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JP3047824B2 - Magnetoresistive thin-film conversion element and method of manufacturing the same - Google Patents

Magnetoresistive thin-film conversion element and method of manufacturing the same

Info

Publication number
JP3047824B2
JP3047824B2 JP8245691A JP24569196A JP3047824B2 JP 3047824 B2 JP3047824 B2 JP 3047824B2 JP 8245691 A JP8245691 A JP 8245691A JP 24569196 A JP24569196 A JP 24569196A JP 3047824 B2 JP3047824 B2 JP 3047824B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
film
magnetic sensor
magnetic
lead
sensor film
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
JP8245691A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JPH1069609A (en
Inventor
茂 庄司
篤志 豊田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Yamaha Corp
Original Assignee
Yamaha Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Yamaha Corp filed Critical Yamaha Corp
Priority to JP8245691A priority Critical patent/JP3047824B2/en
Priority to US08/919,032 priority patent/US5926348A/en
Publication of JPH1069609A publication Critical patent/JPH1069609A/en
Application granted granted Critical
Publication of JP3047824B2 publication Critical patent/JP3047824B2/en
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Expired - Lifetime legal-status Critical Current

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Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】この発明は、ハードディスク
等の磁気記録媒体の再生用ヘッド素子として用いられる
磁気抵抗効果型薄膜変換素子(以下「MR型磁気ヘッド
素子」という。)の改良に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an improvement in a magnetoresistive thin film transducer (hereinafter referred to as "MR type magnetic head element") used as a reproducing head element for a magnetic recording medium such as a hard disk.

【0002】[0002]

【従来の技術】MR型磁気ヘッド素子は、MR素子を用
いて磁気記録媒体の磁極から発生する磁界を検出して記
録情報を再生する再生専用の磁気ヘッド素子で、誘導型
磁気ヘッド素子に比べてトラック密度、線記録密度を向
上できる利点があり、例えばハードディスク装置等の磁
気ディスク装置において誘導型・MR型複合磁気ヘッド
として、記録用の誘導型磁気ヘッド素子と組合わせて構
成される。
2. Description of the Related Art An MR type magnetic head element is a read-only magnetic head element for reproducing recorded information by detecting a magnetic field generated from a magnetic pole of a magnetic recording medium using an MR element. For example, a magnetic disk device such as a hard disk device is configured as an inductive / MR composite magnetic head in combination with an inductive magnetic head element for recording.

【0003】従来のMR型磁気ヘッド素子は、ポール端
面から見た磁気センサ膜(MR素子)の形状が直線状の
ものが一般的であった。これに対し、本出願人は先に、
特願平6−340503号あるいは特願平6−3405
04号においてポール端面から見た磁気センサ膜の形状
が台形状のMR型磁気ヘッド素子を提案した。これは、
主要部が例えば図2に示す構造を有するもので、図示し
ない下ギャップ上に磁石膜10、電気導電膜12、磁石
膜14を積層したリード16を構成し、このリード16
に台形状の溝18を形成してリード16を左右の部分1
6a,16bに分割し、これら左右のリード16a,1
6bをつなぐようにMR膜20、スペーサ22、SAL
バイアス膜24を積層した磁気センサ膜26を、リード
16a,16bの上面から溝18内全体にわたって配設
したものである。
A conventional MR type magnetic head element generally has a magnetic sensor film (MR element) having a linear shape when viewed from a pole end face. In contrast, the applicant has first
Japanese Patent Application No. 6-340503 or Japanese Patent Application No. 6-3405
No. 04 proposed an MR type magnetic head element in which the shape of the magnetic sensor film viewed from the pole end face was trapezoidal. this is,
The main part has, for example, the structure shown in FIG. 2, and constitutes a lead 16 in which a magnet film 10, an electric conductive film 12, and a magnet film 14 are laminated on a lower gap (not shown).
A lead 18 is formed in the left and right portions 1
6a, 16b, and these left and right leads 16a, 1
6b, MR film 20, spacer 22, SAL
The magnetic sensor film 26 on which the bias film 24 is laminated is disposed over the entire surface of the groove 18 from the upper surfaces of the leads 16a and 16b.

【0004】このようにな台形状の磁気センサ膜26に
よれば、磁気センサ膜26の左右のリード16a,16
bの内側下端部の尖った部分間に挟まれた部分(溝18
内の底面に位置する部分)26aが活性部(感応部=ト
ラック幅)となり、磁気記録媒体(磁気ディスク)のト
ラックに記録された信号の検出を行う。これに対し、活
性部26aの左右両側の台形状の溝18の斜面に形成さ
れた磁気センサ膜26の傾斜部26b,26cは、トラ
ックの記録信号に対しアジマス角を生じるため再生感度
が低下する。したがって、トラックが活性部26aから
左右にずれても傾斜部26b,26cに対するトラック
からの磁界の影響が小さくなり、これにより傾斜部26
b,26cから活性部26aの磁化に与える影響も小さ
くなる。したがって、オフトラック特性の左右対称性が
改善され、サイドローブも低減される。これにより、狭
トラックでもトラッキングサーボが可能になり、高密度
記録再生が実現可能となる。また、隣接トラックからの
クロストークも低減される。また、一軸異方性バイアス
磁界を強めずにサイドローブを低減できるので、再生感
度の低下も防止される。
According to such a trapezoidal magnetic sensor film 26, the left and right leads 16a, 16a of the magnetic sensor film 26 are provided.
b (a groove 18)
An active portion (sensitive portion = track width) 26a detects a signal recorded on a track of a magnetic recording medium (magnetic disk). On the other hand, the inclined portions 26b and 26c of the magnetic sensor film 26 formed on the inclined surfaces of the trapezoidal grooves 18 on both the left and right sides of the active portion 26a generate an azimuth angle with respect to the recording signal of the track, so that the reproduction sensitivity is lowered. . Therefore, even if the track is shifted left and right from the active portion 26a, the influence of the magnetic field from the track on the inclined portions 26b and 26c is reduced.
The influence of b and 26c on the magnetization of the active portion 26a is also reduced. Therefore, the left-right symmetry of the off-track characteristic is improved, and the side lobe is also reduced. As a result, tracking servo can be performed even on a narrow track, and high-density recording and reproduction can be realized. Also, crosstalk from adjacent tracks is reduced. Further, since the side lobe can be reduced without increasing the uniaxial anisotropic bias magnetic field, a decrease in the read sensitivity is also prevented.

【0005】[0005]

【発明が解決しようとする課題】前記台形状の磁気セン
サ膜26を有するMR型磁気ヘッド素子28において
は、磁気センサ膜26が台形の底面から斜面に移行する
部分30で屈曲しているため、形状磁気異方効果により
MR膜20が多軸化し易くなり、バルクハウゼンノイズ
が生じ易くなる問題があった。この現象は特に、磁気セ
ンサ膜26の奥行方向の長さ(エレメントハイト)とト
ラック幅との比(アスペクト比=エレメントハイト/ト
ラック幅)が大きくなるほど、また磁気センサ膜26を
挟む上下シールド間のギャップ厚が小さくなるほど著し
くなっていた。
In the MR type magnetic head element 28 having the trapezoidal magnetic sensor film 26, since the magnetic sensor film 26 is bent at a portion 30 where the trapezoid transitions from the bottom surface to the slope, Due to the shape magnetic anisotropic effect, there is a problem that the MR film 20 is easily made multiaxial, and Barkhausen noise is easily generated. This phenomenon occurs particularly as the ratio of the depth (element height) of the magnetic sensor film 26 in the depth direction to the track width (aspect ratio = element height / track width) increases, and between the upper and lower shields sandwiching the magnetic sensor film 26. It became remarkable as the gap thickness became smaller.

【0006】この発明は、上述の点に鑑みてなされたも
ので、台形状の磁気センサ膜を有するMR型磁気ヘッド
素子において、バルクハウゼンノイズの低減を図ること
を目的とするものである。
SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of the above circumstances, and has as its object to reduce Barkhausen noise in an MR type magnetic head element having a trapezoidal magnetic sensor film.

【0007】[0007]

【課題を解決するための手段】この発明は、磁気センサ
膜の左右両端部をリードの略々台形状の溝を構成する左
右の傾斜面の途中位置でカットするようにしたものであ
る。これによれば、磁気センサ膜の形状異方効果を生じ
る屈曲部での長手バイアス磁界強度を高めることができ
るので、バルクハウゼンノイズを抑制することができ
る。
According to the present invention, the left and right end portions of the magnetic sensor film are cut at intermediate positions of the left and right inclined surfaces constituting the substantially trapezoidal groove of the lead. According to this, it is possible to increase the longitudinal bias magnetic field strength at the bent portion where the shape anisotropy effect of the magnetic sensor film occurs, so that Barkhausen noise can be suppressed.

【0008】また、リードを、単磁区形成用永久バイア
ス磁石膜を下層に配し、電気導電膜を上層に配した構造
とすることにより、単磁区形成用永久バイアス磁石膜の
先端部と磁気センサ膜の屈曲部との距離が短くなり、こ
れにより磁気センサ膜の屈曲部での長手バイアス磁界強
度を高めてバルクハウゼンノイズをより一層抑制するこ
とができる。また、これにより、単磁区形成用永久バイ
アス磁石膜は厚さが比較的薄くかつ飽和磁化力が比較的
小さなもので済むので、磁気センサ膜の活性部(感応
部)に対する長手バイアス磁界の影響を小さくでき、活
性部に大きな長手バイアス磁界が加わって感度の低下を
引き起こすのが防止される。このようにして、磁気セン
サ膜の活性部に対する長手バイアス磁界の影響を防止し
ながら、磁気センサ膜の屈曲部に強い長手バイアス磁界
を印加してバルクハウゼンノイズを抑制することができ
る。
[0008] Further, the lead has a structure in which a permanent bias magnet film for forming a single magnetic domain is arranged in a lower layer and an electric conductive film is arranged in an upper layer, so that the tip of the permanent bias magnet film for forming a single magnetic domain and the magnetic sensor are arranged. The distance from the bent portion of the film is shortened, whereby the longitudinal bias magnetic field strength at the bent portion of the magnetic sensor film is increased, so that Barkhausen noise can be further suppressed. In addition, this allows the single magnetic domain forming permanent bias magnet film to have a relatively small thickness and a relatively small saturation magnetizing force, so that the influence of the longitudinal bias magnetic field on the active portion (sensitive portion) of the magnetic sensor film can be reduced. It can be made small, and it is possible to prevent a large longitudinal bias magnetic field from being applied to the active portion to cause a decrease in sensitivity. In this way, it is possible to suppress Barkhausen noise by applying a strong longitudinal bias magnetic field to the bent portion of the magnetic sensor film while preventing the influence of the longitudinal bias magnetic field on the active portion of the magnetic sensor film.

【0009】[0009]

【発明の実施の形態】この発明の実施の形態を以下説明
する。図1は、この発明が適用されたMR型磁気ヘッド
素子の主要部の構成を示す。MR型磁気ヘッド素子34
は、下ギャップ(図示せず)の上にリード36が構成さ
れている。リード36は、CoCrPt等のハードバイ
アス(長手方向バイアス)磁性膜で構成された磁石膜3
8に、W,Ta,Nb等の電気導電性のよい電気導電膜
40を積層した多層膜で構成されている。磁石膜38は
長手方向(トラック幅方向)に着磁されている。リード
36は台形状(逆台形状)の溝42により左右の部分3
6a,36bに分割されている。
Embodiments of the present invention will be described below. FIG. 1 shows a configuration of a main part of an MR type magnetic head element to which the present invention is applied. MR type magnetic head element 34
Has a lead 36 formed on a lower gap (not shown). The lead 36 is made of a magnetic film 3 made of a hard bias (longitudinal bias) magnetic film such as CoCrPt.
8, a multilayer film formed by laminating an electric conductive film 40 having good electric conductivity such as W, Ta, Nb or the like. The magnet film 38 is magnetized in the longitudinal direction (track width direction). The lead 36 is formed by trapezoidal (inverted trapezoidal) grooves 42 so that the right and left portions 3
6a and 36b.

【0010】磁気センサ膜50は、NiFe等で構成さ
れたMR膜44と、Ti等で構成されたスペーサ46
(MSL:マグネチック・スペーサ・レイヤー)と、軟
磁性体で構成されたSALバイアス膜48を積層して構
成されている。MR膜44は磁化容易軸がトラック幅方
向に配置されている。磁気センサ膜50は左右のリード
36a,36bをつなぐように配設され、その両端部5
0a,50bは溝42の左右の傾斜面42a,42bの
途中の位置でカットされている。これにより、磁気セン
サ膜50とリード36a,36bとは、傾斜面42a,
42bにおいて電気的に接続されている。磁気センサ膜
50は、左右のリード36a,36bの内側下端部の尖
った部分に挟まれた部分(溝18内の底面に位置する部
分)50cが活性部となり、磁気記録媒体のトラックに
記録された信号の検出を行う。磁気センサ膜50の活性
部50cの左右の部分は、傾斜部50d,50eを構成
する。
The magnetic sensor film 50 includes an MR film 44 made of NiFe or the like and a spacer 46 made of Ti or the like.
(MSL: Magnetic Spacer Layer) and a SAL bias film 48 made of a soft magnetic material. The easy axis of the MR film 44 is arranged in the track width direction. The magnetic sensor film 50 is disposed so as to connect the left and right leads 36a and 36b.
0a and 50b are cut at positions in the middle of the left and right inclined surfaces 42a and 42b of the groove 42. As a result, the magnetic sensor film 50 and the leads 36a, 36b are separated from the inclined surfaces 42a,
It is electrically connected at 42b. In the magnetic sensor film 50, the portion (the portion located on the bottom surface in the groove 18) 50c sandwiched between the sharp inner lower ends of the left and right leads 36a and 36b becomes the active portion, and is recorded on the track of the magnetic recording medium. The detected signal is detected. The left and right portions of the active part 50c of the magnetic sensor film 50 constitute inclined parts 50d and 50e.

【0011】尚、磁気センサ膜50の両端部50a,5
0bを傾斜面42a,42b上のどの位置でカットして
もリード36と磁気センサ膜50との導通状態は得られ
るが、理想的には、電気導電膜40と磁石膜38との境
界部分付近でカットするのが望ましい(実際にはマージ
ンを持たせて、図1に示すように、境界部分よりもやや
電気導電膜40側に入った位置でカットする)。
The magnetic sensor film 50 has both ends 50a, 5a.
0b may be cut at any position on the inclined surfaces 42a and 42b, a conduction state between the lead 36 and the magnetic sensor film 50 can be obtained. Ideally, however, near the boundary between the electric conductive film 40 and the magnet film 38. (Actually, a margin is provided, and as shown in FIG. 1, cutting is performed at a position slightly in the electric conductive film 40 side from the boundary portion).

【0012】以上の構成によれば、電流は、リード36
a(または36b)から傾斜面42aにおけるリード3
6aと磁気センサ膜50との接合面を通して磁気センサ
膜50に流れ、さらに傾斜面42bにおけるリード36
bと磁気センサ膜50との接合面を通してリード36b
(または36a)に流れていく。
According to the above configuration, the current flows through the lead 36.
a (or 36b) to lead 3 on inclined surface 42a
6a flows to the magnetic sensor film 50 through the joint surface between the magnetic sensor film 50 and the lead 36 on the inclined surface 42b.
36b through the joint surface between the magnetic sensor film 50 and the magnetic sensor film 50
(Or 36a).

【0013】磁石膜38は、磁気センサ膜50の長手方
向にバイアス磁界を与えて、MR膜44の一軸異方性を
増強して、多軸化を防止する。磁石膜38は電気導電膜
40の下に配されていて、磁気センサ膜50とほぼ同じ
高さに位置しているので、トラック幅の両端に位置する
磁石膜38の先端部(内側下端部の尖った部分)と、磁
気センサ膜50のMR膜44が形状異方効果を生じる屈
曲部52,54との間の距離を最小(0.1μm以下)
にできるため、形状異方効果を生じるMR膜44の反磁
界を打ち消すのに十分強い磁界を屈曲部52,54に印
加することができ、MR膜44の多軸化を防止してバル
クハウゼンノイズの発生を抑えることができる。
The magnet film 38 applies a bias magnetic field in the longitudinal direction of the magnetic sensor film 50 to reinforce the uniaxial anisotropy of the MR film 44 and prevent multi-axis. Since the magnet film 38 is disposed below the electric conductive film 40 and is located at substantially the same height as the magnetic sensor film 50, the front end portion of the magnet film 38 located at both ends of the track width (the inner lower end portion). The distance between the sharp portion) and the bent portions 52 and 54 where the MR film 44 of the magnetic sensor film 50 causes the shape anisotropic effect is minimized (0.1 μm or less).
Therefore, a magnetic field strong enough to cancel the demagnetizing field of the MR film 44 that causes the shape anisotropic effect can be applied to the bent portions 52 and 54, and the MR film 44 can be prevented from becoming multiaxial and Barkhausen noise can be reduced. Can be suppressed.

【0014】また、磁気センサ膜50の左右方向の長さ
が長く、リード部36a,36bの上面にまで存在して
いた場合(図2の従来構造の場合)には、磁気センサ膜
50と磁石膜38とが広い面積で磁気結合するため、磁
気センサ膜50の屈曲部52,54での磁界が弱くなる
のに対し、図1の構造では、磁気センサ膜50の左右両
端部50a,50bは傾斜面42a,42bの途中でカ
ットされているため、磁気センサ膜50の屈曲部52,
54で磁石膜38による磁界強度が増加する。このた
め、形状異方効果を生じるMR膜44の反磁界を打ち消
すバイアス磁界を屈曲部52,54で大きくすることが
でき、MR膜44の多軸化をさらに防止して、バルクハ
ウゼンノイズの発生をより効果的に抑えることができ
る。
When the length of the magnetic sensor film 50 in the left-right direction is long and exists up to the upper surfaces of the leads 36a and 36b (in the case of the conventional structure of FIG. 2), the magnetic sensor film 50 and the magnet The magnetic field is weakened at the bent portions 52 and 54 of the magnetic sensor film 50 because the film 38 is magnetically coupled with a large area, whereas the left and right ends 50a and 50b of the magnetic sensor film 50 are Since it is cut in the middle of the inclined surfaces 42a, 42b, the bent portions 52,
At 54, the magnetic field strength by the magnet film 38 increases. For this reason, the bias magnetic field for canceling the demagnetizing field of the MR film 44 which causes the shape anisotropic effect can be increased at the bent portions 52 and 54, and the multi-axis of the MR film 44 can be further prevented, and Barkhausen noise is generated. Can be suppressed more effectively.

【0015】また、磁気センサ膜50がリード部36
a,36bの上面にまで存在していた場合には、異方性
磁界の変動によりトラックプロフィールが悪化するおそ
れがあるが、図1の構造では磁気センサ膜50は短いの
で、そのような不都合は生じず、トラックプロフィール
を良好に保つことができる。
The magnetic sensor film 50 is connected to the lead portion 36.
If the magnetic sensor film 50 is present on the upper surfaces of the a and 36b, the track profile may be deteriorated due to the fluctuation of the anisotropic magnetic field. However, in the structure shown in FIG. This does not occur and the track profile can be kept good.

【0016】図1のMR型磁気ヘッド素子34を有する
誘導型・MR型複合磁気ヘッドの作製工程を図3〜図6
の工程図を参照して説明する。 (1) 基板(Al2 3 −TiC等のセラミック材等
で構成されたウェファーで、後にカットされて磁気ヘッ
ドのスライダを構成する。)52の上に形成された絶縁
膜(アルミナAl2 3 等)54の上に下シールド56
および下ギャップ58を形成する。下シールド56は、
パーマロイ(NiFe)、センダスト(FeAlSi)
等の軟磁性膜をスパッタ、蒸着あるいはメッキなどによ
り堆積して構成される。下ギャップ58はアルミナ等の
絶縁材を500〜3000オングストローム堆積して構
成される。
FIGS. 3 to 6 show the steps of manufacturing an inductive / MR composite magnetic head having the MR type magnetic head element 34 shown in FIG.
A description will be given with reference to the process chart of FIG. (1) An insulating film (alumina Al 2 O) formed on a substrate (a wafer made of a ceramic material such as Al 2 O 3 —TiC, which is cut later to form a slider of a magnetic head) 52 3 etc.) Lower shield 56 on 54
And a lower gap 58 is formed. The lower shield 56 is
Permalloy (NiFe), Sendust (FeAlSi)
And the like are deposited by sputtering, vapor deposition or plating. The lower gap 58 is formed by depositing an insulating material such as alumina at 500 to 3000 angstroms.

【0017】(2) 下ギャップ58の上に、CoCr
Pt等の磁石膜38と、W,Ta,Nb等の電気導電膜
40をスパッタ、蒸着あるいはメッキなどにより積層す
る。一例として、磁石膜38としてCoCrPtを50
0〜2000オングストローム、電気導電膜60として
Taを1000〜3000オングストローム成膜する。
(2) CoCr on the lower gap 58
A magnet film 38 such as Pt and an electric conductive film 40 such as W, Ta, and Nb are laminated by sputtering, vapor deposition, plating, or the like. As an example, CoCrPt is 50
A film of Ta is formed to a thickness of 1000 to 3000 angstroms as the electrically conductive film 60 at 0 to 2000 angstroms.

【0018】(3) 磁石膜38および電気導電膜40
を一括してエッチングして逆台形状にカットする。その
具体的手法を図7に示す。はじめに、(i)電気導電膜
40の上全体にカット用のレジスト60として例えばA
Z400K等のノボラック系ポジレジストを約2μmの
厚さ(磁石膜38と電気導電膜40を合わせた3倍以上
の厚さ)にスピンコートで成膜する。次いで、(ii)レ
ジスト60を所定の寸法で露光、現像してウェファーに
垂直に溝62をカットする。(iii) このウェファーをホ
ットプレートに載せ、200℃で30分置くと、レジス
ト60はリフロー(溶融)し、溝62内の壁面60a,
60bは約40°に傾斜する。(iv)ウェファーに垂直
な方向からアルゴン等のイオンビーム64を照射し、プ
ラズマエッチングする。これにより、レジスト60は堀
込まれていき、傾斜面60a,60bは横方向に後退し
ていく。傾斜面60a,60bの後退により電気導電膜
40が逆台形状に堀込まれていき、(v)さらに磁石膜
38が逆台形状に堀込まれていく。堀込みが磁石膜38
の底面に達したら(すなわち下ギャップ58の上面が露
出したら)、ミリングを終了する。尚、イオンビーム6
4を垂直方向に対し少し傾斜させて照射することによ
り、ミリング面の荒れを防止することができる。(vi)
最後にレジスト60を除去すると、逆台形状の溝42が
カットされたリード36a,36bが完成する。完成し
たリード36a,36bの傾斜面42a,42bの傾斜
角度θは次式で表される。
(3) Magnet film 38 and electric conductive film 40
Are etched all at once and cut into an inverted trapezoidal shape. The specific method is shown in FIG. First, (i) a resist 60 for cutting, for example, A
A novolak-based positive resist such as Z400K is formed by spin coating to a thickness of about 2 μm (three times or more the total thickness of the magnet film 38 and the electric conductive film 40). Next, (ii) the resist 60 is exposed and developed to a predetermined size to cut the groove 62 perpendicular to the wafer. (iii) When the wafer is placed on a hot plate and left at 200 ° C. for 30 minutes, the resist 60 reflows (melts), and the wall surface 60 a in the groove 62 is formed.
60b is tilted to about 40 °. (Iv) Irradiation with an ion beam 64 of argon or the like from a direction perpendicular to the wafer and plasma etching. As a result, the resist 60 is dug, and the inclined surfaces 60a and 60b recede in the horizontal direction. As the inclined surfaces 60a and 60b recede, the electric conductive film 40 is dug into an inverted trapezoid, and (v) the magnet film 38 is dug into an inverted trapezoid. Engraving is magnetic film 38
When the bottom surface of the lower gap 58 is reached (that is, when the upper surface of the lower gap 58 is exposed), the milling ends. In addition, the ion beam 6
By irradiating 4 with a slight inclination with respect to the vertical direction, the roughness of the milling surface can be prevented. (Vi)
Finally, when the resist 60 is removed, the leads 36a and 36b in which the inverted trapezoidal grooves 42 are cut are completed. The inclination angle θ of the inclined surfaces 42a, 42b of the completed leads 36a, 36b is expressed by the following equation.

【0019】θ= tan-1[(リード材38,40のミリ
ング速度/レジスト60のミリング速度)・tan α] この式でαはレジスト60の当初の傾斜面60a,60
bの傾斜角度(図7(iii) 参照)で、α=40°の場
合、磁性膜38をCoCrPt、電気導電膜40をTa
とすると、傾斜角度θは約20°となる。また、トラッ
ク幅(リード36a,36bの先端部間の距離)は当初
のリード材38,40の厚さ、レジスト60の当初の傾
斜角度αと当初の溝62の幅によって制御される。
Θ = tan −1 [(milling speed of lead materials 38, 40 / milling speed of resist 60) · tan α] In this equation, α is the initial inclined surfaces 60a, 60 of the resist 60.
When α = 40 ° at the inclination angle b (see FIG. 7 (iii)), the magnetic film 38 is made of CoCrPt, and the electric conductive film 40 is made of Ta.
Then, the inclination angle θ is about 20 °. The track width (the distance between the tips of the leads 36a and 36b) is controlled by the initial thickness of the lead members 38 and 40, the initial inclination angle α of the resist 60, and the initial width of the groove 62.

【0020】(4) 台形状の溝42が形成されたら、
ウェファー全面に磁気センサ膜50として、MR膜44
(NiFe等)、スペーサ46(Ti等)、SALバイ
アス膜48(CoZrM(Nb,Mo等)等の軟磁性
膜)を積層する。 (5) 磁気センサ膜50上に形成すべき磁気センサ膜
パターンの形状にレジストを形成し、ミリングにより磁
気センサ膜50の不要部分を除去して、磁気センサ膜5
0を矩形の平面形状にカットする。これにより、磁気セ
ンサ膜50の左右両端部50a,50bは傾斜面42
a,42bの途中でカットされる。
(4) When the trapezoidal groove 42 is formed,
An MR film 44 as a magnetic sensor film 50 on the entire surface of the wafer
(NiFe or the like), a spacer 46 (Ti or the like), and a SAL bias film 48 (a soft magnetic film such as CoZrM (Nb, Mo or the like)). (5) A resist is formed in the shape of the magnetic sensor film pattern to be formed on the magnetic sensor film 50, and unnecessary portions of the magnetic sensor film 50 are removed by milling.
0 is cut into a rectangular planar shape. As a result, the left and right end portions 50a and 50b of the magnetic sensor film 50 are inclined 42
a and 42b are cut in the middle.

【0021】(6) 全面に、上シールドと磁気センサ
膜50との絶縁および上シールドとリード36a,36
bとのシールドギャップのためにアルミナ等の無機絶縁
膜を成膜して、上ギャップ68を形成する。このとき、
磁気センサ膜50の左右両端部50a,50bがリード
36a,36bの上面に位置していると(図2に示した
従来構造のもの)、この左右両端部50a,50bでの
段差を埋めるために、上ギャップ68を厚く成膜する必
要があるが、ここでは左右両端部50a,50bは傾斜
面42a,42b上に形成されているので、上ギャップ
68を必要最小限に薄く形成することができ、実効ギャ
ップ長gを短くすることができる。
(6) On the entire surface, insulation between the upper shield and the magnetic sensor film 50 and the upper shield and the leads 36a, 36
An upper insulating layer 68 is formed by forming an inorganic insulating film such as alumina for a shield gap with b. At this time,
If the left and right ends 50a and 50b of the magnetic sensor film 50 are located on the upper surfaces of the leads 36a and 36b (the conventional structure shown in FIG. 2), the steps at the left and right ends 50a and 50b are filled. It is necessary to form the upper gap 68 thick, but in this case, since the left and right end portions 50a and 50b are formed on the inclined surfaces 42a and 42b, the upper gap 68 can be formed as thin as necessary. , The effective gap length g can be shortened.

【0022】(7) 軟磁性膜(NiFe、FeAlS
i等)をメッキ、あるいは蒸着、スパッタ等で堆積し
て、上シールド70を形成する。上シールド70は、書
き込みヘッドの下コアを兼ねている。 (8) 上シールド兼下コア70の表面の凹凸を解消す
るため、ラップ等の機械研磨で上シールド兼下コア70
の表面を平らにする。
(7) Soft magnetic film (NiFe, FeAlS)
i) is deposited by plating, vapor deposition, sputtering or the like to form the upper shield 70. The upper shield 70 also serves as a lower core of the write head. (8) In order to eliminate irregularities on the surface of the upper shield / lower core 70, the upper shield / lower core 70 is mechanically polished with a lap or the like.
Flatten the surface.

【0023】(9) 上シールド兼下コア70の上に書
き込みのための書き込みギャップ72(アルミナ等)を
形成する。 (10) コイル74および絶縁層76を形成する。 (11) コイル74および絶縁層76を跨ぐように上コ
ア78を形成し、書き込みヘッド(誘導型磁気ヘッド素
子)を形成する。そして、最後に保護膜を被せて完成す
る。
(9) A write gap 72 (alumina or the like) for writing is formed on the upper shield / lower core 70. (10) The coil 74 and the insulating layer 76 are formed. (11) The upper core 78 is formed so as to straddle the coil 74 and the insulating layer 76 to form a write head (inductive magnetic head element). And finally, it is completed by covering with a protective film.

【0024】[0024]

【発明の効果】以上説明したように、この発明によれ
ば、台形状の磁気センサ膜を有するMR型磁気ヘッド素
子において、磁気センサ膜の多軸化を防止して、バルク
ハウゼンノイズの発生を防止し、安定した信号出力を得
ることができる。
As described above, according to the present invention, in an MR type magnetic head element having a trapezoidal magnetic sensor film, it is possible to prevent the magnetic sensor film from becoming multiaxial and to generate Barkhausen noise. It is possible to obtain a stable signal output.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】 この発明の実施の形態を示す斜視図である。FIG. 1 is a perspective view showing an embodiment of the present invention.

【図2】 従来構造を示す斜視図である。FIG. 2 is a perspective view showing a conventional structure.

【図3】 図1のMR型磁気ヘッド素子を有する誘導型
・MR型複合磁気ヘッドの製造工程の一例を示す斜視図
である。
FIG. 3 is a perspective view showing an example of a manufacturing process of an inductive / MR composite magnetic head having the MR magnetic head element of FIG. 1;

【図4】 図3の続きを示す工程図である。FIG. 4 is a process drawing showing a continuation of FIG. 3;

【図5】 図4の続きを示す工程図である。FIG. 5 is a process drawing showing a continuation of FIG. 4;

【図6】 図5の続きを示す工程図である。FIG. 6 is a process drawing showing a continuation of FIG. 5;

【図7】 図3の工程(3)の詳細を示す工程図であ
る。
FIG. 7 is a process chart showing details of step (3) in FIG. 3;

【符号の説明】[Explanation of symbols]

34 MR型磁気ヘッド素子(磁気抵抗効果型薄膜変換
素子) 36a,36b リード 38 磁石膜(単磁区形成用永久バイアス磁石膜) 40 電気導電膜 42 台形状の溝 42a,42b 傾斜面 50 磁気センサ膜 50a,50b 磁気センサ膜の左右端部 56 下シールド 58 下ギャップ 68 上ギャップ 70 上シールド
34 MR type magnetic head element (magnetoresistive thin film conversion element) 36a, 36b Lead 38 Magnet film (permanent bias magnet film for forming a single magnetic domain) 40 Electrical conductive film 42 Trapezoidal groove 42a, 42b Inclined surface 50 Magnetic sensor film 50a, 50b Left and right end portions of magnetic sensor film 56 Lower shield 58 Lower gap 68 Upper gap 70 Upper shield

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) G11B 5/39 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continued on the front page (58) Field surveyed (Int.Cl. 7 , DB name) G11B 5/39

Claims (3)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】下シールドと、 この下シールドの上に形成された絶縁膜を構成する下ギ
ャップと、 この下ギャップの上に形成され、当該下ギャップに達す
る断面略々台形状の溝によって左右に分割されたリード
と、 この左右のリードを電気的に接続するように前記溝に沿
って形成されたMR膜を有する磁気センサ膜と、 この磁気センサ膜の上に形成された絶縁膜を構成する上
ギャップと、 この上ギャップの上に形成された上シールドとを具備し
てなり、 前記磁気センサ膜の左右両端部が前記リードの断面略々
台形状の溝を構成する左右の傾斜面の途中位置でカット
されてなる磁気抵抗効果型薄膜変換素子。
1. A lower shield, a lower gap constituting an insulating film formed on the lower shield, and a substantially trapezoidal groove formed on the lower gap and reaching the lower gap. A magnetic sensor film having an MR film formed along the groove so as to electrically connect the left and right leads; and an insulating film formed on the magnetic sensor film. An upper gap, and an upper shield formed on the upper gap, wherein the left and right ends of the magnetic sensor film are formed of left and right inclined surfaces forming a substantially trapezoidal cross section of the lead. A magnetoresistive thin-film conversion element that is cut at an intermediate position.
【請求項2】前記リードが、前記溝の底部に位置する磁
気センサ膜に対する単磁区形成用永久バイアス磁石膜の
上に電気導電膜を積層した積層体で構成されてなる請求
項1記載の磁気抵抗効果型薄膜変換素子。
2. The magnetic device according to claim 1, wherein the lead is formed of a laminate in which an electric conductive film is laminated on a permanent magnetic bias film for forming a single magnetic domain with respect to the magnetic sensor film located at the bottom of the groove. Resistive thin-film conversion element.
【請求項3】下シールドの上に絶縁膜を構成する下ギャ
ップを成膜し、この下ギャップの上にリード材を成膜
し、このリード膜を削って前記下ギャップに達する略々
台形状の溝を形成して左右に分割されたリードを形成
し、この左右に分割されたリードを電気的に接続するよ
うに前記溝に沿ってMR膜を有する磁気センサ膜を成膜
し、この磁気センサ膜の左右両端部を前記リードの略々
台形状の溝を構成する左右の傾斜面の途中位置でカット
し、この磁気センサ膜上およびこの磁気センサ膜の外側
に露出している前記リードの上に絶縁膜を構成する上ギ
ャップを成膜し、この上ギャップの上に上シールドを成
膜してなる磁気抵抗効果型薄膜変換素子の製造方法。
3. A lower gap constituting an insulating film is formed on the lower shield, a lead material is formed on the lower gap, and the lead film is cut to obtain a substantially trapezoidal shape reaching the lower gap. A magnetic sensor film having an MR film is formed along the groove so as to electrically connect the left and right divided leads. The left and right end portions of the sensor film are cut at intermediate positions of the left and right inclined surfaces constituting the substantially trapezoidal groove of the lead, and the lead of the lead exposed on the magnetic sensor film and outside the magnetic sensor film is cut. A method for manufacturing a magnetoresistive thin-film conversion element comprising: forming an upper gap forming an insulating film thereon; and forming an upper shield on the upper gap.
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