JP2970307B2 - 固体撮像装置の製造方法 - Google Patents
固体撮像装置の製造方法Info
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-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F77/00—Constructional details of devices covered by this subclass
- H10F77/30—Coatings
- H10F77/306—Coatings for devices having potential barriers
- H10F77/331—Coatings for devices having potential barriers for filtering or shielding light, e.g. multicolour filters for photodetectors
- H10F77/334—Coatings for devices having potential barriers for filtering or shielding light, e.g. multicolour filters for photodetectors for shielding light, e.g. light blocking layers or cold shields for infrared detectors
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
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- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
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- Y02E10/547—Monocrystalline silicon PV cells
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、固体撮像装置の製造方
法に関し、特に固体撮像装置のセル部の素子分離の形成
方法に関する。
法に関し、特に固体撮像装置のセル部の素子分離の形成
方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】図５（ａ）〜（ｃ）および図６（ａ）〜
（ｃ）は、従来の固体撮像装置の主な製造工程における
セル部の断面図の一例を示したものであり、以下順に各
工程を説明する。まず、Ｎ型半導体基板１上にＰ型ウェ
ル層２を形成する（図５（ａ））。このＰ型ウェル層２
の上に約４０ｎｍのシリコン酸化膜３、約１２０ｎｍの
シリコン窒化膜５を順に成長した後、光電変換部及び電
荷転送部となる部分のシリコン窒化膜５を写真食刻法及
びプラズマエッチング法を用いて選択的に除去する（図
５（ｂ））。次に、シリコン酸化膜３、シリコン窒化膜
５をマスクとして写真食刻法により、自己整合的に光電
変換部となるＮ型領域７及び電荷転送部となるＮ型領域
８をイオン注入法及び不純物の熱拡散法によりそれぞれ
形成する（図５（ｃ））。
（ｃ）は、従来の固体撮像装置の主な製造工程における
セル部の断面図の一例を示したものであり、以下順に各
工程を説明する。まず、Ｎ型半導体基板１上にＰ型ウェ
ル層２を形成する（図５（ａ））。このＰ型ウェル層２
の上に約４０ｎｍのシリコン酸化膜３、約１２０ｎｍの
シリコン窒化膜５を順に成長した後、光電変換部及び電
荷転送部となる部分のシリコン窒化膜５を写真食刻法及
びプラズマエッチング法を用いて選択的に除去する（図
５（ｂ））。次に、シリコン酸化膜３、シリコン窒化膜
５をマスクとして写真食刻法により、自己整合的に光電
変換部となるＮ型領域７及び電荷転送部となるＮ型領域
８をイオン注入法及び不純物の熱拡散法によりそれぞれ
形成する（図５（ｃ））。
【０００３】次に、シリコン窒化膜５をマスクに熱酸化
を施し、選択的に約３００ｎｍの比較的厚いシリコン酸
化膜１１を成長させ、シリコン窒化膜５をウエットエッ
チング法により選択的に除去した後、比較的厚いシリコ
ン酸化膜１１をマスクにイオン注入法により信号電荷読
みだし部のしきい値制御用のＰ型領域９を形成した後、
写真食刻法を用いて読みだし部をフォトレジスト６ｂに
て被覆した後、シリコン酸化膜１１とフォトレジスト６
ｂをマスクにイオン注入法により素子分離部となるＰ+
型領域１０を自己整合的に形成する（図６（ａ））。次
に、フォトレジスト６ｂを除去し、シリコン酸化膜３，
１１のリフレッシュと熱酸化を施すことによりゲート絶
縁膜１２を形成し、更に減圧ＣＶＤ法、写真食刻法、プ
ラズマエッチング法を用いて光電変換部から電荷転送部
への信号電荷読みだし及び電荷転送を行う多結晶シリコ
ンからなる導電性電極１３を形成後、導電性電極１３を
マスクにイオン注入法により光電変換部の表面に浅いＰ
+ 型領域１４を形成する（図６（ｂ））。しかる後に、
層間絶縁膜１５を配し、層間絶縁膜１５にコンタクトホ
ールを開口（図示せず）後、遮光及び配線用の金属膜１
６を形成することにより従来の固体撮像装置が得られる
（図６（ｃ））。
を施し、選択的に約３００ｎｍの比較的厚いシリコン酸
化膜１１を成長させ、シリコン窒化膜５をウエットエッ
チング法により選択的に除去した後、比較的厚いシリコ
ン酸化膜１１をマスクにイオン注入法により信号電荷読
みだし部のしきい値制御用のＰ型領域９を形成した後、
写真食刻法を用いて読みだし部をフォトレジスト６ｂに
て被覆した後、シリコン酸化膜１１とフォトレジスト６
ｂをマスクにイオン注入法により素子分離部となるＰ+
型領域１０を自己整合的に形成する（図６（ａ））。次
に、フォトレジスト６ｂを除去し、シリコン酸化膜３，
１１のリフレッシュと熱酸化を施すことによりゲート絶
縁膜１２を形成し、更に減圧ＣＶＤ法、写真食刻法、プ
ラズマエッチング法を用いて光電変換部から電荷転送部
への信号電荷読みだし及び電荷転送を行う多結晶シリコ
ンからなる導電性電極１３を形成後、導電性電極１３を
マスクにイオン注入法により光電変換部の表面に浅いＰ
+ 型領域１４を形成する（図６（ｂ））。しかる後に、
層間絶縁膜１５を配し、層間絶縁膜１５にコンタクトホ
ールを開口（図示せず）後、遮光及び配線用の金属膜１
６を形成することにより従来の固体撮像装置が得られる
（図６（ｃ））。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】上述した従来の固体撮
像装置の製造方法では、比較的厚いシリコン酸化膜１１
をアクティブ領域上を選択酸化することにより形成し、
フォトレジスト６ｂとシリコン酸化膜１１をマスクとし
てイオン注入法により素子分離部となるＰ+ 型領域１０
を自己整合的に形成しているため、アクティブ領域上を
選択酸化し比較的厚いシリコン酸化膜１１を形成する際
に、転位ループによる結晶欠陥の発生及びアクティブ領
域のプロファイル変動の発生が生じ易くなるという欠点
があった。
像装置の製造方法では、比較的厚いシリコン酸化膜１１
をアクティブ領域上を選択酸化することにより形成し、
フォトレジスト６ｂとシリコン酸化膜１１をマスクとし
てイオン注入法により素子分離部となるＰ+ 型領域１０
を自己整合的に形成しているため、アクティブ領域上を
選択酸化し比較的厚いシリコン酸化膜１１を形成する際
に、転位ループによる結晶欠陥の発生及びアクティブ領
域のプロファイル変動の発生が生じ易くなるという欠点
があった。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明の固体撮像装置の
製造方法は、第１導電型半導体層上に第１の絶縁膜及び
第１の半導体膜を順次形成する工程と、前記第１の半導
体膜を写真食刻法により形成したフォトレジストをマス
クに加工し、フォトレジスト端より所望の距離を選択的
に除去する工程と、前記フォトレジストをマスクにイオ
ン注入法により光電変換部となる第２導電型の第２の半
導体領域を形成する工程と、第１導電型の第３の半導体
領域を前記第１の半導体膜と自己整合的に形成する工程
と、写真食刻法により光電変換部から電荷転送部への信
号電荷の読みだし部となる前記第１導電型の第３の半導
体領域の一部を少なくとも被覆し、且つ前記第１の半導
体膜の一端と自己整合的に第３の半導体領域よりも濃度
の高い第１導電型の第４の半導体領域を形成する工程
と、電荷転送部となる第２導電型の第５の半導体領域を
前記第３及び第４の半導体領域と不純物の濃度差により
自己整合的に形成する工程とを有している。なお、第１
の絶縁膜としてはシリコン酸化膜が適している。
製造方法は、第１導電型半導体層上に第１の絶縁膜及び
第１の半導体膜を順次形成する工程と、前記第１の半導
体膜を写真食刻法により形成したフォトレジストをマス
クに加工し、フォトレジスト端より所望の距離を選択的
に除去する工程と、前記フォトレジストをマスクにイオ
ン注入法により光電変換部となる第２導電型の第２の半
導体領域を形成する工程と、第１導電型の第３の半導体
領域を前記第１の半導体膜と自己整合的に形成する工程
と、写真食刻法により光電変換部から電荷転送部への信
号電荷の読みだし部となる前記第１導電型の第３の半導
体領域の一部を少なくとも被覆し、且つ前記第１の半導
体膜の一端と自己整合的に第３の半導体領域よりも濃度
の高い第１導電型の第４の半導体領域を形成する工程
と、電荷転送部となる第２導電型の第５の半導体領域を
前記第３及び第４の半導体領域と不純物の濃度差により
自己整合的に形成する工程とを有している。なお、第１
の絶縁膜としてはシリコン酸化膜が適している。
【０００６】
【実施例】次に、本発明について図面を参照して説明す
る。図１（ａ）〜（ｄ）および図２（ａ）〜（ｃ）は、
本発明の第１の実施例である固体撮像装置の主な製造工
程におけるセル部の断面図の一例を示したものであり、
以下順に各工程を説明する。まず、Ｎ型半導体基板１上
にＰ型ウェル層２を形成する（図１（ａ））。次に、約
３０ｎｍのシリコン酸化膜３、約２００ｎｍの多結晶シ
リコン膜４を順に成長した後、写真食刻法により光電変
換部となる領域のパターニングを行い、更に多結晶シリ
コン膜４をフォトレジスト６ａ端より所望の距離をおい
てウェットエッチング法もしくは等方性プラズマエッチ
ング法にて選択的に除去する（図１（ｂ））。光電変換
部となるＮ型領域７をフォトレジスト６ａをマスクとし
てイオン注入法単独で或いはイオン注入後不純物の熱拡
散により形成し、多結晶シリコン膜４をマスクとして光
電変換部から電荷転送部への信号読みだし部のしきい値
電圧制御用のＰ型領域９をイオン注入法により形成する
（図１（ｃ））。次に、写真食刻法により信号読みだし
部を少なくとも被覆し、多結晶シリコン膜４端と自己整
合的にイオン注入法により素子分離部となるＰ+ 型領域
１０を形成する（図１（ｄ））。
る。図１（ａ）〜（ｄ）および図２（ａ）〜（ｃ）は、
本発明の第１の実施例である固体撮像装置の主な製造工
程におけるセル部の断面図の一例を示したものであり、
以下順に各工程を説明する。まず、Ｎ型半導体基板１上
にＰ型ウェル層２を形成する（図１（ａ））。次に、約
３０ｎｍのシリコン酸化膜３、約２００ｎｍの多結晶シ
リコン膜４を順に成長した後、写真食刻法により光電変
換部となる領域のパターニングを行い、更に多結晶シリ
コン膜４をフォトレジスト６ａ端より所望の距離をおい
てウェットエッチング法もしくは等方性プラズマエッチ
ング法にて選択的に除去する（図１（ｂ））。光電変換
部となるＮ型領域７をフォトレジスト６ａをマスクとし
てイオン注入法単独で或いはイオン注入後不純物の熱拡
散により形成し、多結晶シリコン膜４をマスクとして光
電変換部から電荷転送部への信号読みだし部のしきい値
電圧制御用のＰ型領域９をイオン注入法により形成する
（図１（ｃ））。次に、写真食刻法により信号読みだし
部を少なくとも被覆し、多結晶シリコン膜４端と自己整
合的にイオン注入法により素子分離部となるＰ+ 型領域
１０を形成する（図１（ｄ））。
【０００７】次に、フォトレジスト６、多結晶シリコン
４及びシリコン酸化膜３をウェットエッチング法により
それぞれ選択的に除去した後、電荷転送部となるＮ型領
域８をイオン注入法を用いて素子分離部となるＰ+ 型領
域及び信号読みだし部となるＰ型領域９と不純物の濃度
差により自己整合的に形成する（図２（ａ））。次に、
熱酸化を施すことによりゲート絶縁膜１２を形成し、更
に減圧ＣＶＤ法、写真食刻法、プラズマエッチング法を
用いて光電変換部から電荷転送部への信号電荷読みだし
及び電荷転送を行う多結晶シリコンからなる導電性電極
１３を形成後、導電性電極１３をマスクにイオン注入法
により光電変換部の表面に浅いＰ+ 型領域１４を形成す
る（図２（ｂ））。しかる後に、層間絶縁膜１５を配
し、層間絶縁膜１５にコンタクトホールを開口（図示せ
ず）後、遮光及び配線用の金属膜１６を形成することに
より本発明第１の実施例の固体撮像装置が得られる（図
２（ｃ））。
４及びシリコン酸化膜３をウェットエッチング法により
それぞれ選択的に除去した後、電荷転送部となるＮ型領
域８をイオン注入法を用いて素子分離部となるＰ+ 型領
域及び信号読みだし部となるＰ型領域９と不純物の濃度
差により自己整合的に形成する（図２（ａ））。次に、
熱酸化を施すことによりゲート絶縁膜１２を形成し、更
に減圧ＣＶＤ法、写真食刻法、プラズマエッチング法を
用いて光電変換部から電荷転送部への信号電荷読みだし
及び電荷転送を行う多結晶シリコンからなる導電性電極
１３を形成後、導電性電極１３をマスクにイオン注入法
により光電変換部の表面に浅いＰ+ 型領域１４を形成す
る（図２（ｂ））。しかる後に、層間絶縁膜１５を配
し、層間絶縁膜１５にコンタクトホールを開口（図示せ
ず）後、遮光及び配線用の金属膜１６を形成することに
より本発明第１の実施例の固体撮像装置が得られる（図
２（ｃ））。
【０００８】図３（ａ）〜（ｄ）および図４（ａ）〜
（ｃ）は、本発明の第２の実施例である固体撮像装置の
主な製造工程におけるセル部の断面図の一例を示したも
のであり、以下順に各工程を説明する。まず、Ｎ型半導
体基板１上にＰ型ウェル層２を形成する（図３
（ａ））。次に、約３０ｎｍのシリコン酸化膜３を成長
した後、イオン注入法により電荷転送部となるＮ型領域
８をセル部前面に形成する（図３（ｂ））。次に、シリ
コン酸化膜３上に約２００ｎｍの多結晶シリコン膜４を
成長した後写真食刻法により光電変換部となる領域のパ
ターニングを行い、更に多結晶シリコン膜４をフォトレ
ジスト６ａ端より所望の距離をおいてウエットエッチン
グ法もしくは等方性プラズマエッチング法にて選択的に
除去する（図３（ｃ））。光電変換部となるＮ型領域７
をフォトレジスト６ａをマスクとしてイオン注入法単独
で或いはイオン注入後不純物の熱拡散により形成し、多
結晶シリコン膜４をマスクとして光電変換部から電荷転
送部への信号読みだし部のしきい値電圧制御用のＰ型領
域９をイオン注入法により形成する（図３（ｄ））。
（ｃ）は、本発明の第２の実施例である固体撮像装置の
主な製造工程におけるセル部の断面図の一例を示したも
のであり、以下順に各工程を説明する。まず、Ｎ型半導
体基板１上にＰ型ウェル層２を形成する（図３
（ａ））。次に、約３０ｎｍのシリコン酸化膜３を成長
した後、イオン注入法により電荷転送部となるＮ型領域
８をセル部前面に形成する（図３（ｂ））。次に、シリ
コン酸化膜３上に約２００ｎｍの多結晶シリコン膜４を
成長した後写真食刻法により光電変換部となる領域のパ
ターニングを行い、更に多結晶シリコン膜４をフォトレ
ジスト６ａ端より所望の距離をおいてウエットエッチン
グ法もしくは等方性プラズマエッチング法にて選択的に
除去する（図３（ｃ））。光電変換部となるＮ型領域７
をフォトレジスト６ａをマスクとしてイオン注入法単独
で或いはイオン注入後不純物の熱拡散により形成し、多
結晶シリコン膜４をマスクとして光電変換部から電荷転
送部への信号読みだし部のしきい値電圧制御用のＰ型領
域９をイオン注入法により形成する（図３（ｄ））。
【０００９】次に、写真食刻法により信号読みだし部を
少なくとも被覆し、多結晶シリコン膜４端と自己整合的
にイオン注入法により素子分離部となるＰ+ 型領域１０
を形成する（図４（ａ））。次に、フォトレジスト６、
多結晶シリコン膜４及びシリコン酸化膜３をウェットエ
ッチング法によりそれぞれ選択的に除去した後、熱酸化
を施すことによりゲート絶縁膜１２を形成し、更に減圧
ＣＶＤ法、写真食刻法、プラズマエッチング法を用いて
光電変換部から電荷転送部への信号電荷読みだし及び電
荷転送を行う多結晶シリコンからなる導電性電極１３を
形成後、導電性電極１３をマスクにイオン注入法により
光電変換部の表面に浅いＰ+ 型領域１４を形成する（図
４（ｂ））。しかる後に、層間絶縁膜１５を配し、層間
絶縁膜１５にコンタクトホールを開口（図示せず）後、
遮光及び配線用の金属膜１６を形成することにより本発
明第２の実施例の固体撮像装置が得られる（図４
（ｃ））。 尚、本発明は、電荷転送手段としてＢＣＣ
Ｄを用いた単層多結晶シリコン電極の固体撮像装置の製
造方法を示したが、ＳＣＣＤにおいても同様に適用で
き、また２層或いは３層多結晶シリコン電極を有する固
体撮像装置の製造方法においても同様に適用できる。
少なくとも被覆し、多結晶シリコン膜４端と自己整合的
にイオン注入法により素子分離部となるＰ+ 型領域１０
を形成する（図４（ａ））。次に、フォトレジスト６、
多結晶シリコン膜４及びシリコン酸化膜３をウェットエ
ッチング法によりそれぞれ選択的に除去した後、熱酸化
を施すことによりゲート絶縁膜１２を形成し、更に減圧
ＣＶＤ法、写真食刻法、プラズマエッチング法を用いて
光電変換部から電荷転送部への信号電荷読みだし及び電
荷転送を行う多結晶シリコンからなる導電性電極１３を
形成後、導電性電極１３をマスクにイオン注入法により
光電変換部の表面に浅いＰ+ 型領域１４を形成する（図
４（ｂ））。しかる後に、層間絶縁膜１５を配し、層間
絶縁膜１５にコンタクトホールを開口（図示せず）後、
遮光及び配線用の金属膜１６を形成することにより本発
明第２の実施例の固体撮像装置が得られる（図４
（ｃ））。 尚、本発明は、電荷転送手段としてＢＣＣ
Ｄを用いた単層多結晶シリコン電極の固体撮像装置の製
造方法を示したが、ＳＣＣＤにおいても同様に適用で
き、また２層或いは３層多結晶シリコン電極を有する固
体撮像装置の製造方法においても同様に適用できる。
【００１０】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の固体撮像
装置の製造方法は、シリコン酸化膜３上に多結晶シリコ
ン膜４を配し、写真食刻法にて得られるフォトレジスト
６ａパターンエッジより、多結晶シリコン膜４をウエッ
トエッチング法もしくは等方性プラズマエッチング法に
より所望の距離をおいて選択的に除去し、フォトレジス
ト６ａをマスクに光電変換部となるＮ型領域７を、また
フォトレジスト６ａを除去後、多結晶シリコン膜４の一
端と自己整合的に素子分離部となるＰ+ 型領域１０を形
成し、且つ電荷転送部となるＮ型領域８を素子分離部と
なるＰ+ 型領域１０と不純物の濃度差により自己整合的
に形成しているため、従来の固体撮像装置の製造方法と
比べアクティブ領域上に選択酸化による比較的厚いシリ
コン酸化膜１１を形成する必要がなく、選択酸化に起因
する転位ループによる欠陥結晶の発生及びアクティブ領
域のプロファイル変動を低減できるという効果がある。
装置の製造方法は、シリコン酸化膜３上に多結晶シリコ
ン膜４を配し、写真食刻法にて得られるフォトレジスト
６ａパターンエッジより、多結晶シリコン膜４をウエッ
トエッチング法もしくは等方性プラズマエッチング法に
より所望の距離をおいて選択的に除去し、フォトレジス
ト６ａをマスクに光電変換部となるＮ型領域７を、また
フォトレジスト６ａを除去後、多結晶シリコン膜４の一
端と自己整合的に素子分離部となるＰ+ 型領域１０を形
成し、且つ電荷転送部となるＮ型領域８を素子分離部と
なるＰ+ 型領域１０と不純物の濃度差により自己整合的
に形成しているため、従来の固体撮像装置の製造方法と
比べアクティブ領域上に選択酸化による比較的厚いシリ
コン酸化膜１１を形成する必要がなく、選択酸化に起因
する転位ループによる欠陥結晶の発生及びアクティブ領
域のプロファイル変動を低減できるという効果がある。
【図１】（ａ）〜（ｄ）は本発明の第１の実施例を説明
するためのセル部の工程断面図である。
するためのセル部の工程断面図である。
【図２】（ａ）〜（ｃ）は本発明の第１の実施例の図１
に続く工程を示す断面図である。
に続く工程を示す断面図である。
【図３】（ａ）〜（ｄ）は本発明の第２の実施例を説明
するためのセル部の工程断面図である。
するためのセル部の工程断面図である。
【図４】（ａ）〜（ｃ）は本発明の第２の実施例の図３
に続く工程を示す断面図である。
に続く工程を示す断面図である。
【図５】（ａ）〜（ｃ）は従来例を説明するためのセル
部の工程断面図である。
部の工程断面図である。
【図６】（ａ）〜（ｃ）は従来例の図５に続く工程を示
す断面図である。
す断面図である。
１ Ｎ型半導体基板 ２ Ｐ型ウェル層 ３ シリコン酸化膜 ４ 多結晶シリコン膜 ５ シリコン窒化膜 ６ フォトレジスト ７ 光電変換部のＮ型領域 ８ 電荷転送部のＮ型領域 ９ しきい値電圧制御用のＰ型領域 １０ 素子分離部のＰ+ 型領域 １１ シリコン酸化膜 １２ ゲート絶縁膜 １３ 導電性電極 １４ 光電変換部のＰ+ 型領域 １５ 層間絶縁膜 １６ 金属膜
Claims (3)
- 【請求項１】 第１導電型半導体層上に第１の絶縁膜及
び第１の半導体膜を順次形成する工程と、前記第１の半
導体膜を写真食刻法により形成したフォトレジストをマ
スクに加工し、該フォトレジスト端より所望の距離を選
択的に除去する工程と、前記フォトレジストをマスクに
イオン注入法により光電変換部となる第２導電型の第２
の半導体領域を形成する工程と、第１導電型の第３の半
導体領域を前記第１の半導体膜と自己整合的に形成する
工程と、写真食刻法により光電変換部から電荷転送部へ
の信号電荷の読みだし部となる前記第１導電型の第３の
半導体領域の一部を少なくとも被覆し、且つ前記第１の
半導体膜の一端と自己整合的に第３の半導体領域よりも
濃度の高い第１導電型の第４の半導体領域を形成する工
程と、電荷転送部となる第２導電型の第５の半導体領域
を前記第３及び第４の半導体領域と不純物の濃度差によ
り自己整合的に形成する工程とを有することを特徴とす
る固体撮像装置の製造方法。 - 【請求項２】 前記第１の絶縁膜が、シリコン酸化膜で
形成されていることを特徴とする請求項１記載の固体撮
像装置の製造方法。 - 【請求項３】 前記第１導電型半導体層が、他方導電型
半導体基板上に形成されたものであることを特徴とする
請求項１記載の固体撮像装置の製造方法。
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| JP5113553A JP2970307B2 (ja) | 1993-05-17 | 1993-05-17 | 固体撮像装置の製造方法 |
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