JP2812320B2 - 集積化光回路とその製造方法 - Google Patents
集積化光回路とその製造方法Info
- Publication number
- JP2812320B2 JP2812320B2 JP33843096A JP33843096A JP2812320B2 JP 2812320 B2 JP2812320 B2 JP 2812320B2 JP 33843096 A JP33843096 A JP 33843096A JP 33843096 A JP33843096 A JP 33843096A JP 2812320 B2 JP2812320 B2 JP 2812320B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- optical
- waveguide
- optical waveguide
- loss
- quartz
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Landscapes
- Optical Integrated Circuits (AREA)
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、集積化光回路に関
し、特に基板中に設けられた光導波路を用いて光信号の
制御を行なう導波型の集積化光回路に関する。
し、特に基板中に設けられた光導波路を用いて光信号の
制御を行なう導波型の集積化光回路に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、光通信システムの発展に伴って、
さらにシステムの大容量化、高機能化の要望が高まり、
光波の変調器や光スイッチ等の光制御素子の高速化が必
要になっている。特に、基板中に設けられた光導波路を
用いて制御を行なう導波型の光回路に関しては、通常の
フォトリソグラフィ技術を用いて多くの光回路を１つの
素子の中に集積化することが、例えば、岡山等（信学技
報、ＴＳＳＥ９４−２１４）、西本等（「光学」第１巻
第８号ｐｐ５２１）により開示されている。この特徴を
利用した光デバイスの１例として、光交換や光クロスコ
ネクト等に用いられるマトリクス光スイッチは、必要な
チャネル数に応じて、複数の１ｘ２または２ｘ２スイッ
チ（スイッチ・エレメント）を並列及び縦列に接続して
構成されている。
さらにシステムの大容量化、高機能化の要望が高まり、
光波の変調器や光スイッチ等の光制御素子の高速化が必
要になっている。特に、基板中に設けられた光導波路を
用いて制御を行なう導波型の光回路に関しては、通常の
フォトリソグラフィ技術を用いて多くの光回路を１つの
素子の中に集積化することが、例えば、岡山等（信学技
報、ＴＳＳＥ９４−２１４）、西本等（「光学」第１巻
第８号ｐｐ５２１）により開示されている。この特徴を
利用した光デバイスの１例として、光交換や光クロスコ
ネクト等に用いられるマトリクス光スイッチは、必要な
チャネル数に応じて、複数の１ｘ２または２ｘ２スイッ
チ（スイッチ・エレメント）を並列及び縦列に接続して
構成されている。
【０００３】このようなスイッチ・エレメント間の光配
線は、一般に曲がり導波路を用いて構成されるので、素
子を小型化するためには、放射損失を抑制しながらこの
曲がり導波路の曲率半径をできるかぎり小さくすること
が望ましい。曲がり導波路の放射損失を小さくする方法
としては、例えば特開平７−２１２６５５号公報のよう
に、チタン（Ｔｉ）の成膜拡散を複数回繰返す方法が提
案されている。
線は、一般に曲がり導波路を用いて構成されるので、素
子を小型化するためには、放射損失を抑制しながらこの
曲がり導波路の曲率半径をできるかぎり小さくすること
が望ましい。曲がり導波路の放射損失を小さくする方法
としては、例えば特開平７−２１２６５５号公報のよう
に、チタン（Ｔｉ）の成膜拡散を複数回繰返す方法が提
案されている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、これら
の方法を用いても、曲がり導波路の曲率半径が３０ｍｍ
以下の低損失の光導波路を作ることは困難である。
の方法を用いても、曲がり導波路の曲率半径が３０ｍｍ
以下の低損失の光導波路を作ることは困難である。
【０００５】一方、ガラス基板やシリコン（Ｓｉ）基板
上に作製する石英（ＳｉＯ2 ）光導波路、あるいはガラ
スを用いた光導波路は、埋め込み導波路とすることが可
能であり、屈折率変化や光導波路の断面形状の制御性が
良好なので、伝送損失が０．１ｄＢ／ｃｍ以下で曲がり
導波路の曲率半径が約５ｍｍのものが得られる。しか
し、これらの材料には電気光学効果が無いため、これら
の材料を用いた光素子により能動デバイスを構成するこ
とは難しい。
上に作製する石英（ＳｉＯ2 ）光導波路、あるいはガラ
スを用いた光導波路は、埋め込み導波路とすることが可
能であり、屈折率変化や光導波路の断面形状の制御性が
良好なので、伝送損失が０．１ｄＢ／ｃｍ以下で曲がり
導波路の曲率半径が約５ｍｍのものが得られる。しか
し、これらの材料には電気光学効果が無いため、これら
の材料を用いた光素子により能動デバイスを構成するこ
とは難しい。
【０００６】本発明の目的は、小型でかつ低損失の集積
化光素子を提供すること、及び光集積化素子の長さの制
限内でできる限り動作電圧の低い光スイッチング素子を
提供することにある。
化光素子を提供すること、及び光集積化素子の長さの制
限内でできる限り動作電圧の低い光スイッチング素子を
提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明の集積化光回路
は、電気光学効果を有する透光性材料からなる基板に信
号光を導波する光導波路と、信号光の強度および伝搬方
向を制御する光制御デバイスが形成される集積化光回路
において、光制御デバイス間、もしくは光制御デバイス
と入出力ポート間を結ぶ光導波路に石英およびガラスの
いずれかを用いることを特徴とする。
は、電気光学効果を有する透光性材料からなる基板に信
号光を導波する光導波路と、信号光の強度および伝搬方
向を制御する光制御デバイスが形成される集積化光回路
において、光制御デバイス間、もしくは光制御デバイス
と入出力ポート間を結ぶ光導波路に石英およびガラスの
いずれかを用いることを特徴とする。
【０００８】また、基板がニオブ酸リチウム（ＬｉＮｂ
０3 以下ＬＮと略記する）ウエハからなりことが望まし
く、この基板上に作成された光制御デバイス間、もしく
は光制御デバイスと入出力ポート間を結ぶ光導波路の屈
曲部の溝に石英及びガラスのいずれかを埋め込んで形成
される。
０3 以下ＬＮと略記する）ウエハからなりことが望まし
く、この基板上に作成された光制御デバイス間、もしく
は光制御デバイスと入出力ポート間を結ぶ光導波路の屈
曲部の溝に石英及びガラスのいずれかを埋め込んで形成
される。
【０００９】すなわち、本発明は、低損失で、かつ、小
型の光導波路のデバイスを得るために、光の伝搬路の偏
向やオフセットの制御部には石英やガラスの埋め込み型
光導波路を用い、非線形光学効果による機能部分にはＴ
ｉ拡散のＬｉＮｂＯ3 光導波路を用いるものである。
型の光導波路のデバイスを得るために、光の伝搬路の偏
向やオフセットの制御部には石英やガラスの埋め込み型
光導波路を用い、非線形光学効果による機能部分にはＴ
ｉ拡散のＬｉＮｂＯ3 光導波路を用いるものである。
【００１０】
【発明の実施の形態】次に、本発明の実施の形態につい
て図面を参照して説明する。
て図面を参照して説明する。
【００１１】図１は本発明の１実施例の方向性結合器を
用いた２ｘ２光スイッチの作成プロセスを示す図であ
る。
用いた２ｘ２光スイッチの作成プロセスを示す図であ
る。
【００１２】先ず（ａ）、３インチＸカットＺ軸伝搬Ｌ
Ｎウエハ１１にＴｉのストリップラインのパタン１２を
形成する。
Ｎウエハ１１にＴｉのストリップラインのパタン１２を
形成する。
【００１３】次に（ｂ）、熱拡散によりＴｉ拡散光導波
路１３を形成する。この結晶方位は、光スイッチの動作
特性に偏光依存性を持たせないようにするために必要で
ある。しかし、この結晶方位では、このままでは通常使
用されるＺカットＬＮウエハの場合に比べて電気光学定
数が小さいため、動作電圧が数１０Ｖと非常に高くなる
欠点がある。
路１３を形成する。この結晶方位は、光スイッチの動作
特性に偏光依存性を持たせないようにするために必要で
ある。しかし、この結晶方位では、このままでは通常使
用されるＺカットＬＮウエハの場合に比べて電気光学定
数が小さいため、動作電圧が数１０Ｖと非常に高くなる
欠点がある。
【００１４】その後（ｃ，ｄ）、石英光導波路１４をＣ
ＶＤ（ケミカル・ベーパ・デポジション）法により形成
する。
ＶＤ（ケミカル・ベーパ・デポジション）法により形成
する。
【００１５】通常、石英光導波路は、火炎堆積法を用い
て成膜するが、火炎堆積法によると、ＬＮウエハを１２
００゜Ｃ以上の高温にする必要があり、ＬＮのキュリー
点を越えてしまうために、ＬＮの電気光学効果がなくな
ってしまうこと、及び、このような高温ではＬＮが割れ
てしまう危険性のあることが問題で、成膜が不可能であ
った。
て成膜するが、火炎堆積法によると、ＬＮウエハを１２
００゜Ｃ以上の高温にする必要があり、ＬＮのキュリー
点を越えてしまうために、ＬＮの電気光学効果がなくな
ってしまうこと、及び、このような高温ではＬＮが割れ
てしまう危険性のあることが問題で、成膜が不可能であ
った。
【００１６】本発明においては、石英光導波路１４をＣ
ＶＤ法によって成膜するために、成膜温度が７００゜Ｃ
以下と比較的低温で石英光導波路１４を形成することが
できる。このＣＶＤ法は、反応イオン・エッチング、反
応イオン・ビーム・エッチング、または化学エッチング
のいずれでもよい。以下に本発明における石英光導波路
１４の形成方法の詳細を示す。先ず、下部クラッド層と
してＰＳＧ（リン・ドープ・ガラス）をＣＶＤ法により
成膜し、その上にコア材としてリン濃度を調整したＰＳ
Ｇを成膜する。コア層はフォトレジストをマスクにした
ＲＩＥ（リアクティブ・イオン・エッチング）により光
導波路の形状にパターニングした後、最後に上部クラッ
ド層を全面に形成した。その目的は、光導波路の保護
と、電極による光損失を抑えるためである。
ＶＤ法によって成膜するために、成膜温度が７００゜Ｃ
以下と比較的低温で石英光導波路１４を形成することが
できる。このＣＶＤ法は、反応イオン・エッチング、反
応イオン・ビーム・エッチング、または化学エッチング
のいずれでもよい。以下に本発明における石英光導波路
１４の形成方法の詳細を示す。先ず、下部クラッド層と
してＰＳＧ（リン・ドープ・ガラス）をＣＶＤ法により
成膜し、その上にコア材としてリン濃度を調整したＰＳ
Ｇを成膜する。コア層はフォトレジストをマスクにした
ＲＩＥ（リアクティブ・イオン・エッチング）により光
導波路の形状にパターニングした後、最後に上部クラッ
ド層を全面に形成した。その目的は、光導波路の保護
と、電極による光損失を抑えるためである。
【００１７】（ｅ）Ｔｉ拡散の光導波路１３にはさらに
光スイッチング動作を行なうための屈折率制御用の電極
１５を形成して完成する。
光スイッチング動作を行なうための屈折率制御用の電極
１５を形成して完成する。
【００１８】また、石英光導波路１４の形成方法として
は、ＲＦスパッタ法や蒸着法でもよい。
は、ＲＦスパッタ法や蒸着法でもよい。
【００１９】石英光導波路の屈折率等の導波路パラメー
タは、ＬＮ導波路のモードフィールドとの結合効率が最
大になるように設計することが可能である。本発明にお
いては、最適設計の結果、石英導波路とＬＮ導波路の結
合損失は、フレスネル損失のみであり、約０．２ｄＢと
良好な結合効率を得ることができた。また、本発明によ
ると、各光導波路間の位置ずれは、マスク精度と目合わ
せ精度によって決まり、ほとんど位置ずれのない結合を
再現性よく実現することができる。さらに、石英光導波
路は、入出力部の光ファイバとの高効率な光結合が可能
であり、素子の挿入損失を低減する効果がある。
タは、ＬＮ導波路のモードフィールドとの結合効率が最
大になるように設計することが可能である。本発明にお
いては、最適設計の結果、石英導波路とＬＮ導波路の結
合損失は、フレスネル損失のみであり、約０．２ｄＢと
良好な結合効率を得ることができた。また、本発明によ
ると、各光導波路間の位置ずれは、マスク精度と目合わ
せ精度によって決まり、ほとんど位置ずれのない結合を
再現性よく実現することができる。さらに、石英光導波
路は、入出力部の光ファイバとの高効率な光結合が可能
であり、素子の挿入損失を低減する効果がある。
【００２０】上述のように、能動動作の必要な方向性結
合部分には、大きな電気光学効果をもつＬｉＮｂＯ3 を
用い、低損失な特性が必要な曲がり導波路部分は、石英
光導波路とすることにより、小型で低損失の光スイッチ
を構成することができる。本実施例の場合、光スイッチ
の挿入損失は１．３ｄＢ、動作電圧は５Ｖ、消光率２０
ｄＢ、素子長が５０ｍｍと、非常に良好な値が得られ
た。
合部分には、大きな電気光学効果をもつＬｉＮｂＯ3 を
用い、低損失な特性が必要な曲がり導波路部分は、石英
光導波路とすることにより、小型で低損失の光スイッチ
を構成することができる。本実施例の場合、光スイッチ
の挿入損失は１．３ｄＢ、動作電圧は５Ｖ、消光率２０
ｄＢ、素子長が５０ｍｍと、非常に良好な値が得られ
た。
【００２１】図２は、本発明の第２の実施例の４ｘ４マ
トリックス・スイッチの導波路構成である。（ａ）はこ
の導波路構造を上から見た平面図であり、（ｂ）は横か
ら見た断面図である。マトリックス・スイッチ・エレメ
ントとしては、方向性結合器を用いている。この素子作
成方法も第１実施例の２ｘ２スイッチの作成方法と同様
である。すなわち、先ず、ＬＮウエハ２１にＴｉ拡散光
導波路２２を形成したのち、エッチングにより石英導波
路を形成するための溝を形成する。その後、石英光導波
路の下部クラッド層２３及びコア層２４を形成して、光
導波路をパターニングする。最後に、上部クラッド層２
５を形成する。Ｔｉ拡散光導波路にはさらに屈折率制御
用の電極を形成して、光スイッチング動作を行なわせる
ことができる。
トリックス・スイッチの導波路構成である。（ａ）はこ
の導波路構造を上から見た平面図であり、（ｂ）は横か
ら見た断面図である。マトリックス・スイッチ・エレメ
ントとしては、方向性結合器を用いている。この素子作
成方法も第１実施例の２ｘ２スイッチの作成方法と同様
である。すなわち、先ず、ＬＮウエハ２１にＴｉ拡散光
導波路２２を形成したのち、エッチングにより石英導波
路を形成するための溝を形成する。その後、石英光導波
路の下部クラッド層２３及びコア層２４を形成して、光
導波路をパターニングする。最後に、上部クラッド層２
５を形成する。Ｔｉ拡散光導波路にはさらに屈折率制御
用の電極を形成して、光スイッチング動作を行なわせる
ことができる。
【００２２】第２実施例の４ｘ４マトリックス・スイッ
チは、本発明による曲率半径１０ｍｍの石英曲がり導波
路を用いることで、３インチＬＮウエハを用いた最大素
子長６９ｍｍで動作電圧１５Ｖと、良好な結果が得られ
た。また、ＸカットＺ軸伝搬ＬＮをスイッチングエレメ
ントとして用いているために、動作電圧の偏光依存性
は、測定限界値以下であった。また、挿入損失は４ｄＢ
であった。
チは、本発明による曲率半径１０ｍｍの石英曲がり導波
路を用いることで、３インチＬＮウエハを用いた最大素
子長６９ｍｍで動作電圧１５Ｖと、良好な結果が得られ
た。また、ＸカットＺ軸伝搬ＬＮをスイッチングエレメ
ントとして用いているために、動作電圧の偏光依存性
は、測定限界値以下であった。また、挿入損失は４ｄＢ
であった。
【００２３】本発明の適用は、マトリクス・スイッチ・
エレメントの種類によって限定されるものではなく、マ
ッハツェンダ干渉計やディジタルスイッチ等のスイッチ
エレメントに適用した場合にも同様の効果がある。
エレメントの種類によって限定されるものではなく、マ
ッハツェンダ干渉計やディジタルスイッチ等のスイッチ
エレメントに適用した場合にも同様の効果がある。
【００２４】また、本発明は、８ｘ８マトリックススイ
ッチ等の集積度のさらに大きなデバイスに対しても適用
できる。そして、このような複雑な光配線においては、
全素子挿入損失中の曲がり損失に伴う光損失の割合が大
きくなるので、このような損失を低減する本発明は大き
な効果が期待される。
ッチ等の集積度のさらに大きなデバイスに対しても適用
できる。そして、このような複雑な光配線においては、
全素子挿入損失中の曲がり損失に伴う光損失の割合が大
きくなるので、このような損失を低減する本発明は大き
な効果が期待される。
【００２５】
【発明の効果】上述のように本発明は、能動動作の必要
な方向性結合部分には、大きな電気光学効果をもつＬｉ
ＮｂＯ3 を用い、低損失な特性が必要な曲がり導波路部
分は、石英もしくはガラス等の光導波路とすることによ
り、集積化光素子の小型化、低損失化を図ることがてき
る効果がある。
な方向性結合部分には、大きな電気光学効果をもつＬｉ
ＮｂＯ3 を用い、低損失な特性が必要な曲がり導波路部
分は、石英もしくはガラス等の光導波路とすることによ
り、集積化光素子の小型化、低損失化を図ることがてき
る効果がある。
【００２６】また、動作電圧の低い光スイッチング素子
を光集積化素子の長さの制限内で実現できる効果があ
る。
を光集積化素子の長さの制限内で実現できる効果があ
る。
【図１】本発明の集積化光回路の１実施例の方向性結合
器を用いた２ｘ２光スイッチの作成プロセス（ａ）〜
（ｅ）を示す図である。
器を用いた２ｘ２光スイッチの作成プロセス（ａ）〜
（ｅ）を示す図である。
【図２】本発明による集積化光回路の他の実施例の４ｘ
４光スイッチを示す図で、（ａ）がその平面図、（ｂ）
がその断面図である。
４光スイッチを示す図で、（ａ）がその平面図、（ｂ）
がその断面図である。
１１，２１ ＬｉＮｂＯ3 ウエハ、ＬＮ基板 １２ Ｔｉストリップライン １３，２２ Ｔｉ拡散光導波路 １４ 石英光導波路 １５ 制御電極 ２３ 石英導波路の下部クラッド層 ２４ 石英導波路のコア層 ２５ 石英導波路の上部クラッド層
Claims (4)
- 【請求項１】 光を導波する光導波路と、信号光の強度
及び伝搬方向を制御する光制御デバイスとが電気光学効
果を有する透光性材料からなる基板上に形成される集積
化光回路において、 前記光導波路は、石英及びガラスのいずれかにより形成
される低損失の光導波路を含むことを特徴とする集積化
光回路。 - 【請求項２】 前記低損失の光導波路が前記光制御デバ
イス間及び光制御デバイスと入出力ポートとの間のいず
れかに形成される請求項１記載の集積化光回路。 - 【請求項３】 光を導波する光導波路と、信号光の強度
及び伝搬方向を制御する光制御デバイスとが電気光学効
果を有する透光性材料からなる基板上に形成される集積
化光回路の製造方法において、 前記電気光学効果を有する透光性材料からなる基板上に
ストリップ・ラインのパタンを形成し、 前記ストリップ・ラインのパタン上にチタンの熱拡散に
より第１の光導波路を形成し、 次に、ＰＳＧをＣＶＤ法により成膜して第２の光導波路
を形成し、 次に、前記第１の光導波路に制御用の電極を形成するこ
とを特徴とする集積化光回路の製造方法。 - 【請求項４】 前記基板がニオブ酸リチウム、すなわち
ＬｉＮｂＯ3 、である請求項３記載の集積化光回路の製
造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33843096A JP2812320B2 (ja) | 1996-12-18 | 1996-12-18 | 集積化光回路とその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33843096A JP2812320B2 (ja) | 1996-12-18 | 1996-12-18 | 集積化光回路とその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10177193A JPH10177193A (ja) | 1998-06-30 |
| JP2812320B2 true JP2812320B2 (ja) | 1998-10-22 |
Family
ID=18318083
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP33843096A Expired - Fee Related JP2812320B2 (ja) | 1996-12-18 | 1996-12-18 | 集積化光回路とその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2812320B2 (ja) |
-
1996
- 1996-12-18 JP JP33843096A patent/JP2812320B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH10177193A (ja) | 1998-06-30 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5502781A (en) | Integrated optical devices utilizing magnetostrictively, electrostrictively or photostrictively induced stress | |
| US5157756A (en) | Optical waveguide circuit with intersections | |
| CA2052923C (en) | Polarization-independent optical switches/modulators | |
| EP0335672B1 (en) | Polarization-independent optical waveguide switch | |
| JP2007212787A (ja) | 光制御素子、光スイッチングユニットおよび光変調器 | |
| US20020159684A1 (en) | Novel optical waveguide switch using cascaded mach-zehnder interferometers | |
| JP2003195239A (ja) | 集積型光導波路デバイス | |
| US6968105B2 (en) | Waveguide-type optical device and optical switch | |
| JP2812320B2 (ja) | 集積化光回路とその製造方法 | |
| US5050947A (en) | Optical waveguide control device employing directional coupler on substrate | |
| JP2011102891A (ja) | 光機能導波路 | |
| US6268949B1 (en) | Optical intensity modulator and fabrication method using an optical waveguide having an arc shaped path | |
| JPH10123341A (ja) | 光導波路およびその製造方法 | |
| JPS6396626A (ja) | 導波型光制御素子 | |
| CN221726343U (zh) | 一种基于非平行薄膜波导的光开关 | |
| JPS61134730A (ja) | 光制御素子の製造方法 | |
| JP2853663B2 (ja) | 集積化光回路 | |
| JPH01201628A (ja) | 光スイッチ | |
| JP2848209B2 (ja) | 導波路型ｎ×ｎ光スイッチ | |
| JP2788762B2 (ja) | 光回路 | |
| KR100370278B1 (ko) | 광 경로 제어용 투 바이 투 광스위치 | |
| JP2814967B2 (ja) | 導波路型光デバイス | |
| CN117908281A (zh) | 一种基于非平行薄膜波导的光开关及其控制方法 | |
| JPH0778585B2 (ja) | 方向性結合器型導波路光スイッチ | |
| JPH0943442A (ja) | 光回路とその製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20070807 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080807 Year of fee payment: 10 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080807 Year of fee payment: 10 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090807 Year of fee payment: 11 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090807 Year of fee payment: 11 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100807 Year of fee payment: 12 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110807 Year of fee payment: 13 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110807 Year of fee payment: 13 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120807 Year of fee payment: 14 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130807 Year of fee payment: 15 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |