JP2851023B2 - Icの傾き検査方法 - Google Patents
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
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- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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Description
【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】この発明は、例えば、ICをボー
ドにマウントするために位置決めを行う際のICの傾き
検査方法に関する。
ドにマウントするために位置決めを行う際のICの傾き
検査方法に関する。
【0002】
【従来の技術】ICをボード上の所定場所にマウントす
るにあたり、ICの正確な位置決めが必要である。この
ICの正確な位置決めのためには、ICの中心とその傾
き角度の検査が不可欠である。このICの中心と傾き角
度を画像処理に基づいて抽出する場合、処理速度を高め
るため2値画像に基づいて行なわれることが多い。しか
し、この2値画像は照明の照度変化に極めて影響を受け
易く、測定値の精度保証に問題を抱えている。
るにあたり、ICの正確な位置決めが必要である。この
ICの正確な位置決めのためには、ICの中心とその傾
き角度の検査が不可欠である。このICの中心と傾き角
度を画像処理に基づいて抽出する場合、処理速度を高め
るため2値画像に基づいて行なわれることが多い。しか
し、この2値画像は照明の照度変化に極めて影響を受け
易く、測定値の精度保証に問題を抱えている。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】この発明はこのような
従来の問題点を解消すべく創案されたもので、ICの位
置決めのための傾き検査を、2値画像に基づかずとも、
高速かつ高精度に実行し得るICの傾き検査方法を提供
することを目的とする。
従来の問題点を解消すべく創案されたもので、ICの位
置決めのための傾き検査を、2値画像に基づかずとも、
高速かつ高精度に実行し得るICの傾き検査方法を提供
することを目的とする。
【0004】
【課題を解決する手段】この発明に係るICの傾き検査
方法は、ICパッケイジの各辺においてICピン先端を
含む検査領域を設定し、各々の検査領域の濃度投影から
各々のICピンの両端と先端を検出し、この先端に沿っ
た直線上で各検査領域を代表する点を求め、対辺に位置
する検査領域を代表する点の座標差に基づきICの傾き
を求めるものである。
方法は、ICパッケイジの各辺においてICピン先端を
含む検査領域を設定し、各々の検査領域の濃度投影から
各々のICピンの両端と先端を検出し、この先端に沿っ
た直線上で各検査領域を代表する点を求め、対辺に位置
する検査領域を代表する点の座標差に基づきICの傾き
を求めるものである。
【0005】
【実施例】次に、この発明に係るICの傾き検査方法の
1実施例を図面に基づいて説明する。図1は本発明の1
実施例を示すフローチャートである。まず、ステップ1
−1で、QFP型等4辺にピンを有するICの画像を取
り込む。なお、背景の輝度値とピン部の輝度値とは差が
あるものとする。
1実施例を図面に基づいて説明する。図1は本発明の1
実施例を示すフローチャートである。まず、ステップ1
−1で、QFP型等4辺にピンを有するICの画像を取
り込む。なお、背景の輝度値とピン部の輝度値とは差が
あるものとする。
【0006】ステップ1−2で、このIC画像における
所定位置に検査領域を設定し、各々CR1・・CR4と
する(図2)。この検査領域はICの各辺に一個設定
し、ICピン先端を必ず含むものとする。
所定位置に検査領域を設定し、各々CR1・・CR4と
する(図2)。この検査領域はICの各辺に一個設定
し、ICピン先端を必ず含むものとする。
【0007】ステップ1−3で、検査領域のX軸及びY
軸方向の濃度投影を生成する。図3に、例として挙げる
検査領域CR1の濃度投影図を示す。この濃度投影図
は、画像の濃淡、つまり多値情報を集積したデータであ
る。従って、情報圧縮を行なう際、情報が欠落してしま
う2値画像と比較し、はるかに信頼度の高い情報を有し
ているといえる。
軸方向の濃度投影を生成する。図3に、例として挙げる
検査領域CR1の濃度投影図を示す。この濃度投影図
は、画像の濃淡、つまり多値情報を集積したデータであ
る。従って、情報圧縮を行なう際、情報が欠落してしま
う2値画像と比較し、はるかに信頼度の高い情報を有し
ているといえる。
【0008】ステップ1−4では、ステップ1−3で生
成した濃度投影に一次微分を施す。その結果を図3中太
い実線で示す。これにより、ICピンの両端に沿うライ
ン、すなわちX軸方向の境界部分並びにICピン先端に
沿うライン、すなわちY軸方向の境界部分、(以下エッ
ジという)が強調されることになる。
成した濃度投影に一次微分を施す。その結果を図3中太
い実線で示す。これにより、ICピンの両端に沿うライ
ン、すなわちX軸方向の境界部分並びにICピン先端に
沿うライン、すなわちY軸方向の境界部分、(以下エッ
ジという)が強調されることになる。
【0009】次に、ステップ1−5で、サブピクセル単
位で、エッジ位置を抽出する。図4は、Y軸方向のエッ
ジ部分を画像のピクセル単位で表わしたものである。図
4のように、画像には凹凸があるのが通常である。この
ような画像データから、より正確なエッジ位、つまりY
座標を求めるにはサブピクセルの単位まで考慮する。こ
れにより、ただ単に、一次微分の最大値を有するピクセ
ル単位の座標に基づくより、更に正確で高精度のY座標
(その座標のX軸を図6中実線で示す)の確保が可能と
なる。X軸方向のエッジ座標も同様にサブピクセルの単
位で算出する。
位で、エッジ位置を抽出する。図4は、Y軸方向のエッ
ジ部分を画像のピクセル単位で表わしたものである。図
4のように、画像には凹凸があるのが通常である。この
ような画像データから、より正確なエッジ位、つまりY
座標を求めるにはサブピクセルの単位まで考慮する。こ
れにより、ただ単に、一次微分の最大値を有するピクセ
ル単位の座標に基づくより、更に正確で高精度のY座標
(その座標のX軸を図6中実線で示す)の確保が可能と
なる。X軸方向のエッジ座標も同様にサブピクセルの単
位で算出する。
【0010】なお、エッジ部分の抽出にあたっては、経
験上判明している所定値を閾値として設定し、一次微分
値がこの閾値を上回る部分のみをエッジとみなす。ま
た、この閾値設定方法を統一するために、一次微分後正
規化処理をすることが望ましい。
験上判明している所定値を閾値として設定し、一次微分
値がこの閾値を上回る部分のみをエッジとみなす。ま
た、この閾値設定方法を統一するために、一次微分後正
規化処理をすることが望ましい。
【0011】ステップ1−6では、各ICピンに対応す
る点を抽出する。この点は各々のピン両端位置の中央点
を示す破線及び各々のピン先端位置を示す実線の交点と
し、図3においてP1・・Pnと表わす。次にステップ1
−7で、各々のピンに対応する点P1からPnのX座標の
平均をピン先端を示すX軸上で求め、これを検査領域C
R1の代表点RP1とする。このように全ての検査領域
について各々の代表点を求める。図5においてRP1・
・RP4と表わす。
る点を抽出する。この点は各々のピン両端位置の中央点
を示す破線及び各々のピン先端位置を示す実線の交点と
し、図3においてP1・・Pnと表わす。次にステップ1
−7で、各々のピンに対応する点P1からPnのX座標の
平均をピン先端を示すX軸上で求め、これを検査領域C
R1の代表点RP1とする。このように全ての検査領域
について各々の代表点を求める。図5においてRP1・
・RP4と表わす。
【0012】次にステップ1−8で、図5に示すよう
に、対辺に位置する代表点を結ぶ直線を求め、各々L
1、L2と表わす。そして、これらの直線の交点をIC
の中心点とする。傾斜角は、RP1とRP3のX座標の
差をΔXとし、RP2とRP4のY座標の差をΔYと
し、ΔY/ΔXに基づいて算出可能である。
に、対辺に位置する代表点を結ぶ直線を求め、各々L
1、L2と表わす。そして、これらの直線の交点をIC
の中心点とする。傾斜角は、RP1とRP3のX座標の
差をΔXとし、RP2とRP4のY座標の差をΔYと
し、ΔY/ΔXに基づいて算出可能である。
【0013】本発明では検査領域が所定位置の狭い領域
であるため処理時間を要せず、従って極めて高速に傾き
角度を算出可能である。このように求めたICの中心を
中心にして、傾き角度分当該ICを回転させて傾き補正
を行なう。
であるため処理時間を要せず、従って極めて高速に傾き
角度を算出可能である。このように求めたICの中心を
中心にして、傾き角度分当該ICを回転させて傾き補正
を行なう。
【0014】
【発明の効果】以上のように本発明によれば、2値画像
に基づかずとも、高速かつ高精度に実行し得るICの傾
き検出が可能であり、その後の傾き補正が簡単に実現で
きる。
に基づかずとも、高速かつ高精度に実行し得るICの傾
き検出が可能であり、その後の傾き補正が簡単に実現で
きる。
【図1】本発明の1実施例を示すフローチャートであ
る。
る。
【図2】検査領域の設定を示す概念図である。
【図3】検査領域の濃度投影、一次微分、各ピンに対応
する点を示す概念図である。
する点を示す概念図である。
【図4】サブピクセル単位のエッジ位置を説明するため
の図である。
の図である。
【図5】ICの中心を示す概念図である。
CR 検査領域 P 各々のピンに対応する点 RP 検査領域の代表点 L 対辺の代表点間の直線 ΔY RP2とRP4のY座標の差 ΔX RP1とRP3のX座標の差
フロントページの続き (56)参考文献 特開 平2−91509(JP,A) 特開 平2−118404(JP,A) 特開 平3−242504(JP,A) 特開 平5−196424(JP,A) 特開 平5−296724(JP,A) (58)調査した分野(Int.Cl.6,DB名) G01B 11/00 - 11/30 G06T 7/60 H05K 13/00 - 13/08
Claims (2)
- 【請求項1】 各辺がX軸、Y軸に略平行になるように
配置されるICの傾き検査方法において、ICの画像を
入力し、この画像における所定位置に、ICピン先端を
含む検査領域を設定し、各検査領域内の濃度投影を生成
し、この濃度投影の1次微分における所定値以上の位置
を各ICピンの両端及び先端とみなし、この先端位置に
ついて、前記各検査領域の所定位置における代表点を抽
出し、対辺に位置する検査領域の代表点の座標の差に基
づいてICの傾きを算出することを特徴とするICの傾
き検査方法。 - 【請求項2】 代表点は個々のICピン幅の中央点の平
均であることを特徴とする請求項1記載のICの傾き検
査方法。
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP4194920A JP2851023B2 (ja) | 1992-06-29 | 1992-06-29 | Icの傾き検査方法 |
KR1019930011939A KR940001343A (ko) | 1992-06-29 | 1993-06-29 | 집적회로의 경사검출방법 |
EP93110372A EP0577080B1 (en) | 1992-06-29 | 1993-06-29 | Inspection method of inclination of an IC-package |
DE69309352T DE69309352T2 (de) | 1992-06-29 | 1993-06-29 | Verfahren zur Überprüfung der Neigung eines Gehäuses eines integrierten Schaltkreises |
US08/568,439 US5627912A (en) | 1992-06-29 | 1995-12-06 | Inspection method of inclination of an IC |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP4194920A JP2851023B2 (ja) | 1992-06-29 | 1992-06-29 | Icの傾き検査方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0618243A JPH0618243A (ja) | 1994-01-25 |
JP2851023B2 true JP2851023B2 (ja) | 1999-01-27 |
Family
ID=16332546
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP4194920A Expired - Fee Related JP2851023B2 (ja) | 1992-06-29 | 1992-06-29 | Icの傾き検査方法 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5627912A (ja) |
EP (1) | EP0577080B1 (ja) |
JP (1) | JP2851023B2 (ja) |
DE (1) | DE69309352T2 (ja) |
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