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JP2889108B2 - Polishing device for wafer peripheral part - Google Patents

Polishing device for wafer peripheral part

Info

Publication number
JP2889108B2
JP2889108B2 JP5447894A JP5447894A JP2889108B2 JP 2889108 B2 JP2889108 B2 JP 2889108B2 JP 5447894 A JP5447894 A JP 5447894A JP 5447894 A JP5447894 A JP 5447894A JP 2889108 B2 JP2889108 B2 JP 2889108B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
wafer
tape
polishing
reel
rotating drum
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
JP5447894A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JPH07237100A (en
Inventor
文彦 長谷川
辰夫 大谷
泰嘉 黒田
浩一郎 市川
安雄 稲田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Fujikoshi Machinery Corp
Shin Etsu Handotai Co Ltd
Original Assignee
Shin Etsu Handotai Co Ltd
Fujikoshi Kikai Kogyo KK
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Shin Etsu Handotai Co Ltd, Fujikoshi Kikai Kogyo KK filed Critical Shin Etsu Handotai Co Ltd
Priority to JP5447894A priority Critical patent/JP2889108B2/en
Publication of JPH07237100A publication Critical patent/JPH07237100A/en
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  • Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
  • Grinding And Polishing Of Tertiary Curved Surfaces And Surfaces With Complex Shapes (AREA)
  • Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、ウェーハ外周部の研磨
装置に関するもので、さらに詳しくは、ウェーハ外周の
面取り部を研磨するための研磨装置に関するものであ
る。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a polishing apparatus for polishing a peripheral portion of a wafer, and more particularly to a polishing apparatus for polishing a chamfered portion of the peripheral portion of a wafer.

【0002】[0002]

【従来の技術】シリコン単結晶ウェーハあるいは化合物
半導体ウェーハなど(以下ウェーハと言う)において
は、その外周部を研削加工することによって、面取り部
を形成することが行われている。このようにウェーハに
面取り部を形成した場合には、ハンドリング時あるいは
位置合わせ時において、その面取り部からの割れや欠け
は防止することができるものの、微粉の発生は防止でき
ない。そのため、この微粉に起因して半導体デバイスの
製造の歩留りおよび信頼性の低下を招く危険性がある。
そこで、従来、ウェーハの面取り後に、その面取り部を
研磨することが行われている。
2. Description of the Related Art In a single crystal silicon wafer or a compound semiconductor wafer (hereinafter, referred to as a wafer), a chamfered portion is formed by grinding an outer peripheral portion thereof. When the chamfered portion is formed on the wafer in this way, cracking or chipping from the chamfered portion can be prevented during handling or alignment, but generation of fine powder cannot be prevented. Therefore, there is a risk that the yield and reliability of semiconductor device production may be reduced due to the fine powder.
Therefore, conventionally, after the chamfering of the wafer, the chamfered portion is polished.

【0003】ところで、この研磨にあっては、回転する
研磨バフをウェーハの面取り部へ押し付けることによっ
て研磨を行っており、その際に、アルカリ液中にコロイ
ダルシリカ等を分散させた研磨剤(遊離砥粒)を研磨部
に供給している。
In this polishing, polishing is performed by pressing a rotating polishing buff against a chamfered portion of a wafer. At that time, a polishing agent (colloidal silica) in which colloidal silica or the like is dispersed in an alkaline solution is used. Abrasive grains) are supplied to the polishing section.

【0004】ところが、研磨剤を研磨部に供給する場
合、研磨部以外(例えばウェーハの表面および裏面)に
も研磨剤がかかってしまい、アルカリの蝕刻作用によっ
て、該部分に傷が付いてしまう。この傷は、研磨剤を洗
浄するための洗浄工程では取り去ることができない。そ
れでも、ウェーハの表面の傷は、その後に行われる鏡面
研磨によって取り除かれるので問題ないが、ウェーハの
裏面に残された傷は、製品にそのまま残り、これが新た
な微粉の発生源となり、これによって半導体デバイス製
造時の歩留りや、半導体デバイスの特性が劣化してしま
うなどの不都合が生じる。
However, when the polishing agent is supplied to the polishing portion, the polishing agent is also applied to portions other than the polishing portion (for example, the front and back surfaces of the wafer), and the portion is damaged by the etching action of the alkali. This flaw cannot be removed in a cleaning step for cleaning the abrasive. Nevertheless, scratches on the wafer surface are removed by mirror polishing performed later, so there is no problem, but the scratches left on the back surface of the wafer remain on the product as it is, this becomes a source of new fine powder, thereby Inconveniences such as a yield at the time of device manufacturing and deterioration of characteristics of the semiconductor device occur.

【0005】そこで、近年、研磨剤を用いずに研磨する
研磨装置として、固定砥粒を担持させたテープを用い
て、ウェーハの面取り部を研磨する装置が考えられてい
る。この装置では、アルカリを含む研磨剤を用いないた
め、ウェーハ裏面の傷の問題は生じない。しかし、固定
砥粒を担持させたテープでは、遊離砥粒研磨とは異なり
砥粒が加工作用面にて入れ替わることがないので、テー
プの同一面を繰り返し使うと、固定砥粒のすり減りや目
詰りを生じてしまう。したがって、面取り部を効率的に
研磨するためには、次々にテープの新面を面取り部に当
ててゆく必要がある。そのために、固定砥粒を担持させ
たテープを用いる研磨装置では、繰出し用リールによっ
てテープの新面を繰り出し、この繰り出した新面によっ
て研磨を行い、使用済み部分を順次に巻取り用リールに
よって巻き取るなどの工夫がなされている。
In recent years, as a polishing apparatus for polishing without using an abrasive, an apparatus for polishing a chamfered portion of a wafer by using a tape carrying fixed abrasive grains has been considered. This apparatus does not use a polishing agent containing alkali, so that there is no problem of scratches on the back surface of the wafer. However, in the case of a tape carrying fixed abrasive grains, unlike free abrasive grain polishing, the abrasive grains are not replaced on the working surface, so if the same surface of the tape is used repeatedly, the fixed abrasive grains will wear or clog. Will occur. Therefore, in order to polish the chamfered portion efficiently, it is necessary to successively apply new surfaces of the tape to the chamfered portion. For that purpose, in a polishing apparatus using a tape carrying fixed abrasive grains, a new surface of the tape is fed out by a reel for feeding out, the used surface is polished, and the used portion is sequentially wound by a winding reel. Ingenuity is taken such as taking.

【0006】図13には、この研磨装置の概略が示され
ている。この研磨装置1は、ウェーハWを保持するウェ
ーハ保持手段2と、研磨しようとするウェーハWの面取
り部にテープTを押し当てる押当て部材3と、テープT
を繰り出す繰出し用リール4と、テープTの使用済み部
分を巻き取る巻取り用リール5とを備えている。この装
置1では、繰出し用リール4によってテープTを繰り出
し、この繰り出したテープTを押当て部材3によってウ
ェーハWの面取り部に押し当て、テープTの新面によっ
て研磨を行い、使用済み部分を順次に巻取り用リール5
によって巻き取るようになっており、この研磨中、テー
プT自体を幅方向に小さく揺動させるとともに、ウェー
ハ保持手段2に保持されたウェーハWを回転させて、ウ
ェーハWの面取り部とテープ間に相対速度を与えてい
る。
FIG. 13 shows an outline of the polishing apparatus. The polishing apparatus 1 includes a wafer holding means 2 for holding a wafer W, a pressing member 3 for pressing a tape T against a chamfered portion of the wafer W to be polished, and a tape T
And a take-up reel 5 for winding up a used portion of the tape T. In this apparatus 1, the tape T is fed out by the feeding reel 4, and the fed-out tape T is pressed against the chamfered portion of the wafer W by the pressing member 3, and is polished by the new surface of the tape T, and the used portion is sequentially removed. Reel 5 for winding
During the polishing, the tape T itself is swung slightly in the width direction, and the wafer W held by the wafer holding means 2 is rotated so that the tape T is caught between the chamfered portion of the wafer W and the tape. Gives relative speed.

【0007】[0007]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、この研
磨装置においては下記のような問題があった。
However, this polishing apparatus has the following problems.

【0008】テープTによって研磨を行う場合、テープ
Tの新面繰出し速度と、研磨部における面取り部とテー
プT間の相対速度とが、良好な研磨を行う上での重要な
要素となる。前記研磨装置1では、テープTの巻取り速
度は任意に変えられ、したがって、テープTの新面繰出
し速度が変えられはするものの、テープTの幅方向の利
用は、テープ幅方向振動によるため、全面の有効利用が
困難であるとともに、相対速度を得るためにウェーハW
を高速で回転させると、その回転軸に対するウェーハW
の偏心に起因する振動の発生が懸念される一方、オリフ
ラ部角部の過剰研磨が行われるおそれがある。
When polishing is performed with the tape T, the new surface feeding speed of the tape T and the relative speed between the chamfered portion and the tape T in the polishing portion are important factors in performing good polishing. In the polishing device 1, the winding speed of the tape T can be changed arbitrarily, and therefore, the new surface feeding speed of the tape T can be changed. However, since the tape T is used in the width direction due to vibration in the tape width direction, It is difficult to use the entire surface effectively and the wafer W
Is rotated at high speed, the wafer W with respect to its rotation axis
While the occurrence of vibrations due to the eccentricity is concerned, the corners of the orientation flat may be excessively polished.

【0009】本発明は、かかる点に鑑みなされたもの
で、良好な研磨を安定かつ迅速に行える、ウェーハ外周
部の研磨装置を提供することを目的としている。
SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of the above circumstances, and an object of the present invention is to provide a polishing apparatus for an outer peripheral portion of a wafer, which can perform good polishing stably and quickly.

【0010】[0010]

【課題を解決するための手段】本発明の研磨装置は、ウ
ェーハの外周部を、表面に固定砥粒が担持されたテープ
によって研磨するための研磨装置であって、前記テープ
が巻回保持され当該テープを繰り出しする繰出し用リー
ルと、この繰出し用リールから繰り出される前記テープ
を巻き取る巻取り用リールと、この両リールが内部に着
脱可能に設置される回転ドラムと、前記回転ドラムを回
転させるモータと、前記巻取り用リールを回転させるモ
ータとを有し、前記両リールに巻き掛けられる前記テー
プの途中部分が、前記回転ドラムの外周に螺旋状に巻回
されるように構成された研磨機を複数台備えるととも
に、前記ウェーハの主面が前記ドラム回転軸に直交する
ように当該ウェーハを支持可能で、かつ当該ウェーハを
回転させるウェーハ保持手段とを備え、複数台の前記研
磨機が、前記ウェーハ保持手段に支持される前記ウェー
ハの外周に沿って所定間隔で設置されているものであ
る。また、この場合に、複数台の前記研磨機の間では固
定砥粒の粒度が異なった前記テープを使用し、前記ウェ
ーハ保持手段に支持される前記ウェーハの主面に平行で
そのウェーハの外周部近傍を貫く線上に存在する軸を中
心に、前記回転ドラムまたは前記ウェーハを回動させる
手段を設けたものである。
A polishing apparatus according to the present invention is a polishing apparatus for polishing an outer peripheral portion of a wafer with a tape having fixed abrasive particles carried on a surface thereof, wherein the tape is wound and held. A reel for feeding out the tape, a winding reel for winding the tape fed from the reel for feeding, a rotating drum in which both reels are detachably installed, and a rotating drum. A polishing device having a motor and a motor for rotating the take-up reel, wherein the intermediate portion of the tape wound around the two reels is spirally wound around the outer periphery of the rotating drum. A plurality of machines, the wafer can support the wafer so that the main surface of the wafer is orthogonal to the drum rotation axis, and the wafer to rotate the wafer And a lifting means, a plurality of the polishing machine, in which are installed at predetermined intervals along the outer periphery of the wafer supported on the wafer holding means. Further, in this case, the plurality of polishing machines use the tapes having different fixed abrasive grain sizes, and the outer peripheral portion of the wafer parallel to the main surface of the wafer supported by the wafer holding means. A means for rotating the rotary drum or the wafer about an axis existing on a line passing through the vicinity is provided.

【0011】[0011]

【作用】上記した手段によれば、回転ドラムの外周にテ
ープが巻回されており、しかも、そのテープは巻取り用
リールの回転等によってウェーハの外周部に対して相対
的に移動するので、次々にテープの新しい部分がウェー
ハの外周部に当接されることになるとともに、回転ドラ
ムの回転によって、十分に、外周部とテープ間の相対速
度が得られることになる。その結果、安定した研磨が行
えることになる。
According to the above-mentioned means, the tape is wound around the outer periphery of the rotary drum, and the tape moves relatively to the outer periphery of the wafer by rotation of the take-up reel. Successively, a new portion of the tape is brought into contact with the outer periphery of the wafer, and the rotation of the rotating drum provides a sufficient relative speed between the outer periphery and the tape. As a result, stable polishing can be performed.

【0012】また、複数台の研磨機で研磨できるように
構成されているので、例えば、固定砥粒の粒度が同一で
あるテープを使用した複数の研磨機で同時研磨を行うよ
うにすれば、研磨時間の短縮化を図ることができる。一
方、固定砥粒の粒度が互いに異なるテープを使用した複
数の研磨機で研磨を行う場合であっても、ウェーハの主
面に対する回転ドラムの傾きを連続的にあるいは段階的
に変化させ、同時期において粗研磨と精研磨とが場所的
に互いに干渉することのないように、粗研磨を後追いす
る形で精研磨を行わせるようにすれば、粗研磨と精研磨
とが同時に行われている時間分だけ、研磨時間の短縮化
を図ることができる。また、例えば、固定砥粒の粒度が
互いに異なるテープを使用した2対の研磨機で研磨を行
うようにし、まず、固定砥粒の粒度が比較的大きい1対
の研磨機で、ウェーハの外周部を粗研磨し、その後、固
定砥粒の粒度が比較的小さい1対の研磨機で、ウェーハ
の外周部を精研磨するようにしても、研磨時間の短縮化
を図ることができる。
Further, since the polishing apparatus is configured to be polished by a plurality of polishing machines, for example, if simultaneous polishing is performed by a plurality of polishing machines using tapes having the same fixed abrasive grain size, The polishing time can be shortened. On the other hand, even when polishing is performed with a plurality of polishing machines using tapes having different fixed abrasive grains, the inclination of the rotating drum with respect to the main surface of the wafer is continuously or stepwise changed, and In order that the rough polishing and the fine polishing do not interfere with each other in place, if the fine polishing is performed in a form following the rough polishing, the time during which the rough polishing and the fine polishing are simultaneously performed is performed. The polishing time can be shortened by the minute. Further, for example, polishing is performed by two pairs of polishing machines using tapes having different fixed abrasive grain sizes. First, a pair of polishing machines having relatively large fixed abrasive grain sizes are used to grind the outer peripheral portion of the wafer. Can be reduced by roughly polishing the outer peripheral portion of the wafer with a pair of polishing machines having relatively small fixed abrasive grains.

【0013】[0013]

【実施例】以下、図面に基づいて、本発明の実施例に係
る研磨装置について説明する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS A polishing apparatus according to an embodiment of the present invention will be described below with reference to the drawings.

【0014】図1には第1実施例の研磨装置の平面図
が、図2にはその研磨装置の外観斜視図が示されてい
る。この研磨装置6は2台の研磨機6a,6bとウェー
ハ保持手段7とを備えている。これら研磨機6a,6b
は、それぞれ、回転ドラム32と、この回転ドラム32
内に設置される繰出し用リール9(図3)および巻取り
用リール10(図3)と、前記回転ドラム32を回転駆
動するモータ11と、前記巻取り用リール10を回転駆
動するモータ12とを有している。各研磨機6a,6b
の繰出し用リール9から繰り出されるテープTは、前記
回転ドラム32の外周に螺旋状に巻回された後、再び回
転ドラム32の内側へ導かれて巻取り用リール10で巻
き取られるようになっている。また、図3に示すよう
に、回転ドラム32の外周部にはベアリング14が付設
されており、このベアリング14によってテープTの移
動がスムーズに行われるようになっている。また、ベア
リング14の外面にはその円周方向に沿ってゴム材15
が焼き付けられている。このゴム材15は、テープTへ
ウェーハWを圧接させる際にクッションとして機能し、
ウェーハWの面取り部とテープTの接触面積を大きくす
る働きをする。
FIG. 1 is a plan view of the polishing apparatus according to the first embodiment, and FIG. 2 is a perspective view showing the external appearance of the polishing apparatus. The polishing apparatus 6 includes two polishing machines 6a and 6b and a wafer holding means 7. These polishing machines 6a, 6b
Are respectively a rotating drum 32 and this rotating drum 32
A reel 9 (FIG. 3) and a take-up reel 10 (FIG. 3) installed therein, a motor 11 for driving the rotary drum 32 to rotate, and a motor 12 for driving the take-up reel 10 to rotate. have. Each polishing machine 6a, 6b
Is wound spirally around the outer circumference of the rotary drum 32 and then guided again inside the rotary drum 32 to be taken up by the take-up reel 10. ing. As shown in FIG. 3, a bearing 14 is provided on the outer peripheral portion of the rotary drum 32, and the tape 14 can be smoothly moved by the bearing 14. A rubber material 15 is provided on the outer surface of the bearing 14 along the circumferential direction thereof.
Is baked. The rubber material 15 functions as a cushion when the wafer W is pressed against the tape T,
It functions to increase the contact area between the chamfered portion of the wafer W and the tape T.

【0015】ここで、テープTについて説明すれば、図
4に示すように、このテープTは、例えば、テープ基材
13aの上に接着剤13bを介して固定砥粒13cを接
着したものであり、固定砥粒13cの形成面が外側にな
るように繰出し用リール9に巻回される。その際、2台
の研磨機6a,6bの間では、互いに、固定砥粒の粒度
の異なったテープTが用いられる。つまり、研磨機6a
では、粒度の大きいテープT(粗テープT1)が用いら
れ、研磨機6bでは、粒度の小さいテープT(精テープ
T2)が用いられている。なお、このテープTとして
は、図示はしないが、テープ基材の上に固定砥粒を混ぜ
た塗料を塗布した型のものを用いることもできる。
Here, the tape T will be described. As shown in FIG. 4, the tape T is obtained by bonding fixed abrasive grains 13c to a tape base 13a via an adhesive 13b, for example. The fixed abrasive 13c is wound around the reel 9 so that the surface on which the fixed abrasive 13c is formed faces outward. At this time, between the two polishing machines 6a and 6b, tapes T having mutually different fixed abrasive grain sizes are used. That is, the polishing machine 6a
Uses a tape T having a large particle size (coarse tape T1), and a polishing machine 6b uses a tape T having a small particle size (fine tape T2). Although not shown, the tape T may be of a type in which a paint in which fixed abrasive grains are mixed is applied on a tape base material.

【0016】次に、回転ドラム32について説明すれ
ば、回転ドラム32は、図3に示すように、底板20a
が付いた筒体20と、天板21aが付いた筒体21とに
よって構成されて一体となっている。このうち筒体20
の周壁20bの母線方向に沿う寸法は筒体21の周壁2
1bのそれよりも大きくなっている。また、筒体20に
おける周壁20bは基端部側が大径となっており、この
大径部の上に連らなる小径部の上半部が筒体21の内側
に嵌合可能に構成され、小径部の下半部の外側には、ベ
アリング14が嵌合可能となっている。さらに、筒体2
0の底板20a上にはリール支持軸23が立設され、こ
のリール支持軸23には繰出し用リール9が空転可能か
つ着脱可能に取り付けられる。また、筒体20の底板2
0a下はモータ11のモータ軸11aに固定されてい
る。一方、筒体21の上にはモータ12が設けられてお
り、このモータ12のモータ軸12aは筒体21の天板
21aを貫通して筒体21内部に臨んでいる。このモー
タ軸12aはリール支持軸となっており、このモータ軸
12aの、筒体21内部に臨む部分には、巻取り用リー
ル10が固定されている。なお、筒体20,21の周壁
には図2に示すようにテープ用スリット24a,24b
がそれぞれ設けられ、繰出し用リール9から繰り出され
たテープTを一旦回転ドラム32の外側へ導いてその外
周に螺旋状に巻き掛けた後、再び回転ドラム32の内側
へ導いて巻取り用リール10に巻き取らせることができ
るようになっている。
Next, the rotary drum 32 will be described. As shown in FIG.
And a cylindrical body 21 provided with a top plate 21a. Of these, the cylinder 20
The dimension of the peripheral wall 20b along the generatrix direction is the peripheral wall 2 of the cylindrical body 21.
1b. Further, the peripheral wall 20b of the cylindrical body 20 has a large diameter at the base end side, and an upper half portion of the small diameter part connected to the large diameter part is configured to be able to fit inside the cylindrical body 21, A bearing 14 can be fitted to the outside of the lower half of the small diameter portion. Furthermore, the cylinder 2
The reel support shaft 23 is erected on the bottom plate 20a of the “0”, and the reel 9 for feeding is attached to the reel support shaft 23 so as to be idle and detachable. Also, the bottom plate 2 of the cylindrical body 20
The lower part of 0a is fixed to the motor shaft 11a of the motor 11. On the other hand, a motor 12 is provided on the cylinder 21, and a motor shaft 12 a of the motor 12 passes through a top plate 21 a of the cylinder 21 and faces the inside of the cylinder 21. The motor shaft 12a is a reel support shaft, and a take-up reel 10 is fixed to a portion of the motor shaft 12a facing the inside of the cylindrical body 21. As shown in FIG. 2, tape slits 24a, 24b are formed on the peripheral walls of the cylindrical bodies 20, 21.
The tape T fed from the reel 9 is once guided to the outside of the rotary drum 32 and spirally wound around the outer periphery thereof, and then guided again to the inside of the rotary drum 32 to take up the reel 10 Can be wound up.

【0017】このように構成された回転ドラム32を有
する研磨機6a,6bは、ウェーハ保持手段7に支持さ
れるウェーハWの外周に沿って所定の間隔をもって設置
され、両回転ドラム32は、ウェーハ保持手段7によっ
て保持されるウェーハWに同時に接触可能となってい
る。
The polishers 6a and 6b having the rotating drum 32 constructed as described above are installed at a predetermined interval along the outer periphery of the wafer W supported by the wafer holding means 7, and the two rotating drums 32 The wafer W held by the holding means 7 can be simultaneously contacted.

【0018】一方、図2で示すウェーハ保持手段7につ
いて説明すれば、このウェーハ保持手段7は、ウェーハ
Wを真空吸引する吸着盤7aと、この吸着盤7aに支持
されたウェーハWを回転させるモータ(図示せず)と、
これら吸着盤7aおよびモータを支持するステージ7b
を備えている。
On the other hand, the wafer holding means 7 shown in FIG. 2 will be described. The wafer holding means 7 comprises a suction disk 7a for vacuum-suctioning the wafer W and a motor for rotating the wafer W supported by the suction disk 7a. (Not shown),
Stage 7b for supporting the suction disk 7a and the motor
It has.

【0019】なお、図示はしないが、研磨機6a,6b
の回転ドラム32には、それぞれ、当該回転ドラム32
を、ウェーハ保持手段7に保持されたウェーハWの中心
に向けて押圧可能なエアシリンダ装置が付設されてい
る。このエアシリンダ装置によって、回転ドラム32の
テープTをウェーハWの面取り部に所定の圧力で押し付
けることができる。なお、ウェーハWの中心角90゜の
範囲内で、両回転ドラム32がウェーハWの面取り部と
接触する場合には、前記エアシリンダ装置はウェーハ保
持手段7側に設けても良い。また、回転ドラム32に
は、ウェーハ保持手段7に支持されるウェーハWの主面
に平行で、そのウェーハWの面取り部(外周部)近傍を
貫く線上に存在する軸を中心に、その回転ドラム32を
回動させ、ウェーハWの面取り部に対して回転ドラム3
2を傾動させる傾動手段(図示せず)が付設されてい
る。
Although not shown, the polishing machines 6a, 6b
Of the rotating drum 32, respectively.
An air cylinder device capable of pressing the wafer toward the center of the wafer W held by the wafer holding means 7 is additionally provided. With this air cylinder device, the tape T of the rotating drum 32 can be pressed against the chamfered portion of the wafer W with a predetermined pressure. When both the rotating drums 32 come into contact with the chamfered portion of the wafer W within the range of the central angle 90 ° of the wafer W, the air cylinder device may be provided on the wafer holding means 7 side. The rotating drum 32 has an axis parallel to the main surface of the wafer W supported by the wafer holding means 7 and located on a line passing through the vicinity of the chamfered portion (outer peripheral portion) of the wafer W. 32 to rotate the rotating drum 3 against the chamfered portion of the wafer W.
2 is provided with a tilting means (not shown) for tilting.

【0020】次に、本実施例の研磨装置6の使用方法を
説明する。
Next, a method of using the polishing apparatus 6 of this embodiment will be described.

【0021】まず、筒体20と筒体21とを分離してお
き、筒体20側に、テープTが巻回された繰出し用リー
ル9をセットし、筒体21側に巻取り用リール10をセ
ットする。そして、繰出し用リール9に巻回されている
テープTの先を筒体20のテープ用スリット24aから
引き出し、回転ドラム32の外側へ導いてその外周に螺
旋状に巻回した後に、筒体21のテープ用スリット24
bを通して巻取り用リール10に取り付ける。次いで、
筒体20と筒体21とを嵌め合わせ、モータ12を駆動
させてテープTの弛みを取る。この作業を2台の研磨機
6a,6bに対して行う。なお、この際、前述したよう
に、研磨機6aには粗テープT1を、また、研磨機6b
には精テープT2を取り付ける。
First, the cylindrical body 20 and the cylindrical body 21 are separated from each other, the reel 9 for feeding the tape T wound thereon is set on the cylindrical body 20 side, and the winding reel 10 is mounted on the cylindrical body 21 side. Is set. Then, the tip of the tape T wound on the payout reel 9 is pulled out from the tape slit 24a of the cylinder 20, guided to the outside of the rotary drum 32, and spirally wound around the outer periphery thereof. Tape slit 24
b to the take-up reel 10. Then
The cylinder 20 and the cylinder 21 are fitted together, and the motor 12 is driven to remove the slack of the tape T. This operation is performed for the two polishing machines 6a and 6b. At this time, as described above, the rough tape T1 is applied to the polishing machine 6a, and the polishing machine 6b
Is attached with a fine tape T2.

【0022】一方、ウェーハ保持手段7の吸着盤7aに
はウェーハWをほぼ同心状に吸着させる。次に、図示し
ないエアシリンダ装置によって研磨機6aの回転ドラム
32をウェーハWの面取り部に向けて移動させ、ウェー
ハWの面取り部に、回転ドラム32の外周に巻かれた粗
テープT1を接触させる。この接触にあたっては、モー
タ11の駆動により回転ドラム32を、図示しないモー
タの駆動によりウェーハWをそれぞれ回転させておくと
ともに、モータ12の駆動によりテープTに移動動作を
させておくことが好ましい。また、回転ドラム32の回
転方向とテープT1の移動方向は、同じにしておくこと
が望ましい。さらに、図示しない傾動手段により、図5
に示すように、最初は回転ドラム32を前方へ傾けてお
く(傾動角 θ0)。
On the other hand, the wafer W is suctioned substantially concentrically on the suction disk 7a of the wafer holding means 7. Next, the rotating drum 32 of the polishing machine 6a is moved toward the chamfered portion of the wafer W by an air cylinder device (not shown), and the rough tape T1 wound around the outer periphery of the rotating drum 32 is brought into contact with the chamfered portion of the wafer W. . In this contact, it is preferable that the rotating drum 32 be rotated by the motor 11, the wafer W be rotated by the motor (not shown), and the tape T be moved by the motor 12. It is desirable that the rotation direction of the rotary drum 32 and the movement direction of the tape T1 be the same. Further, by tilting means (not shown),
As shown in (1), the rotary drum 32 is first inclined forward (tilt angle θ0).

【0023】このようにしてテープT1を面取り部に接
触させて粗研磨を行う。この場合、ウェーハWの研磨部
分をそのウェーハWの円周方向へ移動させるため、低速
でウェーハWを回転させておく。また、図6のタイミン
グチャートに示すように、図示しない傾動手段によっ
て、粗研磨の進行に連れて、回転ドラム32を徐々に起
き上がらせる。なお、この場合の回転ドラム32の傾動
速度は、ウェーハWの面取り部の各部が漏れなく粗研磨
でき得るような値に設定しておく。
Thus, rough polishing is performed by bringing the tape T1 into contact with the chamfered portion. In this case, the wafer W is rotated at a low speed in order to move the polished portion of the wafer W in the circumferential direction of the wafer W. As shown in the timing chart of FIG. 6, the rotating drum 32 is gradually raised by the tilting means (not shown) as the rough polishing proceeds. In this case, the tilting speed of the rotating drum 32 is set to a value such that each portion of the chamfered portion of the wafer W can be roughly polished without leakage.

【0024】研磨機6aの回転ドラム32が1〜2回程
度回転し、研磨機6aの回転ドラム32が少し起き上が
ったなら、図示しないエアシリンダ装置によって研磨機
6bの回転ドラム32をウェーハWの面取り部に向けて
移動させ、そのウェーハWの面取り部に、回転ドラム3
2の外周に巻かれた精テープT2を接触させる。この接
触にあたっては、研磨機6aにおけると同様に、モータ
11の駆動により回転ドラム32を、図示しないモータ
の駆動によりウェーハWをそれぞれ回転させておくとと
もに、モータ12の駆動によりテープT2に移動動作を
させておくことが好ましい。また、回転ドラム32の回
転方向とテープT2の移動方向は、同じにしておくこと
が望ましい。さらに、図5に示すように、研磨機6bの
回転ドラム32を前方へ傾けておき(傾動角 θ0)、粗
研磨と精研磨とが場所的に互いに干渉することのないよ
うにし、粗研磨を後追いする形で精研磨を行わせるよう
にする。
When the rotating drum 32 of the polishing machine 6a rotates once or twice and the rotating drum 32 of the polishing machine 6a rises slightly, the rotating drum 32 of the polishing machine 6b is chamfered by an air cylinder device (not shown). And the rotating drum 3
Then, the fine tape T2 wound around the outer periphery of No. 2 is brought into contact. In this contact, as in the polishing machine 6a, the rotating drum 32 is rotated by the drive of the motor 11 and the wafer W is rotated by the drive of a motor (not shown), and the tape 12 is moved to the tape T2 by the drive of the motor 12. It is preferable to keep it. It is desirable that the rotating direction of the rotating drum 32 and the moving direction of the tape T2 be the same. Further, as shown in FIG. 5, the rotating drum 32 of the polishing machine 6b is inclined forward (tilt angle θ0) so that the rough polishing and the fine polishing do not interfere with each other locally, and the rough polishing is performed. Fine polishing is performed in a manner to follow.

【0025】このようにして、研磨機6aの回転ドラム
32の傾動角が −θ0となったら、研磨機6aの回転ド
ラム32をウェーハWに対して後退させて粗研磨を終了
させる。例えば、この粗研磨終了までに、ウェーハWは
5〜20回転する。次に、研磨機6bの回転ドラム32
の傾動角が −θ0となったら、研磨機6bの回転ドラム
32をウェーハWに対して後退させて精研磨を終了させ
る。
As described above, when the tilt angle of the rotating drum 32 of the polishing machine 6a becomes -θ0, the rotating drum 32 of the polishing machine 6a is retracted with respect to the wafer W to finish the rough polishing. For example, by the end of the rough polishing, the wafer W rotates 5 to 20 times. Next, the rotating drum 32 of the polishing machine 6b
When the tilt angle of the wafer becomes −θ0, the rotating drum 32 of the polishing machine 6b is moved backward with respect to the wafer W to finish the fine polishing.

【0026】このように構成された研磨装置6によれ
ば、回転ドラム32に螺旋状にテープTが巻き掛けられ
ており、しかも、そのテープTは巻取り用リール10の
回転によって移動するので、次々にテープTの新面が繰
り出されることになるとともに、回転ドラム32の回転
によって、十分に、面取り部とテープ間の相対速度が得
られることになる。したがって、良好な研磨が安定して
行えることになる。また、回転ドラム32にはテープT
が螺旋状に巻回されているので、ウェーハWの外周部と
の接触部は、回転ドラム32の回転に伴って、テープT
を斜めに横断するように移行し、さらに、テープTのゆ
っくりとした巻取りによって、細かいピッチで新面側へ
移行するので、テープTの全面を有効に使えるという効
果をも有する。
According to the polishing apparatus 6 configured as described above, the tape T is spirally wound around the rotary drum 32, and the tape T is moved by the rotation of the take-up reel 10. The new surface of the tape T is successively fed out, and the rotation of the rotary drum 32 provides a sufficient relative speed between the chamfered portion and the tape. Therefore, good polishing can be stably performed. The rotating drum 32 has a tape T
Is spirally wound, so that the contact portion with the outer peripheral portion of the wafer W makes the tape T
Is moved obliquely across the tape T, and furthermore, the tape T is slowly rolled up to move to the new surface side at a fine pitch, so that the entire surface of the tape T can be used effectively.

【0027】また、テープTの固定砥粒の粒度を異なら
しめた2台の研磨機6a,6bで、粗研磨と精研磨とが
場所的に互いに干渉することのないように、粗研磨を後
追いする形で精研磨を行わせるようにしているので、図
6に示すように粗研磨と精研磨とが同時に行われている
時間分だけ、研磨時間の短縮化を図ることができる。
The rough polishing is followed by two polishing machines 6a and 6b having different fixed abrasive grains of the tape T so that the rough polishing and the fine polishing do not interfere with each other locally. Since the fine polishing is performed in such a manner, the polishing time can be reduced by the time during which the rough polishing and the fine polishing are simultaneously performed as shown in FIG.

【0028】図7には第2実施例の研磨装置の平面図
が、図8にはその研磨装置の一部の外観斜視図が示され
ている。この研磨装置30は、第1実施例の研磨装置6
とその構成部品がほぼ共通しているので、その対応部分
あるいは対応部品については同一符号を用いるととも
に、その詳しい説明は省略する。
FIG. 7 is a plan view of a polishing apparatus according to the second embodiment, and FIG. 8 is a perspective view showing the appearance of a part of the polishing apparatus. This polishing apparatus 30 is similar to the polishing apparatus 6 of the first embodiment.
Therefore, the same reference numerals are used for the corresponding parts or corresponding parts, and detailed description thereof is omitted.

【0029】この第2実施例の研磨装置30は、第1実
施例の研磨装置6における研磨機6a,6bの代わり
に、それとは構成が異なった研磨機30a,30bを設
けたものである。
In the polishing apparatus 30 of the second embodiment, instead of the polishing machines 6a and 6b in the polishing apparatus 6 of the first embodiment, polishing machines 30a and 30b having a different configuration are provided.

【0030】この研磨機30a,30bにおける回転ド
ラム32は、図8に示すように、それぞれ、底板33a
が付いた筒体33と、この筒体33の開口を閉塞する蓋
体34とによって構成されている。このうち筒体33の
底板33a下は、モータ11のモータ軸11aに取り付
けられている。また、この筒体33の下側には、他のモ
ータ12が付設され、このモータ12のモータ軸12a
は、図9に示すように、筒体33の底板33aを貫通
し、筒体33の内側にまで延びている。そして、このモ
ータ軸12aには、巻取り用リール10がセットできる
ようになっている。また、筒体33の底板33a上に
は、リール支持軸35が立設され、このリール支持軸3
5に、繰出し用リール9がセットできるようになってい
る。
As shown in FIG. 8, the rotating drum 32 in each of the polishing machines 30a and 30b has a bottom plate 33a.
And a lid 34 for closing the opening of the cylindrical body 33. The lower part of the bottom plate 33a of the cylindrical body 33 is attached to the motor shaft 11a of the motor 11. Further, another motor 12 is attached below the cylindrical body 33, and the motor shaft 12a of the motor 12 is provided.
9, extends through the bottom plate 33a of the cylindrical body 33 and extends to the inside of the cylindrical body 33. The winding reel 10 can be set on the motor shaft 12a. A reel support shaft 35 is provided upright on the bottom plate 33a of the cylindrical body 33.
5, a reel 9 for feeding can be set.

【0031】また、筒体33の外周部には、図8および
図10に示すように、その上端にまで達するテープ用ス
リット36が形成されている。そして、このテープ用ス
リット36からテープTが導出・導入できるようになっ
ている。また、筒体33の内部には、テンションローラ
37および押え用ローラ38が付設されている。そし
て、このテンションローラ37あるいは押え用ローラ3
8の回転数をカウントすることによって、テープTの送
り量が制御できるようになっている。
As shown in FIGS. 8 and 10, a tape slit 36 reaching the upper end of the cylindrical body 33 is formed in the outer peripheral portion. The tape T can be led out and introduced from the tape slit 36. Further, a tension roller 37 and a pressing roller 38 are provided inside the cylindrical body 33. Then, the tension roller 37 or the pressing roller 3
By counting the number of rotations of 8, the feed amount of the tape T can be controlled.

【0032】なお、研磨機30a,30bにおいては、
繰出し用リール9から繰り出されるテープTは、回転ド
ラム32の外周面にその円周方向に沿ってほぼ一回り巻
回された後、再び回転ドラム32の内側へ導かれて巻取
り用リール10で巻き取られるようになっている。な
お、回転ドラム32の外周面にはその円周方向に沿って
ゴム材15が焼き付けられている。また、図示はしない
が、この研磨装置30は、回転ドラム32をテープ幅の
分だけ上下動させるための昇降装置(移動手段)を有し
ている。その他の構成、例えばウェーハ保持手段7や傾
動手段が設けられている点については第1実施例のもの
と同様である。
In the polishing machines 30a and 30b,
The tape T fed out from the pay-out reel 9 is wound around the outer peripheral surface of the rotary drum 32 substantially once along the circumferential direction, and then guided again inside the rotary drum 32 to be taken up by the take-up reel 10. It can be wound up. The rubber material 15 is baked on the outer peripheral surface of the rotary drum 32 along the circumferential direction. Although not shown, the polishing apparatus 30 has an elevating device (moving means) for moving the rotary drum 32 up and down by the tape width. The other configuration, for example, the point that the wafer holding means 7 and the tilting means are provided is the same as that of the first embodiment.

【0033】次に、本実施例の研磨装置30の使用方法
を説明する。
Next, a method of using the polishing apparatus 30 of this embodiment will be described.

【0034】まず、筒体33から蓋体34を外してお
き、筒体33に、テープTが巻回された繰出し用リール
9と空の巻取り用リール10をセットする。そして、繰
出し用リール9に巻回されているテープTの先を筒体3
3のテープ用スリット36から引き出し、回転ドラム3
2にほぼ一回り巻回した後に、筒体33のテープ用スリ
ット36を通して巻取り用リール10に取り付ける。な
お、この際、研磨機30aには粗テープT1を、また、
研磨機30bには精テープT2を取り付ける。
First, the cover 34 is removed from the cylinder 33, and the reel 9 for feeding the tape T wound thereon and the empty reel 10 for winding are set on the cylinder 33. Then, the tip of the tape T wound on the reel 9 for feeding is connected to the cylindrical body 3.
Pull out from the tape slit 36 of the rotating drum 3
After being wound about one turn, it is attached to the take-up reel 10 through the tape slit 36 of the cylindrical body 33. At this time, the rough tape T1 is applied to the polishing machine 30a,
The fine tape T2 is attached to the polishing machine 30b.

【0035】次いで、筒体33に蓋体34を取り付け、
モータ12を駆動させてテープTの弛みを取って停止の
状態とする。なお、ウェーハ外周部の研磨を開始するに
あたっては、図示しない昇降装置によって、予め、回転
ドラム32の位置を、(例えば)テープTの上端部がウ
ェーハ外周部に圧接されるように、最下降位置にしてお
く。
Next, a lid 34 is attached to the cylinder 33,
The motor 12 is driven to remove the slack of the tape T and set to a stopped state. When the polishing of the outer peripheral portion of the wafer is started, the position of the rotary drum 32 is previously set to a lowermost position by an elevating device (not shown) so that the upper end of the tape T is pressed against the outer peripheral portion of the wafer. Keep it.

【0036】一方、ウェーハ保持手段7の吸着盤7aに
はウェーハWをほぼ同心状に吸着させ、図示しないエア
シリンダ装置によって研磨機30aの回転ドラム32を
移動させて、ウェーハWの面取り部に、回転ドラム32
の外周に巻回されたテープTを接触させる。なお、この
接触にあたっては、モータ11の駆動により回転ドラム
32を、また図示しないモータの駆動によりウェーハW
をそれぞれ回転させておくことが好ましい。
On the other hand, the wafer W is adsorbed almost concentrically on the suction disk 7a of the wafer holding means 7, and the rotating drum 32 of the polishing machine 30a is moved by an air cylinder device (not shown) to the chamfered portion of the wafer W. Rotating drum 32
The tape T wound around the outer periphery of is contacted. In this contact, the rotating drum 32 is driven by the motor 11 and the wafer W is driven by the motor (not shown).
Are preferably rotated.

【0037】その後に行われる研磨の手順は第1実施例
とほぼ同様である。しかし、研磨中に、図示しない昇降
装置によって、回転ドラム32を上昇させて、テープT
の接触部をテープTの幅方向に移行させ、テープTの幅
方向の新しい部分でもってウェーハWの面取り部の研磨
を行う点で第1実施例とは異なっている。図11の斜線
部分のある単位の幅が1枚のウェーハWの外周部の研磨
に必要とされるテープ幅である。このように、回転ドラ
ム32を上昇させて、テープTの接触部をテープTの幅
方向に移行させつつ、テープTの同一面を用いて複数枚
のウェーハWを研磨すれば、テープTの幅方向を有効に
利用することができる。なお、テープTの幅方向全体を
使い切ったら、再び、回転ドラム32自体を昇降装置に
より前記最下降位置まで降下させ、かつモータ12を駆
動させて、テープTを一回り分移動させて新面を出すよ
うにする。その後は、上記と同様にして研磨を行うこと
になる。
The procedure of the subsequent polishing is almost the same as in the first embodiment. However, during the polishing, the rotary drum 32 is raised by an elevating device (not shown) so that the tape T
Is different from the first embodiment in that the contact portion is shifted in the width direction of the tape T and the chamfered portion of the wafer W is polished with a new portion in the width direction of the tape T. The width of a unit indicated by a hatched portion in FIG. 11 is a tape width required for polishing the outer peripheral portion of one wafer W. As described above, when the rotating drum 32 is raised and the contact portion of the tape T is moved in the width direction of the tape T, and the plurality of wafers W are polished using the same surface of the tape T, the width of the tape T is reduced. The direction can be used effectively. When the entire width of the tape T has been used up, the rotary drum 32 itself is again lowered to the lowest position by the elevating device, and the motor 12 is driven to move the tape T by one turn so that the new surface is removed. I will put it out. After that, polishing is performed in the same manner as described above.

【0038】このように構成された研磨装置30によれ
ば、研磨加工中に回転ドラム32がウェーハWに対し、
その軸方向に移動するので、テープTの全長および全幅
に亘って新面が次々に繰り出されたと同様になるととも
に、回転ドラム32の回転によって、十分に、面取り部
とテープ間の相対速度が得られることになる。したがっ
て、良好な研磨が安定して、かつ迅速に行えることにな
る。
According to the polishing apparatus 30 configured as described above, the rotating drum 32 moves the wafer W during polishing.
As the tape T moves in the axial direction, it is the same as a new surface being successively unwound over the entire length and width of the tape T, and the rotation of the rotary drum 32 provides a sufficient relative speed between the chamfered portion and the tape. Will be done. Therefore, good polishing can be performed stably and quickly.

【0039】また、繰出し用リール9と巻取り用リール
10とが、ドラム回転軸に直交する同一の面内に設けら
れているため、それらリール9,10の取付け・取外し
が簡単に行えることになる。
Further, since the reel 9 for feeding and the reel 10 for winding are provided in the same plane perpendicular to the drum rotation axis, the reels 9 and 10 can be easily attached and detached. Become.

【0040】以上、本発明者がなした実施例について説
明したが、本発明は、かかる実施例に限定されず、その
要旨を逸脱しない範囲において、種々の変形が可能であ
ることは言うまでもない。
Although the embodiments made by the present inventors have been described above, the present invention is not limited to such embodiments, and it goes without saying that various modifications can be made without departing from the gist of the invention.

【0041】例えば、前記両実施例においては、回転ド
ラム32をウェーハWに対して傾動させる傾動手段を設
けたが、回転ドラム32側ではなく、ウェーハ保持手段
7側に傾動手段を設けても良い。
For example, in both of the above embodiments, the tilting means for tilting the rotary drum 32 with respect to the wafer W is provided. However, the tilting means may be provided not on the rotary drum 32 but on the wafer holding means 7 side. .

【0042】また、前記第2実施例では、テープTの幅
方向を有効利用するために、回転ドラム32を上下動さ
せるための昇降装置を設けたが、それの代わりに、ウェ
ーハ保持手段31を昇降させる昇降装置を設けるように
しても良い。
In the second embodiment, a lifting device for moving the rotary drum 32 up and down is provided in order to use the width direction of the tape T effectively. An elevating device for elevating may be provided.

【0043】また、前記実施例では、図6に示すよう
に、回転ドラム32の傾動を連続的に行ったが、段階的
に傾動を行わせるようにしても良い。例えば、傾動を3
段階とし、ウェーハWの表面側の面取り部分を粗研磨し
終わったら、ウェーハWの面取り部端面を粗研磨すると
同時に、表面側の面取り部分を精研磨する。さらに、ウ
ェーハWの裏面側の面取り部分を粗研磨している間に、
面取り部端面を精研磨するようにする。そして、最後
に、ウェーハWの裏面側の面取り部分を精研磨するよう
にしても良い。
In the above embodiment, as shown in FIG. 6, the rotary drum 32 is continuously tilted. However, the rotary drum 32 may be tilted stepwise. For example, if the tilt is 3
After rough polishing of the chamfered portion on the front side of the wafer W is finished, rough polishing of the chamfered end surface of the wafer W and fine polishing of the chamfered portion on the front side are performed. Furthermore, during rough polishing of the chamfered portion on the back side of the wafer W,
The chamfered end face should be finely polished. Finally, the chamfered portion on the back side of the wafer W may be finely polished.

【0044】さらに、前記両実施例においては、研磨機
6a,6b間、および研磨機30a,30b間で、固定
砥粒の粒度を変えたテープTを使用したが、両研磨機で
固定砥粒の粒度が同じテープTを用いるようにしても良
い。この場合、研磨時間を従来の1/2以下程度にする
ことが可能である。
Further, in both of the above-described embodiments, the tape T having the fixed abrasive grains having different particle sizes was used between the polishing machines 6a and 6b and between the polishing machines 30a and 30b. The tape T having the same grain size may be used. In this case, the polishing time can be reduced to about 以下 or less of the related art.

【0045】また、図12に示す研磨装置40のよう
に、粗テープを用いた2機の研磨機40a,40aと、
精テープを用いた2機の研磨機40b,40bとをウェ
ーハWの外周に沿って所定間隔で設置し、まず、研磨機
40a,40aで粗研磨を行い、その粗研磨が終了した
後、研磨機40b,40bで精研磨を行うようにしても
良い。
As shown in FIG. 12, two polishing machines 40a and 40a using a rough tape are used.
Two polishing machines 40b and 40b using fine tape are installed at predetermined intervals along the outer periphery of the wafer W, and rough polishing is first performed by the polishing machines 40a and 40a. Fine polishing may be performed by the machines 40b, 40b.

【0046】[0046]

【発明の効果】本発明によれば、ウェーハの外周部を、
表面に固定砥粒が担持されたテープによって研磨するた
めの研磨装置であって、前記テープが巻回保持され当該
テープを繰り出しする繰出し用リールと、この繰出し用
リールから繰り出される前記テープを巻き取る巻取り用
リールと、この両リールが内部に着脱可能に設置される
回転ドラムと、前記回転ドラムを回転させるモータと、
前記巻取り用リールを回転させるモータとを有し、前記
両リールに巻き掛けられる前記テープの途中部分が、前
記回転ドラムの外周に螺旋状に巻回されるように構成さ
れた研磨機を複数台備えるとともに、前記ウェーハの主
面が前記ドラム回転軸に直交するように当該ウェーハを
支持可能で、かつ当該ウェーハを回転させるウェーハ保
持手段とを備え、複数台の前記研磨機が、前記ウェーハ
保持手段に支持される前記ウェーハの外周に沿って所定
間隔で設置されているので、良好な研磨が安定かつ迅速
に行えることになる。
According to the present invention, the outer peripheral portion of the wafer is
A polishing apparatus for polishing with a tape having fixed abrasive particles carried on a surface thereof, wherein the tape is wound and held, and a reel for reeling out the tape, and winding the tape reeled out from the reel for reeling out A take-up reel, a rotating drum on which both reels are detachably installed, and a motor for rotating the rotating drum,
A motor for rotating the take-up reel, and a plurality of polishing machines configured such that a middle part of the tape wound around the both reels is spirally wound around the outer periphery of the rotating drum. And a wafer holding means for supporting the wafer so that the main surface of the wafer is orthogonal to the drum rotation axis, and for rotating the wafer, a plurality of polishing machines, Since the wafers are provided at predetermined intervals along the outer periphery of the wafer supported by the means, good polishing can be performed stably and quickly.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】第1実施例の研磨装置の平面図である。FIG. 1 is a plan view of a polishing apparatus according to a first embodiment.

【図2】第1実施例の研磨装置の外観斜視図である。FIG. 2 is an external perspective view of the polishing apparatus according to the first embodiment.

【図3】第1実施例に係る研磨機の構成を説明するため
の縦断面図である。
FIG. 3 is a longitudinal sectional view for explaining a configuration of the polishing machine according to the first embodiment.

【図4】テープの概略構成図である。FIG. 4 is a schematic configuration diagram of a tape.

【図5】第1実施例に係る回転ドラムの傾動状態を示す
図である。
FIG. 5 is a view showing a tilted state of the rotary drum according to the first embodiment.

【図6】第1実施例に係る回転ドラムの傾動状態のタイ
ミングチャートである。
FIG. 6 is a timing chart of the rotary drum according to the first embodiment in a tilted state.

【図7】第2実施例の研磨装置の平面図である。FIG. 7 is a plan view of a polishing apparatus according to a second embodiment.

【図8】第2実施例に係る研磨機の外観斜視図である。FIG. 8 is an external perspective view of a polishing machine according to a second embodiment.

【図9】第2実施例の研磨装置の縦断面図である。FIG. 9 is a longitudinal sectional view of a polishing apparatus according to a second embodiment.

【図10】第2実施例に係る研磨機の平面図である。FIG. 10 is a plan view of a polishing machine according to a second embodiment.

【図11】第2実施例におけるテープの使用方法の一例
を示す図である。
FIG. 11 is a diagram showing an example of a method of using a tape in a second embodiment.

【図12】他の実施例の研磨装置の平面図である。FIG. 12 is a plan view of a polishing apparatus according to another embodiment.

【図13】従来の研磨装置の概略構成図である。FIG. 13 is a schematic configuration diagram of a conventional polishing apparatus.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

6,30,40 研磨装置 6a,6b,30a,30b 研磨機 32 回転ドラム 9 繰出し用リール 10 巻取り用リール 11,12 モータ T テープ W ウェーハ 6, 30, 40 Polishing device 6a, 6b, 30a, 30b Polisher 32 Rotary drum 9 Reel for reel 10 Reel for reel 11, 12 Motor T Tape W Wafer

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 黒田 泰嘉 福島県西白河郡西郷村大字小田倉字大平 150番地 信越半導体株式会社 半導体 白河研究所内 (72)発明者 市川 浩一郎 長野県長野市松代町清野1650番地 不二 越機械工業株式会社内 (72)発明者 稲田 安雄 長野県長野市松代町清野1650番地 不二 越機械工業株式会社内 (56)参考文献 特開 昭61−293764(JP,A) 実開 平1−101758(JP,U) 実開 昭61−148560(JP,U) (58)調査した分野(Int.Cl.6,DB名) B24B 9/00 601 B24B 21/00 H01L 21/304 301 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continuing on the front page (72) Inventor Yasuka Kuroda 150 Odaikura Osaikura, Nishigo-mura, Nishishirakawa-gun, Fukushima Prefecture Inside the Semiconductor Shirakawa Research Laboratory, Shin-Etsu Semiconductor Co., Ltd. No. Fujiuchi Machine Industry Co., Ltd. (72) Inventor Yasuo Inada 1650 Kiyono, Matsushiro-machi, Nagano City, Nagano Prefecture Fujitsu Machine Industry Co., Ltd. (56) References JP-A-61-293764 (JP, A) Kaihei 1-1101758 (JP, U) JP-A 61-148560 (JP, U) (58) Fields investigated (Int. Cl. 6 , DB name) B24B 9/00 601 B24B 21/00 H01L 21/304 301

Claims (2)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】 ウェーハの外周部を、表面に固定砥粒が
担持されたテープによって研磨するための研磨装置であ
って、前記テープが巻回保持され当該テープを繰り出し
する繰出し用リールと、この繰出し用リールから繰り出
される前記テープを巻き取る巻取り用リールと、この両
リールが内部に着脱可能に設置される回転ドラムと、前
記回転ドラムを回転させるモータと、前記巻取り用リー
ルを回転させるモータとを有し、前記両リールに巻き掛
けられる前記テープの途中部分が、前記回転ドラムの外
周に螺旋状に巻回されるように構成された研磨機を複数
台備えるとともに、前記ウェーハの主面が前記ドラム回
転軸に直交するように当該ウェーハを支持可能で、かつ
当該ウェーハを回転させるウェーハ保持手段とを備え、
複数台の前記研磨機が、前記ウェーハ保持手段に支持さ
れる前記ウェーハの外周に沿って所定間隔で設置されて
いることを特徴とする、ウェーハ外周部の研磨装置。
1. A polishing apparatus for polishing an outer peripheral portion of a wafer with a tape having fixed abrasive grains carried on a surface thereof, wherein the tape is wound and held, and a reel for feeding the tape is provided. A take-up reel for taking up the tape fed from the pay-out reel, a rotating drum in which both reels are detachably mounted, a motor for rotating the rotating drum, and rotating the take-up reel And a plurality of polishing machines configured so that a middle part of the tape wound around the two reels is spirally wound around the outer periphery of the rotating drum, and a main part of the wafer. Wafer holding means for supporting the wafer so that the surface is orthogonal to the drum rotation axis, and for rotating the wafer,
A plurality of polishing machines are provided at predetermined intervals along an outer periphery of the wafer supported by the wafer holding means, and a polishing apparatus for an outer peripheral portion of a wafer is provided.
【請求項2】 複数台の前記研磨機の間では固定砥粒の
粒度が異なった前記テープが使用され、前記ウェーハ保
持手段に支持される前記ウェーハの主面に平行でそのウ
ェーハの外周部近傍を貫く線上に存在する軸を中心に、
前記回転ドラムまたは前記ウェーハを回動させる手段を
備えることを特徴とする請求項1記載のウェーハ外周部
の研磨装置。
2. A plurality of polishing machines, wherein the tapes having different fixed abrasive grain sizes are used, and the tape is parallel to the main surface of the wafer supported by the wafer holding means and near the outer periphery of the wafer. Around the axis that exists on the line that passes through
2. The apparatus according to claim 1, further comprising means for rotating the rotating drum or the wafer.
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