、透明樹脂成型体20の上
面に光線入出射面21、反射面22a、22b、22c
および22dが形成される。The transparent resin molded body 20 is formed by, for example, using a transparent resin such as PMMA or PC as a material, pouring the resin into a mold, and taking the optical integrated circuit 10 therein. At this time, the light incidence / emission surface 21 and the reflection surfaces 22a, 22b, 22c are formed on the upper surface of the transparent resin molded body 20.
And 22d are formed.
【0057】具体的には、光線入出射面21は透明樹脂
成型体20の上面20aにおける図上右端部に相当する
長手方向一端部に形成されている。また、反射面22
b、22c、22dは、上面20aの長手方向中央部か
ら長手方向他端部側にかけて反射面22c、22d、2
2bの順に形成されている。また、反射面22aは透明
樹脂成型体20の長手方向他端面に設けられた傾斜面上
に形成されている。More specifically, the light incident / exit surface 21 is formed at one end in the longitudinal direction corresponding to the right end in the figure on the upper surface 20a of the transparent resin molded body 20. Also, the reflection surface 22
b, 22c, and 22d are reflection surfaces 22c, 22d, and 2d from the center in the longitudinal direction of the upper surface 20a to the other end in the longitudinal direction.
2b. The reflection surface 22a is formed on an inclined surface provided on the other end surface in the longitudinal direction of the transparent resin molded body 20.
【0058】光電子集積基板10の光線入出射面21の
真下に位置する部分には、集光機能を持つホログラムレ
ンズ15が形成されている。また、ホログラムビームス
プリッタ14は光電子集積基板10の長手方向中央部に
形成されている。A hologram lens 15 having a light condensing function is formed in a portion of the optoelectronic integrated substrate 10 located immediately below the light incident / exit surface 21. Further, the hologram beam splitter 14 is formed at a central portion in the longitudinal direction of the optoelectronic integrated substrate 10.
【0059】更に、半導体レーザ素子からなる発光素子
11は、光電子集積基板10の長手方向他端部に、出射
面を光電子集積基板10の端面10bと面一状態にして
形成されている。それ故、発光素子11の出射面から出
射されるレーザビームは光電子集積基板10の表面に平
行となり、端面10bに対して垂直になる。また、光電
子集積基板10表面の発光素子11とホログラムビーム
スプリッタ14の中間位置に受光素子12が形成されて
いる。Further, the light emitting device 11 composed of a semiconductor laser device is formed at the other end in the longitudinal direction of the optoelectronic integrated substrate 10 with its emission surface flush with the end surface 10b of the optoelectronic integrated substrate 10. Therefore, the laser beam emitted from the emission surface of the light emitting element 11 is parallel to the surface of the optoelectronic integrated substrate 10 and is perpendicular to the end face 10b. A light receiving element 12 is formed on the surface of the optoelectronic integrated substrate 10 at an intermediate position between the light emitting element 11 and the hologram beam splitter 14.
【0060】図2に示すように、受光素子12は多分割
フォトダイオードからなり、光電子集積基板10と透明
樹脂成型体20の間を伝播してくる光を受光し、電気信
号に光電変換する。受光素子12の検出出力はこれに電
気的に接続された電子集積回路に与えられる。電子集積
回路は、ノイズフィルタ、アンプ等を備えた信号処理回
路からなり、光電子集積基板10上の所定の位置に形成
されている。電子集積回路は、受光素子12から与えら
れた検出信号を信号処理して、光電子集積基板10上に
形成された電極ランド(図示せず)を介して外部に出力
する。As shown in FIG. 2, the light receiving element 12 is composed of a multi-segmented photodiode, receives light propagating between the optoelectronic integrated substrate 10 and the transparent resin molded body 20, and photoelectrically converts the light into an electric signal. The detection output of the light receiving element 12 is given to an electronic integrated circuit electrically connected to the light receiving element 12. The electronic integrated circuit includes a signal processing circuit including a noise filter, an amplifier, and the like, and is formed at a predetermined position on the optoelectronic integrated substrate 10. The electronic integrated circuit processes the detection signal given from the light receiving element 12 and outputs the processed signal to the outside via an electrode land (not shown) formed on the optoelectronic integrated substrate 10.
【0061】このような構成の光集積回路1を光ピック
アップに利用する場合は、光線入出射面21が光ディス
クの記録面の下方に位置するように配設される。以下に
光集積回路1を光ピックアップに利用する場合の動作を
説明する。When the optical integrated circuit 1 having such a structure is used for an optical pickup, the light incident / exit surface 21 is disposed below the recording surface of the optical disk. The operation when the optical integrated circuit 1 is used for an optical pickup will be described below.
【0062】発光素子11から光電子集積基板10の表
面に平行に出射されたレーザビームは、光電子集積基板
10をモールドする透明樹脂成型体20の反射面22a
で斜め上方に反射され、続いて透明樹脂成型体20の上
面に形成された反射面22bで再反射された後、光電子
集積基板10上に形成されたホログラムビームスプリッ
タ14に導かれる。続いて、ホログラムビームスプリッ
タ14を経て反射面22cで反射され、光電子集積基板
10上に形成されたホログラムレンズ15に導かれる。
ホログラムレンズ15に導かれた光は、該ホログラムレ
ンズ15によって集光され、集光光線に変換される。こ
の集光光線は、ホログラムレンズ15の真上に形成され
た光線入出射面21を経て、光ディスク303(図7参
照)の記録面に光スポットとして照射される。The laser beam emitted from the light emitting element 11 in parallel to the surface of the optoelectronic integrated substrate 10 is reflected on the reflection surface 22 a of the transparent resin molding 20 for molding the optoelectronic integrated substrate 10.
Then, the light is reflected obliquely upward, and then re-reflected by the reflection surface 22b formed on the upper surface of the transparent resin molded body 20, and then guided to the hologram beam splitter 14 formed on the optoelectronic integrated substrate 10. Subsequently, the light is reflected by the reflection surface 22c via the hologram beam splitter 14, and is guided to the hologram lens 15 formed on the optoelectronic integrated substrate 10.
The light guided to the hologram lens 15 is condensed by the hologram lens 15 and is converted into a condensed light beam. The condensed light beam is irradiated as a light spot on the recording surface of the optical disc 303 (see FIG. 7) via the light beam entrance / exit surface 21 formed right above the hologram lens 15.
【0063】光ディスク303からの反射光は、上記と
は逆の経路を辿ってホログラムビームスプリッタ14の
位置に導かれ、続いて反射面22dによって下方に反射
された後、受光素子12に入射する。受光素子12を形
成する多分割フォトダイオードは、光ディスク30から
の反射光を検出し、検出した光を光電変換して電子集積
回路1に与える。電子集積回路は、入力信号の信号処理
を行って光ディスク303に記録されている信号情報、
トラッキング誤差信号およびフォーカシング誤差信号を
出力する。The reflected light from the optical disk 303 is guided to the position of the hologram beam splitter 14 along a path opposite to the above, and after being reflected downward by the reflection surface 22d, enters the light receiving element 12. The multi-segment photodiode forming the light receiving element 12 detects the reflected light from the optical disk 30, photoelectrically converts the detected light, and gives the electronic integrated circuit 1. The electronic integrated circuit performs signal processing of an input signal and records signal information recorded on the optical disc 303;
A tracking error signal and a focusing error signal are output.
【0064】なお、この光集積回路1を光ピックアップ
に利用する場合は、フォーカシング用アクチュエータお
よびトラッキング用アクチュエータが光集積回路1に搭
載される。フォーカシング用アクチュエータとしては、
例えばフォーカシング用コイルが用いられる。また、ト
ラッキング用アクチュエータとしては、一対のトラッキ
ング用コイルが用いられる。このようなアクチュエータ
については、本願出願人が先に提案した特願平3−33
2232号に詳しく説明されているので、ここでは省略
する。When the optical integrated circuit 1 is used for an optical pickup, a focusing actuator and a tracking actuator are mounted on the optical integrated circuit 1. As a focusing actuator,
For example, a focusing coil is used. Further, a pair of tracking coils is used as the tracking actuator. Such an actuator is disclosed in Japanese Patent Application No. 3-33 previously proposed by the present applicant.
This is described in detail in US Pat.
【0065】フォーカシング用アクチュエータは、電子
集積回路から与えられるフォーカシング誤差信号に基づ
き、光集積回路1をフォーカス方向に駆動してフォーカ
シングサーボを行う。同様に、トラッキング用アクチュ
エータは、トラッキング誤差信号に基づき、光集積回路
1をトラック方向に駆動してトラッキングサーボを行
う。The focusing actuator drives the optical integrated circuit 1 in the focusing direction based on a focusing error signal given from the electronic integrated circuit to perform focusing servo. Similarly, the tracking actuator performs tracking servo by driving the optical integrated circuit 1 in the track direction based on the tracking error signal.
【0066】上記のような構成によれば、発光素子1
1、受光素子12および電子集積回路等の電子デバイス
と、反射型のホログラムビームスプリッタ14および集
光機能を持つホログラムレンズ等の光学部品を、刻印技
術を含む表面実装技術等の既存の半導体プロセス技術を
用いて、透明樹脂成型体20の内部に光電子集積基板1
0を取り込んだ光電子集積回路1に一体的に形成するこ
とができるので、上記の先行技術に比べて製造プロセス
を格段に簡略化することが可能になる。従って、製造能
率の効率化が図れる。According to the above configuration, the light emitting element 1
1. An electronic device such as a light receiving element 12 and an electronic integrated circuit, and optical components such as a reflection type hologram beam splitter 14 and a hologram lens having a condensing function are combined with an existing semiconductor process technology such as a surface mounting technology including an engraving technology. , The optoelectronic integrated substrate 1 is placed inside the transparent resin molded body 20.
Since it can be formed integrally with the optoelectronic integrated circuit 1 in which 0 is taken in, the manufacturing process can be significantly simplified as compared with the above-described prior art. Therefore, the efficiency of manufacturing efficiency can be improved.
【0067】また、集光機能を持つ反射型ホログラムを
有するので、上記の先行技術で必要であった非球面対物
レンズを膨出形成する必要がない。従って、薄型、かつ
小型、軽量の光集積回路を実現できる。また、信頼性の
向上が図れる。Further, since a reflection type hologram having a light condensing function is provided, it is not necessary to bulge the aspherical objective lens required in the prior art. Therefore, a thin, small, and lightweight optical integrated circuit can be realized. Further, the reliability can be improved.
【0068】図3および図4は光集積回路1の変形例を
示す。この変形例では、発光素子11の光電子集積基板
10に対する取り付け態様が上記実施例とは異なり、そ
の出射面から出射されるレーザビームが光電子集積基板
10の表面に垂直になるように取り付けられている。こ
のため、この変形例では、傾斜面22aが発光素子11
の上方に形成されている。また、図4に示すように、こ
の変形例では、レーザビームを光電子集積基板10の端
面から出射する必要がないので、発光素子11は光電子
集積基板10の長手方向他端部に形成されている。以下
にその動作を説明する。FIGS. 3 and 4 show modifications of the optical integrated circuit 1. FIG. In this modified example, the mounting mode of the light emitting element 11 to the optoelectronic integrated substrate 10 is different from that of the above embodiment, and the laser beam emitted from the emission surface is mounted so as to be perpendicular to the surface of the optoelectronic integrated substrate 10. . For this reason, in this modification, the inclined surface 22a is
Is formed above. Further, as shown in FIG. 4, in this modification, since it is not necessary to emit a laser beam from the end face of the optoelectronic integrated substrate 10, the light emitting element 11 is formed at the other end in the longitudinal direction of the optoelectronic integrated substrate 10. . The operation will be described below.
【0069】発光素子11から出射されたレーザビーム
は、反射面22aで反射された後、光電子集積基板10
上に形成されたホログラムビームスプリッタ14に導か
れる。続いて、ホログラムビームスプリッタ14により
反射された後、透明樹脂成型体20の上面に形成された
反射面22cで斜め下方に反射され、光電子集積基板1
0上に形成されたホログラムレンズ15に導かれる。ホ
ログラムレンズ15はこの反射光を集光光線に変換す
る。続いて、この集光光線は、ホログラムレンズ15の
真上に形成された光線入出射面21を経て、光ディスク
303(図7参照)の記録面に光スポットとして照射さ
れる。The laser beam emitted from the light emitting element 11 is reflected by the reflection surface 22a,
It is guided to the hologram beam splitter 14 formed above. Subsequently, after being reflected by the hologram beam splitter 14, it is reflected obliquely downward by the reflection surface 22 c formed on the upper surface of the transparent resin molded body 20, and
The hologram lens 15 is formed on the hologram lens 15. The hologram lens 15 converts this reflected light into a condensed light beam. Subsequently, the condensed light beam is irradiated as a light spot on the recording surface of the optical disc 303 (see FIG. 7) via the light beam entrance / exit surface 21 formed right above the hologram lens 15.
【0070】以下上記実施例同様にして、光ディスク3
03の記録面からの反射光が受光素子12によって受光
されて光電変換され、最終的に電子集積回路が光ディス
ク303に記録されている信号情報、トラッキング誤差
信号およびフォーカシング誤差信号を外部に出力する。Thereafter, in the same manner as in the above embodiment, the optical disk 3
The reflected light from the recording surface of No. 03 is received by the light receiving element 12 and photoelectrically converted. Finally, the electronic integrated circuit outputs the signal information, tracking error signal and focusing error signal recorded on the optical disk 303 to the outside.
【0071】この変形例によれば、発光素子11の光電
子集積基板10に対する形成方法が簡単になる利点があ
る。According to this modification, there is an advantage that the method for forming the light emitting element 11 on the optoelectronic integrated substrate 10 is simplified.
【0072】なお、上記実施例と対応する部分について
は同一の番号を付し、具体的な説明は省略する。Parts corresponding to those in the above embodiment are denoted by the same reference numerals, and detailed description is omitted.
【0073】(光集積回路の実施例2)図5は本発明の
光集積回路の実施例2を示す。この実施例2の光集積回
路1は、光電子集積基板10を透明樹脂又はガラス材を
材料とする透明材料成型体30の内部に収納するように
取り付けて作製される。本実施例2の光電子集積基板1
0は図2に示す実施例1の光電子集積基板10と同一で
ある。(Embodiment 2 of Optical Integrated Circuit) FIG. 5 shows Embodiment 2 of the optical integrated circuit of the present invention. The optical integrated circuit 1 according to the second embodiment is manufactured by mounting the optoelectronic integrated substrate 10 so as to be housed in a transparent material molded body 30 made of a transparent resin or a glass material. Optoelectronic integrated substrate 1 of the second embodiment
0 is the same as that of the optoelectronic integrated substrate 10 of the first embodiment shown in FIG.
【0074】透明材料成型体30は、一例として、PM
MA、PC等の透明樹脂又はガラス材を材料とし、この
透明樹脂又はガラス材を金型に流し込み形成される。こ
の時、透明材料成型体30の表裏両面に光線入出射面3
1、反射面32a、32b、32c、32dおよび凹部
33が形成される。光電子集積基板10は透明材料成型
体30の下面30bに形成された凹部33に収納するよ
うに取り付けられる。The transparent material molded body 30 is, for example, PM
A transparent resin or glass material such as MA or PC is used as a material, and the transparent resin or glass material is poured into a mold and formed. At this time, the light entrance / exit surfaces 3 are provided on both front and back surfaces of the transparent material molded body 30.
1. A reflection surface 32a, 32b, 32c, 32d and a concave portion 33 are formed. The optoelectronic integrated substrate 10 is mounted so as to be housed in a concave portion 33 formed on the lower surface 30 b of the transparent material molded body 30.
【0075】具体的には、光線入出射面31は透明材料
成型体30の上面30aの長手方向一端部に形成され
る。また、反射面32b、32c、32dは上面30a
の長手方向中央部から長手方向他端部側にかけて、反射
面32c、32d、32bの順に形成されている。更
に、透明材料成型体30の長手方向他端面に反射面32
aが傾斜面として形成されている。Specifically, the light incident / exit surface 31 is formed at one longitudinal end of the upper surface 30 a of the transparent material molded body 30. The reflecting surfaces 32b, 32c, and 32d are formed on the upper surface 30a.
Are formed in the order of the reflection surfaces 32c, 32d, and 32b from the center in the longitudinal direction to the other end in the longitudinal direction. Further, a reflection surface 32 is provided on the other end surface in the longitudinal direction of the transparent material molded body 30.
a is formed as an inclined surface.
【0076】透明材料成型体30を収納する凹部33
は、2種類の凹部33a、33bを有し、透明材料成型
体30の厚みと略同寸法の深さ、対応する長手寸法およ
び幅寸法を有する凹部33bに透明材料成型体30が収
納されている。一方、凹部33bの長手方向他端部に連
設された角穴状の凹部33aの深さは凹部33bの深さ
より若干深くなっている。この凹部33aの位置に発光
素子11が位置するようにして、凹部33bに光電子集
積基板10が収納して取り付けられている。この取り付
けは、具体的には屈折率等の光学的特性ができるだけ透
明材料の特性に近い接着剤を用いて行われる。A recess 33 for accommodating the transparent material molded body 30
Has two types of concave portions 33a and 33b, and the transparent material molded body 30 is housed in a concave portion 33b having a depth substantially equal to the thickness of the transparent material molded body 30, and corresponding longitudinal and width dimensions. . On the other hand, the depth of the rectangular hole-shaped concave portion 33a provided continuously with the other longitudinal end of the concave portion 33b is slightly deeper than the depth of the concave portion 33b. The optoelectronic integrated substrate 10 is housed and mounted in the recess 33b such that the light emitting element 11 is located at the position of the recess 33a. Specifically, this attachment is performed using an adhesive whose optical characteristics such as the refractive index are as close as possible to those of the transparent material.
【0077】尚、その他の構成要素や動作原理は上記の
実施例1と同じであるので、対応する番号を付し、具体
的な説明は省略する。Since the other components and the operation principle are the same as those in the first embodiment, the corresponding numbers are given and the detailed explanation is omitted.
【0078】図6は実施例2の光集積回路1の変形例を
示す。この変形例の光集積回路1は、図3に示す変形例
の光電子集積基板10と同一の光電子集積基板10を使
用する。このような、構成において、発光素子11から
出射されたレーザービームは、透明材料成型体30の長
手方向他端部における上面30aに形成された反射面3
2aで反射された後、光電子集積基板10上に形成され
たホログラムビームスプリッタ14を経て反射面32c
で反射され、光電子集積基板10上に形成されたホログ
ラムレンズ15に導かれ、ホログラムレンズ15によっ
て集光光線に変換される。続いて、この集光光線は光線
入出射面31を経て、光ディスク303(図7参照)の
記録面に光スポットとして照射される。FIG. 6 shows a modification of the optical integrated circuit 1 of the second embodiment. The optical integrated circuit 1 of this modification uses the same optoelectronic integrated substrate 10 as the optoelectronic integrated substrate 10 of the modification shown in FIG. In such a configuration, the laser beam emitted from the light emitting element 11 is reflected on the reflection surface 3 formed on the upper surface 30 a at the other end in the longitudinal direction of the transparent material molded body 30.
After being reflected by 2a, the light passes through a hologram beam splitter 14 formed on the optoelectronic integrated substrate 10 and a reflection surface 32c.
And is guided to the hologram lens 15 formed on the optoelectronic integrated substrate 10, and is converted into a condensed light beam by the hologram lens 15. Subsequently, the condensed light beam is irradiated as a light spot on the recording surface of the optical disk 303 (see FIG. 7) via the light beam entrance / exit surface 31.
【0079】以降の動作原理は上記の実施例2と同じで
あるので、対応する部分に同一の番号を付し、具体的な
説明は省略する。Since the subsequent operation principle is the same as that of the second embodiment, the corresponding parts are denoted by the same reference numerals and detailed description thereof will be omitted.
【0080】以下に、実施例1および実施例2の光電子
集積基板10上に形成される、集光機能を持つ反射型の
ホログラムレンズ15の設計方法について、このような
光集積回路1を光ピックアップに利用する場合を例にと
って説明する。Hereinafter, a method of designing the reflection type hologram lens 15 having the condensing function formed on the optoelectronic integrated substrate 10 of the first and second embodiments will be described. The following describes an example in which this is used.
【0081】図7はこの場合のホログラムレンズ15の
設計時における光学的配置を示す。同図において、透明
樹脂又はガラス材を材料とする媒質301(透明樹脂成
型体)の中にある点Oと、光ディスク303の記録面上
にある点Rからホログラムレンズ311に向けて、それ
ぞれ物体光および参照光として、球面波321、322
を発する。この時、点Rからの球面波322は光ディス
ク303、空気からなる光線入出射面と光ディスク30
3との間の空間302および透明基板301a(光電子
集積基板)を通過して、光線収差を含んだ非球面波32
3となる。FIG. 7 shows an optical arrangement in designing the hologram lens 15 in this case. In the figure, a point O in a medium 301 (transparent resin molded body) made of a transparent resin or a glass material and a point R on the recording surface of the optical disk 303 are directed toward the hologram lens 311 from the object light, respectively. And spherical waves 321 and 322 as reference light
Emits. At this time, the spherical wave 322 from the point R is
3 through the space 302 and the transparent substrate 301a (optoelectronic integrated substrate),
It becomes 3.
【0082】ここで、ホログラムレンズ311のホログ
ラムパターンは球面波321と非球面波323の相互干
渉により定義され、下記の(1)式で定義される位相差
がπの整数倍となる曲線として表現される。Here, the hologram pattern of the hologram lens 311 is defined by the mutual interference between the spherical wave 321 and the aspherical wave 323, and is expressed as a curve in which the phase difference defined by the following equation (1) is an integral multiple of π. Is done.
【0083】[0083]
【数1】 (Equation 1)
【0084】但し、Φoは点Oを光源としたときのホロ
グラムレンズ311面上での球面波の位相、ΦRは透明
材料301中にあると仮定した点Rを光源としたとき
の、ホログラムレンズ311面上での球面波の位相、
x,yはホログラムレンズ311面上での座標、λは空
気中での光源から発せられる光の波長、nは透明材料3
01の屈折率である。Where Φ o is the phase of the spherical wave on the hologram lens 311 when the point O is the light source, and Φ R is the hologram when the light source is the point R assumed to be in the transparent material 301. The phase of the spherical wave on the lens 311 surface,
x and y are coordinates on the surface of the hologram lens 311; λ is the wavelength of light emitted from a light source in the air;
01.
【0085】上記(1)式の第3項は光収差を与える項
であり、係数Cijと次数i、jを最適に選ぶことによ
り、再生時に光ディスク303上の記録面での光スポッ
トの収差を最小にすることができる。The third term in the above equation (1) is a term that gives optical aberration, and the aberration of the light spot on the recording surface on the optical disk 303 during reproduction is determined by optimally selecting the coefficient C ij and the orders i and j. Can be minimized.
【0086】具体的には、図7に示された配置構成の光
学系で光線追跡のシュミレーションを行い、光ディスク
303上の記録面での波面収差を求め、この収差が最小
になるように上記(1)式中の係数Cijを、例えば減衰
最小2乗法(DLS法)等の数学的手法により決定す
る。More specifically, a ray tracing simulation is performed by the optical system having the arrangement shown in FIG. 7 to determine the wavefront aberration on the recording surface on the optical disk 303, and the above-mentioned ( 1) The coefficient C ij in the equation is determined by a mathematical method such as a damped least squares method (DLS method).
【0087】そして、このようにして決定された係数C
ijに従ってホログラムレンズ311を設計し、そのよう
なホログラムレンズ311を備えた本発明の光集積回路
を上記の方法で作製する。Then, the coefficient C thus determined
A hologram lens 311 is designed according to ij, and an optical integrated circuit of the present invention including such a hologram lens 311 is manufactured by the above-described method.
【0088】以上の説明では、本発明の光集積回路と、
この光集積回路の応用例である光ピックアップのみにつ
いて説明したが、本発明の光集積回路は、レーザプリン
タや光距離計等の光情報処理装置にも同様に適用でき
る。In the above description, the optical integrated circuit of the present invention,
Although only the optical pickup as an application example of the optical integrated circuit has been described, the optical integrated circuit of the present invention can be similarly applied to an optical information processing device such as a laser printer or an optical distance meter.
【0089】例えば、レーザプリンタに応用する場合
は、画像処理部から送られて来る画像信号に対応して半
導体レーザ素子を駆動し、光集積回路内を伝送されるレ
ーザビームを感光体ドラム等の作像手段に露光する構成
により達成される。For example, when applied to a laser printer, a semiconductor laser element is driven in response to an image signal sent from an image processing unit, and a laser beam transmitted through an optical integrated circuit is transmitted to a photosensitive drum or the like. This is achieved by a configuration that exposes the image forming means.
【0090】また、光距離計に応用する場合は、測定対
象からの反射光の多分割受光素子に対する受光位置の偏
差を利用する構成により達成される。更には、イメージ
スキャナ等の他の光情報処理装置についても応用するこ
とが可能である。When the present invention is applied to an optical distance meter, it is achieved by a configuration utilizing a deviation of a light receiving position of reflected light from a measuring object with respect to a multi-divided light receiving element. Further, the present invention can be applied to other optical information processing apparatuses such as an image scanner.
【0091】[0091]
【発明の効果】請求項1又は請求項2記載の光集積回路
によれば、半導体レーザ素子からなる発光素子、受光素
子、反射型ホログラムビームスプリッタ、および集光機
能を持つ反射型ホログラムを、半導体プロセス技術を用
いて一体的に形成することができるので、製造工程の簡
略化が可能になる。従って、量産性の向上と大幅なコス
トダウンが可能になる光集積回路を実現できる。According to the optical integrated circuit according to the first or second aspect, the light emitting device including the semiconductor laser device and the light receiving device
Since the mirror , the reflection hologram beam splitter , and the reflection hologram having the light condensing function can be integrally formed by using the semiconductor process technology, the manufacturing process can be simplified. Therefore, it is possible to realize an optical integrated circuit capable of improving mass productivity and significantly reducing costs.
【0092】また、集光機能を持つ反射型ホログラムレ
ンズを有するので、上記の先行技術で必要であった非球
面対物レンズを光電子集積基板の表面から膨出形成する
必要がない。従って、薄型、かつ小型、軽量の光集積回
路を実現できる。更には、大きな光線収差を発生するこ
とがないので、信頼性の向上が図れる。Further, since the reflection type hologram lens having the condensing function is provided, it is not necessary to bulge the aspherical objective lens required in the prior art from the surface of the optoelectronic integrated substrate. Therefore, a thin, small, and lightweight optical integrated circuit can be realized. Further, since no large ray aberration is generated, the reliability can be improved.
【0093】また、請求項3記載の光ピックアップによ
れば、このような光集積回路が有する効果を享受できる
光ピックアップを実現できる。Further, according to the optical pickup of the third aspect, an optical pickup which can enjoy the effects of such an optical integrated circuit can be realized.
【0094】また、請求項4記載の光情報処理装置によ
れば、このような光集積回路が有する効果を享受でき
る、レーザプリンタ、光距離計およびイメースキャナ等
の光情報処理装置を実現できる。According to the optical information processing apparatus of the fourth aspect, it is possible to realize an optical information processing apparatus such as a laser printer, an optical distance meter and an image scanner which can enjoy the effects of such an optical integrated circuit.
【図1】本発明光集積回路の実施例1を示す側面断面
図。FIG. 1 is a side sectional view showing Embodiment 1 of an optical integrated circuit of the present invention.
【図2】図1に示される光集積回路の光電子集積基板を
示す斜視図。FIG. 2 is a perspective view showing an optoelectronic integrated substrate of the optical integrated circuit shown in FIG.
【図3】本発明光集積回路の実施例1の変形例を示す側
面断面図。FIG. 3 is a side sectional view showing a modification of the first embodiment of the optical integrated circuit of the present invention.
【図4】図3に示される光集積回路の光電子集積基板を
示す斜視図。FIG. 4 is a perspective view showing an optoelectronic integrated substrate of the optical integrated circuit shown in FIG. 3;
【図5】本発明光集積回路の実施例2を示す側面断面
図。FIG. 5 is a side sectional view showing Embodiment 2 of the optical integrated circuit of the present invention.
【図6】本発明光集積回路の実施例2の変形例を示す側
面断面図。FIG. 6 is a side sectional view showing a modified example of the optical integrated circuit according to the second embodiment of the present invention.
【図7】本発明光集積回路に形成されるホログラムレン
ズの設計方法を示す側面断面図。FIG. 7 is a side sectional view showing a method for designing a hologram lens formed in the optical integrated circuit of the present invention.
【図8】光ピックアップの一従来例を示す側面断面図。FIG. 8 is a side sectional view showing a conventional example of an optical pickup.
【図9】本願出願人が先に提案した光集積回路を示す側
面断面図。FIG. 9 is a side sectional view showing an optical integrated circuit previously proposed by the present applicant.
【図10】図9に示される光集積回路の光電子集積基板
を示す斜視図。FIG. 10 is a perspective view showing an optoelectronic integrated substrate of the optical integrated circuit shown in FIG. 9;
【図11】本願出願人が先に提案した、また別の光集積
回路を示す側面断面図。FIG. 11 is a side sectional view showing still another optical integrated circuit proposed by the present applicant.
【図12】図11に示される光集積回路の分解斜視図。FIG. 12 is an exploded perspective view of the optical integrated circuit shown in FIG.
1 光集積回路 10 光電子集積基板 10a 光電子集積基板の上面 10b 光電子集積基板の端面 11 発光素子 12 受光素子 14 ホログラムビームスプリッタ 15 ホログラムレンズ 20 透明樹脂成型体 21 光線入出射面 22a、22b、22c、22d 反射面 30 透明材料成型体 30a 透明樹脂成型体の上面 31 光線入出射面 32a、32b、32c、32d 反射面 301 透明材料からなる媒質 301a 透明基板 302 空間 303 光ディスク 311 ホログラムレンズ 321、322 球面波 323 非球面波 Reference Signs List 1 optical integrated circuit 10 optoelectronic integrated substrate 10a upper surface of optoelectronic integrated substrate 10b end face of optoelectronic integrated substrate 11 light emitting element 12 light receiving element 14 hologram beam splitter 15 hologram lens 20 transparent resin molded body 21 light incident / exit surfaces 22a, 22b, 22c, 22d Reflective surface 30 Transparent material molded body 30a Upper surface of transparent resin molded body 31 Light incident / exit surface 32a, 32b, 32c, 32d Reflective surface 301 Medium made of transparent material 301a Transparent substrate 302 Space 303 Optical disk 311 Hologram lens 321 322 Spherical wave 323 Aspheric wave
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 河村 政宏 大阪府大阪市阿倍野区長池町22番22号 シャープ株式会社内 (72)発明者 吉田 式雄 大阪府大阪市阿倍野区長池町22番22号 シャープ株式会社内 (56)参考文献 特開 平1−303638(JP,A) 特開 平6−139612(JP,A) 特開 平4−219640(JP,A) (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) G11B 7/135 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continuing on the front page (72) Inventor Masahiro Kawamura 22-22 Nagaikecho, Abeno-ku, Osaka-shi, Osaka Inside Sharp Corporation (72) Inventor Yoshio Yoshida 22-22 Nagaikecho, Abeno-ku, Osaka-shi, Osaka Sharp shares In-company (56) References JP-A-1-303638 (JP, A) JP-A-6-139612 (JP, A) JP-A-4-219640 (JP, A) (58) Fields investigated (Int. . 7, DB name) G11B 7/135
Claims (4)
子、受光素子、反射型ホログラムビームスプリッタ、お
よび集光機能を持つ反射型ホログラムを、同一半導体基
板の同一面上に半導体プロセス技術を用いて直接形成し
た光電子集積基板と、上面と長手方向端面の傾斜面と に反射面が形成されると
共に、内部が光路となる透明体とを有し、 前記光電子集積基板を該透明体の内部に取り込むように
してモールドされて構成され、 前記発光素子から前記光電子集積基板の長手方向と平行
な方向に発せられた光が前記透明体の長手方向端面の傾
斜面の反射面を介して前記透明体の上面の反射面に向か
うように、前記発光素子が前記光電子集積基板の長手方
向端部に配置された光集積回路。1. A light emitting element, a light receiving element, a reflection type hologram beam splitter, and a reflection type hologram having a condensing function, which are formed by a semiconductor laser element, are directly formed on the same surface of the same semiconductor substrate by using a semiconductor process technology. A reflection surface is formed on the formed optoelectronic integrated substrate and the upper surface and the inclined surface of the longitudinal end surface, and a transparent body having an optical path inside is provided. The optoelectronic integrated substrate is taken into the transparent body. In parallel with the longitudinal direction of the optoelectronic integrated substrate from the light emitting element
The light emitted in various directions is inclined by the longitudinal end face of the transparent body.
To face the reflective surface of the upper surface of the transparent body through the reflecting surfaces of the inclined surface, the light emitting element longitudinal direction of the optoelectronic integrated substrate
Disposed toward the end light collecting product circuit.
子、受光素子、反射型ホログラムビームスプリッタ、お
よび集光機能を持つ反射型ホログラムを、同一半導体基
板の同一面上に半導体プロセス技術を用いて直接形成し
た光電子集積基板と、上面と長手方向端面の傾斜面と に反射面が形成されると
共に、内部が光路となる透明体とを有し、 前記光電子集積基板を該透明体の内部に収納するように
取り付けられて構成され、 前記発光素子から前記光電子集積基板の長手方向と平行
な方向に発せられた光が前記透明体の長手方向端面の傾
斜面の反射面を介して前記透明体の上面の反射面に向か
うように、前記発光素子が前記光電子集積基板の長手方
向端部に配置された光集積回路。2. A light emitting element, a light receiving element, a reflection type hologram beam splitter, and a reflection type hologram having a condensing function, which are formed by a semiconductor laser element, are directly formed on the same surface of the same semiconductor substrate by using a semiconductor process technology. A reflection surface is formed on the formed optoelectronic integrated substrate and the inclined surface of the upper surface and the end surface in the longitudinal direction, and a transparent body having an internal optical path is provided. The optoelectronic integrated substrate is housed inside the transparent body. Attached from the light emitting element parallel to the longitudinal direction of the optoelectronic integrated substrate
The light emitted in various directions is inclined by the longitudinal end face of the transparent body.
To face the reflective surface of the upper surface of the transparent body through the reflecting surfaces of the inclined surface, the light emitting element longitudinal direction of the optoelectronic integrated substrate
Disposed toward the end light collecting product circuit.
を備えた光ピックアップ。3. An optical pickup comprising the optical integrated circuit according to claim 1.
る光情報処理装置であって、 請求項1又は請求項2記載の光集積回路を備えた光情報
処理装置。4. An optical information processing apparatus for use in a laser printer, an optical distance meter, or the like, comprising: the optical integrated circuit according to claim 1 or 2.
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JP5101548A JP3050721B2 (en) | 1993-04-27 | 1993-04-27 | Optical integrated circuit, optical pickup and optical information processing device |
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JPH06309688A JPH06309688A (en) | 1994-11-04 |
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7240976B2 (en) | 2001-04-23 | 2007-07-10 | Tektronix, Inc. | Modular rack-mounting system |
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JP3660415B2 (en) * | 1995-02-07 | 2005-06-15 | 富士通株式会社 | Optical device for optical storage device |
-
1993
- 1993-04-27 JP JP5101548A patent/JP3050721B2/en not_active Expired - Fee Related
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
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LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |