JP2921250B2 - Mirror polishing method and apparatus for wafer chamfer - Google Patents
Mirror polishing method and apparatus for wafer chamferInfo
- Publication number
- JP2921250B2 JP2921250B2 JP7582992A JP7582992A JP2921250B2 JP 2921250 B2 JP2921250 B2 JP 2921250B2 JP 7582992 A JP7582992 A JP 7582992A JP 7582992 A JP7582992 A JP 7582992A JP 2921250 B2 JP2921250 B2 JP 2921250B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- buff
- wafer
- cylindrical
- mirror
- rotating
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Landscapes
- Grinding And Polishing Of Tertiary Curved Surfaces And Surfaces With Complex Shapes (AREA)
- Polishing Bodies And Polishing Tools (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
Description
【0001】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は、半導体ウエーハ(以
下、ウエーハと略称する)の面取部を鏡面研磨する方法
及び装置に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method and an apparatus for mirror-polishing a chamfered portion of a semiconductor wafer (hereinafter abbreviated as "wafer").
【0002】[0002]
【従来の技術】半導体デバイスの基板として用いられる
ウエーハは、例えばシリコン等の単結晶インゴットをそ
の棒軸方向に対して直角にスライスし、スライスして得
られたものに対して、面取り、ラッピング、エッチン
グ、アニーリング、ポリッシング等の工程を経ることに
よって製造される。2. Description of the Related Art A wafer used as a substrate of a semiconductor device is obtained by slicing a single crystal ingot such as silicon at a right angle to the rod axis direction, and chamfering, lapping, It is manufactured by going through processes such as etching, annealing, and polishing.
【0003】ところで、前述のようなウエーハ製造工程
において従来行なわれている面取りは、ウエーハエッジ
部におけるチッピングの防止を主要な目的とするもので
あり、この面取りにおいては、通常、硬剛性砥石によっ
てウエーハエッジ部分を削り取る方法が採用されてい
た。[0003] By the way, the chamfering conventionally performed in the above-described wafer manufacturing process has a main purpose of preventing chipping at a wafer edge portion. In this chamfering, usually, a wafer is hardened by a hard and rigid grindstone. The method of shaving off the edge part was adopted.
【0004】しかし、近年、半導体デバイスがより高密
度化するに従って、その製造工程における粉塵対策は一
層厳しくなり、その素材であるウエーハに対しても発塵
の無いことが重要な要件となり、その結果、ウエーハ面
取部に対しても、ウエーハの鏡面部並に研磨する必要性
が高まってきた。However, in recent years, as the density of semiconductor devices has become higher, measures against dust in the manufacturing process have become more severe, and it has become an important requirement that the wafer, which is the material, is free from dust. Also, the necessity of polishing a wafer chamfered part to the same level as a mirror part of a wafer has been increasing.
【0005】而して、ウエーハのエッジ部分を鏡面研磨
する方法の態様は種々あるが、その一例を図6に示す。
即ち、図6に示す鏡面研磨方法は円筒総形バフ(特に外
筒総形バフ)140を用いる方法であって、円筒総形バ
フ140は弾性体から成り、その外周部には、ウエーハ
Wの外周面取部W1の形状に倣った加工溝140aが全
周に亘って形成されている。[0005] There are various modes of mirror polishing the edge portion of the wafer. One example is shown in FIG.
That is, the mirror polishing method shown in FIG. 6 is a method using a cylindrical full-shaped buff (particularly, an external cylindrical full-shaped buff) 140. The cylindrical full-shaped buff 140 is made of an elastic body, and the outer periphery of the wafer W A processing groove 140a that follows the shape of the outer chamfer W1 is formed over the entire circumference.
【0006】斯かる方法において上記円筒総形バフ14
0とウエーハWを共に図示矢印方向に回転駆動し、不図
示のスラリー(研磨液)を供給しながら、ウエーハWの
外周面取部W1を円筒総形バフ140の加工溝140a
に押圧することによって、ウエーハWの外周面取部W1
が鏡面研磨される。In such a method, the cylindrical buff 14 is used.
0 and the wafer W are both driven to rotate in the direction of the arrow shown in the figure, and while supplying a slurry (polishing liquid) (not shown), the outer peripheral chamfered portion W1 of the wafer W is machined by the processing groove 140a of the cylindrical buff 140.
To the outer peripheral chamfer W1 of the wafer W.
Is mirror polished.
【0007】[0007]
【発明が解決しようとする課題】ところで、上記鏡面研
磨においては、円筒総形バフ140の加工溝140aの
形状とウエーハWの外周面取部W1の形状が合致してい
て(つまり、ウエーハWの外周面取部W1が加工溝14
0aに全面接触して)外周面取部W1がその全面に亘っ
て均一に鏡面研磨されることが望ましい。By the way, in the above-mentioned mirror polishing, the shape of the processing groove 140a of the cylindrical buff 140 and the shape of the outer chamfer W1 of the wafer W match (that is, the shape of the wafer W). Outer chamfer W1 is machined groove 14
It is preferable that the outer peripheral chamfered portion W1 is uniformly mirror-polished over the entire surface (in contact with the entire surface 0a).
【0008】ところが、実際には、円筒総形バフ140
の加工溝140aの形状とウエーハWの外周面取部W1
の形状とを常に正確に一致せしめることは至難であっ
て、両者の形状が異なっているのが現実である。However, actually, the cylindrical buff 140
Of the processing groove 140a and the outer chamfer W1 of the wafer W
It is extremely difficult to always make the shape exactly match the shape of the shape, and it is a reality that both shapes are different.
【0009】そこで、円筒総形バフ140を柔らかな材
質で構成し、該円筒総形バフ140の弾性変形によって
ウエーハWの外周面取部W1の加工溝140aに対する
全面接触を実現し、ウエーハWの外周面取部W1をその
全面に亘って均一に鏡面研磨することが提案される。Therefore, the cylindrical buff 140 is made of a soft material, and the entire surface of the outer peripheral chamfer W1 of the wafer W is brought into contact with the processing groove 140a by elastic deformation of the cylindrical buff 140. It is proposed that the outer chamfer W1 be uniformly mirror-polished over the entire surface.
【0010】しかしながら、上記のようにバフが柔らか
いと、その摩耗が激しく、寿命が短くなり、しかも研磨
に要する時間が長くなるという問題がある。However, if the buff is soft as described above, there is a problem that the buff is severely worn, the life is shortened, and the time required for polishing is prolonged.
【0011】本発明は上記問題に鑑みてなされたもの
で、その目的とする処は、バフの長寿命を確保しつつ、
低コストでウエーハの外周面取部を均一に平滑鏡面化す
ることができるウエーハ外周面取部の鏡面研磨方法及び
装置を提供することにある。[0011] The present invention has been made in view of the above problems, and a purpose thereof is to ensure a long life of a buff,
An object of the present invention is to provide a method and an apparatus for mirror-polishing a wafer outer peripheral chamfer that can uniformly and smoothly mirror the outer peripheral chamfer of the wafer at low cost.
【0012】[0012]
【課題を解決するための手段】上記目的を達成すべく本
発明方法は、円筒総形バフに多段に形成された断面形状
の異なる複数の加工溝に、回転するウエーハの面取部を
順次押圧して該ウエーハの面取部全周を鏡面研磨するこ
とをその特徴とする。In order to achieve the above object, a method of the present invention comprises sequentially pressing a chamfered portion of a rotating wafer into a plurality of processing grooves having different cross-sectional shapes formed in a multistage cylindrical buff. Then, the entire periphery of the chamfered portion of the wafer is mirror-polished.
【0013】又、本発明は、断面形状の異なる複数の加
工溝を多段に形成して成る円筒総形バフと、該円筒総形
バフを回転駆動するバフ回転手段と、同円筒総形バフを
これの軸方向に移動させるバフ移動手段と、ウエーハを
保持してこれを回転駆動するウエーハ回転手段と、ウエ
ーハを前記円筒総形バフの各加工溝に押圧する押圧手段
を含んで鏡面研磨装置を構成したことをその特徴とす
る。Further, the present invention provides a cylindrical buff formed by forming a plurality of processing grooves having different cross-sectional shapes in multiple stages, a buff rotating means for rotating and driving the cylindrical buff, and a cylindrical buff. A mirror polishing apparatus including a buff moving means for moving the wafer in the axial direction, a wafer rotating means for holding and rotating the wafer, and a pressing means for pressing the wafer against each processing groove of the cylindrical overall buff. The feature is that it is configured.
【0014】[0014]
【作用】本発明によれば、円筒総形バフに多段に形成さ
れた複数の加工溝の断面形状が互いに異なるため、ウエ
ーハを回転させながらその外周面取部を円筒総形バフの
複数の加工溝に順次押圧すれば、ウエーハの外周面取部
が断面形状の異なる複数の加工溝によって鏡面研磨さ
れ、ウエーハの外周面取部に未研磨部分が残らず、該外
周面取部の全面が均一に平滑鏡面化されて該ウエーハの
品質が高められる。According to the present invention, since the cross-sectional shapes of a plurality of machining grooves formed in a multi-stage on the cylindrical buff are different from each other, the outer peripheral chamfered portion is formed on the cylindrical buff while rotating the wafer. If the grooves are sequentially pressed, the outer chamfered portion of the wafer is mirror-polished by a plurality of processing grooves having different cross-sectional shapes, leaving no unpolished portion on the outer chamfered portion of the wafer, and the entire outer chamfered portion is uniform. The surface of the wafer is smoothened to improve the quality of the wafer.
【0015】又、本発明は、装置の構成が簡素となる総
形バフ方式を採用するため、低コストで鏡面研磨を実施
することができる。Further, since the present invention employs a general buffing method in which the structure of the apparatus is simplified, mirror polishing can be performed at low cost.
【0016】更に、本発明においては、円筒総形バフの
材質として、硬質ポリウレタン樹脂や同樹脂から成る合
成皮革、ポリエステル樹脂、フッ素樹脂等の比較的硬質
な弾性体材料を用いることにより、円筒総形バフの摩耗
を小さく抑えてその寿命の延長を図ることができる。Further, in the present invention, a relatively hard elastic material such as a hard polyurethane resin or a synthetic leather made of the same resin, a polyester resin, a fluororesin, or the like is used as a material of the cylindrical overall buff so that the cylindrical overall buff can be used. The life of the shape buff can be extended by keeping the wear of the shape buff small.
【0017】[0017]
【実施例】以下に本発明の実施例を添付図面に基づいて
説明する。Embodiments of the present invention will be described below with reference to the accompanying drawings.
【0018】図1は本発明に係る鏡面研磨装置の縦断面
図、図2は同装置のバフ駆動装置の縦断面図、図3は図
1のA−A線断面図、図4はウエーハの外周面取部の断
面図である。FIG. 1 is a longitudinal sectional view of a mirror polishing apparatus according to the present invention, FIG. 2 is a longitudinal sectional view of a buff drive unit of the apparatus, FIG. 3 is a sectional view taken along line AA of FIG. 1, and FIG. It is sectional drawing of an outer peripheral chamfer.
【0019】図1に示す鏡面研磨装置1において、2は
基台であって、該基台2上にはバフ軸台3が水平移動自
在に設置されており、該バフ軸台3の下面に突設された
ステイ3aには、基台2に回転自在に支承されたネジ軸
4が螺合しており、ネジ軸4の端部に結着されたハンド
ル5にてネジ軸4を回すことによってバフ軸台3を図示
矢印方向(図1の左右方向)に移動させることができ
る。In the mirror polishing apparatus 1 shown in FIG. 1, reference numeral 2 denotes a base, on which a buff head 3 is installed so as to be horizontally movable. A screw shaft 4 rotatably supported on the base 2 is screwed into the projecting stay 3a, and the screw shaft 4 is turned by a handle 5 attached to an end of the screw shaft 4. Thus, the buff head 3 can be moved in the direction of the arrow shown in the figure (the left-right direction in FIG. 1).
【0020】又、上記バフ軸台3上には側面視コの字状
の枠体6が水平移動自在に設置されており、該枠体6は
バフ軸台3上に設置されたシリンダー7によって図示矢
印方向(図1の左右方向)に移動せしめられる。即ち、
枠体6はシリンダー7から延出するロッド7aに連結さ
れており、シリンダー7を駆動してロッド7aを進退動
させることによって枠体6はバフ軸台3上を図示矢印方
向に移動せしめられる。A U-shaped frame 6 is provided on the buff shaft 3 so as to be horizontally movable. The frame 6 is moved by a cylinder 7 mounted on the buff shaft 3. It is moved in the direction of the arrow shown in the figure (the left-right direction in FIG. 1). That is,
The frame 6 is connected to a rod 7a extending from the cylinder 7. By driving the cylinder 7 to move the rod 7a forward and backward, the frame 6 is moved on the buff shaft 3 in the direction of the arrow shown in the figure.
【0021】上記枠体6の下部にはマスター支持台8が
水平移動自在に設置されており、このマスター支持台8
には円板状のマスター9が軸10によって水平回転自在
に支承されている。そして、マスター支持台8には、枠
体6に回転自在に支承されたネジ軸11が螺合してお
り、ハンドル12にてネジ軸11を回すことによってマ
スター支持台8を枠体6上で図示矢印方向(図1の左右
方向)に移動させることができる。A master support 8 is mounted below the frame 6 so as to be horizontally movable.
In the figure, a disk-shaped master 9 is supported by a shaft 10 so as to be freely rotatable horizontally. A screw shaft 11 rotatably supported by the frame 6 is screwed to the master support 8, and by turning the screw shaft 11 with the handle 12, the master support 8 is placed on the frame 6. It can be moved in the direction of the arrow shown in FIG.
【0022】一方、前記枠体6の上部にはバフ駆動装置
20が取り付けられており、該バフ駆動装置20から鉛
直下方に延出する回転軸21には外筒総形バフ40が結
着されている。外筒総形バフ40は、図2に詳細に示す
ように、その外周に断面形状の異なる4つの加工溝40
a,40b,40c,40dを多段に形成して構成さ
れ、本実施例では各加工溝40a,40b,40c,4
0dの挟角θ1,θ2,θ3,θ4はそれぞれ20°,
40°,60°,180°(ストレート)に設定されて
いる。尚、外筒総形バフ40には、適度の弾性を有する
こと、スラリー中の研磨剤微粒子を保持すること、作用
圧力や使用スラリーに対して化学的及び機械的に耐えら
れること等の特性を有することが要求されるが、その材
質としては、硬質ポリウレタン樹脂や同樹脂から成る合
成皮革、ポリエステル樹脂、フッ素樹脂等の比較的硬質
な弾性体材料が用いられる。On the other hand, a buff driving device 20 is mounted on the upper part of the frame 6, and a rotary shaft 21 extending vertically downward from the buff driving device 20 is connected with an external cylinder buff 40. ing. As shown in detail in FIG. 2, the outer cylinder buff 40 has four processing grooves 40 having different cross-sectional shapes on its outer periphery.
a, 40b, 40c, and 40d are formed in multiple stages, and in this embodiment, each of the processing grooves 40a, 40b, 40c, and 4 is formed.
The included angles θ1, θ2, θ3, θ4 of 0d are respectively 20 °,
The angles are set to 40 °, 60 °, and 180 ° (straight). The outer cylinder buff 40 has characteristics such as having appropriate elasticity, retaining abrasive particles in the slurry, and being chemically and mechanically resistant to the working pressure and the used slurry. It is required to have, but as the material thereof, a relatively hard elastic material such as a hard polyurethane resin or a synthetic leather made of the same resin, a polyester resin, a fluororesin or the like is used.
【0023】ここで、前記バフ駆動装置20の構成の詳
細を図2に基づいて説明する。Here, the configuration of the buff drive device 20 will be described in detail with reference to FIG.
【0024】図2に示すバフ駆動装置20において、前
記回転軸21はケーシング22を上下動自在に貫通して
おり、これの中間部はベアリング23を介してスライダ
ー24によって保持されている。In the buff drive device 20 shown in FIG. 2, the rotary shaft 21 penetrates the casing 22 so as to be vertically movable, and an intermediate portion thereof is held by a slider 24 via a bearing 23.
【0025】一方、ケーシング22の上部には2つのモ
ーター25,26が並設されており、一方のモーター2
5から鉛直下方に延出する出力軸27に形成されたネジ
部27aには前記スライダー24が上下動自在に螺合し
ている。又、他方のモーター26から鉛直下方に延出す
る出力軸28の下端にはプーリー29が結着されてお
り、このプーリー29と、前記出力軸21の上部に形成
されたスプライン21aに上下動自在に嵌合するプーリ
ー30との間にはVベルト31が巻装されている。On the other hand, two motors 25 and 26 are provided in the upper part of the casing 22 so that one motor 2
The slider 24 is threadably engaged with a screw portion 27a formed on an output shaft 27 extending vertically downward from the vertical direction. A pulley 29 is connected to the lower end of an output shaft 28 extending vertically downward from the other motor 26. The pulley 29 and a spline 21a formed on the upper portion of the output shaft 21 can be freely moved up and down. A V-belt 31 is wound between the pulley 30 and the V-belt 31.
【0026】尚、前記モーター25、出力軸27、スラ
イダー24等は外筒総形バフ40を軸方向(上下方向)
に移動させるためのバフ移動手段を構成し、モーター2
6、プーリー29,30、Vベルト31等は外筒総形バ
フ40を回転駆動するためのバフ回転手段を構成してい
る。The motor 25, the output shaft 27, the slider 24, and the like are formed by moving the outer cylinder buff 40 in the axial direction (vertical direction).
Buffing means for moving the motor 2
6, the pulleys 29 and 30, the V-belt 31 and the like constitute buff rotating means for rotating and driving the external cylinder buff 40.
【0027】ところで、図1に示すように、前記軸10
上には、前記外筒総形バフ40の高さ位置(軸方向移
動)を検出するための非接触式の位置センサー32が設
置されており、該位置センサー32は制御手段であるコ
ントローラー50に電気的に接続されている。そして、
コントローラー50は前記モーター25に電気的に接続
されており、これは位置センサー32からの入力信号を
受けてこれに応じた制御信号をモーター25に発信す
る。By the way, as shown in FIG.
A non-contact type position sensor 32 for detecting the height position (axial movement) of the outer cylinder buff 40 is provided on the upper side, and the position sensor 32 is provided to a controller 50 as control means. It is electrically connected. And
The controller 50 is electrically connected to the motor 25, which receives an input signal from the position sensor 32 and transmits a corresponding control signal to the motor 25.
【0028】他方、前記基台2には鉛直に立設された回
転軸51が上下のベアリング52を介して回転自在に支
承されており、該回転軸51の下端にはプーリー53が
結着されている。又、基台2の回転軸51の側方にはモ
ーター54が設置されており、該モーター54から鉛直
下方に延出する出力軸55の下端にはプーリー56が結
着されており、該プーリー56と前記プーリー53との
間にはベルト57が巻装されている。尚、上記モーター
54、プーリー53,56、ベルト57、回転軸51等
はウエーハ回転手段を構成している。On the other hand, a vertical rotating shaft 51 is rotatably supported on the base 2 via upper and lower bearings 52. A pulley 53 is connected to the lower end of the rotating shaft 51. ing. A motor 54 is provided on the side of the rotating shaft 51 of the base 2, and a pulley 56 is connected to a lower end of an output shaft 55 extending vertically downward from the motor 54. A belt 57 is wound between 56 and the pulley 53. The motor 54, the pulleys 53 and 56, the belt 57, the rotating shaft 51 and the like constitute a wafer rotating means.
【0029】又、上記回転軸51の上端には皿状のフラ
ンジ部58が一体に形成されており、このフランジ部5
8には円板状の吸着板59がボールベアリング60にて
任意の方向に水平移動自在に保持されており、該吸着板
59は、これとフランジ部58との間に介設された平面
視六角形を成す板バネ61によってその中心が回転軸5
1の中心に一致するよう付勢されている。そして、この
吸着板59の下面にはトルク伝達用のピン62が突設さ
れており、該ピン62は回転軸51のフランジ部58に
形成された長孔58aに係合している。又、吸着板59
の中央部上面には円形の吸着溝59aが開口しており、
該吸着溝59aは真空路63を介して真空ポンプ等の不
図示の真空源に接続されている。更に、吸着板59の下
面にはリング状のモデル64が結着されている。A dish-shaped flange 58 is integrally formed at the upper end of the rotary shaft 51.
8, a disc-shaped suction plate 59 is held by a ball bearing 60 so as to be horizontally movable in an arbitrary direction. The suction plate 59 is provided between the flange plate 58 and this in a plan view. The center of the rotary shaft 5 is formed by a hexagonal plate spring 61.
1 is biased to coincide with the center. A pin 62 for transmitting torque is projected from the lower surface of the suction plate 59, and the pin 62 is engaged with a long hole 58 a formed in the flange portion 58 of the rotating shaft 51. Also, the suction plate 59
A circular suction groove 59a is opened on the upper surface of the central part of
The suction groove 59a is connected via a vacuum path 63 to a vacuum source (not shown) such as a vacuum pump. Further, a ring-shaped model 64 is attached to the lower surface of the suction plate 59.
【0030】又、基台2にはウエーハ押圧手段70が設
置されており、該ウエーハ押圧手段70においては、7
1はシリンダー、72はリニアガイド73によって図示
矢印方向(図1の左右方向)に摺動自在に保持されたプ
ッシャーであって、該プッシャー72の一端には前記シ
リンダー71のロッド71aが当接している。又、図3
に示すように、プッシャー72の他端両側にはアーム7
4がその中間部を回動自在に枢着されている。そして、
各アーム74の一端はスプリング75を介してプッシャ
ー72に連結されており、同アーム74の他端にはロー
ラー76が回転自在に支持されており、ローラー76は
前記吸着板59の外周部に当接している。A wafer pressing means 70 is provided on the base 2, and the wafer pressing means 70
Reference numeral 1 denotes a cylinder, and 72 denotes a pusher slidably held by a linear guide 73 in a direction indicated by an arrow (in the horizontal direction in FIG. 1). One end of the pusher 72 is in contact with a rod 71a of the cylinder 71. I have. FIG.
As shown in FIG.
4 is pivotally connected at its intermediate portion so as to be freely rotatable. And
One end of each arm 74 is connected to a pusher 72 via a spring 75, and a roller 76 is rotatably supported at the other end of the arm 74. The roller 76 contacts the outer peripheral portion of the suction plate 59. In contact.
【0031】次に、本鏡面研磨装置1の作用を説明す
る。Next, the operation of the mirror polishing apparatus 1 will be described.
【0032】先ず、ハンドル5によってネジ軸4を回
し、マスター支持台8を枠体6上で図示矢印方向に移動
させてマスター9の回転中心を外筒総形バフ40の回転
中心に一致せしめる。次に、シリンダー7を駆動して枠
体6全体をバフ軸台3上で移動させてマスター9をモデ
ル64の外周に当接させと、外筒総形バフ40が基台2
上で位置決めされる。First, the screw shaft 4 is turned by the handle 5, and the master support 8 is moved in the direction of the arrow on the frame 6 so that the center of rotation of the master 9 coincides with the center of rotation of the outer cylinder buff 40. Next, the cylinder 7 is driven to move the entire frame body 6 on the buff shaft stand 3 to bring the master 9 into contact with the outer periphery of the model 64.
Is positioned above.
【0033】一方、吸着板59上にはウエーハWが載置
され、不図示の真空源を駆動すれば、吸着板59に開口
する吸着溝59aには負圧が発生するため、この負圧に
よってウエーハWが吸着板59上に真空吸着される。
尚、このとき、ウエーハ押圧手段70のシリンダー71
は非作動状態にあり、ウエーハWは円外筒総形バフ40
から離れている。On the other hand, when a wafer W is placed on the suction plate 59 and a vacuum source (not shown) is driven, a negative pressure is generated in the suction groove 59a opened in the suction plate 59. The wafer W is vacuum-sucked on the suction plate 59.
At this time, the cylinder 71 of the wafer pressing means 70
Is in a non-operation state, and the wafer W is a circular outer cylinder buff 40
Away from
【0034】次に、モーター26を駆動すれば、これの
回転は出力軸28、プーリー29、Vベルト31及びプ
ーリー30を経て回転軸21に伝達され、回転軸21及
び円筒総形バフ40が所定の速度で一体的に回転駆動さ
れる。同様にモーター54を駆動すれば、これの回転は
出力軸55、プーリー56、ベルト57及びプーリー5
3を経て回転軸51に伝達され、該回転軸51が所定の
速度で回転駆動されるが、この回転軸51の回転は更に
ピン62を経て吸着板59にも伝達され、該吸着板59
及びウエーハWが所定の速度で回転駆動される。Next, when the motor 26 is driven, the rotation thereof is transmitted to the rotating shaft 21 via the output shaft 28, the pulley 29, the V-belt 31, and the pulley 30, so that the rotating shaft 21 and the cylindrical buff 40 are fixed. Are integrally rotated at the speed of. Similarly, if the motor 54 is driven, the rotation of the output shaft 55, the pulley 56, the belt 57 and the pulley 5
The rotation of the rotation shaft 51 is further transmitted to the suction plate 59 via the pin 62, and the rotation of the rotation shaft 51 is further transmitted to the suction plate 59 via the pin 62.
And the wafer W is rotationally driven at a predetermined speed.
【0035】その後、モーター26を駆動すれば、これ
の出力軸27が所定の方向に回転し、該出力軸27のネ
ジ部27aに螺合するスライダー24が下降するため、
該スライダー24に保持された回転軸21も外筒総形バ
フ40と共に下降する。このとき、外筒総形バフ40の
高さ位置は前記位置センサー32によって検出されてお
り、この位置センサー32の検出信号はコントローラー
50に送られ、コントローラー50はこの検出信号を受
信して円筒総形バフ40の外周に形成された最上段の加
工溝40aがウエーハWの高さ位置に一致したときに、
モーター25に制御信号を送って該モーター25の駆動
を停止せしめる。すると、円筒総形バフ40は、その最
上段の加工溝40aがウエーハWの高さ位置に一致した
状態で回転駆動される。尚、回転軸21が上述のように
下降しても、プーリー30は該回転軸21にスプライン
嵌合しているため、該プーリー30の高さ位置は不変で
あって、モーター26の回転はプーリー29、Vベルト
31及びプーリー30を経て問題なく回転軸21に伝達
される。Thereafter, when the motor 26 is driven, the output shaft 27 rotates in a predetermined direction, and the slider 24 screwed into the screw portion 27a of the output shaft 27 descends.
The rotating shaft 21 held by the slider 24 also descends together with the outer cylinder buff 40. At this time, the height position of the outer cylinder buff 40 is detected by the position sensor 32, and a detection signal of the position sensor 32 is sent to the controller 50, and the controller 50 receives this detection signal and When the uppermost processing groove 40a formed on the outer periphery of the shape buff 40 coincides with the height position of the wafer W,
A control signal is sent to the motor 25 to stop driving the motor 25. Then, the cylindrical full-shaped buff 40 is driven to rotate in a state where the uppermost processing groove 40a coincides with the height position of the wafer W. Even if the rotating shaft 21 is lowered as described above, since the pulley 30 is spline-fitted to the rotating shaft 21, the height position of the pulley 30 is unchanged, and the rotation of the motor 26 is It is transmitted to the rotating shaft 21 through the V-belt 31 and the pulley 30 without any problem.
【0036】上記状態からウエーハ押圧手段70のシリ
ンダー71を駆動してこれのロッド71aを伸長させれ
ば、プッシャー72はロッド71aに押されて吸着板5
9方向に移動するため、該プッシャー72に保持された
アーム74がこれの先部に取り付けられたローラ76を
介して吸着板59及びウエーハWを外筒総形バフ40方
向に押圧し、吸着板59及びウエーハWが外筒総形バフ
40方向に移動してウエーハWの外周面取部W1が最上
段の加工溝40aに押圧され、該外周面取部W1は加工
溝40aとの相対滑りによって鏡面研磨される。尚、図
示しないが、研磨加工中、ウエーハWの外周面取部W1
にはスラリーが供給される。When the cylinder 71 of the wafer pressing means 70 is driven to extend the rod 71a from the above state, the pusher 72 is pushed by the rod 71a and the suction plate 5 is pushed.
In order to move in nine directions, the arm 74 held by the pusher 72 presses the suction plate 59 and the wafer W in the direction of the outer cylinder buff 40 via a roller 76 attached to the tip of the arm 74, and the suction plate 59 and the wafer W are moved in the direction of the outer cylinder buff 40 and the outer peripheral chamfered portion W1 of the wafer W is pressed by the uppermost processing groove 40a, and the outer peripheral chamfered portion W1 is slid relative to the processing groove 40a. Mirror polished. Although not shown, the outer peripheral chamfered portion W1 of the wafer W during the polishing process.
Is supplied with a slurry.
【0037】而して、最上段の加工溝40aは前述のよ
うにその挟角θ1が20°に設定されているため、図4
に示すようにウエーハWの外周面取部W1のうち挟角θ
1=20°の直線aに接触する部分が先ず最上段の加工
溝40aによって鏡面研磨される。As described above, since the included angle θ1 of the uppermost processing groove 40a is set to 20 °, as shown in FIG.
As shown in FIG.
A portion in contact with the straight line a at 1 = 20 ° is first mirror-polished by the uppermost processing groove 40a.
【0038】上記のように最上段の加工溝40aによる
鏡面研磨が終了すると、ウエーハ押圧手段70のシリン
ダー71の駆動が解除される。すると、吸着板59とウ
エーハWは板バネ61の調心作用によってそれらの中心
が回転軸51の中心に一致する位置まで移動せしめられ
るため、ウエーハWは外筒総形バフ40から離脱する。When the mirror polishing by the uppermost processing groove 40a is completed as described above, the driving of the cylinder 71 of the wafer pressing means 70 is released. Then, the suction plate 59 and the wafer W are moved to a position where the centers thereof coincide with the center of the rotary shaft 51 by the centering action of the leaf spring 61, and the wafer W is separated from the outer cylinder overall buff 40.
【0039】次に、コントローラー50はモーター25
に制御信号を送って該モーター25を駆動し、前述と同
様の作用によって回転軸21及び外筒総形バフ40を下
降せしめる。このとき、外筒総形バフ40の下降量(軸
方向移動量)は位置センサー32によって検出され、そ
の検出信号はコントローラー50に送信される。コント
ローラー50は位置センサー32からの検出信号によっ
て外筒総形バフ40の下降量を算出し、これが所定値
(最上段の加工溝40aと2段目の加工溝40bの間の
ピッチP1)に達すると、即ち、2段目の加工溝40b
がウエーハWの高さ位置に一致した時点で、モーター2
5に制御信号を送って該モーター25の駆動を停止して
外筒総形バフ40をその位置に停止させる。この状態で
ウエーハ押圧手段70を再び駆動すれば、ウエーハWの
外周面取部W1は2段目の加工溝40bに押圧され、該
加工溝40bによって鏡面研磨される。Next, the controller 50 controls the motor 25
To drive the motor 25 to lower the rotary shaft 21 and the outer cylinder buff 40 by the same operation as described above. At this time, the amount of descent (the amount of movement in the axial direction) of the outer cylinder buff 40 is detected by the position sensor 32, and the detection signal is transmitted to the controller 50. The controller 50 calculates the descending amount of the outer cylinder buff 40 based on the detection signal from the position sensor 32, and reaches a predetermined value (pitch P1 between the uppermost processing groove 40a and the second processing groove 40b). That is, that is, the second stage processing groove 40b
At the time when the position of the motor 2 coincides with the height position of the wafer W,
The control signal is sent to the control unit 5 to stop the driving of the motor 25 to stop the outer cylinder buff 40 at that position. When the wafer pressing means 70 is driven again in this state, the outer peripheral chamfered portion W1 of the wafer W is pressed by the second-stage processing groove 40b, and is mirror-polished by the processing groove 40b.
【0040】而して、2段目の加工溝40bは前述のよ
うにその挟角θ2が40°に設定されているため、図4
に示すようにウエーハWの外周面取部W1のうち挟角θ
2=40°の直線bに接触する部分が2段目の加工溝4
0bによって鏡面研磨される。Since the included angle θ2 of the second processing groove 40b is set to 40 ° as described above,
As shown in FIG.
2 = 40 ° straight line b is the second step machining groove 4
0b is mirror-polished.
【0041】以後同様にしてウエーハWの外周面取部W
1を3段目の加工溝40c、最下段のストレートな加工
溝40dに順次押圧すれば、該外周面取部W1は3段目
の加工溝40c、最下段の加工溝40dによって順次鏡
面研磨され、図4に示すようにウエーハWの外周面取部
W1のうち挟角θ3=60°の直線cに接触する部分、
θ4=180°の直線dに接触する部分(外周端縁)が
加工溝40c,40dによって順次鏡面研磨される。Thereafter, the outer chamfered portion W of the wafer W is similarly set.
1 is sequentially pressed into the third processing groove 40c and the lowest straight processing groove 40d, the outer peripheral chamfered portion W1 is sequentially mirror-polished by the third processing groove 40c and the lowest processing groove 40d. As shown in FIG. 4, a portion of the outer peripheral chamfered portion W1 of the wafer W which contacts the straight line c having the included angle θ3 = 60 °,
The portions (outer peripheral edges) that contact the straight line d at θ4 = 180 ° are sequentially mirror-polished by the processing grooves 40c and 40d.
【0042】以上のように、本実施例によれば、ウエー
ハWの外周面取部W1が断面形状の異なる複数の加工溝
40a,40b,40c,40dによって順次鏡面研磨
されるため、ウエーハWの外周面取部W1に未研磨部分
が残らず、該外周面取部W1の全面が均一に平滑鏡面化
されて該ウエーハWの品質が高められる。As described above, according to this embodiment, the outer peripheral chamfered portion W1 of the wafer W is mirror-polished sequentially by the plurality of processing grooves 40a, 40b, 40c, 40d having different cross-sectional shapes. No unpolished portion remains on the outer peripheral chamfered portion W1, and the entire surface of the outer peripheral chamfered portion W1 is uniformly and smoothly mirror-polished, thereby improving the quality of the wafer W.
【0043】又、本実施例では、鏡面研磨として装置の
構成が簡素となる総形バフ方式を採用するため、低コス
トで鏡面研磨を実施することができる。Further, in this embodiment, since the mirror-type polishing employs a general buffing method in which the structure of the apparatus is simplified, the mirror-polishing can be performed at low cost.
【0044】更に、本実施例においては、外筒総形バフ
40の材質として、硬質ポリウレタン樹脂や同樹脂から
成る合成皮革、ポリエステル樹脂、フッ素樹脂等の比較
的硬質な弾性体材料を用いることができるため、外筒総
形バフ40の摩耗を小さく抑えてその寿命の延長を図る
ことができる。Further, in this embodiment, as the material of the outer cylinder buff 40, a relatively hard elastic material such as a hard polyurethane resin or a synthetic leather made of the same resin, a polyester resin, or a fluororesin is used. Therefore, the wear of the outer cylinder buff 40 can be reduced to extend the life thereof.
【0045】ところで、以上の実施例では、その外周に
複数の加工溝40a〜40dを形成して成る外筒総形バ
フ40を用いた外筒接触型の研磨方法を採用したが、図
5に示すような内周に複数の加工溝40a’,40
b’,40c’,40d’を形成して成る内筒総形バフ
40’を用いる内筒接触型の研磨方法を採用すれば、ウ
エーハWの外周面取部W1の加工溝40a’〜40d’
に対する接触幅が大きくなって理論的に研磨速度も大き
くなるため、加工時間が短縮されて生産性が高められる
という効果も得られる。By the way, in the above embodiment, the outer cylinder contact type polishing method using the outer cylinder overall buff 40 having a plurality of processing grooves 40a to 40d formed on the outer periphery is employed. A plurality of processing grooves 40a ', 40
If the inner cylinder contact type polishing method using the inner cylinder total buff 40 'formed by forming b', 40c ', and 40d' is adopted, the processing grooves 40a 'to 40d' of the outer peripheral chamfered portion W1 of the wafer W are provided.
Since the contact width with respect to the contact area increases and the polishing rate theoretically increases, the effect of shortening the processing time and increasing the productivity is also obtained.
【0046】[0046]
【発明の効果】以上の説明で明らかな如く、本発明によ
れば、ウエーハの外周面取部が、断面形状の異なる複数
の加工溝によって鏡面研磨されるため、ウエーハの外周
面取部に未研磨部分が残らず、該外周面取部の全面が均
一に平滑鏡面化されて該ウエーハの品質が高められる。As is apparent from the above description, according to the present invention, the outer peripheral chamfered portion of the wafer is mirror-polished by a plurality of processing grooves having different cross-sectional shapes. The polished portion does not remain, and the entire surface of the outer peripheral chamfered portion is evenly mirror-finished, so that the quality of the wafer is improved.
【0047】又、本発明は、装置の構成が簡素となる総
形バフ方式を採用するため、低コストで鏡面研磨を実施
することができる。Further, since the present invention employs a general buffing method in which the structure of the apparatus is simplified, mirror polishing can be performed at low cost.
【0048】更に、本発明においては、円筒総形バフの
材質として、硬質ポリウレタン樹脂や同樹脂から成る合
成皮革、ポリエステル樹脂、フッ素樹脂等の比較的硬質
な弾性体材料を用いることができるため、円筒総形バフ
の摩耗を小さく抑えてその寿命の延長を図ることができ
る。Further, in the present invention, a relatively hard elastic material such as a hard polyurethane resin or a synthetic leather made of the same resin, a polyester resin, or a fluororesin can be used as the material of the cylindrical buff. The wear of the cylindrical buff can be kept small and the life thereof can be extended.
【図1】本発明に係る鏡面研磨装置の縦断面図である。FIG. 1 is a vertical sectional view of a mirror polishing apparatus according to the present invention.
【図2】本発明に係る鏡面研磨装置のバフ駆動装置の縦
断面図である。FIG. 2 is a vertical sectional view of a buff drive device of the mirror polishing device according to the present invention.
【図3】図1のA−A線断面図である。FIG. 3 is a sectional view taken along line AA of FIG. 1;
【図4】ウエーハの外周面取部の断面図である。FIG. 4 is a sectional view of an outer peripheral chamfered portion of the wafer.
【図5】本発明の変更実施例に係る内筒総形バフの縦断
面図である。FIG. 5 is a vertical cross-sectional view of an inner cylinder buff according to a modified embodiment of the present invention.
【図6】従来の外筒接触型研磨を示す斜視図である。FIG. 6 is a perspective view showing a conventional outer cylinder contact type polishing.
1 鏡面研磨装置 25 モーター(バフ移動手段) 26 モーター(バフ回転手段) 40 外筒総形バフ(円筒総形バフ) 40’ 内筒総形バフ(円筒総形バフ) 40a〜40d 加工溝 54 モーター(ウエーハ回転手段) 70 ウエーハ押圧手段 W ウエーハ W1 ウエーハの外周面取部 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Mirror polishing apparatus 25 Motor (buff moving means) 26 Motor (buff rotating means) 40 Outer cylinder buff (cylindrical buff) 40 'Inner cylinder buff (cylindrical buff) 40a-40d Machining groove 54 Motor (Wafer rotating means) 70 Wafer pressing means W Wafer W1 Wafer outer peripheral chamfer
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 河野 浩 福島県西白河郡西郷村大字小田倉字大平 150番地信越半導体株式会社 半導体白 河研究所内 審査官 岩本 勉 (56)参考文献 特開 昭64−20958(JP,A) 特開 平3−26459(JP,A) (58)調査した分野(Int.Cl.6,DB名) H01L 21/304 B24B 9/00 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continuing from the front page (72) Inventor Hiroshi Kono 150 Odakura Osaikura, Nishigo-mura, Nishishirakawa-gun, Fukushima Prefecture Examiner Tsutomu Iwamoto, Semiconductor Shirakawa Research Institute, Shin-Etsu Semiconductor Co., Ltd. (56) References JP-A-64-20958 (JP, A) JP-A-3-26459 (JP, A) (58) Fields investigated (Int. Cl. 6 , DB name) H01L 21/304 B24B 9/00
Claims (5)
状の異なる複数の加工溝に、回転するウエーハの面取部
を順次押圧して該ウエーハの面取部全面を鏡面研磨する
ことを特徴とするウエーハ面取部の鏡面研磨方法。1. A method in which a chamfered portion of a rotating wafer is sequentially pressed into a plurality of processing grooves having different cross-sectional shapes formed in a multistage cylindrical buff in a multi-stage manner, and the entire chamfered portion of the wafer is mirror-polished. Characteristic mirror polishing method for wafer chamfer.
形成して成る円筒総形バフと、該円筒総形バフを回転駆
動するバフ回転手段と、同円筒総形バフをこれの軸方向
に移動させるバフ移動手段と、ウエーハを保持してこれ
を回転駆動するウエーハ回転手段と、ウエーハを前記円
筒総形バフの各加工溝に押圧するウエーハ押圧手段を含
んで構成されることを特徴とするウエーハ面取部の鏡面
研磨装置。2. A cylindrical buff formed by forming a plurality of processing grooves having different cross-sectional shapes in multiple stages, a buff rotating means for rotating and driving the cylindrical buff, and the cylindrical buff in the axial direction. Buff moving means, wafer rotating means for holding and rotating the wafer, and wafer pressing means for pressing the wafer against each processing groove of the cylindrical general shape buff. Polishing machine for wafer chamfering.
複数の加工溝を形成して成る外筒総形バフであることを
特徴とする請求項2記載のウエーハ面取部の鏡面研磨装
置。3. The mirror polishing of a wafer chamfered part according to claim 2, wherein said cylindrical buff is an outer cylinder buff formed by forming said plurality of processing grooves on an outer peripheral portion thereof. apparatus.
複数の加工溝を形成して成る内筒総形バフであることを
特徴とする請求項2記載のウエーハ面取部の鏡面研磨装
置。4. The mirror surface of a wafer chamfered part according to claim 2, wherein said cylindrical overall shape buff is an inner cylinder overall shape buff formed by forming said plurality of processing grooves on an inner peripheral portion thereof. Polishing equipment.
る位置センサーと、該位置センサーの検出値に基づいて
前記バフ移動手段を制御する制御手段を設けたことを特
徴とする請求項2,3又は4記載のウエーハ面取部の鏡
面研磨装置。5. The apparatus according to claim 2, further comprising a position sensor for detecting an axial movement of said cylindrical buff, and a control means for controlling said buff moving means based on a value detected by said position sensor. 5. The mirror polishing device for a wafer chamfer according to claim 3, 3 or 4.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP7582992A JP2921250B2 (en) | 1992-02-28 | 1992-02-28 | Mirror polishing method and apparatus for wafer chamfer |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP7582992A JP2921250B2 (en) | 1992-02-28 | 1992-02-28 | Mirror polishing method and apparatus for wafer chamfer |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH05243196A JPH05243196A (en) | 1993-09-21 |
JP2921250B2 true JP2921250B2 (en) | 1999-07-19 |
Family
ID=13587471
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP7582992A Expired - Lifetime JP2921250B2 (en) | 1992-02-28 | 1992-02-28 | Mirror polishing method and apparatus for wafer chamfer |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2921250B2 (en) |
Families Citing this family (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH081493A (en) * | 1994-06-17 | 1996-01-09 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | Mirror finished surface polishing method for wafer chamfering part and mirror finished surface polishing device |
JP3099216B2 (en) † | 1994-08-22 | 2000-10-16 | 旭栄研磨加工株式会社 | Donut substrate grinding tool |
US6685539B1 (en) | 1999-08-24 | 2004-02-03 | Ricoh Company, Ltd. | Processing tool, method of producing tool, processing method and processing apparatus |
DE10004578C1 (en) * | 2000-02-03 | 2001-07-26 | Wacker Siltronic Halbleitermat | Production of a semiconductor wafer comprises polishing the edges of the wafer with a cloth with the continuous introduction of an alkaline polishing agent using polishing plates, wetting with a film and cleaning and drying |
JP4076046B2 (en) * | 2000-05-30 | 2008-04-16 | エム・イー・エム・シー株式会社 | Multistage chamfering method of wafer |
JP2004243422A (en) * | 2003-02-12 | 2004-09-02 | Komatsu Electronic Metals Co Ltd | Circumference grinding united wheel |
JP2006096588A (en) * | 2004-09-28 | 2006-04-13 | Sumitomo Electric Ind Ltd | Method for manufacturing a gallium nitride independent substrate |
JP4915146B2 (en) * | 2006-06-08 | 2012-04-11 | 信越半導体株式会社 | Wafer manufacturing method |
US7749325B2 (en) | 2007-01-22 | 2010-07-06 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Method of producing gallium nitride (GaN) independent substrate, method of producing GaN crystal body, and method of producing GaN substrate |
CN103394982B (en) * | 2013-08-20 | 2015-07-29 | 中国电子科技集团公司第四十六研究所 | A kind ofly process the chamfering abrasive wheel and chamfering method that adopt silicon single crystal flake outside thick-layer |
CN105636743B (en) * | 2013-10-04 | 2021-01-08 | 福吉米株式会社 | Method for machining polishing member and method for correcting polishing member |
-
1992
- 1992-02-28 JP JP7582992A patent/JP2921250B2/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH05243196A (en) | 1993-09-21 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2719855B2 (en) | Mirror chamfering device around wafer | |
JP3076291B2 (en) | Polishing equipment | |
US9694467B2 (en) | Polishing method of polishing a substrate | |
JP2921250B2 (en) | Mirror polishing method and apparatus for wafer chamfer | |
JPH07169721A (en) | Method and device for polishing chamfered part of wafer | |
JP2000015557A (en) | Polishing device | |
JPH1190803A (en) | Mirror polishing device for work edge | |
JPH1133886A (en) | Method and device for polishing inside surface of glass disc | |
JP5033066B2 (en) | Polishing apparatus and polishing method for workpiece outer periphery | |
JP3111068B2 (en) | Multi-wafer polishing tool | |
JPH1133888A (en) | Mirror finished surface chamfering device for wafer | |
JPH07323420A (en) | Manufacture of wafers and device thereof | |
JP2000158304A (en) | Plane grinding method, and mirror polishing method | |
JP3673904B2 (en) | Double-side grinding machine for thin disk-shaped workpieces | |
JPH09174401A (en) | Chamfering and outer periphery machining device for work | |
JPH0590234A (en) | Polishing method and device for end face of semiconductor wafer | |
JP2613081B2 (en) | Mirror polishing method for wafer periphery | |
JP3040926B2 (en) | Wafer notch mirror finishing machine | |
JPS59172110A (en) | Head grinding device | |
JPH11320358A (en) | Polishing equipment | |
JP2002009022A (en) | Ground substrate, substrate grinding device and grinding method | |
US20240009792A1 (en) | Grinding method for slice wafer | |
JP2003163187A (en) | Method and machine for grinding edge of work | |
JPH01210313A (en) | Slicing device for wafer | |
US6149499A (en) | Polishing apparatus and polishing method |