JP2813132B2 - セラミックばね - Google Patents
セラミックばねInfo
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- JP2813132B2 JP2813132B2 JP6083816A JP8381694A JP2813132B2 JP 2813132 B2 JP2813132 B2 JP 2813132B2 JP 6083816 A JP6083816 A JP 6083816A JP 8381694 A JP8381694 A JP 8381694A JP 2813132 B2 JP2813132 B2 JP 2813132B2
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- mullite
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- ceramic
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- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E60/00—Enabling technologies; Technologies with a potential or indirect contribution to GHG emissions mitigation
- Y02E60/30—Hydrogen technology
- Y02E60/50—Fuel cells
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
- Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
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- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
- Fuel Cell (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、セラミックばね材並び
にセラミックばね及びその製造方法に関し、特に、高温
の雰囲気で使用するのに適するセラミックばね材並びに
セラミックばね及びその製造方法に関する。
にセラミックばね及びその製造方法に関し、特に、高温
の雰囲気で使用するのに適するセラミックばね材並びに
セラミックばね及びその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来のセラミックばねの材料には、部分
安定化ジルコニアや窒化けい素が用いられていた。部分
安定化ジルコニアは、酸化物セラミックスであり、応力
誘起マルテンサイト変態を利用した強靱化構造により、
室温で高強度であるが、高温では強度が低下し、耐熱性
に劣るという欠点がある。また、窒化けい素は、非酸化
物であり、燒結後の結晶粒形状が柱状晶であることか
ら、強靱な材料であり、さらに１０００℃程度までほと
んど強度低下しない。しかしながら、より一層高温にな
ると、燒結助剤として添加した酸化物セラミックス（Ａ
ｌ2Ｏ3、ＭｇＯ、ＣｅＯ、Ｙ2Ｏ3）の影響により強度低
下するばかりでなく、非酸化物であるため、高温（１０
００℃以上）の雰囲気では酸化劣化するという欠点があ
る。
安定化ジルコニアや窒化けい素が用いられていた。部分
安定化ジルコニアは、酸化物セラミックスであり、応力
誘起マルテンサイト変態を利用した強靱化構造により、
室温で高強度であるが、高温では強度が低下し、耐熱性
に劣るという欠点がある。また、窒化けい素は、非酸化
物であり、燒結後の結晶粒形状が柱状晶であることか
ら、強靱な材料であり、さらに１０００℃程度までほと
んど強度低下しない。しかしながら、より一層高温にな
ると、燒結助剤として添加した酸化物セラミックス（Ａ
ｌ2Ｏ3、ＭｇＯ、ＣｅＯ、Ｙ2Ｏ3）の影響により強度低
下するばかりでなく、非酸化物であるため、高温（１０
００℃以上）の雰囲気では酸化劣化するという欠点があ
る。
【０００３】このように従来のセラミックばね材として
の部分安定化ジルコニアや窒化けい素にあっては、１０
００℃以上の高温の雰囲気で安定して使用することがで
きなく、セラミックばねを各種高温装置に使用すること
ができないという問題があった。
の部分安定化ジルコニアや窒化けい素にあっては、１０
００℃以上の高温の雰囲気で安定して使用することがで
きなく、セラミックばねを各種高温装置に使用すること
ができないという問題があった。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】このような従来技術の
問題点に鑑み、本発明の主な目的は、１０００℃以上の
高温の雰囲気でも強度低下せずかつ安定して使用可能な
セラミックばね材並びにセラミックばね及びその製造方
法を提供することにある。
問題点に鑑み、本発明の主な目的は、１０００℃以上の
高温の雰囲気でも強度低下せずかつ安定して使用可能な
セラミックばね材並びにセラミックばね及びその製造方
法を提供することにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】このような目的は、本発
明によれば、ムライトからなるマトリクスに炭化物の微
細粒子を１〜３０vol％の範囲内で分散させた複合焼結
体を製作し、前記複合焼結体を１２００〜１４００℃で
あって０．５〜５時間の範囲内で熱処理して形成したば
ね材からなることを特徴とするセラミックばねを提供す
ることにより達成される。特に、前記微細粒子が、Ｔｉ
Ｃ、ＳｉＣ、ＶＣ、ＮｂＣ、Ｂ４Ｃ、ＴａＣ、ＷＣ、Ｈ
ｆＣ、Ｃｒ３Ｃ２、ＺｒＣの少なくとも１種類以上から
なると良い。
明によれば、ムライトからなるマトリクスに炭化物の微
細粒子を１〜３０vol％の範囲内で分散させた複合焼結
体を製作し、前記複合焼結体を１２００〜１４００℃で
あって０．５〜５時間の範囲内で熱処理して形成したば
ね材からなることを特徴とするセラミックばねを提供す
ることにより達成される。特に、前記微細粒子が、Ｔｉ
Ｃ、ＳｉＣ、ＶＣ、ＮｂＣ、Ｂ４Ｃ、ＴａＣ、ＷＣ、Ｈ
ｆＣ、Ｃｒ３Ｃ２、ＺｒＣの少なくとも１種類以上から
なると良い。
【０００６】
【作用】このように、弾性率が低くばねのようなたわみ
を要求するものに適合し、かつ高温度（約１４００℃）
まで強度劣化しない材料としてのムライト（３Ａｌ2Ｏ3
・２ＳｉＯ2）中に微細な炭化物粒子を所定量分散させ
ることにより、ムライトと炭化物粒子との間の熱膨張差
により残留応力が発生し、強靭化されると共に、マトリ
ックスであるムライト結晶の粒径よりもかなり小さい粒
径の炭化物粒子がムライト結晶の粒内にも存在して、マ
トリックスを強化し、また、粒径の大きな粒子が粒界に
存在して、クラックの進行を妨げることにより強靭化し
得る。また、ムライト中に微細な炭化物粒子を分散させ
た複合焼結体を所望の形状に加工し、１２００℃〜１４
００℃以下で熱処理してセラミックばねを形成すること
により、強度を好適に高め得る。
を要求するものに適合し、かつ高温度（約１４００℃）
まで強度劣化しない材料としてのムライト（３Ａｌ2Ｏ3
・２ＳｉＯ2）中に微細な炭化物粒子を所定量分散させ
ることにより、ムライトと炭化物粒子との間の熱膨張差
により残留応力が発生し、強靭化されると共に、マトリ
ックスであるムライト結晶の粒径よりもかなり小さい粒
径の炭化物粒子がムライト結晶の粒内にも存在して、マ
トリックスを強化し、また、粒径の大きな粒子が粒界に
存在して、クラックの進行を妨げることにより強靭化し
得る。また、ムライト中に微細な炭化物粒子を分散させ
た複合焼結体を所望の形状に加工し、１２００℃〜１４
００℃以下で熱処理してセラミックばねを形成すること
により、強度を好適に高め得る。
【０００７】
【実施例】以下、本発明の好適実施例を詳しく説明す
る。
る。
【０００８】本発明が適用されるセラミックばねは、高
温や腐食性ガスの雰囲気で使用されるばねとして用いる
のに適するものであり、例えば、ガスタービンや固体燃
料電池の高温装置に於ける熱膨張吸収用ばねとして用い
られる。
温や腐食性ガスの雰囲気で使用されるばねとして用いる
のに適するものであり、例えば、ガスタービンや固体燃
料電池の高温装置に於ける熱膨張吸収用ばねとして用い
られる。
【０００９】上記ばねの材料としてのセラミックばね材
は、ムライト（３Ａｌ2Ｏ3・２ＳｉＯ2）中に微細な炭
化物粒子としてのＴｉＣを添加して作られる。例えば、
平均粒径０．２μｍのムライト粉末（Ａｌ2Ｏ3の含有率
71.8wt％）に、平均粒径１．３０μｍのＴｉＣ粉末を所
定量配合し、アルコール中でナイロンボールを用いて２
４時間湿式混合した後、エバポレータで溶媒を抽出し、
更に真空乾燥炉を用いて乾燥させて、混合粉末を調整す
る。この粉末を燒結温度１６５０℃で４時間、Ｎ2ガス
雰囲気中で、圧力３５ＭＰａでホットプレスして、ムラ
イト中に微細な炭化物粒子を分散させた複合燒結体を製
作する。上記燒結体から所望の形状のばねを製作するこ
とができる。
は、ムライト（３Ａｌ2Ｏ3・２ＳｉＯ2）中に微細な炭
化物粒子としてのＴｉＣを添加して作られる。例えば、
平均粒径０．２μｍのムライト粉末（Ａｌ2Ｏ3の含有率
71.8wt％）に、平均粒径１．３０μｍのＴｉＣ粉末を所
定量配合し、アルコール中でナイロンボールを用いて２
４時間湿式混合した後、エバポレータで溶媒を抽出し、
更に真空乾燥炉を用いて乾燥させて、混合粉末を調整す
る。この粉末を燒結温度１６５０℃で４時間、Ｎ2ガス
雰囲気中で、圧力３５ＭＰａでホットプレスして、ムラ
イト中に微細な炭化物粒子を分散させた複合燒結体を製
作する。上記燒結体から所望の形状のばねを製作するこ
とができる。
【００１０】なお、上記実施例では炭化物粒子としてＴ
ｉＣを添加した場合について示したが、ＴｉＣに限るも
のではなく、ＳｉＣを用いても良い。この場合には、平
均粒径０．２７μｍのＳｉＣ粉末を用いて、他の条件は
前記と同様であって良い。さらに、ムライトと燒結過程
で反応しないものであれば他の炭化物であって良く、例
えば、ＶＣ、ＮｂＣ、Ｂ4Ｃ、ＴａＣ、ＷＣ、ＨｆＣ、
Ｃｒ3Ｃ2、ＺｒＣなどを用いることができ、また、複数
種用いても良い。
ｉＣを添加した場合について示したが、ＴｉＣに限るも
のではなく、ＳｉＣを用いても良い。この場合には、平
均粒径０．２７μｍのＳｉＣ粉末を用いて、他の条件は
前記と同様であって良い。さらに、ムライトと燒結過程
で反応しないものであれば他の炭化物であって良く、例
えば、ＶＣ、ＮｂＣ、Ｂ4Ｃ、ＴａＣ、ＷＣ、ＨｆＣ、
Ｃｒ3Ｃ2、ＺｒＣなどを用いることができ、また、複数
種用いても良い。
【００１１】このようにして製作されたセラミックばね
の機械的特性を以下に示す。まず、上記燒結体から３×
４×４０ｍｍのサイズの試験片を板ばねとして切り出
し、炭化物粒子としてＴｉＣ・ＳｉＣを用い、各添加量
が０から５vol％刻みで２０vol％までの各試験片を用意
する。その表面を研削・研磨する。その弾性率を３点曲
げ法で測定し、硬度をビッカース硬度計で測定し、破壊
じん性を、荷重４９Ｎ、保持時間１５秒の条件下でのＩ
Ｆ法で評価し、破壊強度を、スパン長さ３０ｍｍ、クロ
スヘッド速度０．５ｍｍ／分の３点曲げ試験で測定し
た。
の機械的特性を以下に示す。まず、上記燒結体から３×
４×４０ｍｍのサイズの試験片を板ばねとして切り出
し、炭化物粒子としてＴｉＣ・ＳｉＣを用い、各添加量
が０から５vol％刻みで２０vol％までの各試験片を用意
する。その表面を研削・研磨する。その弾性率を３点曲
げ法で測定し、硬度をビッカース硬度計で測定し、破壊
じん性を、荷重４９Ｎ、保持時間１５秒の条件下でのＩ
Ｆ法で評価し、破壊強度を、スパン長さ３０ｍｍ、クロ
スヘッド速度０．５ｍｍ／分の３点曲げ試験で測定し
た。
【００１２】ムライト単体の平均粒径は１．７０μｍで
あり、ムライト・２０vol％ＴｉＣの平均粒径は１．１
μｍであり、ムライト・２０vol％ＳｉＣの平均粒径は
０．５μｍであった。弾性率は、ムライト単体（約２１
０ＧＰａ）に対して添加率の増大に伴って大きく（２０
vol％で約２３０ＧＰａ）なる傾向を示した。また、硬
度は、添加率に依存せず、ほぼ一定（１１ＧＰａ）であ
った。
あり、ムライト・２０vol％ＴｉＣの平均粒径は１．１
μｍであり、ムライト・２０vol％ＳｉＣの平均粒径は
０．５μｍであった。弾性率は、ムライト単体（約２１
０ＧＰａ）に対して添加率の増大に伴って大きく（２０
vol％で約２３０ＧＰａ）なる傾向を示した。また、硬
度は、添加率に依存せず、ほぼ一定（１１ＧＰａ）であ
った。
【００１３】図１に、ＴｉＣの各添加率と、破壊応力及
び破壊じん性との各関係の試験結果を示す。図に示され
るように、添加率の増大に伴って、破壊応力及び破壊じ
ん性共増大し、破壊応力では、ムライト単体（３３１Ｍ
Ｐａ）に対して、２０vol％ＴｉＣ添加ばねが約１．２
３倍（４０８ＭＰａ）まで向上し、破壊じん性では、
２．６５ＭＰａ・ｍ1/2から３．８８ＭＰａ・ｍ1/2まで
約１．４６倍向上した。図２は、ＳｉＣの各添加率に対
する図１と同様の図である。この場合には、添加率の増
大に伴って、破壊じん性はそれ程大きく変化しなかった
が、破壊応力は、増大し、２０vol％ＳｉＣ添加ばねが
約１．６８倍（５５６ＭＰａ）まで向上した。
び破壊じん性との各関係の試験結果を示す。図に示され
るように、添加率の増大に伴って、破壊応力及び破壊じ
ん性共増大し、破壊応力では、ムライト単体（３３１Ｍ
Ｐａ）に対して、２０vol％ＴｉＣ添加ばねが約１．２
３倍（４０８ＭＰａ）まで向上し、破壊じん性では、
２．６５ＭＰａ・ｍ1/2から３．８８ＭＰａ・ｍ1/2まで
約１．４６倍向上した。図２は、ＳｉＣの各添加率に対
する図１と同様の図である。この場合には、添加率の増
大に伴って、破壊じん性はそれ程大きく変化しなかった
が、破壊応力は、増大し、２０vol％ＳｉＣ添加ばねが
約１．６８倍（５５６ＭＰａ）まで向上した。
【００１４】炭化物粒子の添加率の増大に伴って強度が
増大するのは、ムライト中に微細な炭化物粒子を分散さ
せることにより、ムライトと炭化物粒子との間の熱膨張
差により残留応力が発生して強靱化されると共に、マト
リックスであるムライト結晶の粒径よりもかなり小さい
粒径の炭化物粒子がムライト結晶の粒内に存在してマト
リックスを強化し、また、粒径の大きな粒子が粒界に存
在してクラックの進行を妨げることにより強靱化される
と考えられる。
増大するのは、ムライト中に微細な炭化物粒子を分散さ
せることにより、ムライトと炭化物粒子との間の熱膨張
差により残留応力が発生して強靱化されると共に、マト
リックスであるムライト結晶の粒径よりもかなり小さい
粒径の炭化物粒子がムライト結晶の粒内に存在してマト
リックスを強化し、また、粒径の大きな粒子が粒界に存
在してクラックの進行を妨げることにより強靱化される
と考えられる。
【００１５】なお、上記試験結果から、炭化物添加率
は、１〜３０vol％の範囲内で、目的に合わせて変化さ
せると良い。添加率の増加に伴って強靱化するが、弾性
率も増加するため、目的に合わせて添加量を選定する必
要がある。いずれにしても、高温や腐食性ガス雰囲気で
使用可能なセラミックばねの材料として適する。
は、１〜３０vol％の範囲内で、目的に合わせて変化さ
せると良い。添加率の増加に伴って強靱化するが、弾性
率も増加するため、目的に合わせて添加量を選定する必
要がある。いずれにしても、高温や腐食性ガス雰囲気で
使用可能なセラミックばねの材料として適する。
【００１６】次に、上記複合焼結体を熱処理してセラミ
ックばねを製造する場合について図３を参照して以下に
示す。
ックばねを製造する場合について図３を参照して以下に
示す。
【００１７】前記したように、ムライト原料粉末と炭化
物（ＴｉＣあるいはＳｉＣ粉末）とを前記と同様に湿式
混合し（ステップＳＴ１）した後、エバポレータで溶媒
を抽出してから真空乾燥炉を用いて乾燥して混合粉末を
調整し、その粉末を前記と同様にホットプレスして複合
焼結体を製作し（ステップＳＴ２）、その焼結体を研削
及び研磨による機械加工にて前記と同形状の３×４×４
０ｍｍのサイズの試験片をばね片として製作する（ステ
ップＳＴ３）。そのばね片を、大気中で例えば１３００
℃の温度で１時間熱処理する（ステップＳＴ４）。
物（ＴｉＣあるいはＳｉＣ粉末）とを前記と同様に湿式
混合し（ステップＳＴ１）した後、エバポレータで溶媒
を抽出してから真空乾燥炉を用いて乾燥して混合粉末を
調整し、その粉末を前記と同様にホットプレスして複合
焼結体を製作し（ステップＳＴ２）、その焼結体を研削
及び研磨による機械加工にて前記と同形状の３×４×４
０ｍｍのサイズの試験片をばね片として製作する（ステ
ップＳＴ３）。そのばね片を、大気中で例えば１３００
℃の温度で１時間熱処理する（ステップＳＴ４）。
【００１８】図４に、上記条件で熱処理を行ったばね片
のＳｉＣの各添加率と破壊応力との関係の試験結果を示
す。図には、ムライト単体と、平均粒径０．２７μｍの
ＳｉＣ粉末を用いた場合と、平均粒径１．２０μｍのＳ
ｉＣ粉末を用いた場合との各場合について、それぞれ上
記熱処理の実施の有無に分けて示している。
のＳｉＣの各添加率と破壊応力との関係の試験結果を示
す。図には、ムライト単体と、平均粒径０．２７μｍの
ＳｉＣ粉末を用いた場合と、平均粒径１．２０μｍのＳ
ｉＣ粉末を用いた場合との各場合について、それぞれ上
記熱処理の実施の有無に分けて示している。
【００１９】図から分かるように、ムライト単体の場合
には、熱処理による破壊応力の向上がほとんど認められ
ないが、ムライト／ＳｉＣ複合体の場合には、上記熱処
理を行うことにより破壊応力が著しく向上した。特に、
ＳｉＣを２０ｖｏｌ％添加した場合には、熱処理を行わ
なかった場合の約６００ＭＰａから約８００ＭＰａまで
増大し、約３０％向上した。
には、熱処理による破壊応力の向上がほとんど認められ
ないが、ムライト／ＳｉＣ複合体の場合には、上記熱処
理を行うことにより破壊応力が著しく向上した。特に、
ＳｉＣを２０ｖｏｌ％添加した場合には、熱処理を行わ
なかった場合の約６００ＭＰａから約８００ＭＰａまで
増大し、約３０％向上した。
【００２０】また、図５及び図６に、平均粒径０．２７
μｍのＳｉＣ粉末を用いた場合と、平均粒径１．２０μ
ｍのＳｉＣ粉末を用いた場合との各場合について、それ
ぞれ１２００℃で２時間、１３００℃で１時間、１４０
０℃で０．５時間の熱処理を行った場合のＳｉＣの各添
加率と３点曲げ破壊試験による曲げ強さとの関係の試験
結果を示す。なお、図５の平均粒径０．２７μｍのＳｉ
Ｃ粉末を用いた場合には１３００℃で５時間の熱処理を
行った場合についても示している。
μｍのＳｉＣ粉末を用いた場合と、平均粒径１．２０μ
ｍのＳｉＣ粉末を用いた場合との各場合について、それ
ぞれ１２００℃で２時間、１３００℃で１時間、１４０
０℃で０．５時間の熱処理を行った場合のＳｉＣの各添
加率と３点曲げ破壊試験による曲げ強さとの関係の試験
結果を示す。なお、図５の平均粒径０．２７μｍのＳｉ
Ｃ粉末を用いた場合には１３００℃で５時間の熱処理を
行った場合についても示している。
【００２１】図５及び図６に示されるように、それぞれ
ＳｉＣ粉末を２０ｖｏｌ％添加した場合に曲げ強さが高
く、１３００℃で１時間の熱処理を行った場合に最も強
度が向上した。また、熱処理温度の上限としては、焼結
温度（本実施例では１６５０℃）以下であれば良いが、
好ましくは実施例で示した１４００℃以下である。
ＳｉＣ粉末を２０ｖｏｌ％添加した場合に曲げ強さが高
く、１３００℃で１時間の熱処理を行った場合に最も強
度が向上した。また、熱処理温度の上限としては、焼結
温度（本実施例では１６５０℃）以下であれば良いが、
好ましくは実施例で示した１４００℃以下である。
【００２２】
【発明の効果】このように本発明によれば、高温強度特
性に優れ１４００℃まで強度劣化せず、かつばねのよう
にたわみを要求するものに適するように低い弾性率を有
するが、強度自体及び破壊じん性値がそれ程大きくない
ムライトを、微細な炭化物粒子の所定の添加により、強
度・じん性を向上でき、さらに、ムライトに炭化物を分
散させた複合焼結体を１２００℃〜１４００℃以下で熱
処理してセラミックばねを製作することにより、破壊応
力や曲げ強さが向上し、より一層高温の雰囲気で使用可
能なセラミックばねを得られる。
性に優れ１４００℃まで強度劣化せず、かつばねのよう
にたわみを要求するものに適するように低い弾性率を有
するが、強度自体及び破壊じん性値がそれ程大きくない
ムライトを、微細な炭化物粒子の所定の添加により、強
度・じん性を向上でき、さらに、ムライトに炭化物を分
散させた複合焼結体を１２００℃〜１４００℃以下で熱
処理してセラミックばねを製作することにより、破壊応
力や曲げ強さが向上し、より一層高温の雰囲気で使用可
能なセラミックばねを得られる。
【図１】ＴｉＣの添加率に対する破壊応力及び破壊じん
性の各関係を示す図。
性の各関係を示す図。
【図２】ＳｉＣの添加率に対する破壊応力及び破壊じん
性の各関係を示す図。
性の各関係を示す図。
【図３】本発明に基づくセラミックばねの製作工程を示
すフロー図。
すフロー図。
【図４】ＳｉＣの添加率に対する破壊応力の関係を示す
図。
図。
【図５】平均粒径０．２７μｍのＳｉＣの添加率に対す
る曲げ強さの関係を示す図。
る曲げ強さの関係を示す図。
【図６】平均粒径１．２０μｍのＳｉＣの添加率に対す
る曲げ強さの関係を示す図。
る曲げ強さの関係を示す図。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭58−178032（ＪＰ，Ａ) 特開 昭62−7659（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−104945（ＪＰ，Ａ) 特開 昭61−174165（ＪＰ，Ａ) 特開 昭61−247655（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−77355（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) C04B 35/00 - 35/22
Claims (2)
- 【請求項１】 ムライトからなるマトリクスに炭化物
の微細粒子を１〜３０vol％の範囲内で分散させた複合
焼結体を製作し、前記複合焼結体を１２００〜１４００
℃であって０．５〜５時間の範囲内で熱処理して形成し
たばね材からなることを特徴とするセラミックばね。 - 【請求項２】 前記微細粒子が、ＴｉＣ、ＳｉＣ、Ｖ
Ｃ、ＮｂＣ、Ｂ４Ｃ、ＴａＣ、ＷＣ、ＨｆＣ、Ｃｒ３Ｃ
２、ＺｒＣの少なくとも１種類以上からなることを特徴
とする請求項１に記載のセラミックばね。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6083816A JP2813132B2 (ja) | 1993-09-27 | 1994-03-29 | セラミックばね |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26300393 | 1993-09-27 | ||
| JP5-263003 | 1993-09-27 | ||
| JP6083816A JP2813132B2 (ja) | 1993-09-27 | 1994-03-29 | セラミックばね |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07138067A JPH07138067A (ja) | 1995-05-30 |
| JP2813132B2 true JP2813132B2 (ja) | 1998-10-22 |
Family
ID=26424862
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6083816A Expired - Fee Related JP2813132B2 (ja) | 1993-09-27 | 1994-03-29 | セラミックばね |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2813132B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009067659A (ja) * | 2007-09-18 | 2009-04-02 | Yokohama National Univ | 表面硬化高強度セラミックス及びその製造方法 |
Families Citing this family (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2842313B1 (fr) | 2002-07-12 | 2004-10-22 | Gideon Levingston | Oscilliateur mecanique (systeme balancier et ressort spiral) en materiaux permettant d'atteindre un niveau superieur de precision, applique a un mouvement d'horlogerie ou autre instrument de precision |
| GB0324439D0 (en) | 2003-10-20 | 2003-11-19 | Levingston Gideon R | Minimal thermal variation and temperature compensating non-magnetic balance wheels and methods of production of these and their associated balance springs |
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