JP2982432B2 - 半導体レーザ素子の製造方法 - Google Patents
半導体レーザ素子の製造方法Info
- Publication number
- JP2982432B2 JP2982432B2 JP3264172A JP26417291A JP2982432B2 JP 2982432 B2 JP2982432 B2 JP 2982432B2 JP 3264172 A JP3264172 A JP 3264172A JP 26417291 A JP26417291 A JP 26417291A JP 2982432 B2 JP2982432 B2 JP 2982432B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor laser
- light
- coat material
- laser device
- resin
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
- H01S5/022—Mountings; Housings
- H01S5/02218—Material of the housings; Filling of the housings
- H01S5/02234—Resin-filled housings; the housings being made of resin
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
- H01S5/028—Coatings ; Treatment of the laser facets, e.g. etching, passivation layers or reflecting layers
- H01S5/0282—Passivation layers or treatments
Landscapes
- Semiconductor Lasers (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、透明な樹脂によって封
止された半導体レーザ素子の製造方法に関する。
止された半導体レーザ素子の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】強エネルギーのレーザ光を発する半導体
発光素子としてレーザダイオードが知られている。レー
ザダイオードの半導体レーザ素体をエポキシ樹脂のよう
な硬質の透明樹脂で封止する場合、光エネルギーで透明
樹脂が損傷する場合がある。これを防止するために、一
般に耐光性の強いジャンクションコート材により発光部
を被覆することが行われている。図２はそのようなレー
ザダイオード素子を示し、例えば厚さ100 μｍ、長さ30
0 μｍのレーザダイオードの半導体素体１は下面の電極
に接続される外部リード２の上に固着されている。上面
の電極11には内部リード３が接続される。そしてレーザ
素体１の主光軸４の側の前面を覆ってシリコーンゴムの
ようなジャンクションコート材５を塗布したのち、３〜
４mmの厚さの透明樹脂６により封止したものである。
発光素子としてレーザダイオードが知られている。レー
ザダイオードの半導体レーザ素体をエポキシ樹脂のよう
な硬質の透明樹脂で封止する場合、光エネルギーで透明
樹脂が損傷する場合がある。これを防止するために、一
般に耐光性の強いジャンクションコート材により発光部
を被覆することが行われている。図２はそのようなレー
ザダイオード素子を示し、例えば厚さ100 μｍ、長さ30
0 μｍのレーザダイオードの半導体素体１は下面の電極
に接続される外部リード２の上に固着されている。上面
の電極11には内部リード３が接続される。そしてレーザ
素体１の主光軸４の側の前面を覆ってシリコーンゴムの
ようなジャンクションコート材５を塗布したのち、３〜
４mmの厚さの透明樹脂６により封止したものである。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかし、図２のような
レーザダイオードでは、ジャンクションコート材５とレ
ーザ素体１および外部リード２の端部との界面７に発生
する内部応力により経時的に剥離が起こって空隙が生
じ、そのための界面に光の反射が生じ、それが光の伝達
効率を低下させ、発光光量の減少をもたらす。これを防
止するために、ジャンクションコート材の接着力を増大
する施策、例えばコート材料の改善、接着力を強めるプ
ライマの使用等が行われているが、十分な効果を得てい
ない。
レーザダイオードでは、ジャンクションコート材５とレ
ーザ素体１および外部リード２の端部との界面７に発生
する内部応力により経時的に剥離が起こって空隙が生
じ、そのための界面に光の反射が生じ、それが光の伝達
効率を低下させ、発光光量の減少をもたらす。これを防
止するために、ジャンクションコート材の接着力を増大
する施策、例えばコート材料の改善、接着力を強めるプ
ライマの使用等が行われているが、十分な効果を得てい
ない。
【０００４】本発明は、レーザ素体の前面を覆うコート
材の剥離が生ずることのない半導体レーザ素子の製造方
法を提供することにある。
材の剥離が生ずることのない半導体レーザ素子の製造方
法を提供することにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めに、本発明は、半導体レーザ素体の少なくともレーザ
光出射面をジャンクションコート材で覆ったのち透明樹
脂で封止する半導体レーザ素子の製造方法において、ジ
ャンクションコート材に光硬化型樹脂を用い、その樹脂
を少なくとも光出射面に塗布後、主発光部上の領域のみ
に光を照射して硬化するものとする。そして光硬化型樹
脂として紫外線硬化型シリコーンゴムを用いること、ま
た封止用透明樹脂としてエポキシ樹脂を用いることが有
効である。
めに、本発明は、半導体レーザ素体の少なくともレーザ
光出射面をジャンクションコート材で覆ったのち透明樹
脂で封止する半導体レーザ素子の製造方法において、ジ
ャンクションコート材に光硬化型樹脂を用い、その樹脂
を少なくとも光出射面に塗布後、主発光部上の領域のみ
に光を照射して硬化するものとする。そして光硬化型樹
脂として紫外線硬化型シリコーンゴムを用いること、ま
た封止用透明樹脂としてエポキシ樹脂を用いることが有
効である。
【０００６】
【作用】光出射面に光硬化樹脂をジャンクションコート
材として塗布したのち、主発光部のみに光を照射すれ
ば、照射部分のみ硬化してレーザ素体端面に密着してい
るが、その他の部分ではジャンクションコート材は接着
されていない状態にあるので内部応力が発生せず、密着
した界面に生ずる内部応力も周囲に向かって緩和される
ため、界面においてジャンクションコート材の剥離が起
こることがない。
材として塗布したのち、主発光部のみに光を照射すれ
ば、照射部分のみ硬化してレーザ素体端面に密着してい
るが、その他の部分ではジャンクションコート材は接着
されていない状態にあるので内部応力が発生せず、密着
した界面に生ずる内部応力も周囲に向かって緩和される
ため、界面においてジャンクションコート材の剥離が起
こることがない。
【０００７】
【実施例】図１は本発明の一実施例の製造工程の一段階
を概念的に示し、図２と共通の部分には同一の符号が付
されている。この実施例では、外部リード２に固着した
レーザ素体１の光出射面である端面12のほか上面、側面
および外部リード２の端面をジャンクションコート材５
として紫外線硬化型シリコーンゴムを塗布したのち、光
出射面12の図に矢印で範囲を示した主発光部を含む領域
８にのみ紫外線９をレンズ10で集光して照射し、シリコ
ーンゴムを硬化させる。その結果、この区域８のみでジ
ャンクションコート材５がレーザ素体１の端面に密着
し、他の界面７では遊離状態にある。このあと、図２と
同様に透明エポキシ樹脂６を注型して封止するが、この
ようにして製造されたレーザ素子では、主発光部領域８
のみで密着しているジャンクションコート材の剥離が生
ずることがない。
を概念的に示し、図２と共通の部分には同一の符号が付
されている。この実施例では、外部リード２に固着した
レーザ素体１の光出射面である端面12のほか上面、側面
および外部リード２の端面をジャンクションコート材５
として紫外線硬化型シリコーンゴムを塗布したのち、光
出射面12の図に矢印で範囲を示した主発光部を含む領域
８にのみ紫外線９をレンズ10で集光して照射し、シリコ
ーンゴムを硬化させる。その結果、この区域８のみでジ
ャンクションコート材５がレーザ素体１の端面に密着
し、他の界面７では遊離状態にある。このあと、図２と
同様に透明エポキシ樹脂６を注型して封止するが、この
ようにして製造されたレーザ素子では、主発光部領域８
のみで密着しているジャンクションコート材の剥離が生
ずることがない。
【０００８】
【発明の効果】本発明によれば、樹脂封止の半導体レー
ザ素子における透明樹脂の光エネルギーによる損傷を防
ぐために、光出射面を覆うジャンクションコート材に光
硬化型樹脂を用い、主発光部のみに光を局部照射して硬
化させることにより、ジャンクションコート材の密着が
一部の区域に限定されるため、密着界面に生ずる内部応
力は周囲に向けて解放されるので、内部応力によって生
ずるジャンクションコート材の剥離が防止され、反射に
よる発光光量の減衰のないレーザ素子を得ることができ
た。
ザ素子における透明樹脂の光エネルギーによる損傷を防
ぐために、光出射面を覆うジャンクションコート材に光
硬化型樹脂を用い、主発光部のみに光を局部照射して硬
化させることにより、ジャンクションコート材の密着が
一部の区域に限定されるため、密着界面に生ずる内部応
力は周囲に向けて解放されるので、内部応力によって生
ずるジャンクションコート材の剥離が防止され、反射に
よる発光光量の減衰のないレーザ素子を得ることができ
た。
【図１】本発明の一実施例の製造工程の一段階を概念的
に示す断面図
に示す断面図
【図２】従来の半導体レーザ素子の断面図
１ レーザ素体 １２ 光出射面 ２ 外部リード ５ ジャンクションコート材 ６ 透明樹脂 ８ 硬化領域 ９ 紫外線
Claims (3)
- 【請求項１】半導体レーザ素体の少なくともレーザ光出
射面をジャンクションコート材で覆ったのち透明樹脂で
封止する半導体レーザ素子の製造方法において、ジャン
クションコート材に光硬化型樹脂を用い、その樹脂を少
なくとも光出射面に塗布後、主発光部上の領域のみに光
を照射して硬化することを特徴とする半導体レーザ素子
の製造方法。 - 【請求項２】光硬化型樹脂として紫外線硬化型シリコー
ンゴムを用いる請求項１記載の半導体レーザ素子の製造
方法。 - 【請求項３】透明樹脂としてエポキシ樹脂を用いる請求
項１あるいは２記載の半導体レーザ素子の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3264172A JP2982432B2 (ja) | 1991-10-14 | 1991-10-14 | 半導体レーザ素子の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3264172A JP2982432B2 (ja) | 1991-10-14 | 1991-10-14 | 半導体レーザ素子の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05110184A JPH05110184A (ja) | 1993-04-30 |
| JP2982432B2 true JP2982432B2 (ja) | 1999-11-22 |
Family
ID=17399461
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3264172A Expired - Fee Related JP2982432B2 (ja) | 1991-10-14 | 1991-10-14 | 半導体レーザ素子の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2982432B2 (ja) |
-
1991
- 1991-10-14 JP JP3264172A patent/JP2982432B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH05110184A (ja) | 1993-04-30 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5907571A (en) | Semiconductor laser device and method for manufacturing the same | |
| US8986588B2 (en) | Electronic device and process for manufacturing electronic device | |
| JP3792268B2 (ja) | チップタイプ発光装置の製造方法 | |
| JP2982432B2 (ja) | 半導体レーザ素子の製造方法 | |
| JPH07297324A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
| JP7515730B2 (ja) | オプトエレクトロニクス半導体部品、およびオプトエレクトロニクス半導体部品の製造方法 | |
| WO2005001944A1 (ja) | レンズ付き発光素子およびその製造方法 | |
| JP3153149B2 (ja) | 半導体レーザ装置およびその製造方法 | |
| JP3034370B2 (ja) | 固体撮像装置及びその製造方法 | |
| JP3216314B2 (ja) | 半導体装置およびその製造方法、並びに半導体装置の製造装置 | |
| US10680147B2 (en) | Method of producing a lighting device | |
| JPH053371A (ja) | 半導体レーザ素子の樹脂モールド方法 | |
| JPH07249750A (ja) | 固体撮像装置の封止方法 | |
| JPH0529663A (ja) | 光半導体装置およびその樹脂封止方法 | |
| JPH08248274A (ja) | 光半導体モジュール | |
| JP3721714B2 (ja) | 固体撮像装置用パッケージのシール方法 | |
| JPH04111366A (ja) | 画像装置 | |
| KR950010013Y1 (ko) | 리드온칩 패키지 | |
| JP3023232B2 (ja) | 半導体素子樹脂コート方法及び装置 | |
| JP2804669B2 (ja) | 固体撮像素子及びその製造方法 | |
| KR20240034857A (ko) | 광전자 조립체를 생성하기 위한 방법 | |
| JPH0423381A (ja) | レーザダイオード | |
| CN100546056C (zh) | 带有透镜的发光元件以及其制造方法 | |
| US20050266592A1 (en) | Method of fabricating an encapsulated chip and chip produced thereby | |
| JP2533168B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |