JP2803211B2 - Semiconductor device bonding method and bonding apparatus - Google Patents
Semiconductor device bonding method and bonding apparatusInfo
- Publication number
- JP2803211B2 JP2803211B2 JP1228206A JP22820689A JP2803211B2 JP 2803211 B2 JP2803211 B2 JP 2803211B2 JP 1228206 A JP1228206 A JP 1228206A JP 22820689 A JP22820689 A JP 22820689A JP 2803211 B2 JP2803211 B2 JP 2803211B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor device
- contact portion
- bonding
- outer lead
- bonding tool
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/30—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor
- H05K3/32—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits
- H05K3/34—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits by soldering
- H05K3/341—Surface mounted components
- H05K3/3415—Surface mounted components on both sides of the substrate or combined with lead-in-hole components
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/30—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor
- H05K3/32—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits
- H05K3/34—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits by soldering
- H05K3/341—Surface mounted components
- H05K3/3421—Leaded components
Landscapes
- Electric Connection Of Electric Components To Printed Circuits (AREA)
- Wire Bonding (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は、半導体装置を基板に実装する場合のボンデ
ィング方法及びボンディング装置、さらに詳しくは該半
導体装置のアウターリードをプリント配線基板の導電パ
ターン等にボンディングする方法及び装置に関するもの
である。Description: FIELD OF THE INVENTION The present invention relates to a bonding method and a bonding apparatus for mounting a semiconductor device on a substrate, and more particularly, to a method for connecting outer leads of the semiconductor device to a conductive pattern of a printed wiring board. The present invention relates to a method and an apparatus for bonding to a substrate.
［従来の技術］ 半導体装置は、一般にリードフレームに設けたダイパ
ッドに半導体素子を取付け、半導体素子の外部電極とリ
ードフレームの端子とをそれぞれワイヤで接続し、これ
をエポキシ樹脂の如き熱硬化性樹脂でパッケージしたの
ち各端子を切断し、製造している。[Prior Art] In a semiconductor device, generally, a semiconductor element is attached to a die pad provided on a lead frame, and external electrodes of the semiconductor element are connected to terminals of the lead frame by wires, respectively, and this is connected to a thermosetting resin such as epoxy resin. After packaging, each terminal is cut and manufactured.
ところで、最近では電子機器の小形化、薄形化に伴な
い、これに使用する半導体装置も高密度実装するため、
薄くかつ小形の半導体装置の出現が望まれている。この
ような要請に答えるべく、ポリイミドフィルムの如きキ
ャリアフィルムのデバイスホールに半導体素子を配設
し、この半導体素子の電極とキャリアフィルムのインナ
ーリードに設けた端子とを直接接続し、これに液状の樹
脂（例えばエポキシ樹脂）からなる封止材を印刷あるい
はポッティングしてパッケージした方式の半導体装置が
使用されるようになった。By the way, recently, with the miniaturization and thinning of electronic devices, semiconductor devices used for them are also mounted at high density.
There is a demand for a thin and small semiconductor device. In order to respond to such a demand, a semiconductor element is provided in a device hole of a carrier film such as a polyimide film, and an electrode of the semiconductor element is directly connected to a terminal provided on an inner lead of the carrier film. Semiconductor devices of a type in which a sealing material made of resin (for example, epoxy resin) is printed or potted and packaged have been used.
第４図はキャリヤフィルムを用いた従来の半導体装置
を説明するための平面図、第５図はそのＡ−Ａ拡大断面
図である。図において、１は長さ方向に等間隔に、後述
の半導体素子6,6a,6b,…の表面積より大きい面積のデバ
イスホール2,2a,2b,…が設けられた厚さ75〜100μｍ程
度のキャリヤフィルムである。３はキャリヤフィルム１
に設けらたれ銅の如き導電率の高い厚さ30〜40μｍ、幅
50〜300μｍ程度の金属箔からなる多数の導電パターン
（以下アウターリードという）で、その一部はデバイス
ホール２内に突出してインナーリード3aを形成してお
り、その先端部には半導体素子６〜6bの電極と接続する
端子４が設けられている。５はキャリヤフィルム１を搬
送するためのスプロケット穴である。FIG. 4 is a plan view for explaining a conventional semiconductor device using a carrier film, and FIG. 5 is an enlarged sectional view taken along the line AA of FIG. In the figure, reference numeral 1 denotes a device having a thickness of about 75 to 100 μm provided with device holes 2, 2a, 2b,... Having an area larger than the surface area of semiconductor elements 6, 6a, 6b,. It is a carrier film. 3 is carrier film 1
Thickness 30-40μm, width with high conductivity like copper
A large number of conductive patterns (hereinafter referred to as “outer leads”) made of a metal foil of about 50 to 300 μm, a part of which protrudes into the device hole 2 to form an inner lead 3a, and a semiconductor element 6 to The terminal 4 connected to the electrode 6b is provided. Reference numeral 5 denotes a sprocket hole for carrying the carrier film 1.
上記のようなキャリヤフィルム１のインナーリード3a
を半導体素子６の電極にボンディングするには、半導体
素子６をボンディングステージ（図示せず）上に載置
し、半導体素子６に設けた多数の電極と各インナーリー
ド3aの端子４とをそれぞれ整合させる。ついでヒータを
内蔵したボンディングツール（図示せず）を下降させ、
各インナーリード3aに当接させて圧下し、各インナーリ
ード3aを所定の角度にフォーミングすると共に、各端子
４をそれぞれ電極に融着させ、接続する。ボンディング
が終ったときは半導体素子６の能動面を樹脂等により封
止し、アウターリード３の基部を切断すれば半導体装置
10の製造が完了する。Inner lead 3a of carrier film 1 as described above
In order to bond the semiconductor element 6 to the electrodes of the semiconductor element 6, the semiconductor element 6 is mounted on a bonding stage (not shown), and a large number of electrodes provided on the semiconductor element 6 are aligned with the terminals 4 of the respective inner leads 3a. Let it. Then lower the bonding tool (not shown) with a built-in heater,
Each inner lead 3a is brought into contact with the inner lead 3a and pressed down to form each inner lead 3a at a predetermined angle, and each terminal 4 is fused and connected to an electrode. When the bonding is completed, the active surface of the semiconductor element 6 is sealed with a resin or the like, and the base of the outer lead 3 is cut.
Production of 10 is completed.
上記のような半導体装置10をプリント配線基板に実装
するには、第６図に示すように、プリント配線基板11を
ヒータ８を内蔵した加熱台７上に載置し、下から導電パ
ターン12を加熱する。そして、プリント配線基板11上に
半導体装置10を載置し、各アウターリード３をはんだが
塗布された導電パターン12とそれぞれ整合させる。次
に、内蔵したヒータ17により加熱されたボンディングツ
ール13を下降させて、その先端部14をキャリヤフィルム
１を介してアウターリード３に当接し、加熱かつ加圧し
てはんだを溶融させ、導電パターン12にアウターリード
３を接続する。To mount the above semiconductor device 10 on a printed wiring board, as shown in FIG. 6, a printed wiring board 11 is placed on a heating table 7 having a built-in heater 8, and a conductive pattern 12 is placed from below. Heat. Then, the semiconductor device 10 is mounted on the printed wiring board 11, and each outer lead 3 is aligned with the conductive pattern 12 to which the solder is applied. Next, the bonding tool 13 heated by the built-in heater 17 is lowered, and the tip portion 14 is brought into contact with the outer lead 3 via the carrier film 1, heated and pressed to melt the solder, and To the outer lead 3.
［発明が解決しようとする課題］ 上記のような従来の実装方式では、プリント配線基板
11の下部から予備加熱（約150℃）しなければならない
ので、装置が大型かつ高価になるばかりでなく、実装密
度を高めるためにプリント配線基板11の両面に対向して
半導体装置10を実装することができなかった。[Problem to be Solved by the Invention] In the conventional mounting method as described above, a printed wiring board is used.
Since the pre-heating (about 150 ° C.) must be performed from the lower part of the device 11, not only the device becomes large and expensive, but also the semiconductor device 10 is mounted on both sides of the printed wiring board 11 to increase the mounting density. I couldn't do that.
また、ボンディングツール13は熱伝導率の低いキャリ
アフィルム１を介してアウターリード３及び導電パター
ン12を加熱するため、高温（先端部の温度350〜400℃）
かつ重加圧（10〜30kg/cm2）で、長時間（冷却を含めて
15〜20秒）圧着しなければならない等の問題があった。
なお、圧着時間を短縮するためには、ボンディングツー
ル13を更に高温に加熱することも考えられるが、そうす
るとキャリヤフィルム１が溶解するおそれがあるので、
350〜400℃が限度である。Further, since the bonding tool 13 heats the outer leads 3 and the conductive patterns 12 via the carrier film 1 having low thermal conductivity, the bonding tool 13 has a high temperature (the temperature at the tip is 350 to 400 ° C.).
And under heavy pressure (10-30 kg / cm 2 ) for a long time (including cooling
(15-20 seconds) There were problems such as the necessity of crimping.
In order to shorten the pressing time, it is conceivable to heat the bonding tool 13 to a higher temperature. However, the carrier film 1 may be melted.
350-400 ° C is the limit.
本発明は、上記の課題を解決すべくなされたもので、
下からの予備加熱を必要とせず、プリント配線基板の両
面に対向して半導体装置を実装することができ、しかも
軽加圧かつ短時間で実装を可能とした半導体装置のボン
ディング方法及び装置を得ることを目的としたものであ
る。The present invention has been made to solve the above problems,
It is possible to obtain a semiconductor device bonding method and apparatus which can mount a semiconductor device facing both sides of a printed wiring board without requiring preheating from below, and which can be mounted in a short time with light pressure. It is intended for that purpose.
［課題を解決するための手段］ 本発明に係る半導体装置のボンディング方法は、半導
体装置のアウターリードをボンディングツールにより基
板に設けた導体パターンに接続する半導体装置のボンデ
ィング方法において、先端部に、第１の当接部と、この
第１の当接部の内側に第１の当接部に対して窪んでおり
且つ半導体装置のアウターリード厚及びキャリアフィル
ム厚の総厚よりも小さくなるように形成された段差の第
２当接部とを有するボンディングツールを用いて、第２
の当接部をアウターリード又はキャリアフィルムに当接
させる工程と、この工程の後に、第２の当接部をアウタ
ーリード又はキャリアフィルムに加圧するとともに、第
１の当接部を導体パターンに当接させて、アウターリー
ドと導電パターンとを接続する工程とを有する。なお、
アウターリードとキャリアフィルムとは一対になってお
り、アウターリードが上に、キャリアフィルムが下にな
っている場合には、第２の当接部をアウターリードに当
接・加圧し、その逆の場合には、第２の当接部をキャリ
アフィルムに当接・加圧することになる。[Means for Solving the Problems] A bonding method of a semiconductor device according to the present invention is a bonding method of a semiconductor device in which an outer lead of the semiconductor device is connected to a conductor pattern provided on a substrate by a bonding tool. A contact portion and a recess inside the first contact portion with respect to the first contact portion and formed to be smaller than the total thickness of the outer lead and the carrier film of the semiconductor device. Using a bonding tool having a second contact portion of
Contacting the contact portion with the outer lead or the carrier film; and, after this step, pressing the second contact portion against the outer lead or the carrier film and contacting the first contact portion with the conductor pattern. Contacting the outer lead and the conductive pattern. In addition,
The outer lead and the carrier film are paired, and when the outer lead is on the upper side and the carrier film is on the lower side, the second contact portion is brought into contact with the outer lead and pressurized, and vice versa. In this case, the second contact portion is brought into contact with and pressed against the carrier film.
また、本発明に係る半導体装置のボンディング方法
は、ボンディングツールとして、半導体装置全体を完全
に囲むように形成されたものを用いる。In the bonding method for a semiconductor device according to the present invention, a bonding tool formed so as to completely surround the entire semiconductor device is used.
また、本発明に係る半導体装置のボンディング装置
は、半導体装置のアウターリードをボンディングツール
により基板に設けた導電パターンに接続する半導体装置
のボンディング装置において、ボンディングツールの先
端部に、導電パターンに当接する第１の当接部を設ける
とともに、この第１の当接部の内側に第１の当接部に対
して窪んでおり且つキャリアフィルム厚及びアウターリ
ード厚の総厚よりも小さくなるように形成された段差を
有し、アウターリード又はキャリアフィルムに当接する
第２の当接部を設けるものである。Further, the bonding device for a semiconductor device according to the present invention is a bonding device for a semiconductor device, wherein an outer lead of the semiconductor device is connected to a conductive pattern provided on a substrate by a bonding tool. A first contact portion is provided, and is formed inside the first contact portion so as to be depressed with respect to the first contact portion and to be smaller than the total thickness of the carrier film and the outer lead. A second contact portion having a stepped portion and contacting the outer lead or the carrier film is provided.
また、本発明に係る半導体装置のボンディング装置
は、前記のボンディングツールは、半導体装置全体を完
全に囲むように形成されてなるものである。In the bonding apparatus for a semiconductor device according to the present invention, the bonding tool is formed so as to completely surround the entire semiconductor device.
また、本発明に係る半導体装置のボンディング装置
は、前記のボンディングツールの先端部の中央部に第１
の当接部を設けるとともに、第１の当接部の両側に第２
の当接部を設けるものである。The bonding apparatus for a semiconductor device according to the present invention may further include a first bonding tool provided at a center of a tip of the bonding tool.
And a second contact portion on both sides of the first contact portion.
Are provided.
［作用］ ヒータを内蔵したボンディングツールを下降させる
と、第１の当接部がはんだを塗布した導電パターンに当
接し、第２の当接部がキャリヤフィルム又はアウターリ
ードに当接してそれぞれ加熱す。るついでボンディング
ツールを加圧すれば、はんだが溶融してアウターリード
は導電パターンに接続される。[Operation] When the bonding tool having a built-in heater is lowered, the first contact portion comes into contact with the conductive pattern to which the solder is applied, and the second contact portion comes into contact with the carrier film or the outer lead, thereby heating them. . Then, if the bonding tool is pressed, the solder melts and the outer leads are connected to the conductive pattern.
［実施例］ 第１図は本発明実施例の縦断面図、第２図はそのボン
ディングツールの底面図である。なお、第６図で説明し
た従来例と同じ部分には同じ符号を付し、説明を省略す
る。図において、13aはボンディングツールで、その下
面の外周にはボンディング時にプリント配線基板11の導
電パターン12に当接する第１の当接部14aが設けられて
おり、その内側にはボンディング時にキャリアフィルム
１に当接する第１の当接部14aよりｄだけ深く形成され
た第２の当接部15が形成されている。FIG. 1 is a longitudinal sectional view of an embodiment of the present invention, and FIG. 2 is a bottom view of the bonding tool. The same parts as those of the conventional example described with reference to FIG. 6 are denoted by the same reference numerals, and description thereof will be omitted. In the figure, reference numeral 13a denotes a bonding tool, on the outer periphery of the lower surface of which is provided a first abutting portion 14a which abuts on the conductive pattern 12 of the printed wiring board 11 at the time of bonding. A second abutting portion 15 is formed which is formed deeper by d than the first abutting portion 14a abuts on the second abutting portion.
ここで、第２の当接部15の深さｄは、キャリヤフィル
ム１の厚さをt1、アウターリード３の厚さをt2とすれ
ば、ｄ＜t1＋t2に設定する。例えば、t1＝100μｍ、t2
＝40μｍとすれば、ｄは140μｍより僅かに浅くする。1
6は第２の当接部15に続いてボンディングツール13aの中
央部に形成された、半導体装置10との干渉を避けるため
の凹部である。Here, the depth d of the second contact portion 15, the thickness t 1 of the carrier film 1, when the thickness of the outer lead 3 and t 2, is set to d <t 1 + t 2. For example, t 1 = 100 μm, t 2
If d = 40 μm, d is slightly shallower than 140 μm. 1
Reference numeral 6 denotes a recess formed at the center of the bonding tool 13a following the second contact portion 15 to avoid interference with the semiconductor device 10.
次に、本発明の作用を説明する。先ず、半導体装置10
をプリント配線基板11上に載置して、アウターリード３
をそれぞれ導電パターン12に整合させる。この状態でヒ
ータ17により加熱（先端部の温度は350〜400℃）された
ボンディングツール13aを下降させると、第１の当接部1
4aははんだが塗布された導電パターン12に近接又は当接
し、第２の当接部15はキャリヤフィルム１に当接する。
そしてボンディングツール13aを加圧（3kg/cm2以下）す
ると、導電パターン12に塗布したはんだが溶融し、アウ
ターリード３は短時間（１〜2.5秒）で導電パターン12
に接続される。Next, the operation of the present invention will be described. First, the semiconductor device 10
Is placed on the printed wiring board 11 and the outer leads 3
Are respectively matched to the conductive patterns 12. In this state, when the bonding tool 13a heated by the heater 17 (the temperature at the distal end is 350 to 400 ° C.) is lowered, the first contact portion 1
4a is close to or in contact with the conductive pattern 12 to which the solder is applied, and the second contact portion 15 is in contact with the carrier film 1.
When the bonding tool 13a is pressurized (3 kg / cm 2 or less), the solder applied to the conductive pattern 12 is melted, and the outer leads 3 are turned on in a short time (1 to 2.5 seconds).
Connected to.
また、プリント配線基板11の両面の対称位置に半導体
装置10,10aを実装する場合は、ボンディング装置にプリ
ント配線基板11の反転装置を組合せ、プリント配線基板
11の一方の面に半導体装置（例えば10a）を装着したの
ちプリント配線基板11を反転させれば、他方の面に別の
半導体装置10を装着することができる。さらに、プリン
ト配線基板11の一方の面（下面）に半導体装置10を仮付
けすることにより、２台のボンディングツールを使用し
て両面同時に半導体装置10,10aを装着することも可能で
あり、あるいは既に装着されている半導体装置の裏側に
半導体装置を装着することもできる等、高密度実装を行
なうことができる。When the semiconductor devices 10 and 10a are mounted at symmetrical positions on both sides of the printed wiring board 11, the bonding device is combined with a reversing device for the printed wiring board 11, and the printed wiring board 11 is mounted.
If the printed circuit board 11 is turned over after the semiconductor device (for example, 10a) is mounted on one surface of the 11, another semiconductor device 10 can be mounted on the other surface. Further, by temporarily attaching the semiconductor device 10 to one surface (lower surface) of the printed wiring board 11, it is possible to simultaneously mount the semiconductor devices 10, 10a on both surfaces using two bonding tools, or High-density mounting can be performed, for example, the semiconductor device can be mounted on the back side of the already mounted semiconductor device.
第３図は本発明の別の実施例を示す断面図である。本
実施例においてはボンディングツール13bの底面中央部
に第１の当接部14bを設けると共に、その両側に第２の
当接部15a,15bを設けたものである。FIG. 3 is a sectional view showing another embodiment of the present invention. In this embodiment, a first contact portion 14b is provided at the center of the bottom surface of the bonding tool 13b, and second contact portions 15a and 15b are provided on both sides thereof.
上記のように構成した本実施例においては、第３図
（ａ）に示すように、先ず、ボンディングツール13bに
より一方の側（図では右側）の導電パターン12とアウタ
ーリード３とを接続し、次にボンデンィングツール13b
を矢印方向に移動させ、第３図（ｂ）に示すように他方
の側（図では左側）の導電パターン12とアウターリード
13とを接続するようにしたもので、これは形状の異なる
パッケージの半導体装置を多数実装する場合に、特に有
効である。In the present embodiment configured as described above, as shown in FIG. 3A, first, the conductive pattern 12 on one side (the right side in the figure) and the outer lead 3 are connected by a bonding tool 13b. Next, the bonding tool 13b
Is moved in the direction of the arrow, and as shown in FIG. 3B, the conductive pattern 12 on the other side (the left side in the figure) and the outer lead
This is particularly effective when a large number of semiconductor devices in packages having different shapes are mounted.
上記の実施例では、本発明をキャリヤフィルムを使用
した半導体装置を実装する例について説明したが、リー
ドフレームを使用した半導体装置など、他の半導体装置
を基板に実装する場合にも実施することができる。In the above embodiments, the present invention has been described with respect to an example in which a semiconductor device using a carrier film is mounted. However, the present invention can also be implemented when other semiconductor devices such as a semiconductor device using a lead frame are mounted on a substrate. it can.
［発明の効果］ 以上詳述したように、本発明は１台のボンディングツ
ールで、はんだが塗布された導電パターンとアウターリ
ードとを同時に加熱して接続するようにしたので、次の
ような顕著な効果を得ることができる。[Effects of the Invention] As described above in detail, the present invention heats and connects the conductive pattern coated with the solder and the outer lead simultaneously with a single bonding tool. Effects can be obtained.
（１）プリント配線基板を予熱するための加熱台が不要
であり、設備を簡素化することができる。(1) A heating stand for preheating the printed wiring board is unnecessary, and the equipment can be simplified.
また、プリント配線基板の両面に対向して半導体装置
を装着することもできるので高密度実装が可能となる。Further, the semiconductor device can be mounted so as to face both sides of the printed wiring board, so that high-density mounting is possible.
（２）ボンディングツールの加圧力を従来の1/3以下に
低減でき、ボンディング時間も従来の1/6以下にできる
ので、生産性を大幅に向上させることができる。(2) Since the pressing force of the bonding tool can be reduced to 1/3 or less of the conventional one and the bonding time can be reduced to 1/6 or less of the conventional, the productivity can be greatly improved.
（３）ボンディングツールに第１の当接部と第２の当接
部とを設け、第２の当接部を、第１の当接部の内側に第
１の当接部に対して窪んでおり且つ半導体装置のアウタ
ーリード厚及びキャリアフィルム厚の総厚よりも小さく
なるように形成された段差から構成したので、先に第２
の当接部がアウターリード又はキャリアフィルムに当接
し、その後に、第１当接部が導電パターンに当接される
ことになる。つまり、第１当接部が導体パターンに当た
る前に第２当接部がアウターリード又はキャリアフィル
ムに当たることで、半導体装置のアウターリード又はキ
ャリアフィルムが基板に押し付けられた状態（すなわ
ち、基板に固定された状態）で、第１当接部が導体パタ
ーンに当たり接続が行われる。従って、位置固定した状
態で加圧（接続）されるので、確実に接続することがで
きる。(3) A first contact portion and a second contact portion are provided on the bonding tool, and the second contact portion is recessed inside the first contact portion with respect to the first contact portion. And a step formed so as to be smaller than the total thickness of the outer lead and the carrier film of the semiconductor device.
Abuts on the outer lead or the carrier film, and then the first abutment comes into contact with the conductive pattern. That is, since the second contact portion contacts the outer lead or the carrier film before the first contact portion contacts the conductor pattern, the outer lead or the carrier film of the semiconductor device is pressed against the substrate (that is, fixed to the substrate). In this state, the first contact portion hits the conductor pattern and the connection is made. Therefore, since the pressure is applied (connected) while the position is fixed, the connection can be reliably performed.
（４）また、ボンディングツールとして半導体装置全体
を完全に囲むように形成されたものを用いるようにした
ので、熱容量を大きくすることができる。このため、ボ
ンディングツール先端の温度を安定させることができ、
接続信頼性の向上につながる。また、半導体装置全体を
同じ雰囲気下に置くことができるので、雰囲気が異なる
事により発生する問題（例えば、半導体チップと基板と
の熱膨張率のミスマッチにより生じるストレスの緩和
等）を緩和することができる。(4) Since a bonding tool formed so as to completely surround the entire semiconductor device is used, the heat capacity can be increased. Therefore, the temperature at the tip of the bonding tool can be stabilized,
This leads to improved connection reliability. In addition, since the entire semiconductor device can be placed in the same atmosphere, problems caused by different atmospheres (eg, relaxation of stress caused by mismatch in the coefficient of thermal expansion between the semiconductor chip and the substrate) can be reduced. it can.
（５）また、前記のボンディングツールの先端部の中央
部に第１の当接部を設けるとともに、第１の当接部の両
側に第２の当接部を設けたので、半導体装置の平面的な
サイズに変更があっても対応することができ、汎用性の
ある半導体装置のボンディング装置を提供できる。(5) In addition, the first contact portion is provided at the center of the tip of the bonding tool, and the second contact portions are provided on both sides of the first contact portion. It is possible to cope with a change in the general size, and it is possible to provide a versatile semiconductor device bonding apparatus.
第１図は本発明実施例の縦断面図、第２図はそのボンデ
ィングツールの底面図、第３図（ａ），（ｂ）は本発明
の他の実施例の説明図、第４図はキャリアフィルムを使
用した半導体装置の説明図、第５図はそのＡ−Ａ断面
図、第６図は従来のボンディング方式を示す断面図であ
る。 1:キャリヤフィルム、3:アウターリード、3a:インナー
リード、6:半導体素子、10:半導体装置、11:プリント配
線基板、12:導電パターン、13a,13b:ボンディングツー
ル、14a,14b:第１の当接部、15,15a,15b:第２の当接
部、17:ヒータ。FIG. 1 is a longitudinal sectional view of an embodiment of the present invention, FIG. 2 is a bottom view of the bonding tool, FIGS. 3 (a) and 3 (b) are explanatory views of another embodiment of the present invention, and FIG. FIG. 5 is an explanatory view of a semiconductor device using a carrier film, FIG. 5 is a sectional view taken along line AA, and FIG. 6 is a sectional view showing a conventional bonding method. 1: carrier film, 3: outer lead, 3a: inner lead, 6: semiconductor element, 10: semiconductor device, 11: printed wiring board, 12: conductive pattern, 13a, 13b: bonding tool, 14a, 14b: first Contact part, 15, 15a, 15b: second contact part, 17: heater.
Claims (5)
グツールにより基板に設けた導体パターンに接続する半
導体装置のボンディング方法において、 先端部に、第１の当接部と、該第１の当接部の内側に該
第１の当接部に対して窪んでおり且つ前記半導体装置の
前記アウターリード厚及びキャリアフィルム厚の総厚よ
りも小さくなるように形成された段差の第２当接部とを
有するボンディングツールを用いて、前記第２の当接部
を前記アウターリード又はキャリアフィルムに当接させ
る工程と、 前記工程の後に、前記第２の当接部を前記アウターリー
ド又はキャリアフィルムに加圧するとともに前記第１の
当接部を前記導体パターンに当接させて、前記アウター
リードと前記導電パターンとを接続する工程と、 を有することを特徴とする半導体装置のボンディング方
法。1. A bonding method for a semiconductor device, wherein an outer lead of the semiconductor device is connected to a conductor pattern provided on a substrate by a bonding tool, wherein a tip portion has a first contact portion, and a first contact portion. A second contact portion having a step formed therein so as to be recessed with respect to the first contact portion and formed to be smaller than the total thickness of the outer lead and the carrier film of the semiconductor device; Using a bonding tool, bringing the second contact portion into contact with the outer lead or the carrier film; and, after the step, pressing the second contact portion against the outer lead or the carrier film. Contacting the first contact portion with the conductor pattern to connect the outer lead and the conductive pattern. Bonding method of the conductor arrangement.
体装置全体を完全に囲むように形成されたものを用いる
ことを特徴とする請求項１記載の半導体装置のボンディ
ング方法。2. The bonding method for a semiconductor device according to claim 1, wherein a tool formed so as to completely surround the entire semiconductor device is used as said bonding tool.
グツールにより基板に設けた導電パターンに接続する半
導体装置のボンディング装置において、 前記ボンディングツールの先端部に前記導電パターンに
当接する第１の当接部を設けると共に、該第１の当接部
の内側に該第１の当接部に対して窪んでおり且つ前記キ
ャリアフィルム厚及び前記アウターリード厚の総厚より
も小さくなるように形成された段差を有し、前記アウタ
ーリード又はキャリアフィルムに当接する第２の当接部
を設けることを特徴とする半導体装置のボンディング装
置。3. A bonding device for a semiconductor device, wherein an outer lead of the semiconductor device is connected to a conductive pattern provided on a substrate by a bonding tool, wherein a first contact portion that contacts the conductive pattern is provided at a tip end of the bonding tool. And a step formed inside the first contact portion and recessed with respect to the first contact portion and formed so as to be smaller than the total thickness of the carrier film thickness and the outer lead thickness. A bonding device for a semiconductor device, comprising: a second contact portion that contacts the outer lead or the carrier film.
置全体を完全に囲むように形成されてなることを特徴と
する請求項３記載の半導体装置のボンディング装置。4. The bonding apparatus for a semiconductor device according to claim 3, wherein said bonding tool is formed so as to completely surround said entire semiconductor device.
に前記第１の当接部を設けるとともに、該第１の当接部
の両側に前記第２の当接部を設けることを特徴とする請
求項３記載の半導体装置のボンディング装置。5. The bonding tool according to claim 1, wherein the first contact portion is provided at a central portion of a tip portion of the bonding tool, and the second contact portion is provided on both sides of the first contact portion. A bonding apparatus for a semiconductor device according to claim 3.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1228206A JP2803211B2 (en) | 1989-09-05 | 1989-09-05 | Semiconductor device bonding method and bonding apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1228206A JP2803211B2 (en) | 1989-09-05 | 1989-09-05 | Semiconductor device bonding method and bonding apparatus |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0391990A JPH0391990A (en) | 1991-04-17 |
| JP2803211B2 true JP2803211B2 (en) | 1998-09-24 |
Family
ID=16872858
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1228206A Expired - Fee Related JP2803211B2 (en) | 1989-09-05 | 1989-09-05 | Semiconductor device bonding method and bonding apparatus |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2803211B2 (en) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6485109B2 (en) | 1999-05-28 | 2002-11-26 | Simpson Industries, Inc. | Knuckle hub assembly and method for making same |
| CN100436270C (en) * | 2003-10-10 | 2008-11-26 | 西巴特殊化学品控股有限公司 | Method and arrangement for emptying big bags |
| US9120195B2 (en) | 2009-02-20 | 2015-09-01 | Diversified Machine, Inc. | Wheel assembly and method for making same |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6448496A (en) * | 1987-08-19 | 1989-02-22 | Fujitsu Ltd | Soldering device for flat package ic |
-
1989
- 1989-09-05 JP JP1228206A patent/JP2803211B2/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0391990A (en) | 1991-04-17 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5519936A (en) | Method of making an electronic package with a thermally conductive support member having a thin circuitized substrate and semiconductor device bonded thereto | |
| JPH06302653A (en) | Semiconductor device | |
| JPH08186151A (en) | Semiconductor device and manufacture thereof | |
| JP2803211B2 (en) | Semiconductor device bonding method and bonding apparatus | |
| JPH0394460A (en) | Semiconductor device and manufacture thereof | |
| KR100198682B1 (en) | Semiconductor device manufacturing method | |
| JPH06310563A (en) | Semiconductor device and manufacture thereof | |
| JPS6389313A (en) | Molding of resin in mold for electronic component | |
| JP3348830B2 (en) | Solder bump bonding apparatus and solder bump bonding method | |
| JP2974819B2 (en) | Semiconductor device and manufacturing method thereof | |
| JP2748771B2 (en) | Film carrier semiconductor device and method of manufacturing the same | |
| JPS62126645A (en) | Lsi-chip mounting method | |
| JPH10189655A (en) | Wiring board, semiconductor device and mounting of electronic component | |
| JPH0878599A (en) | Integrated circuit package and manufacture thereof | |
| JP2986661B2 (en) | Method for manufacturing semiconductor device | |
| JP3509532B2 (en) | Semiconductor device substrate, semiconductor device, method of manufacturing the same, and electronic device | |
| JPH09153562A (en) | Method of mounting solder ball on pad area array package | |
| JP3003435B2 (en) | Electronic component manufacturing method and electronic component bonding method | |
| JPH0677285A (en) | Mounting of ic element | |
| JPH05291739A (en) | Connecting terminal and connecting method for device using same | |
| JPH04329659A (en) | Hybrid integrated circuit device and manufacture thereof | |
| JPH07201894A (en) | Manufacture of electronic parts mounting device | |
| JPH04299544A (en) | Manufacture of film carrier semiconductor device | |
| JPH03101289A (en) | Packaging structure of semiconductor device | |
| JPH1074803A (en) | Electronic component and method of mounting the same |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |