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JP2801104B2 - Manufacturing method of active matrix drive type scattering type liquid crystal display device - Google Patents

Manufacturing method of active matrix drive type scattering type liquid crystal display device

Info

Publication number
JP2801104B2
JP2801104B2 JP1427492A JP1427492A JP2801104B2 JP 2801104 B2 JP2801104 B2 JP 2801104B2 JP 1427492 A JP1427492 A JP 1427492A JP 1427492 A JP1427492 A JP 1427492A JP 2801104 B2 JP2801104 B2 JP 2801104B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
liquid crystal
film
electrode
tft
display device
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
JP1427492A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JPH05203988A (en
Inventor
茂人 吉田
昌浩 足立
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sharp Corp
Original Assignee
Sharp Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sharp Corp filed Critical Sharp Corp
Priority to JP1427492A priority Critical patent/JP2801104B2/en
Publication of JPH05203988A publication Critical patent/JPH05203988A/en
Application granted granted Critical
Publication of JP2801104B2 publication Critical patent/JP2801104B2/en
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  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】アクテイブマトリックス駆動方式
散乱型液晶表示装置の製造方法、特にTFTを用いたア
クテイブマトリックス駆動方式と、ポリマー分散型液晶
層による散乱モードを組み合わせた液晶表示装置の製造
方法に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method of manufacturing a scattering type liquid crystal display device using an active matrix driving method, and more particularly to a method of manufacturing a liquid crystal display device combining an active matrix driving method using a TFT and a scattering mode using a polymer dispersed liquid crystal layer.

【0002】[0002]

【従来の技術】まずポリマー分散型液晶を用いた従来の
TFT−LCDの構造について説明する。図6の平面図
(a)及び、平面図中P−P’の断面図(b)に示すよ
うに、ガラス基板601上に、TFT602及び画素電
極603をマトリックス状に設け、TFTを動作させる
走査電極線604及び、信号電極605を直交配線
し、TFTを備えた基板を構成する。そしてこの基板
にパッシベーション膜606を設ける。平面図ではパッ
シベーション膜606は省略してある。なお図中607
はゲート絶縁膜、608は非ドープアモルファスシリコ
ン膜、609はn+アモルファスシリコン膜、610は
ソース電極、611はドレイン電極であり、ソース電極
610は信号電極605と同種金属であり、両者は互
いに接続されている。
2. Description of the Related Art First, the structure of a conventional TFT-LCD using a polymer dispersed liquid crystal will be described. As shown in the plan view (a) of FIG. 6 and the cross-sectional view taken along the line PP ′ in the plan view (b), the TFTs 602 and the pixel electrodes 603 are provided in a matrix on the glass substrate 601 and scanning for operating the TFTs is performed. The electrode lines 604 and the signal electrode lines 605 are wired orthogonally to form a substrate having a TFT. Then, a passivation film 606 is provided on this substrate . In the plan view, the passivation film 606 is omitted. 607 in the figure
Is a gate insulating film, 608 is an undoped amorphous silicon film, 609 is an n + amorphous silicon film, 610 is a source electrode, 611 is a drain electrode, and the source electrode 610 is the same kind of metal as the signal electrode line 605. It is connected.

【0003】また、対向基板側は、図7の平面図(a)
及び、平面図中P−P’の断面図(b)に示すように、
ガラス基板701上にクロム膜をスパッタリング法で成
膜した後、斜線で示すパターン702にパターニングす
る。これは、TFTを備えた基板からの漏れ光を遮断す
る役目がある。703はTFTを備えた基板の両画素電
極に対応する開口部で、この部分が有効表示部となる。
さらにこの上にITO膜704を画面全体に形成し、対
向電極とする。
FIG. 7A is a plan view of the counter substrate side.
And, as shown in the sectional view (b) of PP ′ in the plan view,
After a chromium film is formed on the glass substrate 701 by a sputtering method, the chromium film is patterned into a pattern 702 indicated by oblique lines. This serves to block light leaked from the substrate provided with the TFT. Reference numeral 703 denotes an opening corresponding to both pixel electrodes of the substrate provided with the TFT, and this portion becomes an effective display portion.
Further, an ITO film 704 is formed on the entire screen to serve as a counter electrode.

【0004】前記の走査電極及び、信号電極は、T
FTを備えた基板のエッジ部、つまり画面外周辺に電極
端子として配線され、その部分でドライバーICと接続
される。図8を参照して、801は走査電極端子、80
2は信号電極端子、803は後で述べる対向電極端子で
ある。図9を参照して、対向基板901の周囲に直径1
0μmのプラスチックビーズを混入した熱硬化性のシー
ル樹脂902をスクリーン印刷の手法を用いて設け、先
に述べたTFTを備えた基板903と真空中で貼り合わ
せた。この際、対向基板の四隅には導電性樹脂904を
設け、対向基板のITO膜とTFTを備えた基板の対向
電極用電極線905が接続されるようにする貼り合わせ
後、加熱処理を行い、シール樹脂を硬化させて、液晶パ
ネルを完成させる。
The above-mentioned scanning electrode lines and signal electrode lines are T
It is wired as an electrode terminal around the edge portion of the substrate provided with the FT, that is, outside the screen, and is connected to the driver IC at that portion. Referring to FIG. 8, reference numeral 801 denotes a scanning electrode terminal;
2 is a signal electrode terminal, and 803 is a counter electrode terminal described later. With reference to FIG.
A thermosetting sealing resin 902 mixed with 0 μm plastic beads was provided by using a screen printing method, and bonded to the above-described substrate 903 provided with a TFT in a vacuum. At this time, a conductive resin 904 is provided at the four corners of the opposing substrate, and bonding is performed so that the ITO film of the opposing substrate and the electrode line 905 for the opposing electrode of the substrate provided with the TFT are connected. The sealing resin is cured to complete the liquid crystal panel.

【0005】断面図を図10に示す。1001はシール
樹脂である。両基板の間にはスペーサとしてプラスチッ
クビーズ1002を配置し、一定の厚さの空隙を基板間
に形成する。この空隙に光重合性をもつ、ポリマーのモ
ノマーあるいはオリゴマーと液晶材料の混合物1003
を注入し、封止する。1004はTFTを備えた基板、
1005はTFT、1006は画素電極、1007はパ
ッシベーション膜、1008は対向基板、1009は遮
光膜、1010は対向電極である。
FIG. 10 is a sectional view. 1001 is a sealing resin. Plastic beads 1002 are arranged as spacers between the two substrates, and a gap having a certain thickness is formed between the substrates. A mixture of a polymer monomer or oligomer and a liquid crystal material having photopolymerizability in the voids 1003
Is injected and sealed. 1004 is a substrate provided with a TFT,
1005 is a TFT, 1006 is a pixel electrode, 1007 is a passivation film, 1008 is a counter substrate, 1009 is a light shielding film, and 1010 is a counter electrode.

【0006】次にこの液晶パネルに紫外線を照射して、
ポリマーのモノマーあるいはオリゴマーを重合させる。
この重合によって、ポリマーと液晶が相分離反応する。
この時図11に示すように液晶相1101を構成する液
晶分子1102はポリマー化合物1103の網目構造中
に分散し、界面1104に沿って配向する。この配向方
向は規制されないからパネル内における液晶分子の配向
はランダムとなりパネルに入射する光を散乱する。なお
1105は透明電極である。そしてこの液晶パネルの走
査電極線及び、信号電極線、対向電極線それぞれ対応す
る電極端子にドライバーICを実装し、駆動回路に接続
する。
Next, the liquid crystal panel is irradiated with ultraviolet rays,
The monomer or oligomer of the polymer is polymerized.
This polymerization causes a phase separation reaction between the polymer and the liquid crystal.
At this time, as shown in FIG. 11, the liquid crystal molecules 1102 constituting the liquid crystal phase 1101 are dispersed in the network structure of the polymer compound 1103 and aligned along the interface 1104. Since the orientation direction is not restricted, the orientation of the liquid crystal molecules in the panel becomes random, and the light incident on the panel is scattered. Reference numeral 1105 denotes a transparent electrode. Then, a driver IC is mounted on the electrode terminals corresponding to the scanning electrode lines, the signal electrode lines, and the counter electrode lines of the liquid crystal panel, and is connected to a driving circuit.

【0007】パネルの駆動法について簡単に説明する。
走査電極線に最上段から順次、パルス信号を入力し、そ
れぞれの走査電極線上のTFTを動作させる。この動作
タイミングに合わせて信号電極から映像信号を入力する
と、それぞれのTFTに接続された画素電極と、それに
向かい合う対向電極の間に電圧が印加される。液晶相に
電圧が印加されると、図12に示すように、液晶分子が
電界方向に配向するため、光の散乱作用が減少し、透明
となる、この透明状態と電圧無印加時の散乱状態を印加
電圧で制御することにより画像表示を行う。
A brief description will be given of a panel driving method.
A pulse signal is sequentially input to the scanning electrode lines from the top, and the TFTs on each scanning electrode line are operated. When a video signal is input from a signal electrode in accordance with this operation timing, a voltage is applied between a pixel electrode connected to each TFT and a counter electrode facing the pixel electrode. When a voltage is applied to the liquid crystal phase, as shown in FIG. 12, the liquid crystal molecules are aligned in the direction of the electric field, so that the light scattering action is reduced and the liquid crystal phase becomes transparent. Is controlled by the applied voltage to display an image.

【0008】[0008]

【発明が解決しようとする課題】上記の液晶パネル製造
工程においては、紫外線をパネルに照射することで、ポ
リマーのモノマーあるいはオリゴマーを重合させる工程
がある。この時、TFTを備えた基板側から紫外線を照
射すると、走査電極線及び、信号電極線が入射光を遮断
し、また対向基板側から紫外線を照射すると、遮光パタ
ーン(図7参照)が入射光を遮断する。従って、従来の
アクテイブマトリクス駆動方式によるポリマー分散型液
晶表示装置では、パネル内部に重合するための紫外線が
照射されない部分があり、その部分のモノマーあるいは
オリゴマーは重合されない。
In the above-mentioned liquid crystal panel manufacturing process, there is a step of irradiating the panel with ultraviolet rays to polymerize a polymer monomer or oligomer. At this time, when ultraviolet rays are irradiated from the substrate side provided with the TFT, the scanning electrode lines and the signal electrode lines block incident light, and when ultraviolet rays are irradiated from the counter substrate side, the light shielding pattern (see FIG. 7) changes the incident light. Cut off. Therefore, in the conventional polymer-dispersed liquid crystal display device using the active matrix driving method, there is a portion in the panel where ultraviolet rays for polymerization are not irradiated, and the monomer or oligomer in that portion is not polymerized.

【0009】この重合されない部分は液晶表示装置の非
表示部となるが、液晶表示装置の使用時間の経過と共
に、未重合物質が表示部に拡散して、表示部の電気光学
特性が変化する。従って、表示品位の信頼性に問題があ
った。
The non-polymerized portion becomes a non-display portion of the liquid crystal display device. However, as the use time of the liquid crystal display device elapses, the unpolymerized substance diffuses into the display portion, and the electro-optical characteristics of the display portion change. Therefore, there is a problem in reliability of display quality.

【0010】[0010]

【発明が解決しようとする課題】この発明は、一対の絶
縁性基板における一方の基板上に走査電極を形成し、
前記走査電極上に複数の薄膜トランジスター(TF
T)を設置し、その上にパターン化した信号電極線を設
け、TFTを介して前記信号電極線より電圧印加しう
るように画素電極を設置し、前記画素電極上をパッシベ
ーション膜被覆し、TFT部、画素電極と走査電極線
間の非表示部、画素電極と信号電極線間の非表示部を遮
蔽するようにパッシベーション膜の上に遮蔽膜を設け、
他方の基板上に対向電極を設け、対向電極とTFTが対
向するように一対の絶縁性基板を設置し、一対の絶縁性
基板間に光重合性をもつモノマーと、液晶材料の混合物
を注入し、他方の基板側から光照射してポリマー分散型
液晶層を形成することを特徴とするアクティブマトリッ
クス駆動方式散乱型液晶表示装置の製造方法に関する。
According to the present invention, a scanning electrode line is formed on one of a pair of insulating substrates,
A plurality of thin film transistors (TF) are provided on the scanning electrode lines.
T) is provided, a patterned signal electrode line is provided thereon, and a voltage is applied from the signal electrode line via a TFT .
The pixel electrode placed on so that, on the pixel electrode is coated with passivation <br/> Shon film, TFT portion, the pixel electrode and the scanning electrode lines
Provide a shielding film on the passivation film so as to shield the non-display portion between , the non-display portion between the pixel electrode and the signal electrode line ,
A counter electrode is provided on the other substrate, and the counter electrode and the TFT are paired.
Install a pair of insulating substrates so that they face each other.
A monomer having a photopolymerizable between the substrates, injecting a mixture of liquid crystal material, an active matrix drive system scattering type liquid crystal display device with light irradiated from the other substrate side and forming a polymer dispersed liquid crystal layer And a method for producing the same.

【0011】本発明のTFTパネルの製造工程を図を追
って説明する。図2から図5はTFTアレイの平面図
(a)及び平面図中P−P’の断面図(b)を工程に沿
って順次示したものであり、この図を参照して説明す
る。なお補助容量並びに補助容量電極線等、本発明に直
接関係しない部分は省略している。まず、図2を参照し
て、ガラス基板201上にタンタルの薄膜をスパッタリ
ング法で形成して、フォトリソグラフの手法を用いて走
査電極202を形成する。
The manufacturing process of the TFT panel of the present invention will be described with reference to the drawings. 2 to 5 are a plan view (a) of the TFT array and a cross-sectional view (b) of PP ′ in the plan view, which are sequentially shown along the process, and will be described with reference to this drawing. Parts that are not directly related to the present invention, such as auxiliary capacitance and auxiliary capacitance electrode lines, are omitted. First, referring to FIG. 2, a tantalum thin film is formed on a glass substrate 201 by a sputtering method, and a scanning electrode 202 is formed by a photolithographic method.

【0012】ここで、基板は前記ガラスの他に石英など
が挙げられ、好適にはガラスが適用できる。走査電極
用の素材としては、前記タンタルの他にアルミ、クロム
等が好適に適用される。次に図3を参照して、ゲート絶
縁膜である窒化シリコン膜301、非ドープアモルファ
スシリコン膜302、及びn+ アモルファスシリコン膜
303を順次プラズマCVD法により形成し、両アモル
ファスシリコン膜を島状にパターニングする。
Here, the substrate may be quartz or the like in addition to the above-mentioned glass, and glass may be preferably used. Scan electrode line
Aluminum, chromium, etc., in addition to the above-mentioned tantalum, are suitably applied as the material for the application. Next, referring to FIG. 3, a silicon nitride film 301 as a gate insulating film, an undoped amorphous silicon film 302, and an n + amorphous silicon film 303 are sequentially formed by a plasma CVD method, and both amorphous silicon films are formed in an island shape. Perform patterning.

【0013】次に図4を参照して、チタン膜401をス
パッタリング法で成膜し、そしてn + シリコン膜と共に
パターン化して信号電極線を形成する。次に図5のTF
Tアレイの平面図(a)及び平面図中P−P’の断面図
(b)を参照して、ITO膜をスパッタリング法により
成膜し、画素電極501としてパターン化する。そし
て、窒化シリコン膜を画面全体に形成し、パッシベーシ
ョン膜502とする。
Next, referring to FIG.
Formed by a sputtering method, and n +With silicon film
Patterning is performed to form signal electrode lines. Next, the TF of FIG.
Plan view (a) of the T array and a cross-sectional view taken along line P-P 'in the plan view.
Referring to (b), the ITO film is formed by sputtering.
A film is formed and patterned as a pixel electrode 501. Soshi
To form a silicon nitride film over the entire screen
Film 502.

【0014】TFTは前記アモルファスシリコン系の他
に、ポリシリコン系などが挙げられる。なお、パッシベ
ーション膜は、ここで用いた窒化シリコン膜に限らず、
酸化シリコン膜、あるいはポリイミド膜等の高分子樹脂
膜でもよい。パッシベーション膜502の上に、クロム
膜をスパッタリング法で成膜後、図1の平面図(a)及
び平面図中P−P’の断面図(b)に示すようにTFT
画素電極と走査電極線間の非表示部、画素電極と信
号電極間の非表示部の上に、それらを遮蔽する大きさ
の遮光膜101をパターニングする。さらに、遮光膜材
料としてクロム膜の他にアルミニウム、チタン、モリブ
デン、タンタルモリブデン、チタンまたはカーボンブラ
ックあるいは黒色顔料を混入したアクリル系樹脂、ポリ
イミド樹脂、ポリアミド樹脂などの黒色樹脂が好適に利
用される。
The TFT may be a polysilicon type or the like in addition to the amorphous silicon type. The passivation film is not limited to the silicon nitride film used here,
A silicon oxide film or a polymer resin film such as a polyimide film may be used. After a chromium film is formed on the passivation film 502 by a sputtering method, as shown in a plan view (a) of FIG. 1 and a cross-sectional view (PP) of FIG.
Parts, non-display portion between the pixel electrode and the scanning electrode lines, on the non-display portion between the pixel electrode and the signal electrode line is patterned light-shielding film 101 sized to shield them. Further, in addition to a chromium film, a black resin such as aluminum, titanium, molybdenum, tantalum molybdenum, titanium, carbon black or an acrylic resin mixed with a black pigment, a polyimide resin, a polyamide resin, or the like is preferably used as a light shielding film material.

【0015】対向基板側には、まずガラス基板上にIT
Oをスパッタリング法で成膜し、対向電極とする。遮光
膜は形成しない。対向基板材料としては前記ITO膜の
他に酸化スズや酸化インジウムが適用されるが、ITO
膜が好適である。このようにして作製した対向基板とT
FTを備えた基板を、対向電極とTFTが対向するよう
直径約10μmのプラステチックビーズを間に挟んで
シール樹脂を用いて貼り合わせる。その後、予めシール
樹脂パターンの一部を開口して設けた注入口から、紫外
線等の光による重合性をもつモノマーまたはオリゴマー
と液晶材料の混合物を注入し、注入口を樹脂により封止
する。
On the opposing substrate side, first, an IT
O is formed as a counter electrode by sputtering. No light-shielding film is formed. As the counter substrate material, tin oxide or indium oxide is applied in addition to the ITO film.
A membrane is preferred. The counter substrate thus manufactured and T
The substrate with the FT is placed so that the counter electrode and the TFT face each other.
Bonded with interposed therebetween sealing resin between the Purasute tick beads having a diameter of about 10μm to. Thereafter, a mixture of a monomer or oligomer polymerizable by light such as ultraviolet rays and a liquid crystal material is injected from an injection port provided by opening a part of the sealing resin pattern in advance, and the injection port is sealed with a resin.

【0016】注入後、紫外線等の光を対向基板側から照
射し、モノマーあるいはオリゴマーを重合させ、ポリマ
ー分散型液晶層を形成する。ここで、紫外線等の光によ
る重合性をもつモノマーまたはオリゴマーはアクリル系
材料、エポキシ系材料等が挙げられ、好適にはアクリル
系材料が適用される。また、液晶材料としてはシアノフ
ェニルシクロヘキサン系、シアノビフェニル系、フッ素
系、トラン系などが挙げられる。
After the injection, light such as ultraviolet rays is irradiated from the counter substrate side to polymerize the monomer or oligomer to form a polymer dispersed liquid crystal layer. Here, examples of the monomer or oligomer having polymerizability by light such as ultraviolet light include acrylic materials and epoxy materials, and acrylic materials are preferably used. Examples of the liquid crystal material include cyanophenylcyclohexane, cyanobiphenyl, fluorine, and tolane.

【0017】この後は、従来法と同じように駆動用IC
と駆動用回路により液晶表示装置に画像表示を行う。
After that, as in the conventional method, the driving IC
Then, an image is displayed on the liquid crystal display device by the driving circuit.

【0018】[0018]

【作用】上記の手段を用いることにより、パネル内の未
重合残存物質をほぼ無くすことができ、その結果、表示
品位が高く、信頼性の良いアクテイブマトリクス駆動方
式液晶表示装置を提供することができる。
By using the above-mentioned means, the unpolymerized residual substance in the panel can be almost eliminated, and as a result, an active matrix drive type liquid crystal display device with high display quality and high reliability can be provided. .

【0019】[0019]

【実施例】本発明のTFTパネルの製造工程を説明す
る。前記の図2から図5までは製造工程について、図1
は完成したパネルの平面図と断面図の概略である。図2
から図5はTFTアレイの平面図(a)及び平面図中P
−P’の断面図(b)を工程に沿って順次示したもので
あり、この図を参照して説明する。なお補助容量並びに
補助容量電極線等、本発明に直接関係しない部分は省略
している。まず、図2を参照して、ガラス基板201上
にタンタルの薄膜をスパッタリング法で形成して、フォ
トリソグラフの手法を用いて走査電極202を形成す
る。
DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS A manufacturing process of a TFT panel according to the present invention will be described. FIGS. 2 to 5 show the manufacturing process in FIG.
Is a schematic plan and sectional view of the completed panel. FIG.
5 to 5A are a plan view of the TFT array and FIG.
The cross-sectional view (b) of -P 'is shown sequentially along the process, and will be described with reference to this drawing. Parts that are not directly related to the present invention, such as auxiliary capacitance and auxiliary capacitance electrode lines, are omitted. First, referring to FIG. 2, a tantalum thin film is formed on a glass substrate 201 by a sputtering method, and a scanning electrode 202 is formed by a photolithographic method.

【0020】次に図3を参照して、ゲート絶縁膜である
窒化シリコン膜301、非ドープアモルファスシリコン
膜302、及びn+ アモルファスシリコン膜303を順
次プラズマCVD法により形成し、両アモルファスシリ
コン膜を島状にパターニングする。次に図4を参照し
て、チタン膜401をスパッタリング法で成膜し、そし
てn + シリコン膜と共にパターン化して信号電極線を形
成する。
Next, referring to FIG. 3, a gate insulating film is formed.
Silicon nitride film 301, undoped amorphous silicon
Membrane 302 and n+Amorphous silicon film 303 in order
Formed by a secondary plasma CVD method,
The cone film is patterned in an island shape. Next, referring to FIG.
To form a titanium film 401 by sputtering.
T +Patterned with silicon film to form signal electrode lines
To achieve.

【0021】次に図5のTFTアレイの平面図(a)及
び平面図中P−P’の断面図(b)を参照して、ITO
膜をスパッタリング法により成膜し、画素電極501と
してパターン化する。そして、窒化シリコン膜を画面全
体に形成し、パッシベーション膜502とする。パッシ
ベーション膜502の上に、クロム膜をスパッタリング
法で成膜後、図1の平面図(a)及び平面図中P−P’
の断面図(b)に示すようにTFT部画素電極と走査
電極線間の非表示部、画素電極と信号電極間の非表示
部の上に、それらを遮蔽する大きさの遮光膜101をパ
ターニングする。
Next, referring to the plan view (a) of the TFT array shown in FIG. 5 and the cross-sectional view (b)
A film is formed by a sputtering method and patterned as the pixel electrode 501. Then, a silicon nitride film is formed over the entire screen to form a passivation film 502. After a chromium film is formed on the passivation film 502 by a sputtering method, the plan view (a) in FIG.
As shown in the cross-sectional view (b) of FIG. 5, a light-shielding film 101 having a size to shield them is formed on a TFT portion , a non-display portion between a pixel electrode and a scanning electrode line, and a non-display portion between a pixel electrode and a signal electrode line. Is patterned.

【0022】対向基板側には、まずガラス基板上にIT
Oをスパッタリング法で成膜し、対向電極とする。遮光
膜は形成しない。このようにして作製した対向基板とT
FTを備えた基板を、対向電極とTFTが対向するよう
直径10μmのプラステチックビーズを間に挟んでシ
ール樹脂を用いて貼り合わせる。その後、予めシール樹
脂パターンの一部を開口して設けた注入口から、紫外線
による重合性をもつポリマー(アクリル系)のモノマー
と液晶材料(シアノフェニルシクロヘキサン系)の混合
物を注入し、注入口を樹脂により封止する。
On the counter substrate side, first, IT
O is formed as a counter electrode by sputtering. No light-shielding film is formed. The counter substrate thus manufactured and T
The substrate with the FT is placed so that the counter electrode and the TFT face each other.
Bonded using a sealing resin interposed therebetween to Purasute tick beads having a diameter of 10μm to. Thereafter, a mixture of a polymer (acrylic) monomer and a liquid crystal material (cyanophenylcyclohexane) having polymerizability by ultraviolet rays is injected from an inlet provided by opening a part of the seal resin pattern in advance, and the inlet is opened. Seal with resin.

【0023】注入後、紫外線を対向基板側から照射し、
モノマーを重合させ、ポリマー分散型液晶層を形成す
る。この後は、従来法と同じように駆動用ICと駆動用
回路により液晶表示装置に画像表示を行う。ついで、本
実施例の製造方法による表示装置と従来法によるものの
表示部の電気光学特性を比較した。初期においては両者
に大差は認められなかったが、1000時間経過後は本
発明の表示装置の特性が著しく良好な結果を示した。こ
れは従来法の表示装置では、液晶表示装置の使用時間の
経過と共に、未重合物質が表示部に拡散して、表示部の
電気光学特性が変化したものと考えられる。
After the injection, ultraviolet rays are irradiated from the counter substrate side,
The monomers are polymerized to form a polymer dispersed liquid crystal layer. Thereafter, an image is displayed on the liquid crystal display device by the driving IC and the driving circuit as in the conventional method. Next, the electro-optical characteristics of the display unit according to the manufacturing method of this embodiment and the display unit according to the conventional method were compared. At the beginning, there was no significant difference between the two, but after 1000 hours, the characteristics of the display device of the present invention showed remarkably good results. This is considered to be due to the fact that in the conventional display device, the unpolymerized substance diffused into the display portion with the lapse of the use time of the liquid crystal display device, and the electro-optical characteristics of the display portion changed.

【0024】[0024]

【発明の効果】本発明は、従来法では達成できなかっ
た、高品位画像で、高信頼性で表示できるアクテイブマ
トリクス駆動方式散乱型液晶表示装置を提供できた。
According to the present invention, an active matrix drive type scattering type liquid crystal display device which can be displayed with high quality and high reliability, which cannot be achieved by the conventional method, can be provided.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の実施例における表示装置の構成概略図
である。
FIG. 1 is a schematic diagram of a configuration of a display device according to an embodiment of the present invention.

【図2】本発明の実施例における液晶表示装置の製造工
程を説明する図である。
FIG. 2 is a diagram illustrating a manufacturing process of the liquid crystal display device according to the embodiment of the present invention.

【図3】本発明の実施例における液晶表示装置の製造工
程を説明する図である。
FIG. 3 is a diagram illustrating a manufacturing process of the liquid crystal display device according to the embodiment of the present invention.

【図4】本発明の実施例における液晶表示装置の製造工
程を説明する図である。
FIG. 4 is a diagram illustrating a manufacturing process of the liquid crystal display device according to the embodiment of the present invention.

【図5】本発明の実施例における液晶表示装置の製造工
程を説明する図である。
FIG. 5 is a diagram illustrating a manufacturing process of the liquid crystal display device according to the embodiment of the present invention.

【図6】従来の液晶表示装置の製造工程を説明する図で
ある。
FIG. 6 is a diagram illustrating a manufacturing process of a conventional liquid crystal display device.

【図7】従来の液晶表示装置の製造工程を説明する図で
ある。
FIG. 7 is a diagram illustrating a manufacturing process of a conventional liquid crystal display device.

【図8】従来の液晶表示装置の製造工程を説明する図で
ある。
FIG. 8 is a diagram illustrating a manufacturing process of a conventional liquid crystal display device.

【図9】従来の液晶表示装置の製造工程を説明する図で
ある。
FIG. 9 is a diagram illustrating a manufacturing process of a conventional liquid crystal display device.

【図10】従来の液晶表示装置の製造工程を説明する図
である。
FIG. 10 is a diagram illustrating a manufacturing process of a conventional liquid crystal display device.

【図11】従来の液晶表示装置の製造工程を説明する図
である。
FIG. 11 is a diagram illustrating a manufacturing process of a conventional liquid crystal display device.

【図12】従来の液晶表示装置の製造工程を説明する図
である。
FIG. 12 is a diagram illustrating a manufacturing process of a conventional liquid crystal display device.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

101 遮光膜 201 ガラス基板 202 走査電極 301 窒化シリコン膜 302 非ドープアモルファスシリコン膜 303 n+ アモルファスシリコン膜 401 チタン膜 501 画素電極 502 パッシベーション膜 601 ガラス基板 602 TFT 603 画素電極 604 走査電極線 605 信号電極 606 パッシベーション膜 607 ゲート絶縁膜 608 非ドープアモルファスシリコン膜 609 n+ アモルファスシリコン膜 610 ソース電極 611 ドレイン電極 701 ガラス基板 702 パターン 703 有効表示部 704 ITO膜 801 走査電極端子 802 信号電極端子 803 対向電極端子 901 対向基板 902 シール樹脂 903 TFTを備えた基板 904 導電性樹脂 905 対向電極用電極線 1001 シール樹脂 1002 プラスチックビーズ 1003 液晶材料の混合物 1004 TFTを備えた基板 1005 TFT 1006 画素電極 1007 パッシベーション膜 1008 対向基板 1009 遮光膜 1010 対向電極 1101 液晶相 1102 液晶分子 1103 ポリマー化合物 1104 界面 1105 透明電極Reference Signs List 101 light shielding film 201 glass substrate 202 scan electrode 301 silicon nitride film 302 undoped amorphous silicon film 303 n + amorphous silicon film 401 titanium film 501 pixel electrode 502 passivation film 601 glass substrate 602 TFT 603 pixel electrode 604 scan electrode line 605 signal electrode line 606 passivation film 607 gate insulating film 608 undoped amorphous silicon film 609 n + amorphous silicon film 610 source electrode 611 drain electrode 701 glass substrate 702 pattern 703 effective display area 704 ITO film 801 scanning electrode terminal 802 signal electrode terminal 803 counter electrode terminal 901 substrate 904 conductive resin 905 counter-electrode electrode lines 1001 sealing resin having opposing substrate 902 sealing resin 903 TFT 002 plastic beads 1003 substrate 1005 TFT 1006 pixel electrode 1007 passivation film 1008 facing the substrate 1009 shielding film 1010 opposite electrode 1101 liquid phase 1102 crystal molecules 1103 polymer compound 1104 interface 1105 transparent electrode with a mixture 1004 TFT of the liquid crystal material

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭62−223727(JP,A) 特開 昭63−271233(JP,A) 特開 昭62−145218(JP,A) 特開 平2−166422(JP,A) 特開 平3−166422(JP,A) 特開 平5−119350(JP,A) (58)調査した分野(Int.Cl.6,DB名) G02F 1/136 500 G02F 1/1333──────────────────────────────────────────────────続 き Continuation of the front page (56) References JP-A-62-223727 (JP, A) JP-A-63-271233 (JP, A) JP-A-62-145218 (JP, A) JP-A-2- 166422 (JP, A) JP-A-3-166422 (JP, A) JP-A-5-119350 (JP, A) (58) Fields investigated (Int. Cl. 6 , DB name) G02F 1/136 500 G02F 1/1333

Claims (3)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】一対の絶縁性基板における一方の基板上に
走査電極を形成し、前記走査電極上に複数の薄膜ト
ランジスター(TFT)を設置し、その上にパターン化
した信号電極線を設け、TFTを介して前記信号電極線
より電圧印加しうるように画素電極を設置し、前記画
素電極上をパッシベーション膜被覆し、TFT部、画
素電極と走査電極線間の非表示部、画素電極と信号電極
線間の非表示部を遮蔽するようにパッシベーション膜の
上に遮蔽膜を設け、 他方の基板上に対向電極を設け、対向電極とTFTが対
向するように一対の絶縁性基板を設置し、一対の絶縁性
基板間に光重合性をもつモノマーと、液晶材料の混合物
を注入し、他方の基板側から光照射してポリマー分散型
液晶層を形成することを特徴とするアクティブマトリッ
クス駆動方式散乱型液晶表示装置の製造方法。
A scanning electrode line is formed on one of a pair of insulating substrates, a plurality of thin film transistors (TFTs) are disposed on the scanning electrode line , and a patterned signal electrode line is formed thereon. provided, via a TFT installed pixel electrode so as to apply a voltage from the signal electrode lines, covers the upper the pixel electrode with the passivation film, TFT portion, image
Non-display part between elementary electrode and scanning electrode line, pixel electrode and signal electrode
Of the passivation film so as to shield the non-display area between the lines.
A shielding film is provided thereon, a counter electrode is provided on the other substrate, and the counter electrode and the TFT are paired.
Install a pair of insulating substrates so that they face each other.
A monomer having a photopolymerizable between the substrates, injecting a mixture of liquid crystal material, an active matrix drive system scattering type liquid crystal display device with light irradiated from the other substrate side and forming a polymer dispersed liquid crystal layer Manufacturing method.
【請求項2】 光重合性をもつモノマーがアクリル系ま
たはエポキシ系である請求項1項に記載された製造方
法。
2. The method according to claim 1, wherein the photopolymerizable monomer is an acrylic or epoxy monomer.
【請求項3】 遮蔽膜がクロム、アルミ、タンタル、モ
リブデン、チタンまたはカーボンブラックあるいは黒色
顔料を混入したアクリル系樹脂、ポリイミド樹脂、ポリ
アミド樹脂の黒色樹脂膜より選ばれた膜である請求項1
〜2項のいずれかの項に記載された製造方法。
3. The shielding film is a film selected from chromium, aluminum, tantalum, molybdenum, titanium, carbon black or a black resin film of an acrylic resin, a polyimide resin, or a polyamide resin mixed with a black pigment.
The manufacturing method according to any one of Items 2 to 2.
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