JP2809081B2 - 露光装置 - Google Patents
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- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70058—Mask illumination systems
- G03F7/70066—Size and form of the illuminated area in the mask plane, e.g. reticle masking blades or blinds
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- G—PHYSICS
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- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70058—Mask illumination systems
- G03F7/70133—Measurement of illumination distribution, in pupil plane or field plane
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- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
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- Epidemiology (AREA)
- Public Health (AREA)
- Control Of Exposure In Printing And Copying (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体装置の製造に利
用される露光装置、特に照度測定用のセンサを有する露
光装置に関する。
用される露光装置、特に照度測定用のセンサを有する露
光装置に関する。
【0002】
【従来の技術】これまで半導体装置の製造工程の一つで
あるリソグラフィ工程では、主に光リソグラフィが用い
られてきた。現在、光リソグラフィにおいては、縮小投
影露光装置のレンズの高NA(口径)化により、最小線
幅が0.5μm以下の半導体装置の量産も可能となって
きた。しかし、レンズの高NA化により解像力は向上す
るものの反対に焦点深度が減少する。よって、さらに微
細な0.35μm以下のパターン形成を考えると、これ
までのような投影レンズの高NA化だけでは、安定した
量産が困難になってきた。そこで、照明系の最適化によ
る解像特性の向上、いわゆる変形照明法が注目されるよ
うになってきた。このための露光装置は、例えば、特開
昭61−91662号公報の「投影露光装置」に示され
ている。
あるリソグラフィ工程では、主に光リソグラフィが用い
られてきた。現在、光リソグラフィにおいては、縮小投
影露光装置のレンズの高NA(口径)化により、最小線
幅が0.5μm以下の半導体装置の量産も可能となって
きた。しかし、レンズの高NA化により解像力は向上す
るものの反対に焦点深度が減少する。よって、さらに微
細な0.35μm以下のパターン形成を考えると、これ
までのような投影レンズの高NA化だけでは、安定した
量産が困難になってきた。そこで、照明系の最適化によ
る解像特性の向上、いわゆる変形照明法が注目されるよ
うになってきた。このための露光装置は、例えば、特開
昭61−91662号公報の「投影露光装置」に示され
ている。
【0003】まず、図5に従来の露光装置を示す。超高
圧水銀ランプを光源1として用い、放射された光を楕円
ミラー3で集光し、コールドミラー4で反射する。そし
て、光束の狭まった位置にはシャッタ5が設けられ、露
光光のON/OFFを制御できるようになっている。シ
ャッタ5を通った光は、レンズ6により平行光とされた
後、干渉フィルタ7を通して所定の波長のみに限定す
る。
圧水銀ランプを光源1として用い、放射された光を楕円
ミラー3で集光し、コールドミラー4で反射する。そし
て、光束の狭まった位置にはシャッタ5が設けられ、露
光光のON/OFFを制御できるようになっている。シ
ャッタ5を通った光は、レンズ6により平行光とされた
後、干渉フィルタ7を通して所定の波長のみに限定す
る。
【0004】超高圧水銀ランプ1は露光光であるg線
(波長436nm)あるいはi線(波長365nm)の
光を効率よく反射するように設計されている。超高圧水
銀ランプ1は、連続した波長の光を発生する。そのた
め、楕円ミラー3およびコールドミラー4で光路を変え
ると同時に、波長の長い光(熱線)を分離し、この干渉
フィルタ7でさらに所定の±数nmの範囲に波長を制限
する。
(波長436nm)あるいはi線(波長365nm)の
光を効率よく反射するように設計されている。超高圧水
銀ランプ1は、連続した波長の光を発生する。そのた
め、楕円ミラー3およびコールドミラー4で光路を変え
ると同時に、波長の長い光(熱線)を分離し、この干渉
フィルタ7でさらに所定の±数nmの範囲に波長を制限
する。
【0005】この干渉フィルタ7の後方に、照明の均一
性を得るためのフライアイレンズ8を設けている。フラ
イアイレンズ8は、一般の四角形の細長い同型の単体レ
ンズを数十本束ねた光学素子である。それぞれの単体レ
ンズが焦点を結び、光源群を形成する。超高圧水銀ラン
プ1では、比較的広い範囲で光が発生されるので、その
光は干渉性が高いとはいえない。しかし、フライアイレ
ンズ8のそれぞれの単体レンズで焦点を結んだ光は、干
渉性が高まり、干渉性をもつ点光源となる。すなわち、
結像特性を考えるとき、もとの超高圧水銀ランプ1の光
源形状は影響なく、このフライアイレンズ8で形成され
る点光源群のみが影響を与えることになる。そのため、
フライアイレンズ8で形成される点光源群を有効光源と
呼ぶ。
性を得るためのフライアイレンズ8を設けている。フラ
イアイレンズ8は、一般の四角形の細長い同型の単体レ
ンズを数十本束ねた光学素子である。それぞれの単体レ
ンズが焦点を結び、光源群を形成する。超高圧水銀ラン
プ1では、比較的広い範囲で光が発生されるので、その
光は干渉性が高いとはいえない。しかし、フライアイレ
ンズ8のそれぞれの単体レンズで焦点を結んだ光は、干
渉性が高まり、干渉性をもつ点光源となる。すなわち、
結像特性を考えるとき、もとの超高圧水銀ランプ1の光
源形状は影響なく、このフライアイレンズ8で形成され
る点光源群のみが影響を与えることになる。そのため、
フライアイレンズ8で形成される点光源群を有効光源と
呼ぶ。
【0006】そして、フライアイレンズ8の直後に絞り
9が設けられており、この絞り9によって有効光源の形
状を決定する。この有効光源からの光は、ミラー9およ
びコンデンサレンズ10を通って、レチクル15上を均
一に照明する。単一の有効光源だけでは、その光源とレ
チクル15上の各場所との間の距離が異なって、照明強
度の均一性が得られない。そこで、フライアイレンズ8
を用いて、複数の有効光源として、レチクル15全面で
良好な照明均一性が得られるようにしている。
9が設けられており、この絞り9によって有効光源の形
状を決定する。この有効光源からの光は、ミラー9およ
びコンデンサレンズ10を通って、レチクル15上を均
一に照明する。単一の有効光源だけでは、その光源とレ
チクル15上の各場所との間の距離が異なって、照明強
度の均一性が得られない。そこで、フライアイレンズ8
を用いて、複数の有効光源として、レチクル15全面で
良好な照明均一性が得られるようにしている。
【0007】そして、レンズ10によりマスキング機構
11(ブラインドと呼ばれることもある)の位置で焦点
を結ばせる。マスキング位置で焦点を合わせるのは、マ
スキングブレード(マスキング機構の遮光板)のエッジ
による回折の影響範囲を狭く抑えるためである。そし
て、マスキング機構11により露光領域を限定し、レン
ズ12およびミラー13により光路を曲げ(装置があま
り大きくならないようにするため)、レチクル15を照
明する。このように透過照明されたレチクルパターンは
投影レンズ系16により、感光性樹脂の塗布された半導
体基板17上に結像される。
11(ブラインドと呼ばれることもある)の位置で焦点
を結ばせる。マスキング位置で焦点を合わせるのは、マ
スキングブレード(マスキング機構の遮光板)のエッジ
による回折の影響範囲を狭く抑えるためである。そし
て、マスキング機構11により露光領域を限定し、レン
ズ12およびミラー13により光路を曲げ(装置があま
り大きくならないようにするため)、レチクル15を照
明する。このように透過照明されたレチクルパターンは
投影レンズ系16により、感光性樹脂の塗布された半導
体基板17上に結像される。
【0008】次に、フライアイレンズ8の直後の絞り9
の影響に関して、図6を用いて説明する。図6(a)に
示すように、通常の照明法ではフライアイレンズ8の直
後の絞り9は円形の開口となっている。そして、この絞
り9の大きさが、照明系のNAを決定し解像特性に影響
を及ぼす。通常、照明系のNAと投影レンズ系12のN
Aとの比であるσ値により、この有効光源の大きさは示
される。0.3から0.7程度のσ値がレチクルパター
ンにより選択される。例えば、ラインアンドスペースパ
ターンではσ値は大きい方が解像特性が良く、コンタク
トホールのようなパターンに対してはσ値は小さい方が
よい。
の影響に関して、図6を用いて説明する。図6(a)に
示すように、通常の照明法ではフライアイレンズ8の直
後の絞り9は円形の開口となっている。そして、この絞
り9の大きさが、照明系のNAを決定し解像特性に影響
を及ぼす。通常、照明系のNAと投影レンズ系12のN
Aとの比であるσ値により、この有効光源の大きさは示
される。0.3から0.7程度のσ値がレチクルパター
ンにより選択される。例えば、ラインアンドスペースパ
ターンではσ値は大きい方が解像特性が良く、コンタク
トホールのようなパターンに対してはσ値は小さい方が
よい。
【0009】さらに、σ値の最適化だけでなく、それぞ
れのレチクルパターンに対して有効光源形状を最適化す
ることも行われる。例えば、中心部分を完全に遮光した
絞り9を用い、リング形状の有効光源とする輪帯照明法
がある。一般に、レチクル15のパターンを解像するた
めには、回折光のうち、0次光と、+1次光あるいは−
1次光の一方を集めることが必要である。しかし、パタ
ーンが微細になると回折角θが大きくなり投影レンズ系
12に入らなくなり、パターンは解像しなくなる。すな
わち、微細パターンの場合、図6(a)に示すように円
形の開口部を有する絞り9aを用いる通常照明では、同
図(b)に示すように絞りの中央付近からの光は0次光
のみしか投影レンズ系12に入らず、この0次光により
コントラストが低下してしまい解像できない。一方、同
図(c)に示すようなリング形状開口を有する絞り9b
を用いる輪帯照明では、同図(d)に示すようにレチク
ル15には斜めからのみ光が入射する。その分、+1次
回折光あるいは−1次回折光のいずれかが投影レンズ系
12に入るようになる。よって、より微細なパターンま
で解像できるようになる。
れのレチクルパターンに対して有効光源形状を最適化す
ることも行われる。例えば、中心部分を完全に遮光した
絞り9を用い、リング形状の有効光源とする輪帯照明法
がある。一般に、レチクル15のパターンを解像するた
めには、回折光のうち、0次光と、+1次光あるいは−
1次光の一方を集めることが必要である。しかし、パタ
ーンが微細になると回折角θが大きくなり投影レンズ系
12に入らなくなり、パターンは解像しなくなる。すな
わち、微細パターンの場合、図6(a)に示すように円
形の開口部を有する絞り9aを用いる通常照明では、同
図(b)に示すように絞りの中央付近からの光は0次光
のみしか投影レンズ系12に入らず、この0次光により
コントラストが低下してしまい解像できない。一方、同
図(c)に示すようなリング形状開口を有する絞り9b
を用いる輪帯照明では、同図(d)に示すようにレチク
ル15には斜めからのみ光が入射する。その分、+1次
回折光あるいは−1次回折光のいずれかが投影レンズ系
12に入るようになる。よって、より微細なパターンま
で解像できるようになる。
【0010】輪帯照明と同様にレチクルに斜めから光を
入射させる照明方法として、特に縦横パターンの解像特
性の向上を目的として、4個の開口部を有する絞りを用
いて、4点で照明する4点照明がある。このような照明
方法は、絞りにより遮光する部分により、その効果が変
わるため、レチクルパターン毎にそれぞれに最適な絞り
を使い分けることが必要となる。なお、これらの照明方
法をまとめて、光源形状を変えるところから変形照明、
あるいは斜めから光を入射させるところから斜入射照明
などと呼ばれる。以下、ここでは変形照明という名称を
用いる。
入射させる照明方法として、特に縦横パターンの解像特
性の向上を目的として、4個の開口部を有する絞りを用
いて、4点で照明する4点照明がある。このような照明
方法は、絞りにより遮光する部分により、その効果が変
わるため、レチクルパターン毎にそれぞれに最適な絞り
を使い分けることが必要となる。なお、これらの照明方
法をまとめて、光源形状を変えるところから変形照明、
あるいは斜めから光を入射させるところから斜入射照明
などと呼ばれる。以下、ここでは変形照明という名称を
用いる。
【0011】変形照明法では、露光領域内の照度均一性
を得るためのフライアイレンズを一部遮光するため、照
度均一性が低下してしまう。また、絞り9の開口形状に
より照度分布の傾向が変わるため、絞り9を交換する毎
に、照度均一性の測定およびその補正作業が必要となっ
ていた。
を得るためのフライアイレンズを一部遮光するため、照
度均一性が低下してしまう。また、絞り9の開口形状に
より照度分布の傾向が変わるため、絞り9を交換する毎
に、照度均一性の測定およびその補正作業が必要となっ
ていた。
【0012】以下、露光装置における照度均一性の測定
および補正作業について説明する。まず、半導体基板が
搭載されるXYステージ18上に照度センサ21a〜2
1dを設置する。そして、XYステージ18を微小間隔
でXY方向にステッピングさせ、照度測定センサ21a
〜21dを露光領域内での所定位置に移動させる。この
XYステージ18のステッピングに合わせてシャッタ5
をオープンし、露光領域内の所定位置の照度を測定す
る。
および補正作業について説明する。まず、半導体基板が
搭載されるXYステージ18上に照度センサ21a〜2
1dを設置する。そして、XYステージ18を微小間隔
でXY方向にステッピングさせ、照度測定センサ21a
〜21dを露光領域内での所定位置に移動させる。この
XYステージ18のステッピングに合わせてシャッタ5
をオープンし、露光領域内の所定位置の照度を測定す
る。
【0013】このように露光領域内のXY方向の一定ピ
ッチでの位置の照度を測定し、照度均一性を算出する。
もし、照度均一性が規格からはずれていた場合には、照
度分布を変える為、光源1である超高圧水銀ランプの位
置を移動させる。そのため、一般に超高圧水銀ランプ1
は3軸の光源移動機構2を備えている。そして、作業者
が測定された露光領域の照度分布の傾向を見て、経験的
に照度均一性が改善されるように水銀ランプ1を移動さ
せ、再び照度均一性を測定するという手順を繰り返して
いた。
ッチでの位置の照度を測定し、照度均一性を算出する。
もし、照度均一性が規格からはずれていた場合には、照
度分布を変える為、光源1である超高圧水銀ランプの位
置を移動させる。そのため、一般に超高圧水銀ランプ1
は3軸の光源移動機構2を備えている。そして、作業者
が測定された露光領域の照度分布の傾向を見て、経験的
に照度均一性が改善されるように水銀ランプ1を移動さ
せ、再び照度均一性を測定するという手順を繰り返して
いた。
【0014】また、このような、作業者が経験的に補正
する代わりに、自動的に補正する方法も知られている。
例えば、特開昭63−70419号公報に述べられてい
る、複数のセンサを設け、これらのセンサから得られた
照度データに基づいて、光源位置を自動的に動かす方法
がある。これは、図7に示すように、マスキング機構1
1の周辺部4箇所にセンサ21a〜21dを設けてい
る。このセンサ21a〜21dからの出力データをもと
にコンピュータ20により、超高圧水銀ランプ1を3軸
方向に移動することができる移動機構2に指令を出し、
向い合う2対のセンサ(21aと21c,21bと21
d)の測定値が等しくなるように水銀ランプ1を移動さ
せる方法である。
する代わりに、自動的に補正する方法も知られている。
例えば、特開昭63−70419号公報に述べられてい
る、複数のセンサを設け、これらのセンサから得られた
照度データに基づいて、光源位置を自動的に動かす方法
がある。これは、図7に示すように、マスキング機構1
1の周辺部4箇所にセンサ21a〜21dを設けてい
る。このセンサ21a〜21dからの出力データをもと
にコンピュータ20により、超高圧水銀ランプ1を3軸
方向に移動することができる移動機構2に指令を出し、
向い合う2対のセンサ(21aと21c,21bと21
d)の測定値が等しくなるように水銀ランプ1を移動さ
せる方法である。
【0015】
【発明が解決しようとする課題】先に述べたように、半
導体素子のパターン寸法は露光装置の限界に近づき、変
形照明法を使用することが必要となってきた。そして、
変形照明法はレチクルパターンに適切な絞り形状が異な
るため、レチクル毎に絞りを交換するようになり、頻繁
に照度の補正作業を行うようになってきた。
導体素子のパターン寸法は露光装置の限界に近づき、変
形照明法を使用することが必要となってきた。そして、
変形照明法はレチクルパターンに適切な絞り形状が異な
るため、レチクル毎に絞りを交換するようになり、頻繁
に照度の補正作業を行うようになってきた。
【0016】しかし、従来の作業者が行う照度均一性の
補正方法では作業時間がかかりすぎるという問題点がで
てきた。図5のXYステージ18上の単一のセンサ21
をステッピングさせ照度均一性を測定するのにかなりの
時間がかかるうえ、そのデータに基づいて水銀ランプ1
の位置を追いこむのにも有る程度の経験が必要であり、
そのため作業者によっては数十分の時間を要した。
補正方法では作業時間がかかりすぎるという問題点がで
てきた。図5のXYステージ18上の単一のセンサ21
をステッピングさせ照度均一性を測定するのにかなりの
時間がかかるうえ、そのデータに基づいて水銀ランプ1
の位置を追いこむのにも有る程度の経験が必要であり、
そのため作業者によっては数十分の時間を要した。
【0017】また、従来の自動で行う照度均一性の補正
方法ではその精度が不十分であるという問題点があっ
た。すなわち、図7に示すマスキング機構11にあって
その周辺部11a〜11dにのみセンサ21a〜21d
を設けるため、露光領域中央の照度が測定できず、中央
部と周辺部の照度差を補正することができなかった。
方法ではその精度が不十分であるという問題点があっ
た。すなわち、図7に示すマスキング機構11にあって
その周辺部11a〜11dにのみセンサ21a〜21d
を設けるため、露光領域中央の照度が測定できず、中央
部と周辺部の照度差を補正することができなかった。
【0018】
【課題を解決するための手段】本発明に係る露光装置
は、例えば半導体基板を搭載するXYステージ上に画成
される露光領域の複数箇所の照度を同時に測定する照度
測定手段と、その測定結果に基づき光源である水銀ラン
プを互いに直交する3軸方向に移動してその位置を調節
する光源位置調整手段とを備えている。また、この露光
装置は、フライアイレンズ直後に置かれる複数の絞りに
ついて1の絞り毎に最適の水銀ランプ位置を記録する手
段と、使用する絞りに合わせて水銀ランプの位置を移動
させる手段とをさらに備えている。
は、例えば半導体基板を搭載するXYステージ上に画成
される露光領域の複数箇所の照度を同時に測定する照度
測定手段と、その測定結果に基づき光源である水銀ラン
プを互いに直交する3軸方向に移動してその位置を調節
する光源位置調整手段とを備えている。また、この露光
装置は、フライアイレンズ直後に置かれる複数の絞りに
ついて1の絞り毎に最適の水銀ランプ位置を記録する手
段と、使用する絞りに合わせて水銀ランプの位置を移動
させる手段とをさらに備えている。
【0019】そして、上記照度測定手段は、複数の照度
センサを有し、この照度センサの一つは上記露光領域の
中央部の照度を、残りの照度センサはその周辺部の照度
を測定するものである。また、上記照度測定手段により
測定される露光領域の各位置での照度測定値に基づい
て、露光領域内の照度の均一性を算出するものである。
また、上記光源を移動させるとき、上記複数の照度セン
サにより照度均一性を算出し、この算出結果に基づいて
この光源位置を調整する露光装置である。上記光源位置
調整手段は、レチクルを照明するための光軸に対して垂
直な方向の2軸を固定し、光軸方向に光源を移動させつ
つ、上記複数の照度センサにより測定される平均照度が
最も高くなる位置に光源を移動する露光装置である。
センサを有し、この照度センサの一つは上記露光領域の
中央部の照度を、残りの照度センサはその周辺部の照度
を測定するものである。また、上記照度測定手段により
測定される露光領域の各位置での照度測定値に基づい
て、露光領域内の照度の均一性を算出するものである。
また、上記光源を移動させるとき、上記複数の照度セン
サにより照度均一性を算出し、この算出結果に基づいて
この光源位置を調整する露光装置である。上記光源位置
調整手段は、レチクルを照明するための光軸に対して垂
直な方向の2軸を固定し、光軸方向に光源を移動させつ
つ、上記複数の照度センサにより測定される平均照度が
最も高くなる位置に光源を移動する露光装置である。
【0020】そして、上記光源位置調整手段は、上記光
軸およびこの光軸に垂直な方向の1軸を固定し、他の光
軸に垂直な方向の1軸に沿って光源を移動させながら、
上記複数の照度センサにより測定される露光領域の左右
の周辺部または上下の周辺部の平均照度が最も近似する
ように光源位置を調整するものである。また、上記光軸
に垂直な2方向に対して光源位置の調整を行って光軸に
垂直な平面上の位置を決定した後、上記光源を光軸方向
に移動させつつ、露光領域中央部の照度と露光領域周辺
部の平均照度とを求め、これらの照度と平均照度とが最
も近似する位置に上記光源を移動させる露光装置であ
る。
軸およびこの光軸に垂直な方向の1軸を固定し、他の光
軸に垂直な方向の1軸に沿って光源を移動させながら、
上記複数の照度センサにより測定される露光領域の左右
の周辺部または上下の周辺部の平均照度が最も近似する
ように光源位置を調整するものである。また、上記光軸
に垂直な2方向に対して光源位置の調整を行って光軸に
垂直な平面上の位置を決定した後、上記光源を光軸方向
に移動させつつ、露光領域中央部の照度と露光領域周辺
部の平均照度とを求め、これらの照度と平均照度とが最
も近似する位置に上記光源を移動させる露光装置であ
る。
【0021】さらには、光源から発生した光をフライア
イレンズに導いて有効光源を形成し、かつ、このフライ
アイレンズの直後に設置された複数の絞りにより有効光
源形状を変更して決定可能な露光装置において、上記絞
りに対応して露光領域での照度均一性が高くなる上記光
源の3軸方向の位置を調整し、この位置を記録する記録
手段を有する露光装置である。
イレンズに導いて有効光源を形成し、かつ、このフライ
アイレンズの直後に設置された複数の絞りにより有効光
源形状を変更して決定可能な露光装置において、上記絞
りに対応して露光領域での照度均一性が高くなる上記光
源の3軸方向の位置を調整し、この位置を記録する記録
手段を有する露光装置である。
【0022】また、光源からの光をフライアイレンズに
導いて有効光源を形成し、複数の絞りによりその有効光
源形状を変更して規定可能な露光装置において、上記複
数の絞りの一つを標準絞りとし、この標準絞りに対する
光源位置を原点とし、標準絞り以外の絞りに対して原点
からの偏差による光源位置を記録する記録手段を有する
露光装置である。
導いて有効光源を形成し、複数の絞りによりその有効光
源形状を変更して規定可能な露光装置において、上記複
数の絞りの一つを標準絞りとし、この標準絞りに対する
光源位置を原点とし、標準絞り以外の絞りに対して原点
からの偏差による光源位置を記録する記録手段を有する
露光装置である。
【0023】
【作用】本発明に係る露光装置によれば、露光領域に対
して中央部とその周辺部との照度を測定しているため、
その露光領域内の照度均一性を高めることができる。ま
た、複数の絞りに対応して最適の照度均一性を得ること
ができる光源位置を記録して、この記録に基づいて光源
を移動するため、その位置調整を迅速にしかも正確に行
うことができる。
して中央部とその周辺部との照度を測定しているため、
その露光領域内の照度均一性を高めることができる。ま
た、複数の絞りに対応して最適の照度均一性を得ること
ができる光源位置を記録して、この記録に基づいて光源
を移動するため、その位置調整を迅速にしかも正確に行
うことができる。
【0024】
【実施例】次に、本発明の一実施例について図面を参照
して説明する。図1は本発明の一実施例に係る露光装置
の主な構成要素を示した説明図である。光源である超高
圧水銀ランプ1は光源移動機構2に取り付けられてい
る。光源移動機構2は、光源1を互いに垂直な3軸方向
(X軸,Y軸,Z軸)に移動可能に設けられている。そ
して、光源1で発生した光を楕円ミラー3で集光し、コ
ールドミラー4で反射する構成である。そして、光束の
狭まった位置にシャッタ5を設け、露光光の制御を可能
としている。さらに、露光光はシャッタ5の後方に設け
たレンズ6により平行光とされ、干渉フィルタ7を通し
所定の波長のみに限定される。
して説明する。図1は本発明の一実施例に係る露光装置
の主な構成要素を示した説明図である。光源である超高
圧水銀ランプ1は光源移動機構2に取り付けられてい
る。光源移動機構2は、光源1を互いに垂直な3軸方向
(X軸,Y軸,Z軸)に移動可能に設けられている。そ
して、光源1で発生した光を楕円ミラー3で集光し、コ
ールドミラー4で反射する構成である。そして、光束の
狭まった位置にシャッタ5を設け、露光光の制御を可能
としている。さらに、露光光はシャッタ5の後方に設け
たレンズ6により平行光とされ、干渉フィルタ7を通し
所定の波長のみに限定される。
【0025】そして、照度の均一性を改善するためにフ
ライアイレンズ8により複数の点光源群とし、フライア
イレンズ8の直後に設置した複数の絞り9により有効光
源の形状を決定する構成である。この有効光源の光をレ
ンズ10により焦点を結ばせ、その位置にマスキング機
構11を設けている。マスキング機構11により露光範
囲を限定し、ミラー13で光路を曲げ、コンデンサレン
ズ14を通しレチクル15を照明するものである。
ライアイレンズ8により複数の点光源群とし、フライア
イレンズ8の直後に設置した複数の絞り9により有効光
源の形状を決定する構成である。この有効光源の光をレ
ンズ10により焦点を結ばせ、その位置にマスキング機
構11を設けている。マスキング機構11により露光範
囲を限定し、ミラー13で光路を曲げ、コンデンサレン
ズ14を通しレチクル15を照明するものである。
【0026】そして、レチクル15のパターンが投影レ
ンズ系16により、感光性樹脂の塗布された半導体基板
17上に結像される。XYステージ18はこの半導体基
板17を露光領域に移動させるものである。このXYス
テージ18上には結像面と同じ高さに、照度均一性測定
部19を備えており、この照度均一性測定部19は上記
光源移動機構2を制御するコンピュータ20にデータを
送るようになっている。このコンピュータ20として
は、CPU、入出力装置I/O、記憶装置(メモリ)等
により構成され、入力データをプログラム処理して出力
データを作成、出力する周知の構成のものを使用してい
る。
ンズ系16により、感光性樹脂の塗布された半導体基板
17上に結像される。XYステージ18はこの半導体基
板17を露光領域に移動させるものである。このXYス
テージ18上には結像面と同じ高さに、照度均一性測定
部19を備えており、この照度均一性測定部19は上記
光源移動機構2を制御するコンピュータ20にデータを
送るようになっている。このコンピュータ20として
は、CPU、入出力装置I/O、記憶装置(メモリ)等
により構成され、入力データをプログラム処理して出力
データを作成、出力する周知の構成のものを使用してい
る。
【0027】また、図2に示すように、この照度均一性
測定部19は、露光領域の中央および4隅の位置に対応
する位置に照度センサ21a〜21eを配設して構成さ
れている。ここで、露光領域はφ32mm(通常露光装
置の露光領域は円ではなく正方形で呼ばれることが多
く、正方形で示せば□22mmとなる。)とし、照度セ
ンサは、中央21cと最外周に近い□20mmの4隅に
21a,21b,21d,21e配置した。
測定部19は、露光領域の中央および4隅の位置に対応
する位置に照度センサ21a〜21eを配設して構成さ
れている。ここで、露光領域はφ32mm(通常露光装
置の露光領域は円ではなく正方形で呼ばれることが多
く、正方形で示せば□22mmとなる。)とし、照度セ
ンサは、中央21cと最外周に近い□20mmの4隅に
21a,21b,21d,21e配置した。
【0028】絞り9の交換時等、照度均一性の確認をす
る際には、まず、レチクル15を搬出し、マスキング機
構11を完全に開口させる。そして、XYステージ18
を駆動し、この照度均一性測定部19を投影レンズ系1
6の直下の露光領域に移動させる。そして、シャッタ5
を開け、照度センサ21a〜21eにより露光領域内の
5箇所の照度を測定し、その照度均一性を求める。そこ
で、測定した照度均一性が規格をはずれた場合、以下の
手順で照度均一性を補正する。以下、水銀ランプ1及び
露光領域内の方向は、半導体基板17のXYステージ1
8のX軸,Y軸方向と対応させ、また光軸方向をZ軸と
する。
る際には、まず、レチクル15を搬出し、マスキング機
構11を完全に開口させる。そして、XYステージ18
を駆動し、この照度均一性測定部19を投影レンズ系1
6の直下の露光領域に移動させる。そして、シャッタ5
を開け、照度センサ21a〜21eにより露光領域内の
5箇所の照度を測定し、その照度均一性を求める。そこ
で、測定した照度均一性が規格をはずれた場合、以下の
手順で照度均一性を補正する。以下、水銀ランプ1及び
露光領域内の方向は、半導体基板17のXYステージ1
8のX軸,Y軸方向と対応させ、また光軸方向をZ軸と
する。
【0029】まず、光軸上に配設された絞り9の開口形
状(例えば輪帯照明の場合はリング状開口)に合わせて
最も高い照度が得られるように、水銀ランプ1のZ軸方
向の位置を決定する。水銀ランプ1のZ軸(光軸)には
適当な範囲で上限・下限が設定されており、その下限の
位置より特定の間隔△Zずつランプ1を移動させ、各位
置で露光領域各点での照度を測定し、図3(A)のよう
な測定結果を得る。この測定結果より露光領域全面での
照度が最大となるように、すなわちIAVE={ICE
+(IUR+IUL+ILR+ILL)/4}/2が最
大となるように、水銀ランプ1のZ軸方向位置を求め
る。すなわち、図3(B)中のZ0の位置に水銀ランプ
1を移動させるものである。ここで、ICE,IUR,
IUL,ILR,ILLは、それぞれ露光領域の中央,
右上,左上,右下,左下の照度であり(図2参照)、I
AVEはその平均値である。
状(例えば輪帯照明の場合はリング状開口)に合わせて
最も高い照度が得られるように、水銀ランプ1のZ軸方
向の位置を決定する。水銀ランプ1のZ軸(光軸)には
適当な範囲で上限・下限が設定されており、その下限の
位置より特定の間隔△Zずつランプ1を移動させ、各位
置で露光領域各点での照度を測定し、図3(A)のよう
な測定結果を得る。この測定結果より露光領域全面での
照度が最大となるように、すなわちIAVE={ICE
+(IUR+IUL+ILR+ILL)/4}/2が最
大となるように、水銀ランプ1のZ軸方向位置を求め
る。すなわち、図3(B)中のZ0の位置に水銀ランプ
1を移動させるものである。ここで、ICE,IUR,
IUL,ILR,ILLは、それぞれ露光領域の中央,
右上,左上,右下,左下の照度であり(図2参照)、I
AVEはその平均値である。
【0030】次に、露光領域の4隅の照度分布の補正を
行う。まず、水銀ランプ1をそのZ軸位置,Y軸位置は
固定し、X軸方向に沿ってのみ移動さる。ここでも、先
と同様に設定されているX軸位置の上限・下限の範囲で
所定のピッチ△Xで光源1を移動させ、露光領域内の照
度を測定していく。ここでは、照度センサをY軸をはさ
んで左右2組、すなわちIUR(21a)+ILR(2
1d)の組と、IUL(21b)+ILL(21e)の
組とに分ける。そして、この2組の照度が等しくなるよ
うにX軸方向の位置を求める。よって、図3(C)に示
す、X軸と露光領域左右の照度の実測結果より、同図中
のX1の位置に水銀ランプ1を移動させる。
行う。まず、水銀ランプ1をそのZ軸位置,Y軸位置は
固定し、X軸方向に沿ってのみ移動さる。ここでも、先
と同様に設定されているX軸位置の上限・下限の範囲で
所定のピッチ△Xで光源1を移動させ、露光領域内の照
度を測定していく。ここでは、照度センサをY軸をはさ
んで左右2組、すなわちIUR(21a)+ILR(2
1d)の組と、IUL(21b)+ILL(21e)の
組とに分ける。そして、この2組の照度が等しくなるよ
うにX軸方向の位置を求める。よって、図3(C)に示
す、X軸と露光領域左右の照度の実測結果より、同図中
のX1の位置に水銀ランプ1を移動させる。
【0031】そして、次にY軸に対しても同様に露光領
域の上下の照度センサの組、すなわち{IUR+IU
L}と{ILR+ILL}との照度が等しくなるよう
に、水銀ランプ1のY軸方向の位置を求める。すなわ
ち、図3(D)に示す、光源1をY軸方向に移動させた
ときの上下の照度センサの組の照度測定結果におけるY
1の位置に水銀ランプ1を移動させる。
域の上下の照度センサの組、すなわち{IUR+IU
L}と{ILR+ILL}との照度が等しくなるよう
に、水銀ランプ1のY軸方向の位置を求める。すなわ
ち、図3(D)に示す、光源1をY軸方向に移動させた
ときの上下の照度センサの組の照度測定結果におけるY
1の位置に水銀ランプ1を移動させる。
【0032】そして、最後に露光領域内のすべての位置
での照度を同じにするために、再び水銀ランプ1のZ軸
方向の位置を補正する。すなわち、先に決めた、Z0の
位置を中心として所定の微小範囲でZ軸方向に水銀ラン
プ1を移動させて、露光領域の中央の照度ICEと、周
辺の平均照度{(IUR+IRL+ILR+ILL)/
4}との差が等しくなるように補正する。これは、図3
(E)のZ1の位置に水銀ランプ1を移動させるもので
ある。
での照度を同じにするために、再び水銀ランプ1のZ軸
方向の位置を補正する。すなわち、先に決めた、Z0の
位置を中心として所定の微小範囲でZ軸方向に水銀ラン
プ1を移動させて、露光領域の中央の照度ICEと、周
辺の平均照度{(IUR+IRL+ILR+ILL)/
4}との差が等しくなるように補正する。これは、図3
(E)のZ1の位置に水銀ランプ1を移動させるもので
ある。
【0033】なお、この一連のX軸,Y軸およびZ軸の
位置の最適化の作業の中で、露光領域全面の照度均一性
が所定の規格以内となれば、その時点で自動での照度均
一性の補正作業は終了となる。また、この一連の自動補
正の後、照度均一性の規格に入っていない場合は、現在
のX軸,Y軸,Z軸の各位置(X1,Y1,Z1)を中
心として所定の微少範囲で再び同様に補正作業を行うこ
とになる。
位置の最適化の作業の中で、露光領域全面の照度均一性
が所定の規格以内となれば、その時点で自動での照度均
一性の補正作業は終了となる。また、この一連の自動補
正の後、照度均一性の規格に入っていない場合は、現在
のX軸,Y軸,Z軸の各位置(X1,Y1,Z1)を中
心として所定の微少範囲で再び同様に補正作業を行うこ
とになる。
【0034】本実施例においては、露光領域の中央およ
びその周辺の照度をモニタしながら、光源1の最適位置
を求めたので、十分な高精度で照度均一性が補正でき
る。なお、この精度を上げるためには露光領域内でのセ
ンサの数を増やすことが有効である。例えば露光領域の
X軸方向およびY軸方向ともに3箇所づつ、計9箇所の
照度をセンサによりモニタすればさらにその精度が向上
する。
びその周辺の照度をモニタしながら、光源1の最適位置
を求めたので、十分な高精度で照度均一性が補正でき
る。なお、この精度を上げるためには露光領域内でのセ
ンサの数を増やすことが有効である。例えば露光領域の
X軸方向およびY軸方向ともに3箇所づつ、計9箇所の
照度をセンサによりモニタすればさらにその精度が向上
する。
【0035】次に、本発明の他の実施例について図面を
参照して説明する。図4は本発明の露光装置の他の実施
例の主要構成要素を示した図である。光源1の移動機構
2を制御するコンピュータ20には記録手段22が接続
されている。例えば、上記のような方法で、各絞り9に
対して照度均一性が良好となる位置を求めた結果を、こ
の記憶手段22に登録しておく。記憶手段22としては
電気的、磁気的、光磁気的な記憶装置、例えばハードデ
ィスク装置、磁気テープ装置、光磁気ディスク装置等が
ある。
参照して説明する。図4は本発明の露光装置の他の実施
例の主要構成要素を示した図である。光源1の移動機構
2を制御するコンピュータ20には記録手段22が接続
されている。例えば、上記のような方法で、各絞り9に
対して照度均一性が良好となる位置を求めた結果を、こ
の記憶手段22に登録しておく。記憶手段22としては
電気的、磁気的、光磁気的な記憶装置、例えばハードデ
ィスク装置、磁気テープ装置、光磁気ディスク装置等が
ある。
【0036】このように記憶手段22を設けることによ
り、一度使用した絞り9に対しては、次の使用時から、
照度の補正作業の時間を大幅に短縮することができる。
すなわち、ある絞り9に対しては、前回求めた位置に再
び水銀ランプ1を移動させれば、ほぼ照度均一性は前回
と同程度になり、補正作業はその位置を中心に極微少範
囲で行うだけ可能となる。なお、ここで各絞り9に対し
て、記憶手段22に登録された以前の位置に水銀ランプ
1を戻してもその照度均一性が依然と同じになるとは限
らない原因は、水銀ランプ1に個体差が在るためであ
る。例えば、超高圧水銀ランプ内でのアークのでき方、
ランプの取付部分の機械的加工精度および取付方法等に
より、ランプ交換の後には同一に絞りであっても、照度
均一性が若干異なってしまう。その他の構成、作用は上
記実施例の場合と同じである。
り、一度使用した絞り9に対しては、次の使用時から、
照度の補正作業の時間を大幅に短縮することができる。
すなわち、ある絞り9に対しては、前回求めた位置に再
び水銀ランプ1を移動させれば、ほぼ照度均一性は前回
と同程度になり、補正作業はその位置を中心に極微少範
囲で行うだけ可能となる。なお、ここで各絞り9に対し
て、記憶手段22に登録された以前の位置に水銀ランプ
1を戻してもその照度均一性が依然と同じになるとは限
らない原因は、水銀ランプ1に個体差が在るためであ
る。例えば、超高圧水銀ランプ内でのアークのでき方、
ランプの取付部分の機械的加工精度および取付方法等に
より、ランプ交換の後には同一に絞りであっても、照度
均一性が若干異なってしまう。その他の構成、作用は上
記実施例の場合と同じである。
【0037】また、この水銀ランプ1の個体差の影響を
余り受けない照度均一性の補正方法として以下のような
方法がある。通常照明の時の絞り9を標準絞りとして、
その標準絞りに適切な水銀ランプ1の位置を(Xc,Y
c,Zc)とする。そして、その他の絞り、例えば輪帯
照明の絞りに最適な位置(Xa,Ya,Za)は、標準
絞りとの差分(Xa−Xc,Ya−Yc,Za−Zc)
として記録する。このように、変形照明用の絞りに対す
る水銀ランプの位置を通常照明の絞りに対する水銀ラン
プに位置からの差として記録しておくことにより、水銀
ランプを交換した後、通常照明用の絞りに対して新たに
適切な水銀ランプの位置(Xc’,Yc’,Zc’)を
求め直すだけで、その他の絞りに対しては以前登録した
差分だけ水銀ランプを移動させることで、十分な照度均
一性が容易に得られる。
余り受けない照度均一性の補正方法として以下のような
方法がある。通常照明の時の絞り9を標準絞りとして、
その標準絞りに適切な水銀ランプ1の位置を(Xc,Y
c,Zc)とする。そして、その他の絞り、例えば輪帯
照明の絞りに最適な位置(Xa,Ya,Za)は、標準
絞りとの差分(Xa−Xc,Ya−Yc,Za−Zc)
として記録する。このように、変形照明用の絞りに対す
る水銀ランプの位置を通常照明の絞りに対する水銀ラン
プに位置からの差として記録しておくことにより、水銀
ランプを交換した後、通常照明用の絞りに対して新たに
適切な水銀ランプの位置(Xc’,Yc’,Zc’)を
求め直すだけで、その他の絞りに対しては以前登録した
差分だけ水銀ランプを移動させることで、十分な照度均
一性が容易に得られる。
【0038】水銀ランプは長時間使用すると照度が低下
し、また破裂する等の事故がある為、通常500時間程
度で交換される。本実施例では、ランプ交換時に通常照
明用に絞りに対して、照度均一性の補正を行うだけで、
その他の変形照明用の絞りに対しては、記録手段に登録
している通常照明用の絞りとの差分だけ光源を移動する
だけで、照度の補正作業が不要となるという利点があ
る。
し、また破裂する等の事故がある為、通常500時間程
度で交換される。本実施例では、ランプ交換時に通常照
明用に絞りに対して、照度均一性の補正を行うだけで、
その他の変形照明用の絞りに対しては、記録手段に登録
している通常照明用の絞りとの差分だけ光源を移動する
だけで、照度の補正作業が不要となるという利点があ
る。
【0039】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、半導体基
板のXYステージ上に複数の照度センサを露光領域の全
面に設け、光源を移動させつつ照度均一性をモニタする
ことにより、露光領域全面の照度均一性を精度良く補正
することを可能としたという効果を有する。また、各絞
りに対する適切な光源位置を記録手段に登録することに
より、絞り交換時の照度均一性に対する補正作業を不要
にできるという効果を有する。
板のXYステージ上に複数の照度センサを露光領域の全
面に設け、光源を移動させつつ照度均一性をモニタする
ことにより、露光領域全面の照度均一性を精度良く補正
することを可能としたという効果を有する。また、各絞
りに対する適切な光源位置を記録手段に登録することに
より、絞り交換時の照度均一性に対する補正作業を不要
にできるという効果を有する。
【図1】本発明の一実施例に係る露光装置の概略構成を
示す模式図である。
示す模式図である。
【図2】本発明の一実施例に係る露光領域と照度センサ
の位置を示す平面図である。
の位置を示す平面図である。
【図3】本発明の一実施例に係る露光装置での光源位置
の調整方法を説明するためのグラフである。
の調整方法を説明するためのグラフである。
【図4】本発明の他の実施例に係る露光装置の概略構成
を示す模式図である。
を示す模式図である。
【図5】従来の露光装置の概略構成を示す模式図であ
る。
る。
【図6】従来の露光装置での露光を説明するための図で
ある。
ある。
【図7】従来の別の露光装置の概略構成を示す模式図で
ある。
ある。
1:水銀ランプ(光源) 2:光源移動機構 8:フライアイレンズ 9:絞り 15:レチクル 16:投影レンズ系 17:半導体基板 18:XYステージ 19:照度均一性測定部 20:コンピュータ 21a〜21e:照度センサ(照度測定手段) 22:記録手段
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭63−70419(JP,A) 特開 昭59−83165(JP,A) 特開 平2−17626(JP,A) 特開 昭63−27015(JP,A) (58)調査した分野(Int.Cl.6,DB名) H01L 21/027
Claims (8)
- 【請求項1】光源から発生した光を用いて透過照明によ
りレチクルを照明し、このレチクルのパターンを投影レ
ンズ系により所定の位置に結像させる露光装置におい
て、 上記結像面の位置における露光領域内の複数点の照度を
同時に測定する照度測定手段と、複数の照度センサを有し、この照度センサの一つは上記
露光領域の中央部の照度を、残りの照度センサはその周
辺部の照度を測定し、 この測定結果に基づいて上記光源を互いに直交する3軸
方向に移動させる光源位置調整手段とを備えたことを特
徴とする露光装置。 - 【請求項2】上記照度測定手段により測定される露光領
域の各位置での照度測定値に基づいて、露光領域内の照
度の均一性を算出する請求項1に記載した露光装置。 - 【請求項3】上記光源を移動させるとき、上記複数の照
度センサーにより照度灼一性を算出し、この算出結果に
基づいてこの光源位置を調整する請求項2に記載の露光
装置。 - 【請求項4】上記光源位置調整手段は、レチクルを照明
するための光軸に対して垂直な方向の2軸を固定し、光
軸方向に光源を移動させつつ、上記複数の照度センサに
より測定される平均照度が最も高くなる位置に光源を移
動する請求項3に記載した露光装置。 - 【請求項5】 上記光源位置調整手段は、上記光軸及び
この光軸に垂直な方向の1軸を固定し、他の光軸に垂直
な方向の1軸に沿って光源を移動させながら、上記複数
の照度センサにより測定される露光領域の左右の周辺部
または上下の周辺部の平均照度が最も近似するように光
源位置を調整する請求項3に記載した露光装置。 - 【請求項6】 上記光軸に垂直な2方向に対して光源位
置の調整を行って光軸に垂直な平面上の位置を決定した
後、上記光源を光軸方向に移動させつつ、露光領域中央
部の照度と露光領域周辺部の平均照度とを求め、これら
の照度と平均照度とが最も近似する位置に上記光源を移
動させる請求項3に記裁の露光装置。 - 【請求項7】光源から発生した光をフライアイレンズに
導いて有効光源を形成し、かつ、このフライアイレンズ
の直後に設置された複数の絞りにより有効光源形状を変
更して決定可能な露光装置において、 上記絞りに対応して露光領域での照度均一性が高くなる
上記光源の3軸方向の位置を調整し、この位置を記録す
る記録手段を有し、絞りの交換時には前記記憶手段に記
憶された光源位置に光源を移動してから照度均一性補正
を行うことを特徴とする露光装置。 - 【請求項8】 光源からの光をフライアイレンズに導い
ズ有効光源を形成し、複数の絞りによりその有効光源形
状を変更して規定可能な露光装置において、上記複数の
絞りの一つを標準絞りとし、この標準絞りに対する光源
位置を原点とし、標準絞り以外の絞りに対して原点から
の偏差による光源位置を記録する記録手段を有する露光
装置。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP5350112A JP2809081B2 (ja) | 1993-12-27 | 1993-12-27 | 露光装置 |
US08/360,115 US5532497A (en) | 1993-12-27 | 1994-12-20 | Optical aligner equipped with luminance sensor on movable stage |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP5350112A JP2809081B2 (ja) | 1993-12-27 | 1993-12-27 | 露光装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH07192995A JPH07192995A (ja) | 1995-07-28 |
JP2809081B2 true JP2809081B2 (ja) | 1998-10-08 |
Family
ID=18408320
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP5350112A Expired - Fee Related JP2809081B2 (ja) | 1993-12-27 | 1993-12-27 | 露光装置 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5532497A (ja) |
JP (1) | JP2809081B2 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002222753A (ja) * | 2001-01-26 | 2002-08-09 | Canon Inc | 露光装置及び露光装置の光源位置調整方法 |
Families Citing this family (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
AU6853598A (en) * | 1997-04-18 | 1998-11-13 | Nikon Corporation | Aligner, exposure method using the aligner, and method of manufacture of circuitdevice |
US6123429A (en) * | 1997-05-17 | 2000-09-26 | Tokyo Electron Limited | Light source device |
DE10046218B4 (de) * | 2000-09-19 | 2007-02-22 | Carl Zeiss Smt Ag | Projektionsbelichtungsanlage |
JP4230676B2 (ja) | 2001-04-27 | 2009-02-25 | 株式会社東芝 | 露光装置の照度むらの測定方法、照度むらの補正方法、半導体デバイスの製造方法及び露光装置 |
US6809823B2 (en) * | 2001-09-28 | 2004-10-26 | Agilent Technologies, Inc. | Method for the calibration and alignment of multiple multi-axis motion stages for optical alignment to a planar waveguide device and system |
US8085383B2 (en) * | 2005-10-27 | 2011-12-27 | Asml Holding N.V. | System, method, and apparatus for scanning detector for fast and frequent illumination uniformity correction module |
JP2020076653A (ja) * | 2018-11-08 | 2020-05-21 | オムロン株式会社 | 光学計測装置及び光学計測方法 |
CN111965946A (zh) * | 2020-08-13 | 2020-11-20 | Tcl华星光电技术有限公司 | 光刻用照光装置及自动调整其照度的方法 |
Family Cites Families (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5983165A (ja) * | 1982-11-04 | 1984-05-14 | Hitachi Ltd | 照明光源装置 |
JPH0682598B2 (ja) * | 1984-10-11 | 1994-10-19 | 日本電信電話株式会社 | 投影露光装置 |
JPS6327015A (ja) * | 1986-07-18 | 1988-02-04 | Nec Corp | 縮小投影露光装置 |
JPH0669015B2 (ja) * | 1986-09-11 | 1994-08-31 | キヤノン株式会社 | 投影露光装置 |
US4929824A (en) * | 1988-02-26 | 1990-05-29 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | light metering device with detector matrix and mean value detection |
JPH073385Y2 (ja) * | 1988-03-07 | 1995-01-30 | 富士写真フイルム株式会社 | 測光装置 |
JPH0217626A (ja) * | 1988-07-05 | 1990-01-22 | Mitsubishi Electric Corp | 縮小投影露光装置 |
JP2979081B2 (ja) * | 1990-11-28 | 1999-11-15 | 日本フィリップス株式会社 | 自動露光制御方法及び装置 |
US5146258A (en) * | 1990-12-24 | 1992-09-08 | Eastman Kodak Company | Multiple photodiode array for light metering |
JP2788791B2 (ja) * | 1991-01-08 | 1998-08-20 | 三菱電機株式会社 | フライアイレンズ装置およびそのフライアイレンズ装置を含む照明装置 |
US5424803A (en) * | 1991-08-09 | 1995-06-13 | Canon Kabushiki Kaisha | Projection exposure apparatus and semiconductor device manufacturing method |
US5264898A (en) * | 1991-08-29 | 1993-11-23 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Projection exposure apparatus |
US5420417A (en) * | 1991-10-08 | 1995-05-30 | Nikon Corporation | Projection exposure apparatus with light distribution adjustment |
JP3304378B2 (ja) * | 1992-02-25 | 2002-07-22 | 株式会社ニコン | 投影露光装置、及び素子製造方法 |
US5335044A (en) * | 1992-02-26 | 1994-08-02 | Nikon Corporation | Projection type exposure apparatus and method of exposure |
-
1993
- 1993-12-27 JP JP5350112A patent/JP2809081B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1994
- 1994-12-20 US US08/360,115 patent/US5532497A/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002222753A (ja) * | 2001-01-26 | 2002-08-09 | Canon Inc | 露光装置及び露光装置の光源位置調整方法 |
JP4585697B2 (ja) * | 2001-01-26 | 2010-11-24 | キヤノン株式会社 | 露光装置及び光源の位置調整方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH07192995A (ja) | 1995-07-28 |
US5532497A (en) | 1996-07-02 |
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