JP2927795B2 - 光スイッチ - Google Patents
光スイッチInfo
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- JP2927795B2 JP2927795B2 JP63077898A JP7789888A JP2927795B2 JP 2927795 B2 JP2927795 B2 JP 2927795B2 JP 63077898 A JP63077898 A JP 63077898A JP 7789888 A JP7789888 A JP 7789888A JP 2927795 B2 JP2927795 B2 JP 2927795B2
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- light
- coupling portion
- waveguide
- optical coupling
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- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/29—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the position or the direction of light beams, i.e. deflection
- G02F1/31—Digital deflection, i.e. optical switching
- G02F1/313—Digital deflection, i.e. optical switching in an optical waveguide structure
- G02F1/3132—Digital deflection, i.e. optical switching in an optical waveguide structure of directional coupler type
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F2203/00—Function characteristic
- G02F2203/06—Polarisation independent
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- Nonlinear Science (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Optical Integrated Circuits (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は電気光学効果を有する結晶基板を用いた薄波
型の光スイッチに関する。
型の光スイッチに関する。
（従来の技術） 電気光学効果を有する結晶基板に形成された互いに近
接した２本の光導波路からなる光結合部と前記結合部の
両側に続いて形成する曲線状の光導波路である光導入部
からなる光方向性結合器を用いた導波型光スイッチは光
交換機及び光通信ネットワークにおける伝送路切替器、
外部変換器などへ応用して好適である。
接した２本の光導波路からなる光結合部と前記結合部の
両側に続いて形成する曲線状の光導波路である光導入部
からなる光方向性結合器を用いた導波型光スイッチは光
交換機及び光通信ネットワークにおける伝送路切替器、
外部変換器などへ応用して好適である。
この光方向性結合器からなる導波型光スイッチについ
ては、M.KONDOらが文献エレクトロニクスレタース23巻2
1号PP1167〜1169（1987）に発表している。この光スイ
ッチは、導波路を伝搬する光波モードの互いに直交した
２つの偏光成分に対して光結合部の等価屈折率をほぼ等
しくしたものである。これにより、任意の偏光の光波モ
ードに対して光スイッチの動作を行なうことができる
（このように動作する光スイッチを偏光無依存光スイッ
チと称することにする）。第３図はこの光スイッチの構
造を示す模式的な平面図であり、次に本図により従来の
光スイッチを説明する。この光スイッチでは、LiNbO3基
板１表面にTiを熱拡散して光結合部2aと光導入部2bから
成る光導波路２が形成してある。光結合部2a上に設置さ
れた制御電極４に電圧を印加し、光波モードの光路切り
替え、変調を行なう。
ては、M.KONDOらが文献エレクトロニクスレタース23巻2
1号PP1167〜1169（1987）に発表している。この光スイ
ッチは、導波路を伝搬する光波モードの互いに直交した
２つの偏光成分に対して光結合部の等価屈折率をほぼ等
しくしたものである。これにより、任意の偏光の光波モ
ードに対して光スイッチの動作を行なうことができる
（このように動作する光スイッチを偏光無依存光スイッ
チと称することにする）。第３図はこの光スイッチの構
造を示す模式的な平面図であり、次に本図により従来の
光スイッチを説明する。この光スイッチでは、LiNbO3基
板１表面にTiを熱拡散して光結合部2aと光導入部2bから
成る光導波路２が形成してある。光結合部2a上に設置さ
れた制御電極４に電圧を印加し、光波モードの光路切り
替え、変調を行なう。
一般に、互いに直交した偏光成分に対して、光導波路
とLiNbO3基板１との屈折率はTiの熱拡散量を増せば増大
する。しかし、一般にLiNbO3基板１における屈折率差
は、結晶の光軸方向以外の光波モードの伝搬方向では、
ある特定のTiの熱拡散量だけで同一になる。従って、第
３図の光スイッチでは、光結合部2aで光波モードの互い
に直交した２つの偏光成分に対するそれぞれの等価屈折
率がほぼ等しくなるTi熱拡散層（以後、特定Ti拡散量と
呼ぶ）を用いて各偏光成分に対して完全結合長が同一に
なるようにし偏光無依存性が実現されている。前記特定
Ti拡散量は比較的Ti拡散量の少ない領域に依存する。例
えば前述した文献を引用すればTi拡散量に比例するTi膜
厚は470Åである。これに対し通常の光スイッチでは600
〜900Å程度のTi膜厚を用いるから、該文献のTi拡散量
は通常値より45〜20％少ない。一般に光導波路２は光波
モードを横モード及び縦モードともシングルモード領域
を用いるが、このとき、Ti膜厚が厚い程、すなわちTi拡
散量が多いほど前述した様にLiNbO3基板１と光導波路２
との屈折率差は大きくなる。従って、光波モードの各偏
光成分に対する光導波路２の等価屈折率は大きくなるか
ら、光波モードは光導波路２に強く閉じ込められる。光
波モードの一般的な特性として光導波路２に強く閉じ込
まれる程曲線状の光導波路での放射損失が低減される。
つまり、光導波路２の等価屈折率を大きくすれば曲線状
の光導波路すなわち第３図における光導入部2bの曲線状
の光導波路の曲り方を大きくでき、光スイッチ・変調器
のデバイス素子長を短かくできる。第３図における従来
例の偏光無依存光スイッチでは、前述した様にTi拡散量
の少ない特定Ti拡散量を用いなければならないから、光
導入部2bの曲線状の光導波路の曲りを損失の点から強く
できず、このTi拡散量の制限からデバイス素子長Ｌを一
定値以下に小さくできない。
とLiNbO3基板１との屈折率はTiの熱拡散量を増せば増大
する。しかし、一般にLiNbO3基板１における屈折率差
は、結晶の光軸方向以外の光波モードの伝搬方向では、
ある特定のTiの熱拡散量だけで同一になる。従って、第
３図の光スイッチでは、光結合部2aで光波モードの互い
に直交した２つの偏光成分に対するそれぞれの等価屈折
率がほぼ等しくなるTi熱拡散層（以後、特定Ti拡散量と
呼ぶ）を用いて各偏光成分に対して完全結合長が同一に
なるようにし偏光無依存性が実現されている。前記特定
Ti拡散量は比較的Ti拡散量の少ない領域に依存する。例
えば前述した文献を引用すればTi拡散量に比例するTi膜
厚は470Åである。これに対し通常の光スイッチでは600
〜900Å程度のTi膜厚を用いるから、該文献のTi拡散量
は通常値より45〜20％少ない。一般に光導波路２は光波
モードを横モード及び縦モードともシングルモード領域
を用いるが、このとき、Ti膜厚が厚い程、すなわちTi拡
散量が多いほど前述した様にLiNbO3基板１と光導波路２
との屈折率差は大きくなる。従って、光波モードの各偏
光成分に対する光導波路２の等価屈折率は大きくなるか
ら、光波モードは光導波路２に強く閉じ込められる。光
波モードの一般的な特性として光導波路２に強く閉じ込
まれる程曲線状の光導波路での放射損失が低減される。
つまり、光導波路２の等価屈折率を大きくすれば曲線状
の光導波路すなわち第３図における光導入部2bの曲線状
の光導波路の曲り方を大きくでき、光スイッチ・変調器
のデバイス素子長を短かくできる。第３図における従来
例の偏光無依存光スイッチでは、前述した様にTi拡散量
の少ない特定Ti拡散量を用いなければならないから、光
導入部2bの曲線状の光導波路の曲りを損失の点から強く
できず、このTi拡散量の制限からデバイス素子長Ｌを一
定値以下に小さくできない。
（発明が解決しようとする課題） 前述した様に、光結合部における等価屈折率を光波モ
ードの直交した偏光成分に対してほぼ等しくすることに
より実現される偏光無依存光スイッチは、低損失を維持
したままで短いデバイス素子長に実現することが困難で
ある。
ードの直交した偏光成分に対してほぼ等しくすることに
より実現される偏光無依存光スイッチは、低損失を維持
したままで短いデバイス素子長に実現することが困難で
ある。
本発明の目的は、低損失でしかもデバイス素子長を短
くできる偏光無依存光スイッチを与えることにある。
くできる偏光無依存光スイッチを与えることにある。
（課題を解決するための手段） 前述の課題を解決するために本発明が提供する手段
は、電気光学効果を有する結晶基板に形成された２つの
光導波路と、該各光導波路にそれぞれ設けられている２
つの電極とを有してなり、該各光導波路は前記電極に印
加される電圧に応じて互いに光結合をする光結合部と、
該光結合部に光を導き入れ又は該光結合部から光を導き
出す曲線導波路を含む光案内部とからなり、該光導波路
は該光結合部で該光案内部におけるよりも互いに近接し
て設けてあり、該電極は該光結合部に近接して設けてあ
る光スイッチにおいて、該光案内部の曲線導波路の幅は
少なくとも一部分において前記光結合部の幅より広いこ
とを特徴とするものである。
は、電気光学効果を有する結晶基板に形成された２つの
光導波路と、該各光導波路にそれぞれ設けられている２
つの電極とを有してなり、該各光導波路は前記電極に印
加される電圧に応じて互いに光結合をする光結合部と、
該光結合部に光を導き入れ又は該光結合部から光を導き
出す曲線導波路を含む光案内部とからなり、該光導波路
は該光結合部で該光案内部におけるよりも互いに近接し
て設けてあり、該電極は該光結合部に近接して設けてあ
る光スイッチにおいて、該光案内部の曲線導波路の幅は
少なくとも一部分において前記光結合部の幅より広いこ
とを特徴とするものである。
また本発明の光スイッチは、電気光学効果を有する結
晶にTiを拡散して形成された２つの光導波路と、該各光
導波路にそれぞれ設けられている２つの電極とを有して
なり、該各光導波路は前記電極に印加される電圧に応じ
て互いに光結合をする光結合部と、該光結合部に光を導
き入れ又は該光結合部から光を導き出す曲線導波路を含
む光案内部とからなり、該光導波路は該光結合部で該光
案内部におけるよりも互いに近接して設けてあり、該電
極は該光結合部に近接して設けてある光スイッチにおい
て、該光案内部の曲線導波路の幅は少なくとも一部分に
おいて前記光結合部の幅より広いことを特徴とする。
晶にTiを拡散して形成された２つの光導波路と、該各光
導波路にそれぞれ設けられている２つの電極とを有して
なり、該各光導波路は前記電極に印加される電圧に応じ
て互いに光結合をする光結合部と、該光結合部に光を導
き入れ又は該光結合部から光を導き出す曲線導波路を含
む光案内部とからなり、該光導波路は該光結合部で該光
案内部におけるよりも互いに近接して設けてあり、該電
極は該光結合部に近接して設けてある光スイッチにおい
て、該光案内部の曲線導波路の幅は少なくとも一部分に
おいて前記光結合部の幅より広いことを特徴とする。
また本発明の光スイッチは、電気光学効果を有する結
晶に特定Ti拡散量で形成された２つの光導波路と、該各
光導波路にそれぞれ設けられている２つの電極とを有し
てなり、該各光導波路は前記電極に印加される電圧に応
じて互いに光結合をする光結合部と、該光結合部に光を
導き入れ又は該光結合部から光を導き出す曲線導波路を
含む光案内部とからなり、該光導波路は該光結合部で該
光案内部におけるよりも互いに近接して設けてあり、該
電極は該光結合部に近接して設けてある光スイッチにお
いて、該光案内部の曲線導波路の幅は少なくとも一部分
において前記光結合部の幅より広いことを特徴とする。
晶に特定Ti拡散量で形成された２つの光導波路と、該各
光導波路にそれぞれ設けられている２つの電極とを有し
てなり、該各光導波路は前記電極に印加される電圧に応
じて互いに光結合をする光結合部と、該光結合部に光を
導き入れ又は該光結合部から光を導き出す曲線導波路を
含む光案内部とからなり、該光導波路は該光結合部で該
光案内部におけるよりも互いに近接して設けてあり、該
電極は該光結合部に近接して設けてある光スイッチにお
いて、該光案内部の曲線導波路の幅は少なくとも一部分
において前記光結合部の幅より広いことを特徴とする。
（実施例） 次に本発明について図面を参照して説明する。
第１図は本発明の一実施例に係る光スイッチの構成を
模式的に示す平面図である。本図の実施例では、曲線状
の光導波路からなる光導入部（前述の光案内部に相当す
る）の幅W1はすべての領域で光結合部の光導波路の幅W2
より広くしてある。結晶基板１として、LiNbO3基板を用
いた場合、前述した様に光導波路２を伝搬する光波モー
ドにおける等価屈折率を直交する偏光成分同士で同一に
して偏光無依存光スイッチを実現する。このとき、光結
合器2aの光導波路２上に設置した制御電極４に電圧を印
加することにより、光波モードの伝送路切替が行なわれ
る（光変調器として用いる場合には、その電圧に応じて
入力光が変調されて、変調光が入力光と同じ光導波路か
ら出力される）。
模式的に示す平面図である。本図の実施例では、曲線状
の光導波路からなる光導入部（前述の光案内部に相当す
る）の幅W1はすべての領域で光結合部の光導波路の幅W2
より広くしてある。結晶基板１として、LiNbO3基板を用
いた場合、前述した様に光導波路２を伝搬する光波モー
ドにおける等価屈折率を直交する偏光成分同士で同一に
して偏光無依存光スイッチを実現する。このとき、光結
合器2aの光導波路２上に設置した制御電極４に電圧を印
加することにより、光波モードの伝送路切替が行なわれ
る（光変調器として用いる場合には、その電圧に応じて
入力光が変調されて、変調光が入力光と同じ光導波路か
ら出力される）。
第１図に示す様に光結合部2aの光導波路２の幅W2よ
り、曲線状の光導波路２からなる光導入部2bの幅W1を広
くすれば、光結合部2aと光導入部2bのそれぞれの光導波
路２を特定Ti拡散量で形成した場合、光結合部2aの光導
波路に比べ光導入部2bの光導波路における等価屈折率は
任意の偏光成分において大きくなるから、光波モードの
光導波路２での閉じ込めは光結合部2aの光導波路２にお
けるより光導入部2bの光導波路２の方が強くなる。従っ
て、曲線状の光導波路２からなる光導入部2bにおける光
波モードの損失は、光結合部2aと光導入部2bの光導波路
２との幅をともに同一のW1にした場合に比べ、低減され
る。また、曲線状の光導波路の曲りを急にしても損失の
低い光導入部2bが得られるから、光スイッチのデバイス
素子長を短かくできる。したがって、第１の実施例の構
造の光スイッチを採用すれば、この光スイッチを一基板
上に多数個集積したマトリクス光スイッチを小形に実現
できる。つまり、低損失化のために光導入部の長さを短
かくできればそれだけ一基板上に集積できる光スイッチ
の数は増し、マトリクスサイズの拡大が計れる。第１図
に示す構造は、LiNbO3基板に対してのみ有効でなく、Li
TaO3基板、化合物半導体基板を用いた光スイッチに対し
ても有効であるのは明らかである。
り、曲線状の光導波路２からなる光導入部2bの幅W1を広
くすれば、光結合部2aと光導入部2bのそれぞれの光導波
路２を特定Ti拡散量で形成した場合、光結合部2aの光導
波路に比べ光導入部2bの光導波路における等価屈折率は
任意の偏光成分において大きくなるから、光波モードの
光導波路２での閉じ込めは光結合部2aの光導波路２にお
けるより光導入部2bの光導波路２の方が強くなる。従っ
て、曲線状の光導波路２からなる光導入部2bにおける光
波モードの損失は、光結合部2aと光導入部2bの光導波路
２との幅をともに同一のW1にした場合に比べ、低減され
る。また、曲線状の光導波路の曲りを急にしても損失の
低い光導入部2bが得られるから、光スイッチのデバイス
素子長を短かくできる。したがって、第１の実施例の構
造の光スイッチを採用すれば、この光スイッチを一基板
上に多数個集積したマトリクス光スイッチを小形に実現
できる。つまり、低損失化のために光導入部の長さを短
かくできればそれだけ一基板上に集積できる光スイッチ
の数は増し、マトリクスサイズの拡大が計れる。第１図
に示す構造は、LiNbO3基板に対してのみ有効でなく、Li
TaO3基板、化合物半導体基板を用いた光スイッチに対し
ても有効であるのは明らかである。
例えばLiNbO3基板を用いて光結合部2aの光導波路２の
幅W1を９μｍとし、特定Ti拡散量に相当するTi膜厚を47
0Åで光導波路２を形成した場合、光導入部2bの曲線状
の光導波路２の幅W2を９μｍにすると、前記曲率半径30
mmの円弧状の光導波路での損失が2dB/mmであったのに対
して、第１図の構造を採用して曲線状の光導波路２の幅
W2を11μｍにすることにより損失が0.56dB/mmになり、
光導入部2b領域での低損失化が計れる。また、光導入部
2bでの損失として2dB/mmが許される場合は、曲率半径と
して20mm程度が許されるため、偏光無依存光スイッチ・
変調器のデバイス素子長Ｌ短長化が実現できる。
幅W1を９μｍとし、特定Ti拡散量に相当するTi膜厚を47
0Åで光導波路２を形成した場合、光導入部2bの曲線状
の光導波路２の幅W2を９μｍにすると、前記曲率半径30
mmの円弧状の光導波路での損失が2dB/mmであったのに対
して、第１図の構造を採用して曲線状の光導波路２の幅
W2を11μｍにすることにより損失が0.56dB/mmになり、
光導入部2b領域での低損失化が計れる。また、光導入部
2bでの損失として2dB/mmが許される場合は、曲率半径と
して20mm程度が許されるため、偏光無依存光スイッチ・
変調器のデバイス素子長Ｌ短長化が実現できる。
第２図は本発明の他の一実施例に係る光スイッチを模
式的に示す平面図である。この実施例では、曲線状の光
導波路から成る光導入部2bの光導波路２の幅を一部分だ
けで光結合部2aの幅より広くしてあり、光導波路２は幅
W2の部分と幅W1の部分とからなる。光導入部2bの光導波
路２の幅W1は光結合部2aの光導波路２の幅W1と同一であ
り、光結合部2aと光導入部2bの接続部分について光導波
路2bの曲線状の光導波路２の幅をW1としている。この構
造により、光結合部2aの任意の偏光成分に対する完全結
合長が、光導入部2bの光導波路２の形状に何らの影響も
受けずに、しかも損失が低くくデバイス素子長Ｌの短い
偏光無依存光スイッチが得られる。
式的に示す平面図である。この実施例では、曲線状の光
導波路から成る光導入部2bの光導波路２の幅を一部分だ
けで光結合部2aの幅より広くしてあり、光導波路２は幅
W2の部分と幅W1の部分とからなる。光導入部2bの光導波
路２の幅W1は光結合部2aの光導波路２の幅W1と同一であ
り、光結合部2aと光導入部2bの接続部分について光導波
路2bの曲線状の光導波路２の幅をW1としている。この構
造により、光結合部2aの任意の偏光成分に対する完全結
合長が、光導入部2bの光導波路２の形状に何らの影響も
受けずに、しかも損失が低くくデバイス素子長Ｌの短い
偏光無依存光スイッチが得られる。
なお、発明の構造の光スイッチは、よく知られている
ように、変調信号を制御電極に加えることにより光変調
器として作動させることができる。
ように、変調信号を制御電極に加えることにより光変調
器として作動させることができる。
（発明の効果） 以上に説明したように、本発明によれば、光結合部の
光導波路の幅より、曲線状の光導波路からなる光導入部
の光導波路の幅を広くすることにより、損失が小さくデ
バイス素子長が短い偏光無依存光スイッチを得ることが
できる。
光導波路の幅より、曲線状の光導波路からなる光導入部
の光導波路の幅を広くすることにより、損失が小さくデ
バイス素子長が短い偏光無依存光スイッチを得ることが
できる。
第１図および第２図は本発明の実施例を模式的に示す平
面図、第３図は従来の光スイッチを模式的に示す平面図
である。 １……電気光学効果を有する結晶基板、２……光導波
路、2a……光結合部、2b……光導入部、４……制御電
極。
面図、第３図は従来の光スイッチを模式的に示す平面図
である。 １……電気光学効果を有する結晶基板、２……光導波
路、2a……光結合部、2b……光導入部、４……制御電
極。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭62−299825（ＪＰ，Ａ) 特開 昭63−284508（ＪＰ，Ａ) 特開 昭56−72406（ＪＰ，Ａ) 特開 昭60−182424（ＪＰ，Ａ) 特開 昭60−182425（ＪＰ，Ａ) 実開 平１−102843（ＪＰ，Ｕ) 実開 昭56−77810（ＪＰ，Ｕ) 特表 昭62−502782（ＪＰ，Ａ) Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ Ｌｅｔｔｅ ｒｓ，Ｖｏｌ．23，Ｎｏ．21，ｐ．1167 −1169 西原 浩ら著「光集積回路」昭和60年 ２月25日 オーム社発行 ，第47〜49頁 (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) G02F 1/00 - 1/39
Claims (3)
- 【請求項１】電気光学効果を有する結晶に形成された２
つの光導波路と、該各光導波路にそれぞれ設けられてい
る２つの電極とを有してなり、該各光導波路は前記電極
に印加される電圧に応じて互いに光結合をする光結合部
と、該光結合部に光を導き入れ又は該光結合部から光を
導き出す曲線導波路を含む光案内部とからなり、該光導
波路は該光結合部で該光案内部におけるよりも互いに接
近して設けてあり、該電極は該光結合部に近接して設け
てある光スイッチにおいて、該光案内部の曲線導波路の
幅は少なくとも一部分において前記光結合部の幅より広
いことを特徴とする光スイッチ。 - 【請求項２】電気光学効果を有する結晶にTiを拡散して
形成された２つの光導波路と、該各光導波路にそれぞれ
設けられている２つの電極とを有してなり、該各光導波
路は前記電極に印加される電圧に応じて互いに光結合を
する光結合部と、該光結合部に光を導き入れ又は該光結
合部から光を導き出す曲線導波路を含む光案内部とから
なり、該光導波路は該光結合部で該光案内部におけるよ
りも互いに接近して設けてあり、該電極は該光結合部に
近接して設けてある光スイッチにおいて、該光案内部の
曲線導波路の幅は少なくとも一部分において前記光結合
部の幅より広いことを特徴とする光スイッチ。 - 【請求項３】電気光学効果を有する結晶に特定Ti拡散量
で形成された２つの光導波路と、該各光導波路にそれぞ
れ設けられている２つの電極とを有してなり、該各光導
波路は前記電極に印加される電圧に応じて互いに光結合
をする光結合部と、該光結合部に光を導き入れ又は該光
結合部から光を導き出す曲線導波路を含む光案内部とか
らなり、該光導波路は該光結合部で該光案内部における
よりも互いに接近して設けてあり、該電極は該光結合部
に近接して設けてある光スイッチにおいて、該光案内部
の曲線導波路の幅は少なくとも一部分において前記光結
合部の幅より広いことを特徴とする光スイッチ。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63077898A JP2927795B2 (ja) | 1988-03-29 | 1988-03-29 | 光スイッチ |
| DE68913782T DE68913782T2 (de) | 1988-03-29 | 1989-03-29 | Polarisationsunabhängiger optischer Wellenleiterschalter. |
| EP89303076A EP0335672B1 (en) | 1988-03-29 | 1989-03-29 | Polarization-independent optical waveguide switch |
| US07/330,024 US4983006A (en) | 1988-03-29 | 1989-03-29 | Polarization-independent optical waveguide switch |
Applications Claiming Priority (1)
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