JP2950302B2 - 半導体レーザ - Google Patents
半導体レーザInfo
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- H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体レーザに関
し、特に高出力・高効率特性と発振の単一モード性に優
れ、かつ光ファイバとの結合において特に好適な機能を
発揮し得る分布帰還型半導体レーザに関する。
し、特に高出力・高効率特性と発振の単一モード性に優
れ、かつ光ファイバとの結合において特に好適な機能を
発揮し得る分布帰還型半導体レーザに関する。
【０００２】
【従来の技術】分布帰還型半導体レーザ（ＤＦＢレー
ザ）は発振の単一モード性に優れ、中・長距離の光伝送
システム用光源として用いられている。近年では、特
に、レーザモジュールの低価格化・小型化のために、温
度制御が不要である等の温度特性に優れたＤＦＢレーザ
が要求されるようになってきている。とりわけ、８５℃
までの温度での使用においても十分な光出力を得ること
が可能な高温においても高出力・高効率特性を発揮でき
ることが重要となっている。
ザ）は発振の単一モード性に優れ、中・長距離の光伝送
システム用光源として用いられている。近年では、特
に、レーザモジュールの低価格化・小型化のために、温
度制御が不要である等の温度特性に優れたＤＦＢレーザ
が要求されるようになってきている。とりわけ、８５℃
までの温度での使用においても十分な光出力を得ること
が可能な高温においても高出力・高効率特性を発揮でき
ることが重要となっている。
【０００３】このような要求に対しては、これまでは、
半導体レーザの活性層に多重量子井戸を導入したり、さ
らにそれに歪みを加えた歪多重量子井戸構造を用いて温
度特性を改善した半導体レーザが開発されている。
半導体レーザの活性層に多重量子井戸を導入したり、さ
らにそれに歪みを加えた歪多重量子井戸構造を用いて温
度特性を改善した半導体レーザが開発されている。
【０００４】一方、近年、半導体レーザの放射角を低減
し、光ファイバとの結合効率を高めて高出力特性を実現
しようとするスポットサイズ変換レーザが開発されてい
る。半導体レーザと光ファイバとの結合に重要となる光
の放射形状は光出射面における光電界分布形状（ニアフ
ィールドパターン）をフーリエ変換した形状となり、一
般的にニアフィールドパターンが広いほど放射角が狭く
なる。従って、スポットサイズ変換レーザでは、その活
性層および光導波路のサイズを共振器方向に変化させ、
光出射面近傍において光導波路のサイズを小さくし、光
の閉じ込めを弱くして光導波路を伝播する光電界の分布
を広くし、放射角の低減を実現している。例えば、「19
97 International conference on Indium Phosphide an
d Related Matereial, Conference Proceedings, p.65
7」に記載されているような、共振器全体が活性領域で
構成されている水平アクティブテーパ型スポットサイズ
変換レーザは、優れた温度特性や高い摺率が実現できる
ために有望である。この半導体レーザは図１０（ａ）及
び（ｂ）に示すように、光出射面に近い光導波路（＝活
性層）の幅が狭くなるように変化していることに特徴を
有する。このような構成の半導体レーザでは、光導波路
全体が活性な領域であるために、素子長を比較的短くす
ることが可能であり、収率の点で有利である。また、従
来の均一な活性層幅を有する半導体レーザとほとんど同
じ製造工程により作製が可能であるという特長も有す
る。
し、光ファイバとの結合効率を高めて高出力特性を実現
しようとするスポットサイズ変換レーザが開発されてい
る。半導体レーザと光ファイバとの結合に重要となる光
の放射形状は光出射面における光電界分布形状（ニアフ
ィールドパターン）をフーリエ変換した形状となり、一
般的にニアフィールドパターンが広いほど放射角が狭く
なる。従って、スポットサイズ変換レーザでは、その活
性層および光導波路のサイズを共振器方向に変化させ、
光出射面近傍において光導波路のサイズを小さくし、光
の閉じ込めを弱くして光導波路を伝播する光電界の分布
を広くし、放射角の低減を実現している。例えば、「19
97 International conference on Indium Phosphide an
d Related Matereial, Conference Proceedings, p.65
7」に記載されているような、共振器全体が活性領域で
構成されている水平アクティブテーパ型スポットサイズ
変換レーザは、優れた温度特性や高い摺率が実現できる
ために有望である。この半導体レーザは図１０（ａ）及
び（ｂ）に示すように、光出射面に近い光導波路（＝活
性層）の幅が狭くなるように変化していることに特徴を
有する。このような構成の半導体レーザでは、光導波路
全体が活性な領域であるために、素子長を比較的短くす
ることが可能であり、収率の点で有利である。また、従
来の均一な活性層幅を有する半導体レーザとほとんど同
じ製造工程により作製が可能であるという特長も有す
る。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】発振波長の単一モード
性に優れる分布帰還型レーザにおいても、例えば光ファ
イバとの適用性を考慮した場合、放射角を狭くして光フ
ァイバとの結合性を高めるための手段についての検討が
必要となっている。
性に優れる分布帰還型レーザにおいても、例えば光ファ
イバとの適用性を考慮した場合、放射角を狭くして光フ
ァイバとの結合性を高めるための手段についての検討が
必要となっている。
【０００６】例えば、前述した水平アクティブテーパ型
スポットサイズ変換レーザでは光導波路を兼用する活性
層の幅を光出射面方向に狭めた構成、すなわち活性層幅
を共振器方向にわたって変化させた構成が用いられいた
が、このような構成では活性層（光導波路）の等価屈折
率が共振方向で変化することになる。従って、このよう
な活性層構造を分布帰還型半導体レーザに適用しても、
発振波長および結合係数の制御が困難となるという問題
があることが判明した。
スポットサイズ変換レーザでは光導波路を兼用する活性
層の幅を光出射面方向に狭めた構成、すなわち活性層幅
を共振器方向にわたって変化させた構成が用いられいた
が、このような構成では活性層（光導波路）の等価屈折
率が共振方向で変化することになる。従って、このよう
な活性層構造を分布帰還型半導体レーザに適用しても、
発振波長および結合係数の制御が困難となるという問題
があることが判明した。
【０００７】本発明はかかる問題に鑑みなされたもので
あり、その目的は、高い単一モード安定性と高効率・高
出力特性および光ファイバとの結合効率の高い分布帰還
型半導体レーザを提供することにある。
あり、その目的は、高い単一モード安定性と高効率・高
出力特性および光ファイバとの結合効率の高い分布帰還
型半導体レーザを提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明の分布帰還型半導
体レーザは、光導波路の一方の端部を光出射面とし、他
方の端部を反射面とし、これら端面間に配置された活性
層と、該活性層に添って該光導波路内に設けられた回折
格子とを有する分布帰還型半導体レーザにおいて、前記
活性層が、前記光出射面側に端面を含む領域に、前記反
射面側の領域よりも幅の狭い領域を有し、かつ該幅の狭
い領域に添った回折格子の周期が、前記反射面側の領域
よりも大きくなっていることを特徴とする。
体レーザは、光導波路の一方の端部を光出射面とし、他
方の端部を反射面とし、これら端面間に配置された活性
層と、該活性層に添って該光導波路内に設けられた回折
格子とを有する分布帰還型半導体レーザにおいて、前記
活性層が、前記光出射面側に端面を含む領域に、前記反
射面側の領域よりも幅の狭い領域を有し、かつ該幅の狭
い領域に添った回折格子の周期が、前記反射面側の領域
よりも大きくなっていることを特徴とする。
【０００９】本発明では、先に述べた光出射面側へ幅の
狭められたテーパ型の構造の活性層を分布帰還型半導体
レーザに適用しようとした場合に生じる問題を、活性層
に添って設けられる回折格子の周期（ピッチ）を変化さ
せることで解決するものである。本発明によれば、光出
射面側で幅を縮小した構成の活性層を用いることで得ら
れる優れた温度特性と放射角を狭くするという特長を維
持しつつ、単一モード発振を安定化させ、かつ結合係数
の設計値からのズレを防止することが可能となる。従っ
て、本発明において用いられる幅が狭められた活性層の
領域の形状、大きさ、あるいは回折格子の周期等につい
ては、かかる効果が得られるように設定される。
狭められたテーパ型の構造の活性層を分布帰還型半導体
レーザに適用しようとした場合に生じる問題を、活性層
に添って設けられる回折格子の周期（ピッチ）を変化さ
せることで解決するものである。本発明によれば、光出
射面側で幅を縮小した構成の活性層を用いることで得ら
れる優れた温度特性と放射角を狭くするという特長を維
持しつつ、単一モード発振を安定化させ、かつ結合係数
の設計値からのズレを防止することが可能となる。従っ
て、本発明において用いられる幅が狭められた活性層の
領域の形状、大きさ、あるいは回折格子の周期等につい
ては、かかる効果が得られるように設定される。
【００１０】
【発明の実施の形態】図１に、本発明の分布帰還型（Ｄ
ＦＢ）半導体レーザの一例の構造を模式的に示す。な
お、活性層の上部の構造については、活性層の光導波路
方向における中心軸に添って分けられた右半分の上部を
省略して図示してある。図２にこのＤＦＢ半導体レーザ
の基板上に活性層が設けられた部分の平面図及び断面図
を示す。このＤＦＢ半導体レーザでは、光導波路となる
活性層の一部が光出射面に近くなるに従い幅が狭くなる
テーパ形状を有する領域（テーパ領域）を、幅が均一な
均一活性層領域の光出射面側に隣接した構成を有する。
ＦＢ）半導体レーザの一例の構造を模式的に示す。な
お、活性層の上部の構造については、活性層の光導波路
方向における中心軸に添って分けられた右半分の上部を
省略して図示してある。図２にこのＤＦＢ半導体レーザ
の基板上に活性層が設けられた部分の平面図及び断面図
を示す。このＤＦＢ半導体レーザでは、光導波路となる
活性層の一部が光出射面に近くなるに従い幅が狭くなる
テーパ形状を有する領域（テーパ領域）を、幅が均一な
均一活性層領域の光出射面側に隣接した構成を有する。
【００１１】このように構成されたＤＦＢ半導体レーザ
の共振器内部の共振方向における各位置に対応したブラ
ッグ波長の変化を図３に示す。ブラッグ波長は光導波路
の等価屈折率と回折格子周期の積の２倍の長さとなる。
通常の均一な活性層幅を有するＤＦＢ半導体レーザ（回
折格子の周期も共振器方向にわたって均一）では、ブラ
ッグ波長で発振することになる。一方、テーパ状の光導
波路を有するＤＦＢ半導体レーザでは、共振器方向にわ
たって均一な周期の回折格子を用いた場合、図３の点線
で示すように、テーパ導波路領域において導波路の屈折
率が変化するために、ブラッグ波長はテーパ導波路領域
で変化する。このようなブラッグ波長の変化は、単一モ
ード発振の不安定さや、結合係数の設計値からのズレな
どを引き起すなどの問題の原因となる。
の共振器内部の共振方向における各位置に対応したブラ
ッグ波長の変化を図３に示す。ブラッグ波長は光導波路
の等価屈折率と回折格子周期の積の２倍の長さとなる。
通常の均一な活性層幅を有するＤＦＢ半導体レーザ（回
折格子の周期も共振器方向にわたって均一）では、ブラ
ッグ波長で発振することになる。一方、テーパ状の光導
波路を有するＤＦＢ半導体レーザでは、共振器方向にわ
たって均一な周期の回折格子を用いた場合、図３の点線
で示すように、テーパ導波路領域において導波路の屈折
率が変化するために、ブラッグ波長はテーパ導波路領域
で変化する。このようなブラッグ波長の変化は、単一モ
ード発振の不安定さや、結合係数の設計値からのズレな
どを引き起すなどの問題の原因となる。
【００１２】本発明では、かかるブラッグ波長の変化を
抑える、すなわち、共振器方向にわたって一定のブラッ
グ波長を有する導波路構造を実現するために、テーパ領
域において回折格子の周期を活性層幅に応じて変化させ
た構造を用いている。このようにすることにより、図３
に実線で示すように、ブラッグ波長は共振方向にわたっ
て一定となり、安定な単一モード発振が実現でき、かつ
設計値どおりの結合係数を与えることができる。
抑える、すなわち、共振器方向にわたって一定のブラッ
グ波長を有する導波路構造を実現するために、テーパ領
域において回折格子の周期を活性層幅に応じて変化させ
た構造を用いている。このようにすることにより、図３
に実線で示すように、ブラッグ波長は共振方向にわたっ
て一定となり、安定な単一モード発振が実現でき、かつ
設計値どおりの結合係数を与えることができる。
【００１３】均一活性領域とテーパ領域との割合（長さ
の比）は、本発明の効果が得られるように設定すること
ができるが、より効果的にテーパ領域の機能を利用する
ためには、例えば、均一活性領域の長さ（Ｌ1）に対す
るテーパ領域の長さ（Ｌ2）の割合（Ｌ1／Ｌ2）が１／
５以上であることが好ましい。また、テーパ領域におけ
る活性層幅の減少率は、テーパ領域の長さ５０μｍあた
り活性層の幅が最大で１／２の割合で減少する減少率と
するのが、導波路における散乱による損失をより効果的
に抑える上で好ましい。更に、テーパ領域での回折格子
周期の光出射面へ向けた方向での増加率は、各位置での
光導波路の等価屈折率と回折格子の周期の積が等しくな
るように設定される。
の比）は、本発明の効果が得られるように設定すること
ができるが、より効果的にテーパ領域の機能を利用する
ためには、例えば、均一活性領域の長さ（Ｌ1）に対す
るテーパ領域の長さ（Ｌ2）の割合（Ｌ1／Ｌ2）が１／
５以上であることが好ましい。また、テーパ領域におけ
る活性層幅の減少率は、テーパ領域の長さ５０μｍあた
り活性層の幅が最大で１／２の割合で減少する減少率と
するのが、導波路における散乱による損失をより効果的
に抑える上で好ましい。更に、テーパ領域での回折格子
周期の光出射面へ向けた方向での増加率は、各位置での
光導波路の等価屈折率と回折格子の周期の積が等しくな
るように設定される。
【００１４】図１に示す構成におけるテーパ領域の幅は
一定の減少率で減少しているが、テーパ領域の幅の減少
の形態はこれに限定されず、本発明の効果が得られるよ
うに設定できる。例えば、図９に示すように、減少率の
ことなる複数の領域からテーパ領域を構成することもで
きる。なお、図９のように複数の領域からテーパ領域を
形成する場合は、例えば、各領域の幅の減少率を領域１
の減少率＞領域２の減少率＞領域３の減少率とすること
ができる。
一定の減少率で減少しているが、テーパ領域の幅の減少
の形態はこれに限定されず、本発明の効果が得られるよ
うに設定できる。例えば、図９に示すように、減少率の
ことなる複数の領域からテーパ領域を構成することもで
きる。なお、図９のように複数の領域からテーパ領域を
形成する場合は、例えば、各領域の幅の減少率を領域１
の減少率＞領域２の減少率＞領域３の減少率とすること
ができる。
【００１５】なお、本発明におけるＤＦＢ半導体レーザ
の各層は常法に従って形成することができる。
の各層は常法に従って形成することができる。
【００１６】
【実施例】図１、２に示す構造のＤＦＢ半導体レーザを
以下の規格で作製した。共振器長は３００μｍとし、光
出射面から１００μｍまでの領域をテーパ領域とした。
活性層１の幅は、光出射面で０．６μｍであり、反対側
の端面（反射面）及び均一活性層領域で１．２μｍであ
った。図４は、本実施例のＤＦＢ半導体レーザの回折格
子周期を示したものである。本実施例では、上記の活性
層構造において、共振器全体にわたってブラッグ波長を
均一にするために、回折格子の周期を光出射面で２０
４．３ｎｍ、他方の端面および均一活性層領域で２０
３．５ｎｍとしている。また、テーパ領域での回折格子
の周期の増加率は図４に示すとおりである。
以下の規格で作製した。共振器長は３００μｍとし、光
出射面から１００μｍまでの領域をテーパ領域とした。
活性層１の幅は、光出射面で０．６μｍであり、反対側
の端面（反射面）及び均一活性層領域で１．２μｍであ
った。図４は、本実施例のＤＦＢ半導体レーザの回折格
子周期を示したものである。本実施例では、上記の活性
層構造において、共振器全体にわたってブラッグ波長を
均一にするために、回折格子の周期を光出射面で２０
４．３ｎｍ、他方の端面および均一活性層領域で２０
３．５ｎｍとしている。また、テーパ領域での回折格子
の周期の増加率は図４に示すとおりである。
【００１７】次に、本実施例のＤＦＢ半導体レーザを作
製する工程について説明する。まず、図５に示すよう
に、ｎ型ＩｎＰ基板６上に電子ビーム露光に用いる露光
位置合わせ用マーク７を形成した後に、周期を変調した
回折格子２を電子ビーム露光により形成する。このよう
にして形成した回折格子上に、図６に示すようにｎ−Ｉ
ｎＧａＡｓＰ光ガイド層８、活性層１、ｐ−ＩｎＰクラ
ッド層９を形成する。活性層１は、多重量子井戸層によ
り構成され、バンドギャップ波長組成１．２７μｍ、厚
さ５ｎｍのＩｎＧａＡｓＰ井戸層をバンドギャップ波長
組成１．１０μｍ、厚さ１０μｍの障壁層で挟んだ構造
を７周繰り返した構造としている。
製する工程について説明する。まず、図５に示すよう
に、ｎ型ＩｎＰ基板６上に電子ビーム露光に用いる露光
位置合わせ用マーク７を形成した後に、周期を変調した
回折格子２を電子ビーム露光により形成する。このよう
にして形成した回折格子上に、図６に示すようにｎ−Ｉ
ｎＧａＡｓＰ光ガイド層８、活性層１、ｐ−ＩｎＰクラ
ッド層９を形成する。活性層１は、多重量子井戸層によ
り構成され、バンドギャップ波長組成１．２７μｍ、厚
さ５ｎｍのＩｎＧａＡｓＰ井戸層をバンドギャップ波長
組成１．１０μｍ、厚さ１０μｍの障壁層で挟んだ構造
を７周繰り返した構造としている。
【００１８】このように作製したウエハに図７（ａ）に
示すように、作製する光導波路に対して、幅３．２μｍ
から２．６μｍに変化するＳｉＯ2膜からなるマスク１
０を形成し、図７（ｂ）に示すようなストライプメサを
形成する。このとき、サイドエッチングにより活性層幅
は１．２μｍから０．６μｍに変化するテーパ状とな
る。次いで、ＭＯＶＰＥにより図８（ａ）に示すよう
に、ｐ−ＩｎＰ電流ブロック層１１、ｎ−ＩｎＰ電流ブ
ロック層１３を成長し、ＳｉＯ2膜１０を剥した後に、
図８（ｂ）に示すようにｎ−ＩｎＰ埋め込み層１３、ｐ
−ＩｎＧａＡｓＰコンタクト層１４を成長する。このよ
うにして作製したウエハに、通常の電極プロセスにより
電極を形成し、劈開により３００μｍの長さに切り出
し、前面に反射率１％の低反射率膜を設けて光出射面と
し、後面に反射率９０％の高反射率膜を施して反射面と
してＤＦＢ半導体レーザを得た。
示すように、作製する光導波路に対して、幅３．２μｍ
から２．６μｍに変化するＳｉＯ2膜からなるマスク１
０を形成し、図７（ｂ）に示すようなストライプメサを
形成する。このとき、サイドエッチングにより活性層幅
は１．２μｍから０．６μｍに変化するテーパ状とな
る。次いで、ＭＯＶＰＥにより図８（ａ）に示すよう
に、ｐ−ＩｎＰ電流ブロック層１１、ｎ−ＩｎＰ電流ブ
ロック層１３を成長し、ＳｉＯ2膜１０を剥した後に、
図８（ｂ）に示すようにｎ−ＩｎＰ埋め込み層１３、ｐ
−ＩｎＧａＡｓＰコンタクト層１４を成長する。このよ
うにして作製したウエハに、通常の電極プロセスにより
電極を形成し、劈開により３００μｍの長さに切り出
し、前面に反射率１％の低反射率膜を設けて光出射面と
し、後面に反射率９０％の高反射率膜を施して反射面と
してＤＦＢ半導体レーザを得た。
【００１９】以上のようにして作製したＤＦＢ半導体レ
ーザを評価したところ、１．３１μｍで発振し、単一モ
ード発振の安定性の指標となる副モード抑圧比は４５ｄ
Ｂであった。また、電流−光出力特性を測定したとこ
ろ、効率は室温で０．５Ｗ／Ａで、８５℃においても
０．３５Ｗ／Ａであった。また、光出力４０ｍＷまでキ
ンクフリーであった。
ーザを評価したところ、１．３１μｍで発振し、単一モ
ード発振の安定性の指標となる副モード抑圧比は４５ｄ
Ｂであった。また、電流−光出力特性を測定したとこ
ろ、効率は室温で０．５Ｗ／Ａで、８５℃においても
０．３５Ｗ／Ａであった。また、光出力４０ｍＷまでキ
ンクフリーであった。
【００２０】一方、同様の工程で作製した回折格子の周
期を共振器方向にわたって一定にしたＤＦＢ半導体レー
ザは、副モード抑圧比は４０ｄＢであり、光出力が３０
ｍＷを超えた当りでほとんどの素子でキンクが発生し
た。
期を共振器方向にわたって一定にしたＤＦＢ半導体レー
ザは、副モード抑圧比は４０ｄＢであり、光出力が３０
ｍＷを超えた当りでほとんどの素子でキンクが発生し
た。
【００２１】
【発明の効果】本発明によれば、高い単一モード性の安
定性と高効率・高出力特性および光ファイバとの結合効
率の高いＤＦＢ半導体レーザを実現できる。
定性と高効率・高出力特性および光ファイバとの結合効
率の高いＤＦＢ半導体レーザを実現できる。
【図１】本発明のＤＦＢ半導体レーザの一例の構成を示
す図である。
す図である。
【図２】本発明のＤＦＢ半導体レーザの動作原理を説明
するための図である。
するための図である。
【図３】本発明のＤＦＢ半導体レーザの動作原理を説明
するための図である。
するための図である。
【図４】本発明のＤＦＢ半導体レーザの一例の製造工程
を説明するための図である。
を説明するための図である。
【図５】本発明のＤＦＢ半導体レーザの一例の製造工程
を説明するための図である。
を説明するための図である。
【図６】本発明のＤＦＢ半導体レーザの一例の製造工程
を説明するための図である。
を説明するための図である。
【図７】（ａ）および（ｂ）は、本発明のＤＦＢ半導体
レーザの一例の製造工程を説明するための図である。
レーザの一例の製造工程を説明するための図である。
【図８】（ａ）および（ｂ）は、本発明のＤＦＢ半導体
レーザの一例の製造工程を説明するための図である。
レーザの一例の製造工程を説明するための図である。
【図９】本発明のＤＦＢ半導体レーザの活性層の他の態
様を示す平面図である。
様を示す平面図である。
【図１０】（ａ）および（ｂ）は、従来の水平アクティ
ブテーパ型スポットサイズ変換レーザの構成を説明する
ための図である。
ブテーパ型スポットサイズ変換レーザの構成を説明する
ための図である。
１ 活性層 ２ 回折格子 ３ 低反射率膜 ４ 高反射率膜 ５ 電極 ６ ｎ型ＩｎＰ基板 ７ 露光位置合わせ用マーク ８ ｎ−ＩｎＧａＡｓＰ光ガイド層 ９ ｐ−ＩｎＰクラッド層 １０ ＳｉＯ2マスク １１ ｐ−ＩｎＰ電流ブロック層 １２ ｎ−ＩｎＰ電流ブロック層 １３ ｐ−ＩｎＰ埋め込み層 １４ ｐ−ＩｎＧａＡｓＰコンタクト層 １５ 基板
Claims (7)
- 【請求項１】 光導波路の一方の端部を光出射面とし、
他方の端部を反射面とし、これら端面間に配置された活
性層と、該活性層に添って該光導波路内に設けられた回
折格子とを有する分布帰還型半導体レーザにおいて、 前記活性層が、前記光出射面側に端面を含む領域に、前
記反射面側の領域よりも幅の狭い領域を有し、 かつ該幅の狭い領域に添った回折格子の周期が、前記反
射面側の領域よりも大きくなっていることを特徴とする
分布帰還型半導体レーザ。 - 【請求項２】 前記活性層の幅の狭い領域の幅が、前記
光出射面に向けて連続的に減少している請求項１に記載
の分布帰還型半導体レーザ。 - 【請求項３】 前記活性層の幅の狭い領域の幅が、該活
性層幅の狭い領域の長さ５０μｍあたり、該活性層の幅
が最大で１／２の割合で減少している請求項２に記載の
分布帰還型半導体レーザ。 - 【請求項４】 前記活性層の幅の狭い領域が前記光出射
面に接している請求項１〜３のいずれかに記載の分布帰
還型半導体レーザ。 - 【請求項５】 前記活性層が、前記反射面側の均一幅の
領域と、該均一幅から前記光出射面に至るまで連続的に
幅が減少したテーパ領域と、を有する請求項１〜４のい
ずれかに記載の分布帰還型半導体レーザ装置。 - 【請求項６】 前記均一幅の領域の長さに対する前記テ
ーパ領域の長さの割合が、１／５以上である請求項５に
記載の分布帰還型半導体レーザ装置。 - 【請求項７】 前記光導波路内の各位置における等価屈
折率と回折格子周期の積が等しい請求項１〜６のいずれ
かに記載の分布帰還型半導体レーザ。
Priority Applications (2)
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|---|---|---|---|
| JP9323263A JP2950302B2 (ja) | 1997-11-25 | 1997-11-25 | 半導体レーザ |
| US09/199,789 US6259718B1 (en) | 1997-11-25 | 1998-11-25 | Distributed feedback laser device high in coupling efficiency with optical fiber |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9323263A JP2950302B2 (ja) | 1997-11-25 | 1997-11-25 | 半導体レーザ |
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| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11163456A JPH11163456A (ja) | 1999-06-18 |
| JP2950302B2 true JP2950302B2 (ja) | 1999-09-20 |
Family
ID=18152845
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9323263A Expired - Lifetime JP2950302B2 (ja) | 1997-11-25 | 1997-11-25 | 半導体レーザ |
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| Country | Link |
|---|---|
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| JP (1) | JP2950302B2 (ja) |
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-
1997
- 1997-11-25 JP JP9323263A patent/JP2950302B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1998
- 1998-11-25 US US09/199,789 patent/US6259718B1/en not_active Expired - Lifetime
Non-Patent Citations (1)
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|---|
| １９９７年（平成９年）秋季第５８回応用物理学会学術講演会予稿集 ３ｐ−ＺＣ−５ ｐ．１１１０ |
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| Publication number | Publication date |
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