JP2846773B2 - 半導体装置の樹脂封止装置及び樹脂封止方法 - Google Patents
半導体装置の樹脂封止装置及び樹脂封止方法Info
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- B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
- B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
- B29C45/00—Injection moulding, i.e. forcing the required volume of moulding material through a nozzle into a closed mould; Apparatus therefor
- B29C45/14—Injection moulding, i.e. forcing the required volume of moulding material through a nozzle into a closed mould; Apparatus therefor incorporating preformed parts or layers, e.g. injection moulding around inserts or for coating articles
- B29C45/14639—Injection moulding, i.e. forcing the required volume of moulding material through a nozzle into a closed mould; Apparatus therefor incorporating preformed parts or layers, e.g. injection moulding around inserts or for coating articles for obtaining an insulating effect, e.g. for electrical components
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- B29C45/17—Component parts, details or accessories; Auxiliary operations
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
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- H01L21/56—Encapsulations, e.g. encapsulation layers, coatings
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、半導体装置の樹脂封
止装置及び樹脂封止方法、特に、トランスファ成形プレ
スを用いて樹脂成形する半導体装置の樹脂封止装置及び
樹脂封止方法に関するものである。
止装置及び樹脂封止方法、特に、トランスファ成形プレ
スを用いて樹脂成形する半導体装置の樹脂封止装置及び
樹脂封止方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】一般に、半導体装置の樹脂封止装置は、
トランスファ成形プレスに装着した上下２つの型板を型
締めした後、プランジャーによってトランスファポット
内のレジンタブレットをキャビティ内に圧送して成形を
行うものとして知られている。従来、この種の半導体装
置の樹脂封止装置には、その中央部にレジンタブレット
加圧用のプランジャーが進退するトランスファポット及
び一方のパッケージを形成するキャビティを有する上側
の型板と、この型板の下方に進退自在に設けられ、他方
のパッケージを形成するキャビティを有する下側の型板
と、この型板及び上側の型板内に各々収納され各キャビ
ティの内部に進退するエジェクターピンを有する突き出
し機構とを備えたものが使用されている。
トランスファ成形プレスに装着した上下２つの型板を型
締めした後、プランジャーによってトランスファポット
内のレジンタブレットをキャビティ内に圧送して成形を
行うものとして知られている。従来、この種の半導体装
置の樹脂封止装置には、その中央部にレジンタブレット
加圧用のプランジャーが進退するトランスファポット及
び一方のパッケージを形成するキャビティを有する上側
の型板と、この型板の下方に進退自在に設けられ、他方
のパッケージを形成するキャビティを有する下側の型板
と、この型板及び上側の型板内に各々収納され各キャビ
ティの内部に進退するエジェクターピンを有する突き出
し機構とを備えたものが使用されている。
【０００３】このように構成されてた半導体装置の樹脂
封止装置においては、トランスファポットが外部に開口
する構造であるため、プランジャー挿入時にトランスフ
ァポット内に流入する空気がプランジャーの加圧によっ
て溶融した樹脂内に混入し、半導体チップを樹脂封止す
るパッケージ内にボイド（空隙部）が形成されていた。
そこで、この種の半導体装置の樹脂封止装置において
は、樹脂封止時に吸気装置を駆動してトランスファポッ
ト及びキャビティの内部を減圧状態にすることにより、
パッケージ内への空気混入を阻止することが行われてい
る。
封止装置においては、トランスファポットが外部に開口
する構造であるため、プランジャー挿入時にトランスフ
ァポット内に流入する空気がプランジャーの加圧によっ
て溶融した樹脂内に混入し、半導体チップを樹脂封止す
るパッケージ内にボイド（空隙部）が形成されていた。
そこで、この種の半導体装置の樹脂封止装置において
は、樹脂封止時に吸気装置を駆動してトランスファポッ
ト及びキャビティの内部を減圧状態にすることにより、
パッケージ内への空気混入を阻止することが行われてい
る。
【０００４】図９は、従来の半導体装置の樹脂封止装置
を示す概略構成図である。図において、下チェイスブロ
ック１及び上チェイスブロック２は、それぞれ図示しな
いキャビティを有し、ヒータ（図示しない）を内蔵した
下定盤３及び上定盤４にそれぞれ固定されている。下型
５は、下チェイスブロック１、下定盤３及び下エジェク
ター機構（図示しない）から構成されており、プレスを
行う下プラテン７に固定されている。また、上型６は、
上チェイスブロック２、上定盤４及び上エジェクター機
構（図示しない）から構成されており、プレスを行う上
プラテン８に固定されている。下型用密閉カバー９は、
下型５の外周に配設され、下プラテン７に固定されてい
る。また、上型用密閉カバー１０は、上型６の外周に配
設され、上プラテン８に固定されている。これらの下型
用密閉カバー９及び上型用密閉カバー１０の合せ面は、
シール材１１によってシールされている。上型用密閉カ
バー１０には、真空排気装置（図示しない）に接続され
た真空排気ダクト１３が設けられており、下型用密閉カ
バー９及び上型用密閉カバー１０の内側は真空室１２と
なる。
を示す概略構成図である。図において、下チェイスブロ
ック１及び上チェイスブロック２は、それぞれ図示しな
いキャビティを有し、ヒータ（図示しない）を内蔵した
下定盤３及び上定盤４にそれぞれ固定されている。下型
５は、下チェイスブロック１、下定盤３及び下エジェク
ター機構（図示しない）から構成されており、プレスを
行う下プラテン７に固定されている。また、上型６は、
上チェイスブロック２、上定盤４及び上エジェクター機
構（図示しない）から構成されており、プレスを行う上
プラテン８に固定されている。下型用密閉カバー９は、
下型５の外周に配設され、下プラテン７に固定されてい
る。また、上型用密閉カバー１０は、上型６の外周に配
設され、上プラテン８に固定されている。これらの下型
用密閉カバー９及び上型用密閉カバー１０の合せ面は、
シール材１１によってシールされている。上型用密閉カ
バー１０には、真空排気装置（図示しない）に接続され
た真空排気ダクト１３が設けられており、下型用密閉カ
バー９及び上型用密閉カバー１０の内側は真空室１２と
なる。
【０００５】従来の半導体装置の樹脂封止装置は以上の
ように構成され、半導体装置の樹脂封止は次のようにし
て行われる。すなわち、前工程でダイボンド、ワイヤー
ボンドされたリードフレーム上に載置された半導体素子
を下チェイスブロック１上に搭載する。次に、プレス機
構を駆動して型締めを行い、図９に示す状態とする。型
締め完了後、樹脂タブレットを上型６内にあるチャンバ
ー（図示しない）内に投入し、プランジャー（図示しな
い）とチャンバーを嵌合させ、チャンバーとプランジャ
ー間をシールした状態で真空排気装置を作動させ、全型
内部を真空とする。ある一定の真空度になった時点でプ
ランジャーを作動させ、樹脂タブレットを押圧して樹脂
を注入することによって、半導体素子を樹脂封止したパ
ッケージを成形することができる。なお、上述と同様な
従来の半導体樹脂封止装置としては、例えば特開昭６３
−６４３３１号公報に示すものがある。
ように構成され、半導体装置の樹脂封止は次のようにし
て行われる。すなわち、前工程でダイボンド、ワイヤー
ボンドされたリードフレーム上に載置された半導体素子
を下チェイスブロック１上に搭載する。次に、プレス機
構を駆動して型締めを行い、図９に示す状態とする。型
締め完了後、樹脂タブレットを上型６内にあるチャンバ
ー（図示しない）内に投入し、プランジャー（図示しな
い）とチャンバーを嵌合させ、チャンバーとプランジャ
ー間をシールした状態で真空排気装置を作動させ、全型
内部を真空とする。ある一定の真空度になった時点でプ
ランジャーを作動させ、樹脂タブレットを押圧して樹脂
を注入することによって、半導体素子を樹脂封止したパ
ッケージを成形することができる。なお、上述と同様な
従来の半導体樹脂封止装置としては、例えば特開昭６３
−６４３３１号公報に示すものがある。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】上述したような樹脂封
止装置では、装置全体が大きく、また、真空室１２の容
積も大きいため、真空排気に長時間を要し、真空排気装
置も大型のものが必要であるという問題点があった。さ
らに、パッケージの品種切替え時には、下型用密閉カバ
ー９及び上型用密閉カバー１０を外し、１０００Ｋｇ前
後ある上型６を載せ降ろしする必要があり、ヒートアッ
プする時間を加えると交換作業に約２日程度も要すると
いう問題点があった。
止装置では、装置全体が大きく、また、真空室１２の容
積も大きいため、真空排気に長時間を要し、真空排気装
置も大型のものが必要であるという問題点があった。さ
らに、パッケージの品種切替え時には、下型用密閉カバ
ー９及び上型用密閉カバー１０を外し、１０００Ｋｇ前
後ある上型６を載せ降ろしする必要があり、ヒートアッ
プする時間を加えると交換作業に約２日程度も要すると
いう問題点があった。
【０００７】この発明は、このような問題点を解決する
ためになされたもので、チェイスブロック部及び共用定
盤部を共に真空容器とし、パッケージの品種切替え時に
は、チェイスブロック部のみをＱＤＣ（Quick Die Chan
ge、迅速交換）方式により容易に交換することができる
半導体装置の樹脂封止装置を得ることを目的とする。ま
た、真空排気路の系統化、真空室容積の減少等により、
真空性能が良く、省スペースで樹脂封止性能の高い半導
体装置の樹脂封止装置及び樹脂封止方法を得ることを目
的とする。
ためになされたもので、チェイスブロック部及び共用定
盤部を共に真空容器とし、パッケージの品種切替え時に
は、チェイスブロック部のみをＱＤＣ（Quick Die Chan
ge、迅速交換）方式により容易に交換することができる
半導体装置の樹脂封止装置を得ることを目的とする。ま
た、真空排気路の系統化、真空室容積の減少等により、
真空性能が良く、省スペースで樹脂封止性能の高い半導
体装置の樹脂封止装置及び樹脂封止方法を得ることを目
的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】この発明の請求項第１項
に係る半導体装置の樹脂封止装置は、下型チェイスブロ
ック部の内部に形成されたエジェクター室内を下型共用
定盤部から真空排気する第１の真空排気路と、上型チェ
イスブロック部の内部に形成されたエジェクター室内を
上型共用定盤部から真空排気する第２の真空排気路と、
上記下型チェイスブロック部及び上記上型チェイスブロ
ック部のパーティング面に形成されるパーティング室内
を下型共用定盤部及び上型共用定盤部のいずれか一方か
ら真空排気する第３の真空排気路とを設けたものであ
る。
に係る半導体装置の樹脂封止装置は、下型チェイスブロ
ック部の内部に形成されたエジェクター室内を下型共用
定盤部から真空排気する第１の真空排気路と、上型チェ
イスブロック部の内部に形成されたエジェクター室内を
上型共用定盤部から真空排気する第２の真空排気路と、
上記下型チェイスブロック部及び上記上型チェイスブロ
ック部のパーティング面に形成されるパーティング室内
を下型共用定盤部及び上型共用定盤部のいずれか一方か
ら真空排気する第３の真空排気路とを設けたものであ
る。
【０００９】この発明の請求項第２項に係る半導体装置
の樹脂封止装置は、下型チェイスブロック部及び上型チ
ェイスブロック部を、下型共用定盤部及び上型共用定盤
部にそれぞれ設けられた下型チェイスリフト機構及び上
型チェイスリフト機構を用い、迅速交換方式により交換
するものである。
の樹脂封止装置は、下型チェイスブロック部及び上型チ
ェイスブロック部を、下型共用定盤部及び上型共用定盤
部にそれぞれ設けられた下型チェイスリフト機構及び上
型チェイスリフト機構を用い、迅速交換方式により交換
するものである。
【００１０】この発明の請求項第３項に係る半導体装置
の樹脂封止装置は、第１の真空排気路、第２の真空排気
路又は第３の真空排気路に、複数個の排気路を連通する
マニホールドを設けたものである。
の樹脂封止装置は、第１の真空排気路、第２の真空排気
路又は第３の真空排気路に、複数個の排気路を連通する
マニホールドを設けたものである。
【００１１】この発明の請求項第４項に係る半導体装置
の樹脂封止装置は、パーティング面に面する下型チェイ
スブロック部及び上型チェイスブロック部に、型締め状
態において圧接されるシールリングを介装したものであ
る。この発明の請求項第５項に係る半導体装置の樹脂封
止装置は、パーティング面と直角方向に分割された合わ
せ面のシールを縦シール材により行うものである。この
発明の請求項第６項に係る半導体装置の樹脂封止装置に
おける縦シール材の幅は、シールリングの幅より小さい
ものである。 この発明の請求項第７項に係る半導体装置
の樹脂封止装置における縦シール材の断面形状は、Ｉ形
断面である。
の樹脂封止装置は、パーティング面に面する下型チェイ
スブロック部及び上型チェイスブロック部に、型締め状
態において圧接されるシールリングを介装したものであ
る。この発明の請求項第５項に係る半導体装置の樹脂封
止装置は、パーティング面と直角方向に分割された合わ
せ面のシールを縦シール材により行うものである。この
発明の請求項第６項に係る半導体装置の樹脂封止装置に
おける縦シール材の幅は、シールリングの幅より小さい
ものである。 この発明の請求項第７項に係る半導体装置
の樹脂封止装置における縦シール材の断面形状は、Ｉ形
断面である。
【００１２】この発明の請求項第８項に係る半導体装置
の樹脂封止方法は、下型チェイスブロック部の内部に形
成されたエジェクター室内を下型共用定盤部から真空排
気し、上型チェイスブロック部の内部に形成されたエジ
ェクター室内を上型共用定盤部から真空排気し、かつ、
下型チェイスブロック部及び上型チェイスブロック部の
パーティング面に形成されるパーティング室内を下型共
用定盤部及び上型共用定盤部のいずれか一方から真空排
気した後、上記下型キャビティ及び上記上型キャビティ
内に封止樹脂を注入して半導体素子を樹脂封止するもの
である。
の樹脂封止方法は、下型チェイスブロック部の内部に形
成されたエジェクター室内を下型共用定盤部から真空排
気し、上型チェイスブロック部の内部に形成されたエジ
ェクター室内を上型共用定盤部から真空排気し、かつ、
下型チェイスブロック部及び上型チェイスブロック部の
パーティング面に形成されるパーティング室内を下型共
用定盤部及び上型共用定盤部のいずれか一方から真空排
気した後、上記下型キャビティ及び上記上型キャビティ
内に封止樹脂を注入して半導体素子を樹脂封止するもの
である。
【００１３】
【作用】この発明の請求項第１項においては、下型及び
上型内部に真空排気路を設けたので、真空部分の容積を
格段に減少させることができ、効率的な真空排気を可能
とする。
上型内部に真空排気路を設けたので、真空部分の容積を
格段に減少させることができ、効率的な真空排気を可能
とする。
【００１４】この発明の請求項第２項においては、下型
チェイスリフト機構及び上型チェイスリフト機構を用
い、迅速交換方式を採用するので、下型チェイスブロッ
ク部及び上型チェイスブロック部を短時間で交換でき、
樹脂封止装置のマシン停止時間を短縮でき、生産性を大
幅に向上する。
チェイスリフト機構及び上型チェイスリフト機構を用
い、迅速交換方式を採用するので、下型チェイスブロッ
ク部及び上型チェイスブロック部を短時間で交換でき、
樹脂封止装置のマシン停止時間を短縮でき、生産性を大
幅に向上する。
【００１５】この発明の請求項第３項においては、第
１、第２又は第３の真空排気路の長さを最短にすること
ができると共に、チェイスブロック部の真空排気路と簡
単に接続させることができる。
１、第２又は第３の真空排気路の長さを最短にすること
ができると共に、チェイスブロック部の真空排気路と簡
単に接続させることができる。
【００１６】この発明の請求項第４項においては、型締
め状態においてパーティング面を効果的に真空シールす
ることができる。この発明の請求項第５項においては、
縦シール材により適正な押圧力が作用し、シール性能を
向上させる。 この発明の請求項第６項においては、面圧
を高くでき、シール性能を向上させる。 この発明の請求
項第７項において、Ｉ形縦シールはたわみにくく、シー
ル性能を向上させる。
め状態においてパーティング面を効果的に真空シールす
ることができる。この発明の請求項第５項においては、
縦シール材により適正な押圧力が作用し、シール性能を
向上させる。 この発明の請求項第６項においては、面圧
を高くでき、シール性能を向上させる。 この発明の請求
項第７項において、Ｉ形縦シールはたわみにくく、シー
ル性能を向上させる。
【００１７】この発明の請求項第８項においては、下型
及び上型内部に設けられた真空排気路により真空排気を
行うので、真空部分の容積が小さく、効率的にパッケー
ジのボイドの発生を防止し、製品の品質を向上する。
及び上型内部に設けられた真空排気路により真空排気を
行うので、真空部分の容積が小さく、効率的にパッケー
ジのボイドの発生を防止し、製品の品質を向上する。
【００１８】
【実施例】図１は、この発明の一実施例による半導体装
置の樹脂封止装置を示す断面図である。なお、各図中、
同一符号は同一又は相当部分を示している。図におい
て、まず、下型３０の構成を説明する。下型チェイス１
５には下型キャビティ１４が設けられており、下型キャ
ビティ１４で成形されたパッケージ（図示しない）は、
エジェクターピン１６によってエジェクトされる。複数
個のエジェクターピン１６は、エジェクタープレート
（図示しない）により上下動される。このエジェクター
プレート、バネ（図示しない）等により、下型エジェク
ター機構１７が構成される。下型チェイス１５を支える
弾性ポスト２２の他端は、下型バッキングプレート１８
に当接されており、この下型バッキングプレート１８で
プレス型締め力を受圧する。下型バッキングプレート１
８、下型チェイス１５、下型エジェクター機構１７の外
周に配設された環状の枠１９及び枠１９の両端にあるシ
ール材１９a、１９bによって、真空密閉構造の下型チェ
イスブロック部２０が構成されている。下型チェイスブ
ロック部２０には、下型チェイス１５、下型エジェクタ
ー機構１７及び枠１９等で囲まれたエジェクター室１０
０が形成される。
置の樹脂封止装置を示す断面図である。なお、各図中、
同一符号は同一又は相当部分を示している。図におい
て、まず、下型３０の構成を説明する。下型チェイス１
５には下型キャビティ１４が設けられており、下型キャ
ビティ１４で成形されたパッケージ（図示しない）は、
エジェクターピン１６によってエジェクトされる。複数
個のエジェクターピン１６は、エジェクタープレート
（図示しない）により上下動される。このエジェクター
プレート、バネ（図示しない）等により、下型エジェク
ター機構１７が構成される。下型チェイス１５を支える
弾性ポスト２２の他端は、下型バッキングプレート１８
に当接されており、この下型バッキングプレート１８で
プレス型締め力を受圧する。下型バッキングプレート１
８、下型チェイス１５、下型エジェクター機構１７の外
周に配設された環状の枠１９及び枠１９の両端にあるシ
ール材１９a、１９bによって、真空密閉構造の下型チェ
イスブロック部２０が構成されている。下型チェイスブ
ロック部２０には、下型チェイス１５、下型エジェクタ
ー機構１７及び枠１９等で囲まれたエジェクター室１０
０が形成される。
【００１９】ヒーター（図示しない）が内蔵された下型
定盤２１は、弾性ポスト２２の一端で支えられており、
弾性ポスト２２の他端は、下型ベース２３で受けられて
いる。下型定盤２１及び下型ベース２３内には、上述の
ように形成されたエジェクター室１００内を真空排気す
る第１の真空排気路２５が設けられている。第１の真空
排気路２５は、パイプ２４に連通しており、パイプ２４
の両端にはシール材２４a、２４bが介装されている。エ
ジェクター室１００内は、第１の真空排気路２５を介し
て図１のＡ部から図示しない排気装置により真空排気さ
れる。なお、Ａ部の排気口は下型ベース２３に設けられ
ているが、下型定盤２１に設けても良い。
定盤２１は、弾性ポスト２２の一端で支えられており、
弾性ポスト２２の他端は、下型ベース２３で受けられて
いる。下型定盤２１及び下型ベース２３内には、上述の
ように形成されたエジェクター室１００内を真空排気す
る第１の真空排気路２５が設けられている。第１の真空
排気路２５は、パイプ２４に連通しており、パイプ２４
の両端にはシール材２４a、２４bが介装されている。エ
ジェクター室１００内は、第１の真空排気路２５を介し
て図１のＡ部から図示しない排気装置により真空排気さ
れる。なお、Ａ部の排気口は下型ベース２３に設けられ
ているが、下型定盤２１に設けても良い。
【００２０】下型チェイスブロック部２０は、枠１９の
凹溝部１９cがレール２６のレール突起部２６aに嵌合す
ることにより、レール２６に固定されている。レール２
６の上下動は、下型チェイスリフト機構であるエアーシ
リンダー２７によって駆動される。上述の下型定盤２１
からエアーシリンダー２７によって、下型共用定盤部２
８が構成されている。下型チェイスブロック部２０は、
この下型共用定盤部２８の定盤面に搭載され、第１の真
空排気路２５はシール材２９により真空シールされてい
る。下型チェイスブロック部２０及び下型共用定盤部２
８によって、下型３０が構成されている。
凹溝部１９cがレール２６のレール突起部２６aに嵌合す
ることにより、レール２６に固定されている。レール２
６の上下動は、下型チェイスリフト機構であるエアーシ
リンダー２７によって駆動される。上述の下型定盤２１
からエアーシリンダー２７によって、下型共用定盤部２
８が構成されている。下型チェイスブロック部２０は、
この下型共用定盤部２８の定盤面に搭載され、第１の真
空排気路２５はシール材２９により真空シールされてい
る。下型チェイスブロック部２０及び下型共用定盤部２
８によって、下型３０が構成されている。
【００２１】次に、上型４１の構成も、上述した下型３
０と同様に構成されている。すなわち、上型チェイスブ
ロック部３３は、上型チェイス３１、上型バッキングプ
レート３２等によって構成され、上型共用定盤部３９
は、上型定盤３４、上型ベース３５等から構成されてい
る。上型チェイスブロック部３３には、上型チェイス３
１、上型エジェクター機構５０及び枠５１等で囲まれた
エジェクター室２００が形成される。上型定盤３４及び
上型ベース３５内には、上述のように形成されたエジェ
クター室２００内を真空排気する第２の真空排気路３７
が設けられている。第２の真空排気路３７は、パイプ３
６に連通しており、パイプ３６の両端にはシール材３６
a、３６bが介装されている。エジェクター室２００内
は、第２の真空排気路２００を介して図１のＢ部から図
示しない排気装置により真空排気される。上型チェイス
ブロック部３３は、上型共用定盤部３９の定盤面に搭載
され、真空排気路３７はシール材４０によりシールされ
ている。これらの上型チェイスブロック部３３及び上型
共用定盤部３９によって、上型４１が構成されている。
０と同様に構成されている。すなわち、上型チェイスブ
ロック部３３は、上型チェイス３１、上型バッキングプ
レート３２等によって構成され、上型共用定盤部３９
は、上型定盤３４、上型ベース３５等から構成されてい
る。上型チェイスブロック部３３には、上型チェイス３
１、上型エジェクター機構５０及び枠５１等で囲まれた
エジェクター室２００が形成される。上型定盤３４及び
上型ベース３５内には、上述のように形成されたエジェ
クター室２００内を真空排気する第２の真空排気路３７
が設けられている。第２の真空排気路３７は、パイプ３
６に連通しており、パイプ３６の両端にはシール材３６
a、３６bが介装されている。エジェクター室２００内
は、第２の真空排気路２００を介して図１のＢ部から図
示しない排気装置により真空排気される。上型チェイス
ブロック部３３は、上型共用定盤部３９の定盤面に搭載
され、真空排気路３７はシール材４０によりシールされ
ている。これらの上型チェイスブロック部３３及び上型
共用定盤部３９によって、上型４１が構成されている。
【００２２】下型３０と上型４１との間のパーティング
ラインＰの真空シールは、下型チェイス１５の外周に形
成された溝に介装されたシールリング４２により、型締
め状態において圧接されることにより達成される。ま
た、パーティングラインＰのキャビティ１４を含むパー
ティング面回りには、パーティング室３００が形成され
る。上型定盤３４及び上型ベース３５内には、パーティ
ング室３００内を真空排気する第３の真空排気路３８が
設けられている。第３の真空排気路３８は、パイプ５２
に連通しており、パイプ５２の両端にはシール材５２
a、５２bが介装されている。パーティング室３００内
は、第３の真空排気路３８を介して図１のＣ部から図示
しない排気装置により真空排気される。なお、第３の真
空排気路３８は、上型共用定盤部３９から排気したが、
下型共用定盤部２８から排気しても良い。また、樹脂く
ずがエジェクター室２００内に入るのを防止するため
に、第２の真空排気路３７と第３の真空排気路３８とを
別系統とすると共に、第３の真空排気路３８が上型エジ
ェクター機構５０を通過する部分には、排気管５３が設
けられている。以上のように、エジェクター室１００、
エジェクター室２００及びパーティング室３００は、下
型２１及び上型４１内に形成された３系統の経路で真空
排気される。このような真空排気経路を構成することに
よって、従来装置に比べ真空室となる部分の容積を格段
に減少させることができ、効率的に真空排気を行うこと
ができる。
ラインＰの真空シールは、下型チェイス１５の外周に形
成された溝に介装されたシールリング４２により、型締
め状態において圧接されることにより達成される。ま
た、パーティングラインＰのキャビティ１４を含むパー
ティング面回りには、パーティング室３００が形成され
る。上型定盤３４及び上型ベース３５内には、パーティ
ング室３００内を真空排気する第３の真空排気路３８が
設けられている。第３の真空排気路３８は、パイプ５２
に連通しており、パイプ５２の両端にはシール材５２
a、５２bが介装されている。パーティング室３００内
は、第３の真空排気路３８を介して図１のＣ部から図示
しない排気装置により真空排気される。なお、第３の真
空排気路３８は、上型共用定盤部３９から排気したが、
下型共用定盤部２８から排気しても良い。また、樹脂く
ずがエジェクター室２００内に入るのを防止するため
に、第２の真空排気路３７と第３の真空排気路３８とを
別系統とすると共に、第３の真空排気路３８が上型エジ
ェクター機構５０を通過する部分には、排気管５３が設
けられている。以上のように、エジェクター室１００、
エジェクター室２００及びパーティング室３００は、下
型２１及び上型４１内に形成された３系統の経路で真空
排気される。このような真空排気経路を構成することに
よって、従来装置に比べ真空室となる部分の容積を格段
に減少させることができ、効率的に真空排気を行うこと
ができる。
【００２３】上述したように構成された樹脂樹脂封止装
置においては、次のように樹脂封止が行われる。すなわ
ち、前工程でダイボンド、ワイヤーボンドされたリード
フレーム上の半導体素子を下型チェイス１５上に搭載
し、同時に下型チェイス１５内に組み込まれているチャ
ンバー（図示しない）内へ樹脂タブレットを投入後、型
締めを行うことによって、図１に示した状態とする。こ
の時、プランジャー（図示しない）は、下型３０に内蔵
されており、すでにチャンバーと嵌合しシールをしてい
る状態にある。型締め完了後、真空排気装置を作動さ
せ、ある一定の真空度になった時点でプランジャーを作
動させ、樹脂タブレットを押圧して封止樹脂をキャビテ
ィに注入することにより、半導体素子を樹脂封止したパ
ッケージを成形することができる。
置においては、次のように樹脂封止が行われる。すなわ
ち、前工程でダイボンド、ワイヤーボンドされたリード
フレーム上の半導体素子を下型チェイス１５上に搭載
し、同時に下型チェイス１５内に組み込まれているチャ
ンバー（図示しない）内へ樹脂タブレットを投入後、型
締めを行うことによって、図１に示した状態とする。こ
の時、プランジャー（図示しない）は、下型３０に内蔵
されており、すでにチャンバーと嵌合しシールをしてい
る状態にある。型締め完了後、真空排気装置を作動さ
せ、ある一定の真空度になった時点でプランジャーを作
動させ、樹脂タブレットを押圧して封止樹脂をキャビテ
ィに注入することにより、半導体素子を樹脂封止したパ
ッケージを成形することができる。
【００２４】図２及び図３は、図１に示した樹脂封止装
置の下型チェイスブロック部２０を示すそれぞれ部分平
面図及び側面断面図である。これらの図において、下型
キャビティインサート１５aは、下型チェイス１５に分
割して組み込まれており、下型キャビティ１４が形成さ
れている。このキャビティインサート１５aは、パッケ
ージ及びリードフレームのサイズに応じてその大きさを
変更できるものであり、最大寸法のパッケージでも対応
できる。また、キャビティインサート１５aは、リテー
ナ１５bに保持されており、リテーナ１５bの上部外周に
は、シールリング４２を介装する溝４２bが形成されて
いる。キャビティインサート１５a及びリテーナ１５bの
両端には、下型エンドプレート１５cが配設されてお
り、下型エンドプレート１５cの上面には、シールリン
グ４２を介装する溝が形成されている。リテーナ１５b
と下型エンドプレート１５cとの合せ面は、縦シール４
３でシールされている。リテーナ１５b及びエンドプレ
ート１５cには、図２に示すように、例えばｌ1＝ｌ2＞
１ｍｍ以上の溝が形成されており、縦シール４３が挿入
される。
置の下型チェイスブロック部２０を示すそれぞれ部分平
面図及び側面断面図である。これらの図において、下型
キャビティインサート１５aは、下型チェイス１５に分
割して組み込まれており、下型キャビティ１４が形成さ
れている。このキャビティインサート１５aは、パッケ
ージ及びリードフレームのサイズに応じてその大きさを
変更できるものであり、最大寸法のパッケージでも対応
できる。また、キャビティインサート１５aは、リテー
ナ１５bに保持されており、リテーナ１５bの上部外周に
は、シールリング４２を介装する溝４２bが形成されて
いる。キャビティインサート１５a及びリテーナ１５bの
両端には、下型エンドプレート１５cが配設されてお
り、下型エンドプレート１５cの上面には、シールリン
グ４２を介装する溝が形成されている。リテーナ１５b
と下型エンドプレート１５cとの合せ面は、縦シール４
３でシールされている。リテーナ１５b及びエンドプレ
ート１５cには、図２に示すように、例えばｌ1＝ｌ2＞
１ｍｍ以上の溝が形成されており、縦シール４３が挿入
される。
【００２５】図４は、下型チェイスブロック部２０をＱ
ＤＣ方式により交換する際の動作を説明する下型３０の
斜視図である。この図に基づいて、下型チェイスブロッ
ク部２０を交換する場合について説明する。まず、エア
ーシリンダー２７によりレール２６を昇降させ、レール
突起部２６aに下型チェイスブロック部２０の枠１９の
凹溝部１９cを嵌合させて、下型共用定盤部２８内に押
し込む。その後、エアーシリンダー２７を下降させ、ロ
ック板（図示しない）にてロックし、下型チェイスブロ
ック部２０の下型共用定盤部２８への搭載は完了する。
以上のように、下型チェイスブロック部２０をエアーシ
リンダー２７により持ち上げて交換するため、各シール
材を損傷することなく、円滑、迅速に交換を行うことが
できる。
ＤＣ方式により交換する際の動作を説明する下型３０の
斜視図である。この図に基づいて、下型チェイスブロッ
ク部２０を交換する場合について説明する。まず、エア
ーシリンダー２７によりレール２６を昇降させ、レール
突起部２６aに下型チェイスブロック部２０の枠１９の
凹溝部１９cを嵌合させて、下型共用定盤部２８内に押
し込む。その後、エアーシリンダー２７を下降させ、ロ
ック板（図示しない）にてロックし、下型チェイスブロ
ック部２０の下型共用定盤部２８への搭載は完了する。
以上のように、下型チェイスブロック部２０をエアーシ
リンダー２７により持ち上げて交換するため、各シール
材を損傷することなく、円滑、迅速に交換を行うことが
できる。
【００２６】なお、上述した各真空排気路は、交換の終
了時には連通することになる。また、下型チェイスブロ
ック部２０を外す時は、上述したセット時の逆動作を行
えばよい。上型４１の場合も、上型チェイスリフト機構
例えばエアーシリンダーを用いて、上述した下型３０と
基本的に同一な動作により上型チェイスブロック部３３
の交換を行うことができる。なお、下型チェイスブロッ
ク部２０、上型チェイスブロック部３３の駆動源は、エ
アーシリンダー２７でなくても良く、例えばモーター又
はプレスの型締め力を利用しても良い。
了時には連通することになる。また、下型チェイスブロ
ック部２０を外す時は、上述したセット時の逆動作を行
えばよい。上型４１の場合も、上型チェイスリフト機構
例えばエアーシリンダーを用いて、上述した下型３０と
基本的に同一な動作により上型チェイスブロック部３３
の交換を行うことができる。なお、下型チェイスブロッ
ク部２０、上型チェイスブロック部３３の駆動源は、エ
アーシリンダー２７でなくても良く、例えばモーター又
はプレスの型締め力を利用しても良い。
【００２７】図５は、下型３０を示す部分断面図であ
る。この図では、４セットの下型チェイスブロック部２
０が下型共用定盤部２８上に搭載されている。下型チェ
イスブロック部２０のエジェクター室を真空排気するた
めの第１の真空排気路２５a、２５b、２５c、２５dは、
パイプ２４によって下型チェイスブロック部２０を下型
共用定盤部２８に搭載するだけで、下型共用定盤部２８
の下定盤２１及び下型ベース２３を連通するようになっ
ている。また、第１の真空排気路２５a〜２５dは、マニ
ホールド４５によって互いに連通している。このよう
に、下型共用定盤部２８内にマニホールド４５を設ける
ことによって、第１の真空排気路２５a〜２５dの長さを
最短にすることができ、下型チェイスブロック部２０の
真空排気路をワンタッチで簡単に接続することができ
る。なお、マニホールドは第２の真空排気路３７及び第
３の真空排気路３８にも同様に設けることができる。
る。この図では、４セットの下型チェイスブロック部２
０が下型共用定盤部２８上に搭載されている。下型チェ
イスブロック部２０のエジェクター室を真空排気するた
めの第１の真空排気路２５a、２５b、２５c、２５dは、
パイプ２４によって下型チェイスブロック部２０を下型
共用定盤部２８に搭載するだけで、下型共用定盤部２８
の下定盤２１及び下型ベース２３を連通するようになっ
ている。また、第１の真空排気路２５a〜２５dは、マニ
ホールド４５によって互いに連通している。このよう
に、下型共用定盤部２８内にマニホールド４５を設ける
ことによって、第１の真空排気路２５a〜２５dの長さを
最短にすることができ、下型チェイスブロック部２０の
真空排気路をワンタッチで簡単に接続することができ
る。なお、マニホールドは第２の真空排気路３７及び第
３の真空排気路３８にも同様に設けることができる。
【００２８】図６は、図３に示したＺ部分の拡大断面図
である。図において、シールリング４２の幅をＳ、シー
ルリング４２を押す反作用面（上型チェイスブロック部
３３）の幅をＴ、縦シール４３の幅をｔとすると、ｔ＜
Ｔ＜Ｓの関係とすることにより、シールリング４２及び
縦シール４３に適正な押圧力が作用し、シール性能を向
上させることができる。この場合、シールリング４２及
び縦シール４３を下型チェイスブロック部２０に配設し
ているが、下型３０と上型４１との関係を逆にして上型
チェイスブロック部３３に配設しても、上述と同様な効
果が得られる。
である。図において、シールリング４２の幅をＳ、シー
ルリング４２を押す反作用面（上型チェイスブロック部
３３）の幅をＴ、縦シール４３の幅をｔとすると、ｔ＜
Ｔ＜Ｓの関係とすることにより、シールリング４２及び
縦シール４３に適正な押圧力が作用し、シール性能を向
上させることができる。この場合、シールリング４２及
び縦シール４３を下型チェイスブロック部２０に配設し
ているが、下型３０と上型４１との関係を逆にして上型
チェイスブロック部３３に配設しても、上述と同様な効
果が得られる。
【００２９】図７は、図６に示した縦シール４３の変形
例を示す断面図である。図において、縦シール４３の代
わりに、Ｉ型断面の縦シール４６が介装されている。こ
の縦シール４６を使用した場合には、縦シール４６のシ
ール材１９aに対する面圧を高く取ることができると共
に、たわみにくいので、シール性能をさらに向上させる
ことができる。
例を示す断面図である。図において、縦シール４３の代
わりに、Ｉ型断面の縦シール４６が介装されている。こ
の縦シール４６を使用した場合には、縦シール４６のシ
ール材１９aに対する面圧を高く取ることができると共
に、たわみにくいので、シール性能をさらに向上させる
ことができる。
【００３０】図８は、図２に示したＹ部分の拡大断面図
である。図において、下型チェイスブロック部２０のリ
テーナ１５bと下型エンドプレート１５cとを締付けるシ
ールボルト４４が設けられている。このシールボルト４
４は、下型チェイスブロック部２０の寸法制約上のある
部位における部品締付部のシール方法として有効であ
る。すなわち、シールボルト４４の六角形又は四角形の
多角穴付きボルトの頭部に、シール材４４aを介装する
ことにより、このボルト部の隙間を通り、リテーナ１５
bと下型エンドプレート１５cとの合せ面より洩れるエア
ーをシールすることができる。このシール方法によれ
ば、他の部品との寸法制約上の余裕がない部位であって
も、締付ボルト部のシールが可能で、シール性能の向上
を図ることができる。
である。図において、下型チェイスブロック部２０のリ
テーナ１５bと下型エンドプレート１５cとを締付けるシ
ールボルト４４が設けられている。このシールボルト４
４は、下型チェイスブロック部２０の寸法制約上のある
部位における部品締付部のシール方法として有効であ
る。すなわち、シールボルト４４の六角形又は四角形の
多角穴付きボルトの頭部に、シール材４４aを介装する
ことにより、このボルト部の隙間を通り、リテーナ１５
bと下型エンドプレート１５cとの合せ面より洩れるエア
ーをシールすることができる。このシール方法によれ
ば、他の部品との寸法制約上の余裕がない部位であって
も、締付ボルト部のシールが可能で、シール性能の向上
を図ることができる。
【００３１】
【発明の効果】以上説明したとおり、請求項第１項に係
る発明は、下型チェイスブロック部及び下型共用定盤部
から構成される下型と、上型チェイスブロック部及び上
型共用定盤部から構成され、上記下型に対向する上型と
を備え、上記下型チェイスブロック部及び上記上型チェ
イスブロック部に設けられたキャビティにおいて半導体
装置の樹脂封止を行う樹脂封止装置であって、上記下型
チェイスブロック部の内部に形成されたエジェクター室
内を上記下型共用定盤部から真空排気する第１の真空排
気路と、上記上型チェイスブロック部の内部に形成され
たエジェクター室内を上記上型共用定盤部から真空排気
する第２の真空排気路と、上記下型チェイスブロック部
及び上記上型チェイスブロック部のパーティング面に形
成されるパーティング室内を上記下型共用定盤部及び上
記上型共用定盤部のいずれか一方から真空排気する第３
の真空排気路とを設けたので、真空部分の容積を格段に
減少させて効率的な真空排気が可能であり、樹脂封止装
置の小型化、省スペース化、さらに、品質の向上した半
導体装置が得られるという効果を奏する。
る発明は、下型チェイスブロック部及び下型共用定盤部
から構成される下型と、上型チェイスブロック部及び上
型共用定盤部から構成され、上記下型に対向する上型と
を備え、上記下型チェイスブロック部及び上記上型チェ
イスブロック部に設けられたキャビティにおいて半導体
装置の樹脂封止を行う樹脂封止装置であって、上記下型
チェイスブロック部の内部に形成されたエジェクター室
内を上記下型共用定盤部から真空排気する第１の真空排
気路と、上記上型チェイスブロック部の内部に形成され
たエジェクター室内を上記上型共用定盤部から真空排気
する第２の真空排気路と、上記下型チェイスブロック部
及び上記上型チェイスブロック部のパーティング面に形
成されるパーティング室内を上記下型共用定盤部及び上
記上型共用定盤部のいずれか一方から真空排気する第３
の真空排気路とを設けたので、真空部分の容積を格段に
減少させて効率的な真空排気が可能であり、樹脂封止装
置の小型化、省スペース化、さらに、品質の向上した半
導体装置が得られるという効果を奏する。
【００３２】請求項第２項に係る発明は、下型チェイス
ブロック部及び上型チェイスブロック部は、下型共用定
盤部及び上型共用定盤部にそれぞれ設けられた下型チェ
イスリフト機構及び上型チェイスリフト機構を用い、迅
速交換方式により交換するので、品種切替え時における
装置の停止時間を減少でき、生産性を大幅に向上させる
ことができるという効果を奏する。
ブロック部及び上型チェイスブロック部は、下型共用定
盤部及び上型共用定盤部にそれぞれ設けられた下型チェ
イスリフト機構及び上型チェイスリフト機構を用い、迅
速交換方式により交換するので、品種切替え時における
装置の停止時間を減少でき、生産性を大幅に向上させる
ことができるという効果を奏する。
【００３３】請求項第３項に係る発明は、第１の真空排
気路、第２の真空排気路又は第３の真空排気路に、複数
個の排気路を連通するマニホールドを設けたので、第
１、第２又は第３の真空排気路の長さを最短にすること
ができると共に、チェイスブロック部の真空排気路と簡
単に接続させることができるという効果を奏する。
気路、第２の真空排気路又は第３の真空排気路に、複数
個の排気路を連通するマニホールドを設けたので、第
１、第２又は第３の真空排気路の長さを最短にすること
ができると共に、チェイスブロック部の真空排気路と簡
単に接続させることができるという効果を奏する。
【００３４】請求項第４項に係る発明は、パーティング
面に面する下型チェイスブロック部及び上型チェイスブ
ロック部に、型締め状態において圧接されるシールリン
グを介装したので、型締め状態においてパーティング面
を効果的に真空シールすることができるという効果を奏
する。請求項第５項に係る発明におけるパーティング面
と直角方向に分割された合わせ面のシールは、縦シール
材により行われるので、シールリング及び縦シールに適
正な押圧力が作用し、シール性能を向上させることがで
きるという効果を奏する。 請求項第６項に係る発明にお
ける縦シール材の幅は、シールリングの幅より小さいの
で、面圧を高く取ることができ、シール性能を向上させ
ることができるという効果を奏する。 請求項第７項に係
る発明における縦シール材の断面形状は、Ｉ形断面であ
るので、たわみにくく、シール性能を向上させることが
できるという効果を奏する。
面に面する下型チェイスブロック部及び上型チェイスブ
ロック部に、型締め状態において圧接されるシールリン
グを介装したので、型締め状態においてパーティング面
を効果的に真空シールすることができるという効果を奏
する。請求項第５項に係る発明におけるパーティング面
と直角方向に分割された合わせ面のシールは、縦シール
材により行われるので、シールリング及び縦シールに適
正な押圧力が作用し、シール性能を向上させることがで
きるという効果を奏する。 請求項第６項に係る発明にお
ける縦シール材の幅は、シールリングの幅より小さいの
で、面圧を高く取ることができ、シール性能を向上させ
ることができるという効果を奏する。 請求項第７項に係
る発明における縦シール材の断面形状は、Ｉ形断面であ
るので、たわみにくく、シール性能を向上させることが
できるという効果を奏する。
【００３５】請求項第８項に係る発明は、リードフレー
ム上に載置された半導体素子を下型チェイスブロック部
に形成された下型キャビティと、上型チェイスブロック
部に形成された上型キャビティとの間に搭載して下型及
び上型の型締めを行い、上記下型チェイスブロック部の
内部に形成されたエジェクター室内を下型共用定盤部か
ら真空排気し、上記上型チェイスブロック部の内部に形
成されたエジェクター室内を上型共用定盤部から真空排
気し、かつ、上記下型チェイスブロック部及び上記上型
チェイスブロック部のパーティング面に形成されるパー
ティング室内を上記下型共用定盤部及び上記上型共用定
盤部のいずれか一方から真空排気し、次いで、上記下型
キャビティ及び上記上型キャビティ内に封止樹脂を注入
して上記半導体素子を樹脂封止するので、高品質な半導
体装置を迅速に製造することができるという効果を奏す
る。
ム上に載置された半導体素子を下型チェイスブロック部
に形成された下型キャビティと、上型チェイスブロック
部に形成された上型キャビティとの間に搭載して下型及
び上型の型締めを行い、上記下型チェイスブロック部の
内部に形成されたエジェクター室内を下型共用定盤部か
ら真空排気し、上記上型チェイスブロック部の内部に形
成されたエジェクター室内を上型共用定盤部から真空排
気し、かつ、上記下型チェイスブロック部及び上記上型
チェイスブロック部のパーティング面に形成されるパー
ティング室内を上記下型共用定盤部及び上記上型共用定
盤部のいずれか一方から真空排気し、次いで、上記下型
キャビティ及び上記上型キャビティ内に封止樹脂を注入
して上記半導体素子を樹脂封止するので、高品質な半導
体装置を迅速に製造することができるという効果を奏す
る。
【図１】この発明の一実施例による半導体装置の樹脂封
止装置を示す側面断面図である。
止装置を示す側面断面図である。
【図２】図１に示した樹脂封止装置の下型チェイスブロ
ック部を示す部分平面図である。
ック部を示す部分平面図である。
【図３】図１に示した樹脂封止装置に下型チェイスブロ
ック部を示す側面断面図である。
ック部を示す側面断面図である。
【図４】下型チェイスブロック部をＱＤＣ方式により交
換する際の動作を説明する下型の斜視図である。
換する際の動作を説明する下型の斜視図である。
【図５】下型を示す部分断面図である。
【図６】図３に示した縦シールの拡大断面図である。
【図７】Ｉ型縦シールの拡大断面図である。
【図８】シールボルトの拡大断面図である。
【図９】従来の半導体装置の樹脂封止装置を示す概略構
成図である。
成図である。
１４ 下型キャビティ １５ 下型チェイス １５ａ 下型キャビティインサート １５ｂ リテーナ １５ｃ 下型エンドプレート １６ エジェクターピン １７ 下型エジェクター機構 １８ 下型バッキングプレート １９ 枠 １９ａ シール材 １９ｂ シール材 １９ｃ 凹溝部 ２０ 下型チェイスブロック部 ２１ 下型定盤 ２２ 弾性ポスト ２３ 下型ベース ２４ パイプ ２４ａ シール材 ２４ｂ シール材 ２５ 第１の真空排気路 ２５ａ 第１の真空排気路 ２５ｂ 第１の真空排気路 ２５ｃ 第１の真空排気路 ２５ｄ 第１の真空排気路 ２６ レール ２６ａ レール突起部 ２７ エアーシリンダー ２８ 下型共用定盤部 ２９ シール材 ３０ 下型 ３１ 上型チェイス ３２ 上型バッキングプレート ３３ 上型チェイスブロック部 ３４ 上型定盤 ３５ 上型ベース ３６ パイプ ３６ａ シール材 ３６ｂ シール材 ３７ 第２の真空排気路 ３８ 第３の真空排気路 ３９ 上型共用定盤部 ４０ シール材 ４１ 上型 ４２ シールリング ４２ｂ 溝 ４３ 縦シール ４４ シールボルト ４４ａ シール材 ４５ マニホールド ４６ 縦シール ５０ 上型エジェクター機構 ５１ 枠 ５２ パイプ ５２ａ パイプ ５２ｂ パイプ ５３ 排気管 １００ エジェクター室 ２００ エジェクター室 ３００ パーティング室
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭64−50430（ＪＰ，Ａ) 特開 昭63−61132（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) H01L 21/56
Claims (8)
- 【請求項１】 下型チェイスブロック部及び下型共用定
盤部から構成される下型と、上型チェイスブロック部及
び上型共用定盤部から構成され、上記下型に対向する上
型とを備え、上記下型チェイスブロック部及び上記上型
チェイスブロック部に設けられたキャビティにおいて半
導体装置の樹脂封止を行う樹脂封止装置であって、 上記下型チェイスブロック部の内部に形成されたエジェ
クター室内を上記下型共用定盤部から真空排気する第１
の真空排気路と、 上記上型チェイスブロック部の内部に形成されたエジェ
クター室内を上記上型共用定盤部から真空排気する第２
の真空排気路と、 上記下型チェイスブロック部及び上記上型チェイスブロ
ック部のパーティング面に形成されるパーティング室内
を上記下型共用定盤部及び上記上型共用定盤部のいずれ
か一方から真空排気する第３の真空排気路とを設けたこ
とを特徴とする半導体装置の樹脂封止装置。 - 【請求項２】 下型チェイスブロック部及び上型チェイ
スブロック部は、下型共用定盤部及び上型共用定盤部に
それぞれ設けられた下型チェイスリフト機構及び上型チ
ェイスリフト機構を用い、迅速交換方式により交換する
ことを特徴とする請求項第１項記載の半導体装置の樹脂
封止装置。 - 【請求項３】 第１の真空排気路、第２の真空排気路又
は第３の真空排気路に、複数個の排気路を連通するマニ
ホールドを設けたことを特徴とする請求項第１項記載の
半導体装置の樹脂封止装置。 - 【請求項４】 パーティング面に面する下型チェイスブ
ロック部及び上型チェイスブロック部に、型締め状態に
おいて圧接されるシールリングを介装したことを特徴と
する請求項第１項記載の半導体装置の樹脂封止装置。 - 【請求項５】 パーティング面と直角方向に分割された
合わせ面のシールは、縦シール材により行われることを
特徴とする請求項第１項記載の半導体装置の樹脂封止装
置。 - 【請求項６】 縦シール材の幅は、シールリングの幅よ
り小さいことを特徴とする請求項第５項記載の半導体装
置の樹脂封止装置。 - 【請求項７】 縦シール材の断面形状は、Ｉ形断面であ
ることを特徴とする請求項第５項記載の半導体装置の樹
脂封止装置。 - 【請求項８】 リードフレーム上に載置された半導体素
子を下型チェイスブロック部に形成された下型キャビテ
ィと、上型チェイスブロック部に形成された上型キャビ
ティとの間に搭載して下型及び上型の型締めを行い、 上記下型チェイスブロック部の内部に形成されたエジェ
クター室内を下型共用定盤部から真空排気し、上記上型
チェイスブロック部の内部に形成されたエジェクター室
内を上型共用定盤部から真空排気し、かつ、上記下型チ
ェイスブロック部及び上記上型チェイスブロック部のパ
ーティング面に形成されるパーティング室内を上記下型
共用定盤部及び上記上型共用定盤部のいずれか一方から
真空排気し、次いで、 上記下型キャビティ及び上記上型キャビティ内に封止樹
脂を注入して上記半導体素子を樹脂封止することを特徴
とする半導体素子の樹脂封止方法。
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