JP2721146B2 - 共通の中間層金属コンタクトを有する２色赤外線同時検出器 - Google Patents
共通の中間層金属コンタクトを有する２色赤外線同時検出器Info
- Publication number
- JP2721146B2 JP2721146B2 JP8144632A JP14463296A JP2721146B2 JP 2721146 B2 JP2721146 B2 JP 2721146B2 JP 8144632 A JP8144632 A JP 8144632A JP 14463296 A JP14463296 A JP 14463296A JP 2721146 B2 JP2721146 B2 JP 2721146B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- radiation
- array
- substrate
- mesa structure
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 title description 12
- 239000002184 metal Substances 0.000 title description 12
- 230000009977 dual effect Effects 0.000 title description 6
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 title description 2
- 230000005855 radiation Effects 0.000 claims description 54
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 claims description 33
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 33
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 32
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 claims description 28
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 26
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 20
- 238000002161 passivation Methods 0.000 claims description 11
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 8
- 230000005670 electromagnetic radiation Effects 0.000 claims description 5
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 5
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 claims description 4
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 3
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 3
- 239000006117 anti-reflective coating Substances 0.000 claims description 2
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 claims 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 87
- 229910000661 Mercury cadmium telluride Inorganic materials 0.000 description 6
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 5
- 238000004943 liquid phase epitaxy Methods 0.000 description 4
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 4
- 229910004613 CdTe Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 3
- 206010034972 Photosensitivity reaction Diseases 0.000 description 2
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 2
- 238000003491 array Methods 0.000 description 2
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 239000010408 film Substances 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 230000036211 photosensitivity Effects 0.000 description 2
- 238000000927 vapour-phase epitaxy Methods 0.000 description 2
- 229910004611 CdZnTe Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- 240000002834 Paulownia tomentosa Species 0.000 description 1
- 235000010678 Paulownia tomentosa Nutrition 0.000 description 1
- 206010034960 Photophobia Diseases 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 description 1
- RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N arsenic atom Chemical compound [As] RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052793 cadmium Inorganic materials 0.000 description 1
- BDOSMKKIYDKNTQ-UHFFFAOYSA-N cadmium atom Chemical compound [Cd] BDOSMKKIYDKNTQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002800 charge carrier Substances 0.000 description 1
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 238000002109 crystal growth method Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 1
- 208000013469 light sensitivity Diseases 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N mercury Chemical compound [Hg] QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052753 mercury Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 238000001451 molecular beam epitaxy Methods 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 230000006335 response to radiation Effects 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/0248—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies
- H01L31/0352—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their shape or by the shapes, relative sizes or disposition of the semiconductor regions
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14643—Photodiode arrays; MOS imagers
- H01L27/14649—Infrared imagers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/08—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors
- H01L31/10—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors characterised by potential barriers, e.g. phototransistors
- H01L31/101—Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation
- H01L31/102—Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation characterised by only one potential barrier
- H01L31/103—Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation characterised by only one potential barrier the potential barrier being of the PN homojunction type
- H01L31/1032—Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation characterised by only one potential barrier the potential barrier being of the PN homojunction type the devices comprising active layers formed only by AIIBVI compounds, e.g. HgCdTe IR photodiodes
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Light Receiving Elements (AREA)
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本願発明は、一般に固体放射
線検出器に関するものであり、特に複数のスペクトル帯
域または複数色の放射線に対する感度の高い放射線検出
器に関するものである。
線検出器に関するものであり、特に複数のスペクトル帯
域または複数色の放射線に対する感度の高い放射線検出
器に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】光検出器の好ましい型に、２つのスペク
トル帯域において同時に高い感度を有する赤外線（Ｉ
Ｒ）検出器がある。複数スペクトル帯域には、短波長Ｉ
Ｒ（ＳＷＩＲ），中間波長ＩＲ（ＭＷＩＲ），長波長Ｉ
Ｒ（ＬＷＩＲ），および超長波長ＩＲ（ＶＬＷＩＲ）が
ある。２色ＩＲ検出器のアレイは、多くの画像応用装置
に採用され、アレイの視野内の情景からの２つのスペク
トル帯域の放射線を同時に検出することを必要とする。
例えば、アレイはＬＷＩＲとＭＷＩＲを、またはＬＷＩ
ＲとＳＷＩＲを同時に検出することになる。
トル帯域において同時に高い感度を有する赤外線（Ｉ
Ｒ）検出器がある。複数スペクトル帯域には、短波長Ｉ
Ｒ（ＳＷＩＲ），中間波長ＩＲ（ＭＷＩＲ），長波長Ｉ
Ｒ（ＬＷＩＲ），および超長波長ＩＲ（ＶＬＷＩＲ）が
ある。２色ＩＲ検出器のアレイは、多くの画像応用装置
に採用され、アレイの視野内の情景からの２つのスペク
トル帯域の放射線を同時に検出することを必要とする。
例えば、アレイはＬＷＩＲとＭＷＩＲを、またはＬＷＩ
ＲとＳＷＩＲを同時に検出することになる。
【０００３】Ｅ．Ｆ．Ｓｃｈｕｌｔｅによる「２端子複
数帯域赤外線検出器」と題する１９９２年５月１３日発
行の米国特許第５、１１３、０７６号は、図１を参照し
て、２つの背中合わせの光ダイオードが類似する方法で
機能する２つのヘテロジャンクションを有する放射線検
出器を開示する。それぞれの光ダイオードは、ＬＷＩＲ
とＭＷＩＲのような異なるＩＲスペクトル帯域内の放射
線に応答する。特定の波長帯域の検出はバイアスを加え
スイッチングすることにより行われる。開示された構造
は、ｎ−ｐ−ｎ構造、ｐ−ｎ−ｐ構造、およびｐ−ｎ−
ｐ−ｎ構造を有する。
数帯域赤外線検出器」と題する１９９２年５月１３日発
行の米国特許第５、１１３、０７６号は、図１を参照し
て、２つの背中合わせの光ダイオードが類似する方法で
機能する２つのヘテロジャンクションを有する放射線検
出器を開示する。それぞれの光ダイオードは、ＬＷＩＲ
とＭＷＩＲのような異なるＩＲスペクトル帯域内の放射
線に応答する。特定の波長帯域の検出はバイアスを加え
スイッチングすることにより行われる。開示された構造
は、ｎ−ｐ−ｎ構造、ｐ−ｎ−ｐ構造、およびｐ−ｎ−
ｐ−ｎ構造を有する。
【０００４】Ｐ．Ｒ．Ｎｏｒｔｏｎによる「２色放射線
検出器アレイおよびその製造方法」と題する１９９２年
９月２２日発行の米国特許第５、１４９、９５６号につ
いて参照する。この特許は、異なる波長帯域（例えば、
ＭＷＩＲとＬＷＩＲ）に応答する半導体領域間の実質上
連続する共通層の構成について記載する。読出し電子回
路に同様に接続するために、コンタクト２８は共通層に
形成されている。
検出器アレイおよびその製造方法」と題する１９９２年
９月２２日発行の米国特許第５、１４９、９５６号につ
いて参照する。この特許は、異なる波長帯域（例えば、
ＭＷＩＲとＬＷＩＲ）に応答する半導体領域間の実質上
連続する共通層の構成について記載する。読出し電子回
路に同様に接続するために、コンタクト２８は共通層に
形成されている。
【０００５】また、Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ａｐｐｌｉ
ｅｄ Ｐｈｙｓｉｃｓ，７０（８），１５ Ｏｃｔｏｂ
ｅｒ １９９１の４８２０頁〜４８２２頁のＪ．Ｍ．Ａ
ｒｉａｓ他により寄稿されたｎ−ｐ+ −ｎ二重帯域検出
器を参照することができる。この３層ｎ−ｐ+ −ｎ構造
は、ＭＷＩＲの吸収が底部ｎ形層で起り、ＬＷＩＲの吸
収が頂部ｎ形層で起ることを呈示する。
ｅｄ Ｐｈｙｓｉｃｓ，７０（８），１５ Ｏｃｔｏｂ
ｅｒ １９９１の４８２０頁〜４８２２頁のＪ．Ｍ．Ａ
ｒｉａｓ他により寄稿されたｎ−ｐ+ −ｎ二重帯域検出
器を参照することができる。この３層ｎ−ｐ+ −ｎ構造
は、ＭＷＩＲの吸収が底部ｎ形層で起り、ＬＷＩＲの吸
収が頂部ｎ形層で起ることを呈示する。
【０００６】Ｄｉｅｔｒｉｃｈによる「スペクトルに感
応する光感応超格子検出器組立体」と題する１９８９年
７月１１日発行の米国特許第４、８４７、４８９号は、
複数の光感応検出器素子を含む検出器組立体を開示す
る。各検出器素子は、交互に正または負にドープされた
超格子構造を有する光感応半導体材料の多層構造を具備
する。スペクトルの光感応度を制御するために制御電圧
が加えられ、光検出器を高波長のおよび低波長の適切な
スペクトル領域のグループに分割するために光フィルタ
装置が準備される。
応する光感応超格子検出器組立体」と題する１９８９年
７月１１日発行の米国特許第４、８４７、４８９号は、
複数の光感応検出器素子を含む検出器組立体を開示す
る。各検出器素子は、交互に正または負にドープされた
超格子構造を有する光感応半導体材料の多層構造を具備
する。スペクトルの光感応度を制御するために制御電圧
が加えられ、光検出器を高波長のおよび低波長の適切な
スペクトル領域のグループに分割するために光フィルタ
装置が準備される。
【０００７】Ｏｎｄｒｉｓ他による「光起電力ヘテロジ
ュンクション構造」と題する１９８８年６月２８日発行
の米国特許第４、７５３、６８４号は、３層の、II-VI
族二重ヘテロジャンクション光起電力構造について記載
する。
ュンクション構造」と題する１９８８年６月２８日発行
の米国特許第４、７５３、６８４号は、３層の、II-VI
族二重ヘテロジャンクション光起電力構造について記載
する。
【０００８】イトウ マコトによる１９８０年８月４日
発行の日本特許公報第５５−１０１８３２号は、その要
約文において、対向する面に配置された電極２および３
を有するｎ形ＨｇＣｄＴｅを含む赤外線検出器について
開示する。バイアス電圧の両極がスイッチングできるよ
うに電極２および３に接続されている。この装置は単に
１つの半導体検出器によって広波長帯域の光を検出する
ことが可能であると記載されている。
発行の日本特許公報第５５−１０１８３２号は、その要
約文において、対向する面に配置された電極２および３
を有するｎ形ＨｇＣｄＴｅを含む赤外線検出器について
開示する。バイアス電圧の両極がスイッチングできるよ
うに電極２および３に接続されている。この装置は単に
１つの半導体検出器によって広波長帯域の光を検出する
ことが可能であると記載されている。
【０００９】Ａｃａｄｅｍｉｃ Ｐｒｅｓｓ １９７０
年発行の、半導体および半金属、Ｖｏｌ．５，ＩＲ検出
器、におけるＤ．Ｌｏｎｇ および Ｊ．Ｌ．Ｓｃｈｍ
ｉｔによる「ＨｇＣｄＴｅおよび関連合金」と題された
文献によりＩＲ応答材料に関する一般的情報を得ること
ができる。
年発行の、半導体および半金属、Ｖｏｌ．５，ＩＲ検出
器、におけるＤ．Ｌｏｎｇ および Ｊ．Ｌ．Ｓｃｈｍ
ｉｔによる「ＨｇＣｄＴｅおよび関連合金」と題された
文献によりＩＲ応答材料に関する一般的情報を得ること
ができる。
【００１０】Ｉｎｆｒａｒｅｄ Ｐｈｙｓｉｃｓ，Ｖｏ
ｌ．１５，１９７５年、３３１頁〜３３７頁のＪ．Ｍ．
ＰａｗｌｉｋｏｗｓｋｉおよびＰ．Ｂｅｃｌａによる文
献名「赤外線に対する光起電力ＣｄX Ｈｇ1-X Ｔｅ検出
器の諸特性」は、ＨｇＣｄＴｅ結晶およびエピタキシャ
ル膜により形成された光起電力ｐ−ｎ接合検出器につい
て記載する。著者はカドミウムのモル比率を変えること
により、１乃至９ミクロンのスペクトル領域の範囲内に
おいて、光感度が最大となる位置が移動すると報告して
いる。
ｌ．１５，１９７５年、３３１頁〜３３７頁のＪ．Ｍ．
ＰａｗｌｉｋｏｗｓｋｉおよびＰ．Ｂｅｃｌａによる文
献名「赤外線に対する光起電力ＣｄX Ｈｇ1-X Ｔｅ検出
器の諸特性」は、ＨｇＣｄＴｅ結晶およびエピタキシャ
ル膜により形成された光起電力ｐ−ｎ接合検出器につい
て記載する。著者はカドミウムのモル比率を変えること
により、１乃至９ミクロンのスペクトル領域の範囲内に
おいて、光感度が最大となる位置が移動すると報告して
いる。
【００１１】Ｐ．Ｒ．Ｎｏｒｔｏｎによる「ＬＰＥ結晶
成長法を用いた２色検出器の製造方法」と題する１９９
３年２月８日出願の特許出願第０８／０１４，９３９
号、およびＫ．ＫｏｓａｉおよびＧ．Ｃｈａｐｍａｎに
よる「製造が容易な成分の傾斜するＨｇＣｄＴｅ二重バ
ンド赤外線検出器」と題する１９９３年４月８日出願の
特許出願第０８／０４５，７４１号もまた関連する。
成長法を用いた２色検出器の製造方法」と題する１９９
３年２月８日出願の特許出願第０８／０１４，９３９
号、およびＫ．ＫｏｓａｉおよびＧ．Ｃｈａｐｍａｎに
よる「製造が容易な成分の傾斜するＨｇＣｄＴｅ二重バ
ンド赤外線検出器」と題する１９９３年４月８日出願の
特許出願第０８／０４５，７４１号もまた関連する。
【００１２】
【発明が解決しようとする課題】本願発明の目的は、従
来の技術に比べて複雑さを低減した改善された２色ＩＲ
検出器を提供することである。
来の技術に比べて複雑さを低減した改善された２色ＩＲ
検出器を提供することである。
【００１３】本願発明の他の目的は、各放射線検出部ま
たは画素アレイのために、共通のコンタクトを有する２
色ＩＲ検出器アレイを提供することである。共通のコン
タクトはメサ構造内または検出器のそれぞれの構造内に
おける共通の層と接続するためにアレイを貫くバスの構
造を採用する。この方法により組立てられた読取り装置
は、各画素とは対照的に、アレイの周辺において各検出
器の中間の共通層と接続することを可能とする。
たは画素アレイのために、共通のコンタクトを有する２
色ＩＲ検出器アレイを提供することである。共通のコン
タクトはメサ構造内または検出器のそれぞれの構造内に
おける共通の層と接続するためにアレイを貫くバスの構
造を採用する。この方法により組立てられた読取り装置
は、各画素とは対照的に、アレイの周辺において各検出
器の中間の共通層と接続することを可能とする。
【００１４】本願発明のさらなる目的は、複数の放射線
検出器を含むアレイおよびアレイの製造方法により実現
される。現在の好ましい実施例において、個々の放射線
検出器は、II-VI 族半導体材料から成る第１の層を具備
する。第１の層は、第１の形の電気電導性と第１のスペ
クトル帯域内の放射線を吸収するために選択されたバン
ドギャップを有する。放射線検出器はまた第１の層上に
形成された第２の層をそれぞれ具備する。第２の層はII
-VI 族半導体材料から成り、第１の形の電気電導性と反
対の第２の形の電気電導性を有する。各放射線検出器は
さらに第２の層上に形成された第３の層を含み、第３の
層もまたII-VI 族半導体材料から成る。第３の層は第１
の形の電気電導性を有し、第２のスペクトル帯域内の放
射線を吸収するために選択されたバンドギャップを有す
る。第１および第２のスペクトル帯域は、本質的にＳＷ
ＩＲ，ＭＷＩＲ，ＬＷＩＲ，およびＶＬＷＩＲからなる
グループから選択される。II-VI 族半導体材料として
は，例えば，ＨｄＣｄＴｅが用いられる。
検出器を含むアレイおよびアレイの製造方法により実現
される。現在の好ましい実施例において、個々の放射線
検出器は、II-VI 族半導体材料から成る第１の層を具備
する。第１の層は、第１の形の電気電導性と第１のスペ
クトル帯域内の放射線を吸収するために選択されたバン
ドギャップを有する。放射線検出器はまた第１の層上に
形成された第２の層をそれぞれ具備する。第２の層はII
-VI 族半導体材料から成り、第１の形の電気電導性と反
対の第２の形の電気電導性を有する。各放射線検出器は
さらに第２の層上に形成された第３の層を含み、第３の
層もまたII-VI 族半導体材料から成る。第３の層は第１
の形の電気電導性を有し、第２のスペクトル帯域内の放
射線を吸収するために選択されたバンドギャップを有す
る。第１および第２のスペクトル帯域は、本質的にＳＷ
ＩＲ，ＭＷＩＲ，ＬＷＩＲ，およびＶＬＷＩＲからなる
グループから選択される。II-VI 族半導体材料として
は，例えば，ＨｄＣｄＴｅが用いられる。
【００１５】第１、第２、および第３の層は、その頂部
表面において第１の層に対する第１の電気コンタクト、
および第３の層に対する第２の電気コンタクトを保持す
る少なくとも１つのメサ構造体内に包含される。外部読
出し集積回路に接続するために、第１の電気コンタクト
は第１のインジウムバンプを含み、第２の電気コンタク
トは第２のインジウムバンプを含む。
表面において第１の層に対する第１の電気コンタクト、
および第３の層に対する第２の電気コンタクトを保持す
る少なくとも１つのメサ構造体内に包含される。外部読
出し集積回路に接続するために、第１の電気コンタクト
は第１のインジウムバンプを含み、第２の電気コンタク
トは第２のインジウムバンプを含む。
【００１６】本願発明によれば、少なくとも１つのメサ
構造はさらに側壁において第２の層に対する電気コンタ
クトを保持する。この側壁の電気コンタクトは、複数の
放射線検出器のメサ構造の側壁電気コンタクトに電気的
に接続された電気電導性バスに接続される。
構造はさらに側壁において第２の層に対する電気コンタ
クトを保持する。この側壁の電気コンタクトは、複数の
放射線検出器のメサ構造の側壁電気コンタクトに電気的
に接続された電気電導性バスに接続される。
【００１７】放射線検出器のアレイは、さらに第１の層
の面の下部に位置する第１の面を有する基板を含む。基
板は第１および第２のスペクトル帯域内の電磁放射に対
して実質的に透明な材料から選択される。
の面の下部に位置する第１の面を有する基板を含む。基
板は第１および第２のスペクトル帯域内の電磁放射に対
して実質的に透明な材料から選択される。
【００１８】さらにアレイは、基板の第２の面に配置さ
れた反射防止被膜を含むことができる。第２の面は第１
の面の反対側にあるアレイの放射線入射面である。アレ
イはさらに各放射線検出器のために、放射線が入射する
基板の第２の面に隣接して少なくとも１つのマイクロレ
ンズを含むことができる。このマイクロレンズは、第１
の層および第３の層の少なくとも１つへ、入射放射線の
焦点を結ぶ。
れた反射防止被膜を含むことができる。第２の面は第１
の面の反対側にあるアレイの放射線入射面である。アレ
イはさらに各放射線検出器のために、放射線が入射する
基板の第２の面に隣接して少なくとも１つのマイクロレ
ンズを含むことができる。このマイクロレンズは、第１
の層および第３の層の少なくとも１つへ、入射放射線の
焦点を結ぶ。
【００１９】誘電体層、好ましくは広バンドギャップの
半導体材料による層、を少なくとも１つのメサ構造の表
面を覆って配置する。ダイオードの導通および漏洩効果
を防止するために、高抵抗の誘電体材料の層をパッシベ
ーション層と電気電導性バスの間に適切に挿入する。
半導体材料による層、を少なくとも１つのメサ構造の表
面を覆って配置する。ダイオードの導通および漏洩効果
を防止するために、高抵抗の誘電体材料の層をパッシベ
ーション層と電気電導性バスの間に適切に挿入する。
【００２０】上記記載の本願発明およびその他の特徴
は、添付された図面と関連させて読むことにより、以下
に記載の本願発明の詳細な説明により明瞭となる。
は、添付された図面と関連させて読むことにより、以下
に記載の本願発明の詳細な説明により明瞭となる。
【００２１】先に参照した米国特許第５、１１３、０７
６号および第５、１４９、９５６号の開示内容が参照さ
れる。
６号および第５、１４９、９５６号の開示内容が参照さ
れる。
【００２２】ここで採用されたように、短波長赤外線
（ＳＷＩＲ）は約１０００ナノメータ（ｎｍ）から約３
０００ナノメータ（ｎｍ）にまたがるスペクトル帯域を
含むものと考えられる。中間波長赤外線（ＭＷＩＲ）は
約３０００ｎｍから約８０００ｎｍにまたがるスペクト
ル帯域を含むものと考えられる。長波長赤外線（ＬＷＩ
Ｒ）は約８０００ｎｍから約１４０００ｎｍにまたがる
スペクトル帯域を含むものと考えられる。超長波長赤外
線（ＶＬＷＩＲ）は約１２０００ｎｍから約３００００
ｎｍにまたがるスペクトル帯域を含むものと考えられ
る。例え帯域がある程度重なり合っているとしても、こ
こに開示する目的に関しては、この重なり合いは重要の
ものとは考えられない。さらに、もし与えられたスペク
トル帯域内の波長に対し、その半導体材料が最大のまた
は実質的に最大の光感応度を示すものであるならば、こ
こで採用した半導体材料は与えられたスペクトル帯域に
関して高い感応性を示すものと考えられる。
（ＳＷＩＲ）は約１０００ナノメータ（ｎｍ）から約３
０００ナノメータ（ｎｍ）にまたがるスペクトル帯域を
含むものと考えられる。中間波長赤外線（ＭＷＩＲ）は
約３０００ｎｍから約８０００ｎｍにまたがるスペクト
ル帯域を含むものと考えられる。長波長赤外線（ＬＷＩ
Ｒ）は約８０００ｎｍから約１４０００ｎｍにまたがる
スペクトル帯域を含むものと考えられる。超長波長赤外
線（ＶＬＷＩＲ）は約１２０００ｎｍから約３００００
ｎｍにまたがるスペクトル帯域を含むものと考えられ
る。例え帯域がある程度重なり合っているとしても、こ
こに開示する目的に関しては、この重なり合いは重要の
ものとは考えられない。さらに、もし与えられたスペク
トル帯域内の波長に対し、その半導体材料が最大のまた
は実質的に最大の光感応度を示すものであるならば、こ
こで採用した半導体材料は与えられたスペクトル帯域に
関して高い感応性を示すものと考えられる。
【００２３】まず、比例して拡大したものではないが、
二重帯域放射線検出器の実施例の断面図を示す図２を参
照する。検出器１は、その上に多層ＨｇＣｄＴｅ検出器
構造体が形成される基板２を含む。検出器１は、液相エ
ピタキシ（ＬＰＥ），分子線エピタキシ（ＭＢＥ），気
相エピタキシ（ＶＰＥ）またはＨｇ1-X ＣｄX Ｔｅの高
品質の層または薄膜を形成するのに適切な他のプロセス
により形成される。ここでX の値は、使用される層また
は薄膜に関して、所望のスペクトル帯域を提供するよう
なＨｇ1-X ＣｄX Ｔｅのバンドギャップエネルギを定め
るように選択される。
二重帯域放射線検出器の実施例の断面図を示す図２を参
照する。検出器１は、その上に多層ＨｇＣｄＴｅ検出器
構造体が形成される基板２を含む。検出器１は、液相エ
ピタキシ（ＬＰＥ），分子線エピタキシ（ＭＢＥ），気
相エピタキシ（ＶＰＥ）またはＨｇ1-X ＣｄX Ｔｅの高
品質の層または薄膜を形成するのに適切な他のプロセス
により形成される。ここでX の値は、使用される層また
は薄膜に関して、所望のスペクトル帯域を提供するよう
なＨｇ1-X ＣｄX Ｔｅのバンドギャップエネルギを定め
るように選択される。
【００２４】例えば、以下の文献には適切なＬＰＥ成長
技術が記載されている。Ｔ．Ｔｕｎｇ，Ｍ．Ｈ．Ｋａｌ
ｉｓｈｅｒ，Ａ．Ｐ．Ｓｔｅｖｅｎｓ およびＰ．Ｈ．
Ｈｅｒｎｉｎｇによる「赤外線検出器および赤外線源の
ための材料」 Ｍａｔｅｒ．Ｒｅｓ．Ｓｏｃ．Ｓｙｍ
ｐ．Ｐｒｏｃ．，Ｖｏｌ．９０（Ｍａｔｅｒ．Ｒｅｓ．
Ｓｏｃ．、Ｐｉｔｔｓｂｕｒｇ，ＰＡ，１９８７），３
２１頁；およびＴ．Ｔｕｎｇによる「水銀融液からのＨ
ｇＣｄＴｅの無制限融解縦方向液相エピタキシ」Ｓｔａ
ｔｕｓ ａｎｄ Ｐｒｏｓｐｅｃｔｓ，Ｊ．Ｃｒｙｓｔ
ａｌ Ｇｒｏｗｔｈ ８６（１９８８）１６１頁〜１７
２頁。
技術が記載されている。Ｔ．Ｔｕｎｇ，Ｍ．Ｈ．Ｋａｌ
ｉｓｈｅｒ，Ａ．Ｐ．Ｓｔｅｖｅｎｓ およびＰ．Ｈ．
Ｈｅｒｎｉｎｇによる「赤外線検出器および赤外線源の
ための材料」 Ｍａｔｅｒ．Ｒｅｓ．Ｓｏｃ．Ｓｙｍ
ｐ．Ｐｒｏｃ．，Ｖｏｌ．９０（Ｍａｔｅｒ．Ｒｅｓ．
Ｓｏｃ．、Ｐｉｔｔｓｂｕｒｇ，ＰＡ，１９８７），３
２１頁；およびＴ．Ｔｕｎｇによる「水銀融液からのＨ
ｇＣｄＴｅの無制限融解縦方向液相エピタキシ」Ｓｔａ
ｔｕｓ ａｎｄ Ｐｒｏｓｐｅｃｔｓ，Ｊ．Ｃｒｙｓｔ
ａｌ Ｇｒｏｗｔｈ ８６（１９８８）１６１頁〜１７
２頁。
【００２５】多層ＨｇＣｄＴｅ検出器構造体は、ＭＷＩ
Ｒに感応するｎ形の放射線吸収層である第１の層３を含
む。Ｐ形の第２の層４が第１の層３の上部に配置され
る。ＬＷＩＲに感応するｎ形の放射線吸収層である第３
の層５が、第２の層４の上部に配置される。層３、４、
および５はメサ構造６、７、および８に区分される。
Ｒに感応するｎ形の放射線吸収層である第１の層３を含
む。Ｐ形の第２の層４が第１の層３の上部に配置され
る。ＬＷＩＲに感応するｎ形の放射線吸収層である第３
の層５が、第２の層４の上部に配置される。層３、４、
および５はメサ構造６、７、および８に区分される。
【００２６】メサ構造６は、読出し集積回路の対応する
インジウムバンプ（図示されていない）に接続するため
のインジウムバンプ６´を含む。インジウムバンプ６´
はＭＷＩＲに感応する層３にオーミック接続する金属リ
ード６´´に電気的に接続される。メサ構造７は、読出
し集積回路の対応するインジウムバンプに接続するため
のインジウムバンプ７´を含む。インジウムバンプ７´
は、ｐ形中間層４にオーミック接続する金属リード７´
´に電気的に接続される。メサ構造８は、読出し集積回
路の対応するインジウムバンプに接続するためのインジ
ウムバンプ８´を含む。インジウムバンプ８´はｎ形Ｌ
ＷＩＲ層５に電気的に接続される。
インジウムバンプ（図示されていない）に接続するため
のインジウムバンプ６´を含む。インジウムバンプ６´
はＭＷＩＲに感応する層３にオーミック接続する金属リ
ード６´´に電気的に接続される。メサ構造７は、読出
し集積回路の対応するインジウムバンプに接続するため
のインジウムバンプ７´を含む。インジウムバンプ７´
は、ｐ形中間層４にオーミック接続する金属リード７´
´に電気的に接続される。メサ構造８は、読出し集積回
路の対応するインジウムバンプに接続するためのインジ
ウムバンプ８´を含む。インジウムバンプ８´はｎ形Ｌ
ＷＩＲ層５に電気的に接続される。
【００２７】動作において、ＩＲ放射線は基板２の底部
表面２ａに入射する。基板２はこのように関連する波
長、またはこの場合にはＭＷＩＲおよびＬＷＩＲ，を有
するＩＲ放射線に対して実質的に透明であるＣｄＺｎＴ
ｅのような材料を含む。効率改善のために、反射防止被
膜を基板２の底部表面に使用することができる。適切な
逆バイアス電圧が中間層インジウムバンプ７´とＭＷＩ
Ｒ層インジウムバンプ６´とＬＷＩＲ層インジウムバン
プ８´の間に加えられ，ＩＲにより生じた光電流を読出
し、さらに続いて読出し集積回路（図示されていない）
により処理することを可能にする。
表面２ａに入射する。基板２はこのように関連する波
長、またはこの場合にはＭＷＩＲおよびＬＷＩＲ，を有
するＩＲ放射線に対して実質的に透明であるＣｄＺｎＴ
ｅのような材料を含む。効率改善のために、反射防止被
膜を基板２の底部表面に使用することができる。適切な
逆バイアス電圧が中間層インジウムバンプ７´とＭＷＩ
Ｒ層インジウムバンプ６´とＬＷＩＲ層インジウムバン
プ８´の間に加えられ，ＩＲにより生じた光電流を読出
し、さらに続いて読出し集積回路（図示されていない）
により処理することを可能にする。
【００２８】検出器１において、メサ７およびインジウ
ムバンプ７´の存在が複雑性と必要とする寸法の双方を
増加させることを認識することができる。このように、
検出器のアレイを製造する場合、個々の検出器（画素）
の最小寸法は、３つのメサおよび３つのインジウムバン
プを収容するのに必要とする寸法を超えて低減すること
ができない。
ムバンプ７´の存在が複雑性と必要とする寸法の双方を
増加させることを認識することができる。このように、
検出器のアレイを製造する場合、個々の検出器（画素）
の最小寸法は、３つのメサおよび３つのインジウムバン
プを収容するのに必要とする寸法を超えて低減すること
ができない。
【００２９】本願発明は、このようにこの課題に取組み
そして解決するものであり、ＩＲ感応２色検出器アレイ
の各検出器または画素の構成要素の複雑性と最小寸法の
双方の低減を可能とするものである。
そして解決するものであり、ＩＲ感応２色検出器アレイ
の各検出器または画素の構成要素の複雑性と最小寸法の
双方の低減を可能とするものである。
【００３０】
【発明の実施の形態】以下、図３および図４を参照し
て、本願発明に係わる２色ＩＲ感応放射線検出器アレイ
の第１の実施例について説明する。検出器アレイは、複
数の光検出器部分を含み、各光検出器部分は、例えば５
０マイクロメータ間隔で位置する放射線検出器または画
素１０を含む。図３から明らかなように、図４の断面図
は、放射線検出器の画素１０の１つを対角線状に横切る
ものである。
て、本願発明に係わる２色ＩＲ感応放射線検出器アレイ
の第１の実施例について説明する。検出器アレイは、複
数の光検出器部分を含み、各光検出器部分は、例えば５
０マイクロメータ間隔で位置する放射線検出器または画
素１０を含む。図３から明らかなように、図４の断面図
は、放射線検出器の画素１０の１つを対角線状に横切る
ものである。
【００３１】検出器１０は透明基板１２、例えばＣｄＺ
ｎＴｅ基板、の上に形成される。基板１２の表面上に、
ｎ形ＭＷＩＲ感応放射線吸収層１４が形成される。層１
４はおよそ１１マイクロメータの厚さを有し、例えば、
約３×１０15ａｔｏｍｓ／ｃｍ3 の濃度でインジウムに
よりｎ形にドープされる。第１の層１４の上にｐ形の第
２の層１６が形成される。層１６はおよそ３．５マイク
ロメータの厚さを有し、例えば、１０16ａｔｏｍｓ／ｃ
ｍ3 より大きいの濃度で砒素によりｐ形にドープされ
る。第２の層１６上にｎ形ＬＷＩＲ感応放射線吸収層１
８が形成される。層１８はおよそ８．５マイクロメータ
の厚さを有し、例えば、約３×１０15ａｔｏｍｓ／ｃｍ
3 の濃度でインジウムによりｎ形にドープされる。
ｎＴｅ基板、の上に形成される。基板１２の表面上に、
ｎ形ＭＷＩＲ感応放射線吸収層１４が形成される。層１
４はおよそ１１マイクロメータの厚さを有し、例えば、
約３×１０15ａｔｏｍｓ／ｃｍ3 の濃度でインジウムに
よりｎ形にドープされる。第１の層１４の上にｐ形の第
２の層１６が形成される。層１６はおよそ３．５マイク
ロメータの厚さを有し、例えば、１０16ａｔｏｍｓ／ｃ
ｍ3 より大きいの濃度で砒素によりｐ形にドープされ
る。第２の層１６上にｎ形ＬＷＩＲ感応放射線吸収層１
８が形成される。層１８はおよそ８．５マイクロメータ
の厚さを有し、例えば、約３×１０15ａｔｏｍｓ／ｃｍ
3 の濃度でインジウムによりｎ形にドープされる。
【００３２】上記層の厚さ、ドープ材の種類、ドープ材
の濃度は例示であり、本願発明の教示する内容を実施す
る上でその条件を限定するものであると解釈されるもの
ではないことを指摘しておく。
の濃度は例示であり、本願発明の教示する内容を実施す
る上でその条件を限定するものであると解釈されるもの
ではないことを指摘しておく。
【００３３】図３および図４の実施例において、層１
４、１６、および１８は、複数のメサ構造を形成するた
めに対角線状に配置された溝により区分され、ここで、
単一の光検出器は、１つのメサ構造（図５）、または２
つのメサ構造１０ａおよび１０ｂのような、２つのメサ
構造（図３および図４）を含む。メサ構造１０ａは頂部
表面および下方へ傾斜し基板１２内およびＭＷＩＲ層１
４中で終わる側壁を有する。メサ構造１０ｂもまた頂部
表面および下方へ傾斜し基板１２内およびＭＷＩＲ層１
４中で終わる側壁を有する。メサ構造１０ｂの１つの側
壁は、ｐ形層１６の高さにおいて、好ましくは段部１０
ｂ´を有するように形成される。段部１０ｂ´は以下に
記載するように、共通のｐ層１６への接続を容易にす
る。メサ構造１０ａおよび１０ｂの表面には、電気絶縁
性誘電体層の、好ましくはＣｄＴｅ層のような広バンド
ギャップの、パッシベーション層２０が配置される。パ
ッシベーション層２０は表面準位を有効に低減し、検出
器１０の信号とノイズの比を改善する。ＣｄＴｅを用い
た場合のパッシベーション層２０の適切な厚さはおよそ
５０００オングストロームである。
４、１６、および１８は、複数のメサ構造を形成するた
めに対角線状に配置された溝により区分され、ここで、
単一の光検出器は、１つのメサ構造（図５）、または２
つのメサ構造１０ａおよび１０ｂのような、２つのメサ
構造（図３および図４）を含む。メサ構造１０ａは頂部
表面および下方へ傾斜し基板１２内およびＭＷＩＲ層１
４中で終わる側壁を有する。メサ構造１０ｂもまた頂部
表面および下方へ傾斜し基板１２内およびＭＷＩＲ層１
４中で終わる側壁を有する。メサ構造１０ｂの１つの側
壁は、ｐ形層１６の高さにおいて、好ましくは段部１０
ｂ´を有するように形成される。段部１０ｂ´は以下に
記載するように、共通のｐ層１６への接続を容易にす
る。メサ構造１０ａおよび１０ｂの表面には、電気絶縁
性誘電体層の、好ましくはＣｄＴｅ層のような広バンド
ギャップの、パッシベーション層２０が配置される。パ
ッシベーション層２０は表面準位を有効に低減し、検出
器１０の信号とノイズの比を改善する。ＣｄＴｅを用い
た場合のパッシベーション層２０の適切な厚さはおよそ
５０００オングストロームである。
【００３４】第１のコンタクト電極２２は、コンタクト
領域２２ａにおいてＭＷＩＲ層１４に、および第１のバ
ンプ２４に電気的に接続される。バンプ２４は、適切な
他の金属または合金を使用することもできるが、好まし
いのはインジウムバンプである。第２のコンタクト２６
がＬＷＩＲ層１８に、および第２のバンプ２８、好まし
くはインジウムバンプ、に電気的に接続される。インジ
ウムバンプ２４および２８は、その後アレイが結合され
る読出し集積回路と共にハイブリッド化されることを可
能とし、読出し集積回路の表面上の対応するインジウム
バンプに低温融着される。放射線検出器を読出し集積回
路にハイブリッド化する技術は、技術として既知のもの
である。
領域２２ａにおいてＭＷＩＲ層１４に、および第１のバ
ンプ２４に電気的に接続される。バンプ２４は、適切な
他の金属または合金を使用することもできるが、好まし
いのはインジウムバンプである。第２のコンタクト２６
がＬＷＩＲ層１８に、および第２のバンプ２８、好まし
くはインジウムバンプ、に電気的に接続される。インジ
ウムバンプ２４および２８は、その後アレイが結合され
る読出し集積回路と共にハイブリッド化されることを可
能とし、読出し集積回路の表面上の対応するインジウム
バンプに低温融着される。放射線検出器を読出し集積回
路にハイブリッド化する技術は、技術として既知のもの
である。
【００３５】本願発明に従って、第３の電気コンタクト
３０はメサ側壁の段部１０ｂ´上でｐ形層１６に電気的
に結合され、検出器１０の全てのアレイを通して配線さ
れる共通バス３２に導電性を有しながら接続される。中
間層の有する顕著な効果としては、側壁コンタクト３０
は分離して準備されるメサおよびインジウムバンプと比
較し十分に小さい面積を必要とするにすぎないことであ
る（例えば、図２のメサ７に注目されたい）。バス３２
は、光蝕刻法により規定されそしてスパッタされたアル
ミニウムの層を含むことができ、そして検出器１０のア
レイを通して配置される金属格子の通常の形態を有する
ものである。外部の読出し集積回路（図示されていな
い）に接続するために、金属格子またはバス３２は、ア
レイの周辺領域にインジウムバンプ（図示されていな
い）を有するようにして準備される。図３および図４の
検出器１０に関する典型的な寸法は下記の通りである。
メサ１０ａの頂部表面は１２×１６マイクロメータであ
り、そしてインジウムバンプ２４の基部は１０×８マイ
クロメータである。ＭＷＩＲコンタクト金属２２は８×
１６マイクロメータであり、コンタクト部分２２ａは１
０×１８マイクロメータである。メサ１０ｂの頂部表面
は１６×１６マイクロメータであり、そしてインジウム
バンプ２８の基部は１２×１２マイクロメータである。
ＬＷＩＲコンタクト金属２６は８×８マイクロメータで
ある。中間層コンタクト３０のためにパッシベーション
層２０を貫通して形成されたエッチング開口部は３×２
５マイクロメータであり、共通バス３２の幅は５マイク
ロメータである。
３０はメサ側壁の段部１０ｂ´上でｐ形層１６に電気的
に結合され、検出器１０の全てのアレイを通して配線さ
れる共通バス３２に導電性を有しながら接続される。中
間層の有する顕著な効果としては、側壁コンタクト３０
は分離して準備されるメサおよびインジウムバンプと比
較し十分に小さい面積を必要とするにすぎないことであ
る（例えば、図２のメサ７に注目されたい）。バス３２
は、光蝕刻法により規定されそしてスパッタされたアル
ミニウムの層を含むことができ、そして検出器１０のア
レイを通して配置される金属格子の通常の形態を有する
ものである。外部の読出し集積回路（図示されていな
い）に接続するために、金属格子またはバス３２は、ア
レイの周辺領域にインジウムバンプ（図示されていな
い）を有するようにして準備される。図３および図４の
検出器１０に関する典型的な寸法は下記の通りである。
メサ１０ａの頂部表面は１２×１６マイクロメータであ
り、そしてインジウムバンプ２４の基部は１０×８マイ
クロメータである。ＭＷＩＲコンタクト金属２２は８×
１６マイクロメータであり、コンタクト部分２２ａは１
０×１８マイクロメータである。メサ１０ｂの頂部表面
は１６×１６マイクロメータであり、そしてインジウム
バンプ２８の基部は１２×１２マイクロメータである。
ＬＷＩＲコンタクト金属２６は８×８マイクロメータで
ある。中間層コンタクト３０のためにパッシベーション
層２０を貫通して形成されたエッチング開口部は３×２
５マイクロメータであり、共通バス３２の幅は５マイク
ロメータである。
【００３６】図５は検出器１０´に係わる第２の実施例
の断面を図示し、ここでは、インジウムバンプ２４およ
び２８を支持するために単一のメサ１１が採用されてい
る。この場合メサ１１は、ＭＷＩＲへのコンタクト２２
ａを提供するための第１の側壁段部１１ａと、ｐ形層１
６への共通コンタクト３０を提供するための第２の側壁
段部１１ｂを有する。
の断面を図示し、ここでは、インジウムバンプ２４およ
び２８を支持するために単一のメサ１１が採用されてい
る。この場合メサ１１は、ＭＷＩＲへのコンタクト２２
ａを提供するための第１の側壁段部１１ａと、ｐ形層１
６への共通コンタクト３０を提供するための第２の側壁
段部１１ｂを有する。
【００３７】図５はまた、少なくともＬＷＩＲ吸収層１
８への入射ＩＲ放射線の焦点を結ぶかまたは集中させる
ためのマイクロレンズ３４の使用を図示する。好ましく
は、マイクロレンズ３４は、またある程度層１４へのＭ
ＷＩＲ放射線の焦点を結ぶように準備される。マイクロ
レンズ３４は、バイナリ回折形のものを用いることがで
き、基板１２の放射線受入れ面１２ａ内またはその上に
形成することが可能であり、または、放射線受入れ面１
２ａに続いて配置される分離した透明基板内またはその
上に形成することができる。マイクロレンズ３４はまた
図３および図４の検出器１０と共に使用することができ
る。かかるマイクロレンズを設計し製造する技術はこの
技術分野においては既知である。例えば、Ｓｃｉｅｎｔ
ｉｆｉｃＡｍｅｒｉｃａｎ ５／９２ ９２頁〜９７頁
のＷ．Ｂ．Ｖｅｌｄｋａｍｐ他による「バイナリ光学」
と題された文献、および１９８７年１１月１０日付けで
Ｓｐａｃｅ Ｄｉｖｉｓｉｏｎ，Ａｉｒ Ｆｏｒｃｅ
Ｓｙｓｔｅｍｓ Ｃｏｍａｎｄに提出されたＷ．Ａ．Ｇ
ａｒｂｅｒ他による「モザイクアレイの占有効率を増加
するための光学技術」報告番号ＳＤ−ＴＲ−８７−５４
（ＡＤ−Ａ１８８ ７０５）を参照することができ
る。反射防止被膜１２ｂと組合わせたマイクロレンズ３
４を使用することで、入射ＭＷＩＲおよびＬＷＩＲ放射
線の大部分を検出可能な信号電荷に変換することを可能
にする。
８への入射ＩＲ放射線の焦点を結ぶかまたは集中させる
ためのマイクロレンズ３４の使用を図示する。好ましく
は、マイクロレンズ３４は、またある程度層１４へのＭ
ＷＩＲ放射線の焦点を結ぶように準備される。マイクロ
レンズ３４は、バイナリ回折形のものを用いることがで
き、基板１２の放射線受入れ面１２ａ内またはその上に
形成することが可能であり、または、放射線受入れ面１
２ａに続いて配置される分離した透明基板内またはその
上に形成することができる。マイクロレンズ３４はまた
図３および図４の検出器１０と共に使用することができ
る。かかるマイクロレンズを設計し製造する技術はこの
技術分野においては既知である。例えば、Ｓｃｉｅｎｔ
ｉｆｉｃＡｍｅｒｉｃａｎ ５／９２ ９２頁〜９７頁
のＷ．Ｂ．Ｖｅｌｄｋａｍｐ他による「バイナリ光学」
と題された文献、および１９８７年１１月１０日付けで
Ｓｐａｃｅ Ｄｉｖｉｓｉｏｎ，Ａｉｒ Ｆｏｒｃｅ
Ｓｙｓｔｅｍｓ Ｃｏｍａｎｄに提出されたＷ．Ａ．Ｇ
ａｒｂｅｒ他による「モザイクアレイの占有効率を増加
するための光学技術」報告番号ＳＤ−ＴＲ−８７−５４
（ＡＤ−Ａ１８８ ７０５）を参照することができ
る。反射防止被膜１２ｂと組合わせたマイクロレンズ３
４を使用することで、入射ＭＷＩＲおよびＬＷＩＲ放射
線の大部分を検出可能な信号電荷に変換することを可能
にする。
【００３８】動作上、第１のｐ−ｎ光ダイオード（層１
６および１８）を含むＬＷＩＲ光検出器、および第２の
ｐ−ｎ光ダイオード（層１６および１４）を含むＭＷＩ
Ｒ光検出器は、ＬＷＩＲおよびＭＷＩＲによる光誘起荷
電キャリアを読出す場合、同時に動作するのが好まし
い。このことは、組合わされた読出し集積回路を用いて
ｐ−ｎ接合に選択的に逆バイアス電圧を加え、電荷信号
を読出することにより行われる。もしその動作モードが
望まれる場合には、電荷信号は同時にではなく逐次的に
も読出し得ることに留意されたい。
６および１８）を含むＬＷＩＲ光検出器、および第２の
ｐ−ｎ光ダイオード（層１６および１４）を含むＭＷＩ
Ｒ光検出器は、ＬＷＩＲおよびＭＷＩＲによる光誘起荷
電キャリアを読出す場合、同時に動作するのが好まし
い。このことは、組合わされた読出し集積回路を用いて
ｐ−ｎ接合に選択的に逆バイアス電圧を加え、電荷信号
を読出することにより行われる。もしその動作モードが
望まれる場合には、電荷信号は同時にではなく逐次的に
も読出し得ることに留意されたい。
【００３９】図６に見られるように、検出器１０のアレ
イは共通のアノード（ｐ形共通層）を有する背中合わせ
の光ダイオードのアレイとして電気的に見ることがで
き、ここで全てのアノードは共通の金属格子またはバス
３２により電気的に互いに共通の母線とされ、ここでカ
ソードは全てインジウムバンプ２４および２８を通して
読出し集積回路に分離して接続される。
イは共通のアノード（ｐ形共通層）を有する背中合わせ
の光ダイオードのアレイとして電気的に見ることがで
き、ここで全てのアノードは共通の金属格子またはバス
３２により電気的に互いに共通の母線とされ、ここでカ
ソードは全てインジウムバンプ２４および２８を通して
読出し集積回路に分離して接続される。
【００４０】図３〜図５の検出器の動作に関して可能性
のある問題点は、共通の中間層金属格子またはバス３２
が、ダイオードメサの端部を通して流れるダイオードゲ
ート効果によりＭＷＩＲ接合の特性を低下させることで
ある。この効果はＳｉＯ2 のような誘電性物質により著
しくなる。それはそれとして、広バンドギャプ半導体パ
ッシベーション材料（例えば、ＣｄＴｅ）はパッシベー
ション層２０として適切である。パッシベーション層２
０を通してのゲート効果および／または電気的漏洩を平
衡化しさらに阻止するためには、パッシベーション層２
０の表面と金属格子３２間にＳｉＯ2 のような誘電体材
料の電気的絶縁層３６を使用するのが適切である。
のある問題点は、共通の中間層金属格子またはバス３２
が、ダイオードメサの端部を通して流れるダイオードゲ
ート効果によりＭＷＩＲ接合の特性を低下させることで
ある。この効果はＳｉＯ2 のような誘電性物質により著
しくなる。それはそれとして、広バンドギャプ半導体パ
ッシベーション材料（例えば、ＣｄＴｅ）はパッシベー
ション層２０として適切である。パッシベーション層２
０を通してのゲート効果および／または電気的漏洩を平
衡化しさらに阻止するためには、パッシベーション層２
０の表面と金属格子３２間にＳｉＯ2 のような誘電体材
料の電気的絶縁層３６を使用するのが適切である。
【００４１】ＭＷＩＲ−ＬＷＩＲ放射線感応装置の場合
について記載したが、検出器１０はＳＷＩＲ−ＭＷＩ
Ｒ，ＳＷＩＲ−ＬＷＩＲ，またはＭＷＩＲ−ＶＬＷＩＲ
のような他の波長帯域の組合わせに感応するように構成
するようにして実現化することができる。これら替わり
の実施例における放射線吸収層の配列は、入射放射線が
最初により広いバンドギャップの半導体材料に当たるよ
うにすることである。そのうえ、これら選択可能な実施
例において、基板１２の材料は関連する波長帯域に対し
て実質的に透明であるように選択される。また、基板１
２はII-VI 族材料（ＣｄＺｎＴｅ）以外の材料を含むこ
とができる。例えば、基板１２はＳｉのようなIV族材
料、またはＧａＡｓのようなIII-V 族材料を含むことが
できる。また、少なくとも１つのメサ構造内に、図４お
よび５に示されるｎ−ｐ−ｎ層装置とは反対に、ｐ−ｎ
−ｐ層装置を利用することも本願発明の範囲に含まれ
る。この場合、図６の概略図は、金属格子またはバス３
２に共通に接続されたカソードを有し、それらのアノー
ドはインジウムバンプ２４および２８を通して分離して
接続されているような背中合わせの光ダイオードを示す
ものに一致するように描かれるであろう。
について記載したが、検出器１０はＳＷＩＲ−ＭＷＩ
Ｒ，ＳＷＩＲ−ＬＷＩＲ，またはＭＷＩＲ−ＶＬＷＩＲ
のような他の波長帯域の組合わせに感応するように構成
するようにして実現化することができる。これら替わり
の実施例における放射線吸収層の配列は、入射放射線が
最初により広いバンドギャップの半導体材料に当たるよ
うにすることである。そのうえ、これら選択可能な実施
例において、基板１２の材料は関連する波長帯域に対し
て実質的に透明であるように選択される。また、基板１
２はII-VI 族材料（ＣｄＺｎＴｅ）以外の材料を含むこ
とができる。例えば、基板１２はＳｉのようなIV族材
料、またはＧａＡｓのようなIII-V 族材料を含むことが
できる。また、少なくとも１つのメサ構造内に、図４お
よび５に示されるｎ−ｐ−ｎ層装置とは反対に、ｐ−ｎ
−ｐ層装置を利用することも本願発明の範囲に含まれ
る。この場合、図６の概略図は、金属格子またはバス３
２に共通に接続されたカソードを有し、それらのアノー
ドはインジウムバンプ２４および２８を通して分離して
接続されているような背中合わせの光ダイオードを示す
ものに一致するように描かれるであろう。
【００４２】さらに、種々の種類の材料、寸法、厚さは
例示であり、この発明に係わる教示の実施に関する条件
を限定するものとして読むべきではないことを十分に認
識すべきである。
例示であり、この発明に係わる教示の実施に関する条件
を限定するものとして読むべきではないことを十分に認
識すべきである。
【００４３】このように、本願発明について実際に開示
し、そして、これらの好ましい実施例に関して記載した
が、ここで、本願発明の範囲および本質から離脱するこ
となしに、形状および細部の変更がなされ得ることは当
業者により理解されるであろう。
し、そして、これらの好ましい実施例に関して記載した
が、ここで、本願発明の範囲および本質から離脱するこ
となしに、形状および細部の変更がなされ得ることは当
業者により理解されるであろう。
【図１】比例して拡大したものではないが、従来技術の
二重帯域（２色）ＩＲ検出器の断面図である。
二重帯域（２色）ＩＲ検出器の断面図である。
【図２】比例して拡大したものではないが、３つのメ
サ、インジウムバンプ、および双方の検出器に共通の中
間層に接続するために配置された金属部を有する型の２
色ＩＲ検出器の断面図である
サ、インジウムバンプ、および双方の検出器に共通の中
間層に接続するために配置された金属部を有する型の２
色ＩＲ検出器の断面図である
【図３】本願発明の第１の実施例に相当する２色ＩＲ検
出器のアレイの一部の拡大された平面図である。
出器のアレイの一部の拡大された平面図である。
【図４】比例して拡大したものではないが、図３の切断
線４−４における２色ＩＲ検出器の断面図である。
線４−４における２色ＩＲ検出器の断面図である。
【図５】比例して拡大したものではないが、本願発明に
係わる２色ＩＲ検出器の第２の実施例の断面図である。
係わる２色ＩＲ検出器の第２の実施例の断面図である。
【図６】本願発明の技術に対応した光検出器のアレイに
ついて図示する概略回路図である。
ついて図示する概略回路図である。
１０ａ…メサ構造、１０ｂ…メサ構造、１４…第１の
層、 １６…第２の層、１８…第３の層、２２…第１の
層への電気コンタクト、２６…第３の層への電気コンタ
クト、３０…メサ構造の側壁における第２の層への電気
コンタクト
層、 １６…第２の層、１８…第３の層、２２…第１の
層への電気コンタクト、２６…第３の層への電気コンタ
クト、３０…メサ構造の側壁における第２の層への電気
コンタクト
フロントページの続き (72)発明者 ボニー・エー・バウムグラッツ アメリカ合衆国、カリフォルニア州 93117、ゴレタ、メアリーマウント・ウ ェイ 7070 (72)発明者 マイケル・レイ アメリカ合衆国、カリフォルニア州 93117、ゴレタ、ヒルビュー・ドライブ 227 (56)参考文献 特開 平４−170525（ＪＰ，Ａ) 特開 昭59−189685（ＪＰ，Ａ) 特開 昭62−109375（ＪＰ，Ａ) 特開 昭63−269580（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−43777（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−303972（ＪＰ，Ａ)
Claims (10)
- 【請求項１】 複数の放射線検出器を具備するアレイで
あって、前記放射線検出器のそれぞれは、 II-VI 族半導体材料を含む第１の層と、ここで、前記第
１の層は第１の形の電気電導性を有し、そして第１のス
ペクトル帯域内の放射線を吸収するように選択されたバ
ンドギャップを有し、 前記第１の層の上部に配置された第２の層と、ここで、
前記第２の層はII-VI族半導体材料を含み、また前記第
２の層は第１の形の電気電導性と反対の第２の形の電気
電導性を有し、 前記第２の層の上部に配置された第３の層と、ここで、
前記第３の層はII-VI族半導体材料を含み、また前記第
３の層は第１の形の電気電導性を有し、そして第２のス
ペクトル帯域内の放射線を吸収するように選択されたバ
ンドギャップを有し、 ここで、前記第１、第２、および第３の層は、前記第１
の層への第１の電気コンタクトおよび前記第３の層への
第２の電気コンタクトをその頂部表面で保持する少なく
とも１つのメサ構造内に包含され、前記少なくとも１つ
のメサ構造はさらにその側壁において前記第２の層への
電気コンタクトを保持し、前記側壁の電気コンタクトは
前記複数の放射線検出器のメサ構造の側壁の電気コンタ
クトに導電的に接続された電気電導性バスに接続されて
いることを特徴とするアレイ。 - 【請求項２】 前記第１の電気コンタクトは第１のイン
ジウムバンプを含み、前記第２の電気コンタクトは第２
のインジウムバンプを含む請求項１記載の放射線検出器
のアレイ。 - 【請求項３】 前記第１および第２のスペクトル帯域は
本質的にＳＷＩＲ，ＭＷＩＲ，ＬＷＩＲ，およびＶＬＷ
ＩＲからなるグループから選択される請求項１記載の放
射線検出器のアレイ。 - 【請求項４】 前記第１の層の面の下に配置された第１
の面を有する基板を含み、ここで前記基板は前記第１の
および第２のスペクトル帯域内の電磁放射線に対して実
質的に透明な材料から選択され、さらに前記基板の第２
の面に配置された反射防止被膜を含み、前記第２の面は
前記第１の面に対向する前記アレイに放射線が入射する
面である請求項１記載の放射線検出器のアレイ。 - 【請求項５】 前記第１の層の面の下に配置された第１
の面を有する基板を含み、前記基板は前記第１のおよび
第２のスペクトル帯域内の電磁放射線に対して実質的に
透明な材料から選択され、そして前記基板の第２の面に
隣接して配置されたレンズ手段を含み、前記第２の面は
前記第１の面に対向する前記アレイに放射線が入射する
面であり、前記レンズ手段は前記第１の層および第３の
層の少なくとも１つへ入射放射線の焦点を結ぶ請求項１
記載の放射線検出器のアレイ。 - 【請求項６】 前記少なくとも１つメサ構造の表面上に
配置された誘電体層を含む請求項１記載の放射線検出器
のアレイ。 - 【請求項７】 前記誘電体層は広バンドギャップ半導体
材料を含む請求項６記載の放射線検出器のアレイ。 - 【請求項８】 前記誘電体層と前記電気電導性バスの間
に挿入された高抵抗誘電体材料の層を含む請求項７記載
の放射線検出器のアレイ。 - 【請求項９】 光検出器装置のそれぞれの光検出器が少
なくとも２つのスペクトル帯域内の波長を有する電磁放
射線に感応する光検出器装置の製造方法であって、 基板を準備するステップと、 該基板の第１の面上にII-VI 族半導体材料を含む第１の
層を形成するステップと、ここで、第１の層は第１の形
の電気電導性を有し且つ第１のスペクトル帯域内の放射
線を吸収するように選択されたバンドギャップを有し、 該第１の層上に第２の層を形成するステップと、ここ
で、第２の層は電気電導性が第１の形と反対の第２の形
の電気電導性を有するII-VI 族半導体材料を含み、 該第２の層上に第３の層を形成するステップと、ここ
で、第３の層は第１の形の電気電導性を有し且つ第２の
スペクトル帯域内の放射線を吸収するように選択された
バンドギャップを有するII-VI 族半導体材料を含み、 複数のメサ構造を形成するように第３、第２、および第
１の層を通して複数の直交するように配置された溝を形
成するステップと、そして前記それぞれのメサ構造は頂
部表面と傾斜する側壁面を有し、ここで、アレイの所定
の光検出器装置は少なくとも１つのメサ構造を含み、 前記複数のメサ構造の露出面をパッシベーション層によ
りパッシベーションするステップと、 前記各光検出器装置の少なくとも１つのメサ構造につい
て、メサ構造の頂部面上の第１および第２の電気コンタ
クトをメサ構造内の第１および第３の層に電気的に接続
するように形成するステップと、第２の層にパッシベー
ション層を通して電気的に接続するためにメサ構造の側
壁に第３の電気コンタクトを形成するステップと、 光検出器装置の複数の第２の層を共通に互いに電気的に
結合するため、光検出器装置のそれぞれの第３の電気コ
ンタクトに電気的に接続するようにパッシベーション層
上に電気電導性バスを形成するステップとを有する光検
出器装置の製造方法。 - 【請求項１０】 前記基板は第１および第２のスペクト
ル帯域内の電磁放射線に対し実質的に透明な材料から選
択され、基板の第１の面に対向する第２の面に反射防止
被膜を形成するステップ含む請求項９記載の製造方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US08/486,491 US5581084A (en) | 1995-06-07 | 1995-06-07 | Simultaneous two color IR detector having common middle layer metallic contact |
| US486491 | 1995-06-07 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09107121A JPH09107121A (ja) | 1997-04-22 |
| JP2721146B2 true JP2721146B2 (ja) | 1998-03-04 |
Family
ID=23932096
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8144632A Expired - Fee Related JP2721146B2 (ja) | 1995-06-07 | 1996-06-06 | 共通の中間層金属コンタクトを有する２色赤外線同時検出器 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5581084A (ja) |
| EP (1) | EP0747962A3 (ja) |
| JP (1) | JP2721146B2 (ja) |
| IL (1) | IL118514A (ja) |
Families Citing this family (46)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3839487B2 (ja) * | 1995-11-15 | 2006-11-01 | ロッキード マーティン アイアール イメージング システムズ インク | デュアルバンドマルチレベルマイクロブリッジ検出器 |
| US5731621A (en) * | 1996-03-19 | 1998-03-24 | Santa Barbara Research Center | Three band and four band multispectral structures having two simultaneous signal outputs |
| US5721429A (en) * | 1996-07-23 | 1998-02-24 | Hughes Electronics | Self-focusing detector pixel structure having improved sensitivity |
| FR2756667B1 (fr) * | 1996-12-04 | 1999-02-19 | Thomson Csf | Detecteur d'ondes electromagnetiques bispectral |
| US5751005A (en) * | 1996-12-20 | 1998-05-12 | Raytheon Company | Low-crosstalk column differencing circuit architecture for integrated two-color focal plane arrays |
| DE19740612B4 (de) * | 1997-08-30 | 2005-10-13 | Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. | Anordnung von Bildsensorelementen |
| WO1999014938A1 (de) | 1997-09-12 | 1999-03-25 | Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. | Bildsensorelement und anordnung von bildsensorelementen |
| US6147349A (en) * | 1998-07-31 | 2000-11-14 | Raytheon Company | Method for fabricating a self-focusing detector pixel and an array fabricated in accordance with the method |
| US6465860B2 (en) * | 1998-09-01 | 2002-10-15 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Multi-wavelength semiconductor image sensor and method of manufacturing the same |
| DE10037103A1 (de) * | 2000-07-27 | 2002-02-14 | Aeg Infrarot Module Gmbh | Multispektrale Photodiode |
| US6657194B2 (en) * | 2001-04-13 | 2003-12-02 | Epir Technologies, Inc. | Multispectral monolithic infrared focal plane array detectors |
| US6885002B1 (en) | 2001-08-31 | 2005-04-26 | Raytheon Company | IRFPA ROIC with dual TDM reset integrators and sub-frame averaging functions per unit cell |
| US6566723B1 (en) * | 2002-01-10 | 2003-05-20 | Agilent Technologies, Inc. | Digital color image sensor with elevated two-color photo-detector and related circuitry |
| US6774348B2 (en) * | 2002-06-04 | 2004-08-10 | Honeywell International Inc. | Method and apparatus for monitoring the power of a multi-wavelength optical signal |
| DE10239506A1 (de) * | 2002-08-28 | 2004-03-18 | Infineon Technologies Ag | Sensoranordnung zum Erfassen einer Strahlung, Computertomograph mit dieser Sensoranordnung und zugehöriges Herstellungsverfahren |
| FR2855655B1 (fr) | 2003-05-26 | 2005-08-19 | Commissariat Energie Atomique | Detecteur de rayonnement infrarouge photovoltaique a grille conductrice independante et tridimensionnelle |
| FR2868602B1 (fr) * | 2004-04-05 | 2006-05-26 | Commissariat Energie Atomique | Circuit de detection photonique a structure mesa |
| EP1782475A1 (en) * | 2004-06-10 | 2007-05-09 | BAE Systems PLC | Two colour photon detector |
| CN100466302C (zh) * | 2004-10-26 | 2009-03-04 | 中国科学院上海技术物理研究所 | 碲镉汞红外双色焦平面探测器列阵芯片 |
| US8946739B2 (en) * | 2005-09-30 | 2015-02-03 | Lateral Research Limited Liability Company | Process to fabricate integrated MWIR emitter |
| US7629582B2 (en) * | 2006-10-24 | 2009-12-08 | Raytheon Company | Dual band imager with visible or SWIR detectors combined with uncooled LWIR detectors |
| US8093559B1 (en) * | 2008-12-02 | 2012-01-10 | Hrl Laboratories, Llc | Methods and apparatus for three-color infrared sensors |
| US8669588B2 (en) * | 2009-07-06 | 2014-03-11 | Raytheon Company | Epitaxially-grown position sensitive detector |
| US7977637B1 (en) | 2009-08-20 | 2011-07-12 | Hrl Laboratories, Llc | Honeycomb infrared detector |
| US7928389B1 (en) | 2009-08-20 | 2011-04-19 | Hrl Laboratories, Llc | Wide bandwidth infrared detector and imager |
| US8946839B1 (en) | 2009-08-20 | 2015-02-03 | Hrl Laboratories, Llc | Reduced volume infrared detector |
| CN101726364B (zh) * | 2009-11-18 | 2011-04-27 | 中国科学院上海技术物理研究所 | 红外焦平面列阵器件的内吸收率增强方法 |
| FR2965105B1 (fr) | 2010-09-16 | 2013-06-14 | Commissariat Energie Atomique | Detecteur bispectral multicouche a photodiodes |
| US8441087B2 (en) | 2011-07-22 | 2013-05-14 | Raytheon Company | Direct readout focal plane array |
| US10115764B2 (en) | 2011-08-15 | 2018-10-30 | Raytheon Company | Multi-band position sensitive imaging arrays |
| FR2982706A1 (fr) * | 2011-11-15 | 2013-05-17 | Soc Fr Detecteurs Infrarouges Sofradir | Dispositif de detection de deux couleurs differentes a conditions de fonctionnement ameliorees |
| FR2995726B1 (fr) * | 2012-09-17 | 2014-10-17 | Soc Fr Detecteurs Infrarouges Sofradir | Dispositif de detection de deux couleurs differentes a conditions de fonctionnement ameliorees |
| US9887309B2 (en) | 2012-12-13 | 2018-02-06 | The Board of Regents of the University of Okalahoma | Photovoltaic lead-salt semiconductor detectors |
| CN103187424B (zh) * | 2013-01-31 | 2015-07-29 | 中国科学院上海技术物理研究所 | 无源电路耦合的环孔型碲镉汞芯片 |
| US10903261B1 (en) | 2013-03-15 | 2021-01-26 | Hrl Laboratories, Llc | Triple output, dual-band detector |
| US9490292B1 (en) | 2013-03-15 | 2016-11-08 | Hrl Laboratories, Llc | Dual-band detector array |
| JP6123397B2 (ja) * | 2013-03-18 | 2017-05-10 | 富士通株式会社 | 撮像装置 |
| CN103681937B (zh) * | 2013-11-21 | 2015-11-25 | 中国科学院上海技术物理研究所 | 基于光子晶体限光效应的焦平面探测器结构的设计方法 |
| FR3042310B1 (fr) * | 2015-10-12 | 2018-10-12 | Commissariat A L'energie Atomique Et Aux Energies Alternatives | Fabrication d'une matrice de photodiodes multispectrale en cdhgte par diffusion de cadmium |
| US10020331B1 (en) | 2016-07-21 | 2018-07-10 | Hrl Laboratories, Llc | Dual-band lateral-effect position sensor |
| CN106384751A (zh) * | 2016-10-14 | 2017-02-08 | 中国电子科技集团公司第十研究所 | 一种硅基短/中波叠层双色碲镉汞材料及其制备方法 |
| JP6863093B2 (ja) | 2017-06-01 | 2021-04-21 | 住友電気工業株式会社 | 受光素子およびその製造方法 |
| CN109216485B (zh) * | 2017-06-29 | 2020-11-27 | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 | 红外探测器及其制备方法 |
| US12015093B2 (en) | 2019-02-01 | 2024-06-18 | The University Of Chicago | Multi-band infrared imaging using stacked colloidal quantum-dot photodiodes |
| US11282887B2 (en) * | 2019-04-11 | 2022-03-22 | Hrl Laboratories, Llc | Simultaneous dual-band image sensors |
| US11781914B2 (en) | 2021-03-04 | 2023-10-10 | Sivananthan Laboratories, Inc. | Computational radiation tolerance for high quality infrared focal plane arrays |
Family Cites Families (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS55101832A (en) * | 1979-01-30 | 1980-08-04 | Fujitsu Ltd | Infrared detector |
| US4224520A (en) * | 1979-07-13 | 1980-09-23 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy | Room temperature two color infrared detector |
| JPS5791557A (en) * | 1980-11-28 | 1982-06-07 | Fujitsu Ltd | Manufacture of infrared ray detector |
| US4753684A (en) * | 1986-10-31 | 1988-06-28 | The Standard Oil Company | Photovoltaic heterojunction structures |
| DE3710986A1 (de) * | 1987-04-01 | 1988-10-20 | Messerschmitt Boelkow Blohm | Lichtempfindliche detektorvorrichtung |
| US4885619A (en) * | 1987-08-24 | 1989-12-05 | Santa Barbara Research Center | HgCdTe MIS device having a CdTe heterojunction |
| US5113076A (en) * | 1989-12-19 | 1992-05-12 | Santa Barbara Research Center | Two terminal multi-band infrared radiation detector |
| US5149956A (en) * | 1991-06-12 | 1992-09-22 | Santa Barbara Research Center | Two-color radiation detector array and methods of fabricating same |
-
1995
- 1995-06-07 US US08/486,491 patent/US5581084A/en not_active Expired - Fee Related
-
1996
- 1996-05-31 IL IL11851496A patent/IL118514A/xx not_active IP Right Cessation
- 1996-06-05 EP EP96108999A patent/EP0747962A3/en not_active Withdrawn
- 1996-06-06 JP JP8144632A patent/JP2721146B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| IL118514A (en) | 1999-06-20 |
| JPH09107121A (ja) | 1997-04-22 |
| IL118514A0 (en) | 1996-09-12 |
| US5581084A (en) | 1996-12-03 |
| EP0747962A2 (en) | 1996-12-11 |
| EP0747962A3 (en) | 1997-06-04 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2721146B2 (ja) | 共通の中間層金属コンタクトを有する２色赤外線同時検出器 | |
| EP0797256B1 (en) | Three band and four band multispectral structures having two simultaneous signal outputs | |
| JP3124731B2 (ja) | ｐ＋／ｎ長波長赤外線およびｐ＋／ｎ中波長赤外線の二色同時検出器 | |
| US8044435B2 (en) | Sub-pixel nBn detector | |
| US5721429A (en) | Self-focusing detector pixel structure having improved sensitivity | |
| US5559336A (en) | Integrated LPE-grown structure for simultaneous detection of infrared radiation in two bands | |
| US8035184B1 (en) | Broadband imaging device | |
| EP0518243B1 (en) | Two-color radiation detector array and method of fabricating same | |
| US5567975A (en) | Group II-VI radiation detector for simultaneous visible and IR detection | |
| US6034407A (en) | Multi-spectral planar photodiode infrared radiation detector pixels | |
| US7608906B2 (en) | Simultaneous unipolar multispectral integrated technology (SUMIT) detectors | |
| US8691614B2 (en) | Direct readout focal plane array | |
| Rogalski | Heterostructure infrared photovoltaic detectors | |
| JPS63503266A (ja) | グレーデッドギャップ反転層フオトダイオードアレイ | |
| JP2012151452A (ja) | 裏面に設けられた金属テクスチャリングによって最適化された光検出器 | |
| US20140217540A1 (en) | Fully depleted diode passivation active passivation architecture | |
| US7115910B2 (en) | Multicolor photodiode array and method of manufacturing thereof | |
| AU2019205085B2 (en) | A dual band photodiode element and method of making the same | |
| Martin et al. | InGaAs/InP focal plane arrays for visible light imaging | |
| WO1996010843A1 (en) | Photosensitive semiconductor array |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |