JP2840814B2

JP2840814B2 - チップ型トランス

Info

Publication number: JP2840814B2
Application number: JP1849595A
Authority: JP
Inventors: 木康裕藤; 川長彦森
Original assignee: Murata Manufacturing Co Ltd
Current assignee: Murata Manufacturing Co Ltd
Priority date: 1995-01-09
Filing date: 1995-01-09
Publication date: 1998-12-24
Anticipated expiration: 2013-12-24
Also published as: JPH08191016A

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】この発明はチップ型トランスに関
し、特にたとえばＵＨＦ帯以上の高周波回路における伝
送線路のインピーダンスを変換するためのインピーダン
ス変換器や平衡伝送線路の信号および不平衡伝送線路の
信号を相互に変換するための信号変換器ないし位相変換
器などのバルントランスとして用いられるチップ型トラ
ンスに関する。

【０００２】

【従来の技術】バルントランスとは、たとえば、平衡伝
送線路（バランス伝送線路）の信号および不平衡伝送線
路（アンバランス伝送線路）の信号を相互に変換するた
めのものであり、バルンとは、バランス−アンバランス
の略称である。

【０００３】平衡伝送線路とは、図１１に示すように、
対をなす２つの信号線路を含み、信号を２つ信号線路間
の電位差として伝搬するものをいう。平衡伝送線路で
は、外来ノイズが２つの信号線路に等しく影響するた
め、外来ノイズが相殺されて、外来ノイズの影響を受け
にくいという利点がある。また、アナログＩＣの内部の
回路は差動増幅器で構成されるため、アナログＩＣの信
号用の入出力端子も、信号を２つの端子間の電位差とし
て入力あるいは出力するバランス型であることが多い。

【０００４】これに対して、不平衡伝送線路とは、図１
２に示すように、信号をアース電位（ゼロ電位）に対す
る１本の伝送線路の電位として伝搬するものをいい、た
とえば、同軸線路や基板上の信号線路（マイクロストリ
ップライン）がこれに相当する。

【０００５】図１３はこの発明の背景となりかつこの発
明が適用されるバルントランスの一例を示す図解図であ
る。バルントランス１は、３つの入出力端子２ａ，２ｂ
および２ｃを有する。このバルントランス１を用いて、
不平衡伝送線路の信号および平衡伝送線路の信号を相互
に変換するためには、たとえば、１つの入出力端子２ａ
に不平衡伝送線路が接続され、他の２つの入出力端子２
ｂおよび２ｃに平衡伝送線路の２つの信号線路がそれぞ
れ接続される。そして、バルントランス１によって、不
平衡伝送線路の信号が平衡伝送線路の２つの信号線路間
に取り出され、あるいは、平衡伝送線路の２つの信号線
路間の信号が不平衡伝送線路に取り出される。

【０００６】図１４はコアを用いた従来のバルントラン
スの一例を示す斜視図である。図１４に示すバルントラ
ンス１は、８字状のコア３を含み、コア３には、３つの
コイル４ａ，４ｂおよび４ｃが一まとめにして巻かれ
る。そして、それらのコイル４ａ，４ｂおよび４ｃの一
端は入出力端子２ａ，２ｂおよび２ｃにそれぞれ接続さ
れ、それらのコイル４ａ，４ｂおよび４ｃの他端は接地
される。したがって、図１４に示すバルントランス１
は、図１５に示す等価回路を有する。

【０００７】ところが、図１４に示すバルントランス１
では、その周波数特性を図１６に示すように、たとえば
ＵＨＦ帯以上の高周波帯域では変換損失が大きく、ま
た、小型化にも限界があった。

【０００８】そこで、そのような帯域では、積層構造の
バルントランスが用いられる。

【０００９】図１７は積層構造の従来のバルントランス
の一例を示す図解図である。図１７に示すバルントラン
ス１は、積層される２枚の誘電体基板（層）５ａおよび
５ｂを含む。一番上の誘電体基板５ａの一方主面には、
第１のストリップライン６が形成される。第１のストリ
ップライン６は、幅の細い直線状の第１の部分６ａと幅
の広い直線状の第２の部分６ｂとからなる。第１のスト
リップライン６の一端は、１つの入出力端子２ａに接続
される。また、第１のストリップライン６の他端は、開
放されている。２枚の誘電体基板５ａおよび５ｂの間に
は、直線状の第２のストリップライン７ａと直線状の第
３のストリップライン７ｂとが形成される。この場合、
第２のストリップライン７ａは、第１のストリップライ
ン６の第１の部分６ａに電磁結合するように形成され
る。また、第３のストリップライン７ｂは、第１のスト
リップライン６の第２の部分６ｂに電磁結合するように
形成される。第２のストリップライン７ａおよび第３の
ストリップライン７ｂの対向する内側の端部は、引出部
８ａおよび８ｂを介して、他の２つの入出力端子２ｂお
よび２ｃにそれぞれ接続される。誘電体基板５ｂの他方
主面には、アース電極９が形成される。アース電極９に
は、第２のストリップライン７ａおよび第３のストリッ
プライン７ｂの外側の端部が接続される。したがって、
図１７に示すバルントランス１は、図１８に示す等価回
路を有する。

【００１０】ところが、図１７に示すバルントランス１
では、各寸法精度が特性を左右するため、たとえば移動
無線機などのように小型化が要求される回路設計への応
用は困難である。

【００１１】そこで、本願発明者は、バルントランスに
用いられるとともに小型化を図ることができるチップ型
トランスを考え出した。このチップ型トランスは、誘電
体基板と、誘電体基板の一方主面に蛇行してまたは渦巻
状に形成される第１のストリップラインと、誘電体基板
の他方主面に蛇行してまたは渦巻状に形成され、第１の
ストリップラインの第１の部分に電磁結合する第２のス
トリップラインと、誘電体基板の他方主面に蛇行してま
たは渦巻状に形成され、第１のストリップラインの第２
の部分に電磁結合する第３のストリップラインとを含
む、チップ型トランスである。

【００１２】上述のチップ型トランスでは、第１のスト
リップラインと第２のストリップラインおよび第３のス
トリップラインとが誘電体基板の一方主面と他方主面と
に積層的に形成されるため、それらのストリップライン
を形成するために大きな面積の誘電体基板が必要ない。
さらに、第１のストリップラインと第２ストリップライ
ンと第３のストリップラインとが、それぞれ、蛇行して
または渦巻状に形成されるため、それぞれのストリップ
ラインが一方向に長くならない。そのため、このチップ
型トランスでは、小型化を図ることができる。

【００１３】また、上述のチップ型トランスをバルント
ランスとして用いるためには、第１のストリップライン
に不平衡伝送線路が接続され、第２のストリップライン
および第３のストリップラインに平衡伝送線路の２つの
信号線路がそれぞれ接続される。そして、このチップ型
トランスによって、不平衡伝送線路の信号が平衡伝送線
路の２つの信号線路間に取り出され、あるいは、平衡伝
送線路の２つの信号線路間の信号が不平衡伝送線路に取
り出される。

【００１４】

【発明が解決しようとする課題】図１７に示すバルント
ランス１や上述のチップ型トランスでは、第１のストリ
ップラインの第１の部分と第１のストリップラインの第
２の部分と第２のストリップラインと第３のストリップ
ラインとを同じ長さに形成すれば、理想的には、平衡伝
送線路が接続される２つの入出力端子間における信号の
位相差が１８０度になるが、実際には、その位相差を１
８０度になるように精度よく設計することがきわめて困
難となっている。そのため、２つの入出力端子に接続さ
れる平衡伝送線路の２つの信号線路におけるノイズが効
率よく相殺されない。

【００１５】それゆえに、この発明の主たる目的は、バ
ルントランスに用いられ、平衡伝送線路の２つの信号線
路におけるノイズを効率よく相殺することができるチッ
プ型トランスを提供することである。

【００１６】

【課題を解決するための手段】この発明は、誘電体基板
と、誘電体基板の一方主面に形成される第１のストリッ
プラインと、誘電体基板の他方主面に形成され、第１の
ストリップラインの第１の部分に電磁結合する第２のス
トリップラインと、誘電体基板の他方主面に形成され、
第１のストリップラインの第２の部分に電磁結合する第
３のストリップラインとを含み、第１のストリップライ
ンの第１の部分と第２のストリップラインとは同じ長さ
に形成され、第１のストリップラインの第２の部分と第
３のストリップラインとは同じ長さに形成され、さらに
第２のストリップラインと第３のストリップラインとは
異なった長さに形成される、チップ型トランスである。

【００１７】なお、この発明にかかるチップ型トランス
において、小型化を図るために、第１のストリップライ
ンの第１の部分と第１のストリップラインの第２の部分
と第２のストリップラインと第３のストリップラインと
は、それぞれ、蛇行してまたは渦巻状に形成されること
が好ましい。

【００１８】

【作用】この発明にかかるチップ型トランスをバルント
ランスとして用いるためには、第１のストリップライン
に不平衡伝送線路が接続され、第２のストリップライン
および第３のストリップラインに平衡伝送線路の２つの
信号線路がそれぞれ接続される。そして、このチップ型
トランスによって、不平衡伝送線路の信号が平衡伝送線
路の２つの信号線路間に取り出され、あるいは、平衡伝
送線路の２つの信号線路間の信号が不平衡伝送線路に取
り出される。

【００１９】また、この発明にかかるチップ型トランス
では、第１のストリップラインの第１の部分と第２のス
トリップラインとを同じ長さに形成し、第１のストリッ
プラインの第２の部分と第３のストリップラインとを同
じ長さに形成し、さらに第２のストリップラインと第３
のストリップラインとを異なった長さに形成することに
よって、容易に平衡伝送線路が接続される第２のストリ
ップラインおよび第３のストリップライン間における信
号の位相差が１８０度になるように設計できる。そのた
め、第２のストリップラインおよび第３のストリップラ
インに接続される平衡伝送線路の２つの信号線路におけ
るノイズを効率よく相殺することができる。

【００２０】

【発明の効果】この発明によれば、バルントランスに用
いられ、平衡伝送線路の２つの信号線路におけるノイズ
を効率よく相殺することができるチップ型トランスが得
られる。

【００２１】また、この発明にかかるチップ型トランス
において、第１のストリップラインの第１の部分と第１
のストリップラインの第２の部分と第２のストリップラ
インと第３のストリップラインとを、それぞれ、蛇行し
てまたは渦巻状に形成すれば、それぞれのストリップラ
インが一方向に長くならない。そのため、チップ型トラ
ンスの小型化を図ることができる。

【００２２】さらに、この発明では、第２のストリップ
ラインおよび第３のストリップラインの長さを異なった
長さに形成しているので、第２のストリップラインおよ
び第３のストリップライン間における信号の位相差を１
８０度に設計することが容易で、設計の精度もさほど要
求されず、自由度を増すことができる。

【００２３】この発明の上述の目的，その他の目的，特
徴および利点は、図面を参照して行う以下の実施例の詳
細な説明から一層明らかとなろう。

【００２４】

【実施例】図１はこの発明の一実施例を示す斜視図であ
る。チップ型トランスとしてのバルントランス１０は積
層体１２を含み、積層体１２は、図２に示すように、積
層される第１，第２，第３，第４および第５の誘電体基
板（層）１４ａ，１４ｂ，１４ｃ，１４ｄおよび１４ｅ
を含む。

【００２５】上から２番目の第２の誘電体基板１４ｂの
一方主面には、そのほぼ中央から他端側に向かって、接
続電極２０が斜めに形成される。

【００２６】上から３番目の第３の誘電体基板１４ｃの
一方主面には、λ／２の第１のストリップライン２２が
形成される。この第１のストリップライン２２は、幅の
細い渦巻状の第１の部分２４ａと渦巻状の第２の部分２
４ｂとからなる。第２の部分２４ｂは、第１の部分２４
ａのたとえば１．０８倍の長さに形成される。また、第
１の部分２４ａの外側の部分と第２の部分２４ｂの外側
の部分とは、一連に形成され接続される。さらに、第１
の部分２４ａの内側の先端は、第２の誘電体基板１４ｂ
に形成したビアホール１５ａを介して、接続電極２０の
一端に接続され、第２の部分２４ｂの内側の先端は開放
される。

【００２７】上から４番目の第４の誘電体基板１４ｄの
一方主面には、第１のストリップライン２２の第１の部
分２４ａと同じ長さのλ／４の渦巻状の第２のストリッ
プライン２６と、第１のストリップライン２２の第２の
部分２４ｂと同じ長さのλ／４の渦巻状の第３のストリ
ップライン２８とが、間隔を隔てて形成される。すなわ
ち、第３のストリップライン２８は、第２のストリップ
ライン２６のたとえば１．０８倍の長さに形成される。
この場合、第２のストリップライン２６は、第３の誘電
体基板１４ｃを挟んで、第１のストリップライン２２の
第１の部分２４ａに対向するように形成される。したが
って、第２のストリップライン２６は、第１のストリッ
プライン２２の第１の部分２４ａと電磁結合する。すな
わち、第１のストリップライン２２の第１の部分２４ａ
および第２のストリップライン２６で結合器が構成され
る。また、第３のストリップライン２８は、第３の誘電
体基板１４ｃを挟んで、第１のストリップライン２２の
第２の部分２４ｂに対向するように形成される。したが
って、第３のストリップライン２８は、第１のストリッ
プライン２２の第２の部分２４ｂと電磁結合する。すな
わち、第１のストリップライン２２の第２の部分２４ｂ
および第３のストリップライン２８で結合器が構成され
る。さらに、第２のストリップライン２６の外側の一端
および第３のストリップライン２８の外側の一端は、第
４の誘電体基板１４ｄの一端側に向かって形成される。

【００２８】一番下の第５の誘電体基板１４ｅの一方主
面には、そのほぼ全面にアース電極３０が形成される。
アース電極３０から第５の誘電体基板１４ｅの端部に向
かって、４つの引出端子３２ａ，３２ｂ，３２ｃおよび
３２ｄが形成される。２つの引出端子３２ａおよび３２
ｂは、第５の誘電体基板１４ｅの一端側に向かって形成
され、互いに間隔を隔てて形成される。他の２つの引出
端子３２ｃおよび３２ｄは、第５の誘電体基板１４ｅの
他端側に向かって形成され、互いに間隔を隔てて形成さ
れる。また、このアース電極３０には、第４の誘電体基
板１４ｄに形成したビアホール１５ｂおよび１５ｃを介
して、第２のストリップライン２６の内側の他端および
第３のストリップライン２８の内側の他端がそれぞれ接
続される。

【００２９】この積層体１２の側面には、特に図１に示
すように、８個の外部電極３４ａ，３４ｂ，３４ｃ，３
４ｄ，３４ｅ，３４ｆ，３４ｇおよび３４ｈが形成され
る。これらの外部電極のうち、４つの外部電極３４ａ〜
３４ｄは積層体１２の一端側に形成され、他の４つの外
部電極３４ｅ〜３４ｈは積層体１２の他端側に形成され
る。

【００３０】外部電極３４ａ，３４ｄ，３４ｅおよび３
４ｈは、アース電極３０の引出端子３２ａ，３２ｂ，３
２ｃおよび３２ｄにそれぞれ接続される。したがって、
これらの外部電極３４ａ，３４ｄ，３４ｅおよび３４ｈ
は、アース端子として用いられる。

【００３１】また、外部電極３４ｂは第２のストリップ
ライン２６の一端に接続され、外部電極３４ｃは第３の
ストリップライン２８の一端に接続され、外部電極３４
ｇは第１のストリップライン２２に接続される接続電極
２０の他端に接続される。これらの外部電極３４ｂ，３
４ｃおよび３４ｇは、それぞれ、入出力端子として用い
られる。

【００３２】したがって、このバルントランス１０は、
図３に示す等価回路を有する。

【００３３】このバルントランス１０では、第１のスト
リップライン２２と第２のストリップライン２６および
第３のストリップライン２８とが第３の誘電体基板１４
ｃの一方主面と他方主面とに積層的に形成されるため、
それらのストリップラインを形成するために大きな面積
の誘電体基板が必要ない。さらに、このバルントランス
１０では、第１のストリップライン２２の第１の部分２
４ａと第１のストリップライン２２の第２の部分２４ｂ
と第２のストリップライン２６と第３のストリップライ
ン２８とが、それぞれ、渦巻状に形成されるため、それ
ぞれのストリップラインが一方向に長くならない。その
ため、このバルントランス１０の小型化を図ることがで
きる。

【００３４】また、このバルントランス１０では、不平
衡伝送線路の信号および平衡伝送線路の信号を相互に変
換するためには、外部電極３４ｇなどを介して第１のス
トリップライン２２に不平衡伝送線路が接続され、外部
電極３４ｂおよび３４ｃを介して第２のストリップライ
ン２６および第３のストリップライン２８に平衡伝送線
路の２つの信号線路がそれぞれ接続される。そして、こ
のバルントランス１０によって、不平衡伝送線路の信号
が平衡伝送線路の２つの信号線路間に取り出され、ある
いは、平衡伝送線路の２つの信号線路間の信号が不平衡
伝送線路に取り出される。

【００３５】この場合、このバルントランス１０では、
第１のストリップライン２２の第１の部分２４ａと第２
のストリップライン２６とを同じ長さに形成し、第１の
ストリップライン２２の第２の部分２４ｂと第３のスト
リップライン２８とを同じ長さに形成し、かつ、第２の
ストリップライン２６と第３のストリップライン２８と
をあらかじめ異なった長さに形成することによって、容
易に平衡伝送線路が接続される２つの入出力端子間すな
わち外部電極３４ｂおよび３４ｃ間における信号の位相
差が１８０度になるように設計できる。

【００３６】したがって、このバルントランス１０で
は、外部電極３４ｂおよび３４ｃに接続される平衡伝送
線路の２つの信号線路におけるノイズを効率よく相殺す
ることができる。

【００３７】なお、このバルントランス１０において、
第１のストリップライン２２の第１の部分２４ａと第２
のストリップライン２６とを同じ長さに形成し、第１の
ストリップライン２２の第２の部分２４ｂと第３のスト
リップライン２８とを同じ長さに形成した場合、第３の
ストリップライン２８の長さＬ３および第２のストリッ
プライン２６の長さＬ２の比Ｌ３／Ｌ２（％）と、平衡
伝送伝送線路が接続される２つの入出力端子間すなわち
外部電極３４ｂおよび３４ｃ間における信号の位相差
（度）との関係を図４に示す。

【００３８】このバルントランス１０は、たとえば、図
５に示すように、アナログ高周波用のＩＣの２つの出力
端子の信号を不平衡伝送線路に取り出すために用いられ
たり、図６に示すように、バランス型電力増幅器におい
て２つの増幅器の入力側および出力側にそれぞれ用いら
れたり、図７に示すように、ダブルバランスドミキサー
において１８０度位相変換器として用いられたりする。

【００３９】さらに、このバルントランス１０では、誘
電体基板間のストリップラインおよび電極がビアホール
を介して接続され、さらに、積層体１２の表面の外部電
極が端子として用いられるので、他の電気回路などとの
電気的整合性が良好である。

【００４０】また、このバルントランス１０では、積層
体１２の表面に入出力端子およびアース端子となるそれ
ぞれの外部電極が形成されているため、たとえばプリン
ト基板に表面実装することができる。

【００４１】さらに、このバルントランス１０では、誘
電体基板の厚みを任意に設定することが可能であり、そ
の厚みを変えれば特性インピーダンスが変わるので、特
性インピーダンスの自由度が大きい。

【００４２】なお、誘電体基板の材料としては樹脂ある
いはセラミック誘電体のいずれを用いてもよいが、セラ
ミック誘電体は、下記に一例を示すように、ガラスエポ
キシ樹脂などに比べて誘電体損失が小さく、放熱効果が
優れているので、誘電体基板の材料としてセラミック誘
電体を用いれば、損失を小さくでき、さらに小型化を図
ることができる。ガラスエポキシ樹脂ｔａｎδ＝０．０２セラミック誘電体ｔａｎδ＝０．０００７

【００４３】また、誘電体基板の材料として誘電体損失
の小さいセラミック誘電体やガラスエポキシ樹脂を用
い、かつ、ストリップラインおよび電極の材料としてた
とえば銅のような導伝率の高い材料を用いれば、変換損
失の小さいバルントランスを得ることができる。

【００４４】なお、このバルントランス１０は、たとえ
ば、複数個分の大きな第１の誘電体基板１４ａと、複数
個分の接続電極２０が形成された大きな第２の誘電体基
板１４ｂと、複数個分の第１のストリップライン２２が
形成された大きな第３の誘電体基板１４ｃと、複数個分
の第２および第３のストリップライン２６および２８が
形成された大きな第４の誘電体基板１４ｄと、複数個分
のアース電極３０などが形成された大きな第５の誘電体
基板１４ｅとを積層してマザー積層体にし、それを個々
の積層体１２に切断することによって、量産が可能であ
る。

【００４５】図８はこの発明の他の実施例を示す斜視図
であり、図９は図８に示す実施例の積層体の分解斜視図
である。図８に示す実施例では、図１に示す実施例と比
べて、積層体１２の一番上の第１の誘電体基板１４ａの
一方主面のほぼ全面にアース電極１６が形成される。さ
らに、アース電極１６から第１の誘電体基板１４ａの端
部に向かって、４つの引出端子１８ａ，１８ｂ，１８ｃ
および１８ｄが形成される。この場合、２つの引出端子
１８ａおよび１８ｂは、第１の誘電体基板１４ａの一端
側に向かって形成され、互いに間隔を隔てて形成され
る。他の２つの引出端子１８ｃおよび１８ｄは、第１の
誘電体基板１４ａの他端側に向かって形成され、互いに
間隔を隔てて形成される。これらの引出端子１８ａ，１
８ｂ，１８ｃおよび１８ｄは、外部電極３４ａ，３４
ｄ，３４ｅおよび３４ｈにそれぞれ接続される。

【００４６】また、図８に示す実施例では、図９に示す
ように、接続電極２０が斜めに形成され、接続電極２０
の他端が外部電極３４ｇに接続される。したがって、図
８に示す実施例は、図１０に示す等価回路を有する。

【００４７】図８に示す実施例では、図１に示す実施例
と同様に、小型化を図ることや平衡伝送線路の２つの信
号線路におけるノイズを効率よく相殺することなどがで
きる。

【００４８】また、図８に示す実施例では、積層体１２
の上面にアース電極１６が形成されているので、シール
ド効果を有する。なお、このアース電極１６は、バルン
トランス１０の特性に悪影響を及ぼさないようにするた
めに、ストリップラインから一定の距離を隔てて形成さ
れることが好ましい。また、このアース電極１６は、必
ずしも積層体１２の上面に露出している必要はなく、他
の誘電体基板（層）で一体に覆ってもよい。

【００４９】上述の各実施例では、第１のストリップラ
イン２２の第１の部分２４ａと第２の部分２４ｂと第２
のストリップライン２６と第３のストリップライン２８
とがそれぞれ特定の長さに形成されているが、特性を調
整する場合には、それらは他の長さに形成されてもよ
い。

【００５０】また、上述の各実施例では、第１のストリ
ップライン２２の第１の部分２４ａと第１のストリップ
ライン２２の第２の部分２４ｂと第２のストリップライ
ン２６と第３のストリップライン２８とがそれぞれ渦巻
状に形成されているが、この発明では、それらのストリ
ップラインはそれぞれ蛇行するように形成されてもよ
い。それぞれのストリップラインを蛇行するように形成
しても、それぞれのストリップラインが一方向に長くな
らず、小型化を図ることができる。

【００５１】なお、第１のストリップライン２２、第２
のストリップライン２６および第３のストリップライン
２８は、それぞれ直線状に形成されてもよい。

【図面の簡単な説明】

【図１】この発明の一実施例を示す斜視図である。

【図２】図１に示す実施例の積層体の分解斜視図であ
る。

【図３】図１に示す実施例の等価回路図である。

【図４】図１に示すチップ型トランスにおいて第３のス
トリップラインの長さＬ３および第２のストリップライ
ンの長さＬ２の比Ｌ３／Ｌ２（％）と平衡伝送線路が接
続される２つの入出力端子間の位相差（度）との関係を
示すグラフである。

【図５】図１に示す実施例の用途の一例を示す回路図で
ある。

【図６】図１に示す実施例の用途の他の例を示す回路図
である。

【図７】図１に示す実施例の用途のさらに他の例を示す
回路図である。

【図８】この発明の他の実施例を示す斜視図である。

【図９】図８に示す実施例の積層体の分解斜視図であ
る。

【図１０】図８に示す実施例の等価回路図である。

【図１１】平衡伝送線路の一例を示す図解図である。

【図１２】不平衡伝送線路の一例を示す図解図である。

【図１３】この発明の背景となりかつこの発明が適用さ
れるバルントランスの一例を示す図解図である。

【図１４】コアを用いた従来のバルントランスの一例を
示す斜視図である。

【図１５】図１４に示すバルントランスの等価回路図で
ある。

【図１６】図１４に示すバルントランスの周波数特性を
示すグラフである。

【図１７】積層構造の従来のバルントランスの一例を示
す図解図である。

【図１８】図１７に示すバルントランスの等価回路図で
ある。

【符号の説明】

１０バルントランス１２積層体１４ａ〜１４ｅ誘電体基板（層）１５ａ〜１５ｃビアホール１６，３０アース電極１８ａ〜１８ｄ，３２ａ〜３２ｄ引出端子２０接続電極２２第１のストリップライン２４ａ第１の部分２４ｂ第２の部分２６第２のストリップライン２８第３のストリップライン３４ａ〜３４ｈ外部電極

Claims

(57)【特許請求の範囲】

【請求項１】誘電体基板、前記誘電体基板の一方主面に形成される第１のストリッ
プライン、前記誘電体基板の他方主面に形成され、前記第１のスト
リップラインの第１の部分に電磁結合する第２のストリ
ップライン、および前記誘電体基板の他方主面に形成さ
れ、前記第１のストリップラインの第２の部分に電磁結
合する第３のストリップラインを含み、前記第１のストリップラインの第１の部分と前記第２の
ストリップラインとは同じ長さに形成され、前記第１のストリップラインの第２の部分と前記第３の
ストリップラインとは同じ長さに形成され、さらに前記
第２のストリップラインと前記第３のストリップライン
とは異なった長さに形成される、チップ型トランス。
【請求項２】前記第１のストリップラインの第１の部
分と、前記第１のストリップラインの第２の部分と、前
記第２のストリップラインと、前記第３のストリップラ
インとは、それぞれ、蛇行してまたは渦巻状に形成され
る、請求項１に記載のチップ型トランス。