JP2917375B2 - 樹脂封止型半導体装置の製造方法 - Google Patents
樹脂封止型半導体装置の製造方法Info
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- JP2917375B2 JP2917375B2 JP2069008A JP6900890A JP2917375B2 JP 2917375 B2 JP2917375 B2 JP 2917375B2 JP 2069008 A JP2069008 A JP 2069008A JP 6900890 A JP6900890 A JP 6900890A JP 2917375 B2 JP2917375 B2 JP 2917375B2
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- resin
- lead
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- Laser Beam Processing (AREA)
- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は樹脂封止型半導体装置の製造方法に関し、特
に、樹脂封止済半導体装置のリードフレームに対するダ
ム部樹脂とタイバー部の切断方法に関する。
に、樹脂封止済半導体装置のリードフレームに対するダ
ム部樹脂とタイバー部の切断方法に関する。
［従来の技術］ この種の樹脂封止型半導体装置（以下、ICと記す）
は、リードフレームに半導体チップをマウントし、ワイ
ヤボンディングを行った後、トランスファ方式等で半導
体チップ及び内部リード部を樹脂封止することによって
製造される。
は、リードフレームに半導体チップをマウントし、ワイ
ヤボンディングを行った後、トランスファ方式等で半導
体チップ及び内部リード部を樹脂封止することによって
製造される。
樹脂封止時に、封止金型内のキャビティーに樹脂が充
填されると、金型がクランプしているリードフレームに
はその打ち抜き部分に板厚分の隙間が生じるため、そこ
から流れ出た樹脂は、第３図の部分斜視図に示すよう
に、ICパッケージ13と、隣り合う外部リード12と、その
外部リード間を接続するタイバー部11で囲まれたダム部
にダム部樹脂10として充填される。そこで、次工程にて
切断パンチ14を矢印方向に降下させてタイバー部11を切
断除去する際に、ダム部に充填された樹脂10も同時に除
去している。第３図において、切断パンチ14による切断
除去部19の位置と形状は、２点鎖線で示されている。
填されると、金型がクランプしているリードフレームに
はその打ち抜き部分に板厚分の隙間が生じるため、そこ
から流れ出た樹脂は、第３図の部分斜視図に示すよう
に、ICパッケージ13と、隣り合う外部リード12と、その
外部リード間を接続するタイバー部11で囲まれたダム部
にダム部樹脂10として充填される。そこで、次工程にて
切断パンチ14を矢印方向に降下させてタイバー部11を切
断除去する際に、ダム部に充填された樹脂10も同時に除
去している。第３図において、切断パンチ14による切断
除去部19の位置と形状は、２点鎖線で示されている。
従来、リード間ピッチが0.5〜1.0mm程度の場合のICの
ダム部樹脂及びタイバー部の切断は、第３図のＡ−Ａ線
断面図である第４図に示すように、外部リード12の下面
を受けるダイ15上にリードフレーム６をセットし、くし
歯状になった切断パンチ14をダム部樹脂10及びタイバー
部11に下降させて、リード間を１ピッチおきに２工程に
分けて打ち抜くことにより行なっていた。
ダム部樹脂及びタイバー部の切断は、第３図のＡ−Ａ線
断面図である第４図に示すように、外部リード12の下面
を受けるダイ15上にリードフレーム６をセットし、くし
歯状になった切断パンチ14をダム部樹脂10及びタイバー
部11に下降させて、リード間を１ピッチおきに２工程に
分けて打ち抜くことにより行なっていた。
［発明が解決しようとする課題］ ところが、近年、ICの高密度実装の要求によって更に
多ピン化、小型化が進む傾向にあり、そのため、外部リ
ード間ピッチが0.5mm以下とファインピッチ化されたIC
が増加しつつある。
多ピン化、小型化が進む傾向にあり、そのため、外部リ
ード間ピッチが0.5mm以下とファインピッチ化されたIC
が増加しつつある。
従来の切断パンチによる切断方法では、リード間ピッ
チが0.5mm、リード端子幅が0.2mmの場合には、リードフ
レームの位置決めの際のがたつきや切断パンチとダイと
の適正クリアランスを考慮すると、切断パンチの刃先の
板厚は0.2mm程度しかとれず、切断時にかす詰まり等に
よる負荷がかかると、刃先が簡単に破損してしまうとい
う欠点があった。
チが0.5mm、リード端子幅が0.2mmの場合には、リードフ
レームの位置決めの際のがたつきや切断パンチとダイと
の適正クリアランスを考慮すると、切断パンチの刃先の
板厚は0.2mm程度しかとれず、切断時にかす詰まり等に
よる負荷がかかると、刃先が簡単に破損してしまうとい
う欠点があった。
また、従来法では、くし刃形状の切断パンチやダイを
一体化加工するのは、ファインピッチ化されると困難で
ありかつ高価なものとなるので、２〜３工程に分けて１
ピッチ又は２ピッチおきに切断するという方法をとって
いるが、各ステージにおけるリードフレームの位置決め
時のがたつきにより、第５図の部分平面図に示すような
タイバー部切断ずれ16が発生し易く、外部リード12への
パンチ食い込みによる規格寸法外れやリード寸法のばら
つき等が生じがちであった。
一体化加工するのは、ファインピッチ化されると困難で
ありかつ高価なものとなるので、２〜３工程に分けて１
ピッチ又は２ピッチおきに切断するという方法をとって
いるが、各ステージにおけるリードフレームの位置決め
時のがたつきにより、第５図の部分平面図に示すような
タイバー部切断ずれ16が発生し易く、外部リード12への
パンチ食い込みによる規格寸法外れやリード寸法のばら
つき等が生じがちであった。
また、くし刃状の切断パンチは、加工が難しいためそ
れ自体高価であり、更に刃先が１本でも折れてしまえば
新しいパンチに交換する必要があるので、板厚が薄くな
った場合パンチの破損頻度の高さからランニングコスト
が極めて高くつく。そのため、第６図斜視図に示すよう
な、一枚物の個片切断パンチ17とスペーサー18との組合
せによる切断パンチを採用することが多いが、この積み
重ね型切断パンチはピン数が多くなると個々のパンチ及
びスペーサーの板厚の累積誤差が大きくなり、そのた
め、切断寸法精度が一体方式に比べると劣る。また、こ
の方式ではファインピッチ化が進むと、パンチとダイと
のクリアランスを所定の範囲内に収めることが困難とな
り、パンチ破損増加する。
れ自体高価であり、更に刃先が１本でも折れてしまえば
新しいパンチに交換する必要があるので、板厚が薄くな
った場合パンチの破損頻度の高さからランニングコスト
が極めて高くつく。そのため、第６図斜視図に示すよう
な、一枚物の個片切断パンチ17とスペーサー18との組合
せによる切断パンチを採用することが多いが、この積み
重ね型切断パンチはピン数が多くなると個々のパンチ及
びスペーサーの板厚の累積誤差が大きくなり、そのた
め、切断寸法精度が一体方式に比べると劣る。また、こ
の方式ではファインピッチ化が進むと、パンチとダイと
のクリアランスを所定の範囲内に収めることが困難とな
り、パンチ破損増加する。
従って、切断パンチやダイによる切断はいずれの型の
パンチを用いるにしろ、これ以上のファインピッチ化に
対しては対応できなくなってきており、また、切断パン
チも0.2mm以下の厚さでは強度的に耐えられないという
問題もある。
パンチを用いるにしろ、これ以上のファインピッチ化に
対しては対応できなくなってきており、また、切断パン
チも0.2mm以下の厚さでは強度的に耐えられないという
問題もある。
［課題を解決するための手段］ 本発明による半導体装置の製造方法は、樹脂封止済
半導体装置をＸ−Ｙテーブル上に位置決めして載置し、
レーザビームを外部リードと平行に走査しながら照射
してリードフレームのタイバー部及びダム部樹脂を一箇
所ずつを切断除去し、Ｘ−Ｙテーブルを操作して樹脂
封止済半導体装置をリード並び方向に外部リードの１リ
ードピッチ分送り、所要回数、の工程を繰り返
す、ようにしたものである。
半導体装置をＸ−Ｙテーブル上に位置決めして載置し、
レーザビームを外部リードと平行に走査しながら照射
してリードフレームのタイバー部及びダム部樹脂を一箇
所ずつを切断除去し、Ｘ−Ｙテーブルを操作して樹脂
封止済半導体装置をリード並び方向に外部リードの１リ
ードピッチ分送り、所要回数、の工程を繰り返
す、ようにしたものである。
半導体装置のリードフレームが搬送されるピッチは、
例えばCCDカメラによる撮像データを画像処理すること
により得られた結果に基づいて決定される。
例えばCCDカメラによる撮像データを画像処理すること
により得られた結果に基づいて決定される。
［実施例］ 次に、本発明の実施例について図面を参照して説明す
る。
る。
第１図は、本発明の一実施例の切断方法を示す構成図
である。同図において、１はレーザ光源、2aは反射ミラ
ー、2bはハーフミラー、３はレーザビームを走査させる
ためのガルバノミラー、４はCCDカメラ、５はCCDカメラ
から得られた画像を処理する画像処理装置、６は樹脂射
止済の複数個の半導体チップが搭載されているリードフ
レーム、７はリードフレームに穿孔された位置決め用
穴、８はＸ−Ｙテーブル、９はＸ−Ｙテーブル上に載置
された、リードフレームを収容するための切断ステージ
である。
である。同図において、１はレーザ光源、2aは反射ミラ
ー、2bはハーフミラー、３はレーザビームを走査させる
ためのガルバノミラー、４はCCDカメラ、５はCCDカメラ
から得られた画像を処理する画像処理装置、６は樹脂射
止済の複数個の半導体チップが搭載されているリードフ
レーム、７はリードフレームに穿孔された位置決め用
穴、８はＸ−Ｙテーブル、９はＸ−Ｙテーブル上に載置
された、リードフレームを収容するための切断ステージ
である。
次に、この装置を用いた切断方法について説明する。
まず、リードフレーム６は切断ステージ９上に供給さ
れ、リードフレーム６に形成された位置決め用穴７を用
いてステージ９上に設けられた位置決めピンによりステ
ージ上に位置決め固定される。続いて、CCDカメラ４は
ハーフミラー2bを介しリードフレームの画像をとらえ、
その画像情報を画像処理装置５へ送る。画像処理装置５
では、リードフレームの各外部リードの絶対位置を認識
し、切断すべきダム部樹脂及びタイバー部の位置を演算
処理により求める。その演算結果に基づき、必要に応じ
てＸ−Ｙテーブルを操作してリードフレーム６の最初に
切断すべき個所をレーザビーム照射位置に合わせる。し
かる後、レーザ光源１からのレーザビームをミラー2a、
2b、ガルバノミラー３を介して切断すべきダム部樹脂及
びタイバー部上に照射する。その際、ガルバノミラー３
を駆動することにより、レーザビームを外部リードと平
行方向に走査させながら、連続照射して所定量の切断を
行う。１箇所の切断が完了してから、先の演算結果に基
づいてＸ−Ｙテーブル８により隣接する切断すべきダム
部樹脂及びタイバー部まで１リードピッチ分切断ステー
ジを駆動し、然る後、先の工程と同様にレーザビームに
よる切断を行う。以下、同様の搬送工程、切断工程を繰
り返す。
まず、リードフレーム６は切断ステージ９上に供給さ
れ、リードフレーム６に形成された位置決め用穴７を用
いてステージ９上に設けられた位置決めピンによりステ
ージ上に位置決め固定される。続いて、CCDカメラ４は
ハーフミラー2bを介しリードフレームの画像をとらえ、
その画像情報を画像処理装置５へ送る。画像処理装置５
では、リードフレームの各外部リードの絶対位置を認識
し、切断すべきダム部樹脂及びタイバー部の位置を演算
処理により求める。その演算結果に基づき、必要に応じ
てＸ−Ｙテーブルを操作してリードフレーム６の最初に
切断すべき個所をレーザビーム照射位置に合わせる。し
かる後、レーザ光源１からのレーザビームをミラー2a、
2b、ガルバノミラー３を介して切断すべきダム部樹脂及
びタイバー部上に照射する。その際、ガルバノミラー３
を駆動することにより、レーザビームを外部リードと平
行方向に走査させながら、連続照射して所定量の切断を
行う。１箇所の切断が完了してから、先の演算結果に基
づいてＸ−Ｙテーブル８により隣接する切断すべきダム
部樹脂及びタイバー部まで１リードピッチ分切断ステー
ジを駆動し、然る後、先の工程と同様にレーザビームに
よる切断を行う。以下、同様の搬送工程、切断工程を繰
り返す。
IC1個分の切断が完了したところでリードフレーム６
はIC1個分搬送され、引き続き前述した通りの切断を行
う。１リードフレーム分の切断が完了した時点で図示し
ない搬送機構によりリードフレームは除去され、新たに
未切断のリードフレームが搬送されてくる。
はIC1個分搬送され、引き続き前述した通りの切断を行
う。１リードフレーム分の切断が完了した時点で図示し
ない搬送機構によりリードフレームは除去され、新たに
未切断のリードフレームが搬送されてくる。
以上説明したように、本発明では、切断時に破損する
切断パンチを使用するものではないので、ランニングコ
ストを低減化することができる。また、レーザビーム
は、そのビーム直径を0.2mm以下に絞ることが可能なた
め、本発明の製造方法によれば、リード間ピッチが0.5m
m以下のファインピッチのICに対しても、容易に対応す
ることができる。また、本実施例は外部リードを１本ず
つ画像認識して切断位置を算出しその結果に基づいて位
置決めを行うものであるので、切断時における位置ずれ
がなくなり、加工精度の安定化が図れる。更に、従来は
品種毎に異なる金型を用意する必要があったが、本実施
例による方法では、各外部リードを認識しながら切断位
置を決定しているため、品種データ登録等により自動的
にかつ容易に多品種に対応できる。
切断パンチを使用するものではないので、ランニングコ
ストを低減化することができる。また、レーザビーム
は、そのビーム直径を0.2mm以下に絞ることが可能なた
め、本発明の製造方法によれば、リード間ピッチが0.5m
m以下のファインピッチのICに対しても、容易に対応す
ることができる。また、本実施例は外部リードを１本ず
つ画像認識して切断位置を算出しその結果に基づいて位
置決めを行うものであるので、切断時における位置ずれ
がなくなり、加工精度の安定化が図れる。更に、従来は
品種毎に異なる金型を用意する必要があったが、本実施
例による方法では、各外部リードを認識しながら切断位
置を決定しているため、品種データ登録等により自動的
にかつ容易に多品種に対応できる。
第２図は、本発明の第２の実施例の切断方法を示す構
成図である。第２図において、第１図に示された先の実
施例の部分と同等の部分には同一の参照番号が付されて
いる。
成図である。第２図において、第１図に示された先の実
施例の部分と同等の部分には同一の参照番号が付されて
いる。
本実施例においては、CCDカメラ４によりリードフレ
ーム６におけるIC1個分の範囲の画像をとらえ、位置決
め穴７やリードフレーム６の複数の点を画像認識し、そ
の結果と予め入力されている機種特有のリードフレーム
情報から切断すべき個所の位置を決定する。
ーム６におけるIC1個分の範囲の画像をとらえ、位置決
め穴７やリードフレーム６の複数の点を画像認識し、そ
の結果と予め入力されている機種特有のリードフレーム
情報から切断すべき個所の位置を決定する。
これ以降は先の実施例と同様に、Ｘ−Ｙテーブルを駆
動してリードフレームを位置決めし、レーザビームを外
部リードと平行に走査してダム部樹脂及びタイバー部を
切断する動作を繰り返す。
動してリードフレームを位置決めし、レーザビームを外
部リードと平行に走査してダム部樹脂及びタイバー部を
切断する動作を繰り返す。
本実施例の場合は、品種毎に切断位置に関するデータ
を予めプログラムに入力しておく必要はあるが、IC1個
分すべての外部リードの位置を画像処理によって決定す
るものではないので、画像処理に要する時間を短縮する
ことができる。そのため、本実施例によれば、樹脂封止
後のリードフレームの収縮等による外部リード位置精度
のばらつきが少ない製品については、効率よくかつ高精
度に切断加工を行うことができる。
を予めプログラムに入力しておく必要はあるが、IC1個
分すべての外部リードの位置を画像処理によって決定す
るものではないので、画像処理に要する時間を短縮する
ことができる。そのため、本実施例によれば、樹脂封止
後のリードフレームの収縮等による外部リード位置精度
のばらつきが少ない製品については、効率よくかつ高精
度に切断加工を行うことができる。
本実施例においては、リードフレームの適宜個所に位
置決め用マークを付設しておくと、画像処理をより効率
的に行うことができる。
置決め用マークを付設しておくと、画像処理をより効率
的に行うことができる。
なお、以上の実施例では、光学的手段により外部リー
ドの位置を決定して、切断時のリードの位置決めを行っ
ていたが、機械的位置決め手段により十分の精度が得ら
れる場合には、必ずしも光学的位置検出手段を用いる必
要はない。また、光学的位置検出手段を行う場合にして
も、全てのICに関してこれを行う必要はなく、同一ロッ
ト内でのばらつきの少ない場合には、初めの数個に関し
て光学的位置検出を行い、そのロット内の他のICに関し
ては得られた結果を用いて位置決めを行うようにしても
よい。
ドの位置を決定して、切断時のリードの位置決めを行っ
ていたが、機械的位置決め手段により十分の精度が得ら
れる場合には、必ずしも光学的位置検出手段を用いる必
要はない。また、光学的位置検出手段を行う場合にして
も、全てのICに関してこれを行う必要はなく、同一ロッ
ト内でのばらつきの少ない場合には、初めの数個に関し
て光学的位置検出を行い、そのロット内の他のICに関し
ては得られた結果を用いて位置決めを行うようにしても
よい。
［発明の効果］ 以上説明したように、本発明は、Ｘ−Ｙテーブル上に
リードフレームを位置決めし、レーザビームを照射して
リードフレームのダム部樹脂及びタイバーを切断除去し
た後、リードフレームを１リードピッチ分だけ搬送し、
更に同様の工程を繰り返すものであるので、以下の効果
を奏することができる。
リードフレームを位置決めし、レーザビームを照射して
リードフレームのダム部樹脂及びタイバーを切断除去し
た後、リードフレームを１リードピッチ分だけ搬送し、
更に同様の工程を繰り返すものであるので、以下の効果
を奏することができる。
切断パンチを用いていないので、パンチ破損が生じる
ことがなくランニングコストを低減化することができ
る。
ことがなくランニングコストを低減化することができ
る。
切断パンチで２工程パンチングを行う場合のようにピ
ッチずれが生じることがなくなる。
ッチずれが生じることがなくなる。
必要に応じて光学的位置検出手段を用いることによ
り、正確な切断が行えるので、ファインピッチのICに対
しても精確で安定した切断加工が可能となる。
り、正確な切断が行えるので、ファインピッチのICに対
しても精確で安定した切断加工が可能となる。
プログラム変更等により直ちに品種変更が実施できる
ため、多品種少量生産の製品に対する対応が容易とな
る。
ため、多品種少量生産の製品に対する対応が容易とな
る。
第１図は、本発明の第１の実施例の切断方法を示す構成
図、第２図は、本発明の第２の実施例の切断方法を示す
構成図、第３図は、従来の切断方法を示す部分斜視図、
第４図は、第３図におけるＡ−Ａ線断面図、第５図は、
従来の切断方法によるタイバー部の切断ずれを示す部分
平面図、第６図は、従来の切断方法に用いられる組合せ
切断パンチの斜視図である。 １……レーザ光源、2a……反射ミラー、2b……ハーフミ
ラー、３……ガルバノミラー、４……CCDカメラ、５…
…画像処理装置、６……リードフレーム、７……位置決
め用穴、８……Ｘ−Ｙテーブル、９……切断ステージ、
10……ダム部樹脂、11……タイバー部、12……外部リー
ド、13……ICパッケージ、14……切断パンチ、15……ダ
イ、16……タイバー部切断ずれ、17……個片切断パン
チ、18……スペーサー、19……切断除去部。
図、第２図は、本発明の第２の実施例の切断方法を示す
構成図、第３図は、従来の切断方法を示す部分斜視図、
第４図は、第３図におけるＡ−Ａ線断面図、第５図は、
従来の切断方法によるタイバー部の切断ずれを示す部分
平面図、第６図は、従来の切断方法に用いられる組合せ
切断パンチの斜視図である。 １……レーザ光源、2a……反射ミラー、2b……ハーフミ
ラー、３……ガルバノミラー、４……CCDカメラ、５…
…画像処理装置、６……リードフレーム、７……位置決
め用穴、８……Ｘ−Ｙテーブル、９……切断ステージ、
10……ダム部樹脂、11……タイバー部、12……外部リー
ド、13……ICパッケージ、14……切断パンチ、15……ダ
イ、16……タイバー部切断ずれ、17……個片切断パン
チ、18……スペーサー、19……切断除去部。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭63−81962（ＪＰ，Ａ) 特開 昭62−40986（ＪＰ，Ａ) 特開 昭60−83343（ＪＰ，Ａ) 特開 平３−148161（ＪＰ，Ａ) 特開 昭62−118991（ＪＰ，Ａ) 特開 昭62−172734（ＪＰ，Ａ) 特開 昭57−59368（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−241052（ＪＰ，Ａ) 特開 昭64−27791（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) H01L 23/50 B23K 26/08,26/00
Claims (6)
- 【請求項１】a.樹脂封止済半導体装置をＸ−Ｙテーブル
上に位置決めして載置する段階と、 b.レーザビームをリードフレームの外部リードと平行に
走査しながら照射してダム部樹脂及びリードフレームの
タイバー部一箇所ずつを切断除去する段階と、 c.前記Ｘ−Ｙテーブルを操作してリードフレームの１リ
ードピッチ分だけリード並び方向に半導体装置を搬送す
る段階と、 d.前記ｂ及びｃの段階を交互に繰り返す段階と、 を具備する樹脂封止型半導体装置の製造方法において、
少なくとも同一ロットの初めの１ないし複数個の半導体
装置についてはリードフレームの各外部リードの絶対位
置を認識する撮像データを得、該撮像データから切断す
べきダム部樹脂及びタイバー部の位置を演算処理により
求め、前記c.の段階における前記リードフレームの１リ
ードピッチ分は、当該半導体装置若しくは同一ロット内
の他の半導体装置に関して得られた位置情報に基づいて
決定することを特徴とする樹脂封止型半導体装置の製造
方法。 - 【請求項２】a.樹脂封止済半導体装置をＸ−Ｙテーブル
上に位置決めして載置する段階と、 b.レーザビームをリードフレームの外部リードと平行に
走査しながら照射してダム部樹脂及びリードフレームの
タイバー部一箇所ずつを切断除去する段階と、 c.前記Ｘ−Ｙテーブルを操作してリードフレームの１リ
ードピッチ分だけリード並び方向に半導体装置を搬送す
る段階と、 d.前記ｂ及びｃの段階を交互に繰り返す段階と、 を具備する樹脂封止型半導体装置の製造方法において、
少なくとも同一ロットの初めの１ないし複数個の半導体
装置についてはリードフレームの特徴ある複数の点を認
識する撮像データを得、該撮像データ及び予め入力され
ている当該機種の特有の情報から切断すべきダム部樹脂
及びタイバー部の位置を求め、前記c.の段階における前
記リードフレームの１リードピッチ分は、当該半導体装
置若しくは同一ロット内の他の半導体装置の撮像データ
を基礎にして得られた位置情報に基づいて決定すること
を特徴とする樹脂封止型半導体装置の製造方法。 - 【請求項３】前記a.の段階における、前記樹脂封止済半
導体装置のＸ−Ｙテーブル上での載置位置は、同一ロッ
ト内の他の半導体装置に対する撮像データを画像処理し
て得られた結果に基づいて決定されたものであることを
特徴とする請求項１または２記載の樹脂封止型半導体装
置の製造方法。 - 【請求項４】a.樹脂封止済半導体装置をＸ−Ｙテーブル
上に載置する段階と、 b.撮像装置によりリードフレームの各外部リードの絶対
位置を認識する撮像データを得、該撮像データから切断
すべきダム部樹脂及びタイバー部の位置を演算処理によ
り求め、該位置情報に基づいて該半導体装置をレーザ光
源の発するレーザビームに対して位置決めする段階と、 c.レーザビームをリードフレームの外部リードに平行に
走査しながら照射してダム部樹脂及びリードフレームの
タイバー部を一箇所ずつを切断除去する段階と、 d.前記b.の段階にて得られた位置情報に基づいて前記Ｘ
−Ｙテーブルを操作してリードフレームの１リードピッ
チ分だけ半導体装置を搬送する段階と、 e.前記ｃ及びｄの段階を交互に繰り返す段階と、 を具備する樹脂封止型半導体装置の製造方法。 - 【請求項５】a.樹脂封止済半導体装置をＸ−Ｙテーブル
上に載置する段階と、 b.撮像装置によりリードフレームの特徴ある複数の点を
認識する撮像データを得、該撮像データ及び予め入力さ
れている当該機種の特有の情報から切断すべきダム部樹
脂及びタイバー部の位置を求め、該位置情報に基づいて
該半導体装置をレーザ光源の発するレーザビームに対し
て位置決めする段階と、 c.レーザビームをリードフレームの外部リードに平行に
走査しながら照射してダム部樹脂及びリードフレームの
タイバー部を一箇所ずつを切断除去する段階と、 d.前記b.の段階にて得られた位置情報に基づいて前記Ｘ
−Ｙテーブルを操作してリードフレームの１リードピッ
チ分だけ半導体装置を搬送する段階と、 e.前記ｃ及びｄの段階を交互に繰り返す段階と、 を具備する樹脂封止型半導体装置の製造方法。 - 【請求項６】a.樹脂封止済半導体装置をＸ−Ｙテーブル
上に位置決めして載置する段階と、 b.レーザビームを、これを反射するミラーの傾斜角を変
化させることによって、リードフレームの外部リードと
平行に走査し、ダム部樹脂及びリードフレームのタイバ
ー部一箇所ずつを切断除去する段階と、 c.前記Ｘ−Ｙテーブルを操作して予めプログラムされて
いるリードフレームの１リードピッチ分だけリード並び
方向に半導体装置を搬送する段階と、 d.前記ｂ及びｃの段階を交互に繰り返す段階と、 を具備する樹脂封止型半導体装置の製造方法において、
少なくとも同一ロットの初めの１ないし複数個の半導体
装置についてはリードフレームの各外部リードの絶対位
置を認識する撮像データを得、該撮像データから切断す
べきダム部樹脂及びタイバー部の位置を演算処理により
求め、前記c.の段階における前記リードフレームの１リ
ードピッチ分は、当該半導体装置若しくは同一ロット内
の他の半導体装置に関して得られた位置情報に基づいて
決定することを特徴とする樹脂封止型半導体装置の製造
方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2069008A JP2917375B2 (ja) | 1990-03-19 | 1990-03-19 | 樹脂封止型半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2069008A JP2917375B2 (ja) | 1990-03-19 | 1990-03-19 | 樹脂封止型半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03268456A JPH03268456A (ja) | 1991-11-29 |
| JP2917375B2 true JP2917375B2 (ja) | 1999-07-12 |
Family
ID=13390140
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2069008A Expired - Lifetime JP2917375B2 (ja) | 1990-03-19 | 1990-03-19 | 樹脂封止型半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2917375B2 (ja) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| TW201402265A (zh) * | 2012-07-04 | 2014-01-16 | Jih Shuenn Electrical Machine Ind Co Ltd | 影像對位沖型裝置及操控方法 |
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-
1990
- 1990-03-19 JP JP2069008A patent/JP2917375B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
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| JPH03268456A (ja) | 1991-11-29 |
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