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JP3047361B2 - Probe needle position detection method - Google Patents

Probe needle position detection method

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Publication number
JP3047361B2
JP3047361B2 JP4137139A JP13713992A JP3047361B2 JP 3047361 B2 JP3047361 B2 JP 3047361B2 JP 4137139 A JP4137139 A JP 4137139A JP 13713992 A JP13713992 A JP 13713992A JP 3047361 B2 JP3047361 B2 JP 3047361B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
probe needle
probe
tip
needle
conductor
Prior art date
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JP4137139A
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Japanese (ja)
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JPH05333105A (en
Inventor
清昭 蔦
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Tokyo Seimitsu Co Ltd
Original Assignee
Tokyo Seimitsu Co Ltd
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Publication date
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Publication of JPH05333105A publication Critical patent/JPH05333105A/en
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  • Measurement Of Length, Angles, Or The Like Using Electric Or Magnetic Means (AREA)
  • Measuring Leads Or Probes (AREA)
  • Tests Of Electronic Circuits (AREA)
  • Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明はプローブニードルの位置
検出方法に係り、特に半導体ウエハ上に多数形成された
半導体素子回路の電気的特性を検査するプローブカード
に取り付けられたプローブニードルの位置検出方法に関
する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method for detecting the position of a probe needle, and more particularly to a method for detecting the position of a probe needle attached to a probe card for inspecting electrical characteristics of a large number of semiconductor element circuits formed on a semiconductor wafer. About.

【0002】[0002]

【従来の技術】半導体素子は、ウエハと称される所定大
の略円盤形の薄板上を縦横に整列区画してそれぞれに所
要の同一電気素子回路を多数形成することにより製造さ
れている。このように製造されたウエハは、素子を各チ
ップとして分断する前に素子回路の形成品質を検査すべ
くウエハプローバと称される半導体素子検査装置で素子
個々毎にその良・不良を判定選別される。この半導体素
子検査装置はテーブル及びヘッドステージ等から成り、
テーブルはウエハを吸着して所要時にその素子配列に従
ったX−Y方向の水平移動とZ方向の上下移動を行う。
前記ヘッドステージは、テーブルの上方に配設されてお
り、検査しようとする素子の各電極パッドに対応する位
置に設けられた接触針としての複数本のプローブニード
ルを固定するプローブカードを介して各素子の回路を順
次検査判定する。
2. Description of the Related Art A semiconductor element is manufactured by forming a plurality of required identical electric element circuits on a substantially disk-shaped thin plate of a predetermined size, called a wafer, which is aligned vertically and horizontally. The wafer manufactured in this way is inspected for quality of each element by a semiconductor element inspection apparatus called a wafer prober to inspect the formation quality of element circuits before the elements are divided into individual chips. You. This semiconductor device inspection apparatus includes a table and a head stage, and the like.
The table sucks the wafer and performs horizontal movement in the X-Y direction and vertical movement in the Z direction according to the element arrangement when necessary.
The head stage is disposed above a table, and each of the head stages is provided via a probe card for fixing a plurality of probe needles as contact needles provided at positions corresponding to the respective electrode pads of the element to be inspected. The circuit of the element is sequentially inspected and determined.

【0003】ところで、前記プローブカードは、プロー
ブニードルの各先端部を前記電極パッドに正確に当接さ
せる為に、各プローブニードルの相対的な取付け位置を
予め検出しなければならない。従来、プローブニードル
の位置検出方法は、各プローブニードルを顕微鏡によっ
て観察することにより行われている。
In the probe card, a relative mounting position of each probe needle must be detected in advance so that each tip of the probe needle can accurately contact the electrode pad. Conventionally, the position detection method of a probe needle is performed by observing each probe needle with a microscope.

【0004】[0004]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、顕微鏡
で行う従来のプローブニードルの位置検出方法では、顕
微鏡の分解能の問題上、小径のプローブニードルの位置
を正確に検出することができないという欠点がある。本
発明はこのような事情に鑑みてなされたもので、プロー
ブニードルの大きさに影響されることなくプローブニー
ドルの位置を正確に検出することができるプローブニー
ドルの位置検出方法を提供することを目的とする。
However, the conventional method for detecting the position of a probe needle using a microscope has a drawback that the position of a small-diameter probe needle cannot be accurately detected due to the problem of resolution of the microscope. The present invention has been made in view of such circumstances, and has as its object to provide a probe needle position detecting method capable of accurately detecting the position of a probe needle without being affected by the size of the probe needle. And

【0005】[0005]

【課題を解決する為の手段】本発明は、前記目的を達成
する為に、プローブカードに取り付けられた複数本のプ
ローブニードルと、その表面に所定幅を有する絶縁パタ
ーンが形成された板状導電体とをテスタに接続し、前記
導電体の表面を前記プローブニードルの各先端部に当接
して該導電体を所定の送り量で、且つ前記絶縁パターン
の長手方向と直交する方向に原点位置からX方向に移動
することにより、各プローブニードルのX方向における
導通域と非導通域とを検出し、X方向の前記非導通域か
らプローブニードルの各先端部のX方向における原点位
置からの位置を算出し、前記導電体を所定の送り量で、
且つ前記絶縁パターンの長手方向と直交する方向に原点
位置から前記X方向と直交するY方向に移動することに
より、各プローブニードルのY方向における導通域と非
導通域とを検出し、Y方向の前記非導通域からプローブ
ニードルの各先端部のY方向における原点位置からの位
置を算出し、算出した前記X方向及びY方向の両位置に
基づいてプローブニードルの各先端部の相対位置を検出
することを特徴とする。
In order to achieve the above object, the present invention provides a plurality of probe needles attached to a probe card and a plate-shaped conductive needle having an insulating pattern having a predetermined width formed on the surface thereof. Body and a tester, the surface of the conductor is brought into contact with each tip of the probe needle to feed the conductor at a predetermined feed amount, and from the origin position in a direction orthogonal to the longitudinal direction of the insulating pattern. By moving in the X direction, the conductive area and the non-conductive area of each probe needle in the X direction are detected, and the position of each tip of the probe needle from the origin position in the X direction from the non-conductive area in the X direction. Calculate, the conductor at a predetermined feed amount,
Further, by moving from the origin position in the direction orthogonal to the longitudinal direction of the insulating pattern in the Y direction orthogonal to the X direction, a conductive area and a non-conductive area in each of the probe needles in the Y direction are detected. The position of each tip of the probe needle from the origin position in the Y direction is calculated from the non-conduction area, and the relative position of each tip of the probe needle is detected based on both the calculated positions in the X direction and the Y direction. It is characterized by the following.

【0006】[0006]

【作用】本発明によれば、先ず、プローブカードの各プ
ローブニードルと、その表面に所定幅を有する絶縁パタ
ーンが形成された板状の導電体とをテスタに接続する。
次に、導電体の表面をプローブニードルの各先端部に当
接し、導電体を所定の送り量で、且つ前記絶縁パターン
の長手方向と直交する方向に原点位置からX方向に移動
し、プローブニードルの各先端部のX方向における導通
域と非導通域とを検出する。次いで、X方向の前記非導
通域から各プローブニードルのX方向における原点位置
からの位置を算出する。
According to the present invention, first, each probe needle of the probe card and a plate-shaped conductor having an insulating pattern having a predetermined width formed on the surface thereof are connected to a tester.
Next, the surface of the conductor is brought into contact with each tip of the probe needle, and the conductor is moved in the X direction from the origin position in a direction perpendicular to the longitudinal direction of the insulating pattern by a predetermined feed amount, Of the front end portion in the X direction are detected. Next, the position of each probe needle from the origin position in the X direction is calculated from the non-conductive area in the X direction.

【0007】そして、X方向位置の算出が終了すると、
前記導電体を所定の送り量で、且つ前記絶縁パターンの
長手方向と直交する方向に原点位置から前記X方向と直
交するY方向に移動し、各プローブニードルのY方向に
おける導通域と非導通域とを検出する。次に、Y方向の
前記非導通域からプローブニードルの各先端部のY方向
における原点位置からの位置を算出する。
When the calculation of the position in the X direction is completed,
The conductor is moved in a Y direction perpendicular to the X direction from an origin position in a direction perpendicular to the longitudinal direction of the insulating pattern at a predetermined feed amount, and a conductive area and a non-conductive area in the Y direction of each probe needle are moved. And detect. Next, the position of each tip of the probe needle from the origin position in the Y direction is calculated from the non-conductive area in the Y direction.

【0008】これにより、プローブニードルの大きさに
影響されることなく、プローブニードルの相対的な取付
け位置を正確に、且つ容易に検出することができる。
Thus, the relative mounting position of the probe needle can be accurately and easily detected without being affected by the size of the probe needle.

【0009】[0009]

【実施例】以下添付図面に従って本発明に係るプローブ
ニードルの位置検出方法の好ましい実施例について詳説
する。図1には本発明に係るプローブニードルの位置検
出方法が半導体素子検査装置10に適用された実施例が
示される。半導体素子検査装置10のヘッドステージ1
2には、プローブカード14がインサートリング16に
取付けられて配置される。このプローブカード14は前
記インサートリング16、ポゴピン18、18、テスト
ヘッド20、及びケーブル21を介してテスタ22に電
気的に接続されている。これにより、プローブカード1
4に取付けられた図2に示す16本のプローブニードル
a乃至pは、前記テスタ22に電気的に接続される。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS A preferred embodiment of the probe needle position detecting method according to the present invention will be described below in detail with reference to the accompanying drawings. FIG. 1 shows an embodiment in which the probe needle position detecting method according to the present invention is applied to a semiconductor device inspection apparatus 10. Head stage 1 of semiconductor device inspection apparatus 10
2, the probe card 14 is attached to the insert ring 16 and arranged. The probe card 14 is electrically connected to the tester 22 via the insert ring 16, the pogo pins 18, 18, the test head 20, and the cable 21. Thereby, the probe card 1
The sixteen probe needles a to p shown in FIG. 2 attached to 4 are electrically connected to the tester 22.

【0010】また、前記テスタ22には図1に示すよう
に位置検出治具24が導電性のテーブル28を介して電
気的に接続される。位置検出治具24は、前記ヘッドス
テージ12の下方に配置された移動ステージ26のテー
ブル28に吸着されており、この移動ステージ26によ
ってX−Y方向の水平方向、Z方向の上下方向に適宜に
移動される。
A position detecting jig 24 is electrically connected to the tester 22 through a conductive table 28 as shown in FIG. The position detecting jig 24 is attracted to a table 28 of a moving stage 26 disposed below the head stage 12, and is appropriately moved in the horizontal direction in the XY direction and the vertical direction in the Z direction by the moving stage 26. Be moved.

【0011】前記位置検出治具24は図3に示すよう
に、板状に形成された導電性部材30から成り、この導
電性部材30に前記テスタ22が導電性のテーブルに接
続されたケーブル32を介して接続されている。前記導
電性部材30の略中間部には、微小の幅寸法を有する直
線状の絶縁パターン34が形成され、この絶縁パターン
34は図4に示すように導電性部材30の表面32aと
同一面上で、その幅が50μmに形成されている。
As shown in FIG. 3, the position detecting jig 24 includes a conductive member 30 formed in a plate shape, and a cable 32 in which the tester 22 is connected to a conductive table is connected to the conductive member 30. Connected through. At a substantially middle portion of the conductive member 30, a linear insulating pattern 34 having a minute width is formed, and the insulating pattern 34 is flush with the surface 32a of the conductive member 30 as shown in FIG. The width is formed to be 50 μm.

【0012】一方、前記テスタ22には図1に示すよう
に、ケーブル36を介して演算手段38が接続される。
また、演算手段36は、ケーブル40を介して前記移動
ステージ26の図示しない駆動制御部に接続されてい
る。前記演算手段38は、テスタ22から出力される導
通信号、及び非導通信号と、前記移動ステージ26の駆
動制御部から出力される水平方向送り量を示す信号と、
予めメモリされた前記絶縁パターン34の幅寸法(50
μm)とに基づいて座標平面上に於ける前記プローブニ
ードルa乃至pの各先端部の絶対位置を算出することが
できる。
On the other hand, as shown in FIG. 1, an operation means 38 is connected to the tester 22 via a cable 36.
The calculating means 36 is connected to a drive control unit (not shown) of the moving stage 26 via a cable 40. The operation means 38 includes a conduction signal and a non-conduction signal output from the tester 22, a signal indicating a horizontal feed amount output from the drive control unit of the moving stage 26,
The width dimension (50
μm), it is possible to calculate the absolute position of each tip of the probe needles a to p on the coordinate plane.

【0013】次に、前記の如く構成された半導体素子検
査装置10で、プローブニードルa乃至pの各先端部の
位置を検出する方法について説明する。先ず、位置検出
治具22を移動ステージ26で上昇させて、位置検出治
具22の導電性部材30の表面30aをプローブニード
ルa乃至pの各先端部に当接する。尚、この時の位置は
原点座標として登録され、また、全てのプローブニード
ルa乃至pが導通していることを示す信号がテスタ22
から演算手段38に出力される。
Next, a method of detecting the positions of the tips of the probe needles a to p in the semiconductor device inspection apparatus 10 configured as described above will be described. First, the position detecting jig 22 is moved up by the moving stage 26, and the surface 30a of the conductive member 30 of the position detecting jig 22 is brought into contact with each tip of the probe needles a to p. The position at this time is registered as the origin coordinate, and a signal indicating that all the probe needles a to p are conducting is transmitted to the tester 22.
Is output to the calculating means 38.

【0014】次に、前記位置検出治具24を所定の送り
量で、且つ前記絶縁パターン34の長手方向と直交する
方向に原点位置0からX方向に水平移動する。位置検出
治具24を水平移動すると、プローブニードルa乃至p
の各先端部は、導電性部材30→絶縁パターン34→導
電性部材30の経路で相対移動する。そして、プローブ
ニードルa乃至pのうち絶縁パターン34を通過するプ
ローブニードルは非導通となり、その非導通を示す信号
がプローブニードルa乃至p毎に演算手段38に出力さ
れる。
Next, the position detecting jig 24 is horizontally moved in the X direction from the origin position 0 in a direction perpendicular to the longitudinal direction of the insulating pattern 34 by a predetermined feed amount. When the position detection jig 24 is moved horizontally, the probe needles a to p
Are relatively moved along the path of the conductive member 30 → the insulating pattern 34 → the conductive member 30. Then, among the probe needles a to p, the probe needles passing through the insulating pattern 34 become non-conductive, and a signal indicating the non-conduction is output to the calculating means 38 for each of the probe needles a to p.

【0015】次いで、演算手段38は、テスタ22から
出力された前記プローブニードルa乃至p毎の導通信
号、及び非導通信号と、前記移動ステージ26の駆動制
御部から出力される水平方向送り量を示す信号とに基づ
いて、図5に示すプローブニードルa乃至pのX方向に
おける導通域(実線部分)と非導通域(点線部分)との
関係を作成する。尚、図5に於いて縦軸はプローブニー
ドルa乃至pのナンバーを示し、横軸は位置検出治具2
4の送り量を示している。
Next, the arithmetic means 38 calculates the conduction signal and the non-conduction signal for each of the probe needles a to p output from the tester 22 and the horizontal feed amount output from the drive control section of the moving stage 26. Based on the signals shown, the relationship between the conducting region (solid line portion) and the non-conducting region (dotted line portion) in the X direction of the probe needles a to p shown in FIG. 5 is created. In FIG. 5, the vertical axis represents the number of the probe needles a to p, and the horizontal axis represents the position detecting jig 2.
4 is shown.

【0016】そして、演算手段38は、X方向の前記非
導通域の開始端から各プローブニードルa乃至pの各先
端部のX方向における前記原点位置0からの位置を算出
しメモリする。即ち、プローブニードルaの先端部は、
原点位置0からX方向に104μm離れた位置にあり、
プローブニードルbの先端部は原点位置0からX方向に
110μm離れた位置にあること等を、他のプローブニ
ードルc乃至pについてもメモリする。
The calculating means 38 calculates and stores the position of each tip of each of the probe needles a to p from the origin position 0 in the X direction from the start end of the non-conducting area in the X direction. That is, the tip of the probe needle a
At a position 104 μm away from the origin position 0 in the X direction,
The fact that the tip of the probe needle b is located at a distance of 110 μm in the X direction from the origin position 0 is also stored for the other probe needles c to p.

【0017】次に、X方向における位置の算出が終了す
ると、前記位置検出治具24を所定の送り量で、且つ前
記絶縁パターン34の長手方向と直交する方向に前記原
点位置0から前記X方向と直交するY方向に移動する。
位置検出治具24を移動すると、プローブニードルa乃
至pの各先端部は、前述したX方向移動と同様に導電性
部材30→絶縁パターン34→導電性部材30の経路で
移動する。そして、プローブニードルa乃至pのうち絶
縁パターン34を通過するプローブニードルは非導通と
なり、その非導通を示す信号がプローブニードルa乃至
p毎に演算手段38に出力される。
Next, when the calculation of the position in the X direction is completed, the position detecting jig 24 is moved from the origin position 0 in the X direction by a predetermined feed amount and in a direction orthogonal to the longitudinal direction of the insulating pattern 34. Move in the Y direction orthogonal to.
When the position detection jig 24 is moved, the respective tips of the probe needles a to p move in the path of the conductive member 30 → the insulating pattern 34 → the conductive member 30 in the same manner as in the X-direction movement described above. Then, among the probe needles a to p, the probe needles passing through the insulating pattern 34 become non-conductive, and a signal indicating the non-conduction is output to the calculating means 38 for each of the probe needles a to p.

【0018】次に、演算手段38は、テスタ22から出
力された前記プローブニードルa乃至p毎の導通信号、
及び非導通信号と、前記移動ステージ26の駆動制御部
から出力される水平方向送り量を示す信号とに基づい
て、図6に示すプローブニードルa乃至pのX方向にお
ける導通域(実線部分)と非導通域(点線部分)との関
係を作成する。そして、演算手段38は、Y方向の前記
非導通域の開始端から各プローブニードルa乃至pの各
先端部のY方向における前記原点位置0からの位置を算
出しメモリする。即ち、プローブニードルaの先端部
は、原点位置0からY方向に200μm離れた位置にあ
り、プローブニードルbの先端部は原点位置0からY方
向に208μm離れた位置にあること等を、他のプロー
ブニードルc乃至pについてメモリする。
Next, the calculating means 38 outputs a conduction signal for each of the probe needles a to p output from the tester 22,
Based on the non-conduction signal and the signal indicating the horizontal feed amount output from the drive control section of the moving stage 26, the conduction area (solid line portion) in the X direction of the probe needles a to p shown in FIG. Create a relationship with the non-conducting area (dotted line). Then, the calculating means 38 calculates and stores the position from the origin position 0 in the Y direction of each tip of each of the probe needles a to p from the start end of the non-conductive area in the Y direction. That is, the tip of the probe needle a is 200 μm away from the origin position 0 in the Y direction and the tip of the probe needle b is 208 μm away from the origin position 0 in the Y direction. The memory is stored for the probe needles c to p.

【0019】これにより、プローブニードルの大きさに
影響されることなく、プローブニードルa乃至pの各先
端部の相対的な取付け位置を正確に、且つ容易に検出す
ることができる。また、前記演算手段38は図5、図6
に示した非導通域の長さと、予め入力された絶縁パター
ン34の幅寸法(50μm)から各プローブニードルa
乃至pのの径を算出することができる。例えば、プロー
ブニードルaのX方向及びY方向の非導通域の長さは図
5、図6に示すようにそれぞれ30μmであり、この長
さは図4に示す実線で示したプローブニードルaが二点
鎖線で示す位置に移動した時の長さである。従って、プ
ローブニードルaの径をDとすると、 D=(50−30)μm=20μm …となる。
Thus, the relative mounting positions of the tips of the probe needles a to p can be accurately and easily detected without being affected by the size of the probe needles. The calculating means 38 is provided in FIG.
From the length of the non-conducting area shown in FIG. 4 and the width dimension (50 μm) of the insulating pattern 34 input in advance, each probe needle a
To p can be calculated. For example, the length of the non-conducting area in the X direction and the Y direction of the probe needle a is 30 μm as shown in FIGS. 5 and 6, and the length is two times that of the probe needle a shown by the solid line in FIG. This is the length when moving to the position shown by the dotted line. Therefore, if the diameter of the probe needle a is D, then D = (50-30) μm = 20 μm.

【0020】このように、各プローブニードルa乃至p
の径Dを算出することにより、そのプローブニードルa
乃至pの先端部の中心座標も算出することができる。例
えば、前記プローブニードルaの径Dは20μmなの
で、その中心座標は図5、図6示した非導通域の開始端
から10μm送り方向側にあることが分かるので、X方
向及びY方向にそれぞれ前記10μmを加算した位置が
中心座標点となる。
Thus, each of the probe needles a to p
By calculating the diameter D of the probe needle a
Also, the center coordinates of the tip of p can be calculated. For example, since the diameter D of the probe needle a is 20 μm, it can be seen that the center coordinate is 10 μm in the feed direction from the start end of the non-conducting area shown in FIGS. The position obtained by adding 10 μm is the center coordinate point.

【0021】これにより、本実施例では、顕微鏡では観
察し得ないプローブニードルa乃至pの先端部の中心位
置も容易に算出することができる。
Thus, in this embodiment, the center positions of the tip portions of the probe needles a to p which cannot be observed with a microscope can be easily calculated.

【0022】[0022]

【発明の効果】以上説明したように本発明に係るプロー
ブニードルの位置検出方法によれば、プローブカードの
各プローブニードルと、その表面に所定幅を有する絶縁
パターンが形成された板状の導電体とをテスタに接続し
て、導電体の表面をプローブニードルの各先端部に当接
し、導電体を原点位置からX方向に移動して、各プロー
ブニードルのX方向における導通域と非導通域とを検出
し、X方向の非導通域からプローブニードルの各先端部
のX方向における原点位置からの位置を算出する。そし
て、X方向位置の算出が終了すると、前記導電体をY方
向に移動し、各プローブニードルのY方向における導通
域と非導通域とを検出し、Y方向の非導通域から各プロ
ーブニードルのY方向における原点位置からの位置を算
出する。そして、算出した前記X方向及びY方向の両位
置に基づいてプローブニードルの各先端部の位置をX−
Y座標平面上に表示するようにしたので、プローブニー
ドルの大きさに影響されることなくプローブニードルの
相対的な取付け位置を正確に、且つ容易に検出すること
ができる。
As described above, according to the probe needle position detecting method of the present invention, each probe needle of the probe card and a plate-shaped conductor having an insulating pattern having a predetermined width formed on the surface thereof are provided. Is connected to the tester, the surface of the conductor is brought into contact with each tip of the probe needle, the conductor is moved in the X direction from the origin position, and the conductive area and the non-conductive area in the X direction of each probe needle are Is detected, and the position of each tip of the probe needle from the origin position in the X direction is calculated from the non-conductive area in the X direction. When the calculation of the position in the X direction is completed, the conductor is moved in the Y direction to detect a conductive area and a non-conductive area in the Y direction of each probe needle. The position from the origin position in the Y direction is calculated. Then, the position of each tip of the probe needle is calculated by X-
Since the information is displayed on the Y coordinate plane, the relative mounting position of the probe needle can be accurately and easily detected without being affected by the size of the probe needle.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明に係るプローブニードルの位置検出方法
が適用された半導体素子検査装置の説明図
FIG. 1 is an explanatory view of a semiconductor device inspection apparatus to which a probe needle position detecting method according to the present invention is applied.

【図2】プローブカードの実施例を示す斜視図FIG. 2 is a perspective view showing an embodiment of a probe card.

【図3】本発明に係るプローブニードルの位置検出方法
に適用された位置検出治具の実施例を示す斜視図
FIG. 3 is a perspective view showing an embodiment of a position detection jig applied to the probe needle position detection method according to the present invention.

【図4】プローブニードルが位置検出治具に当接した状
態を示す説明図
FIG. 4 is an explanatory view showing a state in which a probe needle is in contact with a position detection jig.

【図5】本発明に係るプローブニードルの位置検出方法
に適用された演算手段で作成されたプローブニードルの
X方向における導通域と非導通域とを示す説明図
FIG. 5 is an explanatory diagram showing a conducting region and a non-conducting region in the X direction of the probe needle created by the calculating means applied to the probe needle position detecting method according to the present invention.

【図6】本発明に係るプローブニードルの位置検出方法
に適用された演算手段で作成されたプローブニードルの
Y方向における導通域と非導通域とを示す説明図
FIG. 6 is an explanatory diagram showing a conducting region and a non-conducting region in the Y direction of the probe needle created by the calculating means applied to the probe needle position detecting method according to the present invention.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

14…プローブカード 22…テスタ 24…位置検出治具 38…演算手段 a、b、c、d、e、f、g、h、i、j、k、l、
m、n、o、p…プローブニードル
14 probe card 22 tester 24 position detecting jig 38 calculating means a, b, c, d, e, f, g, h, i, j, k, l,
m, n, o, p ... probe needle

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI H01L 21/66 H01L 21/66 B ──────────────────────────────────────────────────続 き Continued on the front page (51) Int.Cl. 7 Identification code FI H01L 21/66 H01L 21/66 B

Claims (1)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】 プローブカードに取り付けられた複数本
のプローブニードルと、その表面に所定幅を有する絶縁
パターンが形成された板状導電体とをテスタに接続し、 前記導電体の表面を前記プローブニードルの各先端部に
当接して該導電体を所定の送り量で、且つ前記絶縁パタ
ーンの長手方向と直交する方向に原点位置からX方向に
移動することにより、各プローブニードルのX方向にお
ける導通域と非導通域とを検出し、 X方向の前記非導通域からプローブニードルの各先端部
のX方向における原点位置からの位置を算出し、 前記導電体を所定の送り量で、且つ前記絶縁パターンの
長手方向と直交する方向に原点位置から前記X方向と直
交するY方向に移動することにより、各プローブニード
ルのY方向における導通域と非導通域とを検出し、 Y方向の前記非導通域からプローブニードルの各先端部
のY方向における原点位置からの位置を算出し、 算出した前記X方向及びY方向の両位置に基づいてプロ
ーブニードルの各先端部の位置を検出することを特徴と
するプローブニードルの位置検出方法。
1. A tester comprising: a plurality of probe needles attached to a probe card; and a plate-like conductor having an insulating pattern having a predetermined width formed on a surface thereof, connected to a tester. By moving the conductor in the X direction from the origin position in a direction orthogonal to the longitudinal direction of the insulating pattern by moving the conductor by a predetermined feed amount in contact with each tip of the needle, the conduction of each probe needle in the X direction Detecting the position of the tip of each probe needle from the origin position in the X direction from the non-conductive region in the X direction, and detecting the position of the conductor at a predetermined feed amount and the insulation. By moving from the origin position in the direction orthogonal to the longitudinal direction of the pattern in the Y direction orthogonal to the X direction, the conductive area and the non-conductive area in the Y direction of each probe needle are detected. Calculating the position of each tip of the probe needle from the origin position in the Y direction from the non-conductive area in the Y direction, and calculating the position of each tip of the probe needle based on both the calculated positions in the X and Y directions. A method for detecting the position of a probe needle, comprising detecting a position.
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