JP2960656B2 - ポジ型レジスト組成物 - Google Patents
ポジ型レジスト組成物Info
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- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Materials For Photolithography (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ポジ型レジスト組成
物、さらに詳しくは、高感度、高解像性で、かつ耐熱性
及び断面形状の良好なレジストパターンを形成できるｄ
ｅｅｐ−ＵＶやエキシマレーザー用レジストとして有用
な化学増幅型のポジ型レジスト組成物に関する。
物、さらに詳しくは、高感度、高解像性で、かつ耐熱性
及び断面形状の良好なレジストパターンを形成できるｄ
ｅｅｐ−ＵＶやエキシマレーザー用レジストとして有用
な化学増幅型のポジ型レジスト組成物に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、ＩＣやＬＳＩなどの半導体デバイ
スの製造プロセスにおいては、ホトレジスト組成物を用
いたリソグラフイーによる微細加工がなされている。こ
れはシリコンウエーハ上にホトレジスト組成物の薄膜を
形成し、その上に半導体デバイスのパターンが描かれた
マスクパターンを介して紫外線などの活性光線を照射
後、現像して得られたレジストパターンを保護膜として
該シリコンウエーハをエッチングする方法である。そし
て、この方法において用いられる好適なホトレジスト組
成物としては、被膜形成用のアルカリ可溶性ノボラック
樹脂に、キノンジアジド基含有化合物から成る感光成分
を組み合せたポジ型ホトレジスト組成物が知られてい
る。
スの製造プロセスにおいては、ホトレジスト組成物を用
いたリソグラフイーによる微細加工がなされている。こ
れはシリコンウエーハ上にホトレジスト組成物の薄膜を
形成し、その上に半導体デバイスのパターンが描かれた
マスクパターンを介して紫外線などの活性光線を照射
後、現像して得られたレジストパターンを保護膜として
該シリコンウエーハをエッチングする方法である。そし
て、この方法において用いられる好適なホトレジスト組
成物としては、被膜形成用のアルカリ可溶性ノボラック
樹脂に、キノンジアジド基含有化合物から成る感光成分
を組み合せたポジ型ホトレジスト組成物が知られてい
る。
【０００３】ところが、近年、半導体デバイスの高集積
度化が急速に高まり、超ＬＳＩなどの製造においてはサ
ブミクロン領域やクオーターミクロン領域の超微細パタ
ーンの加工精度が要求されるようになってきた。それに
伴って露光波長もｇ線からｉ線、ｄｅｅｐ−ＵＶに、さ
らにはＫｒＦレーザーなどのエキシマレーザーといった
短波長化の傾向にあり、現在ではｄｅｅｐ−ＵＶやエキ
シマレーザーを用いるリソグラフイーがこの分野におけ
る重要な加工技術として注目されている。
度化が急速に高まり、超ＬＳＩなどの製造においてはサ
ブミクロン領域やクオーターミクロン領域の超微細パタ
ーンの加工精度が要求されるようになってきた。それに
伴って露光波長もｇ線からｉ線、ｄｅｅｐ−ＵＶに、さ
らにはＫｒＦレーザーなどのエキシマレーザーといった
短波長化の傾向にあり、現在ではｄｅｅｐ−ＵＶやエキ
シマレーザーを用いるリソグラフイーがこの分野におけ
る重要な加工技術として注目されている。
【０００４】従来のｇ線やｉ線用のノボラック−キノン
ジアジド系レジストでは、ｄｅｅｐ−ＵＶやエキシマレ
ーザー光の吸収が大きいことから、前記光の吸収が少な
いポリヒドロキシスチレンをベース樹脂とした化学増幅
型レジストが期待されている。
ジアジド系レジストでは、ｄｅｅｐ−ＵＶやエキシマレ
ーザー光の吸収が大きいことから、前記光の吸収が少な
いポリヒドロキシスチレンをベース樹脂とした化学増幅
型レジストが期待されている。
【０００５】上記化学増幅型レジストは、放射線照射に
より生成した酸の触媒作用を利用したレジストであっ
て、高い感度と解像性を有し、放射線の照射により酸を
発生する化合物（以下酸発生剤という）が少量で済むと
いう利点を有している。該化学増幅型レジストにはポジ
型とネガ型の２つのタイプがあり、前者のポジ型レジス
トは、一般に酸発生剤と発生した酸の作用によりアルカ
リ水溶液に対する溶解性が増大する樹脂成分（以下樹脂
成分という）とから構成されている。一方、ネガ型レジ
ストは、酸発生剤と架橋剤とアルカリ可溶性樹脂成分と
から構成されている。
より生成した酸の触媒作用を利用したレジストであっ
て、高い感度と解像性を有し、放射線の照射により酸を
発生する化合物（以下酸発生剤という）が少量で済むと
いう利点を有している。該化学増幅型レジストにはポジ
型とネガ型の２つのタイプがあり、前者のポジ型レジス
トは、一般に酸発生剤と発生した酸の作用によりアルカ
リ水溶液に対する溶解性が増大する樹脂成分（以下樹脂
成分という）とから構成されている。一方、ネガ型レジ
ストは、酸発生剤と架橋剤とアルカリ可溶性樹脂成分と
から構成されている。
【０００６】このような化学増幅型のポジ型レジストと
しては、例えばポリビニルフェノールの水酸基をｔｅｒ
ｔ−ブトキシカルボニルオキシ基などで置換した樹脂成
分と、酸発生剤としてオニウム塩を使用したレジストが
知られ、またｐ−（ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニルオキ
シ）スチレンのポリマー及びナフトキノン−１，２−ジ
アジド−４−スルホン酸とビスフエノールＡとのエステ
ル化物からなる化学増幅型のポジ型放射線感応組成物
（特開平３−２４９６５４号公報）も知られている。
しては、例えばポリビニルフェノールの水酸基をｔｅｒ
ｔ−ブトキシカルボニルオキシ基などで置換した樹脂成
分と、酸発生剤としてオニウム塩を使用したレジストが
知られ、またｐ−（ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニルオキ
シ）スチレンのポリマー及びナフトキノン−１，２−ジ
アジド−４−スルホン酸とビスフエノールＡとのエステ
ル化物からなる化学増幅型のポジ型放射線感応組成物
（特開平３−２４９６５４号公報）も知られている。
【０００７】しかしながら、上記既存の化学増幅型のポ
ジ型レジストにあっては、ｄｅｅｐ−ＵＶやエキシマレ
ーザー光に対する光透過性が必ずしも十分でない上、感
度、解像性、耐熱性及びレジストパターンの断面形状も
十分に満足しうるものでなく、実用上満足できるレジス
トではなかった。
ジ型レジストにあっては、ｄｅｅｐ−ＵＶやエキシマレ
ーザー光に対する光透過性が必ずしも十分でない上、感
度、解像性、耐熱性及びレジストパターンの断面形状も
十分に満足しうるものでなく、実用上満足できるレジス
トではなかった。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】そこで、本発明者等
は、上記問題のない化学増幅型のポジ型レジスト組成物
を開発すべく鋭意研究を重ねた結果、樹脂成分として、
水酸基の特定の割合がｔｅｒｔ−ブトキシカルボニルオ
キシ基で置換されたポリヒドロキシスチレンと、水酸基
の特定の割合を特定の残基で置換されたポリヒドロキシ
スチレンとの混合物を用いると、ｄｅｅｐ−ＵＶやエキ
シマレーザー光に対する光透過性が優れ、高感度、高解
像性で耐熱性及び断面形状の良好なレジストパターンを
形成できる化学増幅型のポジ型レジスト組成物が得られ
ることを見出し、本発明を完成したものである。すなわ
ち
は、上記問題のない化学増幅型のポジ型レジスト組成物
を開発すべく鋭意研究を重ねた結果、樹脂成分として、
水酸基の特定の割合がｔｅｒｔ−ブトキシカルボニルオ
キシ基で置換されたポリヒドロキシスチレンと、水酸基
の特定の割合を特定の残基で置換されたポリヒドロキシ
スチレンとの混合物を用いると、ｄｅｅｐ−ＵＶやエキ
シマレーザー光に対する光透過性が優れ、高感度、高解
像性で耐熱性及び断面形状の良好なレジストパターンを
形成できる化学増幅型のポジ型レジスト組成物が得られ
ることを見出し、本発明を完成したものである。すなわ
ち
【０００９】本発明は、ｄｅｅｐ−ＵＶやエキシマレー
ザー光に対する光透過性に優れ、高感度、高解像性で耐
熱性及び断面形状の良好なレジストパターンを形成でき
る化学増幅型のポジ型レジスト組成物を提供することを
目的とする。
ザー光に対する光透過性に優れ、高感度、高解像性で耐
熱性及び断面形状の良好なレジストパターンを形成でき
る化学増幅型のポジ型レジスト組成物を提供することを
目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成する本発
明は、樹脂成分と、酸発生剤を含むポジ型レジスト組成
物において、前記樹脂成分が（Ａ）水酸基の１０〜６０
モル％がｔｅｒｔ−ブトキシカルボニルオキシ基で置換
されたポリヒドロキシスチレンと（Ｂ）水酸基の１０〜
６０モル％が一般式化２
明は、樹脂成分と、酸発生剤を含むポジ型レジスト組成
物において、前記樹脂成分が（Ａ）水酸基の１０〜６０
モル％がｔｅｒｔ−ブトキシカルボニルオキシ基で置換
されたポリヒドロキシスチレンと（Ｂ）水酸基の１０〜
６０モル％が一般式化２
【００１１】
【化２】 （式中、Ｒ1は水素原子又はメチル基であり、Ｒ2はメチ
ル基又はエチル基 であり、Ｒ3は低級アルキル基であ
る）で表わされる残基で置換されたポリヒドロキシスチ
レンとの混合物であるポジ型レジスト組成物に係る。
ル基又はエチル基 であり、Ｒ3は低級アルキル基であ
る）で表わされる残基で置換されたポリヒドロキシスチ
レンとの混合物であるポジ型レジスト組成物に係る。
【００１２】上記樹脂成分は、（Ａ）成分が１０〜７０
重量％と（Ｂ）成分が３０〜９０重量％、好ましくは
（Ａ）成分が２０〜５０重量％と（Ｂ）成分が５０〜８
０重量％の範囲の配合割合からなり、酸発生剤から生じ
る酸がｔｅｒｔ−ブトキシカルボニルオキシ基及び前記
一般式化２の残基を分解し、それらが樹脂成分の溶解と
前記ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニルオキシ基による溶解
阻害能を程よく釣り合わせ、高感度と高解像性を達成す
ることができる。樹脂成分の配合割合が前記範囲を逸脱
するとこれらの特性を得ることができない。
重量％と（Ｂ）成分が３０〜９０重量％、好ましくは
（Ａ）成分が２０〜５０重量％と（Ｂ）成分が５０〜８
０重量％の範囲の配合割合からなり、酸発生剤から生じ
る酸がｔｅｒｔ−ブトキシカルボニルオキシ基及び前記
一般式化２の残基を分解し、それらが樹脂成分の溶解と
前記ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニルオキシ基による溶解
阻害能を程よく釣り合わせ、高感度と高解像性を達成す
ることができる。樹脂成分の配合割合が前記範囲を逸脱
するとこれらの特性を得ることができない。
【００１３】上記（Ａ）成分は、ポリヒドロキシスチレ
ンの水酸基を、例えばジ−ｔｅｒｔ−ブチル−ジ−カー
ボネートなどにより、公知の置換反応に従いｔｅｒｔ−
ブトキシカルボニルオキシ基で置換したもので、その置
換率は１０〜６０モル％、好ましくは２０〜５０モル％
が好適である。この置換率が１０モル％未満では形状に
優れたパターンが得られず、また６０モル％を超えると
レジストの感度が低下するため好ましくなく、実用上は
２０〜５０モル％が有効である。
ンの水酸基を、例えばジ−ｔｅｒｔ−ブチル−ジ−カー
ボネートなどにより、公知の置換反応に従いｔｅｒｔ−
ブトキシカルボニルオキシ基で置換したもので、その置
換率は１０〜６０モル％、好ましくは２０〜５０モル％
が好適である。この置換率が１０モル％未満では形状に
優れたパターンが得られず、また６０モル％を超えると
レジストの感度が低下するため好ましくなく、実用上は
２０〜５０モル％が有効である。
【００１４】一方、（Ｂ）成分は、ポリヒドロキシスチ
レンの水酸基の１０〜６０モル％、好ましくは２０〜５
０モル％を一般式化２の残基で置換した化合物であり、
ポリヒドロキシスチレンと例えば、１−クロロ−１−エ
トキシエタン、１−クロロ−１−メトキシプロパンなど
を反応させることにより得られる。前記一般式化２の残
基としては、１−メトキシエトキシ基、１−エトキシエ
トキシ基、１−ｎ−プロポキシエトキシ基、１−イソプ
ロポキシエトキシ基、１−ｎ−ブトキシエトキシ基、１
−イソブトキシエトキシ基、１−（１，１−ジメチルエ
トキシ）−１−メチルエトキシ基、１−メトキシ−１−
メチルエトキシ基、１−エトキシ−１−メチルエトキシ
基、１−ｎ−プロポキシ−１−メチルエトキシ基、１−
イソブトキシ−１−メチルエトキシ基、１−メトキシ−
ｎ−プロポキシ基、１−エトキシ−ｎ−プロポキシ基な
どが挙げられる。特に１−エトキシエトキシ基および１
−メトキシ−ｎ−プロポキシ基が感度、解像力がバラン
ス良く向上するので好ましい。前記置換率が１０モル％
未満では形状のすぐれたパターンが得られず、また６０
モル％を超えるとレジストの感度が低下するため好まし
くなく、実用的には２０〜５０モル％が有効である。
レンの水酸基の１０〜６０モル％、好ましくは２０〜５
０モル％を一般式化２の残基で置換した化合物であり、
ポリヒドロキシスチレンと例えば、１−クロロ−１−エ
トキシエタン、１−クロロ−１−メトキシプロパンなど
を反応させることにより得られる。前記一般式化２の残
基としては、１−メトキシエトキシ基、１−エトキシエ
トキシ基、１−ｎ−プロポキシエトキシ基、１−イソプ
ロポキシエトキシ基、１−ｎ−ブトキシエトキシ基、１
−イソブトキシエトキシ基、１−（１，１−ジメチルエ
トキシ）−１−メチルエトキシ基、１−メトキシ−１−
メチルエトキシ基、１−エトキシ−１−メチルエトキシ
基、１−ｎ−プロポキシ−１−メチルエトキシ基、１−
イソブトキシ−１−メチルエトキシ基、１−メトキシ−
ｎ−プロポキシ基、１−エトキシ−ｎ−プロポキシ基な
どが挙げられる。特に１−エトキシエトキシ基および１
−メトキシ−ｎ−プロポキシ基が感度、解像力がバラン
ス良く向上するので好ましい。前記置換率が１０モル％
未満では形状のすぐれたパターンが得られず、また６０
モル％を超えるとレジストの感度が低下するため好まし
くなく、実用的には２０〜５０モル％が有効である。
【００１５】さらに、上記樹脂成分の重量平均分子量
は、ゲルパーミネーションクロマト法（ＧＰＣ法）に基
づきポリスチレン基準で３，０００〜３０，０００の範
囲である。前記重量平均分子量が前記範囲未満では被膜
性に劣り、また前記上限範囲を超えるとアルカリ水溶液
に対する溶解性が低下する。
は、ゲルパーミネーションクロマト法（ＧＰＣ法）に基
づきポリスチレン基準で３，０００〜３０，０００の範
囲である。前記重量平均分子量が前記範囲未満では被膜
性に劣り、また前記上限範囲を超えるとアルカリ水溶液
に対する溶解性が低下する。
【００１６】本発明で使用する酸発生剤としては、従来
より酸発生剤として公知のものを使用することができ、
特に制限はないが、具体的には（ａ）ビス（ｐ−トルエ
ンスルホニル）ジアゾメタン、メチルスルホニル−ｐ−
トルエンスルホニルジアゾメタン、１−シクロヘキシル
スルホニル−１−（１，１−ジメチルエチルスルホニ
ル）ジアゾメタン、ビス（１，１−ジメチルエチルスル
ホニル）ジアゾメタン、ビス（１−メチルエチルスルホ
ニル）ジアゾメタン、ビス（シクロヘキシルスルホニ
ル）ジアゾメタン、ビス（２，４−ジメチルフェニルス
ルホニル）ジアゾメタン、ビス（４−エチルフェニルス
ルホニル）ジアゾメタン、ビス（３−メチルフェニルス
ルホニル）ジアゾメタン、ビス（４−メトキシフェニル
スルホニル）ジアゾメタン、ビス（４−フルオロフェニ
ルスルホニル）ジアゾメタン、ビス（４−クロロフェニ
ルスルホニル）ジアゾメタン、ビス（４−ｔｅｒｔ−ブ
チルフェニルスルホニル）ジアゾメタンなどのビススル
ホニルジアゾメタン類、（ｂ）２−メチル−２−（ｐ−
トルエンスルホニル）プロピオフエノン、２−（シクロ
ヘキシルカルボニル）−２−（ｐ−トルエンスルホニ
ル）プロパン、２−メタンスルホニル−２−メチル−
（４−メチルチオ）プロピオフエノン、２，４−ジメチ
ル−２−（ｐ−トルエンスルホニル）ペンタン−３−オ
ンなどのスルホニルカルボニルアルカン類、（ｃ）１−
ｐ−トルエンスルホニル−１−シクロヘキシルカルボニ
ルジアゾメタン、１−ジアゾ−１−メチルスルホニル−
４−フエニル−２−ブタノン、１−シクロヘキシルスル
ホニル−１−シクロヘキシルカルボニルジアゾメタン、
１−ジアゾ−１−シクロヘキシルスルホニル−３，３−
ジメチル−２−ブタノン、１−ジアゾ−１−（１，１−
ジメチルエチルスルホニル）−３，３−ジメチル−２−
ブタノン、１−アセチル−１−（１−メチルエチルスル
ホニル）ジアゾメタン、１−ジアゾ−１−（ｐ−トルエ
ンスルホニル）−３，３−ジメチル−２−ブタノン、１
−ジアゾ−１−ベンゼンスルホニル−３，３−ジメチル
−２−ブタノン、１−ジアゾ−１−（ｐ−トルエンスル
ホニル）−３−メチル−２−ブタノン、２−ジアゾ−２
−（ｐ−トルエンスルホニル）酢酸シクロヘキシル、２
−ジアゾ−２−ベンゼンスルホニル酢酸ｔｅｒｔ−ブチ
ル、２−ジアゾ−２−メタンスルホニル酢酸イソプロピ
ル、２−ジアゾ−２−ベンゼンスルホニル酢酸シクロヘ
キシル、２−ジアゾ−２−（ｐ−トルエンスルホニル）
酢酸ｔｅｒｔ−ブチルなどのスルホニルカルボニルジア
ゾメタン類、（ｄ）ｐ−トルエンスルホン酸２−ニトロ
ベンジル、ｐ−トルエンスルホン酸２，６−ジニトロベ
ンジル、ｐ−トリフルオロメチルベンゼンスルホン酸
２，４−ジニトロベンジルなどのニトロベンジル誘導
体、（ｅ）ピロガロールのメタンスルホン酸エステル、
ピロガロールのベンゼンスルホン酸エステル、ピロガロ
ールのｐ−トルエンスルホン酸エステル、ピロガロール
のｐ−メトキシベンゼンスルホン酸エステル、ピロガロ
ールのメシチレンスルホン酸エステル、ピロガロールの
ベンジルスルホン酸エステル、没食子酸アルキルのメタ
ンスルホン酸エステル、没食子酸アルキルのベンゼンス
ルホン酸エステル、没食子酸アルキルのｐ−トルエンス
ルホン酸エステル、没食子酸アルキルのｐ−メトキシベ
ンゼンスルホン酸エステル、没食子酸アルキルのメシチ
レンスルホン酸エステル、没食子酸アルキルのベンジル
スルホン酸エステルなどのポリヒドロキシ化合物と脂肪
族又は芳香族スルホン酸エステル類などを挙げることが
できる。前記没食子酸アルキルにおけるアルキル基は、
炭素数１〜１５のアルキル基、特にオクチル基およびラ
ウリル基が好ましい。前記酸発生剤の中で、特にビスス
ルホニルジアゾメタン類が好ましく、中でもビス（シク
ロヘキシルスルホニル）ジアゾメタン及びビス（２，４
−ジメチルフェニルスルホニル）ジアゾメタンが好適で
ある。これらの酸発生剤は１種を用いてもよいし、２種
以上を組み合せて用いてもよい。
より酸発生剤として公知のものを使用することができ、
特に制限はないが、具体的には（ａ）ビス（ｐ−トルエ
ンスルホニル）ジアゾメタン、メチルスルホニル−ｐ−
トルエンスルホニルジアゾメタン、１−シクロヘキシル
スルホニル−１−（１，１−ジメチルエチルスルホニ
ル）ジアゾメタン、ビス（１，１−ジメチルエチルスル
ホニル）ジアゾメタン、ビス（１−メチルエチルスルホ
ニル）ジアゾメタン、ビス（シクロヘキシルスルホニ
ル）ジアゾメタン、ビス（２，４−ジメチルフェニルス
ルホニル）ジアゾメタン、ビス（４−エチルフェニルス
ルホニル）ジアゾメタン、ビス（３−メチルフェニルス
ルホニル）ジアゾメタン、ビス（４−メトキシフェニル
スルホニル）ジアゾメタン、ビス（４−フルオロフェニ
ルスルホニル）ジアゾメタン、ビス（４−クロロフェニ
ルスルホニル）ジアゾメタン、ビス（４−ｔｅｒｔ−ブ
チルフェニルスルホニル）ジアゾメタンなどのビススル
ホニルジアゾメタン類、（ｂ）２−メチル−２−（ｐ−
トルエンスルホニル）プロピオフエノン、２−（シクロ
ヘキシルカルボニル）−２−（ｐ−トルエンスルホニ
ル）プロパン、２−メタンスルホニル−２−メチル−
（４−メチルチオ）プロピオフエノン、２，４−ジメチ
ル−２−（ｐ−トルエンスルホニル）ペンタン−３−オ
ンなどのスルホニルカルボニルアルカン類、（ｃ）１−
ｐ−トルエンスルホニル−１−シクロヘキシルカルボニ
ルジアゾメタン、１−ジアゾ−１−メチルスルホニル−
４−フエニル−２−ブタノン、１−シクロヘキシルスル
ホニル−１−シクロヘキシルカルボニルジアゾメタン、
１−ジアゾ−１−シクロヘキシルスルホニル−３，３−
ジメチル−２−ブタノン、１−ジアゾ−１−（１，１−
ジメチルエチルスルホニル）−３，３−ジメチル−２−
ブタノン、１−アセチル−１−（１−メチルエチルスル
ホニル）ジアゾメタン、１−ジアゾ−１−（ｐ−トルエ
ンスルホニル）−３，３−ジメチル−２−ブタノン、１
−ジアゾ−１−ベンゼンスルホニル−３，３−ジメチル
−２−ブタノン、１−ジアゾ−１−（ｐ−トルエンスル
ホニル）−３−メチル−２−ブタノン、２−ジアゾ−２
−（ｐ−トルエンスルホニル）酢酸シクロヘキシル、２
−ジアゾ−２−ベンゼンスルホニル酢酸ｔｅｒｔ−ブチ
ル、２−ジアゾ−２−メタンスルホニル酢酸イソプロピ
ル、２−ジアゾ−２−ベンゼンスルホニル酢酸シクロヘ
キシル、２−ジアゾ−２−（ｐ−トルエンスルホニル）
酢酸ｔｅｒｔ−ブチルなどのスルホニルカルボニルジア
ゾメタン類、（ｄ）ｐ−トルエンスルホン酸２−ニトロ
ベンジル、ｐ−トルエンスルホン酸２，６−ジニトロベ
ンジル、ｐ−トリフルオロメチルベンゼンスルホン酸
２，４−ジニトロベンジルなどのニトロベンジル誘導
体、（ｅ）ピロガロールのメタンスルホン酸エステル、
ピロガロールのベンゼンスルホン酸エステル、ピロガロ
ールのｐ−トルエンスルホン酸エステル、ピロガロール
のｐ−メトキシベンゼンスルホン酸エステル、ピロガロ
ールのメシチレンスルホン酸エステル、ピロガロールの
ベンジルスルホン酸エステル、没食子酸アルキルのメタ
ンスルホン酸エステル、没食子酸アルキルのベンゼンス
ルホン酸エステル、没食子酸アルキルのｐ−トルエンス
ルホン酸エステル、没食子酸アルキルのｐ−メトキシベ
ンゼンスルホン酸エステル、没食子酸アルキルのメシチ
レンスルホン酸エステル、没食子酸アルキルのベンジル
スルホン酸エステルなどのポリヒドロキシ化合物と脂肪
族又は芳香族スルホン酸エステル類などを挙げることが
できる。前記没食子酸アルキルにおけるアルキル基は、
炭素数１〜１５のアルキル基、特にオクチル基およびラ
ウリル基が好ましい。前記酸発生剤の中で、特にビスス
ルホニルジアゾメタン類が好ましく、中でもビス（シク
ロヘキシルスルホニル）ジアゾメタン及びビス（２，４
−ジメチルフェニルスルホニル）ジアゾメタンが好適で
ある。これらの酸発生剤は１種を用いてもよいし、２種
以上を組み合せて用いてもよい。
【００１７】上記酸発生剤の配合割合は、樹脂成分１０
０重量部に対し１〜２０重量部、好ましくは２〜１０重
量部の割合である。酸発生剤が１重量部未満の配合では
効果が不十分であり、２０重量部を超えると、溶剤に溶
け切れず、また樹脂成分との混和性が悪くなる。
０重量部に対し１〜２０重量部、好ましくは２〜１０重
量部の割合である。酸発生剤が１重量部未満の配合では
効果が不十分であり、２０重量部を超えると、溶剤に溶
け切れず、また樹脂成分との混和性が悪くなる。
【００１８】本発明のポジ型レジスト組成物は上記樹脂
成分、酸発生剤に加えて感度や解像性を向上させるため
吸光剤を配合するのが好ましい。前記吸光剤としては、
例えばメルカプトオキサゾール、メルカプトベンゾキサ
ゾール、メルカプトオキサゾリン、メルカプトベンゾチ
アゾール、ベンゾキサゾリノン、ベンゾチアゾロン、メ
ルカプトベンゾイミダゾール、ウラゾール、チオウラシ
ル、メルカプトピリミジン、ベンゾフエノン及びこれら
の誘導体を挙げることができ、特にベンゾフエノンが感
度及び解像性の向上効果に優れるとともに、定在波の影
響を抑制し断面形状が波状とならず矩形のレジストパタ
ーンを形成する作用をも有するため好ましく使用でき
る。この吸光剤の配合量としては上記した樹脂成分と酸
発生剤との合計量に対して３０重量％を超えない範囲で
配合され、好ましくは０．５〜１５重量％の範囲で配合
される。この配合量が３０重量％を超えるとプロファイ
ル形状が悪くなるため好ましくない。
成分、酸発生剤に加えて感度や解像性を向上させるため
吸光剤を配合するのが好ましい。前記吸光剤としては、
例えばメルカプトオキサゾール、メルカプトベンゾキサ
ゾール、メルカプトオキサゾリン、メルカプトベンゾチ
アゾール、ベンゾキサゾリノン、ベンゾチアゾロン、メ
ルカプトベンゾイミダゾール、ウラゾール、チオウラシ
ル、メルカプトピリミジン、ベンゾフエノン及びこれら
の誘導体を挙げることができ、特にベンゾフエノンが感
度及び解像性の向上効果に優れるとともに、定在波の影
響を抑制し断面形状が波状とならず矩形のレジストパタ
ーンを形成する作用をも有するため好ましく使用でき
る。この吸光剤の配合量としては上記した樹脂成分と酸
発生剤との合計量に対して３０重量％を超えない範囲で
配合され、好ましくは０．５〜１５重量％の範囲で配合
される。この配合量が３０重量％を超えるとプロファイ
ル形状が悪くなるため好ましくない。
【００１９】また、本発明のポジ型レジスト組成物に
は、有機カルボン酸化合物、具体的にはギ酸、酢酸、プ
ロピオン酸、酪酸、イソ酪酸、シュウ酸、マロン酸、コ
ハク酸、グルタル酸、アジピン酸などの１価或は多価脂
肪族カルボン酸、１，１−シクロヘキサンジカルボン
酸、１，２−シクロヘキサンジカルボン酸、１，３−シ
クロヘキサンジカルボン酸、１，４−シクロヘキサンジ
カルボン酸、１，１−シクロヘキシルジ酢酸などの脂環
式カルボン酸、アクリル酸、クロトン酸、イソクロトン
酸、３−ブテン酸、メタクリル酸、４−ペンテン酸、プ
ロピオル酸、２−ブチン酸、マレイン酸、フマル酸、ア
セチレンカルボン酸などの不飽和脂肪族カルボン酸、オ
キシ酢酸などのオキシカルボン酸、メトキシ酢酸、エト
キシ酢酸などのアルコキシカルボン酸、ピルビン酸など
のケトカルボン酸、一般式化３
は、有機カルボン酸化合物、具体的にはギ酸、酢酸、プ
ロピオン酸、酪酸、イソ酪酸、シュウ酸、マロン酸、コ
ハク酸、グルタル酸、アジピン酸などの１価或は多価脂
肪族カルボン酸、１，１−シクロヘキサンジカルボン
酸、１，２−シクロヘキサンジカルボン酸、１，３−シ
クロヘキサンジカルボン酸、１，４−シクロヘキサンジ
カルボン酸、１，１−シクロヘキシルジ酢酸などの脂環
式カルボン酸、アクリル酸、クロトン酸、イソクロトン
酸、３−ブテン酸、メタクリル酸、４−ペンテン酸、プ
ロピオル酸、２−ブチン酸、マレイン酸、フマル酸、ア
セチレンカルボン酸などの不飽和脂肪族カルボン酸、オ
キシ酢酸などのオキシカルボン酸、メトキシ酢酸、エト
キシ酢酸などのアルコキシカルボン酸、ピルビン酸など
のケトカルボン酸、一般式化３
【００２０】
【化３】 ［式中、Ｒ ４ 及びＲ ５ はそれぞれ独立して水素原子、水
酸基、ニトロ基、カルボキシル基、ビニル基を表す（た
だし，Ｒ ４ 及びＲ ５ が共に水素原子の場合は除く。）］
および一般式化４
酸基、ニトロ基、カルボキシル基、ビニル基を表す（た
だし，Ｒ ４ 及びＲ ５ が共に水素原子の場合は除く。）］
および一般式化４
【００２１】
【化４】 ［式中、ｎは０又は１〜１０の整数を示す］で表される
芳香族カルボン酸化合物を配合することができる。前記
一般式化３で表わされる芳香族カルボン酸化合物として
は、例えばｐ−ヒドロキシ安息香酸、ｏ−ヒドロキシ安
息香酸、２−ヒドロキシ−３−ニトロ安息香酸、３，５
−ジニトロ安息香酸、２−ニトロ安息香酸、２，４−ジ
ヒドロキシ安息香酸、２，５−ジヒドロキシ安息香酸、
２，６−ジヒドロキシ安息香酸、３，４−ジヒドロキシ
安息香酸、３，５−ジヒドロキシ安息香酸、２ービニル
安息香酸、４ービニル安息香酸、フタル酸、テレフタル
酸、イソフタル酸などを挙げることができ、特にｏ−位
に置換基を有する安息香酸、例えばｏ−ヒドロキシ安息
香酸、ｏ−ニトロ安息香酸、フタル酸などが好適であ
る。
芳香族カルボン酸化合物を配合することができる。前記
一般式化３で表わされる芳香族カルボン酸化合物として
は、例えばｐ−ヒドロキシ安息香酸、ｏ−ヒドロキシ安
息香酸、２−ヒドロキシ−３−ニトロ安息香酸、３，５
−ジニトロ安息香酸、２−ニトロ安息香酸、２，４−ジ
ヒドロキシ安息香酸、２，５−ジヒドロキシ安息香酸、
２，６−ジヒドロキシ安息香酸、３，４−ジヒドロキシ
安息香酸、３，５−ジヒドロキシ安息香酸、２ービニル
安息香酸、４ービニル安息香酸、フタル酸、テレフタル
酸、イソフタル酸などを挙げることができ、特にｏ−位
に置換基を有する安息香酸、例えばｏ−ヒドロキシ安息
香酸、ｏ−ニトロ安息香酸、フタル酸などが好適であ
る。
【００２２】また、一般式化４で表わされる芳香族カル
ボン酸化合物としては、式中のｎが単一のもののみ、ま
たは異種のものを組み合わせても使用することができる
が、実用的にはフェノール化合物として市販されている
ＳＡＸ（商品名、三井東圧化学社製）が好ましく用いら
れる。
ボン酸化合物としては、式中のｎが単一のもののみ、ま
たは異種のものを組み合わせても使用することができる
が、実用的にはフェノール化合物として市販されている
ＳＡＸ（商品名、三井東圧化学社製）が好ましく用いら
れる。
【００２３】上記有機カルボン酸化合物は、それぞれ単
独でも２種以上を混合して用いてもよい。これらの有機
カルボン酸化合物の配合により断面形状の良好なレジス
トパターンを形成することができ、特に一般式化４で表
わされる芳香族カルボン酸化合物は矩形の断面形状が形
成できるため好適である。
独でも２種以上を混合して用いてもよい。これらの有機
カルボン酸化合物の配合により断面形状の良好なレジス
トパターンを形成することができ、特に一般式化４で表
わされる芳香族カルボン酸化合物は矩形の断面形状が形
成できるため好適である。
【００２４】上記有機カルボン酸化合物の配合量として
は、樹脂成分及び酸発生剤の合計量に対して０．０１〜
１重量％、好ましくは０．０５〜０．５重量％の範囲で
用いられる。有機カルボン酸化合物の配合量が０．０１
重量％未満では断面形状の良好なレジストパターンが得
られず、また１重量％を超えると現像性が低下するため
好ましくない。
は、樹脂成分及び酸発生剤の合計量に対して０．０１〜
１重量％、好ましくは０．０５〜０．５重量％の範囲で
用いられる。有機カルボン酸化合物の配合量が０．０１
重量％未満では断面形状の良好なレジストパターンが得
られず、また１重量％を超えると現像性が低下するため
好ましくない。
【００２５】本発明のポジ型レジスト組成物は、その使
用に当たっては上記成分を溶剤に溶解した溶液の形で用
いるのが好ましい。このような溶剤の例としては、アセ
トン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン、メチル
イソアミルケトンなどのケトン類；エチレングリコー
ル、エチレングリコールモノアセテート、ジエチレング
リコール、ジエチレングリコールモノアセテート、プロ
ピレングリコール、プロピレングリコールモノアセテー
ト、ジプロピレングリコール又はジプロピレングリコー
ルモノアセテートのモノメチルエーテル、モノエチルエ
ーテル、モノプロピルエーテル、モノブチルエーテル又
はモノフエニルエーテルなどの多価アルコール類及びそ
の誘導体；ジオキサンのような環式エーテル類；及び乳
酸メチル、乳酸エチル、酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸
ブチル、ピルビン酸メチル、ピルビン酸エチル、メトキ
シプロピオン酸メチル、エトキシプロピオン酸エチルな
どのエステル類を挙げることができる。これらは単独で
用いてもよいし、２種以上混合して用いてもよい。
用に当たっては上記成分を溶剤に溶解した溶液の形で用
いるのが好ましい。このような溶剤の例としては、アセ
トン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン、メチル
イソアミルケトンなどのケトン類；エチレングリコー
ル、エチレングリコールモノアセテート、ジエチレング
リコール、ジエチレングリコールモノアセテート、プロ
ピレングリコール、プロピレングリコールモノアセテー
ト、ジプロピレングリコール又はジプロピレングリコー
ルモノアセテートのモノメチルエーテル、モノエチルエ
ーテル、モノプロピルエーテル、モノブチルエーテル又
はモノフエニルエーテルなどの多価アルコール類及びそ
の誘導体；ジオキサンのような環式エーテル類；及び乳
酸メチル、乳酸エチル、酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸
ブチル、ピルビン酸メチル、ピルビン酸エチル、メトキ
シプロピオン酸メチル、エトキシプロピオン酸エチルな
どのエステル類を挙げることができる。これらは単独で
用いてもよいし、２種以上混合して用いてもよい。
【００２６】本発明のポジ型レジスト組成物には、さら
に所望により混和性のある添加物、例えばレジスト膜の
性能を改良するための付加的樹脂、可塑剤、安定剤、着
色剤、界面活性剤などの慣用されているものを添加含有
させることができる。
に所望により混和性のある添加物、例えばレジスト膜の
性能を改良するための付加的樹脂、可塑剤、安定剤、着
色剤、界面活性剤などの慣用されているものを添加含有
させることができる。
【００２７】本発明のポジ型レジスト組成物の使用方法
としては従来のホトレジスト技術のレジストパターン形
成方法が用いられるが、その好適な例を次に示す。まず
シリコンウエーハのような支持体上に、樹脂成分、酸発
生剤及び必要に応じて配合される吸光剤及び有機カルボ
ン酸化合物並びに所望により配合される各種添加物を上
記の溶剤に溶解した溶液をスピンナーなどで塗布し、乾
燥して感光層を形成させ、これに縮小投影露光装置など
により、エキシマレーザー光を所望のマスクパターンを
介して照射し、次いでこれを現像液、例えば１〜１０重
量％テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液のよ
うな弱アルカリ性水溶液などを用いて現像処理する。こ
の形成方法でマスクパターンに忠実な画像を得ることが
できる。
としては従来のホトレジスト技術のレジストパターン形
成方法が用いられるが、その好適な例を次に示す。まず
シリコンウエーハのような支持体上に、樹脂成分、酸発
生剤及び必要に応じて配合される吸光剤及び有機カルボ
ン酸化合物並びに所望により配合される各種添加物を上
記の溶剤に溶解した溶液をスピンナーなどで塗布し、乾
燥して感光層を形成させ、これに縮小投影露光装置など
により、エキシマレーザー光を所望のマスクパターンを
介して照射し、次いでこれを現像液、例えば１〜１０重
量％テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液のよ
うな弱アルカリ性水溶液などを用いて現像処理する。こ
の形成方法でマスクパターンに忠実な画像を得ることが
できる。
【００２８】
【実施例】次に（Ａ）成分及び（Ｂ）成分の製造例、並
びに前記成分を使用した実施例により本発明をさらに詳
細に説明するが、本発明はこれらの例によってなんら限
定されるものではない。
びに前記成分を使用した実施例により本発明をさらに詳
細に説明するが、本発明はこれらの例によってなんら限
定されるものではない。
【００２９】製造例１（水酸基の８モル％がｔｅｒｔ−
ブトキシカルボニルオキシ基で置換されたポリヒドロキ
シスチレンの合成） 重量平均分子量２０，０００のポリヒドロキシスチレン
１２０ｇをＮ，Ｎ−ジメチルアセトアミド６８０ｇに溶
解し、この溶液の中にジ−ｔｅｒｔ−ブチル−ジ−カー
ボネート１７．４ｇを加え、かき混ぜて完全に溶解した
のち、かき混ぜながらトリエチルアミン５９ｇを約１５
分間かけて滴下した。滴下終了後、そのまま約３時間か
き混ぜた。次いで、得られた溶液に対して２０倍量の純
水を加え、かき混ぜて水酸基がｔｅｒｔ−ブトキシカル
ボニルオキシ基で置換されたポリヒドロキシスチレンを
析出させた。該析出物を洗浄、脱水、乾燥して水酸基の
８モル％がｔｅｒｔ−ブトキシカルボニルオキシ基で置
換されたポリヒドロキシスチレン１２５ｇを得た。
ブトキシカルボニルオキシ基で置換されたポリヒドロキ
シスチレンの合成） 重量平均分子量２０，０００のポリヒドロキシスチレン
１２０ｇをＮ，Ｎ−ジメチルアセトアミド６８０ｇに溶
解し、この溶液の中にジ−ｔｅｒｔ−ブチル−ジ−カー
ボネート１７．４ｇを加え、かき混ぜて完全に溶解した
のち、かき混ぜながらトリエチルアミン５９ｇを約１５
分間かけて滴下した。滴下終了後、そのまま約３時間か
き混ぜた。次いで、得られた溶液に対して２０倍量の純
水を加え、かき混ぜて水酸基がｔｅｒｔ−ブトキシカル
ボニルオキシ基で置換されたポリヒドロキシスチレンを
析出させた。該析出物を洗浄、脱水、乾燥して水酸基の
８モル％がｔｅｒｔ−ブトキシカルボニルオキシ基で置
換されたポリヒドロキシスチレン１２５ｇを得た。
【００３０】製造例２（水酸基の３５モル％がｔｅｒｔ
−ブトキシカルボニルオキシ基で置換されたポリヒドロ
キシスチレンの合成） 製造例１において、ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−ジ−カーボ
ネートの添加量を７６．５ｇに代えた以外は、製造例１
と同様にして水酸基の３５モル％がｔｅｒｔ−ブトキシ
カルボニルオキシ基で置換されたポリヒドロキシスチレ
ン１４５ｇを得た。
−ブトキシカルボニルオキシ基で置換されたポリヒドロ
キシスチレンの合成） 製造例１において、ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−ジ−カーボ
ネートの添加量を７６．５ｇに代えた以外は、製造例１
と同様にして水酸基の３５モル％がｔｅｒｔ−ブトキシ
カルボニルオキシ基で置換されたポリヒドロキシスチレ
ン１４５ｇを得た。
【００３１】製造例３（水酸基の３９モル％がｔｅｒｔ
−ブトキシカルボニルオキシ基で置換されたポリヒドロ
キシスチレンの合成） 製造例１において、ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−ジ−カーボ
ネートの添加量を８５．０ｇに代えた以外は、製造例１
と同様にして水酸基の３９モル％がｔｅｒｔ−ブトキシ
カルボニルオキシ基で置換されたポリヒドロキシスチレ
ン１５０ｇを得た。
−ブトキシカルボニルオキシ基で置換されたポリヒドロ
キシスチレンの合成） 製造例１において、ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−ジ−カーボ
ネートの添加量を８５．０ｇに代えた以外は、製造例１
と同様にして水酸基の３９モル％がｔｅｒｔ−ブトキシ
カルボニルオキシ基で置換されたポリヒドロキシスチレ
ン１５０ｇを得た。
【００３２】製造例４（水酸基の７０モル％がｔｅｒｔ
−ブトキシカルボニルオキシ基で置換されたポリヒドロ
キシスチレンの合成） 製造例１において、ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−ジ−カーボ
ネートの添加量を１５３ｇに代えた以外は、製造例１と
同様にして水酸基の７０モル％がｔｅｒｔ−ブトキシカ
ルボニルオキシ基で置換されたポリヒドロキシスチレン
１８０ｇを得た。
−ブトキシカルボニルオキシ基で置換されたポリヒドロ
キシスチレンの合成） 製造例１において、ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−ジ−カーボ
ネートの添加量を１５３ｇに代えた以外は、製造例１と
同様にして水酸基の７０モル％がｔｅｒｔ−ブトキシカ
ルボニルオキシ基で置換されたポリヒドロキシスチレン
１８０ｇを得た。
【００３３】製造例５（水酸基の３５モル％がエトキシ
エトキシ基で置換されたポリヒドロキシスチレンの合
成） 重量平均分子量２０，０００のポリヒドロキシスチレン
１２０ｇをＮ，Ｎ−ジメチルアセトアミド６８０ｇに溶
解し、この溶液の中に１−クロロ−１−エトキシエタン
３７．２ｇを加え、かき混ぜて完全に溶解したのち、か
き混ぜながらトリエチルアミン７８．８ｇを約３０分間
かけて滴下した。滴下終了後、そのまま約３時間かき混
ぜた。次いで、得られた溶液に対して２０倍量の純水を
加え、かき混ぜて水酸基が１−エトキシエトキシ基で置
換されたポリヒドロキシスチレン１３０ｇを得た。
エトキシ基で置換されたポリヒドロキシスチレンの合
成） 重量平均分子量２０，０００のポリヒドロキシスチレン
１２０ｇをＮ，Ｎ−ジメチルアセトアミド６８０ｇに溶
解し、この溶液の中に１−クロロ−１−エトキシエタン
３７．２ｇを加え、かき混ぜて完全に溶解したのち、か
き混ぜながらトリエチルアミン７８．８ｇを約３０分間
かけて滴下した。滴下終了後、そのまま約３時間かき混
ぜた。次いで、得られた溶液に対して２０倍量の純水を
加え、かき混ぜて水酸基が１−エトキシエトキシ基で置
換されたポリヒドロキシスチレン１３０ｇを得た。
【００３４】製造例６（水酸基の８モル％がメトキシ−
ｎ−プロピルオキシ基で置換されたポリヒドロキシスチ
レンの合成）重量平均分子量２０，０００のポリヒドロ
キシスチレン１２０ｇをＮ，Ｎ−ジメチルアセトアミド
６８０ｇに溶解し、この溶液の中に１−クロロ−１−メ
トキシプロパン８．６ｇを加え、かき混ぜて完全に溶解
したのち、かき混ぜながらトリエチルアミン７８．８ｇ
を約３０分間かけて滴下した。滴下終了後、そのまま約
３時間かき混ぜた。次いで、得られた溶液に対して２０
倍量の純水を加え、かき混ぜて水酸基が１−メトキシ−
ｎ−プロピルオキシ基で置換されたポリヒドロキシスチ
レンを析出させた。該析出物を洗浄、脱水、乾燥して水
酸基の８モル％が１−メトキシ−ｎ−プロピルオキシ基
で置換されたポリヒドロキシスチレン１２５ｇを得た。
ｎ−プロピルオキシ基で置換されたポリヒドロキシスチ
レンの合成）重量平均分子量２０，０００のポリヒドロ
キシスチレン１２０ｇをＮ，Ｎ−ジメチルアセトアミド
６８０ｇに溶解し、この溶液の中に１−クロロ−１−メ
トキシプロパン８．６ｇを加え、かき混ぜて完全に溶解
したのち、かき混ぜながらトリエチルアミン７８．８ｇ
を約３０分間かけて滴下した。滴下終了後、そのまま約
３時間かき混ぜた。次いで、得られた溶液に対して２０
倍量の純水を加え、かき混ぜて水酸基が１−メトキシ−
ｎ−プロピルオキシ基で置換されたポリヒドロキシスチ
レンを析出させた。該析出物を洗浄、脱水、乾燥して水
酸基の８モル％が１−メトキシ−ｎ−プロピルオキシ基
で置換されたポリヒドロキシスチレン１２５ｇを得た。
【００３５】製造例７（水酸基の３９モル％がメトキシ
−ｎ−プロピルオキシ基で置換されたポリヒドロキシス
チレンの合成） 製造例６において、１−クロロ−１−メトキシプロパン
の添加量を４２．３ｇに代えた以外は、製造例６と同様
にして水酸基の３９モル％が１−メトキシ−ｎ−プロピ
ルオキシ基で置換されたポリヒドロキシスチレン１３０
ｇを得た。
−ｎ−プロピルオキシ基で置換されたポリヒドロキシス
チレンの合成） 製造例６において、１−クロロ−１−メトキシプロパン
の添加量を４２．３ｇに代えた以外は、製造例６と同様
にして水酸基の３９モル％が１−メトキシ−ｎ−プロピ
ルオキシ基で置換されたポリヒドロキシスチレン１３０
ｇを得た。
【００３６】製造例８（水酸基の７０モル％がメトキシ
−ｎ−プロピルオキシ基で置換されたポリヒドロキシス
チレンの合成） 製造例６において、１−クロロ−１−メトキシプロパン
の添加量を７５．６ｇに代えた以外は、製造例６と同様
にして水酸基の７０モル％が１−メトキシ−ｎ−プロピ
ルオキシ基で置換されたポリヒドロキシスチレン１５０
ｇを得た。
−ｎ−プロピルオキシ基で置換されたポリヒドロキシス
チレンの合成） 製造例６において、１−クロロ−１−メトキシプロパン
の添加量を７５．６ｇに代えた以外は、製造例６と同様
にして水酸基の７０モル％が１−メトキシ−ｎ−プロピ
ルオキシ基で置換されたポリヒドロキシスチレン１５０
ｇを得た。
【００３７】実施例１ 製造例２で得られた水酸基の３５モル％がｔｅｒｔ−ブ
トキシカルボニルオキシ基で置換されたポリヒドロキシ
スチレン１．４８ｇと製造例５で得られた水酸基の３５
モル％をエトキシエトキシ基で置換されたポリヒドロキ
シスチレン１．４８ｇをプロピレングリコールモノメチ
ルエーテルアセテート１６．８ｇに溶解したのち、ビス
（シクロヘキシルスルホニル）ジアゾメタン０．１４８
ｇとベンゾフエノン０．０９３ｇを更に加えて溶解して
得られた溶液を０．２μｍメンブレンフイルターでろ過
したものをポジ型レジストの塗布液として調製した。
トキシカルボニルオキシ基で置換されたポリヒドロキシ
スチレン１．４８ｇと製造例５で得られた水酸基の３５
モル％をエトキシエトキシ基で置換されたポリヒドロキ
シスチレン１．４８ｇをプロピレングリコールモノメチ
ルエーテルアセテート１６．８ｇに溶解したのち、ビス
（シクロヘキシルスルホニル）ジアゾメタン０．１４８
ｇとベンゾフエノン０．０９３ｇを更に加えて溶解して
得られた溶液を０．２μｍメンブレンフイルターでろ過
したものをポジ型レジストの塗布液として調製した。
【００３８】調製された塗布液をスピンナーを使用して
６インチシリコンウエ−ハ上に塗布し、ホットプレート
で９０℃、９０秒間乾燥して膜厚０．７μｍのレジスト
膜を得た。この膜に縮小投影露光装置ＮＳＲ−２００５
ＥＸ８Ａ（ニコン社製）を用い、テストチャートマスク
を介して露光したのち、１２０℃、９０秒間加熱し、次
いで２．３８重量％テトラメチルアンモニウムヒドロキ
シド水溶液で６５秒間浸漬現像し、３０秒間水洗して乾
燥してレジストパターンを形成したところ、０．２１μ
ｍのラインアンドスペースパターンが形成され、そのレ
ジストパターン断面は、若干台形状であるが、定在波の
影響はなく矩形に近い良好なものであった。また、目視
で確認できる大面積のレジストパターンがパターニング
され基板表面が現れる最小露光量（以下最小露光量とい
う）を測定した結果、７ｍＪ／ｃｍ2であった。さらに
形成された０．５μｍのラインパターンの耐熱性（熱に
よるフローが生じる温度）を調べた結果、１３０℃であ
った。
６インチシリコンウエ−ハ上に塗布し、ホットプレート
で９０℃、９０秒間乾燥して膜厚０．７μｍのレジスト
膜を得た。この膜に縮小投影露光装置ＮＳＲ−２００５
ＥＸ８Ａ（ニコン社製）を用い、テストチャートマスク
を介して露光したのち、１２０℃、９０秒間加熱し、次
いで２．３８重量％テトラメチルアンモニウムヒドロキ
シド水溶液で６５秒間浸漬現像し、３０秒間水洗して乾
燥してレジストパターンを形成したところ、０．２１μ
ｍのラインアンドスペースパターンが形成され、そのレ
ジストパターン断面は、若干台形状であるが、定在波の
影響はなく矩形に近い良好なものであった。また、目視
で確認できる大面積のレジストパターンがパターニング
され基板表面が現れる最小露光量（以下最小露光量とい
う）を測定した結果、７ｍＪ／ｃｍ2であった。さらに
形成された０．５μｍのラインパターンの耐熱性（熱に
よるフローが生じる温度）を調べた結果、１３０℃であ
った。
【００３９】実施例２ 実施例１の塗布液の調製において、ベンゾフェノンを除
いた以外は実施例１と同様の操作によりレジストパター
ンを形成したところ、０．２１μｍのラインアンドスペ
ースパターンが形成され、そのレジストパターン断面
は、若干波を打っているものの支障のない程度のもので
あり、矩形で良好なものであった。また、最小露光量を
測定した結果、６ｍＪ／ｃｍ2であった。さらに形成さ
れた０．５μｍのラインスペースパターンの耐熱性を調
べた結果、１３０℃であった。
いた以外は実施例１と同様の操作によりレジストパター
ンを形成したところ、０．２１μｍのラインアンドスペ
ースパターンが形成され、そのレジストパターン断面
は、若干波を打っているものの支障のない程度のもので
あり、矩形で良好なものであった。また、最小露光量を
測定した結果、６ｍＪ／ｃｍ2であった。さらに形成さ
れた０．５μｍのラインスペースパターンの耐熱性を調
べた結果、１３０℃であった。
【００４０】比較例１ 製造例２で得られた水酸基の３５モル％がｔｅｒｔ−ブ
トキシカルボニルオキシ基で置換されたポリヒドロキシ
スチレン２．９６ｇをプロピレングリコールモノメチル
エーテルアセテート１６．８ｇに溶解したのち、ビス
（シクロヘキシルスルホニル）ジアゾメタン０．１４８
ｇとベンゾフエノン０．０９３ｇを更に加えて溶解して
得られた溶液を０．２μｍメンブレンフイルターでろ過
したものをポジ型レジストの塗布液として調製した。
トキシカルボニルオキシ基で置換されたポリヒドロキシ
スチレン２．９６ｇをプロピレングリコールモノメチル
エーテルアセテート１６．８ｇに溶解したのち、ビス
（シクロヘキシルスルホニル）ジアゾメタン０．１４８
ｇとベンゾフエノン０．０９３ｇを更に加えて溶解して
得られた溶液を０．２μｍメンブレンフイルターでろ過
したものをポジ型レジストの塗布液として調製した。
【００４１】調製した塗布液を使用して実施例１と同様
の操作によりレジストパターンを形成したところ、０．
２８μｍのラインアンドスペースパターンが限界であ
り、そのレジストパターン断面は、裾引きのある不良な
ものであった。また、最小露光量を測定した結果、３５
ｍＪ／ｃｍ2であった。さらに形成された０．５μｍの
ラインスペースパターンの耐熱性を調べた結果、１５０
℃であった。
の操作によりレジストパターンを形成したところ、０．
２８μｍのラインアンドスペースパターンが限界であ
り、そのレジストパターン断面は、裾引きのある不良な
ものであった。また、最小露光量を測定した結果、３５
ｍＪ／ｃｍ2であった。さらに形成された０．５μｍの
ラインスペースパターンの耐熱性を調べた結果、１５０
℃であった。
【００４２】比較例２ 製造例５で得られた水酸基の３５モル％をエトキシエト
キシ基で置換されたポリヒドロキシスチレン２．９６ｇ
をプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート
１６．８ｇに溶解したのち、ビス（シクロヘキシルスル
ホニル）ジアゾメタン０．１４８ｇとベンゾフエノン
０．０９３ｇを更に加えて溶解して得られた溶液を０．
２μｍメンブレンフイルターでろ過したものをポジ型レ
ジストの塗布液として調製した。
キシ基で置換されたポリヒドロキシスチレン２．９６ｇ
をプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート
１６．８ｇに溶解したのち、ビス（シクロヘキシルスル
ホニル）ジアゾメタン０．１４８ｇとベンゾフエノン
０．０９３ｇを更に加えて溶解して得られた溶液を０．
２μｍメンブレンフイルターでろ過したものをポジ型レ
ジストの塗布液として調製した。
【００４３】調製した塗布液を使用して実施例１と同様
の操作によりレジストパターンを形成したところ、０．
２５μｍのラインアンドスペースパターンが限界であ
り、そのレジストパターン断面は、逆三角形状の不良な
ものであった。また、最小露光量を測定した結果、７ｍ
Ｊ／ｃｍ2であった。さらに形成された０．５μｍのラ
インスペースパターンの耐熱性を調べた結果、１２０℃
であった。
の操作によりレジストパターンを形成したところ、０．
２５μｍのラインアンドスペースパターンが限界であ
り、そのレジストパターン断面は、逆三角形状の不良な
ものであった。また、最小露光量を測定した結果、７ｍ
Ｊ／ｃｍ2であった。さらに形成された０．５μｍのラ
インスペースパターンの耐熱性を調べた結果、１２０℃
であった。
【００４４】実施例３ 製造例３で得られた水酸基の３
９％がｔｅｒｔ−ブトキシカルボニルオキシ基で置換さ
れたポリヒドロキシスチレン１．０５ｇと製造例７で得
られた水酸基の３９％がメトキシ−ｎ−プロピルオキシ
基で置換されたポリヒドロキシスチレン１．９５ｇをプ
ロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート１
６．８ｇに溶解したのち、ビス（シクロヘキシルスルホ
ニル）ジアゾメタン０．２１ｇとｏ−ニトロ安息香酸
０．００９ｇを更に加えて、溶解して得られた溶液を
０．２μｍメンブレンフイルターでろ過し、ポジ型レジ
ストの塗布液として調製した。
９％がｔｅｒｔ−ブトキシカルボニルオキシ基で置換さ
れたポリヒドロキシスチレン１．０５ｇと製造例７で得
られた水酸基の３９％がメトキシ−ｎ−プロピルオキシ
基で置換されたポリヒドロキシスチレン１．９５ｇをプ
ロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート１
６．８ｇに溶解したのち、ビス（シクロヘキシルスルホ
ニル）ジアゾメタン０．２１ｇとｏ−ニトロ安息香酸
０．００９ｇを更に加えて、溶解して得られた溶液を
０．２μｍメンブレンフイルターでろ過し、ポジ型レジ
ストの塗布液として調製した。
【００４５】調製された塗布液をスピンナーを使用して
６インチシリコンウエ−ハ上に塗布し、ホットプレート
で９０℃、９０秒間乾燥して膜厚０．７μｍのレジスト
膜を得た。この膜に縮小投影露光装置ＮＳＲ−２００５
ＥＸ８Ａ（ニコン社製）を用い、テストチャートマスク
を介して露光したのち、１１０℃、９０秒間加熱し、次
いで２．３８重量％テトラメチルアンモニウムヒドロキ
シド水溶液で６５秒間パドル現像し、３０秒間水洗し、
乾燥してレジストパターンを形成したところ、０．２２
μｍのラインアンドスペースパターンが形成された。そ
のレジストパターン断面は、若干波を打っているものの
支障のない程度のものであり、矩形で良好なものであっ
た。また、最小露光量を測定した結果、１５ｍＪ／ｃｍ
2であった。さらに形成された０．５μｍのラインパタ
ーンの耐熱性を調べた結果、１３０℃であった。
６インチシリコンウエ−ハ上に塗布し、ホットプレート
で９０℃、９０秒間乾燥して膜厚０．７μｍのレジスト
膜を得た。この膜に縮小投影露光装置ＮＳＲ−２００５
ＥＸ８Ａ（ニコン社製）を用い、テストチャートマスク
を介して露光したのち、１１０℃、９０秒間加熱し、次
いで２．３８重量％テトラメチルアンモニウムヒドロキ
シド水溶液で６５秒間パドル現像し、３０秒間水洗し、
乾燥してレジストパターンを形成したところ、０．２２
μｍのラインアンドスペースパターンが形成された。そ
のレジストパターン断面は、若干波を打っているものの
支障のない程度のものであり、矩形で良好なものであっ
た。また、最小露光量を測定した結果、１５ｍＪ／ｃｍ
2であった。さらに形成された０．５μｍのラインパタ
ーンの耐熱性を調べた結果、１３０℃であった。
【００４６】実施例４ 実施例３の塗布液の調製において、ｏ−ニトロ安息香酸
をＳＡＸ（三井東圧化学社製）に代え、さらにベンゾフ
ェノン０．１２８ｇを加えた以外は、実施例３と同様の
操作によりレジスト特性の評価を行ったところ、０．２
２μｍのラインアンドスペースパターンが形成され、そ
のレジストパターン断面は、定在波の影響はなく矩形で
良好なものであった。また、最小露光量は１３ｍＪ／ｃ
ｍ2であった。さらに形成された０．５μｍのラインス
ペースパターンの耐熱性を調べた結果、１３０℃であっ
た。
をＳＡＸ（三井東圧化学社製）に代え、さらにベンゾフ
ェノン０．１２８ｇを加えた以外は、実施例３と同様の
操作によりレジスト特性の評価を行ったところ、０．２
２μｍのラインアンドスペースパターンが形成され、そ
のレジストパターン断面は、定在波の影響はなく矩形で
良好なものであった。また、最小露光量は１３ｍＪ／ｃ
ｍ2であった。さらに形成された０．５μｍのラインス
ペースパターンの耐熱性を調べた結果、１３０℃であっ
た。
【００４７】実施例５ 実施例３の塗布液の調製において、ｏ−ニトロ安息香酸
をサリチル酸に代え、かつその添加量を０．００３ｇに
代え、さらにベンゾフェノン０．１２８ｇを加えた以外
は、実施例３と同様にして塗布液を調製した。
をサリチル酸に代え、かつその添加量を０．００３ｇに
代え、さらにベンゾフェノン０．１２８ｇを加えた以外
は、実施例３と同様にして塗布液を調製した。
【００４８】次いで、実施例３と同様なレジスト特性の
評価を行ったところ、０．２２μｍのラインアンドスペ
ースパターンが形成され、そのレジストパターン断面
は、トップがやや丸みを帯びているが、定在波の影響は
なく矩形に近い良好なものであった。また、最小露光量
は７ｍＪ／ｃｍ2であった。さらに形成された０．５μ
ｍのラインスペースパターンの耐熱性を調べた結果、１
３０℃であった。
評価を行ったところ、０．２２μｍのラインアンドスペ
ースパターンが形成され、そのレジストパターン断面
は、トップがやや丸みを帯びているが、定在波の影響は
なく矩形に近い良好なものであった。また、最小露光量
は７ｍＪ／ｃｍ2であった。さらに形成された０．５μ
ｍのラインスペースパターンの耐熱性を調べた結果、１
３０℃であった。
【００４９】比較例３ 製造例１で得られた水酸基の８
モル％がｔｅｒｔ−ブトキシカルボニルオキシ基で置換
されたポリヒドロキシスチレン１．０５ｇと製造例６で
得られた水酸基の８モル％が１−メトキシ−ｎ−プロピ
ルオキシ基で置換されたポリヒドロキシスチレン１．９
５ｇをプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテ
ート１６．８ｇに溶解したのち、ビス（シクロヘキシル
スルホニル）ジアゾメタン０．２１ｇ、ｏ−ニトロ安息
香酸０．００９ｇ、ベンゾフェノン０．１２８ｇを更に
加えて、溶解して得られた溶液を０．２μｍメンブレン
フイルターでろ過し、ポジ型レジストの塗布液を調製し
た。
モル％がｔｅｒｔ−ブトキシカルボニルオキシ基で置換
されたポリヒドロキシスチレン１．０５ｇと製造例６で
得られた水酸基の８モル％が１−メトキシ−ｎ−プロピ
ルオキシ基で置換されたポリヒドロキシスチレン１．９
５ｇをプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテ
ート１６．８ｇに溶解したのち、ビス（シクロヘキシル
スルホニル）ジアゾメタン０．２１ｇ、ｏ−ニトロ安息
香酸０．００９ｇ、ベンゾフェノン０．１２８ｇを更に
加えて、溶解して得られた溶液を０．２μｍメンブレン
フイルターでろ過し、ポジ型レジストの塗布液を調製し
た。
【００５０】上記塗布液について実施例３と同様のレジ
スト特性の評価を行ったところ、レジストパターンが得
られず、評価が不能であった。
スト特性の評価を行ったところ、レジストパターンが得
られず、評価が不能であった。
【００５１】比較例４ 製造例４で得られた水酸基の７
０モル％がｔｅｒｔ−ブトキシカルボニルオキシ基で置
換されたポリヒドロキシスチレン１．０５ｇと製造例８
で得られた水酸基の７０モル％が１−メトキシ−ｎ−プ
ロピルオキシ基で置換されたポリヒドロキシスチレン
１．９５ｇをプロピレングリコールモノメチルエーテル
アセテート１６．８ｇに溶解したのち、ビス（シクロヘ
キシルスルホニル）ジアゾメタン０．２１ｇ、ＳＡＸ
（三井東圧化学社製）０．００９ｇ）ベンゾフェノン
０．１２８ｇを更に加えて、溶解して得られた溶液を
０．２μｍメンブレンフイルターでろ過し、ポジ型レジ
ストの塗布液を調製した。
０モル％がｔｅｒｔ−ブトキシカルボニルオキシ基で置
換されたポリヒドロキシスチレン１．０５ｇと製造例８
で得られた水酸基の７０モル％が１−メトキシ−ｎ−プ
ロピルオキシ基で置換されたポリヒドロキシスチレン
１．９５ｇをプロピレングリコールモノメチルエーテル
アセテート１６．８ｇに溶解したのち、ビス（シクロヘ
キシルスルホニル）ジアゾメタン０．２１ｇ、ＳＡＸ
（三井東圧化学社製）０．００９ｇ）ベンゾフェノン
０．１２８ｇを更に加えて、溶解して得られた溶液を
０．２μｍメンブレンフイルターでろ過し、ポジ型レジ
ストの塗布液を調製した。
【００５２】上記塗布液について実施例３と同様のレジ
スト特性の評価を行ったところ、０．３μｍのラインア
ンドスペースパターンが限界であり、そのレジストパタ
ーン断面は、Ｔ字形を呈し不良なものであった。また、
最小露光量は２０ｍＪ／ｃｍ2であった。さらに形成さ
れた０．５μｍのラインスペースパターンの耐熱性を調
べた結果、１３０℃であった。
スト特性の評価を行ったところ、０．３μｍのラインア
ンドスペースパターンが限界であり、そのレジストパタ
ーン断面は、Ｔ字形を呈し不良なものであった。また、
最小露光量は２０ｍＪ／ｃｍ2であった。さらに形成さ
れた０．５μｍのラインスペースパターンの耐熱性を調
べた結果、１３０℃であった。
【００５３】比較例５ 製造例１で得られた水酸基の８
モル％がｔｅｒｔ−ブトキシカルボニルオキシ基で置換
たポリヒドロキシスチレン１．０５ｇと製造例８で得ら
れた水酸基の７０モル％が１−メトキシ−ｎ−プロピル
ォキシ基で置換されたポリヒドロキシスチレン１．９５
ｇをプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテー
ト１６．８ｇに溶解したのち、ビス（シクロヘキシルス
ルホニル）ジアゾメタン０．２１ｇ、フタル酸０．００
９ｇ、ベンゾフェノン０．１２８ｇを更に加えて、溶解
して得られた溶液を０．２μｍメンブレンフイルターで
ろ過し、ポジ型レジストの塗布液を調製した。
モル％がｔｅｒｔ−ブトキシカルボニルオキシ基で置換
たポリヒドロキシスチレン１．０５ｇと製造例８で得ら
れた水酸基の７０モル％が１−メトキシ−ｎ−プロピル
ォキシ基で置換されたポリヒドロキシスチレン１．９５
ｇをプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテー
ト１６．８ｇに溶解したのち、ビス（シクロヘキシルス
ルホニル）ジアゾメタン０．２１ｇ、フタル酸０．００
９ｇ、ベンゾフェノン０．１２８ｇを更に加えて、溶解
して得られた溶液を０．２μｍメンブレンフイルターで
ろ過し、ポジ型レジストの塗布液を調製した。
【００５４】上記塗布液について実施例３と同様のレジ
スト特性の評価を行ったところ、０．３μｍのラインア
ンドスペースパターンが限界であり、そのレジストパタ
ーン断面は、逆三角形に近い形を呈し不良なものであっ
た。また、最小露光量は１０ｍＪ／ｃｍ2であった。さ
らに形成された０．５μｍのラインスペースパターンの
耐熱性を調べた結果、１３０℃であった。
スト特性の評価を行ったところ、０．３μｍのラインア
ンドスペースパターンが限界であり、そのレジストパタ
ーン断面は、逆三角形に近い形を呈し不良なものであっ
た。また、最小露光量は１０ｍＪ／ｃｍ2であった。さ
らに形成された０．５μｍのラインスペースパターンの
耐熱性を調べた結果、１３０℃であった。
【００５５】
【発明の効果】本発明のポジ型レジスト組成物は、化学
増幅型であって、高感度、高解像性でかつ耐熱性及び断
面形状の良好なレジストパターンを形成でき、ｄｅｅｐ
−ＵＶやエキシマレーザー用レジストとして好適で、超
ＬＳＩの製造工程の微細加工に特に有効に使用できる。
増幅型であって、高感度、高解像性でかつ耐熱性及び断
面形状の良好なレジストパターンを形成でき、ｄｅｅｐ
−ＵＶやエキシマレーザー用レジストとして好適で、超
ＬＳＩの製造工程の微細加工に特に有効に使用できる。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 坂井 与日 神奈川県川崎市中原区中丸子150番地 東京応化工業株式会社内 (72)発明者 佐藤 和史 神奈川県川崎市中原区中丸子150番地 東京応化工業株式会社内 (72)発明者 中山 寿昌 神奈川県川崎市中原区中丸子150番地 東京応化工業株式会社内 (56)参考文献 特開 平６−199770（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−215662（ＪＰ，Ａ) 特開 平５−194472（ＪＰ，Ａ) 特開 平６−83058（ＪＰ，Ａ) 特開 平５−181279（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) G03F 7/00 - 7/42 H01L 21/027
Claims (5)
- 【請求項１】樹脂成分と、放射線の照射により酸を発生
する化合物を含むポジ型レジスト組成物において、前記
樹脂成分が（Ａ）水酸基の１０〜６０モル％がｔｅｒｔ
−ブトキシカルボニルオキシ基で置換されたポリヒドロ
キシスチレンと（Ｂ）水酸基の１０〜６０モル％が、一
般式化１ 【化１】 （式中、Ｒ１は水素原子又はメチル基であり、Ｒ２はメ
チル基又はエチル基であり、Ｒ３は低級アルキル基であ
る）で表わされる残基で置換されたポリヒドロキシスチ
レンとの混合物であることを特徴とするポジ型レジスト
組成物。 - 【請求項２】放射線の照射により酸を発生する化合物が
ビススルホニルジアゾメタン類であることを特徴とする
請求項１記載のポジ型レジスト組成物。 - 【請求項３】樹脂成分の混合割合が（Ａ）成分１０〜７
０重量％と（Ｂ）成分３０〜９０重量％であることを特
徴とする請求項１記載のポジ型レジスト組成物。 - 【請求項４】放射線の照射により酸を発生する化合物の
配合量が樹脂成分１００重量部に対し１〜２０重量部で
あることを特徴とする請求項１記載のポジ型レジスト組
成物。 - 【請求項５】吸光剤を樹脂成分及び放射線の照射により
酸を発生する化合物の合計量に対して３０重量％を超え
ない範囲で含有することを特徴とする請求項１記載のポ
ジ型レジスト組成物。
Priority Applications (9)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6286168A JP2960656B2 (ja) | 1994-04-25 | 1994-10-27 | ポジ型レジスト組成物 |
| TW084103540A TW394861B (en) | 1994-04-25 | 1995-04-12 | Positive resist composition |
| KR1019950009675A KR0152009B1 (ko) | 1994-04-25 | 1995-04-24 | 양성 레지스트 조성물 |
| DE69500131T DE69500131T2 (de) | 1994-04-25 | 1995-04-25 | Positive Resistzusammensetzung |
| EP95106199A EP0679951B1 (en) | 1994-04-25 | 1995-04-25 | Positive resist composition |
| KR1019950035846A KR0171665B1 (ko) | 1994-10-27 | 1995-10-17 | 기판상에 패턴화된 레지스트층 형성방법 |
| US08/625,931 US5736296A (en) | 1994-04-25 | 1996-04-01 | Positive resist composition comprising a mixture of two polyhydroxystyrenes having different acid cleavable groups and an acid generating compound |
| US09/020,411 US5854357A (en) | 1994-04-25 | 1998-02-09 | Process for the production of polyhydroxstyrene |
| US09/020,408 US6159652A (en) | 1994-04-25 | 1998-02-09 | Positive resist composition |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6-107492 | 1994-04-25 | ||
| JP10749294 | 1994-04-25 | ||
| JP6286168A JP2960656B2 (ja) | 1994-04-25 | 1994-10-27 | ポジ型レジスト組成物 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP32079898A Division JP3160255B2 (ja) | 1994-10-27 | 1998-11-11 | ポリヒドロキシスチレン誘導体の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0815864A JPH0815864A (ja) | 1996-01-19 |
| JP2960656B2 true JP2960656B2 (ja) | 1999-10-12 |
Family
ID=26447522
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6286168A Expired - Fee Related JP2960656B2 (ja) | 1994-04-25 | 1994-10-27 | ポジ型レジスト組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2960656B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1275095C (zh) * | 1997-09-22 | 2006-09-13 | Az电子材料（日本）株式会社 | 用于制备抗蚀剂的方法 |
| TWI267697B (en) | 2001-06-28 | 2006-12-01 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | Chemical amplified type positive resist component and resist packed-layer material and forming method of resist pattern and manufacturing method of semiconductor device |
| TWI308261B (en) | 2003-07-08 | 2009-04-01 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | Resin for positive photoresist composition, positive photoresist composition using the same, stacked body and resist pattern formation method |
-
1994
- 1994-10-27 JP JP6286168A patent/JP2960656B2/ja not_active Expired - Fee Related
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|---|---|
| JPH0815864A (ja) | 1996-01-19 |
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