JP2724067B2 - 金属薄膜型磁気記録媒体 - Google Patents
金属薄膜型磁気記録媒体Info
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Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は磁気ディスク装置に使用
される磁気記録媒体に関する。
される磁気記録媒体に関する。
【0002】
【従来の技術】近年、磁気記録媒体の高密度記録化に伴
って、CoNiCr,CoCrTa等の一軸結晶磁気異
方性を有するCo合金を非磁性の媒体基板上にCr下地
層を介して成膜した金属薄膜型磁気記録媒体が用いられ
ている。従来、前記媒体基板として、Al合金基板上に
剛性確保のために10〜20μm の非晶質NiP層がメッキ
により形成されたものが使用されている。その表面に
は、媒体表面と磁気ヘッドとの接触抵抗を軽減し、耐久
性を向上させるためにテキスチャーと呼ばれる円周方向
の凹凸がラッピングテープや遊離砥粒により機械的に形
成される。このテキスチャーは、耐久性の向上のみなら
ず、Co合金結晶軸を円周方向にそろえる作用をも有
し、保磁力の向上にも寄与する。
って、CoNiCr,CoCrTa等の一軸結晶磁気異
方性を有するCo合金を非磁性の媒体基板上にCr下地
層を介して成膜した金属薄膜型磁気記録媒体が用いられ
ている。従来、前記媒体基板として、Al合金基板上に
剛性確保のために10〜20μm の非晶質NiP層がメッキ
により形成されたものが使用されている。その表面に
は、媒体表面と磁気ヘッドとの接触抵抗を軽減し、耐久
性を向上させるためにテキスチャーと呼ばれる円周方向
の凹凸がラッピングテープや遊離砥粒により機械的に形
成される。このテキスチャーは、耐久性の向上のみなら
ず、Co合金結晶軸を円周方向にそろえる作用をも有
し、保磁力の向上にも寄与する。
【0003】ところが、前記Al合金基板は軟材質で塑
性変形し易いため、基板としての平坦性に劣り、磁気ヘ
ッドのグライドハイトを低くすることが困難である。こ
のため、硬度が高く、平坦度の優れたガラス基板も用い
られている。ガラス基板を用いることにより、ヘッド浮
上量を0.05μm 以下にすることができ、記録密度を向上
させることができる。
性変形し易いため、基板としての平坦性に劣り、磁気ヘ
ッドのグライドハイトを低くすることが困難である。こ
のため、硬度が高く、平坦度の優れたガラス基板も用い
られている。ガラス基板を用いることにより、ヘッド浮
上量を0.05μm 以下にすることができ、記録密度を向上
させることができる。
【0004】しかし、ガラス基板に直接Cr下地層、C
o合金層および保護層を積層成膜した場合、従来のNi
P層・Al合金基板にこれらの各層を成膜した場合に比
べて、保磁力が 300〜 600 Oe 程度低くなる。これ
は、ガラス基板を用いた場合、NiP層による下地Cr
層の結晶配向性の向上作用が期待できないからであると
考えられる。
o合金層および保護層を積層成膜した場合、従来のNi
P層・Al合金基板にこれらの各層を成膜した場合に比
べて、保磁力が 300〜 600 Oe 程度低くなる。これ
は、ガラス基板を用いた場合、NiP層による下地Cr
層の結晶配向性の向上作用が期待できないからであると
考えられる。
【0005】そこで、最近、ガラス基板にNiP層をス
パッタリングやメッキにより形成し、これにテキスチャ
ーを施したものが媒体基板として用いられるようになっ
た。この場合、ガラス基板の平坦性がアルミ合金基板よ
りも優れるため、アルミ合金基板を用いるよりも、磁気
ヘッドのグライドハイトを低くすることができ、記録密
度は向上する。
パッタリングやメッキにより形成し、これにテキスチャ
ーを施したものが媒体基板として用いられるようになっ
た。この場合、ガラス基板の平坦性がアルミ合金基板よ
りも優れるため、アルミ合金基板を用いるよりも、磁気
ヘッドのグライドハイトを低くすることができ、記録密
度は向上する。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、NiP
層を形成したガラス基板を媒体基板として用いても、C
o合金層の保磁力は期待される程の向上が見られない。
NiP層・アルミ合金基板にCr下地層やCo合金層等
を成膜する場合、結晶配向性を向上させるために、Ni
P層の表面を赤外線ヒータ(IRヒータ) 等により250
〜 300℃に加熱するが、NiP層・ガラス基板を用いる
と、ガラスはアルミ合金に比べて熱伝導率が小さいた
め、NiP層のみの温度が急上昇し、結晶化する。こう
なると、アモルファスNiP層の持つ結晶配向性能が劣
化し、Cr下地層ひいてはCo合金層の結晶がランダム
配向となり、保磁力が低下するようになるからである。
尚、NiP層の結晶化を防止して加熱するには、加熱温
度を下げなければよいが、それに伴ない保磁力も低下す
ることになり、保磁力を向上させることはできない。
層を形成したガラス基板を媒体基板として用いても、C
o合金層の保磁力は期待される程の向上が見られない。
NiP層・アルミ合金基板にCr下地層やCo合金層等
を成膜する場合、結晶配向性を向上させるために、Ni
P層の表面を赤外線ヒータ(IRヒータ) 等により250
〜 300℃に加熱するが、NiP層・ガラス基板を用いる
と、ガラスはアルミ合金に比べて熱伝導率が小さいた
め、NiP層のみの温度が急上昇し、結晶化する。こう
なると、アモルファスNiP層の持つ結晶配向性能が劣
化し、Cr下地層ひいてはCo合金層の結晶がランダム
配向となり、保磁力が低下するようになるからである。
尚、NiP層の結晶化を防止して加熱するには、加熱温
度を下げなければよいが、それに伴ない保磁力も低下す
ることになり、保磁力を向上させることはできない。
【0007】本発明はかかる問題に鑑みなされたもの
で、ガラス基板を備えることにより良好な平坦性を有
し、かつ高保磁力を兼備する金属薄膜型磁気記録媒体を
提供することを目的とする。
で、ガラス基板を備えることにより良好な平坦性を有
し、かつ高保磁力を兼備する金属薄膜型磁気記録媒体を
提供することを目的とする。
【0008】
【課題を解決するための手段】非磁性の媒体基板の上に
Cr下地層、磁気記録層および保護層が同順序で積層成
膜された磁気記録媒体において、前記媒体基板はガラス
基板の上に熱伝導性に優れた蓄熱用非磁性層およびNi
P層が同順序で積層成膜されている。この際、前記蓄熱
用非磁性層は、Cr, Ti又はCrTi合金で形成する
のがよい。
Cr下地層、磁気記録層および保護層が同順序で積層成
膜された磁気記録媒体において、前記媒体基板はガラス
基板の上に熱伝導性に優れた蓄熱用非磁性層およびNi
P層が同順序で積層成膜されている。この際、前記蓄熱
用非磁性層は、Cr, Ti又はCrTi合金で形成する
のがよい。
【0009】
【作用】ガラス基板の上に熱伝導性に優れた蓄熱用非磁
性層が成膜され、その上にNiP層が成膜されているの
で、NiP層の表面を加熱すると、NiP層のみならず
蓄熱用非磁性層も加熱されるため、NiP層の温度の急
上昇を防止することができ、NiP層の結晶化防止ひい
てはCo合金層の保磁力の低下を防止することができ
る。また、NiP層のみに比べて蓄熱用非磁性層を有す
るため、保有熱量が大きくなり、Cr下地層やCo合金
層の成膜時においても温度低下が生じにくく、保磁力の
向上に資することができる。
性層が成膜され、その上にNiP層が成膜されているの
で、NiP層の表面を加熱すると、NiP層のみならず
蓄熱用非磁性層も加熱されるため、NiP層の温度の急
上昇を防止することができ、NiP層の結晶化防止ひい
てはCo合金層の保磁力の低下を防止することができ
る。また、NiP層のみに比べて蓄熱用非磁性層を有す
るため、保有熱量が大きくなり、Cr下地層やCo合金
層の成膜時においても温度低下が生じにくく、保磁力の
向上に資することができる。
【0010】
【実施例】図1は実施例に係る磁気記録媒体の部分断面
図を示しており、ガラス基板1 の上に蓄熱用非磁性層2
、NiP層3 、Cr下地層5 、磁気記録層6 および非
磁性の保護層7 がこの順序で形成されており、ガラス基
板1 、蓄熱用非磁性層2 およびNiP層3 とによって媒
体基板4 を構成している。
図を示しており、ガラス基板1 の上に蓄熱用非磁性層2
、NiP層3 、Cr下地層5 、磁気記録層6 および非
磁性の保護層7 がこの順序で形成されており、ガラス基
板1 、蓄熱用非磁性層2 およびNiP層3 とによって媒
体基板4 を構成している。
【0011】前記ガラス基板1 は表面が平滑に研磨加工
されており、その上に成膜された蓄熱用非磁性層2 は、
熱伝導性および蓄熱性に優れた金属材質、例えばCr,
Ti又はCrTi合金によって形成されている。該蓄熱
用非磁性層2 の厚さは、 300〜1500Å程度がよい。 300
Å未満では、保有熱量が少なく、媒体基板4 の上に積層
するCr下地層5 や磁気記録層6 の成膜中、NiP層3
の温度を 250℃程度以上に維持することが困難となる。
一方、1500Åを越えると層表面に大きな凹凸が形成され
るようになる。前記NiP層3 の上には、通常、テキス
チャーが施される。テキスチャーは、 100Å程度の凹凸
であるため、これによって蓄熱用非磁性層2 が露出しな
いように、NiP層3 の厚さは 250Å程度以上がよい。
上限は特に限定されないが、NiP層3 をスパッタリン
グによらず、メッキによって形成する場合は比較的厚く
なる。この場合でも1000Å程度以下でよい。
されており、その上に成膜された蓄熱用非磁性層2 は、
熱伝導性および蓄熱性に優れた金属材質、例えばCr,
Ti又はCrTi合金によって形成されている。該蓄熱
用非磁性層2 の厚さは、 300〜1500Å程度がよい。 300
Å未満では、保有熱量が少なく、媒体基板4 の上に積層
するCr下地層5 や磁気記録層6 の成膜中、NiP層3
の温度を 250℃程度以上に維持することが困難となる。
一方、1500Åを越えると層表面に大きな凹凸が形成され
るようになる。前記NiP層3 の上には、通常、テキス
チャーが施される。テキスチャーは、 100Å程度の凹凸
であるため、これによって蓄熱用非磁性層2 が露出しな
いように、NiP層3 の厚さは 250Å程度以上がよい。
上限は特に限定されないが、NiP層3 をスパッタリン
グによらず、メッキによって形成する場合は比較的厚く
なる。この場合でも1000Å程度以下でよい。
【0012】前記Cr下地層5 は、その上に形成される
磁気記録層6 の一軸結晶磁気異方性を示すCo合金(結
晶構造hcp)のC軸(磁気異方性を示す結晶軸)を面
内配向させるために形成されるもので、通常 500〜2000
Å程度の厚さに形成される。前記磁気記録層6 は、既述
の通り、CoNiCr, CoCrTa, CoCrPt等
の一軸結晶磁気異方性を示すCo合金で形成される。
尚、磁気記録層はCo合金を単層に形成したものに限ら
ず、Co合金層とCr層とを交互に複層形成したもの
(最上層はCo合金層) でもよい。磁気記録層6 の層厚
(Co合金単層ならその層厚、複層ならCo合金層の合
計厚) は通常 600〜 800Åとされる。再生出力の確保と
ノイズ低減のためには、磁気記録媒体としてBrδが 4
00〜 500G・μ程度のものが要求されているからであ
る。
磁気記録層6 の一軸結晶磁気異方性を示すCo合金(結
晶構造hcp)のC軸(磁気異方性を示す結晶軸)を面
内配向させるために形成されるもので、通常 500〜2000
Å程度の厚さに形成される。前記磁気記録層6 は、既述
の通り、CoNiCr, CoCrTa, CoCrPt等
の一軸結晶磁気異方性を示すCo合金で形成される。
尚、磁気記録層はCo合金を単層に形成したものに限ら
ず、Co合金層とCr層とを交互に複層形成したもの
(最上層はCo合金層) でもよい。磁気記録層6 の層厚
(Co合金単層ならその層厚、複層ならCo合金層の合
計厚) は通常 600〜 800Åとされる。再生出力の確保と
ノイズ低減のためには、磁気記録媒体としてBrδが 4
00〜 500G・μ程度のものが要求されているからであ
る。
【0013】前記磁気記録層6 の上にはカーボン等から
なる非磁性の保護層7 が 200〜400Å程度形成されてお
り、更にその上にフッ素化ポリエーテル等の潤滑剤を10
〜50Å程度塗布してもよい。尚、前記保護層7 や潤滑剤
塗布層は必要に応じて形成すればよい。前記媒体基板4
は、通常、ガラス基板1 の上に蓄熱用非磁性層2 および
NiP層3 をスパッタリングにより成膜することによっ
て得られるが、既述の通り、NiP層3 はメッキによっ
て形成してもよい。媒体基板4 の上にCr下地層5 、磁
気記録層6 を成膜するに際して、NiP層3 の表面を赤
外線ヒータ等によって加熱する。加熱温度はNiPが結
晶化しないように 250〜 300℃程度とするのがよい。
尚、抵抗ヒータ等により媒体基板全体を加熱してもよい
が、加熱に長時間かかり、工業的生産には適さない。基
板を加熱後、前記Cr下地層5 、磁気記録層6 、カーボ
ン系保護層7 を形成する手段としては、スパッタリング
が一般的に行われるが、他の物理気相蒸着法を利用する
こともできる。
なる非磁性の保護層7 が 200〜400Å程度形成されてお
り、更にその上にフッ素化ポリエーテル等の潤滑剤を10
〜50Å程度塗布してもよい。尚、前記保護層7 や潤滑剤
塗布層は必要に応じて形成すればよい。前記媒体基板4
は、通常、ガラス基板1 の上に蓄熱用非磁性層2 および
NiP層3 をスパッタリングにより成膜することによっ
て得られるが、既述の通り、NiP層3 はメッキによっ
て形成してもよい。媒体基板4 の上にCr下地層5 、磁
気記録層6 を成膜するに際して、NiP層3 の表面を赤
外線ヒータ等によって加熱する。加熱温度はNiPが結
晶化しないように 250〜 300℃程度とするのがよい。
尚、抵抗ヒータ等により媒体基板全体を加熱してもよい
が、加熱に長時間かかり、工業的生産には適さない。基
板を加熱後、前記Cr下地層5 、磁気記録層6 、カーボ
ン系保護層7 を形成する手段としては、スパッタリング
が一般的に行われるが、他の物理気相蒸着法を利用する
こともできる。
【0014】次に具体的実施例を掲げる。 (1) 結晶化ガラス製のガラス基板にDCマグネトロンス
パッタ装置を用いて、Cr又はTiを用いて蓄熱用非磁
性層2 を成膜し、その上にNiP層3 を形成して、媒体
基板4 を製作した。尚、この成膜に際しては、ガラス基
板の表面を赤外線ヒータにより63A、12.5秒の条件で加
熱した。 (2) 媒体基板4 のNiP層の表面に、円周方向にテキス
チャリングを施した後、表面を洗浄した。 (3) 上記媒体基板4 を用いて、(1) と同様のスパッタ装
置により、表1に示す条件で赤外線ヒータにより基板表
面を加熱した後、Cr下地層5 を1200Å、磁気記録層
(Co合金単層)6を 650Å、カーボン保護層7 を 250Å
積層成膜した。Co合金の組成はat%でCo86Cr12T
a2 である。また、Cr下地層5 およびCo合金層6 を
成膜するに際し、基板側に負のバイアス電圧(−300
V) を印加した。尚、同表中、試料NO.1〜5は本発明
実施例、NO.6及び7は従来例、NO.8及び9は比較例で
ある。
パッタ装置を用いて、Cr又はTiを用いて蓄熱用非磁
性層2 を成膜し、その上にNiP層3 を形成して、媒体
基板4 を製作した。尚、この成膜に際しては、ガラス基
板の表面を赤外線ヒータにより63A、12.5秒の条件で加
熱した。 (2) 媒体基板4 のNiP層の表面に、円周方向にテキス
チャリングを施した後、表面を洗浄した。 (3) 上記媒体基板4 を用いて、(1) と同様のスパッタ装
置により、表1に示す条件で赤外線ヒータにより基板表
面を加熱した後、Cr下地層5 を1200Å、磁気記録層
(Co合金単層)6を 650Å、カーボン保護層7 を 250Å
積層成膜した。Co合金の組成はat%でCo86Cr12T
a2 である。また、Cr下地層5 およびCo合金層6 を
成膜するに際し、基板側に負のバイアス電圧(−300
V) を印加した。尚、同表中、試料NO.1〜5は本発明
実施例、NO.6及び7は従来例、NO.8及び9は比較例で
ある。
【0015】
【表1】
【0016】(4) 得られた資料を用いて保磁力を測定し
た。その結果を同表に併せて示す。同表より、実施例の
NO.1〜5は従来例のNO.6および7に比べて著しく保磁
力が向上していることが分かる。尚、従来例のNO.6の
NiP層は結晶化していた。NO.7は結晶化を回避する
ためヒータ電流を9A下げたものであるが、結晶化は生
じなかったものの、加熱温度が低いため保磁力も著しく
低い値に止まった。
た。その結果を同表に併せて示す。同表より、実施例の
NO.1〜5は従来例のNO.6および7に比べて著しく保磁
力が向上していることが分かる。尚、従来例のNO.6の
NiP層は結晶化していた。NO.7は結晶化を回避する
ためヒータ電流を9A下げたものであるが、結晶化は生
じなかったものの、加熱温度が低いため保磁力も著しく
低い値に止まった。
【0017】
【発明の効果】以上説明した通り、本発明の磁気記録媒
体は、その媒体基板がガラス基板の上に熱伝導性に優れ
た蓄熱用非磁性層およびNiP層を同順序で積層成膜し
たものであるので、蓄熱用非磁性層により、基板加熱時
におけるNiP層の温度の急上昇を抑えると共に基板の
温度低下を防止することができ、これによって結晶配向
性の良好なCr下地層や磁気記録層の成膜が可能とな
り、ガラス基板の有する平坦性を備え、かつ高保磁力を
有する磁気記録媒体を提供することができる。
体は、その媒体基板がガラス基板の上に熱伝導性に優れ
た蓄熱用非磁性層およびNiP層を同順序で積層成膜し
たものであるので、蓄熱用非磁性層により、基板加熱時
におけるNiP層の温度の急上昇を抑えると共に基板の
温度低下を防止することができ、これによって結晶配向
性の良好なCr下地層や磁気記録層の成膜が可能とな
り、ガラス基板の有する平坦性を備え、かつ高保磁力を
有する磁気記録媒体を提供することができる。
【図1】本発明の磁気記録媒体の要部断面図である。
1 ガラス基板 2 蓄熱用非磁性層 3 NiP層 4 媒体基板 5 Cr下地層 6 磁気記録層 7 保護層
Claims (2)
- 【請求項1】 非磁性の媒体基板の上にCr下地層、磁
気記録層および保護層が同順序で積層成膜された磁気記
録媒体において、 前記媒体基板はガラス基板の上に熱伝導性に優れた蓄熱
用非磁性層およびNiP層が同順序で積層成膜されてい
ることを特徴とする金属薄膜型磁気記録媒体。 - 【請求項2】 蓄熱用非磁性層はCr、Ti又はCrT
i合金で形成されている請求項1に記載した金属薄膜型
磁気記録媒体。
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Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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JP2834380B2 (ja) * | 1993-03-15 | 1998-12-09 | ストアメディア インコーポレーテッド | 金属薄膜型磁気記録媒体 |
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US5846648A (en) * | 1994-01-28 | 1998-12-08 | Komag, Inc. | Magnetic alloy having a structured nucleation layer and method for manufacturing same |
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US5798164A (en) * | 1995-06-23 | 1998-08-25 | Stormedia, Inc. | Zone textured magnetic recording media |
JPH09134515A (ja) * | 1995-09-05 | 1997-05-20 | Kao Corp | 磁気記録媒体 |
US6022609A (en) * | 1996-10-02 | 2000-02-08 | Seagate Technology, Inc. | Magnetic recording medium with substantially uniform sub-micron-scale morphology |
GB2338336B (en) * | 1997-01-15 | 2000-11-29 | Seagate Technology | Magnetic recording medium |
US5789056A (en) * | 1997-01-30 | 1998-08-04 | International Business Machines Corporation | Thin film magnetic disk with chromium-titanium seed layer |
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US6218003B1 (en) * | 1998-02-10 | 2001-04-17 | Seagate Technology, Llc | Magnetic recording medium containing a Cr(TiO2) underlayer |
JPH11339240A (ja) | 1998-05-27 | 1999-12-10 | Fujitsu Ltd | 磁気記録媒体及び磁気ディスク装置 |
US6143375A (en) * | 1999-01-28 | 2000-11-07 | Komag, Incorporated | Method for preparing a substrate for a magnetic disk |
US6680133B2 (en) | 1999-12-08 | 2004-01-20 | Showa Denko Kabushiki Kaisha | Magnetic recording medium and sputtering target |
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US6432563B1 (en) | 2000-04-03 | 2002-08-13 | Carnegie Mellon University | Zinc enhanced hard disk media |
US6596417B1 (en) | 2000-09-29 | 2003-07-22 | Carnegie Mellon University | Magnetic recording medium with a Ga3Pt5 structured underlayer and a cobalt-based magnetic layer |
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JP2003099911A (ja) | 2001-09-26 | 2003-04-04 | Fujitsu Ltd | 磁気記録媒体及びその製造方法 |
US6858331B1 (en) * | 2003-08-29 | 2005-02-22 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands, B.V. | Magnetic thin film media with a bi-layer structure of CrTi/Nip |
JP4172412B2 (ja) * | 2004-04-01 | 2008-10-29 | 富士電機デバイステクノロジー株式会社 | 垂直磁気記録媒体用基板及びそれを用いた垂直磁気記録媒体 |
US8247095B2 (en) * | 2009-08-21 | 2012-08-21 | Western Digital Technologies, Inc. | Energy assisted discrete track media with heat sink |
US8404369B2 (en) | 2010-08-03 | 2013-03-26 | WD Media, LLC | Electroless coated disks for high temperature applications and methods of making the same |
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---|---|---|---|---|
JPS6326827A (ja) * | 1986-07-21 | 1988-02-04 | Hitachi Ltd | 磁気記録媒体の製造方法 |
JP2519982B2 (ja) * | 1988-07-19 | 1996-07-31 | 日本板硝子株式会社 | 面内磁気記録媒体の製造方法 |
JPH02246017A (ja) * | 1989-03-20 | 1990-10-01 | Mitsubishi Electric Corp | 磁気記録媒体 |
JPH0319130A (ja) * | 1989-06-16 | 1991-01-28 | Nkk Corp | チタン製磁気ディスク基板の製造方法 |
US5037515A (en) * | 1989-09-18 | 1991-08-06 | Hmt Technology Corporation | Method for making smooth-surfaced magnetic recording medium |
US5084152A (en) * | 1990-10-02 | 1992-01-28 | Industrial Technology Research Institute | Method for preparing high density magnetic recording medium |
-
1992
- 1992-01-17 JP JP4006791A patent/JP2724067B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 1992-08-18 US US07/931,366 patent/US5314745A/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH05197941A (ja) | 1993-08-06 |
US5314745A (en) | 1994-05-24 |
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