JP2922636B2

JP2922636B2 - 強誘電性液晶組成物

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Publication number: JP2922636B2
Application number: JP2334432A
Authority: JP
Inventors: 勝之村城; 誠菊地; 兼詞寺島
Original assignee: Chisso Corp
Current assignee: JNC Corp
Priority date: 1990-05-23
Filing date: 1990-11-30
Publication date: 1999-07-26
Anticipated expiration: 2014-07-26
Also published as: EP0458087B1; DE69112125D1; DE69112125T2; KR0171201B1; KR910020153A; JPH04117488A; EP0458087A3; EP0458087A2; US5427714A

Description

【発明の詳細な説明】（産業上の利用分野）本発明は電気光学効果を利用した表示用材料である液
晶材料に関する。さらに詳しくは強誘電性液晶混合物及
び該混合物を用いる光スイツチング素子に関する。

（従来の技術）強誘電性液晶は、現在表示材料として広く使用されて
いるネマチツク液晶に比べて、桁違いに速い電気光学応
答を表現できる物としてその実用化を研究されている。
強誘電性の発現が知られているカイラルスメクチツク液
晶相の中では、カイラルスメクチツクＣ相（以下、SC^＊
相と略記する）が特に注目されている。

カイラルスメクチツクＣ液晶を用いる表示は（１）ネマチツク液晶に比べて電気光学応答が速い、（２）メモリー性がある、（３）視角依存性が小さいことから、高密度表示への可能性を秘めた物としてその
実用化を期待されている。現在、実用的な表示材料とし
て強誘電性液晶に要求されていることは（１）室温を含む広い温度範囲でSC^＊相を示すこと、（２）電気光学応答が迅速であること、及び（３）配向性が良好であることである。

電気光学応答については、印加電圧5V/μｍの下で応
答時間が100μsec以下であることが要求されている。こ
の応答性は液晶表示素子を640×400ライン以上のマルチ
プレツクス表示をするために必要とされている。

強誘電性液晶の配向方法としては現在、シアリング
法、温度勾配法及び表面処理法と呼ばれる三通りの方法
が試みられている。これらの中、表面処理法によつて液
晶分子を配向させることが、液晶表示素子の工業的製造
の上からは最も望ましい。現在、ネマチツク液晶の配向
に用いられている表面処理法を強誘電性スメクチツクＣ
液晶にも適用するためには、強誘電性スメクチツクＣ液
晶材料がSC^＊相の外にコレステリツク相（以下、Ｎ相と
略記する。）とスメクチツクＡ相（以下、SA^＊相と略記
する。）の二つの液晶相を持ち、液晶材料の相転移が等
方性液体相（以下、Iso相と略記する。）からＮ^＊相、S
A相を経てSC^＊相になる型をとることが要求されている
（例えば、特開昭61−250086号公報参照）。Ｎ^＊相又は
SA相を欠く強誘電性スメクチツクＣ液晶の表面処理法に
よる配向技術は未だ確立していない。

特開昭61−291679号公報にはスメクチツクＣ液晶性ピ
リミジン化合物とSC^＊相を有する液晶とからなる強誘電
性液晶混合物が例示されている。また、PCT国際公開WO8
6/06401号パンフレツトにも同様にスメクチツクＣ液晶
性ピリミジン化合物を成分とする強誘電性液晶混合物が
例示されている。しかし、これらの強誘電性液晶では応
答時間が300〜600μsecと長く、ともに実用的であると
は言えない。

特開昭63−301290号公報には、スメクチツクＣ液晶性
ピリミジン化合物と本願（Ｂ−Ｖ）式の光学活性化合物
とを含む強誘電性液晶混合物がその実施例５に例示され
ている。この混合物は応答性は優れているが、Ｎ^＊相を
持たないので表面処理法による配向ができないという欠
点がある。

（発明が解決しようとする課題）以上に述べたように実用的な強誘電性液晶はまだ得ら
れていないと言える。本発明の目的は、第一に室温を含
む広い温度範囲にSC^＊相を有し、表面処理法によつて容
易に良好な配向が得られ、かつ応答時間が100μsec以下
の高速応答性を有する強誘電性液晶組成物を提供するこ
とである。本発明の目的の第二は、この強誘電液晶組成
物の成分として有用なスメクチツクＣ液晶組成物を提供
することであり、本発明の目的の第三は広い温度範囲で
速い電気光学応答を示し、配向性の良い光スイツチング
素子を提供することである。

（課題を解決するための手段）本発明の目的の第一は、以下の第（１）項により達成
される。後記される第（２）項ないし第（９）項に該発
明の態様を示す。

本発明の目的の第二及び第三はそれぞれ後記の第（1
0）項又は第（11）項、及び第（12）項によつて達成さ
れる。

（１）後記するＡ、Ｂ及びＣの三成分を含有し、各成
分の混合割合が三成分の合計量に対して、Ａ成分が55〜
91重量％、Ｂ成分が５〜25重量％、Ｃ成分が４〜20重量
％である強誘電性スメクチツクＣ液晶組成物。

但し、Ａ成分は、一般式（式中、はそれぞれ独立にを示し、R¹及びR²はそれぞれ炭素数１〜18の同一又は相
異なる直鎖もしくは分岐のアルキル基、アルコキシ基又
はアルカノイルオキシ基を示し、Ｘは水素原子、ハロゲ
ン原子又はシアノ基を示し、、ｍ及びｎは０又は１の
整数を示し、（＋ｍ＋ｎ）は１又は２である。）で表
わされ、かつスメクチツクＣ相を有する化合物から選ば
れた少くとも一つの化合物であり、Ｂ成分は、一般式（式中、はそれぞれ独立にを示し、Ｙは水素原子、ハロゲン原子又はシアノ基を示
し、ｋは０又は１の整数を示し、R³は炭素数１〜18の直
鎖もしくは分岐のアルキル基又はアルコキシ基を、R⁴は
炭素数２〜18のアルキル基又は炭素数１〜18の直鎖もし
くは分岐のアルコキシ基をそれぞれ示し、＊は不斉炭素
原子を示す。）で表わされ、スメクチツクＣ液晶に溶解
して誘起するカイラルスメクチツクＣ相における自発分
極の向きが互いに同一である光学活性化合物から選ばれ
た少くとも一つの化合物であり、Ｃ成分は、一般式（式中、はそれぞれ独立にを示し、Ｚは水素原子、ハロゲン原子又はシアノ基を示
し、R⁵及びR⁶はそれぞれ炭素数１〜18の同一又は相異な
る直鎖もしくは分岐のアルキル基又はアルコキシ基を示
し、＊は不斉炭素原子を示す。）で表わされ、かつ、ス
メクチツクＣ液晶に溶解して誘起するカイラルスメクチ
ツクＣ相における自発分極の向きがＢ成分の化合物のそ
れと同一である光学活性化合物から選ばれた少くとも一
つの化合物である。

（２）前記の第（１）項において、Ａ成分が一般式（式中、R⁷及びR⁸はそれぞれ炭素数１〜18の同一又は相
異なる直鎖もしくは分岐のアルキル基、アルコキシ基又
はアルカノイルオキシ基を示す。）又は一般式（式中、R⁹及びR¹⁰はそれぞれ炭素数１〜18の同一又は
相異なる直鎖もしくは分岐のアルキル基又はアルコキシ
基を示す。）で表わされ、かつ、スメクチツクＣ相を有
する化合物から選ばれた少なくとも一つの化合物である
強誘電性スメクチツクＣ液晶組成物。

（３）前記の第（１）項において、Ｂ成分が後記され
る三つの一般式のいずれかで表わされ、かつ、スメクチ
ツクＣ液晶に溶解して誘起するカイラルスメクチツクＣ
相における自発分極の向きが互いに同一である光学活性
化合物から選ばれた少なくとも一つの化合物である強誘
電性スメクチツクＣ液晶組成物。

（これらの式において、R¹¹、R¹³及びR¹⁵はそれぞれ独
立に炭素数１〜18の直鎖もしくは分岐のアルキル基又は
アルコキシ基を示し、R¹²、R¹⁴及びR¹⁶はそれぞれ独立
に炭素数２〜18の直鎖もしくは分岐のアルキル基又は炭
素数１〜18の直鎖もしくは分岐のアルコキシ基を示し、
＊は不斉炭素原子を示す。）（４）前記の第（１）項において、Ｃ成分が一般式（式中、R¹⁷及びR¹⁸はそれぞれ独立に炭素数１〜18の直
鎖もしくは分岐のアルキル基又はアルコキシ基を示し、
＊は不斉炭素原子を示す。）で表わされ、かつ、スメク
チツクＣ液晶に溶解して誘起するカイラルスメクチツク
Ｃ相における自発分極の向きがＢ成分の化合物のそれと
同一である光学活性化合物から選ばれた少くとも一つの
化合物である強誘電性スメクチツクＣ液晶組成物。

（５）前記の第（１）項において、Ａ成分が一般式（式中、R⁷は炭素数５〜14の直鎖のアルキル基、アルコ
キシ基又はアルカノイルオキシ基を、R⁸は炭素数４〜16
の直鎖のアルキル基又はアルコキシ基をそれぞれ示
す。）又は一般式（式中、R⁹及びR¹⁰はそれぞれ独立に炭素数５〜10の直
鎖のアルキル基又はアルコキシ基を示す。）で表わさ
れ、かつ、スメクチツクＣ相を有する化合物から選ばれ
た少くとも一つの化合物である強誘電性スメクチツクＣ
液晶組成物。

（６）前記の第（１）項において、Ａ成分が一般式（式中、R⁷は炭素数６〜12の直鎖のアルキル基又はアル
コキシ基を、R⁸は炭素数６〜15の直鎖のアルコキシ基を
それぞれ示す。）又は一般式（式中、R⁹は炭素数５〜８の直鎖のアルキル基又はアル
コキシ基を、R¹⁰は炭素数６〜８の直鎖のアルキル基を
それぞれ示す。）で表わされ、かつ、スメクチツクＣ相
を有する化合物から選ばれた少くとも一つの化合物であ
る強誘電性スメクチツクＣ液晶組成物。

（７）前記の第（１）項において、Ａ成分が一般式（式中、R⁷は炭素数７〜14のアルキル基を、R⁸は炭素数
10〜14のアルキル基をそれぞれ示す。）又は一般式（式中、R⁹は炭素数５〜８の直鎖のアルキル基又はアル
コキシ基を、R¹⁰は炭素数６〜８の直鎖のアルキル基を
それぞれ示す。）で表わされ、かつ、スメクチツクＣ相
を有する化合物から選ばれた少くとも一つの化合物であ
る強誘電性スメクチツクＣ液晶組成物。

（８）前記の第（１）項において、Ｂ成分が後記され
る三つの一般式の何れかで表わされる光学活性化合物か
ら選ばれ、かつ、スメクチツクＣ液晶に溶解して誘起す
るカイラルスメクチツクＣ相における自発分極の向きが
互いに同一である光学活性化合物から選ばれた少くとも
一つの化合物である強誘電性スメクチツクＣ液晶組成
物。

（これらの式において、R¹¹及びR¹³はそれぞれ独立に炭
素数３〜10の直鎖のアルキル基又はアルコキシ基を示
し、R¹⁵は炭素数３〜12の直鎖のアルキル基又はアルコ
キシ基を示し、R¹²、R¹⁴及びR¹⁶はそれぞれ独立に炭素
数２〜10の直鎖のアルキル基又はアルコキシ基を示し、
＊は不斉炭素原子を示す。）（９）前記の第（１）項において、Ｃ成分が一般式（式中、R¹⁷は炭素数３〜10の直鎖のアルコキシ基を、R
¹⁸は炭素数２〜６のアルキル基をそれぞれ示し、＊は不
斉炭素原子を示す。）で表わされ、かつ、スメクチツク
Ｃ液晶に溶解して誘起するカイラルスメクチツクＣ相に
おける自発分極の向きがＢ成分の化合物のそれと同一で
ある光学活性化合物から選ばれた少くとも一つの化合物
である強誘電性スメクチツクＣ液晶組成物。

（10）スメクチツクＣ相を有する少くとも２個の成分
からなり、該成分の少くとも一つが一般式（式中、R⁷は炭素数７〜14のアルキル基を、R⁸は炭素数
10〜14のアルキル基をそれぞれ示す。）で表わされ、か
つ、スメクチツクＣ相を有する化合物である、スメクチ
ツクＣ液晶混合物。

（11）スメクチツクＣ相を有する少くとも２個の成分
が、前記第（10）項に記載の化合物及び一般式（式中、R⁹は炭素数５〜８の直鎖のアルキル基を、R¹⁰
は炭素数６〜８の直鎖のアルキル基をそれぞれ示す。）
で表わされ、かつ、スメクチツクＣ相を有する化合物で
あるスメクチツクＣ液晶混合物。

（12）前記の第（１）項ないし第（９）項のいずれか
一項に記載の強誘電性スメクチツクＣ液晶組成物を用い
ることを特徴とする光スイツチング素子。

本発明の液晶組成物のＡ成分である一般式（Ａ）で表
される化合物はスメクチツクＣ液晶性に富む既知の化合
物である。かかる化合物は本発明において、強誘電性液
晶に広い温度範囲に亘るSC^＊相を与える役割を果す物
（以下、ベースSC化合物と呼ぶ）である。Ａ成分として
は一般式（式中、R⁷は炭素数５〜14の直鎖のアルキル基、アルコ
キシ基又はアルカノイルオキシ基を、R⁸は炭素数４〜16
の直鎖のアルキル基又はアルコキシ基をそれぞれ示
す。）又は一般式（式中、R⁹及びR¹⁰はそれぞれ独立に炭素数５〜10の直
鎖のアルキル基又はアルコキシ基を示す。）にて表わさ
れる化合物が好ましく用いられる。

Ａ成分として式（Ａ−Ｉ′）で表わされるピリミジン
化合物又は式（Ａ−II′）で表わされるピリミジン化合
物を単独で用いることもできるが、式（Ａ−Ｉ′）の化
合物と式（Ａ−II′）の化合物とを併せて用いることが
好ましく、また、両者をそれぞれ複数個混合して用いる
ことがより好ましい。

（Ａ−Ｉ′）式の化合物は比較的低い温度域でSC相を
示し、（Ａ−II′）式で表わされるピリミジン化合物は
比較的高い温度域にSC相を示す。例えば（Ａ−Ｉ′）式
でR⁷がｎ−C₆H₁₃O−でありR⁸がｎ−C₈H₁₇−であるフエ
ニルピリミジン化合物（Ａ−１）の相転移点（℃）は（ここで、Cr、SA、Ｎ及びIsoはそれぞれ結晶、スメク
チツクＡ、ネマチツク及び等方性液体の各相を意味し、
その間の数字は相転移点を示す。）である。また、（Ａ
−II′）でR⁹がｎ−C₇H₁₅−でありR¹⁰がｎ−C₈H₁₇−で
あるビフエニリルピリミジン化合物（Ａ−35）の相転移
点はである。従つて、フエニルピリミジン化合物とビフエニ
ルピリミジン化合物とをそれぞれ複数個用いることによ
つて室温を含む広い温度範囲でSC相を示すベースSC混合
物を得ることができる。

本発明の強誘電性液晶組成物は強誘電性の発現ができ
るSC^＊相の外にSA相とＮ^＊相を示すことが要求されるの
で、ベースSC化合物であるＡ成分の化合物としてはこれ
らの三つの液晶相を示す化合物がより好ましく用いられ
る。ベースSC化合物としてSA相又はＮ相を示さない化合
物を用いる場合には、SA相又はＮ相を広い範囲で示す化
合物を混合することによつて目的とする強誘電性組成物
にこれらの三つの液晶相を持たせることができる。この
場合に用いられるSA相又はＮ相を示す化合物としては、
スメクチツクＡ液晶性又はコレステリツク性に富むＢ成
分もしくはＡ成分の化合物を混合することが望ましく、
多くの場合（Ａ−II）式で表わされるビフエニリルピリ
ミジン化合物がより好ましく用いられる。

通常、（Ａ−Ｉ）式の化合物と（Ａ−II）式の化合物
とを併用してＡ成分とする場合、両化合物の合計量に対
する（Ａ−Ｉ）式の化合物の割合が70重量％以下である
ことが望ましく、30〜60重量％であることがより望まし
い。

Ａ成分として特に好ましい物としては、前記の（Ａ−
Ｉ′）式でR⁷が炭素数６〜12の直鎖アルキル基であり、
R⁸が炭素数４〜15の直鎖アルコキシ基である化合物また
は、R⁷が炭素数７〜14のアルキル基であり、R⁸が炭素数
10〜14のアルキル基である化合物及び（Ａ−II′）式で
R⁹が炭素数５〜８の直鎖のアルキル基又はアルコキシ基
であり、R¹⁰が炭素数６〜８の直鎖アルキル基である化
合物とをそれぞれ少くとも一つ含有するベースSC混合物
があげられる。

Ａ成分はベースSC混合物としての役割及び得られる強
誘電性液晶組成物がSC^＊相の外にSA相及びＮ^＊相をも有
するための役割を演じているので、本発明の強誘電性組
成物におけるＡ成分の割合は55重量％以上であることが
望ましい。Ａ成分が全体の55重量％未満では、必ずしも
前記の三つの液晶相をすべては持つていない光学活性化
合物の含量が相対的に大きくなつて得られる強誘電性組
成物にＮ^＊相又はSA相が消失することがあるので好まし
くない。

以下にＡ成分として好ましく用いられるフエニルピリ
ミジン化合物及びビフエニリルピリミジン化合物をそれ
ぞれ第１表及び第２表に例示する。

Ｂ成分は本発明の強誘電性液晶組成物の電気光学応答
の高速性に寄与している。Ｂ成分の化合物としては、前
記した（Ｂ−III）式、（Ｂ−IV）式又は（Ｂ−Ｖ）式
で表わされる光学活性化合物が好ましく用いられる。こ
れらの化合物は、例えば特開昭63−267763号、特開昭64
−63571号及び特開昭64−50号によつて知られており、
大部分がSC^＊相を有し、大きな自発分極を有する。例え
ば、（Ｂ−III）式においてR¹¹及びR¹²がともに−OC₆H
₁₃（ｎ−）である化合物Ｂ−１及び（Ｂ−IV）式におい
てR¹³がｎ−C₉H₁₉−でR¹⁴が−OC₃H₇（ｎ−）である化合
物Ｂ−９の相転移温度（℃）はそれぞれであり、SC^＊相上限温度（Tc）より10℃低い温度（Ｔ）
における自発分極値、傾き角及び応答時間（印加電圧5V
/μｍ）は第３表に示される。

また、それ自体が液晶相を持たなくともこれらの式で
表わされる光学活性化合物はSC液晶相に溶解して生成す
るSC^＊相において大きな自発分極を誘起するので、本発
明の組成物の高速応答に役立つ。

Ｂ成分として特に好ましい化合物としては、（Ｂ−II
I）式において、R¹¹が炭素数３〜10の直鎖のアルキル基
又はアルコキシ基であり、R¹²が炭素数２〜10の直鎖の
アルキル基又はアルコキシ基である化合物、（Ｂ−IV）
式において、R¹³が炭素数３〜10の直鎖のアルキル基又
はアルコキシ基であり、R¹⁴が炭素数２〜10の直鎖のア
ルキル基又はアルコキシ基である化合物及び（Ｂ−Ｖ）
式において、R¹⁵が炭素数３〜10の直鎖のアルキル基又
はアルコキシ基であり、R¹⁶が炭素数２〜10の直鎖のア
ルキル基又はアルコキシ基である光学活性化合物を挙げ
ることができる。これらの化合物を以下の第４表、第５
表及び第６表に例示する。

一般式（Ｂ）で表わされる化合物は、その光学活性部
位の絶対配置が（S,S）型或いは（S,R）型の場合、自発
分極の極性は−型であり、らせんのねじれの向きは左で
ある（絶対配置が（R,R）型或いは（R,S）型の場合は、
各々＋型及び右である。）。

本発明においては、Ｂ成分として二以上の光学活性化
合物を用いる場合には、Ｂ成分はその誘起する自発分極
の極性が同一である光学活性化合物で構成される。複数
のＢ成分化合物の自発分極の極性を同一にすることによ
り、本発明の強誘電性液晶組成物の高速電気光学応答が
好ましく実現される。Ｂ成分として自発分極の極性の異
なる二以上の光学活性化合物を用いると、自発分極の値
が相殺されるため得られる強誘電性組成物の高速応答が
達成できないことがあるので好ましくない。

Ｂ成分は、本発明の目的の強誘電性液晶組成物におい
ては、高速応答性を出現させる重要な役割を演じている
が、あまり多量に使用すると液晶組成物の相系列に悪影
響を与えたり、又、自発分極値が非常に大きくなり、ス
イツチングする際に異常現象を生じる可能性もあるため
（例えば、吉田明雄他：第13回液晶討論会p142〜143（1
987）参照。）、Ｂ成分の濃度は25重量％以下が望まし
い。

Ｂ成分を自発分極の極性が反対の光学活性化合物で構
成すると得られる強誘電性組成物における自発分極が低
減したり、またはＢ成分の含量を大きくせねばならなく
なり、得られる組成物に好ましくない影響を生じる。

前記した（Ｂ−III）、（Ｂ−IV）及び（Ｂ−Ｖ）の
各式で表わされる化合物のほかにＢ成分として用いられ
る化合物として次の一般式で表わされる光学活性化合物
を挙げることができる。

これらの式において、Ｒは炭素数３〜14のアルキル基
又はアルコキシ基を示し、Ｙはを示し、Ｒ′は炭素数２〜６のアルキル基を示す。これ
らの式で表わされる光学活性化合物は前記した公開特許
公報等によつて公知の物である。

前記第１項に記載のＣ成分は、一般式（Ｃ）で表わさ
れ、かつ、化合物がSC^＊相に誘起する自発分極の極性が
Ｂ成分の化合物のそれと同一である光学活性化合物で構
成される。このとき、光学活性化合物はＢ成分の光学活
性化合物に対してらせんピツチ調節剤として働き、本発
明の液晶組成物のSC^＊相及びＮ^＊相におけるらせんピツ
チを長くする役目を演じている。

Ｃ成分として好ましく用いられる化合物として（Ｃ−
VI）式でR¹⁷およびR¹⁸が直鎖のアルキル基またはアルコ
キシ基である光学活性化合物を挙げることができる。特
に好ましい物として該式でR¹⁷が炭素数３〜10の直鎖ア
ルコキシ基でR¹⁸が炭素数２〜６の直鎖アルキル基であ
る光学活性化合物が挙げられる。これらの（Ｃ−VI）式
の化合物は特開昭64−49号に記載されている。

Ｃ成分の化合物の例を第７表に示す。

一般式（Ｃ）で表わされる化合物は、光学活性部位の
絶対配置がＲ型の場合、自発分極の極性は−型であり、
らせんのねじれの向きは右である（絶対配置がＳ型の場
合は、各々＋型及び左である。）。故にＢ成分であり、
一般式（Ｂ）で表わされる化合物の絶対配置が（S,S）
或いは（S,R）型の場合は、Ｃ成分であり、一般式
（Ｃ）で表わされる化合物の絶対配置がＲ型の物と組み
合わせることにより、らせんピツチの長い強誘電性液晶
組成物が得られる。

又、Ｂ成分であり、一般式（Ｂ）で表わされる化合物
の絶対配置が（R,R）或いは（R,S）型の場合は、Ｃ成分
であり、一般式（Ｃ）で表わされ、絶対配置がＳ型の化
合物を用いて、得られる混合物のらせんピツチの調節を
はかればよい。

Ｃ成分は、本発明の目的の強誘電性液晶組成物におい
ては、主にＢ成分に対するらせんピツチ調節剤として働
き、液晶組成物の応答性を損うことなしにらせんピツチ
を長くする役目を演じているが、あまり多量に使用する
と、SC^＊相の上限温度が低下したり、或いはＣ成分は液
晶性に乏しいため、Iso−Ｎ^＊−SA−SC^＊型相系列に悪
影響を及ぼすため、Ｃ成分の濃度は20重量％以下が望ま
しい。

本発明の強誘電性液晶組成物は前述したＡ成分、Ｂ成
分及びＣ成分の有する優れた特性を巧みに組合せること
に基づいている。特にＣ成分の化合物をSC^＊相及びＮ^＊
相におけるらせんピツチの調節を主目的にしてＢ成分の
化合物と組合せることにより、電気光学応答の高速化を
達成することに特徴がある。

ベースSC化合物として好適な（Ａ−Ｉ）式又は（Ａ−
II）式の化合物と、非常に大きな自発分極を示す（Ｂ−
III）式、（Ｂ−IV）式又は（Ｂ−Ｖ）式の光学活性液
晶とを含む強誘電性液晶組成物は既に本発明者等により
特願昭63−298156号又は特願平１−86715号に記載され
ている。これらの強誘電性組成物と本発明との相違はら
せんピツチ調節を目的として添加される、（Ｂ−III）
−（Ｂ−Ｖ）式の光学活性化合物とらせんの捩れの向き
が反対である化合物にある。これらの相異なる２種の強
誘電性液晶組成物の一例は後記する実施例１及び比較例
１にそれぞれ示される。これらの例に（Ｃ−VI）式の光
学活性化合物をらせんピツチ調節を目的に添加すること
によつて優れた応答性が得られることが示されている。

以上に述べたようなＡ、Ｂ及びＣの各成分の特性を巧
みに生かした本発明の強誘電性液晶組成物における各成
分の含量は、Ａ成分で55〜91重量％、Ｂ成分で５〜25重
量％、Ｃ成分で４〜20重量％である。Ｂ成分及びＣ成分
がそれぞれ５重量％及び４重量％に満たないときは得ら
れる組成物の高速応答が達成できないので好ましくな
い。Ｂ成分とＣ成分とは互いに反対のらせんの捩れの向
きを持ち、そのSC^＊相及びＮ^＊相におけるらせんの旋回
能を相殺する作用をなしているのでそれらの含量の割合
はＢ成分１重量に対しＣ成分が0.5〜２重量であること
が特に好ましい。

本発明の第二は前記第（10）項に記載のスメクチツク
Ｃ液晶混合物であり、その態様は前記第（11）項に記載
のスメクチツクＣ液晶混合物である。第（10）項に記載
の２−（４−アルキルフエニル）−５−アルキルピリミ
ジン化合物は斉藤等により発明されたスメクチツクＣ相
を有する新規の化合部である（特願平２−112598）。

本発明のスメクチツクＣ液晶混合物の成分としては
（Ａ−Ｉ）式で表わされるフエニルピリミジン化合物
の外に（Ａ−II″）式で表わされるビフエニリルピリミ
ジン化合物が好ましく用いられる。フエニルピリミジン
化合物のみからスメクチツクＣ混合物を構成すると得ら
れる混合物は比較的低い温度域にSC相を有することが多
く、またＮ相を欠くことが多い。これを改善して、SC相
温度域を高温側に拡張したり、Ｎ相を誘起させたりする
ためにビフエニリルピリジン化合物が好ましく用いられ
る。

（実施例）以下、実施例によつて本発明を更に詳細に説明する
が、本発明はこれらの実施例に限定されるものではな
い。

以下の各例における各種の測定はつぎの方法で行なつ
た。

自発分極値（Ps）はソーヤ・タウアー法にて測定し、
傾き角（θ）はホモジニアス配向されたセルに、臨界電
場以上の十分高い電場を印加し、らせん構造を消滅さ
せ、更に極性を反転させ、直交ニコル下における消光位
の移動角（２θに対応）より求めた。

応答時間は、配向処理を施した、電極間隔が２μｍの
セルに各組成物を注入し、実施例１〜９及び比較例１〜
３についてはVppが20V、1KHzの矩形波を印加した時の透
過光強度の変化から測定し、実施例12〜14及び実施例17
〜25についてはVppが40V、1KHzの矩形波を印加した時の
透過光強度の変化から測定した。

SC^＊ピツチは、セル厚約200μｍのホモジニアス配向
を施したセルを使用し、偏光顕微鏡下で、らせんピツチ
に対応する縞模様（デ・カイラリゼイシヨンライン）の
間隔を直接測定することにより求めた。

以上のPs、θ、応答時間及びSC^＊ピツチの測定はいず
れも25℃で行ない、後記のＮ^＊ピツチはＮ^＊相下限より
１℃高い温度で行なつた。

Ｎ^＊ピツチは、くさび型セルを使用し、偏光顕微鏡下
にて、線欠陥（デイスクリネイシヨンライン）の間隔
（ｌ）を測定し、くさび型セルの傾斜角をθとした時の
理論式Ｐ（ピツチ）＝2l・tanθを用いて間接的に求め
た。

以下の実施例及び比較例において、液晶組成物の成分
化合物として用いた化合物の表示は化合物番号を以つて
行ない、これらの化合物番号は前に記載した物のほか、
第８表〜第13表に定める。

実施例１下記の化合物からなるベースSC混合物Ｉを調製した。

このベース混合物I 80重量部に後記の化合物Ｂ−３及
び化合物Ｃ−１をそれぞれ10重量部ずつ、Ｂ成分及びＣ
成分として加えて液晶混合物１を調製した。

この液晶混合物１の相転移温度はであつた。また、この混合物１のPsは25nC/cm²、傾き角
は23゜、反応時間は80μsecであつた。

また、混合物１のＮ^＊相におけるらせんピツチは62℃
で11μｍ、SC^＊相におけるらせんピツチは25℃で６μｍ
であつた。

尚、この液晶混合物を、配向処理剤としてポリイミド
を塗布し、表面をラビングして平行配向処理を施したセ
ルギヤツプ２μｍの透明電極を備えたセルに注入し、Ｎ
^＊相からSC^＊相へ徐冷し（降温速度１℃／分）、一対の
偏光子を直交ニコル状態で設けてから顕微鏡観察したと
ころ、何ら欠陥のない均一な配向が得られていた。この
時のコントラスト比は1:20であつた。

比較例１実施例１の液晶混合物１においてＣ成分である化合物
Ｃ−１に代えて後記の光学活性化合物を用いて液晶混合物11を調製した。この混合物11の相転
移温度はであつた。また、この混合物は25℃においてPs値25nC/c
m³、傾き角24゜、応答時間153μsecを示した。またこの
混合物のSC^＊相及びＮ^＊相におけるらせんピツチはそれ
ぞれ25℃及び78℃において５μｍ及び９μｍであつた。

実施例２次の化合物からなる液晶混合物２を調製した。

化合物Ａ−６ 7.8重量％化合物Ａ−８ 7.8 〃化合物Ａ−10 7.8 〃化合物Ａ−11 7.8重量％化合物Ａ−31 11.7 〃化合物Ａ−33 11.7 〃化合物Ａ−34 11.7 〃化合物Ａ−36 11.7 〃化合物Ｂ−３ 12 〃化合物Ｃ−１ 10 〃この液晶混合物２の相転移温度はであり、自発分極値、傾き角及び応答時間はそれぞれ34
nC/cm³、22゜及び50μsecであつた。またらせんピツチ
はＮ^＊相において50μｍ以上であり、SC^＊相においては
厚さ10μｍの液晶セルではらせん構造が形成されない程
に長く、配向性は良好であつた。

実施例３以下に示される、11のＡ成分化合物、２つのＢ成分化
合物及び１つのＣ成分化合物からなる液晶混合物３を調
製した。

化合物Ａ−６ 10重量％化合物Ａ−７ 5 〃化合物Ａ−８ 5 〃化合物Ａ−９ 5 〃化合物Ａ−10 5 〃化合物Ａ−11 5 〃化合物Ａ−31 5 〃化合物Ａ−32 10 〃化合物Ａ−33 10 〃化合物Ａ−34 10 〃化合物Ａ−36 10 〃化合物Ｂ−３ 5 〃化合物Ｂ−４ 5 〃化合物Ｃ−２ 10 〃この液晶混合物３の相転移温度、自発分極の大きさ、
傾き角、SC^＊相ならびにＮ^＊相におけるらせんピツチ及
び応答時間を第14表に示す。

実施例４以下に示す、８つのＡ成分化合物、２つのＢ成分化合
物及び１つのＣ成分化合物からなる液晶混合物４を調製
した。

化合物Ａ−６ 5重量％化合物Ａ−８ 15 〃化合物Ａ−９ 10 〃化合物Ａ−11 7 〃化合物Ａ−31 15 〃化合物Ａ−33 15 〃化合物Ａ−35 10 〃化合物Ａ−36 5 〃化合物Ｂ−６ 3 〃化合物Ｂ−８ 7 〃化合物Ｃ−２ 8 〃この液晶混合物４の特性値を第14表に示す。

実施例５以下に示す、７つのＡ成分化合物、３つのＢ成分化合
物及び２つのＣ成分化合物からなる液晶混合物５を調製
した。

化合物Ａ−１ 21重量％化合物Ａ−３ 6 〃化合物Ａ−４ 14 〃化合物Ａ−31 17重量％化合物Ａ−32 5 〃化合物Ａ−34 14 〃化合物Ａ−35 5 〃化合物Ｂ−５ 4 〃化合物Ｂ−７ 4 〃化合物Ｂ−９ 4 〃化合物Ｃ−１ 3 〃化合物Ｃ−２ 3 〃この液晶混合物５の特性値を第14表に示す。

実施例６以下の８つのＡ成分化合物、３つのＢ成分化合物及び
２つのＣ成分化合物からなる液晶混合物６を調製した。

化合物Ａ−７ 7.3重量％化合物Ａ−８ 7.3 〃化合物Ａ−10 7.3 〃化合物Ａ−11 7.3 〃化合物Ａ−31 11 〃化合物Ａ−33 11 〃化合物Ａ−34 11 〃化合物Ａ−36 10.8 〃化合物Ｂ−２ 7 〃化合物Ｂ−９ 5 〃化合物Ｂ−10 3 〃化合物Ｃ−１ 5 〃化合物Ｃ−２ 7 〃この液晶混合物６の特性値を第14表に示す。

実施例７以下の14のＡ成分化合物、３つのＢ成分化合物及び１
つのＣ成分化合物からなる液晶混合物７を調製した。

化合物Ａ−１ 12重量％化合物Ａ−２ 8 〃化合物Ａ−４ 4 〃化合物Ａ−５ 4 〃化合物Ａ−７ 4 〃化合物Ａ−９ 4 〃化合物Ａ−10 4 〃化合物Ａ−11 4 〃化合物Ａ−31 6 化合物Ａ−32 8 化合物Ａ−33 6 化合物Ａ−34 6 化合物Ａ−35 4 化合物Ａ−36 6 化合物Ｂ−２ 3 化合物Ｂ−９ 8 化合物Ｂ−11 2 化合物Ｃ−１ 7 この液晶混合物７の特性値を第14表に示す。

実施例８化合物Ａ−７、化合物Ａ−８、化合物Ａ−10及び化合
物Ａ−11それぞれ10重量％及び化合物Ａ−31、化合物Ａ
−33、化合物Ａ−34及び化合物Ａ−35それぞれ15重量％
からなるベースSC混合物IIを調製し、このベースSC混合
物II 91重量部に化合物Ｂ−３の５重量部及び化合物Ｃ
−２の４重量部を加えてカイラルスメクチツク液晶混合
物８を調製した。

この液晶混合物８の特性値を第14表に示す。

比較例２実施例８で調製したベースSC混合物II 93重量部に化
合物Ｂ−３の４重量部及び化合物Ｃ−２の３重量部を加
えてカイラルスメクチツク液晶混合物12を調製した。こ
の液晶混合物12の特性値を第14表に示す。

実施例９化合物Ａ−８、化合物Ａ−９、化合物Ａ−10及び化合
物Ａ−11それぞれ10重量％及び化合物Ａ−31、化合物Ａ
−33、化合物Ａ−34及び化合物Ａ−36のそれぞれ15重量
％を混合してベースSC混合物IIIを調製し、このベースS
C混合物III 55重量部に化合物Ｂ−３の８重量部、化合
物Ｂ−８の17重量部及び化合物Ｃ−２の20重量部を加え
てカイラルスメクチツク液晶混合物９を調製した。

この液晶混合物９の特性値を第14表に示す。

比較例３実施例９に用いたベースSC混合物III 48重量部に化合
物Ｂ−３の10重量部、化合物Ｂ−８の20重量部及び化合
物Ｃ−２の22重量部を加えて液晶混合物13を調製した。
この液晶混合物13の特性値を第14表に示す。

実施例10 実施例２で調製した強誘電性液晶組成物２を、配向処
理剤としてポリイミドを塗布し、表面をラビングして平
行配向処理を施した、セルギヤツプ２μｍの透明電極を
備えたセルに注入し、液晶セルを作製した。この液晶セ
ルを直交ニコル状態に配置した２枚の偏光子の間にはさ
み、0.5Hz、20Vの低周波数の矩形波を印加したところ、
非常にコントラストが良い（1:20）、明瞭なスイツチン
グ動作が観察され、応答時間が25℃で31μsecと非常に
応答の速い液晶表示素子が得られた。

実施例11 実施例２にて調製した強誘電性液晶組成物２に、次式で表わされる、アントラキノン系色素Ｄ−16（BDH社
製）を３重量％添加して、ゲスト・ホスト型にした組成
物を調製した。この組成物を実施例９と同様な処理を施
したセルギヤツプ８μｍのセルに注入し、１枚の偏光子
を偏光面が分子軸に平行になるように配置し、0.5Hz、4
0Vの低周波数の交流を印加したところ、非常にコントラ
ストの良い（1:10）、明瞭なスイツチング動作が観察さ
れ、25℃における応答時間が85μsecと極めて応答の速
いカラー液晶表示素子が得られた。

実施例12 次の化合物からなる液晶混合物14を調製した。

化合物Ａ−１ 27.3重量％化合物Ａ−３ 7.8 〃化合物Ａ−４ 15.6 〃化合物Ａ−31 15.6 〃化合物Ａ−34 11.7 〃化合物Ｂ−３ 12.0 〃化合物Ｃ−１ 10.0 〃この液晶混合物14の相転移温度はであり、25℃におけるPs値は25.3nC/cm²、傾き角は23.2
゜、応答時間は57μsecであつた。この混合物のSC^＊相
およびＮ^＊相におけるらせんピツチはそれぞれ８μｍと
16μｍであつた。

実施例13 次の化合物からなる液晶混合物15を調製した。

化合物Ａ−４ 11.7重量％化合物Ａ−５ 15.6 〃化合物Ａ−20 19.5 〃化合物Ａ−21 15.6 〃化合物Ａ−22 15.6 〃化合物Ｂ−３ 12.0 〃化合物Ｃ−２ 10.0 〃この物の相転移温度はであり、25℃における特性値はそれぞれPs:35nC/cm²、
チルト角:20゜、応答時間:40μsec、SC^＊相らせんピツ
チ:7μｍであつた。また、Ｎ^＊相らせんピツチ（63℃に
おいて）は15μｍであつた。

実施例14 次の化合物からなる液晶混合物16を調製した。

化合物Ａ−22 19.5重量％化合物Ａ−31 28.1 〃化合物Ａ−33 5.5 〃化合物Ａ−34 21.8 〃化合物Ａ−35 3.1 〃化合物Ｂ−３ 12.0 〃化合物Ｃ−１ 10.0 〃この物の相転移温度はであり、25℃におけるPs値は34.7nC/cm²、チルト角は2
5.0゜、応答時間は26μsecであつた。

また、SC^＊相におけるらせんピツチは７μｍ、Ｎ^＊相
におけるらせんピツチは16μｍであつた。

一対のガラス基板上に透明電極を設け、その表面にポ
リイミド膜を塗布し、これにラビングして平行配向処理
を施した一対のガラス基板をセルギヤツプ２μｍを隔て
て対向させて組立てたセルに、前記の液晶混合物を封入
し、等方性液体の状態から降温速度１℃/minで徐冷して
SC^＊相液晶素子を作成した。この液晶素子を直交ニコル
状態にした一対の偏光板の間に挿入して顕微鏡で観察し
たところ欠陥のな均一な配向が観察された。またこの液
晶素子のコントラスト比は1:20であつた。

実施例15 後記の２つの（Ａ−１）式の化合物及び３つの（Ａ−
II）式の化合物とからなるベースSC混合物IVを調製し
た。

化合物Ａ−12 35重量％化合物Ａ−13 27 〃化合物Ａ−31 7 〃化合物Ａ−32 5 〃化合物Ａ−34 26 〃このベースSC混合物IVの相転移温度はであつた。

実施例16 （Ａ−Ｉ）式の化合物１つと（Ａ−II）式の化合物４
つとからなる後記の組成のベースSC混合物Ｖを調製し
た。

化合物Ａ−14 40重量％化合物Ａ−31 29 〃化合物Ａ−33 5 〃化合物Ａ−34 23 〃化合物Ａ−36 3 〃このベースSC混合物Ｖの相転移温度はであつた。

実施例17 実施例16と同様にしてベースSC混合物VIを調製した。

化合物Ａ−15 35重量％化合物Ａ−31 30 〃化合物Ａ−32 8 〃化合物Ａ−33 22 〃化合物Ａ−35 5 〃このベースSC混合物VIの相転移温度はであつた。

このベースSC混合物VI、（Ｂ−III）式の光学活性化
合物１つ及び（Ｃ−VI）式の光学活性化合物１つとから
なる後記の組成の強誘電性液晶混合物17を調製した。

ベースSC混合物VI 78重量％化合物Ｂ−３ 12 〃化合物Ｃ−１ 10 〃この液晶混合物17の相転移温度はであり、25℃における特性値はPs:24.8nC/cm²、チルト
角:17.8゜、応答時間:22μsec、SC^＊相ピツチ:9μｍで
あつた。また、Ｎ^＊相におけるらせんピツチは15μｍで
あつた。

実施例18〜25 実施例１と同様にして第15表乃至第22表に示すような
８個の液晶混合物18〜25を調製し、それらの特性値を同
様にして測定した。その結果を第23表に示す。

（発明の効果）本発明のごとく液晶化合物を組み合わせることによつ
て高速応答性を有し、なおかつ室温を含む広い温度範囲
にてSC^＊相を示す強誘電性液晶組成物とすることができ
た。

また本発明の液晶組成物を使用した光スイツチング素
子は、複屈折型表示方式でも、ゲスト・ホスト型表示方
式でも非常にコントラストのよい明瞭なスイツチング動
作をして、極めて応答の速い液晶表示素子である。

Claims

(57)【特許請求の範囲】

【請求項１】後記するＡ、Ｂ及びＣの三成分を含有し、
各成分の混合割合が三成分の合計量に対して、Ａ成分が
55〜91重量％、Ｂ成分が５〜25重量％、Ｃ成分が４〜20
重量％である強誘電性スメクチツクＣ液晶組成物。但し、Ａ成分は、一般式（式中、はそれぞれ独立にを示し、R¹及びR²はそれぞれ炭素数１〜18の同一又は相
異なる直鎖もしくは分岐のアルキル基、アルコキシ基又
はアルカノイルオキシ基を示し、Ｘは水素原子、ハロゲ
ン原子又はシアノ基を示し、、ｍ及びｎは０又は１の
整数を示し、（＋ｍ＋ｎ）は１又は２である。）で表
わされ、かつスメクチツクＣ相を有する化合物から選ば
れた少くとも一つの化合物であり、Ｂ成分は、一般式（式中、はそれぞれ独立を示し、Ｙは水素原子、ハロゲン原子又はシアノ基を示
し、ｋは０又は１の整数を示し、R³は炭素数１〜18の直
鎖もしくは分岐のアルキル基又はアルコキシ基を、R⁴は
炭素数２〜18のアルキル基又は炭素数１〜18の直鎖もし
くは分岐のアルコキシ基をそれぞれ示し、＊は不斉炭素
原子を示す。）で表わされ、スメクチツクＣ液晶に溶解
して誘起するカイラルスメクチツクＣ相における自発分
極の向きが互いに同一である光学活性化合物から選ばれ
た少くとも一つの化合物であり、Ｃ成分は、一般式（式中、はそれぞれ独立にを示し、Ｚは水素原子、ハロゲン原子又はシアノ基を示
し、R⁵及びR⁶はそれぞれ炭素数１〜18の同一又は相異な
る直鎖もしくは分岐のアルキル基又はアルコキシ基を示
し、＊は不斉炭素原子を示す。）で表わされ、かつ、ス
メクチツクＣ液晶に溶解して誘起するカイラルスメクチ
ツクＣ相における自発分極の向きがＢ成分の化合物のそ
れと同一である光学活性化合物から選ばれた少くとも一
つの化合物である。
【請求項２】特許請求の範囲第（１）項において、Ａ成
分が一般式（式中、R⁷及びR⁸はそれぞれ炭素数１〜18の同一又は相
異なる直鎖もしくは分岐のアルキル基、アルコキシ基又
はアルカノイルオキシ基を示す。）又は一般式（式中、R⁹及びR¹⁰はそれぞれ炭素数１〜18の同一又は
相異なる直鎖もしくは分岐のアルキル基又はアルコキシ
基を示す。）で表わされ、かつ、スメクチツクＣ相を有
する化合物から選ばれた少なくとも一つの化合物である
強誘電性スメクチツクＣ液晶組成物。
【請求項３】特許請求の範囲第（１）項において、Ｂ成
分が後記される三つの一般式のいずれかで表わされ、か
つ、スメクチツクＣ液晶に溶解して誘起するカイラルス
メクチツクＣ相における自発分極の向きが互いに同一で
ある光学活性化合物から選ばれた少くとも一つの化合物
である強誘電性スメクチツクＣ液晶組成物。（これらの式において、R¹¹、R¹³及びR¹⁵はそれぞれ独
立に炭素数１〜18の直鎖もしくは分岐のアルキル基又は
アルコキシ基を示し、R¹²、R¹⁴及びR¹⁶はそれぞれ独立
に炭素数２〜18の直鎖もしくは分岐のアルキル基又は炭
素数１〜18の直鎖もしくは分岐のアルコキシ基を示し、
＊は不斉炭素原子を示す。）
【請求項４】特許請求の範囲第（１）項において、Ｃ成
分が一般式（式中、R¹⁷及びR¹⁸はそれぞれ独立に炭素数１〜18の直
鎖もしくは分岐のアルキル基又はアルコキシ基を示し、
＊は不斉炭素原子を示す。）で表わされ、かつ、スメク
チツクＣ液晶に溶解して誘起するカイラルスメクチツク
Ｃ相における自発分極の向きがＢ成分の化合物のそれと
同一である光学活性化合物から選ばれた少くとも一つの
化合物である強誘電性スメクチツクＣ液晶組成物。
【請求項５】特許請求の範囲第（１）項において、Ａ成
分が一般式（式中、R⁷は炭素数５〜14の直鎖のアルキル基、アルコ
キシ基又はアルカノイルオキシ基を、R⁸は炭素数４〜16
の直鎖のアルキル基又はアルコキシ基を示す。）又は一
般式（式中、R⁹及びR¹⁰はそれぞれ独立に炭素数５〜10の直
鎖のアルキル基又はアルコキシ基を示す。）で表わさ
れ、かつ、スメクチツクＣ相を有する化合物から選ばれ
た少なくとも一つの化合物である強誘電性スメクチツク
Ｃ液晶組成物。
【請求項６】特許請求の範囲第（１）項において、Ａ成
分が一般式（式中、R⁷は炭素数６〜12の直鎖のアルキル基又はアル
コキシ基を、R⁸は炭素数６〜15の直鎖のアルコキシ基を
それぞれ示す。）又は一般式（式中、R⁹は炭素数５〜８の直鎖のアルキル基又はアル
コキシ基を、R¹⁰は炭素数６〜８の直鎖のアルキル基を
それぞれ示す。）で表わされ、かつ、スメクチツクＣ相
を有する化合物から選ばれた少くとも一つの化合物であ
る強誘電性スメクチツクＣ液晶組成物。
【請求項７】特許請求の範囲第（１）項において、Ａ成
分が一般式（式中、R⁷は炭素数７〜14のアルキル基を、R⁸は炭素数
10〜14のアルキル基をそれぞれ示す。）又は一般式（式中、R⁹は炭素数５〜８の直鎖のアルキル基又はアル
コキシ基を、R¹⁰は炭素数６〜８の直鎖のアルキル基を
それぞれ示す。）で表わされ、かつ、スメクチツクＣ相を有する化合物か
ら選ばれた少くとも一つの化合物である強誘電性スメク
チツクＣ液晶組成物。
【請求項８】特許請求の範囲第（１）項において、Ｂ成
分が後記される三つの一般式の何れかで表わされる光学
活性化合物から選ばれ、かつ、スメクチツクＣ液晶に溶
解して誘起するカイラルスメクチツクＣ相における自発
分極の向きが互いに同一である光学活性化合物から選ば
れた少くとも一つの化合物である強誘電性スメクチツク
Ｃ液晶組成物。（これらの式において、R¹¹及びR¹³はそれぞれ独立に炭
素数３〜10の直鎖のアルキル基又はアルコキシ基を示
し、R¹⁵は炭素数３〜12の直鎖のアルキル基又はアルコ
キシ基を示し、R¹²、R¹⁴及びR¹⁶はそれぞれ独立に炭素
数２〜10の直鎖のアルキル基又はアルコキシ基を示し、
＊は不斉炭素原子を示す。）
【請求項９】特許請求の範囲第（１）項において、Ｃ成
分が一般式（式中、R¹⁷は炭素数３〜10の直鎖のアルコキシ基を、R
¹⁸は炭素数２〜６のアルキル基をそれぞれ示し、＊は不
斉炭素原子を示す。）で表わされ、かつ、スメクチツク
Ｃ液晶に溶解して誘起するカイラルスメクチツクＣ相に
おける自発分極の向きがＢ成分の化合物のそれと同一で
ある光学活性化合物から選ばれた少くとも一つの化合物
である強誘電性スメクチツクＣ液晶組成物。
【請求項１０】スメクチツクＣ相を有する少くとも２個
の成分からなり、該成分の少くとも一つが一般式（式中、R⁷は炭素数７〜14のアルキル基を、R⁸は炭素数
10〜14のアルキル基をそれぞれ示す。）で表わされ、か
つ、スメクチツクＣ相を有する化合物である、スメクチ
ツクＣ液晶混合物。
【請求項１１】スメクチツクＣ相を有する少くとも２個
の成分が、特許請求の範囲第（10）項に記載の化合物及
び一般式（式中、R⁹は炭素数５〜８の直鎖のアルキル基を、R¹⁰
は炭素数６〜８の直鎖のアルキル基をそれぞれ示す。）
で表わされ、かつ、スメクチツクＣ相を有する化合物で
あるスメクチツクＣ液晶混合物。
【請求項１２】特許請求の範囲第（１）項ないし第
（９）項のいずれか一項に記載の強誘電性スメクチツク
Ｃ液晶組成物を用いることを特徴とする光スイツチング
素子。