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JP2986875B2 - 集積化太陽電池 - Google Patents

集積化太陽電池

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JP2986875B2
JP2986875B2 JP2235892A JP23589290A JP2986875B2 JP 2986875 B2 JP2986875 B2 JP 2986875B2 JP 2235892 A JP2235892 A JP 2235892A JP 23589290 A JP23589290 A JP 23589290A JP 2986875 B2 JP2986875 B2 JP 2986875B2
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    • Y02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02EREDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/543Solar cells from Group II-VI materials

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Description

【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分野] 本発明は集積化太陽電池に係わり、特に一体基板上に
直列接続して、集積化された薄膜太陽電池に関する。
[従来の技術及び発明が解決しようとする課題] 太陽電池は、その種類によらず、一般に出力電圧が低
いので、一般の機器の電源として使用する場合、直列に
接続して電圧を上げて使用しなければならない。
このとき、半導体層として結晶シリコンあるいは多結
晶シリコンを用いる太陽電池では、太陽電池を形成した
半導体ウエハーをリード線によって直列に接続してい
る。しかしながら、リード線によって直列化する場合、
断線の不安があり、また組立工程が複雑で製造コストも
高くなるという問題があった。
これに対し、半導体層としてアモルファスシリコンを
用いる太陽電池では、一体基板上で、リード線を用いず
に直列化接続する方法がとられている。この方法の一例
としては、特公昭58−21827号公報に示されているよう
に、一体基板上にいくつかの部分に分割された太陽電池
を形成し、第16図の平面図に示すように、隣り合った太
陽電池の上部電極1604と下部電極1602を半導体層1603の
形成されていない場所で接続する方法がある。
この方法によれば、1枚の基板から、実用的な出力電
圧が得られ、太陽電池モジュールの組立工程が簡単化さ
れて、製造コストが低下し、断線の不安もなくなり、製
造の歩留りも向上した。
しかしながら、太陽電池の面積を大きくすると、透明
電極(上部電極)の抵抗値が大きくなり、太陽電池の光
電変動効率が低下するという問題点があった。
また、特公昭62−5353号公報には、第17図の断面図の
ように、一体基板上で分割された太陽電池の隣接する境
界部分で接続する方法が示されている。この方法によれ
ば、接続部の間の太陽電池の幅を最適化することによっ
て、透明電極(上部電極)の抵抗値を下げ、大面積の太
陽電池においても、光電変換効率の低下が少なくなっ
た。
しかしながら、この方法では、下部電極1702とアモル
ファスシリコン層1703と上部電極1704を、別々にパター
ニングしなければならないため、アモルファスシリコン
層1703の堆積後、つまり上部電極1704の堆積前にパター
ニングが必要であり、半導体層が大気にさらされている
工程が長くなって、太陽電池の特性に悪影響を与えるお
それがある。
また、隣り合った太陽電池の下部電極1702は、アモル
ファスシリコン層1703で絶縁されているが、アモルファ
スシリコン層1703は半導体層であり、またn型アモルフ
ァスシリコン層、あるいはp型アモルファスシリコン層
のような低抵抗の半導体層を含むため、リーク電流が生
じ、絶縁耐圧も低くなるという問題がある。
さらに、上部電極1704に透明電極を用いる場合には、
光透過率の確保のため、透明電極の膜厚を薄くした場合
に、接続部の段差により、断線が生じるという問題があ
った。
[発明の目的] 本発明の目的は、上述した従来の技術の課題点を解決
し、一体基板上で、直列化された、信頼性が高く、製造
工程が簡単で、低コストな大面積の集積化太陽電池を提
供することにある。
[課題を解決するための手段] 本発明者は、上述の目的を達成すべく鋭意研究を重ね
たところ完成に至ったものであり、 本発明の集積化太陽電池は、下部電極と、半導体層
と、上部電極とを有する複数の太陽電池を、接続して集
積化される集積化太陽電池において、 前記半導体層と前記上部電極の一部をパターニング除
去することによって、前記下部電極の一部に前記半導体
層及び前記上部電極で覆われていない除去領域が形成さ
れていること、前記除去領域を含む隣接する太陽電池の
対向する端部とこれらの端部の間の領域あるいは全面を
被覆する絶縁層が形成されていること、隣接する太陽電
池の一方の下部電極の前記除去領域上に形成された前記
絶縁層の一部と、他方の上部電極上に形成された前記絶
縁層の一部とを取り除くことによって接続部が形成され
ていること、及び前記隣接する太陽電池のそれぞれに形
成された接続部を前記絶縁層をまたいで接続するように
導電層が形成されていること、を特徴とする。
[作用] 本発明においては、一体基板上で、分割された太陽電
池を直接に接続するにあたり、隣接した太陽電池の下部
電極を従来例の様に半導体層で絶縁するのではなく、絶
縁層で絶縁することにより、リーク電流をなくし、絶縁
耐圧を向上させることができる。
また半導体層と上部電極を同時にパターニングできる
構造とすることによって、半導体層のみをパターニング
する工程を省略することができ、半導体層表面が長時間
大気にさらされることを防ぐことができる。
また、隣接した太陽電池の上部電極と下部電極を接続
する導電層を上部電極と独立して設けることによって、
上部電極の膜厚が薄い場合でも、接続部の段差による断
線をなくすことができる。
本発明者は、上述の知見に基き、以下の構成の集積化
太陽電池によって前述の目的を達成した。
[実施例] 以下、本発明の好適な実施態様例を第1図、第3図に
基いて説明する。
第3図は本発明の集積化太陽電池の一例の概観図であ
り、301は一体基板上に形成された複数の太陽電池、302
は複数形成された太陽電池301を直列に接続する接続部
分、303,304は引き出し電極である。
第1図は、本発明の実施例を説明するための断面図で
あり、第3図における接続部分Aを拡大した断面を示し
たものである。第2図は、本発明の参考例を説明するた
めの断面図であり、第3図における接続部分Aを拡大し
た断面を示したものである。
第1図〜第3図に示されるように絶縁基板201あるい
は導電性基板101上に絶縁層102を形成した基板上に形成
された複数の太陽電池301を直列に接続した集積化太陽
電池であって、下部電極103,202と半導体層104,203と上
部電極105,204を有している。そして太陽電池301の端部
あるいは全面が、下部電極の一部109,209及び上部電極
の一部110,210を除いて絶縁層106,205で被覆されてい
る。隣接する太陽電池の一方の下部電極で絶縁層で被覆
されていない部分109,209と他方の上部電極110,210が、
導電層107,206によって絶縁層106,205をまたいで接続さ
れている。第2図に示す参考例に対して第1図に示す本
実施例は絶縁層205が下部電極の一部と上部電極の一部
をともに取り除いて導電層206を形成している。第1図
に示す本実施例においても、第2図に示す参考例と同様
に、導電性基板上に絶縁層を形成した基板を用いてよ
く、絶縁層を全面に覆わず太陽電池の対向する端部とこ
れらの端部間の領域を覆うようにしてもよく、導電層を
一層で構成してもよい。
本発明の構成により、一体基板上で、太陽電池を直列
接続することによって、リード線を用いて直列接続する
場合よりも、低コストで、リード線の断線等のない信頼
性の高い太陽電池を提供することができる。
また、一体基板上の隣りあった太陽電池の端部あるい
は全部が下部電極と上部電極の一部を除いて絶縁層で被
覆されていることにより、直列化する太陽電池の間のリ
ーク電流がなくなり、絶縁耐圧を大巾に向上させること
ができる。
また、半導体層と上部電極を同時にパターニングでき
るので、製造工程が簡単になり、半導体層の形成後、半
導体層を長時間大気にさらすことを無くすことができ
る。
さらに、上部電極として透明電極を用いる場合でも、
隣り合った太陽電池の下部電極との接続材料は上部電極
そのものではなく、導電層を用いるので、接続部の段差
による断線を無くすことができる。
また、第3図の接続部と接続部の間の太陽電池の幅d
を最適化することにより、光電変換効率を下げずに大面
積化することができる。
以下本発明の集積化太陽電池の各部の構成を詳述す
る。
本発明に於て、使用する基板は、絶縁性基板あるいは
導電性基板に絶縁層を形成した基板である。絶縁性基板
としては、ガラス基板あるいはポリイミド、ポリエチレ
ンテレフタラート等の高分子フィルムを用いることがで
きる。
また、導電性基板としては、ステンレス等の金属基板
を用いることができる。
また、導電性基板上に形成する絶縁層としては、Si
O2,Si2N4,Al2O3等の無機材料の薄膜を用いるか、あるい
は合成樹脂を塗布してもよい。
本発明に於て、上部電極及び下部電極はAl,Ag,Cr,Ni,
Au,Pb,Sn,Zn,Mg,Cu,Fe,W等の金属、あるいは、ITO,Sn
O2,ZnO等の透明導電膜が好適に用いられる。
本発明に於て、半導体層としては、アモルファスシリ
コン、多結晶シリコン、Cds,CdTe,CuInSe2等の半導体薄
膜が好適に用いられる。
本発明に於て、太陽電池の電極及び半導体層の端部を
被覆する絶縁層は、第2図のごとく、端部のみを被覆す
る構成であっても良いし、第1図のごとく、全面を被覆
し、下部電極と上部電極の接続部分のみを除去した構成
であっても良い。
絶縁層としては、SiO2,Si3N4,Al2O3等の無機材料ある
いは、ポリエチレンエポシキ樹脂、ポリアミド樹脂、ポ
リイミド、ポリエステル樹脂、ポリカーボネイト樹脂、
フッ素樹脂等の合成樹脂の中から選択して用いられる。
また、上部電極側から光を入射させる太陽電池で、太
陽電池全面を前記絶縁層で被覆する場合、前記の絶縁層
の中で可視光の吸収係数の小さな物質が選択して用いら
れる。
絶縁層の厚さは、薄すぎると絶縁耐圧が低下し、厚す
ぎると隣り合った太陽電池の上部電極と下部電極を接続
する導電層の断線を生じるおそれがある。したがって絶
縁層の厚さは、使用する材料によって好ましい厚さが異
なるが、好ましくは0.2μm〜3mm、より好ましくは1μ
m〜1mm、最適には5μm〜500μmであることが望まし
い。
隣り合った太陽電池の上部電極と下部電極を接続する
導電層としては、Al,Ag,Cr,Ni,Au,Pb,Sn,Zn,Mg,Cu,Fe,W
等の金属、あるいは、はんだ等の合金、あるいはAgペー
スト等の粉末状金属を用いた導電性樹脂、あるいは以上
の物質を第1図のように2種以上組み合わせて使用する
ことができる。
また、導電層として、金属と導電性樹脂を組み合わせ
て二層構成とすることによって、電極とのコンタクトを
確実にし、更に導電層全体としての抵抗値を低くするこ
とができる。
また、本発明の集積化太陽電池には、表面保護材料及
び充てん材料が、太陽電池の構成に応じて適宜用いられ
る。
表面保護材料及び充てん材料の例としては、ガラス、
アクリル樹脂、ポリエチレンテレフタラート、シリコー
ン樹脂、ポリビニルブチラール(PVB)、エチレンビニ
ルアセテート(EVA)等を用いることができる。
また、本発明の集積化太陽電子に於て透明電極の上部
または下部に金属あるいは導電性樹脂からなる集積電極
を備えた構成とすることもできる。
次に本発明の集積化太陽電池の製造方法について述べ
る。
本発明の集積化太陽電池は、絶縁基板あるいは導電性
基板に絶縁層を形成した基板上に、下部電極と半導体層
及び上部電極を形成し、下部電極をパターニングして複
数に分割し、下部電極の一部が露出するように半導体層
と上部電極をパターニングし、パターニングした太陽電
池の端部あるいは全面を被覆するように絶縁層を形成
し、隣接する太陽電池の一方の下部電極の一部と他方の
上部電極の一部の絶縁層を取り除き、取り除いた部分を
導電層で接続して、全面に保護膜を形成することによ
り、製造される。
ここで各層のパターニングの方法としては、マスク蒸
着、あるいはマスク堆積、あるいはフォトリソグラフィ
ー、あるいはレーザースクライブ等の方法を用いること
ができる。
また、下部電極のパターニングと、半導体層及び上部
電極のパターニングは、どちらを先に行う工程でも製造
することができる。
また、導電層を第1図の例のように、2種類組み合わ
せて用いる場合には、第1の導電性層206を形成後、連
続して第2の導電性層207を形成する。このとき例えば
第1の導電性層として導電性樹脂としてのAgペーストを
用いることにより、電極とのコンタクトを良好にするこ
とができ、第2の導電性層として金属を用いることによ
って導電性層全体の抵抗を下げることができる。
以下、本発明の集積化太陽電池及びその製造方法を実
施例によって詳細に説明する。
(参考例1) まず、本発明に係わる参考例について説明する。
第2図に示した構成の集積化太陽電池を第4図〜第10
図に示した工程で製造した。
導電性基板101として、厚さ0.15mm、幅30cm、長さ300
mの帯状基板を用い、連続成膜装置を用いたRoll to Rol
l法によって連続的に各層を形成した。
まず、第4図のように、導電性基板101上に熱CVD法に
よって絶縁層102としてSiO2を3μm堆積し、更にその
上に下部電極103としてAlを5000Å、Crを500Å蒸着し、
ZnOをスパッタ法によって5000Å堆積した。
次に、n型アモルファスシリコンと真性アモルファス
シリコンゲルマンとp型微結晶シリコンとn型アモルフ
ァスシリコンと真性アモルファスシリコンとp型微結晶
シリコンをこの順に合計4000Å、プラズマCVD法によっ
て堆積し、タンデム型の半導体層104を形成し、ITOを70
0Å蒸着して、上部電極105を形成し、第5図に示した構
成の太陽電池を形成した。
次に第6図に示すように、601の部分の上部電極105と
半導体104と下部電極103を波長1.06μmのQスイッチパ
ネルのYAGレーザーで、出力0.8W、周波数4KHZで直径50
μmのレーザービームを照射し、速度100mm/secで走査
して除去した。
次に第7図に示すように、701の部分の半導体層104及
び上部電極105を、QスイッチパルスのYAGレーザーで波
長0.53μmの第二高調波を使って出力0.3W、周波数4KHZ
で直径100μmのレーザービームを照射し、速度100mm/s
ecで走査して除去し、下部電極103の一部が露出した構
造にした。
次に絶縁層106として、エポキシ樹脂をスクリーン印
刷で、厚さ約30μm、幅約150μmで塗布して、第6
図、第7図の工程で形成した溝を埋め、第8図に示すよ
うな構成にした。
次に、波長1.06μmのQスイッチパルスのYAGレーザ
ーで出力0.3W、周波数4KHZで直径50μmのレーザービー
ムを照射して、100mm/secで走査して、第9図に示した
ように、901の部分のエポキシ樹脂を除去して、下部電
極103の一部を露出させた。この時エポキシ樹脂はレー
ザー光を吸収させるため、有色のものを使用した。
次に、露出させた下部電極103の一部と隣接する太陽
電池の上部電極105の一部を導電層107で接続した。導電
層107としては、Agペーストを用い、スクリーン印刷
で、厚さ約30μm、幅約150μmを第10図のように塗布
した。
次に、表面と裏面にEVAとポリビニルフロライド(PV
F)を用いて保護膜108を形成して、第2図に図示した接
続部の構成の集積化太陽電池を形成した。
この様にして作製した帯状SUS基板を所望の大きさに
切断することによって、所望の出力電圧、出力電流の太
陽電池を形成することができた。
例えば30cm×30cmの基板で25段直列に集積化した集積
化太陽電池を作成し、AM1.5、100mw/cm2のソーラーシミ
ュレータで電流、電圧特性を測定したところ、出力電圧
30Vのとき最大出力10Wであった。
(比較例1) 参考例1と同様の下部電極103、半導体層104、上部電
極105をもつ太陽電池を、特公昭62−5353号公報で開示
された方法で、第17図のような構造で直列化したとこ
ろ、上部電極105であるITOの膜厚が700Åと薄いため
に、段差部分で断線をおこし、集積化できなかった。
(参考例2) 参考例1と同様の製造工程で以下の点の異なる集積化
太陽電池を製造した。
絶縁層102として、LPCVD法によりSi3N4を3.5μm堆積
した。また下部電極103としてAgとC電極を積層し、半
導体層104として、p型CdTeとn型CdSを積層し、上部電
極105はn型CdSが兼用し、上部電極105上にAgの集電電
極を形成した。また、絶縁層106としてシリコーン樹脂
をスクリーン印刷した。
また、導電層107としては、Alをマスク蒸着により、
1μm堆積した。この様にして30cm×20cmの大きさで、
25段直列に接続した集積化太陽電池を製造したところ、
AM1.5、100mW/cm2で最大出力3.5Wが得られた。
(実施例) 第1図に示した本発明の集積化太陽電池を以下の工程
で製造した。
第11図〜第15図は第1図に示した本発明の集積化太陽
電池の製造工程の説明図である。
まず絶縁基板201としてガラス基板を用い、下部電極2
02として透明電極であるSnO2をスパッタリングにより20
00Å形成し、フォトリソグラフィーによって第11図のよ
うにパターニングした。
次に半導体層203としてp型アモルファスSiC層と真性
アモルファスシリコン層とn型アモルファスシリコン層
を合計5000ÅプラズマCVD法により順次堆積し、上部電
極204として、Cr500ÅとAl5000Åを蒸着して第12図の構
造にした。
次に透明電極のパターニング部分を中心に、フォトリ
ソグラフィーによって半導体層203と上部電極204をパタ
ーニングして、第13図のように下部電極202の一部が露
出した構造にした。
次に絶縁層205としてプラズマCVD法により、アモルフ
ァスSiNを全面に1μm堆積し、フォトリソグラフィー
によって、第14図の様に隣接した太陽電池の一方の下部
電極の一部上と他方の上部電極の一部上のアモルファス
SiNを除去した。
次に導電層206としてAgペーストをスクリーン印刷に
より塗布し、導電層207としてクリームハンダをスクリ
ーン印刷により塗布して第15図のごとく隣接した太陽電
池を直列接続した。
次に保護膜208として、EVAとPVFを形成し、第1図の
接続部を特徴とする第3図に示したような集積化太陽電
池を製造した。
これを用いて、30cm×40cmの大きさで、20段直列に接
続した集積化太陽電池を測定したところAM1.5、100mW/c
m2で最大出力6Wであった。
(参考例3) 第2図の接続部の構成で、基板として絶縁基板を用い
た集積化太陽電池を製造した。
絶縁基板として、ポリエチレンテレフタラート(PE
T)を用い、下部電極103として、Alを4000Åと、Crを10
00Å蒸着して、フォトリソグラフィーにより、第11図の
ように下部電極をパターニングした。
次に半導体層104として、プラズマCVD法によりn型ア
モルファスシリコン層と真性アモルファスシリコン層と
p型微結晶シリコンとn型アモルファスシリコン層と真
性アモルファスシリコン層とp型微結晶シリコン層と
を、この順に合計6000Å堆積し、上部電極として透明電
極であるITOを700Å蒸着し、透明電極の上に、集電電極
としてAgペーストをスクリーン印刷によって塗布し、第
12図で集電電極を使用した構成にした。
次にHClとFeCl2を含むエッチングペーストをスクリー
ン印刷して、下部電極の分離部分を中心にITOをエッチ
ングし、パターニングしたITOをマスクにして、半導体
層であるアモルファスシリコン層をエッチングして、第
13図に示すように下部電極の一部を露出させた。
次に絶縁層106として、ポリイミドのフォトレジスト
をディスペンサーによって、第13図の溝の部分に塗布
し、第8図の構成とした。
次にディスペンサーで遮光物質をレジスト上に部分的
に塗布して、紫外線を照射し、第9図のごとく下部電極
の一部を露出させるようにレジストをアッシングした。
次に導電層107としてAgペーストをディスペンサーで
第10図のごとく塗布して、隣接する太陽電池の一方の下
部電極と他方の上部電極を接続し、保護膜108として、E
VAとPVFをコーティングして、第2図の接続部の構成の
集積化太陽電池を製造した。
これを用いて、30cm×40cmの大きさで、10段直列に接
続した集積化太陽電池を製造したところAM1.5、100mW/c
m2で最大出力9Wであった。
[発明の効果] 以上、説明したように本発明の集積化太陽電池によっ
て、一体基板上で太陽電池を直列に集積化することによ
って、直列化のためのリード線の断線等の事故がなくな
り、低コストで信頼性の高い集積化太陽電池を提供でき
た。
また、一体基板上で直列に接続される太陽電池の端部
あるいは全部が、隣接する太陽電池の一方の下部電極と
他方の上部電極の接続部分となる一部を除いて絶縁層で
被覆されていることにより、直列化する太陽電池間のリ
ーク電流が無くなり、特性が向上し、絶縁耐圧が大幅に
向上した。また、半導体層と上部電極を同時にパターニ
ングできる構成を有していることにより、半導体層の形
成後、半導体層が長時間大気にさらされることによる素
子への悪影響が無くなり、また工程も簡単化して低コス
ト化できた。
また、隣接する太陽電池を直列に接続する材料とし
て、上部電極と独立した導電層を用いることによって、
上部電極が薄い場合においても段差によって断線するこ
とが無くなった。
また、特に絶縁層として合成樹脂を、また導電層とし
てAgペースト等の導電性樹脂を用いることによって、製
造工程が簡易になり、低コストで信頼性の高い集積化太
陽電池を提供することができた。
また、導電層として、金属と導電性樹脂を組み合わせ
て二層構成とすることにより、電極とのコンタクトを良
好にすることができ、また導電性層全体としての抵抗を
下げることができるという効果が得られる。
【図面の簡単な説明】
第1図は、本発明の集積化太陽電池の接続部の実施例を
示す断面図である。 第2図は、本発明の集積化太陽電池の接続部の参考例を
示す断面図である。 第3図は、本発明の集積化太陽電池の接続部の一例の概
観図である。 第4図〜第10図は、第2図の集積化太陽電池の製造工程
の断面図である。 第11図〜第15図は、第1図の集積化太陽電池の製造工程
の断面図である。 第16図は、従来の集積化太陽電池の一例の平面図であ
る。 第17図は、従来の集積化太陽電池の他の一例の断面図で
ある。 101……導電性基板、102……絶縁層、103……下部電
極、104……半導体層、105……上部電極、106……絶縁
層、107……導電層、108……保護膜、109……下部電極
の接続部分、110……上部電極の接続部分、201……絶縁
基板、202……下部電極、203……半導体層、204……上
部電極、205……絶縁層、206……第1の導電層、207…
…第2の導電層、208……保護膜、209……下部電極の接
続部分、210……上部電極の接続部分、301……(分割さ
れた)太陽電池、302……接続部分、303,304……引き出
し電極、601……下部電極と半導体層と上部電極を除去
する部分、701……半導体層と上部電極を除去する部
分、901……絶縁層を除去する部分、1601……絶縁基
板、1602……下部電極、1603……アモルファスシリコン
層、1604……上部電極、1605……引き出し電極、1701…
…絶縁基板、1702……下部電極、1703……アモルファス
シリコン層、1704……上部電極、1705……絶縁膜。

Claims (7)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】下部電極と、半導体層と、上部電極とを有
    する複数の太陽電池を、接続して集積化される集積化太
    陽電池において、 前記半導体層と前記上部電極の一部をパターニング除去
    することによって、前記下部電極の一部に前記半導体層
    及び前記上部電極で覆われていない除去領域が形成され
    ていること、前記除去領域を含む隣接する太陽電池の対
    向する端部とこれらの端部の間の領域あるいは全面を被
    覆する絶縁層が形成されていること、隣接する太陽電池
    の一方の下部電極の前記除去領域上に形成された前記絶
    縁層の一部と、他方の上部電極上に形成された前記絶縁
    層の一部とを取り除くことによって接続部が形成されて
    いること、及び前記隣接する太陽電池のそれぞれに形成
    された接続部を前記絶縁層をまたいで接続するように導
    電層が形成されていること、を特徴とする集積化太陽電
    池。
  2. 【請求項2】更に、前記絶縁層と前記導電層を被覆する
    ように、太陽電池全面に保護層が形成されている請求項
    1に記載の集積化太陽電池。
  3. 【請求項3】前記絶縁層は、合成樹脂から成る請求項1
    に記載の集積化太陽電池。
  4. 【請求項4】前記絶縁層は、無機材料から成る請求項1
    に記載の集積化太陽電池。
  5. 【請求項5】前記導電層は、金属あるいは導電性樹脂か
    ら成る請求項1に記載の集積化太陽電池。
  6. 【請求項6】前記導電層は、金属から成る層と導電性樹
    脂から成る層とを組み合わせた二層構成から成る請求項
    1に記載の集積化太陽電池。
  7. 【請求項7】前記半導体層は、アモルファスシリコンあ
    るいはアモルファスシリコン合金から成る請求項1に記
    載の集積化太陽電池。
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