JP2868779B2 - Tab用テープ - Google Patents
Tab用テープInfo
- Publication number
- JP2868779B2 JP2868779B2 JP4071889A JP4071889A JP2868779B2 JP 2868779 B2 JP2868779 B2 JP 2868779B2 JP 4071889 A JP4071889 A JP 4071889A JP 4071889 A JP4071889 A JP 4071889A JP 2868779 B2 JP2868779 B2 JP 2868779B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- conductor pattern
- thin film
- conductor
- base film
- holes
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Landscapes
- Wire Bonding (AREA)
- Non-Insulated Conductors (AREA)
- Manufacturing Of Electric Cables (AREA)
- Laminated Bodies (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 (産業上の利用分野) 本発明はTAB(Tape Automated Bonding)用テープに
関する。
関する。
(従来の技術) TAB用テープは、合成樹脂製の薄厚のベースフィルム
上に導体パターンが形成されたものである。このTAB用
テープはきわめて高密度に導体パターンが形成できるこ
とにより、多ピン化に好適に対応でき、また半導体チッ
プとのボンディングの際にはワイヤを用いずにリード全
体を一度にボンディングできるので、能率的なボンディ
ングができる等の種々の利点を有する。
上に導体パターンが形成されたものである。このTAB用
テープはきわめて高密度に導体パターンが形成できるこ
とにより、多ピン化に好適に対応でき、また半導体チッ
プとのボンディングの際にはワイヤを用いずにリード全
体を一度にボンディングできるので、能率的なボンディ
ングができる等の種々の利点を有する。
TAB用テープはその構成によって、導体層のみの1層
から成るもの、導体層とベースフィルムとの2層から成
るもの、導体層とベースフィルムおよびこれらを接着す
る接着剤層の3層から成るもの、の3つに大別される。
2層のTAB用テープは導体層とベースフィルムとが接着
剤を用いずに接合されており、3層のTAB用テープとは
製造方法が異なる。
から成るもの、導体層とベースフィルムとの2層から成
るもの、導体層とベースフィルムおよびこれらを接着す
る接着剤層の3層から成るもの、の3つに大別される。
2層のTAB用テープは導体層とベースフィルムとが接着
剤を用いずに接合されており、3層のTAB用テープとは
製造方法が異なる。
第5図に3層のTAB用テープの従来例を示す。図で1
はベースフィルム、2は導体パターン、3はベースフィ
ルム1と導体パターン2とを接着する接着剤である。ベ
ースフィルム1にはデバイスホール4およびスプロケッ
トホール5等の所要のホールが設けられる。この例で
は、デバイスホール4の周縁部から内側にインナーリー
ド部が延出し、インナーリードとICチップが直接ボンデ
ィングできるように構成されている。
はベースフィルム、2は導体パターン、3はベースフィ
ルム1と導体パターン2とを接着する接着剤である。ベ
ースフィルム1にはデバイスホール4およびスプロケッ
トホール5等の所要のホールが設けられる。この例で
は、デバイスホール4の周縁部から内側にインナーリー
ド部が延出し、インナーリードとICチップが直接ボンデ
ィングできるように構成されている。
3層構造のTAB用テープを製造するには、通常、ベー
スフィルムに接着剤を塗布し、ベースフィルムに所要の
ホールをパンチによって透設し、導体層として銅箔をラ
ミネートし、銅箔を所定の導体パターンにしたがってエ
ッチングし、ベースフィルム上に導体パターンを形成す
る。
スフィルムに接着剤を塗布し、ベースフィルムに所要の
ホールをパンチによって透設し、導体層として銅箔をラ
ミネートし、銅箔を所定の導体パターンにしたがってエ
ッチングし、ベースフィルム上に導体パターンを形成す
る。
(発明が解決しようとする課題) TAB用テープは、前述したようにインナーリード部等
の導体パターンがきわめて高密度で形成されるものであ
り、通常は、半導体チップと直接ボンディングするた
め、デバイスホールの内側にインナーリードが延出する
ように形成されている。導体パターン部は変形などを起
こさないようにするため、導体層のめっき厚等を適宜設
定して強度を保持するようにしているが、製品を持ち運
びしたりする際の取り扱い時にベースフィルムが変形し
たりすることによってインナーリードが変形をおこした
りすることがある。
の導体パターンがきわめて高密度で形成されるものであ
り、通常は、半導体チップと直接ボンディングするた
め、デバイスホールの内側にインナーリードが延出する
ように形成されている。導体パターン部は変形などを起
こさないようにするため、導体層のめっき厚等を適宜設
定して強度を保持するようにしているが、製品を持ち運
びしたりする際の取り扱い時にベースフィルムが変形し
たりすることによってインナーリードが変形をおこした
りすることがある。
TAB用テープに形成される導体パターンは、従来のリ
ードフレーム等に形成される導体パターンと比較しては
るかに微細かつ高密度であるので、インナーリードがわ
ずかでも変形したり、正規の位置からずれたりすると、
正確なボンディングがなされないという問題点を生じ
る。
ードフレーム等に形成される導体パターンと比較しては
るかに微細かつ高密度であるので、インナーリードがわ
ずかでも変形したり、正規の位置からずれたりすると、
正確なボンディングがなされないという問題点を生じ
る。
また他の問題点として、TAB用テープと半導体チップ
とをボンディングする際には、半導体チップかインナー
リードのどちらかにボンディング用のバンプを設けてお
き、バンプを介して熱圧着して接続するが、従来のTAB
用テープではインナーリードの基部がベースフィルムに
接着されているだけであるので、インナーリードが不安
定で、インナーリード部にバンプを形成することがむず
かしいという問題点があった。
とをボンディングする際には、半導体チップかインナー
リードのどちらかにボンディング用のバンプを設けてお
き、バンプを介して熱圧着して接続するが、従来のTAB
用テープではインナーリードの基部がベースフィルムに
接着されているだけであるので、インナーリードが不安
定で、インナーリード部にバンプを形成することがむず
かしいという問題点があった。
そこで、本発明は上記問題点を解消すべくなされたも
のであり、その目的とするところは、インナーリードの
変形や位置ずれが効果的に防止できると共に導体パター
ンを微細に形成することができ、また、インナーリード
にバンプを形成することも容易にできるTAB用テープフ
ィルムを提供しようとするものである。
のであり、その目的とするところは、インナーリードの
変形や位置ずれが効果的に防止できると共に導体パター
ンを微細に形成することができ、また、インナーリード
にバンプを形成することも容易にできるTAB用テープフ
ィルムを提供しようとするものである。
(発明の概要) 本発明では、上記問題点を解消するため、従来、3層
のTAB用テープがベースフィルムと導体層、接着剤層か
ら成っていたことに対し、導体層とベースフィルムとの
中間に電気的絶縁性を有する薄フィルムを介在させたこ
とを特徴とする。
のTAB用テープがベースフィルムと導体層、接着剤層か
ら成っていたことに対し、導体層とベースフィルムとの
中間に電気的絶縁性を有する薄フィルムを介在させたこ
とを特徴とする。
すなわち、本発明のTAB用テープは、デバイスホー
ル、スプロケットホール等の所要のホールが形成された
ベースフィルムに、電気的絶縁性を有する薄フィルムを
介して銅箔等の導体部が所要の導体パターンに形成さ
れ、前記薄フィルムに接合していない側の、前記デバイ
スホールに対向して位置する導体パターンに保護用のコ
ーティングが形成され、該コーティングを貫通して前記
導体パターンのインナーリードにバンプが形成されてい
ることを特徴とする。
ル、スプロケットホール等の所要のホールが形成された
ベースフィルムに、電気的絶縁性を有する薄フィルムを
介して銅箔等の導体部が所要の導体パターンに形成さ
れ、前記薄フィルムに接合していない側の、前記デバイ
スホールに対向して位置する導体パターンに保護用のコ
ーティングが形成され、該コーティングを貫通して前記
導体パターンのインナーリードにバンプが形成されてい
ることを特徴とする。
また、デバイスホール、スプロケットホール等の所要
のホールが形成されたベースフィルムに、電気的絶縁性
を有する薄フィルムを介して銅箔等の導体部が所要の導
体パターンに形成され、前記薄フィルムに接合していな
い側の、前記デバイスホールに対向して位置する導体パ
ターンに保護用のコーティングが形成され、前記薄フィ
ルムを貫通して、前記導体パターンのインナーリードに
バンプが形成されていることを特徴とする。
のホールが形成されたベースフィルムに、電気的絶縁性
を有する薄フィルムを介して銅箔等の導体部が所要の導
体パターンに形成され、前記薄フィルムに接合していな
い側の、前記デバイスホールに対向して位置する導体パ
ターンに保護用のコーティングが形成され、前記薄フィ
ルムを貫通して、前記導体パターンのインナーリードに
バンプが形成されていることを特徴とする。
〔実施例1〕 第1図(a)〜(c)は本発明に係るTAB用テープお
よびその製造方法を示す説明図である。
よびその製造方法を示す説明図である。
第1図(a)は導体部と薄フィルムとの接合体の断面
図を示し、図で10は導体部であり、12は導体部10に接合
された薄フィルムである。薄フィルム12としてはポリイ
ミド等の電気的絶縁性を有するフィルムを用い、導体部
10と薄フィルム12との接合体は、導体部10として銅箔を
用い、銅箔と薄フィルム12とを接着剤を用いてラミネー
トする方法、あるいは、薄フィルム12上にスパッタ、蒸
着あるいはめっき等によって導体部10を形成する方法が
ある。
図を示し、図で10は導体部であり、12は導体部10に接合
された薄フィルムである。薄フィルム12としてはポリイ
ミド等の電気的絶縁性を有するフィルムを用い、導体部
10と薄フィルム12との接合体は、導体部10として銅箔を
用い、銅箔と薄フィルム12とを接着剤を用いてラミネー
トする方法、あるいは、薄フィルム12上にスパッタ、蒸
着あるいはめっき等によって導体部10を形成する方法が
ある。
次に、第1図(b)に示すように、前記導体部10と薄
フィルム12との接合体にベースフィルム14を貼着する。
ベースフィルム14は導体部10および薄フィルム12の支持
体となるもので、ベースフィルム14には、あらかじめデ
バイスホール16、スプロケットホール18等の必要なホー
ルを透設しておく。これらのホールは、通常のパンチン
グ加工によって精度よく形成することができる。20は薄
フィルム12とベースフィルム14とを接着する接着剤であ
る。このようにベースフィルム14と導体部10、薄フィル
ム12を接合した後、導体部10に所定の導体パターンを形
成する。導体パターンの形成方法は従来の導体パターン
の形成方法がそのまま適用でき、たとえば、導体部10に
レジストパターンを設けて導体部の不要部分を除去する
ことなどによって、第1図(c)に示すような導体パタ
ーン10aが形成されたTAB用テープが得られる。
フィルム12との接合体にベースフィルム14を貼着する。
ベースフィルム14は導体部10および薄フィルム12の支持
体となるもので、ベースフィルム14には、あらかじめデ
バイスホール16、スプロケットホール18等の必要なホー
ルを透設しておく。これらのホールは、通常のパンチン
グ加工によって精度よく形成することができる。20は薄
フィルム12とベースフィルム14とを接着する接着剤であ
る。このようにベースフィルム14と導体部10、薄フィル
ム12を接合した後、導体部10に所定の導体パターンを形
成する。導体パターンの形成方法は従来の導体パターン
の形成方法がそのまま適用でき、たとえば、導体部10に
レジストパターンを設けて導体部の不要部分を除去する
ことなどによって、第1図(c)に示すような導体パタ
ーン10aが形成されたTAB用テープが得られる。
図で10bは導体パターンのインナーリードを示す。薄
フィルム12は図のようにデバイスホール16の一方の面に
張設され、インナーリード10bはこの薄フィルム12に接
着されて支持されている。
フィルム12は図のようにデバイスホール16の一方の面に
張設され、インナーリード10bはこの薄フィルム12に接
着されて支持されている。
第1図(d)は上記TAB用テープにICチップ22をボン
ディングして基板24に実装した状態を示す。この例で
は、ICチップ22側にバンプ23が形成され、ICチップ22は
デバイスホール16とは逆側のインナーリード10bにボン
ディングされている。前記ベースフィルム14は外周部分
が切除されサポートリング14aとして残っている。ま
た、導体パターン10aの外部リード10cは基板24上の導体
パターン25に接続される。このTAB用テープでは、イン
ナーリード10bが薄フィルム12に接着されて支持されて
いるので、インナーリード10bの変形が効果的に防止で
きるという特徴がある。
ディングして基板24に実装した状態を示す。この例で
は、ICチップ22側にバンプ23が形成され、ICチップ22は
デバイスホール16とは逆側のインナーリード10bにボン
ディングされている。前記ベースフィルム14は外周部分
が切除されサポートリング14aとして残っている。ま
た、導体パターン10aの外部リード10cは基板24上の導体
パターン25に接続される。このTAB用テープでは、イン
ナーリード10bが薄フィルム12に接着されて支持されて
いるので、インナーリード10bの変形が効果的に防止で
きるという特徴がある。
〔実施例2〕 第2図(a)はインナーリード10bにボンディング用
のバンプを形成したTAB用テープの断面図である。
のバンプを形成したTAB用テープの断面図である。
ベースフィルム14上に薄フィルム12を介して導体部10
を形成するまでは、上記実施例1で述べた製造方法と同
様である。次いで、導体パターンを形成するため導体部
にレジストパターンを形成して導体部の不要部分を除去
することによって導体パターン10aを形成するが、この
とき、インナーリード部10bのバンプを形成する部位に
相当する薄フィルム12にレジスト層を形成した後ドライ
エッチングによって穴をあけ、導体部を部分的に露出さ
せてめっきを行うことによってバンプ26を形成する。
を形成するまでは、上記実施例1で述べた製造方法と同
様である。次いで、導体パターンを形成するため導体部
にレジストパターンを形成して導体部の不要部分を除去
することによって導体パターン10aを形成するが、この
とき、インナーリード部10bのバンプを形成する部位に
相当する薄フィルム12にレジスト層を形成した後ドライ
エッチングによって穴をあけ、導体部を部分的に露出さ
せてめっきを行うことによってバンプ26を形成する。
第2図(b)、(c)は、インナーリードにバンプを
形成する方法を示すもので、インナーリードからバンプ
を突出させる方法として、薄フィルム12をエッチングで
穴あけする前に該フィルム上に形成したレジスト28を残
したままめっきし(第2図(b))、めっき後、レジス
ト28を除去することによって薄フィルム12からバンプ26
を突出させることができることを示す。
形成する方法を示すもので、インナーリードからバンプ
を突出させる方法として、薄フィルム12をエッチングで
穴あけする前に該フィルム上に形成したレジスト28を残
したままめっきし(第2図(b))、めっき後、レジス
ト28を除去することによって薄フィルム12からバンプ26
を突出させることができることを示す。
このように、インナーリード10bの位置に対応してバ
ンプが形成できるのは、導体パターン10aが薄フィルム1
2によって確実に支持され、位置決めが確実になされて
いるからである。バンプ26を形成した後も、インナーリ
ード10bは薄フィルム12上に支持されており、インナー
リード10bの変形を防止する効果は実施例1と同様であ
る。
ンプが形成できるのは、導体パターン10aが薄フィルム1
2によって確実に支持され、位置決めが確実になされて
いるからである。バンプ26を形成した後も、インナーリ
ード10bは薄フィルム12上に支持されており、インナー
リード10bの変形を防止する効果は実施例1と同様であ
る。
第2図(d)は、上記バンプ26を設けたTAB用テープ
にICチップをボンディングし、基板24に実装した例を示
す。本実施例のバンプを有するTAB用テープキャリアで
は、ICチップ22はベースフィルム14のデバイスホール16
側にボンディングされる。
にICチップをボンディングし、基板24に実装した例を示
す。本実施例のバンプを有するTAB用テープキャリアで
は、ICチップ22はベースフィルム14のデバイスホール16
側にボンディングされる。
〔実施例3〕 第3図に示す実施例は、薄フィルム12上に形成された
導体パターン10aにコーティングを施し、さらにバンプ
を設けた例である。ベースフィルム14に導体パターン10
aを形成するまでの工程は上記各実施例と同様である。
導体パターン10aにコーティングを施し、さらにバンプ
を設けた例である。ベースフィルム14に導体パターン10
aを形成するまでの工程は上記各実施例と同様である。
第3図(a)で30は導体パターン10aを被覆するコー
ティングである。このコーティングは印刷等によって設
けることができる。
ティングである。このコーティングは印刷等によって設
けることができる。
第3図(b)は、インナーリード10bのコーティング
面側にボンディング用のバンプ32を設けた状態を示す。
バンプ32を設ける場合は、コーティング30の上にさらに
レジスト層を形成して2層とし、インナーリード10bに
対応する位置のレジストおよびコーティング30をエッチ
ングして穴あけし、インナーリード10bの面を露出させ
てめっきを施す。そして、上層のレジスト層のみを除去
することによりバンプ32を形成することができる。
面側にボンディング用のバンプ32を設けた状態を示す。
バンプ32を設ける場合は、コーティング30の上にさらに
レジスト層を形成して2層とし、インナーリード10bに
対応する位置のレジストおよびコーティング30をエッチ
ングして穴あけし、インナーリード10bの面を露出させ
てめっきを施す。そして、上層のレジスト層のみを除去
することによりバンプ32を形成することができる。
第3図(c)は上記TAB用テープをICチップにボンデ
ィングし、また基板に実装するため、コーティング30の
導体パターン10aの外部リード部に相当する部分36をエ
ッチングして除去した状態を示す。
ィングし、また基板に実装するため、コーティング30の
導体パターン10aの外部リード部に相当する部分36をエ
ッチングして除去した状態を示す。
第3図(d)は上記TAB用テープにICチップをボンデ
ィングした後、基板へ実装した状態を示す。ICチップ22
はバンプ32を介してインナーリード10bに接合され、導
体パターン10aの外部リード10cは基板24上の回路パター
ン25に接続される。この実施例3では、導体パターン10
aのコーティング30が施された側にバンプ32を形成した
が、この場合でも、実施例2と同様に導体パターン10a
の薄フィルム12側にバンプを形成することももちろん可
能である。すなわち、導体パターン10aにコーティング
を施す方法を採用すれば、ICチップはフェイスアップと
フェイスダウンのどちらの形にも形成できる。
ィングした後、基板へ実装した状態を示す。ICチップ22
はバンプ32を介してインナーリード10bに接合され、導
体パターン10aの外部リード10cは基板24上の回路パター
ン25に接続される。この実施例3では、導体パターン10
aのコーティング30が施された側にバンプ32を形成した
が、この場合でも、実施例2と同様に導体パターン10a
の薄フィルム12側にバンプを形成することももちろん可
能である。すなわち、導体パターン10aにコーティング
を施す方法を採用すれば、ICチップはフェイスアップと
フェイスダウンのどちらの形にも形成できる。
実施例3のように、コーティング30によって導体パタ
ーン10aを被覆する場合は、薄フィルム12のみを用いた
場合と比べてコーティング30によってさらにインナーリ
ード10bが支持されることになり、インナーリード10bの
変形防止効果がさらに向上する。また、コーティングに
よる別の効果として導体パターン10a部分の銅のマイグ
レーションが防止できるという効果もある。
ーン10aを被覆する場合は、薄フィルム12のみを用いた
場合と比べてコーティング30によってさらにインナーリ
ード10bが支持されることになり、インナーリード10bの
変形防止効果がさらに向上する。また、コーティングに
よる別の効果として導体パターン10a部分の銅のマイグ
レーションが防止できるという効果もある。
以上説明した各実施例においては、インナーリードの
先端をデバイスホールの周縁部に配置した例を挙げた
が、上記のTAB用テープでは、薄フィルム12によって導
体パターンが支持されるから、デバイスホールの内側中
央部までインナーリードを長く引き出すことが可能であ
る。このように、デバイスホールの内側中央部までイン
ナーリードを引き出すことができるので、インナーリー
ドの配置範囲が拡大するとともに、インナーリードのパ
ターンもきわて多様なパターンを選択することができる
うえ、インナーリードの変形がなくなるという大きな効
果がある。さらに、このようにすることにより、ICチッ
プの周縁部だけでなくICチップの面全体を広く接続に用
いることが可能となる。
先端をデバイスホールの周縁部に配置した例を挙げた
が、上記のTAB用テープでは、薄フィルム12によって導
体パターンが支持されるから、デバイスホールの内側中
央部までインナーリードを長く引き出すことが可能であ
る。このように、デバイスホールの内側中央部までイン
ナーリードを引き出すことができるので、インナーリー
ドの配置範囲が拡大するとともに、インナーリードのパ
ターンもきわて多様なパターンを選択することができる
うえ、インナーリードの変形がなくなるという大きな効
果がある。さらに、このようにすることにより、ICチッ
プの周縁部だけでなくICチップの面全体を広く接続に用
いることが可能となる。
また、上記各実施例で示すように、導体パターンは常
に薄フィルム12に接合されているから薄フィルム12の強
度によって導体パターンが補強でき、導体パターンを形
成する際の銅箔等の導体部を極めて薄厚にでき、これに
よって微細エッチングが容易となって超微細パターンが
形成しやすくなるという利点がある。微細パターンを形
成した際には、実施例3に示すようなコーティングを施
すことにより、確実に導体パターンを保護することが可
能である。また、きわめて薄厚の導体部をそのまま導体
パターンとして用いることもできる。
に薄フィルム12に接合されているから薄フィルム12の強
度によって導体パターンが補強でき、導体パターンを形
成する際の銅箔等の導体部を極めて薄厚にでき、これに
よって微細エッチングが容易となって超微細パターンが
形成しやすくなるという利点がある。微細パターンを形
成した際には、実施例3に示すようなコーティングを施
すことにより、確実に導体パターンを保護することが可
能である。また、きわめて薄厚の導体部をそのまま導体
パターンとして用いることもできる。
なお、インナーリードを上記のようにデバイスホール
の中央部まで自由に引き出すことが可能でインナーリー
ドの変形の心配がないTAB用テープとして第4図に示す
ようなものが知られているが、このTAB用テープは、ベ
ースフィルム14に導体を充填するスルーホール33を形成
する必要があるため、微細な導体パターンを形成するこ
とはきわめて困難であり、ICチップと接続後は、厚いベ
ースフィルム14の反りにより接続部が剥離しやすいもの
である。
の中央部まで自由に引き出すことが可能でインナーリー
ドの変形の心配がないTAB用テープとして第4図に示す
ようなものが知られているが、このTAB用テープは、ベ
ースフィルム14に導体を充填するスルーホール33を形成
する必要があるため、微細な導体パターンを形成するこ
とはきわめて困難であり、ICチップと接続後は、厚いベ
ースフィルム14の反りにより接続部が剥離しやすいもの
である。
以上、本発明について好適な実施例を挙げて種々説明
したが、本発明はこの実施例に限定されるものではな
く、発明の精神を逸脱しない範囲内で多くの改変を施し
得るのはもちろんのことである。
したが、本発明はこの実施例に限定されるものではな
く、発明の精神を逸脱しない範囲内で多くの改変を施し
得るのはもちろんのことである。
(発明の効果) 本発明のTAB用テープによれば、上述したように、ベ
ースフィルム上に設ける導体パターンが薄フィルムを介
してベースフィルムに接合されて成るから、導体パター
ンは常時薄フィルムに支持され、導体パターンが確実に
位置決めでき、インナーリードが変形したり位置ずれが
生じることが防止できる。これにより、TAB用フィルム
の搬送、持ち運び等の取り扱いが容易になる。また、イ
ンナーリードの変形が防止できるから、正確なボンディ
ングが可能となり、インナーリードの位置決めが確実に
できることと合わせて導体パターンをより微細構造に形
成することが容易に可能となる。
ースフィルム上に設ける導体パターンが薄フィルムを介
してベースフィルムに接合されて成るから、導体パター
ンは常時薄フィルムに支持され、導体パターンが確実に
位置決めでき、インナーリードが変形したり位置ずれが
生じることが防止できる。これにより、TAB用フィルム
の搬送、持ち運び等の取り扱いが容易になる。また、イ
ンナーリードの変形が防止できるから、正確なボンディ
ングが可能となり、インナーリードの位置決めが確実に
できることと合わせて導体パターンをより微細構造に形
成することが容易に可能となる。
また、薄フィルムに導体パターンが支持されることに
より、インナーリード部にボンディング用のバンプを形
成することも容易となる。
より、インナーリード部にボンディング用のバンプを形
成することも容易となる。
第1図(a)〜(d)は本発明に係るTAB用テープの第
1実施例およびその実装状態を示す説明図、第2図
(a)〜(d)は第2実施例およびその実装状態を示す
説明図、第3図(a)〜(d)は第3実施例およびその
実装状態を示す説明図、第4図はデバイスホール内へ引
き出したインナーリードの配置例を示す説明図、第5図
は従来のTAB用テープを示す説明図である。 10……導体部、10a……導体パターン、10b……インナー
リード、10c……外部リード、12……薄フィルム、14…
…ベースフィルム、16……デバイスホール、18……スプ
ロケットホール、22……ICチップ、24……基板、26……
バンプ、28……レジスト、30……コーティング、32……
バンプ。
1実施例およびその実装状態を示す説明図、第2図
(a)〜(d)は第2実施例およびその実装状態を示す
説明図、第3図(a)〜(d)は第3実施例およびその
実装状態を示す説明図、第4図はデバイスホール内へ引
き出したインナーリードの配置例を示す説明図、第5図
は従来のTAB用テープを示す説明図である。 10……導体部、10a……導体パターン、10b……インナー
リード、10c……外部リード、12……薄フィルム、14…
…ベースフィルム、16……デバイスホール、18……スプ
ロケットホール、22……ICチップ、24……基板、26……
バンプ、28……レジスト、30……コーティング、32……
バンプ。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭62−274737(JP,A) 特開 昭62−199022(JP,A) (58)調査した分野(Int.Cl.6,DB名) H01L 21/60
Claims (2)
- 【請求項1】デバイスホール、スプロケットホール等の
所要のホールが形成されたベースフィルムに、電気的絶
縁性を有する薄フィルムを介して銅箔等の導体部が所要
の導体パターンに形成され、 前記薄フィルムに接合していない側の、前記デバイスホ
ールに対向して位置する導体パターンに保護用のコーテ
ィングが形成され、 該コーティングを貫通して前記導体パターンのインナー
リードにバンプが形成されていることを特徴とするTAB
用テープ。 - 【請求項2】デバイスホール、スプロケットホール等の
所要のホールが形成されたベースフィルムに、電気的絶
縁性を有する薄フィルムを介して銅箔等の導体部が所要
の導体パターンに形成され、 前記薄フィルムに接合していない側の、前記デバイスホ
ールに対向して位置する導体パターンに保護用のコーテ
ィングが形成され、 前記薄フィルムを貫通して、前記導体パターンのインナ
ーリードにバンプが形成されていることを特徴とするTA
B用テープ。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP4071889A JP2868779B2 (ja) | 1989-02-21 | 1989-02-21 | Tab用テープ |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP4071889A JP2868779B2 (ja) | 1989-02-21 | 1989-02-21 | Tab用テープ |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH02220306A JPH02220306A (ja) | 1990-09-03 |
JP2868779B2 true JP2868779B2 (ja) | 1999-03-10 |
Family
ID=12588378
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP4071889A Expired - Lifetime JP2868779B2 (ja) | 1989-02-21 | 1989-02-21 | Tab用テープ |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2868779B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2533009B2 (ja) * | 1991-04-09 | 1996-09-11 | 株式会社巴川製紙所 | フィルムキャリア用接着テ―プの製造方法 |
-
1989
- 1989-02-21 JP JP4071889A patent/JP2868779B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH02220306A (ja) | 1990-09-03 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2592038B2 (ja) | 半導体チップ実装方法および基板構造体 | |
US4052787A (en) | Method of fabricating a beam lead flexible circuit | |
JP2001177045A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
US5858816A (en) | Method for producing circuit board, for semiconductor package, having cavity for accommodating semiconductor element | |
US20020086514A1 (en) | Fabrication method of wiring substrate for mounting semiconductor element and semiconductor device | |
JPH0536756A (ja) | 半導体装置用テープキヤリア及びその製造方法 | |
JP2008252016A (ja) | 基板およびその製造方法、回路装置およびその製造方法 | |
JP4203538B2 (ja) | 配線基板の製造方法、及び配線基板 | |
JP2868779B2 (ja) | Tab用テープ | |
JP4549695B2 (ja) | 配線基板の製造方法 | |
JP2982703B2 (ja) | 半導体パッケージ及びその製造方法 | |
CN114256170A (zh) | 扇出型封装结构及其制备方法 | |
JP3624512B2 (ja) | 電子部品搭載用基板の製造方法 | |
JP2000252411A (ja) | スタックド半導体装置及びその製造方法 | |
JP2784248B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JP2787230B2 (ja) | 電子部品塔載用基板 | |
JPH10126056A (ja) | プリント配線基板の製造方法 | |
JP2784209B2 (ja) | 半導体装置 | |
JP3057194B2 (ja) | 半導体パッケージの製造方法 | |
JP2882378B2 (ja) | 半導体パッケージ及びリードフレーム | |
JPH1051149A (ja) | 多層プリント配線板の製造方法 | |
JPS5940539A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
JP2918994B2 (ja) | 回路基板及び多層回路基板の製造方法 | |
JP3233294B2 (ja) | プリント配線板及びその製造方法 | |
JPH0590344A (ja) | Tab用テープキヤリア |