JP2737187B2 - セラミックスの処理方法 - Google Patents
セラミックスの処理方法Info
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- JP2737187B2 JP2737187B2 JP63314149A JP31414988A JP2737187B2 JP 2737187 B2 JP2737187 B2 JP 2737187B2 JP 63314149 A JP63314149 A JP 63314149A JP 31414988 A JP31414988 A JP 31414988A JP 2737187 B2 JP2737187 B2 JP 2737187B2
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- ceramic
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Description
【発明の詳細な説明】 〔概要〕 セラミックスの処理方法に係り，複雑な形状をしたア
ルミナ（Al2O3）基板の表面処理を行う方法に関し， バイアホール等を持つセラミックス表面全体に緩衝物
質MgAl2O4（スピネル）の層を形成して，基板上に安定
して導電膜を形成できることを目的とし， アルミナ（Al2O3）を主成分とするセラミックスをマ
グネシア（MgO）粉末で覆い，加熱処理を行うように構
成する。
ルミナ（Al2O3）基板の表面処理を行う方法に関し， バイアホール等を持つセラミックス表面全体に緩衝物
質MgAl2O4（スピネル）の層を形成して，基板上に安定
して導電膜を形成できることを目的とし， アルミナ（Al2O3）を主成分とするセラミックスをマ
グネシア（MgO）粉末で覆い，加熱処理を行うように構
成する。
本発明はセラミックスの処理方法に係り，複雑な形状
をしたアルミナ（Al2O3）基板の表面処理を行う方法に
関する。
をしたアルミナ（Al2O3）基板の表面処理を行う方法に
関する。
セラミックス，特にアルミナ基板は電子システムの回
路基板として広く用いられている。
路基板として広く用いられている。
セラミック基板に配線を形成するには，基板上に蒸着
等を用いて薄膜を形成し，エッチング技術を用いて配線
パターンを形成する方法，配線導体を主成分としたペー
ストを印刷技術により基板上に印刷パターンを作製し，
焼成し厚膜パターンを形成する方法等がある。
等を用いて薄膜を形成し，エッチング技術を用いて配線
パターンを形成する方法，配線導体を主成分としたペー
ストを印刷技術により基板上に印刷パターンを作製し，
焼成し厚膜パターンを形成する方法等がある。
Cu,Mo等の常伝導体やＹ−Ba−Cu−Ｏ系,Bi−Sr−Ca−
Cu−Ｏ系等の超伝導体の膜を基板上に形成する際，膜と
基板間の化学反応等の相互作用により，目的の物質が均
一組成で得られず，所要の導体の性能が発揮できないこ
とがある。
Cu−Ｏ系等の超伝導体の膜を基板上に形成する際，膜と
基板間の化学反応等の相互作用により，目的の物質が均
一組成で得られず，所要の導体の性能が発揮できないこ
とがある。
基板と膜間の化学反応を抑制するために，膜と反応し
にくい緩衝物質を膜と基板間に形成することが考えられ
る。
にくい緩衝物質を膜と基板間に形成することが考えられ
る。
更に，膜と基板間の熱膨張の差が大きく，それによる
応力を吸収できない場合は，膜と基板の中間の熱膨張係
数を持つ物質や，応力緩和のしやすい物質を緩衝物質と
して膜と基板間に形成することが考えられる。
応力を吸収できない場合は，膜と基板の中間の熱膨張係
数を持つ物質や，応力緩和のしやすい物質を緩衝物質と
して膜と基板間に形成することが考えられる。
このような緩衝層を形成する手法としては，通常の薄
膜や厚膜を形成する方法で緩衝層を形成することができ
る。
膜や厚膜を形成する方法で緩衝層を形成することができ
る。
例えば，緩衝層としてMgAl2O4層を形成するには，物
理蒸着によりMgAl2O4の各成分を蒸着する方法，又,MgAl
2O4の粉末とビヒクルを混合してペーストを作製し，こ
のペーストを基板上に印刷し，焼結する方法等がある。
理蒸着によりMgAl2O4の各成分を蒸着する方法，又,MgAl
2O4の粉末とビヒクルを混合してペーストを作製し，こ
のペーストを基板上に印刷し，焼結する方法等がある。
しかし，これらの方法は，複雑な形状のものにMgAl2O
4層を均一に形成することは困難であるという欠点があ
る。
4層を均一に形成することは困難であるという欠点があ
る。
しかし上記の従来法では，配線層を複数にして，層間
の配線を接続するためにバイア（via）ホールを基板に
形成する場合は，バイアホール部に緩衝層を形成するこ
とはしばしば困難であるという欠点がある。
の配線を接続するためにバイア（via）ホールを基板に
形成する場合は，バイアホール部に緩衝層を形成するこ
とはしばしば困難であるという欠点がある。
本発明はバイアホール等の非平坦部分を持つアルミナ
を主成分とするセラミック基板においても，セラミック
ス表面全体に緩衝物質MgAl2O4の層を形成する方法を提
供することを目的とする。
を主成分とするセラミック基板においても，セラミック
ス表面全体に緩衝物質MgAl2O4の層を形成する方法を提
供することを目的とする。
上記課題の解決は，アルミナ（Al2O3）を主成分とす
るセラミックスをマグネシア（MgO）粉末で覆い，加熱
処理を施して，該セラミックスの表面にスピネル（MgAl
2O4）の層を形成することを特徴とするセラミックスの
処理方法により達成される。
るセラミックスをマグネシア（MgO）粉末で覆い，加熱
処理を施して，該セラミックスの表面にスピネル（MgAl
2O4）の層を形成することを特徴とするセラミックスの
処理方法により達成される。
本発明は緩衝物質MgAl2O4がMgOと基板を構成するAl2O
3との固相反応で生成でき，又MgO粉末が流動性を持ち，
複雑形状のセラミックス表面を覆うことができることを
利用し，複雑な形状をしたAl2O3の表面をMgAl2O4（スピ
ネル）化できるようにしたものである。
3との固相反応で生成でき，又MgO粉末が流動性を持ち，
複雑形状のセラミックス表面を覆うことができることを
利用し，複雑な形状をしたAl2O3の表面をMgAl2O4（スピ
ネル）化できるようにしたものである。
MgAl2O4はAl2O3に比較して酸，塩基物質に対して化学
的安定度が大きい状態で使用できる。従って,Al2O3の表
面にMgAl2O4層を設けることにより，直接Al2O3が外界と
化学反応することを抑えることができる。
的安定度が大きい状態で使用できる。従って,Al2O3の表
面にMgAl2O4層を設けることにより，直接Al2O3が外界と
化学反応することを抑えることができる。
第１図は本発明の工程を説明するブロック図である。
孔開け加工をした純度99.7％の焼結Al2O3基板１と，
純度99.9％で平均粒径0.2μｍのMgO粉末２を用意する。
純度99.9％で平均粒径0.2μｍのMgO粉末２を用意する。
次に第２図に示すように，基板１の表面をMgO粉末２
で覆うカバリング３を行う。
で覆うカバリング３を行う。
次に，大気中で1300℃で２時間の熱処理４を行う。
ここで，熱処理温度は1200〜1500℃の範囲で行うこと
が適当である。
が適当である。
1500℃以上になると基板の変形が大きくなったり,MgO
粉末がAl2O3基板に固着され始める。又,1200℃以下にな
ると目的とするMgAl2O4化の固相反応が促進されにくく
なる。
粉末がAl2O3基板に固着され始める。又,1200℃以下にな
ると目的とするMgAl2O4化の固相反応が促進されにくく
なる。
第２図は上記工程中のカバリングの状態を示す断面図
である。
である。
図において,1はAl2O3基板,2はMgO粉末,12はバイアホ
ール,5はセラミックス製の容器である。
ール,5はセラミックス製の容器である。
図示のように，バイアホール12を持つAl2O3基板１
は，セラミックス製の容器５内に盛られたMgO粉末２内
に埋め込まれた状態で，容器５を電気炉に入れて加熱す
る。
は，セラミックス製の容器５内に盛られたMgO粉末２内
に埋め込まれた状態で，容器５を電気炉に入れて加熱す
る。
この実施例によると，基板の平坦部分だけでなく，バ
イアホールの表面も含めて，基板表面全体をMgAl2O4化
できる。
イアホールの表面も含めて，基板表面全体をMgAl2O4化
できる。
以上説明したように本発明によれば，バイアホール等
の非平坦部分を持つアルミナを主成分とするセラミック
基板においても，セラミックス表面全体に緩衝物質MgAl
2O4の層を形成することができる。
の非平坦部分を持つアルミナを主成分とするセラミック
基板においても，セラミックス表面全体に緩衝物質MgAl
2O4の層を形成することができる。
これにより，基板上に安定した組成の導電膜を形成す
ることができる。
ることができる。
第１図は本発明の工程を説明するブロック図， 第２図は上記工程中のカバリングの状態を示す断面図で
ある。 図において， １はAl2O3基板， 12はバイアホール， ２はMgO粉末， ３はカバリング， ４は熱処理， ５はカバリング用セラミックス製の容器 である。
ある。 図において， １はAl2O3基板， 12はバイアホール， ２はMgO粉末， ３はカバリング， ４は熱処理， ５はカバリング用セラミックス製の容器 である。
Claims (1)
- 【請求項１】アルミナ（Al2O3）を主成分とするセラミ
ックスをマグネシア（MgO）粉末で覆い，加熱処理を施
して，該セラミックスの表面にスピネル（MgAl2O4）の
層を形成することを特徴とするセラミックスの処理方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63314149A JP2737187B2 (ja) | 1988-12-13 | 1988-12-13 | セラミックスの処理方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63314149A JP2737187B2 (ja) | 1988-12-13 | 1988-12-13 | セラミックスの処理方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02160681A JPH02160681A (ja) | 1990-06-20 |
| JP2737187B2 true JP2737187B2 (ja) | 1998-04-08 |
Family
ID=18049819
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63314149A Expired - Lifetime JP2737187B2 (ja) | 1988-12-13 | 1988-12-13 | セラミックスの処理方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2737187B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB9117152D0 (en) * | 1991-08-07 | 1991-09-25 | Heatrae Sadia Heating Ltd | Heater for liquid |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS55113680A (en) * | 1979-02-19 | 1980-09-02 | Tokyo Shibaura Electric Co | Manufacture of ceramic fiber having compounded layer |
| JPS60166262A (ja) * | 1984-02-07 | 1985-08-29 | 日立化成工業株式会社 | アルミナセラミツクスの表面活性化処理法 |
| JPS62128988A (ja) * | 1985-11-27 | 1987-06-11 | 株式会社神戸製鋼所 | アルミナ耐摩耗材の製造方法 |
-
1988
- 1988-12-13 JP JP63314149A patent/JP2737187B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH02160681A (ja) | 1990-06-20 |
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