JP2817540B2 - ローパスフィルタ - Google Patents
ローパスフィルタInfo
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- JP2817540B2 JP2817540B2 JP4271094A JP27109492A JP2817540B2 JP 2817540 B2 JP2817540 B2 JP 2817540B2 JP 4271094 A JP4271094 A JP 4271094A JP 27109492 A JP27109492 A JP 27109492A JP 2817540 B2 JP2817540 B2 JP 2817540B2
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明はローパスフィルタに関
し、特にたとえば、面実装タイプのローパスフィルタに
関する。
し、特にたとえば、面実装タイプのローパスフィルタに
関する。
【０００２】
【従来の技術】図６はこの発明の背景となる従来のロー
パスフィルタの一例を示す斜視図である。このローパス
フィルタ１は、誘電体層２を含む。誘電体層２の一方主
面には、直線状の３つのライン電極３と、面状の２つの
オープンスタブ電極４とが形成される。これらのライン
電極３とオープンスタブ電極４とは交互に形成され、両
側のライン電極３の端部に接続端子５が形成される。さ
らに、誘電体層２の他方主面には、その全面にグランド
電極６が形成される。したがって、このローパスフィル
タ１は、マイクロストリップフィルタとなる。
パスフィルタの一例を示す斜視図である。このローパス
フィルタ１は、誘電体層２を含む。誘電体層２の一方主
面には、直線状の３つのライン電極３と、面状の２つの
オープンスタブ電極４とが形成される。これらのライン
電極３とオープンスタブ電極４とは交互に形成され、両
側のライン電極３の端部に接続端子５が形成される。さ
らに、誘電体層２の他方主面には、その全面にグランド
電極６が形成される。したがって、このローパスフィル
タ１は、マイクロストリップフィルタとなる。
【０００３】このローパスフィルタ１は、図７に示すよ
うに、ライン電極３に分布インダクタンスが形成され、
オープンスタブ電極とグランド電極との間に容量が形成
される。したがって、このローパスフィルタ１は、バタ
ーワース特性の等価回路を有するフィルタとなる。
うに、ライン電極３に分布インダクタンスが形成され、
オープンスタブ電極とグランド電極との間に容量が形成
される。したがって、このローパスフィルタ１は、バタ
ーワース特性の等価回路を有するフィルタとなる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ところが、このような
従来のローパスフィルタでは、小さい電極面積で十分な
静電容量を得るためには、誘電体層の誘電率を大きくす
る必要がある。また、短いライン電極で十分なインダク
タンスを得るためには、誘電体層の誘電率を小さくする
必要がある。さらに、このような分布定数型ローパスフ
ィルタのスプリアス特性をよくするためには、インダク
タとして用いるライン電極部分とグランド電極との間の
浮遊容量を小さくする必要がある。そのため、誘電体層
の誘電率を小さくする必要がある。
従来のローパスフィルタでは、小さい電極面積で十分な
静電容量を得るためには、誘電体層の誘電率を大きくす
る必要がある。また、短いライン電極で十分なインダク
タンスを得るためには、誘電体層の誘電率を小さくする
必要がある。さらに、このような分布定数型ローパスフ
ィルタのスプリアス特性をよくするためには、インダク
タとして用いるライン電極部分とグランド電極との間の
浮遊容量を小さくする必要がある。そのため、誘電体層
の誘電率を小さくする必要がある。
【０００５】しかしながら、従来のローパスフィルタの
構造で、ローパスフィルタを小型化し、かつ上述の条件
を満たすことは不可能である。
構造で、ローパスフィルタを小型化し、かつ上述の条件
を満たすことは不可能である。
【０００６】それゆえに、この発明の主たる目的は、必
要なインダクタンスおよび容量を得ることができ、良好
な特性を有し、かつ小型で面実装可能なローパスフィル
タを提供することである。
要なインダクタンスおよび容量を得ることができ、良好
な特性を有し、かつ小型で面実装可能なローパスフィル
タを提供することである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】この発明は、接地用のグ
ランド電極と、グランド電極上に誘電体層を挟んで形成
され、グランド電極と協働して容量を構成するためのオ
ープンスタブ電極と、オープンスタブ電極上に誘電体層
を挟んで形成され、インダクタを構成するためのライン
電極と、ライン電極上に誘電体層を挟んで形成され、グ
ランド電極に接続されるシールド電極とを含み、オープ
ンスタブ電極とグランド電極との間で形成される容量が
ライン電極とグランド電極およびシールド電極との間で
形成される容量より大きくなる構成とした、ローパスフ
ィルタである。このローパスフィルタにおいて、ライン
電極とオープンスタブ電極との間の誘電体層の厚みおよ
びライン電極とシールド電極との間の誘電体層の厚み
を、オープンスタブ電極とグランド電極との間の誘電体
層の厚みより大きくすることができる。 また、オープン
スタブ電極をライン電極より外部回路との接続部に近い
位置に形成してもよい。 さらに、オープンスタブ電極と
グランド電極との間の誘電体層の誘電率を、ライン電極
とオープンスタブ電極との間の誘電体層の誘電率および
ライン電極とシールド電極との間の誘電体層の誘電率よ
り大きくすることができる。
ランド電極と、グランド電極上に誘電体層を挟んで形成
され、グランド電極と協働して容量を構成するためのオ
ープンスタブ電極と、オープンスタブ電極上に誘電体層
を挟んで形成され、インダクタを構成するためのライン
電極と、ライン電極上に誘電体層を挟んで形成され、グ
ランド電極に接続されるシールド電極とを含み、オープ
ンスタブ電極とグランド電極との間で形成される容量が
ライン電極とグランド電極およびシールド電極との間で
形成される容量より大きくなる構成とした、ローパスフ
ィルタである。このローパスフィルタにおいて、ライン
電極とオープンスタブ電極との間の誘電体層の厚みおよ
びライン電極とシールド電極との間の誘電体層の厚み
を、オープンスタブ電極とグランド電極との間の誘電体
層の厚みより大きくすることができる。 また、オープン
スタブ電極をライン電極より外部回路との接続部に近い
位置に形成してもよい。 さらに、オープンスタブ電極と
グランド電極との間の誘電体層の誘電率を、ライン電極
とオープンスタブ電極との間の誘電体層の誘電率および
ライン電極とシールド電極との間の誘電体層の誘電率よ
り大きくすることができる。
【０００８】
【作用】インダクタを構成するためのライン電極，容量
を形成するためのオープンスタブ電極，グランド電極お
よびシールド電極が同一面上に形成されず、積層構造と
なるように形成される。また、ローパスフィルタが積層
構造であるため、誘電体層の厚みを変えたり、部分的に
材質を変えることによって、所望のインダクタンスおよ
び容量を得ることができる。さらに、これらの電極の形
成位置を変えることにより、分布インピーダンスを変え
ることができる。
を形成するためのオープンスタブ電極，グランド電極お
よびシールド電極が同一面上に形成されず、積層構造と
なるように形成される。また、ローパスフィルタが積層
構造であるため、誘電体層の厚みを変えたり、部分的に
材質を変えることによって、所望のインダクタンスおよ
び容量を得ることができる。さらに、これらの電極の形
成位置を変えることにより、分布インピーダンスを変え
ることができる。
【０００９】
【発明の効果】この発明によれば、ローパスフィルタが
積層構造に形成されているため、同一面上に各電極を形
成する場合に比べて、小型化が可能である。また、所望
のインダクタンスおよび容量を得ることができるため、
小型化しても所望の特性を得ることができる。さらに、
分布インピーダンスを調整することができるため、スプ
リアス特性などを良好にすることができる。
積層構造に形成されているため、同一面上に各電極を形
成する場合に比べて、小型化が可能である。また、所望
のインダクタンスおよび容量を得ることができるため、
小型化しても所望の特性を得ることができる。さらに、
分布インピーダンスを調整することができるため、スプ
リアス特性などを良好にすることができる。
【００１０】この発明の上述の目的，その他の目的，特
徴および利点は、図面を参照して行う以下の実施例の詳
細な説明から一層明らかとなろう。
徴および利点は、図面を参照して行う以下の実施例の詳
細な説明から一層明らかとなろう。
【００１１】
【実施例】図１はこの発明の一実施例を示す斜視図であ
る。ローパスフィルタ１０は、ブロック体１２を含む。
ブロック体１２は、図２に示すように、第１の誘電体層
１４を含む。第１の誘電体層１４上には、ほぼ全面にア
ース電極１６が形成される。このアース電極１６から、
第１の誘電体層１４の対向する端部に向かって、引出部
１６ａ，１６ｂ，１６ｃ，１６ｄ，１６ｅ，１６ｆが形
成される。引出部１６ａおよび１６ｂは、第１の誘電体
層１４の一端側において、両端近傍に形成される。ま
た、引出部１６ｃおよび１６ｄは、第１の誘電体層１４
の他端側において、その中央付近で間隔を隔てて形成さ
れる。
る。ローパスフィルタ１０は、ブロック体１２を含む。
ブロック体１２は、図２に示すように、第１の誘電体層
１４を含む。第１の誘電体層１４上には、ほぼ全面にア
ース電極１６が形成される。このアース電極１６から、
第１の誘電体層１４の対向する端部に向かって、引出部
１６ａ，１６ｂ，１６ｃ，１６ｄ，１６ｅ，１６ｆが形
成される。引出部１６ａおよび１６ｂは、第１の誘電体
層１４の一端側において、両端近傍に形成される。ま
た、引出部１６ｃおよび１６ｄは、第１の誘電体層１４
の他端側において、その中央付近で間隔を隔てて形成さ
れる。
【００１２】アース電極１６上には、第２の誘電体層１
８および第３の誘電体層２０が配置される。第３の誘電
体層２０上には、第１のオープンスタブ電極２２，第２
のオープンスタブ電極２４および第３のオープンスタブ
電極２６が形成される。第１のオープンスタブ電極２２
は、第３の誘電体層の一端側において、中央部付近に形
成される。そして、第１のオープンスタブ電極２２から
第３の誘電体層２０の一端に向かって、２つの引出部２
２ａ，２２ｂが形成される。これらの引出部２２ａ，２
２ｂは、第３の誘電体層２０の一端側の中央付近で間隔
を隔てて形成される。また、第２のオープンスタブ電極
２４および第３のオープンスタブ電極２６は、第３の誘
電体層２０の他端側において、両端付近に形成される。
そして、第２のオープンスタブ電極２４および第３のオ
ープンスタブ電極２６から、第３の誘電体層２０の他端
に向かって、引出部２４ａ，２６ａが形成される。
８および第３の誘電体層２０が配置される。第３の誘電
体層２０上には、第１のオープンスタブ電極２２，第２
のオープンスタブ電極２４および第３のオープンスタブ
電極２６が形成される。第１のオープンスタブ電極２２
は、第３の誘電体層の一端側において、中央部付近に形
成される。そして、第１のオープンスタブ電極２２から
第３の誘電体層２０の一端に向かって、２つの引出部２
２ａ，２２ｂが形成される。これらの引出部２２ａ，２
２ｂは、第３の誘電体層２０の一端側の中央付近で間隔
を隔てて形成される。また、第２のオープンスタブ電極
２４および第３のオープンスタブ電極２６は、第３の誘
電体層２０の他端側において、両端付近に形成される。
そして、第２のオープンスタブ電極２４および第３のオ
ープンスタブ電極２６から、第３の誘電体層２０の他端
に向かって、引出部２４ａ，２６ａが形成される。
【００１３】複数のオープンスタブ電極２２，２４，２
６上には、誘電体で形成された第１のダミー層２８が配
置される。第１のダミー層２８上には、第４の誘電体層
３０が配置される。第４の誘電体層３０上には、第１の
ライン電極３２および第２のライン電極３４が形成され
る。これらのライン電極３２，３４は、第４の誘電体層
３０の一端側から他端側に向かって、蛇行するように形
成される。第１のライン電極３２および第２のライン電
極３４の一端側３２ａ，３４ａは、第１のオープンスタ
ブ電極２２の引出部２２ａ，２２ｂに対向する位置に引
き出される。また、第１のライン電極３２の他端側３２
ｂおよび第２のライン電極３４の他端側３４ｂは、第２
のオープンスタブ電極２４の引出部２４ａおよび第３の
オープンスタブ電極２６の引出部２６ａに対向する位置
に引き出される。
６上には、誘電体で形成された第１のダミー層２８が配
置される。第１のダミー層２８上には、第４の誘電体層
３０が配置される。第４の誘電体層３０上には、第１の
ライン電極３２および第２のライン電極３４が形成され
る。これらのライン電極３２，３４は、第４の誘電体層
３０の一端側から他端側に向かって、蛇行するように形
成される。第１のライン電極３２および第２のライン電
極３４の一端側３２ａ，３４ａは、第１のオープンスタ
ブ電極２２の引出部２２ａ，２２ｂに対向する位置に引
き出される。また、第１のライン電極３２の他端側３２
ｂおよび第２のライン電極３４の他端側３４ｂは、第２
のオープンスタブ電極２４の引出部２４ａおよび第３の
オープンスタブ電極２６の引出部２６ａに対向する位置
に引き出される。
【００１４】第１のライン電極３２および第２のライン
電極３４上には、誘電体で形成された第２のダミー層３
６が配置される。さらに、第２のダミー層３６上には、
第５の誘電体層３８が配置される。第５の誘電体層３８
上には、ほぼ全面にシールド電極４０が形成される。シ
ールド電極４０から第５の誘電体層３８の端部に向かっ
て、引出部４０ａ，４０ｂ，４０ｃ，４０ｄ，４０ｅ，
４０ｆが形成される。これらの引出部４０ａ，４０ｂ，
４０ｃ，４０ｄ，４０ｅ，４０ｆは、アース電極１６の
引出部１６ａ，１６ｂ，１６ｃ，１６ｄ，１６ｅ，１６
ｆに対向する位置に形成される。これらのアース電極１
６およびシールド電極４０は、接地されてグランド電極
として使用される。
電極３４上には、誘電体で形成された第２のダミー層３
６が配置される。さらに、第２のダミー層３６上には、
第５の誘電体層３８が配置される。第５の誘電体層３８
上には、ほぼ全面にシールド電極４０が形成される。シ
ールド電極４０から第５の誘電体層３８の端部に向かっ
て、引出部４０ａ，４０ｂ，４０ｃ，４０ｄ，４０ｅ，
４０ｆが形成される。これらの引出部４０ａ，４０ｂ，
４０ｃ，４０ｄ，４０ｅ，４０ｆは、アース電極１６の
引出部１６ａ，１６ｂ，１６ｃ，１６ｄ，１６ｅ，１６
ｆに対向する位置に形成される。これらのアース電極１
６およびシールド電極４０は、接地されてグランド電極
として使用される。
【００１５】第１の誘電体層１４およびシールド電極４
０の両側には、誘電体で形成された保護層４２，４４が
配置される。そして、各電極が形成された誘電体層，ダ
ミー層および保護層を積層して一体化した状態で、ブロ
ック体１２が形成されている。このようなブロック体１
２を作製するには、たとえば誘電体材料で形成されたセ
ラミックグリーンシート上に各電極の形状に導体ペース
トを塗布し、積層して焼成することによって作製するこ
とができる。
０の両側には、誘電体で形成された保護層４２，４４が
配置される。そして、各電極が形成された誘電体層，ダ
ミー層および保護層を積層して一体化した状態で、ブロ
ック体１２が形成されている。このようなブロック体１
２を作製するには、たとえば誘電体材料で形成されたセ
ラミックグリーンシート上に各電極の形状に導体ペース
トを塗布し、積層して焼成することによって作製するこ
とができる。
【００１６】ブロック体１２の対向する端部には、外部
電極４６ａ，４６ｂ，４６ｃ，４６ｄ，４６ｅ，４６
ｆ，４６ｇ，４６ｈ，４６ｉおよび４６ｊが形成され
る。外部電極４６ａ〜４６ｊは、ブロック体１２の端部
から両主面に延びるようにコ字状に形成される。外部電
極４６ａは、アース電極１６の引出部１６ａおよびシー
ルド電極４０の引出部４０ａに接続される。外部電極４
６ｂは、第１のオープンスタブ電極２２の引出部２２ａ
および第１のライン電極３２の一端側３２ａに接続され
る。外部電極４６ｃは、第１のオープンスタブ電極２２
の引出部２２ｂおよび第２のライン電極３４の一端側３
４ａに接続される。外部電極４６ｄは、アース電極１６
の引出部１６ｂおよびシールド電極４０の引出部４０ｂ
に接続される。外部電極４６ｅは、第２のオープンスタ
ブ電極２４の引出部２４ａおよび第１のライン電極３２
の他端側３２ｂに接続される。外部電極４６ｆは、アー
ス電極１６の引出部１６ｃおよびシールド電極４０の引
出部４０ｃに接続される。外部電極４６ｇは、アース電
極１６の引出部１６ｄおよびシールド電極４０の引出部
４０ｄに接続される。また、外部電極４６ｈは、第３の
オープンスタブ電極２６の引出部２６ａおよび第２のラ
イン電極３４の他端側３４ｂに接続される。さらに、外
部電極４６ｉはアース電極１６の引出部１６ｅとシール
ド電極４０の引出部４０ｅに接続され、外部電極４０ｊ
はアース電極１６の引出部１６ｆとシールド電極４０の
引出部４０ｆに接続される。このようにして、ローパス
フィルタ１０が形成される。この例では、ライン電極と
してストリップライン電極を用いているが、マイクロス
トリップライン電極を用いるようにしてもよい。
電極４６ａ，４６ｂ，４６ｃ，４６ｄ，４６ｅ，４６
ｆ，４６ｇ，４６ｈ，４６ｉおよび４６ｊが形成され
る。外部電極４６ａ〜４６ｊは、ブロック体１２の端部
から両主面に延びるようにコ字状に形成される。外部電
極４６ａは、アース電極１６の引出部１６ａおよびシー
ルド電極４０の引出部４０ａに接続される。外部電極４
６ｂは、第１のオープンスタブ電極２２の引出部２２ａ
および第１のライン電極３２の一端側３２ａに接続され
る。外部電極４６ｃは、第１のオープンスタブ電極２２
の引出部２２ｂおよび第２のライン電極３４の一端側３
４ａに接続される。外部電極４６ｄは、アース電極１６
の引出部１６ｂおよびシールド電極４０の引出部４０ｂ
に接続される。外部電極４６ｅは、第２のオープンスタ
ブ電極２４の引出部２４ａおよび第１のライン電極３２
の他端側３２ｂに接続される。外部電極４６ｆは、アー
ス電極１６の引出部１６ｃおよびシールド電極４０の引
出部４０ｃに接続される。外部電極４６ｇは、アース電
極１６の引出部１６ｄおよびシールド電極４０の引出部
４０ｄに接続される。また、外部電極４６ｈは、第３の
オープンスタブ電極２６の引出部２６ａおよび第２のラ
イン電極３４の他端側３４ｂに接続される。さらに、外
部電極４６ｉはアース電極１６の引出部１６ｅとシール
ド電極４０の引出部４０ｅに接続され、外部電極４０ｊ
はアース電極１６の引出部１６ｆとシールド電極４０の
引出部４０ｆに接続される。このようにして、ローパス
フィルタ１０が形成される。この例では、ライン電極と
してストリップライン電極を用いているが、マイクロス
トリップライン電極を用いるようにしてもよい。
【００１７】ローパスフィルタ１０の等価回路が図３に
示される。この等価回路において、Ｌ1 ，Ｌ1'，Ｌ2 ，
Ｌ2'は第１のライン電極３２および第２のライン電極３
４に発生するインダクタンスであり、ＣS1，ＣS1' は第
１のライン電極３２の蛇行した線間に発生する容量であ
り、ＣS2，ＣS2' は第２のライン電極３４の蛇行した線
間に発生する容量である。また、Ｃ10，Ｃ11，Ｃ12は各
オープンスタブ電極２２，２４，２６とアース電極１６
とで形成される容量であり、ＣS10 ，ＣS11 は各ライン
電極３２，３４とシールド電極４０とで形成される容量
である。さらに、Ｌ10，ＬT10 ，Ｌ11，ＬT11 ，Ｌ12，
ＬT12 は、オープンスタブ電極２２，２４，２６とアー
ス電極１６，シールド電極４０とで形成される容量と直
列にはいる残留インダクタンスである。このような残留
インダクタンスは、主に外部電極４６ａ〜４６ｈ部分に
発生する。
示される。この等価回路において、Ｌ1 ，Ｌ1'，Ｌ2 ，
Ｌ2'は第１のライン電極３２および第２のライン電極３
４に発生するインダクタンスであり、ＣS1，ＣS1' は第
１のライン電極３２の蛇行した線間に発生する容量であ
り、ＣS2，ＣS2' は第２のライン電極３４の蛇行した線
間に発生する容量である。また、Ｃ10，Ｃ11，Ｃ12は各
オープンスタブ電極２２，２４，２６とアース電極１６
とで形成される容量であり、ＣS10 ，ＣS11 は各ライン
電極３２，３４とシールド電極４０とで形成される容量
である。さらに、Ｌ10，ＬT10 ，Ｌ11，ＬT11 ，Ｌ12，
ＬT12 は、オープンスタブ電極２２，２４，２６とアー
ス電極１６，シールド電極４０とで形成される容量と直
列にはいる残留インダクタンスである。このような残留
インダクタンスは、主に外部電極４６ａ〜４６ｈ部分に
発生する。
【００１８】このローパスフィルタ１０では、第２の誘
電体層１８および第３の誘電体層２０の誘電率を他の誘
電体部分より大きくすることによって、第１のオープン
スタブ電極２２，第２のオープンスタブ電極２４，第３
のオープンスタブ電極２６の面積が小さくても、大きい
容量を得ることができる。この実施例では、第２の誘電
体層１８および第３の誘電体層２０として、比誘電率が
数１０程度の誘電体層を使用した。そして、第１のダミ
ー層２８および第２のダミー層３６として、誘電率の小
さい誘電体を用いることによって、第１のライン電極３
２，第２のライン電極３４とアース電極１６，シールド
電極４０との間に発生する浮遊容量を小さくすることが
できる。
電体層１８および第３の誘電体層２０の誘電率を他の誘
電体部分より大きくすることによって、第１のオープン
スタブ電極２２，第２のオープンスタブ電極２４，第３
のオープンスタブ電極２６の面積が小さくても、大きい
容量を得ることができる。この実施例では、第２の誘電
体層１８および第３の誘電体層２０として、比誘電率が
数１０程度の誘電体層を使用した。そして、第１のダミ
ー層２８および第２のダミー層３６として、誘電率の小
さい誘電体を用いることによって、第１のライン電極３
２，第２のライン電極３４とアース電極１６，シールド
電極４０との間に発生する浮遊容量を小さくすることが
できる。
【００１９】また、第２の誘電体層１８および第３の誘
電体層２０の厚みを小さくすることによって、各オープ
ンスタブ電極２２，２４，２６とアース電極１６との間
に発生する容量を大きくすることができ、小型化が可能
となる。さらに、第１のダミー層２８および第２のダミ
ー層３６の厚みを大きくすることによって、各ライン電
極３２，３４とアース電極１６，シールド電極４０との
間に発生する浮遊容量を小さくすることができる。この
ように、浮遊容量を小さくすることによってラインの誘
導性を大きくすることができ、小型化が可能となり、図
４に示すように、小型でスプリアス特性の良好なローパ
スフィルタ１０を得ることができる。
電体層２０の厚みを小さくすることによって、各オープ
ンスタブ電極２２，２４，２６とアース電極１６との間
に発生する容量を大きくすることができ、小型化が可能
となる。さらに、第１のダミー層２８および第２のダミ
ー層３６の厚みを大きくすることによって、各ライン電
極３２，３４とアース電極１６，シールド電極４０との
間に発生する浮遊容量を小さくすることができる。この
ように、浮遊容量を小さくすることによってラインの誘
導性を大きくすることができ、小型化が可能となり、図
４に示すように、小型でスプリアス特性の良好なローパ
スフィルタ１０を得ることができる。
【００２０】さらに、このローパスフィルタ１０は、ア
ース電極１６が形成されたほうがプリント基板側となる
ように実装されるが、この場合、オープンスタブ電極２
２，２４，２６は、ライン電極３２，３４に比べて、プ
リント基板に近い位置に存在することになる。したがっ
て、オープンスタブ電極２２，２４，２６やアース電極
１６からプリント基板までの外部電極部分の距離が小さ
くなる。そのため、オープンスタブ電極２２，２４，２
６とアース電極１６とで形成される大きい容量Ｃ10，Ｃ
11，Ｃ12に直列にはいる残留インダクタンスＬ10，
Ｌ11，Ｌ12を小さくすることができる。このような残留
インダクタンスを小さくすることにより、高周波までの
スプリアスを改善することができる。
ース電極１６が形成されたほうがプリント基板側となる
ように実装されるが、この場合、オープンスタブ電極２
２，２４，２６は、ライン電極３２，３４に比べて、プ
リント基板に近い位置に存在することになる。したがっ
て、オープンスタブ電極２２，２４，２６やアース電極
１６からプリント基板までの外部電極部分の距離が小さ
くなる。そのため、オープンスタブ電極２２，２４，２
６とアース電極１６とで形成される大きい容量Ｃ10，Ｃ
11，Ｃ12に直列にはいる残留インダクタンスＬ10，
Ｌ11，Ｌ12を小さくすることができる。このような残留
インダクタンスを小さくすることにより、高周波までの
スプリアスを改善することができる。
【００２１】このローパスフィルタ１０では、従来のロ
ーパスフィルタのように誘電体層の同一面上にライン電
極およびオープンスタブ電極を形成せず、積層型として
異なる面に形成している。そのため、上述のような構造
を採用して、所望のインダクタンスおよび容量を得るこ
とができ、スプリアス特性を改善することができる。し
かも、ローパスフィルタ１０を面実装可能とし、かつ小
型化することができ、ローパスフィルタ１０の実装面積
を小さくすることができる。この実施例では、従来のロ
ーパスフィルタに比べて、面積比を１／１７にすること
ができた。
ーパスフィルタのように誘電体層の同一面上にライン電
極およびオープンスタブ電極を形成せず、積層型として
異なる面に形成している。そのため、上述のような構造
を採用して、所望のインダクタンスおよび容量を得るこ
とができ、スプリアス特性を改善することができる。し
かも、ローパスフィルタ１０を面実装可能とし、かつ小
型化することができ、ローパスフィルタ１０の実装面積
を小さくすることができる。この実施例では、従来のロ
ーパスフィルタに比べて、面積比を１／１７にすること
ができた。
【００２２】このような構造は、分布定数インピーダン
スを有するローパスフィルタだけでなく、図５に示すよ
うな集中定数的なラインを有するローパスフィルタにも
適用することができる。このローパスフィルタ１０で
は、第１の誘電体層５０上に第１のオープンスタブ電極
５２と渦巻状の第１のライン電極５４および第２のライ
ン電極５６が形成される。第１のライン電極５４および
第２のライン電極５６は、第１のオープンスタブ電極５
２に接続される。第１のオープンスタブ電極５２上に
は、第２の誘電体層５８が配置される。この第２の誘電
体層５８上には、面状のグランド電極６０が形成され
る。グランド電極６０上には、第３の誘電体層６２が配
置される。第３の誘電体層６２上には、第２のオープン
スタブ電極６４，第３のオープンスタブ電極６６，渦巻
状の第３のライン電極６８および第４のライン電極７０
が形成される。第３のライン電極６８は第２のオープン
スタブ電極６４に接続され、第４のライン電極７０は第
３のオープンスタブ電極６６に接続される。さらに、第
１のライン電極５４と第３のライン電極６８とがスルー
ホール７２などを通して接続され、第２のライン電極５
６と第４のライン電極７０とがスルーホール７４などを
通して接続される。このローパスフィルタ１０では、グ
ランド電極６０は、オープンスタブ電極５２，６４，６
６のみに対向するように形成される。
スを有するローパスフィルタだけでなく、図５に示すよ
うな集中定数的なラインを有するローパスフィルタにも
適用することができる。このローパスフィルタ１０で
は、第１の誘電体層５０上に第１のオープンスタブ電極
５２と渦巻状の第１のライン電極５４および第２のライ
ン電極５６が形成される。第１のライン電極５４および
第２のライン電極５６は、第１のオープンスタブ電極５
２に接続される。第１のオープンスタブ電極５２上に
は、第２の誘電体層５８が配置される。この第２の誘電
体層５８上には、面状のグランド電極６０が形成され
る。グランド電極６０上には、第３の誘電体層６２が配
置される。第３の誘電体層６２上には、第２のオープン
スタブ電極６４，第３のオープンスタブ電極６６，渦巻
状の第３のライン電極６８および第４のライン電極７０
が形成される。第３のライン電極６８は第２のオープン
スタブ電極６４に接続され、第４のライン電極７０は第
３のオープンスタブ電極６６に接続される。さらに、第
１のライン電極５４と第３のライン電極６８とがスルー
ホール７２などを通して接続され、第２のライン電極５
６と第４のライン電極７０とがスルーホール７４などを
通して接続される。このローパスフィルタ１０では、グ
ランド電極６０は、オープンスタブ電極５２，６４，６
６のみに対向するように形成される。
【００２３】このようなローパスフィルタ１０でも、各
誘電体層５０，５８，６２の誘電率を変えたり、厚みを
変えることによって、所望のインダクタンスおよび容量
を得ることができる。また、グランド電極６０は各ライ
ン電極５４，５６，６８，７０と対向していないため、
ライン電極とグランド電極との間の浮遊容量が小さく、
小型化が可能となり、かつスプリアス特性を良好にする
ことができる。さらに、このローパスフィルタ１０も積
層型であることから、小型で面実装可能なフィルタとす
ることができる。なお、このローパスフィルタ１０をプ
リント基板のアース電極上に実装した場合、ライン電極
５４，５６，６８，７０は、マイクロストリップライン
として働く。
誘電体層５０，５８，６２の誘電率を変えたり、厚みを
変えることによって、所望のインダクタンスおよび容量
を得ることができる。また、グランド電極６０は各ライ
ン電極５４，５６，６８，７０と対向していないため、
ライン電極とグランド電極との間の浮遊容量が小さく、
小型化が可能となり、かつスプリアス特性を良好にする
ことができる。さらに、このローパスフィルタ１０も積
層型であることから、小型で面実装可能なフィルタとす
ることができる。なお、このローパスフィルタ１０をプ
リント基板のアース電極上に実装した場合、ライン電極
５４，５６，６８，７０は、マイクロストリップライン
として働く。
【００２４】このように、この発明によれば、所望のイ
ンピーダンスを有し、良好な特性を備え、しかも小型で
面実装可能なローパスフィルタを得ることができる。
ンピーダンスを有し、良好な特性を備え、しかも小型で
面実装可能なローパスフィルタを得ることができる。
【図１】この発明の一実施例を示す斜視図である。
【図２】図１に示すローパスフィルタに使用されるブロ
ック体の分解斜視図である。
ック体の分解斜視図である。
【図３】図１に示すローパスフィルタの等価回路図であ
る。
る。
【図４】図１に示すローパスフィルタの特性を示すグラ
フである。
フである。
【図５】この発明の他の実施例を示す分解斜視図であ
る。
る。
【図６】この発明の背景となる従来のローパスフィルタ
の一例を示す斜視図である。
の一例を示す斜視図である。
【図７】図６に示す従来のローパスフィルタの等価回路
図である。
図である。
１０ ローパスフィルタ １２ ブロック体 １４ 第１の誘電体層 １６ アース電極 １８ 第２の誘電体層 ２０ 第３の誘電体層 ２２ 第１のオープンスタブ電極 ２４ 第２のオープンスタブ電極 ２６ 第３のオープンスタブ電極 ２８ 第１のダミー層 ３０ 第４の誘電体層 ３２ 第１のライン電極 ３４ 第２のライン電極 ３６ 第２のダミー層 ３８ 第５の誘電体層 ４０ シールド電極 ５０ 第１の誘電体層 ５２ 第１のオープンスタブ電極 ５４ 第１のライン電極 ５６ 第２のライン電極 ５８ 第２の誘電体層 ６０ グランド電極 ６２ 第３の誘電体層 ６４ 第２のオープンスタブ電極 ６６ 第３のオープンスタブ電極 ６８ 第３のライン電極 ７０ 第４のライン電極
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) H03H 7/075 H01P 1/20
Claims (4)
- 【請求項１】 接地用のグランド電極、前記グランド電極上に 誘電体層を挟んで形成され、前記
グランド電極と協働して容量を構成するためのオープン
スタブ電極、前記オープンスタブ電極上に 誘電体層を挟んで形成さ
れ、インダクタを構成するためのライン電極、および 前
記ライン電極上に誘電体層を挟んで形成され、前記グラ
ンド電極に接続されるシールド電極を含み、 前記オープンスタブ電極と前記グランド電極との間で形
成される容量が前記ライン電極と前記グランド電極およ
び前記シールド電極との間で形成される容量より大きく
なる構成とした、ローパスフィルタ。 - 【請求項２】 前記ライン電極と前記オープンスタブ電
極との間の誘電体層の厚みおよび前記ライン電極と前記
シールド電極との間の誘電体層の厚みを、前記オープン
スタブ電極と前記グランド電極との間の誘電体層の厚み
より大きくした、請求項１のローパスフィルタ。 - 【請求項３】 前記オープンスタブ電極を前記ライン電
極より外部回路との接続部に近い位置に形成した、請求
項１のローパスフィルタ。 - 【請求項４】 前記オープンスタブ電極と前記グランド
電極との間の誘電体層の誘電率を、前記ライン電極と前
記オープンスタブ電極との間の誘電体層の誘電率および
前記ライン電極と前記シールド電極との間の誘電体層の
誘電率より大きくした、請求項１のローパスフィルタ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4271094A JP2817540B2 (ja) | 1992-09-14 | 1992-09-14 | ローパスフィルタ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4271094A JP2817540B2 (ja) | 1992-09-14 | 1992-09-14 | ローパスフィルタ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0697701A JPH0697701A (ja) | 1994-04-08 |
| JP2817540B2 true JP2817540B2 (ja) | 1998-10-30 |
Family
ID=17495277
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4271094A Expired - Lifetime JP2817540B2 (ja) | 1992-09-14 | 1992-09-14 | ローパスフィルタ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2817540B2 (ja) |
Families Citing this family (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH1051257A (ja) * | 1996-08-06 | 1998-02-20 | Ngk Spark Plug Co Ltd | Ｌｃローパスフィルタ |
| US6127906A (en) * | 1999-02-25 | 2000-10-03 | Thin Film Technology Corp. | Modular thin film distributed filter |
| WO2001011771A1 (fr) * | 1999-08-05 | 2001-02-15 | Nikko Company | Filtre lc et son procede de fabrication |
| KR20030073586A (ko) * | 2002-03-12 | 2003-09-19 | 삼성전기주식회사 | 고주파 필터 회로 및 적층 세라믹 필터 |
| JP4530181B2 (ja) | 2008-01-29 | 2010-08-25 | Ｔｄｋ株式会社 | 積層型ローパスフィルタ |
| JP2009182376A (ja) | 2008-01-29 | 2009-08-13 | Tdk Corp | 積層型ローパスフィルタ |
| JP5888474B2 (ja) * | 2013-10-30 | 2016-03-22 | 株式会社村田製作所 | 電子部品 |
| WO2015064134A1 (ja) * | 2013-10-30 | 2015-05-07 | 株式会社村田製作所 | 電子部品 |
| JP2017158136A (ja) * | 2016-03-04 | 2017-09-07 | 株式会社オートネットワーク技術研究所 | ノイズフィルタ |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5739124U (ja) * | 1980-08-15 | 1982-03-02 | ||
| JPS60153627A (ja) * | 1984-01-24 | 1985-08-13 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 同調装置 |
-
1992
- 1992-09-14 JP JP4271094A patent/JP2817540B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0697701A (ja) | 1994-04-08 |
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