JP2714826B2 - Magnetron sputtering equipment - Google Patents
Magnetron sputtering equipmentInfo
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Description
【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） この発明は、ターゲットのエロージョンの偏りを改善
したマグネトロンスパッタリング装置に関するものであ
る。Description: BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a magnetron sputtering apparatus with improved erosion of a target.
（従来の技術） 従来のマグネトロンスパッタリング装置は第４図に示
されている。同図において、真空槽１内には、基板２を
取付けたアノード電極３と、カソード電極と兼用になっ
た磁性体よりなるターゲット４とが一定の間隔をおいて
平行に配設されている。ターゲット４の裏面には、ヨー
ク５とコイル６とからなる電磁石７が設けられている。
電磁石７のヨーク５は、底部ヨーク5aと、この底部ヨー
ク5aの中央部より上方に突き出た中央ヨーク5bと、底部
ヨーク5aの周縁より上方に突き出し、中央ヨーク5bを所
定の間隔をおいて囲む周縁ヨーク5cとで一体的に形成さ
れている。そして、ヨーク５の中央ヨーク5bはターゲッ
ト４の裏面中央部に位置し、また、周縁ヨーク5cはター
ゲット４の裏面周縁部に位置している。コイル６は、中
央ヨーク5bの外周に設けられた中央コイル6aと、周縁ヨ
ーク5cの外周に設けられた周縁コイル6bとで構成されて
いる。第５図は電磁石７の斜視図を示しており、この図
からもわかるように、ヨーク５の中央ヨーク5bは、中央
部が長手方向に真っ直ぐ伸びた長手部5b1と、この長手
部5b1の長手方向の両側より半円柱状に突き出した半円
柱部5b2とで一体的に形成されている。また、ヨーク５
の周縁ヨーク5cは、中央ヨーク5bの長手部5b1を狭ん
で、これと平行に長手方向に真っ直ぐ伸びた２つの長手
周縁部5c1と、中央ヨーク5bの半円柱部5b2の半径r0の中
心軸を内径Ｒの内面の中心軸とした半円筒形を２つの長
手周縁部5c1の両端間に存在せしめた半円筒部5c2とで一
体的に形成され、中央ヨーク5bを所定の間隔をおいて囲
んでいる。(Prior Art) A conventional magnetron sputtering apparatus is shown in FIG. In FIG. 1, an anode electrode 3 on which a substrate 2 is mounted and a target 4 made of a magnetic material also serving as a cathode electrode are arranged in parallel in a vacuum chamber 1 at a predetermined interval. An electromagnet 7 including a yoke 5 and a coil 6 is provided on the back surface of the target 4.
The yoke 5 of the electromagnet 7 protrudes above the bottom yoke 5a, the center yoke 5b protruding above the center of the bottom yoke 5a, and the periphery of the bottom yoke 5a, and surrounds the center yoke 5b at a predetermined interval. It is formed integrally with the peripheral yoke 5c. The central yoke 5b of the yoke 5 is located at the center of the rear surface of the target 4, and the peripheral yoke 5c is located at the peripheral edge of the rear surface of the target 4. The coil 6 includes a central coil 6a provided on the outer periphery of the central yoke 5b and a peripheral coil 6b provided on the outer periphery of the peripheral yoke 5c. Figure 5 shows a perspective view of the electromagnet 7, as can be seen from this figure, the center yoke 5b of the yoke 5 includes a longitudinal portion 5b 1 of the central portion is straight longitudinally extending, the longitudinal portions 5b 1 It is integrally formed in the longitudinal direction of the semi-cylindrical portion 5b 2 projecting to the semicylindrical from both sides of the. Also, the yoke 5
The peripheral edge yoke 5c, the I narrow longitudinal portions 5b 1 of the central yoke 5b, 2 two the longitudinal periphery 5c 1 which straightly extends to and parallel to the longitudinal direction, the radius r 0 of the semi-cylindrical portion 5b 2 of the central yoke 5b the central axis is integrally formed with the semi-cylindrical portion 5c 2, which allowed to exist across the center axis and the the two semicylindrical longitudinal periphery 5c 1 of the inner surface of the inner diameter R, the center yoke 5b predetermined of Surrounded at intervals.
したがって、コイル６の中央コイル6aと、周縁コイル
6bとを励磁させると、ヨーク５の中央ヨーク5bと周縁ヨ
ーク5cとはそれぞれ磁極となり、中央ヨーク5bと周縁ヨ
ーク5cとの間で磁界が形成される。そのため、ヨーク５
の中央ヨーク5bの上端より出た磁束の多くは、磁性体よ
りなるターゲット４内を、その中央部より周縁部に向っ
て流れ、そして、ヨーク５の周縁ヨーク5c内に入るが、
磁束の一部はターゲット４の中央部より漏洩し、ターゲ
ット４の中央部と周縁部との間における表面近傍の空間
で湾曲した磁力線よりなる漏洩磁界を形成しながら、タ
ーゲット４の周縁部に入り、そして、ヨーク５の周縁ヨ
ーク5c内に入る。ヨーク５の周縁ヨーク5c内に入った磁
束は、その後、周縁ヨーク5cと底部ヨーク5aとを通って
中央ヨーク5bに至る。そして、磁束は再び上記のような
流れを繰り返す。Therefore, the center coil 6a of the coil 6 and the peripheral coil
When the center yoke 5b is excited, the central yoke 5b and the peripheral yoke 5c of the yoke 5 become magnetic poles, respectively, and a magnetic field is formed between the central yoke 5b and the peripheral yoke 5c. Therefore, the yoke 5
Most of the magnetic flux emitted from the upper end of the central yoke 5b flows through the target 4 made of a magnetic material toward the peripheral portion from the central portion thereof, and enters the peripheral yoke 5c of the yoke 5.
A part of the magnetic flux leaks from the central portion of the target 4 and enters the peripheral portion of the target 4 while forming a leakage magnetic field composed of curved magnetic force lines in a space near the surface between the central portion and the peripheral portion of the target 4. Then, it enters the peripheral yoke 5c of the yoke 5. The magnetic flux entering the peripheral yoke 5c of the yoke 5 then reaches the central yoke 5b through the peripheral yoke 5c and the bottom yoke 5a. Then, the magnetic flux repeats the above flow again.
このような装置において、真空槽１内を排気通路８よ
り真空排気した後、真空槽１内にArガス等のスパッタリ
ングガスをガス導入通路９より導入して、真空槽１内の
圧力を10-2Torrにし、そして、アノード電極３の電圧を
0V、カソード電極と兼用になった磁性体よりなるターゲ
ット４の電圧を−700Vにすると、アノード電極３とター
ゲット４との間の電界により、ターゲット４より電子が
放出され、その電子とスパッタリングガスとが衝突し、
スパッタリンクガスが励起又は電離して、プラズマが発
生するようになるが、電子は、アノード電極３とターゲ
ット４との間の電界と、ターゲット４の表面近傍の空間
で形成された漏洩磁界との作用により、ターゲット４の
表面近傍の空間をサイクロイド又はトロコイド軌跡を描
きながら運動するため、漏洩磁界の形成されたターゲッ
ト４の表面近傍の空間でのプラズマの密度が高くなる。
密度の高くなったプラズマ中のイオンは、その後、ター
ゲット４をスパッタリングし、エロージョンするように
なる。In such an apparatus, after the inside of the vacuum chamber 1 is evacuated from the exhaust passage 8, a sputtering gas such as Ar gas is introduced into the vacuum chamber 1 from the gas introduction passage 9, and the pressure in the vacuum chamber 1 is reduced to 10 −. 2 Torr and the voltage of the anode electrode 3
When the voltage of the target 4 made of a magnetic material also serving as a cathode electrode is set to −700 V, electrons are emitted from the target 4 due to an electric field between the anode electrode 3 and the target 4, and the electrons and the sputtering gas Collide,
When the sputter link gas is excited or ionized, plasma is generated, and electrons are generated between an electric field between the anode electrode 3 and the target 4 and a leakage magnetic field formed in a space near the surface of the target 4. By the action, the target 4 moves in a space near the surface of the target 4 while drawing a cycloid or trochoid trajectory, so that the density of plasma in the space near the surface of the target 4 where the leakage magnetic field is formed increases.
The ions in the plasma having the increased density then sputter the target 4 and become eroded.
ターゲット４のエロージョン領域10は第６図にハッチ
ングで示すように、ヨーク５の中央ヨーク5bと周縁ヨー
ク5cとの間におけるターゲット４の表面で生じ、真っ直
ぐな直線部10aと、半円形をした半円部10bとを組み合せ
てできたトラック形状をしている。As shown by hatching in FIG. 6, the erosion region 10 of the target 4 is formed on the surface of the target 4 between the center yoke 5b and the peripheral yoke 5c of the yoke 5, and includes a straight straight portion 10a and a semicircular half. It has a track shape formed by combining with the circular portion 10b.
なお、スパッタリングによりターゲット４から飛び出
し粒子はアノード電極３に取付けられた基板２に付着し
て、基板２の表面に薄膜を形成するようになる。Note that particles sputtered from the target 4 by sputtering adhere to the substrate 2 attached to the anode electrode 3 and form a thin film on the surface of the substrate 2.
（発明が解決しようとする課題） 従来のマグネトロンスパッタリング装置は、上記のよ
うに中央ヨーク5bと周縁ヨーク5cとの間におけるターゲ
ット４の表面近傍の空間に漏洩磁界を形成し、そこのプ
ラズマ密度を高めることによって、ターゲット４にトラ
ック形状をしたエロージョン領域10を作っているが、中
央ヨーク5bの半円柱部5b2と、周縁ヨーク5cの半円筒部5
c2との間におけるターゲット４の表面近傍の空間に形成
された漏洩磁界の磁束密度は、中央ヨーク5bの半円柱部
5b2より離れるにしたがって減少し、この減少に伴って
プラズマの密度も中央ヨーク5bの半円柱部5b2より離れ
るにしたがって減少するため、中央ヨーク5bの半円柱部
5b2と、周縁ヨーク5cの半円筒部5c2との間におけるター
ゲット４の表面のエロージョンは中央ヨーク5bの半円柱
部5b2よりで多く起こる。そのため、コイル６の周縁コ
イル6bに流す電流を変化させて、プラズマをエロージョ
ン領域10の全幅にわたって揺動させても、ターゲット４
の中央ヨーク5bの半円柱部5b2よりで穴が早くあき、タ
ーゲット４の利用効率を低下させる問題が発生した。(Problems to be Solved by the Invention) The conventional magnetron sputtering apparatus forms a leakage magnetic field in the space near the surface of the target 4 between the central yoke 5b and the peripheral yoke 5c as described above, and reduces the plasma density there. The erosion region 10 having a track shape is formed on the target 4 by increasing the height of the target 4. The semi-cylindrical portion 5b 2 of the central yoke 5b and the semi-cylindrical portion 5b of the peripheral yoke 5c are formed.
flux density of the leakage magnetic field formed in the space in the vicinity of the surface of the target 4 between the c 2, the semi-cylindrical portion of the center yoke 5b
Since decreased with increasing distance from 5b 2, decreases with the plasma density in accordance with this reduction also separated from the semi-cylindrical portion 5b 2 of the central yoke 5b, semicylindrical portion of the central yoke 5b
And 5b 2, erosion of the surface of the target 4 between the semi-cylindrical portion 5c 2 of the peripheral yokes 5c occurs much in than semicylindrical portion 5b 2 of the central yoke 5b. Therefore, even if the plasma is swung over the entire width of the erosion region 10 by changing the current flowing through the peripheral coil 6b of the coil 6, the target 4
Holes in than the half cylindrical portion 5b 2 of the central yoke 5b empty quickly the problem of lowering the utilization efficiency of the target 4 has occurred.
この発明は、上記のような従来の問題を解決して、タ
ーゲットの表面のエロージョンを偏らせず、ターゲット
の利用効率を向上させることのできるマグネトロンスパ
ッタリング装置を提供することを目的としている。SUMMARY OF THE INVENTION It is an object of the present invention to provide a magnetron sputtering apparatus which solves the above-mentioned conventional problems and can improve the utilization efficiency of the target without biasing the erosion of the surface of the target.
（課題を達成するための手段） 上記目的を達成するために、この発明は、上記のよう
な構成をしたマグネトロンスパッタリング装置におい
て、ターゲットのトラック形状のエロージョン領域の半
円部裏面における、第１の磁極に相当する中央ヨークと
第２の磁極に相当する周縁ヨークとの間に、中央ヨーク
から周縁ヨークに至るにしたがって厚みの薄くなる補償
磁性板を設けたことを特徴としている。(Means for Achieving the Object) In order to achieve the above object, the present invention provides a magnetron sputtering apparatus having the above-described configuration, in which a first track on a back surface of a semicircular portion of a track-shaped erosion region of a target is provided. A compensation magnetic plate is provided between the central yoke corresponding to the magnetic pole and the peripheral yoke corresponding to the second magnetic pole, the compensation magnetic plate being reduced in thickness from the central yoke to the peripheral yoke.
なお、この発明では、中央ヨークは両側に半円柱部を
もち、周縁ヨークは中央ヨークの半円柱部を囲む半円筒
部をもち、中央ヨークの半円柱部と周縁ヨークの半円筒
部との間のターゲットの裏面に補償磁性板を設け、中央
ヨークの半円柱部の半径の中心軸から距離ｒだけ離れた
点における、ターゲットの厚みに補償磁性板の厚みを加
えるた値が1/rに比例した値となることが好ましい。In the present invention, the central yoke has a semi-cylindrical portion on both sides, the peripheral yoke has a semi-cylindrical portion surrounding the semi-cylindrical portion of the central yoke, and is provided between the semi-cylindrical portion of the central yoke and the semi-cylindrical portion of the peripheral yoke. The compensation magnetic plate is provided on the back surface of the target, and the value obtained by adding the thickness of the compensation magnetic plate to the thickness of the target at the point separated by the distance r from the center axis of the radius of the semi-cylindrical portion of the central yoke is proportional to 1 / r. It is preferable that the value be as follows.
（作用） この発明においては、第１の磁極に相当する中央ヨー
クと第２の磁極に相当する周縁ヨークとの間に、中央ヨ
ークから周縁ヨークに至るにしたがって厚みの薄くなる
補償磁性板を設けているので、ターゲットのトラック形
状をしたエロージョン領域において、偏ったエロージョ
ンが起こらなくなる。(Operation) In the present invention, a compensating magnetic plate whose thickness decreases from the central yoke to the peripheral yoke is provided between the central yoke corresponding to the first magnetic pole and the peripheral yoke corresponding to the second magnetic pole. Therefore, uneven erosion does not occur in the erosion region having the target track shape.
（実施例） 以下、この発明の実施例について図面を参照しながら
説明する。(Example) Hereinafter, an example of the present invention will be described with reference to the drawings.
この発明の実施例の装置の全体は第４図に示される従
来の装置の全体と同様につき、この発明の実例の装置の
全体を示す図面は、第４図をもって援用し、また、この
発明の実施例の装置に用いられる電磁石も第５図に示さ
れる従来の電磁石と同様につき、この発明の実施例の装
置に用いられる電磁石の図面は第５図をもって援用す
る。そのため、この発明の実施例の装置の全体及び電磁
石については、説明を省略する。The whole device of the embodiment of the present invention is the same as the whole of the conventional device shown in FIG. 4, and the drawing showing the whole device of the embodiment of the present invention is incorporated by reference to FIG. The electromagnet used in the apparatus of the embodiment is the same as the conventional electromagnet shown in FIG. 5, and the drawing of the electromagnet used in the apparatus of the embodiment of the present invention is incorporated by reference to FIG. Therefore, the description of the entire apparatus and the electromagnet of the embodiment of the present invention will be omitted.
しかしながら、この発明の実施例は、従来のものと異
なり、第１図及び第２図に示すようにカソード電極と兼
用になった磁性体よりなるターゲット４の裏面には、第
１の磁極に相当する中央ヨーク5bの半円柱部5b2と第２
の磁極に相当する周縁ヨーク5cの半円筒部5c2との間
で、ターゲット４と同一の材料、又はこれと比透磁率の
近い磁性体よりなる補償磁性板11がハンダ、接着剤また
は充填材で貼着され、ヨーク5bの半円柱部5b2の半径r0
の中心軸より距離ｒだけ離れた点における、ターゲット
４の厚みと、補償磁性板11の厚みとを加えた値が1/rに
比例した値となっている。However, in the embodiment of the present invention, unlike the conventional one, as shown in FIGS. 1 and 2, the back surface of the target 4 made of a magnetic material also serving as the cathode electrode corresponds to the first magnetic pole. And the second semi-cylindrical portion 5b 2 of the central yoke 5b
Between the semi-cylindrical portion 5c 2 of the peripheral yokes 5c corresponding to magnetic poles of the target 4 of the same material, or compensation magnetic plate 11 is solder made of a magnetic material close to that of this and relative permeability, adhesive or filler And the radius r 0 of the semi-cylindrical portion 5b 2 of the yoke 5b
The value obtained by adding the thickness of the target 4 and the thickness of the compensating magnetic plate 11 at a point separated by a distance r from the center axis of the above is a value proportional to 1 / r.
そこで、第３図を参照しながら、ターゲット４内のみ
での磁束密度の状況を考察すると、第３図において、ヨ
ーク5bの半円柱部5b2の半径r0の中心軸からの距離r1で
の磁束密度をB1、距離r2での磁束密度をB2としたとき、
次式で示されるようになる。Therefore, with reference to FIG. 3, considering the situation of the magnetic flux density only in the target 4, in FIG. 3, at a distance r 1 from the center axis of the radius r 0 of the semi-cylindrical portion 5b 2 yokes 5b When the magnetic flux density at B 1 is B 1 and the magnetic flux density at distance r 2 is B 2 ,
It becomes as shown by the following formula.
次に、ターゲット４の裏面に補償磁性板11を貼着した
とき、第２図に示すようにヨーク5bの半円柱部5b2の半
径r0の中心軸より距離ｒだけ離れた点における、ターゲ
ット４の厚みと、補償磁性板11の厚みとを加えた値をｔ
とおけば、ｔはｔ∝1/rであるから、ターゲット４と補
償磁性板11とにおける磁束密度は、次式で示されるよう
になる。 Then, when the stuck compensation magnetic plate 11 on the back surface of the target 4, at a point at a distance r from the center axis of the radius r 0 of the semi-cylindrical portion 5b 2 yokes 5b as shown in FIG. 2, the target 4 and the thickness of the compensating magnetic plate 11 are added to t.
In this case, since t is tr1 / r, the magnetic flux density between the target 4 and the compensating magnetic plate 11 is expressed by the following equation.
この（４）式は、ターゲット４と補償磁性板11との双
方を通る磁束の密度は、半円柱部5b2の半径r0の中心軸
より距離ｒにかかわらず、一定であることを示してい
る。 The equation (4), the density of magnetic flux passing through both the target 4 and the compensation magnetic plate 11, regardless from the distance r central axis of the radius r 0 of the semi-cylindrical portion 5b 2, indicating that constant across I have.
したがって、中央ヨーク5bの半円柱部5b2と周縁ヨー
ク5cの半円筒部5c2との間におけるターゲット４の表面
近傍の空間に形成される漏洩磁界の磁束密度の分布は、
ターゲット４と補償磁性板11との双方における磁束密度
の分布と密接な関係があるため、従来と異なり、中央ヨ
ーク5bの半円柱部5b2より離れるにしたがって減少しな
くなる。そのため、ターゲット４のトラック形状をした
エロージョン領域10の半円部10bの中心部において、エ
ロージョンが生じるようになり、中央ヨーク5bの半円柱
部5b2側に偏ってエロージョンが起こらなくなる。Therefore, the distribution of the magnetic flux density of the leakage magnetic field formed in the space in the vicinity of the surface of the target 4 between the semi-cylindrical portion 5c 2 of the semi-cylindrical portion 5b 2 and a peripheral yokes 5c of the central yoke 5b is
Since there is a close relationship between the distribution of magnetic flux density at both the target 4 and the compensation magnetic plate 11, unlike the conventional, it will not decrease with distance from the semi-cylindrical portion 5b 2 of the central yoke 5b. Therefore, at the center of the semicircle portion 10b of the erosion region 10 in which the track shape of the target 4, is as erosion occurs, erosion does not occur biased to half cylindrical portion 5b 2 side of the center yoke 5b.
そのため、特に、コイル６の周縁コイル6bに流す電流
を変えて、プラズマをエロージョン領域10の全幅にわた
って揺動させれば、ターゲット４の利用効率が向上す
る。Therefore, in particular, if the plasma is oscillated over the entire width of the erosion region 10 by changing the current flowing through the peripheral coil 6b of the coil 6, the utilization efficiency of the target 4 is improved.
なお、上記実施例では電磁石７を用いているが、この
電磁石７の代りに、永久磁石を用いて、第１の磁極と第
２の磁極とを形成してもよい。また、第１の磁極と第２
の磁極とを、電磁石と永久磁石との組合せにしてもよ
い。更に、中央ヨーク5bは円柱をし、周縁ヨーク5cは円
筒をしたいてもよい。Although the electromagnet 7 is used in the above-described embodiment, the first magnetic pole and the second magnetic pole may be formed by using a permanent magnet instead of the electromagnet 7. Also, the first magnetic pole and the second magnetic pole
May be a combination of an electromagnet and a permanent magnet. Further, the central yoke 5b may be cylindrical, and the peripheral yoke 5c may be cylindrical.
（発明の効果） この発明は、上記のような構成をしているので、ター
ゲットの表面のエロージョンが片寄らず、ターゲットの
利用効率が向上する効果を奏するようになる。(Effect of the Invention) Since the present invention has the above-described configuration, the erosion of the surface of the target is not biased, and the effect of improving the use efficiency of the target is achieved.
第１図はこの発明の実施例の平面図、第２図は第１図の
Ａ−Ａ線より切断した断面図、第３図はターゲット内で
の磁束密度の状況を説明する説明図である。第４図は従
来の装置の全体を示す説明図、第５図は従来の装置に用
いられる電磁石の斜視図、第６図はターゲットの表面に
おけるトラック形状をしたエロージョン領域を示す平面
図である。 図中、 １……真空槽 ４……ターゲット ５……ヨーク 5a……底部ヨーク 5b……中央ヨーク 5b1……長手部 5b2……半円柱部 5c……周縁ヨーク 5c1……長手周縁部 5c2……半円筒部 ６……コイル ７……電磁石 10……エロージョン領域 10a……直線部 10b……半円部 11……補償磁性板FIG. 1 is a plan view of an embodiment of the present invention, FIG. 2 is a cross-sectional view taken along line AA of FIG. 1, and FIG. 3 is an explanatory diagram for explaining the state of magnetic flux density in a target. . FIG. 4 is an explanatory view showing the entire conventional apparatus, FIG. 5 is a perspective view of an electromagnet used in the conventional apparatus, and FIG. 6 is a plan view showing a track-shaped erosion area on the surface of a target. In the figure, 1 ...... vacuum tank 4 ...... target 5 ...... yoke 5a ...... bottom yoke 5b ...... central yoke 5b 1 ...... longitudinal section 5b 2 ...... semicylindrical portion 5c ...... peripheral yoke 5c 1 ...... longitudinal periphery Part 5c 2 … Semi-cylindrical part 6… Coil 7… Electromagnet 10… Erosion area 10a… Linear part 10b… Semi-circular part 11… Compensating magnetic plate
Claims (2)
部に第１の磁極を設けると共に、ターゲットの裏面周縁
部にも、所定の間隔をおいて第１の磁極を囲む第２の磁
極を設け、第１の磁極と第２の磁極との間で生じる磁束
の一部をターゲットの表面近傍の空間に漏洩させ、その
漏洩した磁束によってターゲットの表面近傍の空間のプ
ラズマの密度を高め、密度の高くなったプラズマ中のイ
オンで、第１の磁極と第２の磁極との間にあるターゲッ
トをスパッタリングし、そこにトラック形状のエロージ
ョン領域を形成するマグネトロンスパッタリング装置に
おいて、上記ターゲットのトラック形状のエロージョン
領域の半円部裏面における上記第１の磁極と上記第２の
磁極との間に、上記第１の磁極から上記第２の磁極に至
るにしたがって厚みの薄くなる補償磁性板を設けたこと
を特徴としたマグネトロンスパッタリング装置。A first magnetic pole is provided at a central portion of a back surface of a target disposed in a vacuum chamber, and a second magnetic pole surrounding the first magnetic pole at a predetermined interval also at a peripheral portion of the back surface of the target. And a part of the magnetic flux generated between the first magnetic pole and the second magnetic pole is leaked to the space near the surface of the target, and the leaked magnetic flux increases the density of plasma in the space near the surface of the target, In a magnetron sputtering apparatus which sputters a target between the first magnetic pole and the second magnetic pole with ions in the plasma having a high density and forms a track-shaped erosion region thereon, Between the first magnetic pole and the second magnetic pole on the back surface of the semicircular portion of the erosion area of the erosion region, the thickness increases from the first magnetic pole to the second magnetic pole. Magnetron sputtering apparatus, characterized in that a thinning compensating magnetic plate.
上記第２の磁極は上記第１の磁極の半円柱部を囲む半円
筒部をもち、上記第１の磁極の半円柱部と、上記第２の
磁極の半円筒部との間の上記ターゲットの裏面に補償磁
性板を設け、上記第１の磁極の半円柱部の半径の中心軸
から距離ｒだけ離れた点における、上記ターゲットの厚
みに上記補償磁性板の厚みを加えるた値が1/rに比例し
た値となることを特徴とする請求項１記載のマグネトロ
ンスパッタリング装置。2. The first magnetic pole has semi-cylindrical portions on both sides,
The second magnetic pole has a semi-cylindrical portion surrounding the semi-cylindrical portion of the first magnetic pole, and the target is located between the semi-cylindrical portion of the first magnetic pole and the semi-cylindrical portion of the second magnetic pole. A compensation magnetic plate is provided on the back surface, and the value obtained by adding the thickness of the compensation magnetic plate to the thickness of the target at the point separated by a distance r from the center axis of the radius of the semi-cylindrical portion of the first magnetic pole is 1 / r. 2. The magnetron sputtering apparatus according to claim 1, wherein the value is proportional to.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25912888A JP2714826B2 (en) | 1988-10-14 | 1988-10-14 | Magnetron sputtering equipment |
Applications Claiming Priority (1)
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|---|---|---|---|
| JP25912888A JP2714826B2 (en) | 1988-10-14 | 1988-10-14 | Magnetron sputtering equipment |
Publications (2)
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| JPH02107765A JPH02107765A (en) | 1990-04-19 |
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| JP25912888A Expired - Lifetime JP2714826B2 (en) | 1988-10-14 | 1988-10-14 | Magnetron sputtering equipment |
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| WO2021112089A1 (en) * | 2019-12-03 | 2021-06-10 | 日東電工株式会社 | Magnetron sputtering film forming device |
-
1988
- 1988-10-14 JP JP25912888A patent/JP2714826B2/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH02107765A (en) | 1990-04-19 |
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