JP2714069B2 - Liquid crystal display - Google Patents
Liquid crystal displayInfo
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- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
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- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/1335—Structural association of cells with optical devices, e.g. polarisers or reflectors
- G02F1/133509—Filters, e.g. light shielding masks
- G02F1/133512—Light shielding layers, e.g. black matrix
Landscapes
- Liquid Crystal (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 ［発明の目的］ （産業上の利用分野） この発明は透過型でアクティブマトリクス型の液晶表
示装置に関する。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Object of the Invention] (Industrial application field) The present invention relates to a transmission type and active matrix type liquid crystal display device.
（従来の技術） 近年、液晶を用いた表示素子は、テレビ表示やグラフ
ィックディスプレイ等を指向した大容量で高密度のアク
ティブマトリクス型表示素子の開発及び実用化が盛んで
ある。このような表示素子では、クロストークのない高
コントラストの表示が行えるように、各画素の駆動と制
御を行う手段として半導体スイッチが用いられる。その
半導体スイッチとしては、透過型表示が可能であり大面
積化も容易である等の理由から、透明絶縁基板上に形成
されたTFT等が、通常用いられている。(Related Art) In recent years, as a display element using liquid crystal, a large-capacity, high-density active matrix display element for television display, graphic display, and the like has been actively developed and put into practical use. In such a display element, a semiconductor switch is used as a means for driving and controlling each pixel so that high-contrast display without crosstalk can be performed. As the semiconductor switch, a TFT or the like formed on a transparent insulating substrate is generally used because a transmission type display is possible and a large area can be easily achieved.
第４図はTFTを備えた表示画素電極アレイを用いた液
晶表示装置の一画素を表す断面図である。同図におい
て、第１基板１上には、ゲート電極２、ゲート絶縁膜
３、アモルファスシリコン（ａ−Si）からなる半導体層
４、ドレイン電極５及びソース電極６から構成される薄
膜トランジスタ（Thin Film Transistor,TFT）７と、
このTFT7のソース電極６に接続された画素電極８とが形
成され、更に、TFT7と画素電極８を覆うように保護層９
が形成されている。また、第２基板10上には、所定の位
置に遮光層11が形成され、更に、この遮光層11を覆うよ
うに全面に対向電極12が形成されている。そして、第１
及び第２基板1,10の間隙には、液晶層13が挟持されて、
液晶表示素子14が構成されている。また、第２基板10の
後方にはバックライト15を設置し、表示は第１基板１側
から観察するものとする。ここで、遮光層11は、画素間
の境界にある無電極部分を覆う役目と、バックライト15
からの光或いは周囲の外光によってTFT7の特性、特にオ
フ特性が変わることを防ぐ役目を有している。FIG. 4 is a sectional view showing one pixel of a liquid crystal display device using a display pixel electrode array having a TFT. In FIG. 1, a thin film transistor (Thin Film Transistor) including a gate electrode 2, a gate insulating film 3, a semiconductor layer 4 made of amorphous silicon (a-Si), a drain electrode 5 and a source electrode 6 is provided on a first substrate 1. , TFT) 7,
A pixel electrode 8 connected to the source electrode 6 of the TFT 7 is formed, and a protective layer 9 is formed so as to cover the TFT 7 and the pixel electrode 8.
Are formed. A light-shielding layer 11 is formed at a predetermined position on the second substrate 10, and a counter electrode 12 is formed on the entire surface so as to cover the light-shielding layer 11. And the first
And a liquid crystal layer 13 is sandwiched between the second substrates 1 and 10,
The liquid crystal display element 14 is configured. Further, a backlight 15 is provided behind the second substrate 10, and the display is observed from the first substrate 1 side. Here, the light shielding layer 11 serves to cover the non-electrode portion at the boundary between the pixels, and
It has a function of preventing the characteristics of the TFT 7, especially the off characteristics, from being changed by light from the outside or ambient external light.
第５図は第４図と同じくTFTを備えた表示画素電極ア
レイを用いた液晶表示装置の一画素を表す断面図であ
り、第４図と対応する部分には同一の符号を付してあ
る。第５図においては、第１基板１の後方にバックライ
ト15を設置している点が第４図の場合と異なっている。FIG. 5 is a sectional view showing one pixel of a liquid crystal display device using a display pixel electrode array provided with a TFT similarly to FIG. 4, and portions corresponding to FIG. 4 are denoted by the same reference numerals. . FIG. 5 differs from the case of FIG. 4 in that a backlight 15 is provided behind the first substrate 1.
これらの液晶表示装置では、ゲート電極２に書き込み
パルスを与えることで、ドレイン電極５とソース電極６
の間が導通状態になってドレイン電極５の信号が画素電
極８に伝わり、画素電極８と対向電極12に挟持された液
晶層13の容量に信号が蓄積される。これにより、画素が
動作状態となり、画素に信号が書き込まれる。書き込み
パルスが立ち下がってから、次の書き込みパルスが与え
られるまでの間は、液晶層13は保持状態となり、液晶層
13の容量によって液晶表示素子の動作が保持される。こ
の際、ドレイン電極５とソース電極６の間は理想的には
非導通状態であるが、TFT7の半導体層４を構成するａ−
Siが光導電性を有するため、外光がTFT7の部分に入る
と、ドレイン電極５とソース電極６の間は完全な非導通
状態とはならず、画素電極８の電位は徐々にドレイン電
極５の電位に近づいていく。従って、保持状態にあると
きも絶えず信号電位の影響を受け、いわゆるクロストー
クと呼ばれる現象が表示コントラスト低下の一因となっ
たり、或いは、画面内で輝度むらを生じたりする。In these liquid crystal display devices, a write pulse is applied to the gate electrode 2 so that the drain electrode 5 and the source electrode 6
As a result, the signal of the drain electrode 5 is transmitted to the pixel electrode 8, and the signal is accumulated in the capacitance of the liquid crystal layer 13 sandwiched between the pixel electrode 8 and the counter electrode 12. Thus, the pixel is in an operation state, and a signal is written to the pixel. From the fall of the write pulse to the next write pulse being applied, the liquid crystal layer 13 is in the holding state,
The operation of the liquid crystal display element is held by the capacitance of thirteen. At this time, the conduction between the drain electrode 5 and the source electrode 6 is ideally non-conductive, but the a-
Since Si has photoconductivity, when external light enters the portion of the TFT 7, complete non-conduction between the drain electrode 5 and the source electrode 6 does not occur, and the potential of the pixel electrode 8 gradually decreases. Approaching the potential. Therefore, even in the holding state, the signal potential is constantly affected, and a phenomenon called so-called crosstalk causes a reduction in display contrast or causes uneven brightness in a screen.
そこで、外光がTFT7の部分に入るのを防ぐために、一
般的には第４図や第５図に示すような遮光層11を設けて
いる。この遮光層11の材料としては、大きく分けて染色
材料と金属膜の２つが考えられるが、染色材料は微細加
工性に欠けるという欠点を有しているため、金属膜が用
いられることが多い。Therefore, in order to prevent external light from entering the TFT 7, the light shielding layer 11 as shown in FIGS. 4 and 5 is generally provided. The light-shielding layer 11 can be roughly classified into two materials, a dye material and a metal film. However, since the dye material has a disadvantage of lacking fine workability, a metal film is often used.
（発明が解決しようとする課題） しかしながら、遮光層11の材料として金属膜を用いた
場合、第４図に示した配置では、表示観察面からの外光
が遮光層11によって反射され、その反射光がTFT7の半導
体層４に影響を与える。また、第５図に示した配置で
は、バックライト15からの光が遮光層11によって反射さ
れ、この反射光がTFT7の半導体層４に影響を与えたり、
或いは、周囲からの外光が表示面で反射して表示上で影
響を受けることがある。この場合、保持動作中にTFT7を
通過するリーク電流が大きくなり、画面の上下で輝度む
らが生じたり、クロストークを生じたり或いは画面のち
らつきの一因になっていた。(Problems to be Solved by the Invention) However, when a metal film is used as the material of the light-shielding layer 11, in the arrangement shown in FIG. 4, external light from the display observation surface is reflected by the light-shielding layer 11, and the reflection thereof Light affects the semiconductor layer 4 of the TFT 7. In the arrangement shown in FIG. 5, the light from the backlight 15 is reflected by the light-shielding layer 11, and the reflected light affects the semiconductor layer 4 of the TFT 7,
Alternatively, external light from the surroundings may be reflected on the display surface and affected on the display. In this case, the leakage current passing through the TFT 7 during the holding operation becomes large, causing uneven brightness at the top and bottom of the screen, causing crosstalk, and causing the screen to flicker.
この発明は、このような従来の事情に鑑みてなされた
ものである。The present invention has been made in view of such conventional circumstances.
［発明の構成］ （課題を解決するための手段） この発明は、一主面上に薄膜素子及びこれに接続され
る画素電極からなる一画素をマトリクス状に配置した第
１基板と、一主面上に対向電極及び画素電極に対応した
所定の開口部を有する遮光層が形成された第２基板と、
第１及び第２基板を互いの一主面側が対向するように組
み合わせて得られる間隙に挟持した液晶とを有する液晶
表示素子と、この液晶表示素子を照射する照明手段とを
備えた液晶表示装置についてのものであり、遮光層が金
属酸化膜／金属膜／金属酸化膜の三層構造を含み且つ最
上層及び最下層が反射防止膜としての上記金属酸化膜か
らなる。[Constitution of the Invention] (Means for Solving the Problems) The present invention relates to a first substrate in which one pixel including a thin film element and a pixel electrode connected thereto is arranged in a matrix on one main surface, A second substrate on which a light-shielding layer having a predetermined opening corresponding to the counter electrode and the pixel electrode is formed on a surface;
A liquid crystal display device comprising: a liquid crystal display element having a liquid crystal sandwiched in a gap obtained by combining the first and second substrates such that one main surface faces each other; and an illuminating unit for irradiating the liquid crystal display element. Wherein the light-shielding layer has a three-layer structure of metal oxide film / metal film / metal oxide film, and the uppermost layer and the lowermost layer are made of the above-mentioned metal oxide film as an antireflection film.
なお、反射防止膜としては、金属酸化膜以外の他の材
料も考えられるが、他の材料を用いた場合は液晶表示素
子の製造工程をある程度まで増加させることになり、実
用的ではない。It should be noted that other materials besides the metal oxide film can be used as the antireflection film. However, when another material is used, the number of manufacturing steps of the liquid crystal display element is increased to some extent, which is not practical.
（作用） 遮光層の構成を上述のように規定することにより、第
１及び第２基板のいずれを表示観察面とした場合にも、
遮光層に起因して発生する外部からの光の反射光を抑え
られ、表示品位及びスイッチング素子の正常な動作特性
を維持することができる。(Operation) By defining the configuration of the light-shielding layer as described above, even when any of the first and second substrates is used as the display observation surface,
The reflected light of external light generated due to the light shielding layer can be suppressed, and the display quality and the normal operation characteristics of the switching element can be maintained.
例えば、第３図は第４図或いは第５図における第２基
板10に相当する部分の拡大断面図であり、遮光層の構成
が第３図（ａ）では金属膜20、第３図（ｂ）では金属膜
20と金属酸化膜21を順次積層した形、第３図（ｃ）では
金属酸化膜21と金属膜20を順次積層した形としている。
そして、第４図或いは第５図における第１基板１側を表
示観察面とした場合には、第３図（ａ），（ｃ）では表
示側からの外光が遮光層で反射して薄膜素子に達する光
を抑えられない。また、第４図或いは第５図における第
２基板10側を表示観察面とした場合には、第３図
（ａ），（ｃ）ではバックライトからの光が遮光層で反
射して薄膜素子に達する光を抑えられず、且つ第３図
（ａ），（ｂ）では表示側からの外光が遮光層で反射し
て表示面での反射光になるのを防ぐことができない。For example, FIG. 3 is an enlarged cross-sectional view of a portion corresponding to the second substrate 10 in FIG. 4 or FIG. 5, and the structure of the light-shielding layer is the metal film 20 in FIG. In) metal film
FIG. 3 (c) shows a form in which the metal oxide film 21 and the metal film 20 are sequentially laminated.
When the first substrate 1 side in FIG. 4 or FIG. 5 is used as a display observation surface, in FIGS. 3 (a) and 3 (c), external light from the display side is reflected by a light shielding layer to form a thin film. The light reaching the element cannot be suppressed. When the second substrate 10 side in FIG. 4 or FIG. 5 is used as a display observation surface, in FIGS. 3 (a) and 3 (c), light from a backlight is reflected by a light-shielding layer, and 3 (a) and 3 (b), it is impossible to prevent external light from the display side from being reflected by the light shielding layer and becoming reflected light on the display surface.
（実施例） 以下、図面を参照してこの発明を詳細に説明する。Hereinafter, the present invention will be described in detail with reference to the drawings.
第１図はこの発明の一実施例を示す断面図であり、第
４図や第５図と対応する部分には同一の符号を付してあ
る。同図において、例えばガラスからなる第１基板１の
一主面上には、例えばCr膜をスパッタ法で被膜した後、
所定の形状にフォトエッチングすることによりゲート電
極２が形成され、更に、これを覆うように例えばSiOXか
らなるゲート絶縁膜３がプラズマCVD法により形成され
ている。そして、ゲート絶縁膜３上のゲート電極２に対
向する部分には、例えばｉ型の水素化アモルファスシリ
コン（ａ−Si:H）からなる半導体層４がプラズマCVD法
を利用して形成されている。そして、半導体層４のソー
ス領域側に隣接するゲート絶縁膜３上には、例えばITO
（インジウム・チン・オキサイド）膜をスパッタ法で被
膜した後、所定の形状にフォトエッチングすることによ
り画素電極８が設けられている。また、ソース領域には
ソース電極６の一端が接続され、ソース電極６の他端は
画素電極８上に延在して接続されている。更に、ドレイ
ン領域にはドレイン電極５の一端が接続されている。こ
こで、ドレイン電極５とソース電極６とは、例えばMo膜
とAl膜とをスパッタ法で順次被膜した後、所定の形状に
フォトエッチングするという同じ工程で形成している。
こうして第１基板１上に、所定の薄膜素子７即ちTFT
と、これに接続される画素電極８が得られる。ここで、
薄膜素子７とこれに接続される画素電極８により一画素
が構成されており、図示はしていないが、この一画素は
第１基板１上でマトリクス状に配置されている。そし
て、第１基板１の一主面上には、更に全面に例えばSiOX
からなる保護膜９が形成されている。FIG. 1 is a sectional view showing an embodiment of the present invention, and portions corresponding to FIG. 4 and FIG. 5 are denoted by the same reference numerals. In the figure, for example, a Cr film is formed on one main surface of a first substrate 1 made of glass by a sputtering method.
A gate electrode 2 is formed by photoetching into a predetermined shape, and a gate insulating film 3 made of, for example, SiO X is formed by a plasma CVD method so as to cover the gate electrode 2. A semiconductor layer 4 made of, for example, i-type hydrogenated amorphous silicon (a-Si: H) is formed on a portion of the gate insulating film 3 facing the gate electrode 2 by using a plasma CVD method. . Then, on the gate insulating film 3 adjacent to the source region side of the semiconductor layer 4, for example, ITO
The pixel electrode 8 is provided by coating a (indium tin oxide) film by a sputtering method and then performing photoetching into a predetermined shape. One end of the source electrode 6 is connected to the source region, and the other end of the source electrode 6 is connected to the pixel electrode 8 so as to extend therefrom. Further, one end of a drain electrode 5 is connected to the drain region. Here, the drain electrode 5 and the source electrode 6 are formed in the same process in which, for example, a Mo film and an Al film are sequentially coated by a sputtering method and then photo-etched into a predetermined shape.
Thus, a predetermined thin film element 7, that is, a TFT is formed on the first substrate 1.
And the pixel electrode 8 connected thereto is obtained. here,
One pixel is constituted by the thin film element 7 and the pixel electrode 8 connected thereto. Although not shown, the one pixel is arranged in a matrix on the first substrate 1. Then, on one main surface of the first substrate 1, for example, SiO X
Is formed.
一方、例えばガラスからなる第２基板10の一主面上に
は、例えばITOからなる対向電極12、及び画素電極８に
対応した所定の開口部を有するブラックマトリクスとし
ての遮光層11が順次形成されている。ここで、遮光層11
は例えば酸化クロムからなる金属酸化膜11a/例えばクロ
ムからなる金属膜11b/例えば酸化クロムからなる金属酸
化膜11cの三層構造を含んでおり、遮光層11内におい
て、金属酸化膜11aは第２基板10と対向する最下層、金
属酸化膜11cは対向電極12と対向する最上層に存在して
いる。そして、金属膜11bの膜厚が約1000オングストロ
ームであるのに対し、金属酸化膜11a,11cの膜厚は数十
オングストロームで、金属膜11bの膜厚に比べ無視でき
るほど薄い。また、遮光層11の形成工程は、まず、膜厚
数十オングストロームのクロム層を形成した後に陽極酸
化法等の方法で酸化処理を施し、更にこの上に、膜厚約
1000オングストロームのクロム層を形成して、この表面
から深さ数十オングストロームのクロム層を酸化させ、
次に、所定の形状にパターニングすればよい。そして、
第１及び第２基板1,10とは互いの一主面側が対向するよ
うに組み合わせられ、これにより得られる間隙には液晶
層13が挟持されている。こうして、所望のアクティブマ
トリクス型の液晶表示素子14が得られる。また、第１基
板１の後方には、例えば冷陰極放電管からなる照明手段
15が設置されており、第１基板１の他主面側から照明を
行う形になっている。On the other hand, on one main surface of the second substrate 10 made of, for example, glass, a counter electrode 12 made of, for example, ITO, and a light shielding layer 11 as a black matrix having predetermined openings corresponding to the pixel electrodes 8 are sequentially formed. ing. Here, the light shielding layer 11
Has a three-layer structure of a metal oxide film 11a made of, for example, chromium oxide / a metal film 11b made of, for example, chromium / a metal oxide film 11c made of, for example, chromium oxide. In the light shielding layer 11, the metal oxide film 11a The metal oxide film 11c, which is the lowermost layer facing the substrate 10, exists in the uppermost layer, which faces the counter electrode 12. The thickness of the metal film 11b is about 1000 angstroms, whereas the thickness of the metal oxide films 11a and 11c is several tens angstroms, which is negligibly small compared to the thickness of the metal film 11b. In the step of forming the light-shielding layer 11, first, after forming a chromium layer having a thickness of several tens of angstroms, an oxidizing treatment is performed by a method such as an anodic oxidation method.
Form a 1000 Å layer of chromium and oxidize a tens of Å layer of chrome from this surface,
Next, it may be patterned into a predetermined shape. And
The first and second substrates 1 and 10 are combined such that one main surface faces each other, and a liquid crystal layer 13 is sandwiched in a gap obtained thereby. Thus, a desired active matrix type liquid crystal display element 14 is obtained. Behind the first substrate 1, an illuminating means such as a cold cathode discharge tube is provided.
15 are provided, and illumination is performed from the other main surface side of the first substrate 1.
この実施例では、遮光層11における反射防止膜として
の金属酸化膜11cの働きにより、第１基板１を通過する
光が遮光層11で反射されて薄膜素子７に入射される割合
は、第３図（ａ）の場合の20％程度まで低減される。従
って、保持動作期間中の画素電極８の電位変動も、非常
に小さくすることができる。また、表示観察面となる第
２基板10側から入射した外光に対しては、反射防止膜と
しての金属酸化膜11aの存在により反射率は小さくな
り、コントラストの低下による表示の見ずらさは感じら
れない。In this embodiment, by the function of the metal oxide film 11c as an anti-reflection film in the light-shielding layer 11, the ratio of light passing through the first substrate 1 reflected by the light-shielding layer 11 and incident on the thin film element 7 is equal to the third. This is reduced to about 20% of the case of FIG. Therefore, the fluctuation in the potential of the pixel electrode 8 during the holding operation period can be extremely reduced. In addition, the external light incident from the second substrate 10 serving as a display observation surface has a low reflectance due to the presence of the metal oxide film 11a as an anti-reflection film, and the display is difficult to see due to a decrease in contrast. I can't.
第２図は遮光層11の構成をこの実施例と同様に三層構
造とした場合と第３図（ｃ）と同様に二層構造とした場
合における信号電圧（Ｖ）と透過率（％）の関係を示す
図である。第２図からわかるように、遮光層11の構成を
金属酸化膜11a/金属膜11b/金属酸化膜11cの三層構造と
することにより、第３図（ｃ）の二層構造の場合と比
べ、例えば透過率が50％となる信号電圧を100〜300mV低
くすることができる。これは、金属酸化膜11cが加わる
ことにより、液晶表示素子14の内部で遮光層11に反射さ
れる光が減少したためと考えられる。FIG. 2 shows the signal voltage (V) and the transmittance (%) when the light shielding layer 11 has a three-layer structure as in this embodiment and a two-layer structure as in FIG. 3 (c). FIG. As can be seen from FIG. 2, the light shielding layer 11 has a three-layer structure of the metal oxide film 11a / the metal film 11b / the metal oxide film 11c, which is different from the two-layer structure of FIG. 3 (c). For example, the signal voltage at which the transmittance becomes 50% can be lowered by 100 to 300 mV. This is presumably because the addition of the metal oxide film 11c reduced the light reflected by the light shielding layer 11 inside the liquid crystal display element 14.
なお、この実施例では、照明手段15を第１基板１側に
設けたが、これは第２基板10側に設置しても同様の効果
を有することは言うまでもない。In this embodiment, the illuminating means 15 is provided on the first substrate 1 side, but it goes without saying that the same effect can be obtained even if it is provided on the second substrate 10 side.
［発明の効果］ この発明は、ブラックマトリックスとしての遮光層を
金属酸化膜／金属膜／金属酸化膜の三層構造を含む形に
し且つ最上層及び最下層を上記金属酸化膜にすることに
より、バックライトをどちらの基板側に設置した場合に
も、バックライトからの光或いは表示を観察する際の外
光による影響を受けることなく、良好な画質を得ること
ができる。[Effects of the Invention] The present invention provides a light shielding layer as a black matrix in a form including a three-layer structure of a metal oxide film / metal film / metal oxide film, and the uppermost layer and the lowermost layer are the metal oxide films described above. Good image quality can be obtained without being affected by light from the backlight or external light when observing a display, regardless of whether the backlight is installed on either substrate side.
第１図はこの発明の一実施例を示す断面図、第２図は液
晶表示素子の信号電圧と透過率の関係を示す図、第３図
は遮光層の部分の拡大断面図、第４図と第５図は従来の
液晶表示装置の一例を示す断面図である。 １…第１基板,7…薄膜素子 ８…画素電極,10…第２基板 11…遮光層,11a,11c…金属酸化膜 11b…金属膜,12…対向電極 13…液晶層,14…液晶表示素子 15…照明手段FIG. 1 is a sectional view showing an embodiment of the present invention, FIG. 2 is a view showing a relationship between signal voltage and transmittance of a liquid crystal display element, FIG. 3 is an enlarged sectional view of a light shielding layer portion, and FIG. And FIG. 5 are sectional views showing an example of a conventional liquid crystal display device. DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... First substrate, 7 ... Thin film element 8 ... Pixel electrode, 10 ... Second substrate 11 ... Light shielding layer, 11a, 11c ... Metal oxide film 11b ... Metal film, 12 ... Counter electrode 13 ... Liquid crystal layer, 14 ... Liquid crystal display Element 15 ... Lighting means
Claims (1)
画素電極からなる一画素をマトリクス状に配置した第１
基板と、一主面上に対向電極及び前記画素電極に対応し
た所定の開口部を有する遮光層が形成された第２基板
と、前記第１及び第２基板を互いの前記一主面側が対向
するように組み合わせて得られる間隙に挟持した液晶と
を有する液晶表示素子と、この液晶表示素子を照射する
照明手段とを備えた液晶表示装置において、前記遮光層
は金属酸化膜／金属膜／金属酸化膜の三層構造を含み且
つ最上層及び最下層が前記金属酸化膜からなることを特
徴とする液晶表示装置。1. A first device comprising: a pixel comprising a thin film element and a pixel electrode connected to the thin film element arranged on a principal surface in a matrix.
A substrate, a second substrate on which a light-shielding layer having a predetermined opening corresponding to the pixel electrode on the one main surface is formed, and the first main surface of the first and second substrates facing each other; In a liquid crystal display device having a liquid crystal display element having a liquid crystal interposed in a gap and a lighting means for irradiating the liquid crystal display element, the light shielding layer is formed of a metal oxide film / metal film / metal A liquid crystal display device comprising a three-layer structure of an oxide film, wherein an uppermost layer and a lowermost layer are made of the metal oxide film.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29822488A JP2714069B2 (en) | 1988-11-28 | 1988-11-28 | Liquid crystal display |
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