JP2908277B2 - Method and apparatus for chemical processing of substrates - Google Patents
Method and apparatus for chemical processing of substratesInfo
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Description
【0001】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は、少なくとも1つの基板
に化学処理、洗浄過程及び乾燥過程を順次実施すること
による基板の化学処理のための方法ならびに該化学処理
のための装置に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method for chemical treatment of a substrate by sequentially performing a chemical treatment, a cleaning process and a drying process on at least one substrate, and an apparatus for the chemical treatment.
【0002】[0002]
【従来の技術】これまで自動湿式作業台(automa
tische Nassbank)は、一連の化学的な
湿式処理のための一連の槽もしくはタンクを有してい
る。一定の一連の化学的な処理の終了後に基板、例えば
シリコンウェーハは、別個の洗浄−もしくは水洗槽中に
沈められ、かつ引き続き乾燥される。2. Description of the Related Art Automatic wet worktables (automa)
Tischche Nassbank) has a series of tanks or tanks for a series of chemical wet treatments. After a series of chemical treatments, the substrate, for example a silicon wafer, is submerged in a separate washing or washing bath and subsequently dried.
【0003】基板の乾燥は、例えば遠心分離機を用いて
行なうことができるが、しかし洗浄槽からの基板の緩徐
な排出の間に行なうこともできる。Drying of the substrate can be effected, for example, by means of a centrifuge, but also during the slow discharge of the substrate from the washing bath.
【0004】欧州特許出願公開第385536号明細書
から、いわゆる「マランゴニ乾燥機(”Marango
ni−Trockner”)」が公知である。この欧州
特許出願公開明細書に記載された方法の場合には、浴か
らの基板の緩徐な排出に加えて、蒸気が基板に使用さ
れ、この場合、蒸気は、基板上で凝縮しないが、しかし
液体中に拡散する。基板表面上の液体メニスカスでは濃
度勾配ひいては表面張力勾配が生じる。この勾配によっ
て基板から液体中への液体の移動(マランゴニ効果)が
生じ、かつ基板の申し分のない乾燥が得られる。From EP-A-385 536, a so-called "Marangoni dryer"
ni-Trockner ")" is known. In the case of the method described in this EP, in addition to the slow discharge of the substrate from the bath, steam is used on the substrate, in which case the vapor does not condense on the substrate, but Diffuses in liquids. In the liquid meniscus on the substrate surface, a concentration gradient and thus a surface tension gradient are generated. This gradient causes a movement of the liquid from the substrate into the liquid (Marangoni effect) and an excellent drying of the substrate.
【0005】米国特許第4742752号明細書から、
ウェーハを洗浄しかつ乾燥するための装置及び方法が公
知であり、この場合、ウェーハは、カセット中に存在す
る。ウェーハは、カセットから分離されて洗浄槽から緩
徐に排出され、かつ引き続き、同様に緩徐に排出されか
つ乾燥されたカセット中に入れられる。From US Pat. No. 4,742,752,
Devices and methods for cleaning and drying wafers are known, where the wafers are in a cassette. The wafers are separated from the cassette and slowly drained from the cleaning bath, and subsequently placed in a similarly slowly drained and dried cassette.
【0006】上記の装置ないしは方法は次の欠点を有し
ている:即ち、洗浄槽は、いずれにしても他の処理槽と
は別個の槽であり、かつ専ら基板の洗浄に使用される。
しかし固有の洗浄槽は、空間ないしは場所の高められた
要求を意味する。その上、基板は、洗浄段階前に化学処
理のための流体の表面を通過して空気中に出なければな
らず、かつその後に再度洗浄液中に入らなければなら
ず、このことによって周知のごとく基板の微粒子異物に
ついての不利な結果がもたらされる可能性がある。これ
は、特に疎水性表面(例えばHF処理による)に該当す
る。同様に、化学処理ないしは洗浄段階のための異なる
槽中へないしは異なる槽からの基板の投入ないしは排出
は、高められた時間の浪費を意味する。同様に、公知の
装置ないしは方法の場合には、基板を取り扱うためのカ
セット(キャリヤ)が常に必要とされる。The above-mentioned apparatus or method has the following disadvantages: the cleaning bath is in any case a separate bath from the other processing baths and is used exclusively for cleaning substrates.
However, the inherent washing bath means an increased demand for space or space. In addition, the substrate must pass through the surface of the fluid for chemical treatment into the air before the cleaning step and then re-enter the cleaning liquid afterwards, as is well known. Adverse consequences for particulate foreign matter on the substrate can result. This applies in particular to hydrophobic surfaces (for example by HF treatment). Similarly, the loading or unloading of substrates into and out of different vessels for chemical processing or cleaning steps means an increased waste of time. Similarly, in known devices or methods, a cassette (carrier) for handling substrates is always required.
【0007】米国特許第5275184号明細書から、
ウェーハが減圧を用いた処理室中での流体処理過程中な
らびに乾燥過程中にウェーハ保持メカニズム(Wafe
r−Anhebmechanismus)中に存在して
いるウェーハ処理のための装置は、公知である。従って
米国特許第4742752号明細書について先に記載し
た欠点がこの場合にも該当し、それというのも、ウェー
ハが乾燥過程中にウェーハ保持メカニズム中に存在して
おりかつ従って乾燥が最適に行なわれないからである。
またこの場合には乾燥過程は、緩慢に進行し、それとい
うのも、ウェーハに加えて保持装置が乾燥されるかもし
くは乾燥されなければならないからである。従って、乾
燥過程中の基盤のカセットなしの処理は、不可能であ
る。From US Pat. No. 5,275,184,
The wafer holding mechanism (Wafe) during the fluid processing process in the processing chamber using the reduced pressure and during the drying process
Equipment for processing wafers present in r-Anhebmechanismus is known. Accordingly, the disadvantages described above for U.S. Pat. No. 4,742,752 also apply here, since the wafer is present in the wafer holding mechanism during the drying process and is therefore optimally dried. Because there is no.
Also, in this case, the drying process proceeds slowly, since the holding device, in addition to the wafer, must or must be dried. Therefore, processing without a cassette on the substrate during the drying process is not possible.
【0008】[0008]
【発明が解決しようとする課題】従って本発明の課題
は、自動湿式作業台でのプロセスフローを合理化する、
即ち必要な時間及び空間を節約する、化学湿式処理のた
めの方法ないしは該方法のための装置を記載ないしは提
供することである。本発明のもう1つの課題は、化学湿
式方法のこのような流れの間の基板の異物をできるだけ
少なく維持することである。最後に、本発明のもう1つ
の課題は、基板を保持するためないしは槽内へないしは
槽からの基板の投入ないしは排出に関連するカセットも
しくはこの類似物を不要にすることを可能にすることで
ある。SUMMARY OF THE INVENTION Accordingly, an object of the present invention is to streamline the process flow in an automatic wet worktable.
It is an object of the present invention to provide a method and / or an apparatus for a chemical wet process which saves the necessary time and space. It is another object of the present invention to maintain as little foreign matter on the substrate during such a flow of the chemical wet process. Finally, another object of the present invention is to make it possible to obviate the need for cassettes or the like relating to the loading or unloading of substrates into or out of the bath, for holding substrates. .
【0009】[0009]
【課題を解決するための手段】上記課題は、本発明によ
れば、請求項1記載の特徴部によって解決される。従っ
てカセットもしくはこの類似物は、必要ない。The object is achieved according to the invention by the features of claim 1. Therefore, a cassette or the like is not required.
【0010】[0010]
【作用】有利に、同じ槽内での化学処理及び洗浄過程
は、化学処理のための流体を別のこの種の流体によって
補充ないしは(部分的に)交換するか、及び/又は洗浄
液と交換することによって実施される。有利に、連続の
化学的方法の場合には、化学処理のための流体と別のこ
の種の流体との交換前にまず洗浄液が導入されかつ1つ
もしくはそれ以上の基板が槽から排出され、かつこの際
同時に乾燥される。引き続き、洗浄液は、化学処理のた
めの別の流体と交換され、かつ基板は再度槽内に投入さ
れる。Advantageously, the chemical treatment and the cleaning process in the same tank are replenished or (partially) exchanged for the chemical treatment fluid by another such fluid and / or exchanged with a cleaning liquid. It is implemented by. Advantageously, in the case of a continuous chemical process, a cleaning liquid is first introduced and one or more substrates are discharged from the bath before the exchange of the fluid for chemical treatment with another such fluid, And at this time, it is dried at the same time. Subsequently, the cleaning liquid is exchanged for another fluid for chemical treatment, and the substrate is put back into the bath.
【0011】本発明の場合には、乾燥過程は、基板が洗
浄液から離されている間に行なわれる。該乾燥過程の場
合には、通常、基板は洗浄液から著しく緩徐に排出され
る。In the case of the present invention, the drying step is performed while the substrate is separated from the cleaning liquid. In the case of the drying process, the substrate is usually discharged from the cleaning liquid very slowly.
【0012】上記過程を効果的に実施するために、有利
に蒸気が基板に使用され、この蒸気は、基板上で凝縮せ
ずかつ洗浄液と混合する。有利にこの混合物は、洗浄液
より小さな表面張力を有し、このことは、基板に付着す
る洗浄液を槽内に押し戻す力が存在することを意味す
る。In order to effectively carry out the above process, steam is advantageously used on the substrate, which vapor does not condense on the substrate and mixes with the cleaning liquid. Advantageously, the mixture has a lower surface tension than the cleaning liquid, which means that there is a force to push the cleaning liquid adhering to the substrate back into the bath.
【0013】化学処理のための流体と洗浄液との交換
は、有利な実施態様の場合には追い出しによって行なわ
れる。例えば化学処理のための流体の導出及び引き続い
ての洗浄液の供給によって、基板は空気中の増大してい
る微粒子異物に暴露されることになる。流体を別の流
体、例えば洗浄液によって追い出すことによって、基板
が相境界を貫通する必要がなくかつ空気に暴露されない
という利点が生じる。当然のことながら、化学処理のた
めの数種類の流体を追い出しによって洗浄過程前に相互
に交換することもできる。殊に化学処理のための流体と
別のこの種の流体との交換に関して該交換には、部分的
な交換、即ち混合が含まれうる。The exchange of the cleaning fluid with the fluid for the chemical treatment takes place in a preferred embodiment by displacement. For example, the derivation of a fluid for chemical processing and the subsequent supply of a cleaning liquid exposes the substrate to increasing particulate contaminants in the air. Eliminating the fluid with another fluid, such as a cleaning liquid, has the advantage that the substrate does not need to penetrate the phase boundaries and is not exposed to air. Of course, several types of fluids for chemical treatment can also be interchanged by flushing before the cleaning process. The exchange, in particular with regard to the exchange of a fluid for a chemical treatment with another such fluid, may include a partial exchange, i.e. mixing.
【0014】有利に、洗浄液は槽内に導入され、かつ同
時に化学処理のための流体と洗浄液との混合物は導出さ
れる。Advantageously, the cleaning liquid is introduced into the bath, and at the same time a mixture of the fluid for the chemical treatment and the cleaning liquid is withdrawn.
【0015】洗浄液の導入及び化学処理のための流体の
導出は、有利に槽の異なる位置で行なわれる。このこと
によって、例えば、流体と他の流体との交換が時間的に
最適化される。The introduction of the cleaning liquid and the withdrawal of the fluid for the chemical treatment preferably take place at different locations in the tank. This, for example, optimizes the exchange of the fluid for another fluid over time.
【0016】洗浄液の導入は、上記混合物の導出がオー
バーフローによって行なわれている間に、有利に槽の底
部から行なわれる。従ってこの導出には、付加的なポン
プ装置は必要ない。槽底部からの導入、即ち導出位置か
ら離れていることによって、導入された洗浄液のできる
かぎり少ない量が導出される。このことは同様に、重力
を顧慮すると、場合によっては増加する温度勾配につれ
て有利である。このことは、経済的に有利でありかつ時
間節約となる。The introduction of the washing liquid takes place preferably from the bottom of the tank, while the discharge of the mixture takes place by overflow. Therefore, no additional pumping device is required for this derivation. By being introduced from the bottom of the tank, i.e., away from the outlet position, the smallest possible amount of the introduced washing liquid is derived. This is likewise advantageous with respect to gravity, possibly with increasing temperature gradients. This is economically advantageous and saves time.
【0017】本発明の有利な実施態様の場合には、化学
処理のための流体は、希釈された弗化水素酸である。希
釈された弗化水素酸(HF)中での処理は、基板表面の
酸化物層を除去すること及び連続工程のいくつかに必要
である水素不動態化疎水性表面を得ることに有効であ
る。In a preferred embodiment of the invention, the fluid for the chemical treatment is diluted hydrofluoric acid. Treatment in diluted hydrofluoric acid (HF) is effective in removing the oxide layer on the substrate surface and in obtaining a hydrogen passivated hydrophobic surface that is required for some of the continuous steps. .
【0018】本発明の別の有利な実施態様の場合には、
化学処理のための流体は、オゾンである。オゾンを用い
た処理は、例えば清浄化の理由からHFで処理された
(疎水性)基板表面に再度化学酸化物を成長させるこ
と、かつ従って親水性表面を得ることが意図される場合
には実施される。In another advantageous embodiment of the invention,
The fluid for the chemical treatment is ozone. The treatment with ozone is carried out, for example, if it is intended to grow the chemical oxide again on the (hydrophobic) substrate surface treated with HF for cleaning reasons and thus to obtain a hydrophilic surface. Is done.
【0019】有利に槽内へないしは槽からの少なくとも
1つの基板の投入及び/又は排出の方法の場合に、基板
が槽内で収容装置によって保持されかつ投入及び/又は
排出される。Advantageously, in the case of the method of loading and / or unloading at least one substrate into and out of the bath, the substrate is held in the bath by a receiving device and loaded and / or unloaded.
【0020】本発明の利点は、基板のための支持装置と
してのカセット及び/又は基板の投入ないしは排出のた
めのカセットを不要にすることができることにある。従
って本発明による方法は、キャリヤなしで済ませること
ができる。このことによって、乾燥段階に関するキャリ
ヤの公知の欠点(キャリヤ−基板間の接触箇所が乾燥し
ない)は、回避される。本発明による収容装置は、キャ
リヤではなく単に、1つもしくはそれ以上の基板のため
の投入及び排出が可能である支持装置にすぎない。キャ
リヤ無しの乾燥は、キャリヤの乾燥段階を省略するばか
りではなく、洗浄過程に関して洗浄時間及びそれどころ
か洗浄液の使用量も減少させる。同様に乾燥装置中の化
学薬品による汚れが、キャリヤ無しの処理方法によって
減少される。An advantage of the present invention is that a cassette as a support device for substrates and / or a cassette for loading or unloading substrates can be dispensed with. The method according to the invention can therefore be performed without a carrier. This avoids the known disadvantages of the carrier with respect to the drying step (contact points between the carrier and the substrate do not dry). The receiving device according to the invention is not a carrier but merely a support device capable of loading and unloading one or more substrates. Carrier-free drying not only omits the carrier drying step, but also reduces the cleaning time and even the amount of cleaning liquid used for the cleaning process. Similarly, chemical fouling in the drying equipment is reduced by the carrierless treatment method.
【0021】有利に収容装置は、2つの部分に分かれて
いる支持装置及び別個に垂直に可動であるナイフからな
る。[0021] Advantageously, the receiving device comprises a support device which is divided into two parts and a knife which is vertically movable separately.
【0022】有利に収容装置は、基板が、フード内側の
対向する面に施与されているガイドによって案内ないし
は保持されるまで、基板を槽から排出する。Advantageously, the receiving device discharges the substrate from the bath until the substrate is guided or held by a guide provided on the opposite surface inside the hood.
【0023】有利な実施態様の場合には、槽からの基板
の排出後に、基板を該基板の位置で槽の上で乾燥状態で
保持する可動式ホルダが備えられている。フード下ない
しはフード内の可動式ホルダは、基板が可動式ホルダに
よって保持される場合にはフードが、基板の位置を変え
ることなく簡単に開くこともできるし、閉じることもで
きるように設計されている。可動式ホルダは、常に乾燥
しておりかつ既に乾燥された基板とのみ接触する。In a preferred embodiment, a movable holder is provided for holding the substrate dry on the tank at the position of the substrate after the substrate has been ejected from the tank. The movable holder under or in the hood is designed such that when the substrate is held by the movable holder, the hood can be easily opened and closed without changing the position of the substrate. I have. The movable holder is always dry and only contacts the already dried substrate.
【0024】有利に本発明による方法には、超音波ない
しはメガソニックによる洗浄−ないしは清浄化段階の補
助手段が備えられている。有利にこのために槽には、基
板清浄化のための音波を発生させるために圧電素子が備
えられている。このことに関しては、このような「メガ
ソニック」システムは有利であり、それというのも基板
の微粒子異物が本発明による方法の場合には最少に減少
されるからである。従って基板の極めて徹底的な清浄化
は、達成される。Advantageously, the method according to the invention is provided with auxiliary means for the ultrasonic or megasonic cleaning and / or cleaning steps. To this end, the bath is advantageously provided with a piezoelectric element for generating sound waves for cleaning the substrate. In this regard, such a "megasonic" system is advantageous because particulate matter on the substrate is reduced to a minimum with the method according to the invention. Thus, a very thorough cleaning of the substrate is achieved.
【0025】前記の課題は同様に、本発明によれば、請
求項18記載の特徴部によって解決される。The above-mentioned object is likewise achieved according to the invention by the features of claim 18.
【0026】有利に、付加的に(内側)槽の外側に外側
槽が備えられており、この外側槽は、例えば安全タンク
として使用される。Advantageously, an outer tank is additionally provided outside the (inner) tank, which outer tank is used, for example, as a safety tank.
【0027】交換すべき流体の均一なオーバーフローに
関する内側槽の調整のために有利に、整準ねじが備えら
れている。A leveling screw is advantageously provided for the adjustment of the inner bath with respect to a uniform overflow of the fluid to be exchanged.
【0028】有利に導入装置としてディフューザが、有
利に槽底部に備えられている。このディフューザは、例
えば前記のオゾン(O3)にとって重要である。A diffuser is preferably provided as an introduction device, preferably at the bottom of the vessel. This diffuser is important for the above-mentioned ozone (O 3 ), for example.
【0029】液体、例えば希釈された弗化水素酸の場合
には、同様に有利に槽底部の導入メカニズムと組み合わ
されたポンプが、有利である。In the case of liquids, for example diluted hydrofluoric acid, pumps which are likewise advantageously combined with an introduction mechanism at the bottom of the tank are also advantageous.
【0030】本発明による装置の場合には、槽ないしは
乾燥した基板を微粒子異物から保護するために、かつ、
槽上の領域内の濃厚な蒸気雰囲気に配慮するために、槽
上にフードが存在する。蒸気の導入のためにフードは、
組み込まれたディフューザ、即ち、フード内に組み込ま
れた孔あき拡散板を、IPA(イソプロピルアルコー
ル)/N2−混合の供給ないしは分散のために有してい
る。このようにして、均質かつ全ての基板に均等な蒸気
雰囲気が処理室内に生じ、従って各ウェーハに対する処
理条件は同じである。IPAと窒素の混合は、ガス洗浄
瓶(バブラ)中で行なわれる。In the case of the device according to the invention, the tank or the dried substrate is protected from foreign particles and
A hood is present on the tank to allow for a rich steam atmosphere in the area above the tank. The hood for the introduction of steam
Incorporated diffuser, i.e., the perforated diffuser incorporated into the hood, IPA (isopropyl alcohol) / N 2 - has for the supply or dispersion mixing. In this way, a homogeneous and uniform vapor atmosphere is created in the processing chamber for all substrates, so that the processing conditions for each wafer are the same. Mixing of IPA and nitrogen is performed in a gas scrubbing bottle (bubbler).
【0031】有利に基板は、槽内で収容装置によって保
持され、この収容装置は、ナイフ形部材、いわゆるナイ
フ及び、例えば2つの支持装置からなる。ナイフ及び支
持装置は、それぞれ相互に相対的に可動であり、かつ該
ナイフは、有利に2つの支持装置の間に配置されてい
る。該支持装置は槽内に備えられており、一方では、該
ナイフは、液体から浮上することもできる。The substrate is preferably held in a bath by a receiving device, which comprises a knife-shaped element, a so-called knife and, for example, two support devices. The knife and the support device are each movable relative to one another, and the knife is preferably arranged between the two support devices. The support device is provided in a bath, while the knife can also float from the liquid.
【0032】本発明の場合には、槽上のフードは、基板
のためのガイドを有している。このガイドは、有利にフ
ード内側の2つの対向する面に固定されている。このガ
イド中で基板、例えばシリコンウェーハは、案内ないし
は保持することができる。In the case of the present invention, the hood on the bath has a guide for the substrate. This guide is advantageously fixed to two opposing faces inside the hood. In this guide, a substrate, for example a silicon wafer, can be guided or held.
【0033】ガイドは、フードの対向する面に固定され
ている。該ガイドは、複数の基板を受けるための溝状の
形を有している。このことによって、基板を保持するた
めのカセットを不要とすることができる。The guides are fixed to opposing surfaces of the hood. The guide has a groove shape for receiving a plurality of substrates. This eliminates the need for a cassette for holding substrates.
【0034】有利にフード内のガイドは、2つの部分に
分けられて実施され、この場合、基板の受け取りを容易
にするために、これら収容装置の少なくとも一方の縁部
は傾斜している。The guide in the hood is preferably implemented in two parts, in which case at least one edge of these receiving devices is inclined in order to facilitate the receipt of the substrate.
【0035】有利にガイドの少なくとも一方は、基板の
受け取りを容易にするために、傾斜した縁部を有してい
る。またこのことによってフードの開閉が容易になる。[0035] Advantageously, at least one of the guides has beveled edges to facilitate receipt of the substrate. This also facilitates opening and closing of the hood.
【0036】本発明の有利な実施態様の場合には、可動
式ホルダが備えられており、この可動式ホルダは、フー
ド下及び槽上で、外側から槽の上を入ってくることがで
き、かつ弓形の凹所を有している。この可動式ホルダ
は、フード内の収容装置及びまた槽内のナイフと2つの
支持装置からなる組合せと同様に、基板を単独で保持す
ることができる。基板は、可動式ホルダの弓形の凹所の
上で静止し、かつ該基板は、収容装置によってフード内
で固定され、この結果、フードは、基板の連行なしに開
くことができる。さらに基板は、別の処理のためにシス
テムハンドラが該基板を可動式ホルダから取り出すま
で、可動式ホルダのみによって保持される。In a preferred embodiment of the invention, a movable holder is provided, which can enter the tank from outside, under the hood and on the tank, And it has a bow-shaped recess. This movable holder can hold a substrate alone, as well as a storage device in a hood and also a combination of a knife in a tank and two support devices. The substrate rests on the arcuate recess of the movable holder, and the substrate is fixed in the hood by the receiving device, so that the hood can be opened without entrainment of the substrate. Further, the substrate is held only by the movable holder until the system handler removes the substrate from the movable holder for further processing.
【0037】次に、本発明ならびに本発明のさらなる発
展及び利点を図に関連する実施例につき詳説する。The invention and further developments and advantages of the invention will now be described in more detail with reference to an embodiment shown in the drawings.
【0038】[0038]
【実施例】図1には、基板、特にウェーハ(2)の化学
湿式処理のための装置(1)が示されている。装置
(1)は、外側槽(5)及び内側槽(10)を有する。
外側槽(5)は、外側環状室(6)及び内側環状室
(7)を有する。内側槽(10)上には、内側槽(1
0)の覆いを外すための開口メカニズム(13)を備え
たフード(12)が配置されている。フード(12)
は、拡散板(14)によって仕切られた空間を有してお
り、この空間には例えばIPA/N2−混合物を導入す
ることができる。内側槽(10)は、狭い円筒(18)
を該内側槽(10)の下端部に有している。円錐台形中
間部分(20)によって内側槽(10)の直径は、広い
円筒(19)へと拡大されている。内側槽(10)の上
縁部において該縁部は、傾斜した外縁部(23)として
形成されている。このことによって、液体のオーバーフ
ローに関する、内側槽(10)の上縁部の性質が改善さ
れている。内側槽(10)を外側槽(5)に固定しかつ
外側槽の室(6)中に配置されている整準ねじ(4)に
よって内側槽(10)は、例えば、槽の長さ全体を越え
る洗浄液の均一なオーバーフローを保証するために調節
することができる。内側槽(10)は、その底部(1
1)に重ね合わされて配置された2つの導入装置、即ち
ディフューザ(25)及び導入メカニズム(26)を有
している。ディフューザ(25)は、導入メカニズム
(26)の上に配置されている。ディフューザ(25)
は、導管(30)を介して流体タンク(35)に接続し
ており、この流体タンクには有利にオゾン(O3)が入
れられている。この図1の場合には、オゾンの流れの方
向が矢印で示されている。導入メカニズム(26)は、
導管(31)を介してポンプ(36)に接続されてい
る。ポンプ(36)は、任意に流体タンク(37)ない
しは(38)から導管(39)ないしは(40)を介し
てウェーハ(2)のための化学処理のための流体、例え
ば希釈された弗化水素酸をポンプ輸送する。図1の場合
には、矢印によって導管(31)中のポンプ輸送される
流体の流れの方向が示されている。同様に内側槽(1
0)中に右及び左の支持装置(43)ないしは(44)
が存在し、これら支持装置は、内側槽(10)中で高さ
において平行して調節することができる2つのホルダ
(46)ないしは(47)に固定されている。右及び左
の支持装置(43、44)は、ウェーハ(2)を受ける
ための弧状カッティング(60)ないしは(61)を有
している。2つの支持装置(43、44)の間にいわゆ
るナイフ(42)、即ち鋭角の端部を有する細長いエレ
メントが存在する。ナイフ(42)は、例えば石英ガラ
スから製造されており、かつ、右及び左の支持装置(4
3)ないしは(44)に関係なく高さにおいて可動であ
る。図1の場合には、ナイフ(42)がウェーハ(2)
を内側槽(10)内から持ち上げておりかつウェーハ
(2)はホルダ(51)によって内側槽(10)の上
で、フード(12)内で保持されているのが示されてい
る。ガイド即ちウェーハ収容装置(51)は、支持装置
(43、44)と同様に、同時に多数のウェーハをカセ
ットなしで取り扱うための溝状の形を有している。ウェ
ーハ(2)がガイド(51)中に入るのを容易にするた
めにガイド(51)の内側縁部は傾斜している。1個な
いしは複数のウェーハ(2)は、ガイド(51)によっ
て保持ないしは案内される。外側槽(5)は上部を、開
口部(9)を有するカバー(8)によって閉鎖されてい
る。安全タンクとして使用される外側槽(5)は、中央
に円形開口部を有する円板として形成されている中間部
分(50)を介して広い円筒(49)に結合している狭
い円筒(48)で構成されている。広い円筒(49)
は、内側環状室(7)の外面ないしは外側環状室(6)
の内面を形成しており、この外側環状室から、オーバー
フローした流体を開口部(9)を介して導出ないしはポ
ンプ排出することができる。1 shows an apparatus (1) for the chemical wet processing of a substrate, in particular a wafer (2). The device (1) has an outer tank (5) and an inner tank (10).
The outer tub (5) has an outer annular chamber (6) and an inner annular chamber (7). The inner tank (1) is placed on the inner tank (10).
A hood (12) with an opening mechanism (13) for uncovering 0) is arranged. Food (12)
Has a space partitioned by the diffusion plate (14), in the space for example IPA / N 2 - can be introduced into the mixture. The inner tank (10) is a narrow cylinder (18)
At the lower end of the inner tank (10). Due to the frustoconical intermediate part (20), the diameter of the inner vessel (10) is enlarged to a wide cylinder (19). At the upper edge of the inner tub (10), the edge is formed as an inclined outer edge (23). This improves the properties of the upper edge of the inner bath (10) with respect to liquid overflow. By means of leveling screws (4) which fix the inner tub (10) to the outer tub (5) and are arranged in the chamber (6) of the outer tub, the inner tub (10) can for example It can be adjusted to ensure a uniform overflow of the washing solution over it. The inner tank (10) has its bottom (1
It has two introduction devices arranged one above the other, namely a diffuser (25) and an introduction mechanism (26). The diffuser (25) is located above the introduction mechanism (26). Diffuser (25)
Is connected to a fluid reservoir (35) via conduit (30), it is advantageously ozone (O 3) is placed in the fluid reservoir. In the case of FIG. 1, the direction of the flow of ozone is indicated by arrows. The introduction mechanism (26)
It is connected to a pump (36) via a conduit (31). A pump (36) optionally comprises a fluid for chemical processing for the wafer (2), for example diluted hydrogen fluoride, from a fluid tank (37) or (38) via a conduit (39) or (40). Pump the acid. In the case of FIG. 1, the arrows indicate the direction of flow of the pumped fluid in the conduit (31). Similarly, the inner tank (1
0) during which the right and left support devices (43) or (44)
These support devices are fixed to two holders (46) or (47), which can be adjusted in parallel in height in the inner tank (10). The right and left support devices (43, 44) have an arcuate cutting (60) or (61) for receiving the wafer (2). Between the two support devices (43, 44) there is a so-called knife (42), an elongated element with a sharp end. The knife (42) is made, for example, of quartz glass and has a right and left support device (4).
It is movable in height regardless of 3) or (44). In the case of FIG. 1, the knife (42) is connected to the wafer (2).
Is lifted out of the inner tank (10) and the wafer (2) is shown held in the hood (12) above the inner tank (10) by the holder (51). The guide or wafer storage device (51), like the support devices (43, 44), has a groove-like shape for handling a large number of wafers simultaneously without a cassette. The inner edge of the guide (51) is beveled to facilitate the entry of the wafer (2) into the guide (51). One or more wafers (2) are held or guided by a guide (51). The outer tub (5) is closed at the top by a cover (8) having an opening (9). The outer tank (5) used as a safety tank is a narrow cylinder (48) which is connected to a wide cylinder (49) via an intermediate part (50) formed as a disk with a circular opening in the center. It is composed of Wide cylinder (49)
Is the outer surface of the inner annular chamber (7) or the outer annular chamber (6)
The overflowed fluid can be led out or pumped out from the outer annular chamber through the opening (9).
【0039】図2には、図2〜図9に示されているプロ
セスフローの第1段階が示されている。図2には、ウェ
ーハ(2)によって示されているウェーハパケットがシ
ステムハンドラ(90)によって上記装置に供給されて
いるのが示されている。ウェーハ収容装置(51)が結
合しているフード(12)は、オートマチック・シリン
ダ(15)によって開けられている。ナイフ(42)な
らびに右及び左の支持装置(43)ないしは(44)
は、ウェーハ(2)を受け取る用意をしている。その
上、ナイフ(42)は、支持装置(43、44)より若
干沈んでおり、この結果、ナイフ(42)の先端が弧状
カッティング(60)ないしは(61)の円周上に位置
し、この円周上に後からウェーハ(2)が載る。FIG. 2 shows the first stage of the process flow shown in FIGS. FIG. 2 shows a wafer packet, represented by wafer (2), being supplied to the apparatus by a system handler (90). The hood (12) to which the wafer storage device (51) is connected is opened by an automatic cylinder (15). Knife (42) and right and left support devices (43) or (44)
Is ready to receive the wafer (2). Moreover, the knife (42) is slightly submerged below the support device (43, 44), so that the tip of the knife (42) is located on the circumference of the arcuate cutting (60) or (61), The wafer (2) is placed on the circumference later.
【0040】次に図3には、内側槽(10)中へのウェ
ーハ(2)の降下が示されており、この内側槽は、例え
ばHFで充填されている。FIG. 3 shows the lowering of the wafer (2) into the inner bath (10), which is filled, for example, with HF.
【0041】図4には、フード(12)が内側槽(1
0)の上に閉じられており、かつ、ウェーハ(2)が内
側槽(10)中の中間部分(20)にほぼ達する下方の
位置に沈められているのが示されており、この場合、ナ
イフ(42)ならびに右及び左の支持装置(43)ない
しは(44)は、同じ速度で下に移動する。In FIG. 4, the hood (12) has an inner tank (1).
0) and is immersed in a lower position where the wafer (2) almost reaches the middle part (20) in the inner bath (10), in which case The knife (42) and the right and left support devices (43) or (44) move down at the same speed.
【0042】図5には、ウェーハ(2)の乾燥段階、即
ち、内側槽(10)からのウェーハ(2)の持ち上げが
示されている。本発明によれば、図4に示された処理段
階と図5に示された処理段階の間に化学流体HFは、他
の流体と交換され、この場合、最後に有利に洗浄液が導
入される。有利に内側槽(10)の上で、蒸気がウェー
ハに使用され、この蒸気は、ウェーハ(2)上では凝縮
せず、かつこの場合、洗浄液と蒸気との混合物は、洗浄
液単独より小さな表面張力を有する。この目的のため
に、フード(12)は、依然として閉められている。有
利にナイフ(42)は、一定速度で上に移動するが、し
かし2つの支持装置(43)及び(44)は、半分の速
度のみで上に移動し、これによりこれら支持装置は後に
残される。FIG. 5 shows the drying stage of the wafer (2), ie the lifting of the wafer (2) from the inner bath (10). According to the invention, the chemical fluid HF is exchanged with another fluid between the process steps shown in FIG. 4 and the process step shown in FIG. 5, in which case the cleaning liquid is advantageously introduced last. . Advantageously, on the inner bath (10), steam is used for the wafer, which vapor does not condense on the wafer (2) and in this case the mixture of cleaning liquid and vapor has a lower surface tension than the cleaning liquid alone Having. For this purpose, the hood (12) is still closed. Advantageously, the knife (42) moves up at a constant speed, but the two support devices (43) and (44) move up only at half speed, so that these support devices are left behind. .
【0043】図6には、支持装置(43)及び(44)
が止まっているのが示されており;ウェーハ(2)のさ
らなる持ち上げは、ナイフ(42)のみによって行なわ
れる。ウェーハ(2)が、ナイフ(42)による単独の
持ち上げ前に、内側槽(10)中の洗浄液となお接触し
ていることが示されている。FIG. 6 shows the supporting devices (43) and (44).
Is shown stopped; further lifting of the wafer (2) is performed only by the knife (42). It is shown that the wafer (2) is still in contact with the cleaning liquid in the inner bath (10) before the sole lifting by the knife (42).
【0044】図7には、乾燥段階の最後が示されてお
り、即ちウェーハ(2)は、完全に内側槽(10)から
外に持ち上げられており、かつナイフ(42)及びホル
ダ(51)によって保持されている。FIG. 7 shows the end of the drying stage, ie the wafer (2) has been lifted completely out of the inner bath (10) and has a knife (42) and a holder (51). Is held by
【0045】図8には、フード(12)が開く前に可動
式ホルダ(70)及び(71)が、ウェーハ(2)を該
ウェーハの位置で、フード(12)が開く間ないしは開
いた後に、即ち、ホルダ(51)が外される間ないしは
外された後に下から保持するために、内側槽(10)の
上の空間内に入ってくるのが示されている。ウェーハ
(2)の保持は、可動式ホルダ(70)及び(71)に
よってのみ行なうことができ、即ち、ナイフ(42)、
支持装置(43、44)及びウェーハ収容装置(51)
は、ウェーハ(2)のさらなる保持には必要ない。可動
式ホルダ(70)71)は、ウェーハ(2)をその姿勢
で保持するために、弓形の切り込みを有している。同様
に図8には、ナイフ(42)が再び内側槽(10)中、
即ち、右及び左の支持装置(43)及び(44)より下
の該ナイフの初期位置(図2参照)に沈んでいるのが示
されている。In FIG. 8, before the hood (12) is opened, the movable holders (70) and (71) move the wafer (2) at the position of the wafer during or after the hood (12) is opened. That is, it is shown entering into the space above the inner tub (10) to hold it from below during or after the holder (51) is removed. The holding of the wafer (2) can only be carried out by means of the movable holders (70) and (71), ie the knife (42),
Support device (43, 44) and wafer storage device (51)
Is not required for further holding of the wafer (2). The movable holder (70) 71) has an arc-shaped notch to hold the wafer (2) in that position. Similarly, in FIG. 8, the knife (42) is again in the inner tub (10),
That is, it is shown submerged in the initial position of the knife below the right and left support devices (43) and (44) (see FIG. 2).
【0046】次に図9の場合には、フード(12)は開
けられ、かつ、さらなる処理のためにシステムハンドラ
(90)はウェーハ(2)を装置(1)から取り出して
いる。従って図2〜9は、1作業周期過程を示してい
る。Next, in FIG. 9, the hood (12) is opened and the system handler (90) has removed the wafer (2) from the apparatus (1) for further processing. 2 to 9 show one work cycle process.
【0047】本発明を有利な実施例により詳説した。し
かしながら当業者は、本発明の概念を逸脱せずに多くの
変更ないしは発展を行なうことができる。The invention has been described in detail with reference to advantageous embodiments. However, those skilled in the art can make numerous modifications or developments without departing from the inventive concept.
【図1】本発明による装置の断面図である。FIG. 1 is a sectional view of an apparatus according to the present invention.
【図2】本発明によるプロセスフローの第1段階を示す
図である。FIG. 2 shows the first stage of the process flow according to the invention.
【図3】本発明によるプロセスフローの第2段階を示す
図である。FIG. 3 shows a second stage of the process flow according to the invention.
【図4】本発明によるプロセスフローの第3段階を示す
図である。FIG. 4 is a diagram showing a third stage of the process flow according to the present invention.
【図5】本発明によるプロセスフローの第4段階を示す
図である。FIG. 5 shows a fourth stage of the process flow according to the invention.
【図6】本発明によるプロセスフローの第5段階を示す
図である。FIG. 6 illustrates a fifth step in the process flow according to the present invention.
【図7】本発明によるプロセスフローの第6段階を示す
図である。FIG. 7 illustrates a sixth step in the process flow according to the present invention.
【図8】本発明によるプロセスフローの第7段階を示す
図である。FIG. 8 illustrates a seventh step in the process flow according to the present invention.
【図9】本発明によるプロセスフローの第8段階を示す
図である。FIG. 9 is a diagram showing an eighth stage of the process flow according to the present invention.
1 基板の化学処理のための装置 2 基板 7 槽からの流体のための導出装置 10 槽 12 フード 23 オーバーフロー装置 25 ディフューザ 26 導入メカニズム 30,31,35,37,38,39,40 導入装置 36 ポンプ 42 ナイフ 43,44 支持装置 51 ガイド 52 傾斜した縁部 70,71 可動式ホルダ REFERENCE SIGNS LIST 1 Device for chemical treatment of substrate 2 Substrate 7 Derivation device for fluid from tank 10 Tank 12 Hood 23 Overflow device 25 Diffuser 26 Introducing mechanism 30, 31, 35, 37, 38, 39, 40 Introducing device 36 Pump 42 Knife 43,44 Supporting device 51 Guide 52 Inclined edge 70,71 Movable holder
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 FI B08B 3/08 B08B 3/08 A C23G 1/00 C23G 1/00 5/02 5/02 H01L 21/306 H01L 21/306 Z (72)発明者 ミラン コザク ドイツ連邦共和国 ヒューフィンゲン ホーエンシュトラーセ 36 (72)発明者 ヨハン ドゥルスト ドイツ連邦共和国 ドナウエッシンゲン シュヴァルベンヴェーク 15 (56)参考文献 特開 昭58−87826(JP,A) 特開 平5−23648(JP,A) 特開 平1−135024(JP,A) 特開 昭64−32645(JP,A) 特開 平2−50426(JP,A) 特開 平3−188631(JP,A) 特開 平2−90524(JP,A) 特開 平1−140631(JP,A) 特開 平6−9300(JP,A) 実開 平1−118339(JP,U) 実開 平4−15232(JP,U) 実公 昭48−31886(JP,Y1)────────────────────────────────────────────────── ─── Continued on the front page (51) Int.Cl. 6 Identification code FI B08B 3/08 B08B 3/08 A C23G 1/00 C23G 1/00 5/02 5/02 H01L 21/306 H01L 21/306 Z (72) Inventor Milan Kozak Hufingen Hohenstraße, Germany 36 (72) Inventor Johann Dürst, Germany Donaueschingen Schwalbenweg 15 (56) References JP-A-58-87826 (JP, A) JP-A-5-23648 (JP, A) JP-A-1-135024 (JP, A) JP-A-64-32645 (JP, A) JP-A-2-50426 (JP, A) JP-A-3-188631 (JP, A) JP-A-2-90524 (JP, A) JP-A-1-140631 (JP, A) JP-A-6-9300 (JP, A) JP-A-1-118339 (JP, U) Japanese Utility Model 4-15232 (JP, U) Japanese public utility model 48-31886 (JP, Y1)
Claims (26)
理、洗浄過程及び乾燥過程を順次実施することによって
基板(2)を化学処理する方法において、化学処理と洗
浄過程を同じ槽(10)内で行ない、乾燥過程を槽(1
0)からの基板(2)の緩徐な排出によって行ない、か
つ基板(2)を槽(10)からの持ち上げの際にフード
(12)のガイド(51)内に保持することを特徴とす
る、基板の化学処理のための方法。1. A method for chemically treating a substrate (2) by sequentially performing a chemical treatment, a cleaning process and a drying process on at least one substrate (2), wherein the chemical treatment and the cleaning process are performed in the same tank (10). The drying process in a tank (1
0) and by holding the substrate (2) in the guide (51) of the hood (12) when lifting the substrate (2) from the bath (10). Method for chemical treatment of substrates.
って槽(10)内の化学処理のための流体を追い出し、
化学処理のための流体を洗浄液と交換する、請求項1記
載の方法。2. The method according to claim 1 , wherein the cleaning solution is introduced after the chemical treatment.
Expel fluid for chemical treatment in the tank (10) I,
The method of claim 1, wherein the fluid for the chemical treatment is exchanged for a cleaning liquid.
この場合、蒸気は、基板(2)上で凝縮せずかつ洗浄液
中に拡散する、請求項1又は2記載の方法。3. The drying process is performed by using steam,
3. The method according to claim 1, wherein the vapor does not condense on the substrate and diffuses into the cleaning liquid.
な表面張力を有している、請求項3記載の方法。4. The method of claim 3 , wherein the mixture of vapor and cleaning liquid has a lower surface tension than the cleaning liquid.
時に化学処理のための流体からなる混合物ないしは化学
処理のための流体と洗浄液からなる混合物を導出する、
請求項1から4までのいずれか1項に記載の方法。5. A cleaning liquid is introduced into the tank (10) and at the same time a mixture of a fluid for chemical treatment or a mixture of a fluid for chemical treatment and a cleaning liquid is derived.
A method according to any one of claims 1 to 4 .
液の導入及び化学処理のための流体の導出を槽(10)
の異なる位置で行なう、請求項5記載の方法。6. A tank (10) for introducing another fluid or a cleaning liquid for chemical treatment and for deriving a fluid for chemical treatment.
6. The method according to claim 5 , wherein the method is performed at different positions.
液の導入を槽(10)の底部から行なう、請求項5又は
6記載の方法。7. The method according to claim 5 , wherein the introduction of another fluid or cleaning liquid for the chemical treatment takes place from the bottom of the tank.
6. The method according to 6 .
いしは化学処理のための流体と洗浄液からなる混合物の
導出をオーバーフローによって行なう、請求項5から7
までのいずれか1項に記載の方法。8. A mixture comprising a fluid for chemical treatment.
Stone is performed by an overflow derivation of mixed compound made of the fluid and the cleaning solution for the chemical treatment, the claims 5 7
The method according to any one of the preceding claims.
水素酸である、請求項1から8までのいずれか1項に記
載の方法。9. is a hydrofluoric acid fluid was diluted for chemical treatment method according to any one of claims 1 to 8.
る、請求項1から8までのいずれか1項に記載の方法。10. is a fluid ozone for chemical treatment method according to any one of claims 1 to 8.
能及び/又は排出可能である収容装置(42、43、4
4)によって保持する、請求項1から10までのいずれ
か1項に記載の方法。11. A storage device (42, 43, 4) capable of loading and / or unloading a substrate (2) in a tank (10).
The method according to any one of claims 1 to 10 , wherein the method is carried out according to 4).
置(43、44)を有している、請求項11記載の方
法。12. The method according to claim 11 , wherein the receiving device has a knife (42) and a supporting device (43, 44).
44)が基板を、該基板がフード(12)のガイド(5
1)によって保持されるまで、槽から排出する、請求項
11又は12記載の方法。13. A knife (42) and a support device (43).
44) is a substrate, and the substrate is a guide (5) of the hood (12).
Discharging from the tank until retained by 1).
13. The method according to 11 or 12 .
(2)の排出後に該基板の下で可動でありかつ該基板を
該基板の位置で保持する、請求項1から13までのいず
れか1項に記載の方法。14. movable holder (70, 71) is held at the position of the substrate to be and substrate movable under the substrate upon discharge of the substrate (2), one of the Claims 1 to 13 Item 2. The method according to item 1.
によって補助する、請求項1から14までのいずれか1
項に記載の方法。To aid 15. The cleaning process by treatment with megasonic or any of claims 1 to 14 1
The method described in the section.
に記載の方法を実施するための装置(1)において、 − 槽(10)内への化学処理のための流体又は洗浄液
のための導入装置(25、30、31、35、36、3
7、38、39、40); − 槽(10)からの化学処理のための流体の導出のた
めオーバーフロー装置(23); − 基板(2)のための収容装置(42、43、4
4); − 槽(10)の上のフード(12)及び − 基板(2)の保持のためのフード(12)内のガイ
ド(51)を有していることを特徴とする、基板の化学
処理のための装置。16. A device for carrying out the method according to any one of claims 1 to 15 (1), - a fluid or cleaning fluid for the chemical treatment of the vessel (10) <br / > Introduction device for (25, 30, 31, 35, 36, 3
7,38,39,40); - All derivation of the fluid for chemical treatment of the vessel (10)
Because the overflow equipment (23); - receiving device for the substrate (2) (42,43,4
4); - Food (12 above the vessel (10)) and - characterized in that it comprises a substrate (food for retention of 2) (12) of the guide (51), the chemical substrate Equipment for processing.
記載の装置(1)。17. The method according to claim 16 , wherein an outer tub is provided.
The described device (1).
有している、請求項16又は17記載の装置(1)。18. The device (1) according to claim 16 or 17 , wherein the device has leveling screws for adjusting the bath.
36、37、38、39、40)がディフューザ(2
5)を有している、請求項16から18までのいずれか
1項に記載の装置(1)。19. An introduction device (25, 30, 31, 35,
36, 37, 38, 39, and 40) are diffusers (2
Device (1) according to any one of claims 16 to 18 , comprising (5).
36、37、38、49、40)が、導入メカニズム
(26)を有するポンプ(36)を有している、請求項
16から19までのいずれか1項に記載の装置(1)。20. An introduction device (25, 30, 31, 35,
36, 37, 38, 49, 40) comprises a pump (36) having an introduction mechanism (26).
Device (1) according to any one of items 16 to 19 .
43、44)がナイフ(42)及び支持装置(43、4
4)を有している、請求項16から20までのいずれか
1項に記載の装置(1)。21. A storage device for a substrate (2).
43, 44) are the knife (42) and the supporting device (43, 4).
Device (1) according to any one of claims 16 to 20 , comprising (4).
ておりかつ基板(2)を該基板の位置で側面で保持す
る、請求項16から21までのいずれか1項に記載の装
置(1)。22. Guide (51) is held at the side surface of which and the substrate (2) is divided into two parts at the position of the substrate, according to any one of claims 16 to 21 ( 1).
斜した縁部(52)を有している、請求項16から22
までのいずれか1項に記載の装置(1)。23. At least one of the guide (51) has the edge (52) inclined, claims 16 22
Device (1) according to any one of the preceding claims.
可動式ホルダ(70、71)が備えられており、この可
動式ホルダが基板(2)の排出後に該基板の下へ可動で
ある、請求項16から23までのいずれか1項に記載の
装置(1)。24. A movable holder (70, 71) for a substrate (2) is provided on the tank (10), and the movable holder is placed under the substrate (2) after discharging the substrate (2). Device (1) according to any one of claims 16 to 23 , which is movable.
置が備えられている、請求項16から24までのいずれ
か1項に記載の装置(1)。25. The device (1) according to any one of claims 16 to 24 , wherein a device for processing with megasonics is provided.
されている、請求項16から25までのいずれか1項に
記載の装置(1)。 26. A steam processing device is disposed on the tank (10).
The method according to any one of claims 16 to 25, wherein
The described device (1).
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