JP2700145B2 - 化合物半導体単結晶の製造方法 - Google Patents
化合物半導体単結晶の製造方法Info
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- JP2700145B2 JP2700145B2 JP19920089A JP19920089A JP2700145B2 JP 2700145 B2 JP2700145 B2 JP 2700145B2 JP 19920089 A JP19920089 A JP 19920089A JP 19920089 A JP19920089 A JP 19920089A JP 2700145 B2 JP2700145 B2 JP 2700145B2
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Description
【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は、液体封止カイロポーラス法（以下、LEK法
と称する）による化合物半導体結晶の製造方法に関す
る。
と称する）による化合物半導体結晶の製造方法に関す
る。
［従来の技術］ 一般に、GaP,GaAs,InP,CdTe等のIII−ＶおよびII−VI
族化合物半導体は、融点付近で高い蒸気圧を有するため
に、原料融液上をB2O3等からなる液体封止剤層で覆う液
体封止法により単結晶の成長が行なわれている。現在、
この液体封止法としては、液体封止チョクラルスキー法
（LEC法）やLEK法等が知られている。LEC法は、結晶の
成長とともに種結晶を引き上げていく方法であり、種付
けにより結晶方位が制御可能で、また高純度結晶を得や
すいため、工業化されているが、直径制御が困難であっ
て均一の直胴が得難く、また結晶成長時の融液中の温度
匂配が大きいため結晶にかかる熱応力が大きくなり転位
密度が多くなるという欠点を有している。
族化合物半導体は、融点付近で高い蒸気圧を有するため
に、原料融液上をB2O3等からなる液体封止剤層で覆う液
体封止法により単結晶の成長が行なわれている。現在、
この液体封止法としては、液体封止チョクラルスキー法
（LEC法）やLEK法等が知られている。LEC法は、結晶の
成長とともに種結晶を引き上げていく方法であり、種付
けにより結晶方位が制御可能で、また高純度結晶を得や
すいため、工業化されているが、直径制御が困難であっ
て均一の直胴が得難く、また結晶成長時の融液中の温度
匂配が大きいため結晶にかかる熱応力が大きくなり転位
密度が多くなるという欠点を有している。
これに対し、LEK法は、種結晶を回転はさせるものの
引上げは行わずに、耐水性るつぼ中で結晶成長を行なう
ため、成長結晶の直径はるつぼ内径に依存する。そのた
め、直径制御が容易であるとともに、結晶成長時の融液
中温度匂配が数℃/cmであってLEC法に比して１桁小さい
ため、熱応力が小さく、転位密度が少ないという利点を
有している。
引上げは行わずに、耐水性るつぼ中で結晶成長を行なう
ため、成長結晶の直径はるつぼ内径に依存する。そのた
め、直径制御が容易であるとともに、結晶成長時の融液
中温度匂配が数℃/cmであってLEC法に比して１桁小さい
ため、熱応力が小さく、転位密度が少ないという利点を
有している。
従来、かかるLEK法は、例えば第５図（ａ）および
（ｂ）に示すようにして行なわれていた。
（ｂ）に示すようにして行なわれていた。
第５図（ａ）および（ｂ）における結晶成長装置は、
密閉型の高圧容器１内の円筒状のヒータ２が配設されて
おり、このヒータ２の中央には、るつぼ３が配置されて
いる。また、このるつぼ３は、その下端に固着された支
持軸４により回転可能に支持されている。そして、この
るつぼ３中には、GaAs等の原料融液５が入れられてお
り、原料融液５の上面はB2O3等からなる液体封止剤層６
で覆われている。
密閉型の高圧容器１内の円筒状のヒータ２が配設されて
おり、このヒータ２の中央には、るつぼ３が配置されて
いる。また、このるつぼ３は、その下端に固着された支
持軸４により回転可能に支持されている。そして、この
るつぼ３中には、GaAs等の原料融液５が入れられてお
り、原料融液５の上面はB2O3等からなる液体封止剤層６
で覆われている。
一方、るつぼ３の上方からは、高圧容器１内に結晶引
上げ軸７が上下動かつ回転自在に垂下されており、この
結晶引上げ軸７によって種結晶を保持し、るつぼ３中の
原料融液５の表面に接触させることができるようになっ
ている。また、高圧容器１の側壁上部には、高圧の不活
性ガスを導入するためのガス導入管８が接続されてお
り、高圧容器１内部の圧力を所定圧力とすることができ
るようになっている。
上げ軸７が上下動かつ回転自在に垂下されており、この
結晶引上げ軸７によって種結晶を保持し、るつぼ３中の
原料融液５の表面に接触させることができるようになっ
ている。また、高圧容器１の側壁上部には、高圧の不活
性ガスを導入するためのガス導入管８が接続されてお
り、高圧容器１内部の圧力を所定圧力とすることができ
るようになっている。
従来のLEK法は、このような結晶成長装置において、
先ず、第５図（ａ）に示すように、結晶引上げ軸７によ
って種結晶を原料融液５中に浸漬してるつぼ３と引上げ
軸７を回転させながら引上げは行わずに単結晶を成長さ
せ、結晶９の成長終了後に、第５図（ｂ）に示すよう
に、結晶９を原料融液５から切り離すために液体封止剤
層６上方の高圧不活性ガス10中に引き上げて冷却させる
ようにしていた。
先ず、第５図（ａ）に示すように、結晶引上げ軸７によ
って種結晶を原料融液５中に浸漬してるつぼ３と引上げ
軸７を回転させながら引上げは行わずに単結晶を成長さ
せ、結晶９の成長終了後に、第５図（ｂ）に示すよう
に、結晶９を原料融液５から切り離すために液体封止剤
層６上方の高圧不活性ガス10中に引き上げて冷却させる
ようにしていた。
［発明が解決しようとする問題点］ しかしながら、上記従来のLEK法にあっては、高圧不
活性ガスで満たされた高圧不活性ガス10中で液晶の冷却
を行うため、ガスの対流によって融点付近の温度であっ
た結晶が急激に冷却されるので、結晶中の熱応力が大き
くなって転位を発生してしまった。従って、例えば、G,
Jacob,「Ａ NOVEL CRYSTAL GROWTH METHOD FOR G
aAs:THE LIQUID ENCAPSULATED KYROPOULOS METHO
D」,J.Cryst Growth 58（1985）455に記載されている
ように、結晶９を成長軸と垂直に切断して円形ウェハと
した場合、第７図に示すように、転位密度の少ない部分
では２×103〜３×103個/cm2であってLEC法に比して１
桁程度少なくなっているが、多い部分では５×104個/cm
2の密度の転位が生じており、ウェハの面内分布が著し
く不均一となっていた。
活性ガスで満たされた高圧不活性ガス10中で液晶の冷却
を行うため、ガスの対流によって融点付近の温度であっ
た結晶が急激に冷却されるので、結晶中の熱応力が大き
くなって転位を発生してしまった。従って、例えば、G,
Jacob,「Ａ NOVEL CRYSTAL GROWTH METHOD FOR G
aAs:THE LIQUID ENCAPSULATED KYROPOULOS METHO
D」,J.Cryst Growth 58（1985）455に記載されている
ように、結晶９を成長軸と垂直に切断して円形ウェハと
した場合、第７図に示すように、転位密度の少ない部分
では２×103〜３×103個/cm2であってLEC法に比して１
桁程度少なくなっているが、多い部分では５×104個/cm
2の密度の転位が生じており、ウェハの面内分布が著し
く不均一となっていた。
本発明は、このような問題点に鑑みてなされたもの
で、結晶中の転位密度を低減し、ウェハ面内分布を均一
化できるような化合物半導体単結晶の製造方法を提供す
ることを目的とするものである。
で、結晶中の転位密度を低減し、ウェハ面内分布を均一
化できるような化合物半導体単結晶の製造方法を提供す
ることを目的とするものである。
［問題点を解決するための手段］ 上記問題点を解決するために、本発明者らは、るつぼ
中で結晶を冷却すれば引上げに伴なう急激な温度変化を
防止できると考え、LEK法による結晶成長終了後に結晶
を高圧不活性ガス中に引き上げ、そのままるつぼ中で冷
却することを検討した。
中で結晶を冷却すれば引上げに伴なう急激な温度変化を
防止できると考え、LEK法による結晶成長終了後に結晶
を高圧不活性ガス中に引き上げ、そのままるつぼ中で冷
却することを検討した。
一方、従来、結晶成長終了後に高圧不活性ガスに引き
上げるのは、結晶を原料融液から切り離すためと、封止
剤などとの熱膨張係数の違いによる応力でクラックが結
晶中に入るのを防止するためである。
上げるのは、結晶を原料融液から切り離すためと、封止
剤などとの熱膨張係数の違いによる応力でクラックが結
晶中に入るのを防止するためである。
発明者らは、このようなクラックは冷却プロファイル
を最適化することで低減できると考え、結晶成長終了後
に種々の速度で冷却し、実験を繰り返した。その結果、
第１図に結晶断面の模式図を示すように冷却速度を５℃
/min以下とすることで結晶中のクラックの発生率を低減
できること、またるつぼ中で結晶を冷却する場合、原料
融液が全て固化するので、原料融液内の温度分布は表面
で最も低く、るつぼ底部になるに従い高温になることが
望ましいことを見出した。これは、融液の中心部で最高
温度となると、結晶成長中にるつぼの底から固化が始ま
り双晶が発生し易くなるほか、上からの固化による単結
晶部と底からの固化による多結晶部が衝突してその境界
で応力が生じ単結晶の転位密度が高くなる可能性がある
ためである。
を最適化することで低減できると考え、結晶成長終了後
に種々の速度で冷却し、実験を繰り返した。その結果、
第１図に結晶断面の模式図を示すように冷却速度を５℃
/min以下とすることで結晶中のクラックの発生率を低減
できること、またるつぼ中で結晶を冷却する場合、原料
融液が全て固化するので、原料融液内の温度分布は表面
で最も低く、るつぼ底部になるに従い高温になることが
望ましいことを見出した。これは、融液の中心部で最高
温度となると、結晶成長中にるつぼの底から固化が始ま
り双晶が発生し易くなるほか、上からの固化による単結
晶部と底からの固化による多結晶部が衝突してその境界
で応力が生じ単結晶の転位密度が高くなる可能性がある
ためである。
ただし、結晶成長後そのままるつぼ内で５℃/cm以下
の温度で冷却すればクラックの発生は防止できるもの
の、結晶中の転位密度は第２図に示すようになり、従来
方法による得られた結晶中の転位密度を示す第７図に比
べて平均転位密度は低いが、均一性はそれほど改善され
ないことが明らかになった。そこで、本発明者らはさら
に実験を重ねた結果、結晶形状と転位密度の均一性との
間には、第３図に示すような明関があり、同一重量の結
晶（1kg）を育成する場合、結晶の高さＬと直径Ｄとの
比L/Dを0.8以上とすれば転位密度のほぼ均一な結晶が得
られることを見出した。
の温度で冷却すればクラックの発生は防止できるもの
の、結晶中の転位密度は第２図に示すようになり、従来
方法による得られた結晶中の転位密度を示す第７図に比
べて平均転位密度は低いが、均一性はそれほど改善され
ないことが明らかになった。そこで、本発明者らはさら
に実験を重ねた結果、結晶形状と転位密度の均一性との
間には、第３図に示すような明関があり、同一重量の結
晶（1kg）を育成する場合、結晶の高さＬと直径Ｄとの
比L/Dを0.8以上とすれば転位密度のほぼ均一な結晶が得
られることを見出した。
本発明は、上記知見に基づいてなされたもので高圧容
器内に配置したるつぼ中の原料融液を液体封止剤層で覆
い、高圧容器内を高圧不活性ガス雰囲気とし、原料融液
に種結晶を浸漬して単結晶の成長を行なう化合物半導体
単結晶の製造方法において、単結晶の形状がその高さを
Ｌ、直径をＤとしたときL/Dが0.8以上となるように育成
し、成長終了後にその単結晶を引き上げず、そのままる
つぼ内液体封止剤層下で５℃/min以下の冷却速度で室温
まで除冷することを提案するものである。
器内に配置したるつぼ中の原料融液を液体封止剤層で覆
い、高圧容器内を高圧不活性ガス雰囲気とし、原料融液
に種結晶を浸漬して単結晶の成長を行なう化合物半導体
単結晶の製造方法において、単結晶の形状がその高さを
Ｌ、直径をＤとしたときL/Dが0.8以上となるように育成
し、成長終了後にその単結晶を引き上げず、そのままる
つぼ内液体封止剤層下で５℃/min以下の冷却速度で室温
まで除冷することを提案するものである。
［作用］ 上記のような化合物半導体単結晶の製造方法によれ
ば、結晶成長終了後に温度変化のないるつぼ中で結晶が
冷却されるとともに、冷却速度を５℃/min以下としたの
で、液体封止剤との熱膨張率の差が緩和され、熱応力が
生じにくくなりこれによって、クラックの発生を防止で
きるとともに、L/Dを0.8以上としたので、結晶の直径が
相対的に小さくなり、中心部と外周部との温度差を小さ
くすることができ、これによって転位密度を低減させ、
かつウェハ面内分布の均一性を向上させることができ
る。
ば、結晶成長終了後に温度変化のないるつぼ中で結晶が
冷却されるとともに、冷却速度を５℃/min以下としたの
で、液体封止剤との熱膨張率の差が緩和され、熱応力が
生じにくくなりこれによって、クラックの発生を防止で
きるとともに、L/Dを0.8以上としたので、結晶の直径が
相対的に小さくなり、中心部と外周部との温度差を小さ
くすることができ、これによって転位密度を低減させ、
かつウェハ面内分布の均一性を向上させることができ
る。
［実施例］ （第１実施例） 結晶成長装置は従来と同一構成のもの（第５図（ａ）
参照）を用いた。
参照）を用いた。
まず、GaAs多結晶1.1kgの、液体封止剤としてのB2O3
を25mmの厚さとなるように秤量として内径60mmのpBN製
のるつぼ３に入れ、ヒータ２により加熱して炉内を1250
℃以上に昇温し、GaAsおよびB2O3を融解させた。このと
き、Asの揮散を防止するためガス導入管８から例えばア
ルゴンガスのような不活性ガスを導入し、高圧容器１内
を30気圧とした。
を25mmの厚さとなるように秤量として内径60mmのpBN製
のるつぼ３に入れ、ヒータ２により加熱して炉内を1250
℃以上に昇温し、GaAsおよびB2O3を融解させた。このと
き、Asの揮散を防止するためガス導入管８から例えばア
ルゴンガスのような不活性ガスを導入し、高圧容器１内
を30気圧とした。
次に、GaAs融液の表面温度を、GaAsの融点よりもやや
高い温度に調節してから、結晶引上げ軸７を下げて、
（100）面の種結晶を原料融液５に種付けし、るつぼ３
を１℃/hrの割合で冷却しながら、30時間かけて結晶の
成長を行なった。この際、結晶引上げ軸７は5rpmで回転
させ、るつぼ３は逆方向に5rpmで回転させた。
高い温度に調節してから、結晶引上げ軸７を下げて、
（100）面の種結晶を原料融液５に種付けし、るつぼ３
を１℃/hrの割合で冷却しながら、30時間かけて結晶の
成長を行なった。この際、結晶引上げ軸７は5rpmで回転
させ、るつぼ３は逆方向に5rpmで回転させた。
約30時間経過後、結晶がほぼるつぼ底部まで成長した
時点で育成を終了し、結晶およびるつぼの回転を止め、
結晶９を引上げず、るつぼ内液体封止剤層６下で結晶を
５℃/minの割合で室温まで冷却した。このようにして得
られた結晶は、フラットトプップ形で、直径60mm、長さ
75mm、重量約1.1kgの単結晶であった。
時点で育成を終了し、結晶およびるつぼの回転を止め、
結晶９を引上げず、るつぼ内液体封止剤層６下で結晶を
５℃/minの割合で室温まで冷却した。このようにして得
られた結晶は、フラットトプップ形で、直径60mm、長さ
75mm、重量約1.1kgの単結晶であった。
このようにして得られた結晶を種付け位置から1cm下
側で切断して（100）面の円形ウェハとし、転位密度を
測定した。その結果を第４図に示す。第４図から判るよ
うに、ウェハの転位密度は２×103〜３×103個/cm2であ
り、面内分布の均一性は良好であった。
側で切断して（100）面の円形ウェハとし、転位密度を
測定した。その結果を第４図に示す。第４図から判るよ
うに、ウェハの転位密度は２×103〜３×103個/cm2であ
り、面内分布の均一性は良好であった。
（第２実施例） InP単結晶の育成を、第６図に示すような装置を用い
て行なった。
て行なった。
第６図に示す結晶成長装置は、液体封止剤層６の上面
（高圧不活性ガス10との界面）から２〜3mmにおいて液
体封止剤層６を覆う熱遮蔽板14が昇降可能に設けられて
いる。この熱遮蔽板14は、高純度石英製で、周縁にフラ
ンジ部14aを有し中心には種結晶が挿通されるのに十分
なだけの径の孔14bが形成されている。
（高圧不活性ガス10との界面）から２〜3mmにおいて液
体封止剤層６を覆う熱遮蔽板14が昇降可能に設けられて
いる。この熱遮蔽板14は、高純度石英製で、周縁にフラ
ンジ部14aを有し中心には種結晶が挿通されるのに十分
なだけの径の孔14bが形成されている。
上記遮蔽板14で液体封止剤層６の上方を覆うようにし
たのは、遮蔽板がないとガス対流に伴う原料融液中温度
の揺らぎによってInPでは双晶が発生し易いためであ
る。上記装置で、炉内アルゴン圧力を50気圧とし炉内を
1100℃以上に昇温した他は第１実施例と同一条件、同一
方法でInP結晶の成長を行なったところ、得られたInP結
晶は、直径60mm、長さ70mm、重量約1kgの単結晶であっ
た。
たのは、遮蔽板がないとガス対流に伴う原料融液中温度
の揺らぎによってInPでは双晶が発生し易いためであ
る。上記装置で、炉内アルゴン圧力を50気圧とし炉内を
1100℃以上に昇温した他は第１実施例と同一条件、同一
方法でInP結晶の成長を行なったところ、得られたInP結
晶は、直径60mm、長さ70mm、重量約1kgの単結晶であっ
た。
本実施例で得た結晶について第１実施例の場合と同様
にしてウェハを切り出し、その転位密度を測定した。そ
の結果、転位密度は１×103〜２×103個/cm-2と低く、
しかもウェーハ面内均一性も優れていた。本実施例で
は、熱遮蔽板14を設けたことにより、高圧不活性ガス10
中の対流による原料融液５内の温度ゆらぎが低減され、
結晶の品質が向上する。
にしてウェハを切り出し、その転位密度を測定した。そ
の結果、転位密度は１×103〜２×103個/cm-2と低く、
しかもウェーハ面内均一性も優れていた。本実施例で
は、熱遮蔽板14を設けたことにより、高圧不活性ガス10
中の対流による原料融液５内の温度ゆらぎが低減され、
結晶の品質が向上する。
なお、本実施例において使用する熱遮蔽板14の材質
は、高純度石英に限らず、BN（窒化ボロン），グラファ
イト等の耐熱性材料であって高純度のものであればよ
い。
は、高純度石英に限らず、BN（窒化ボロン），グラファ
イト等の耐熱性材料であって高純度のものであればよ
い。
以上、２つの実施例においては、いずれも結晶成長後
に、不活性ガスに比べて粘性が大きくかつ比熱の大きな
液体封止剤中で結晶を除冷しているため、高圧容器内の
ガス中で冷却する場合のような対流が液体封止剤中に生
じにくくなる。そのため、ガス中での冷却に比べて急激
かつムラの多い冷却が防止される。さらに、液体封止剤
下で冷却しているので、結晶中からのAsやＰ等の揮散も
防止できる。
に、不活性ガスに比べて粘性が大きくかつ比熱の大きな
液体封止剤中で結晶を除冷しているため、高圧容器内の
ガス中で冷却する場合のような対流が液体封止剤中に生
じにくくなる。そのため、ガス中での冷却に比べて急激
かつムラの多い冷却が防止される。さらに、液体封止剤
下で冷却しているので、結晶中からのAsやＰ等の揮散も
防止できる。
なお、上記各実施例においては、GaAs単結晶およびIn
P単結晶の育成について説明したが、本発明はかかる実
施例に限定されるものばかりではなく、GaPやCdTe等、I
II−Ｖ族およびII−VI族化合物半導体単結晶の育成に適
用できる。
P単結晶の育成について説明したが、本発明はかかる実
施例に限定されるものばかりではなく、GaPやCdTe等、I
II−Ｖ族およびII−VI族化合物半導体単結晶の育成に適
用できる。
また、るつぼの形状は第５図や第６図に示すように完
全な円筒状にする必要はなく、する鉢状にした方が結晶
を取り出し易くなる。
全な円筒状にする必要はなく、する鉢状にした方が結晶
を取り出し易くなる。
［発明の効果］ 以上のように、本発明の化合物半導体単結晶の製造方
法によれば、高圧容器内の配置したるつぼ中の原料融液
を液体封止剤層で覆い、高圧容器内を高圧不活性ガス雰
囲気とし、原料融液に種結晶を浸漬して単結晶の成長を
行なう化合物半導体単結晶の製造方法において、単結晶
の形状がその高さをＬ、直径をＤとしたときL/Dが0.8以
上になるように育成し、成長終了後にその単結晶を引き
上げず、そのままるつぼ内液体封止剤層下で５℃/min以
下の冷却速度で室温まで除冷するようにしたので、結晶
成長終了後に温度変化のないるつぼ中で結晶が冷却され
るとともに冷却速度が遅いために、液体封止剤との熱膨
張率の差が緩和され、熱応力が生じにくくなりこれによ
って、クラックの発生を防止できるとともに、L/Dが0.8
以上であるため、結晶の直径が相対的に大きくなり、中
心部と外周部との温度差を小さくすることができ、これ
によって転位密度を低減させ、かつウェハ面内分布の均
一性を向上させることができるという効果がある。
法によれば、高圧容器内の配置したるつぼ中の原料融液
を液体封止剤層で覆い、高圧容器内を高圧不活性ガス雰
囲気とし、原料融液に種結晶を浸漬して単結晶の成長を
行なう化合物半導体単結晶の製造方法において、単結晶
の形状がその高さをＬ、直径をＤとしたときL/Dが0.8以
上になるように育成し、成長終了後にその単結晶を引き
上げず、そのままるつぼ内液体封止剤層下で５℃/min以
下の冷却速度で室温まで除冷するようにしたので、結晶
成長終了後に温度変化のないるつぼ中で結晶が冷却され
るとともに冷却速度が遅いために、液体封止剤との熱膨
張率の差が緩和され、熱応力が生じにくくなりこれによ
って、クラックの発生を防止できるとともに、L/Dが0.8
以上であるため、結晶の直径が相対的に大きくなり、中
心部と外周部との温度差を小さくすることができ、これ
によって転位密度を低減させ、かつウェハ面内分布の均
一性を向上させることができるという効果がある。
第１図（ａ），（ｂ），（ｃ），（ｄ）および（ｅ）は
それぞれLEK法により育成した結晶をるつぼ内で冷却し
た場合における冷却速度とクラックの発生状況との関係
を示す縦断面図、 第２図は本発明の第１の構成手段（るつぼ内で５℃/min
以下の速度で冷却）のみ適用して得られた結晶のウェハ
面内転位密度の分布を示すグラフ、 第３図は育成した結晶の大きさ（高さと直径の比）とウ
ェハの転位密度の最大値と最小値の比との関係を示すグ
ラフ、 第４図は本発明の第１の実施例により得られた結晶のウ
ェハ面内転位密度の分布を示すグラフ、 第５図（ａ）および（ｂ）はそれぞれ従来のLEK法にお
ける結晶成長過程および結晶冷却過程での結晶の状態を
示す縦断面図、 第６図は本発明の第２の実施例に使用した結晶成長装置
を示す縦断面図、 第７図は従来法により得られた結晶のウェハ面内転位密
度の分布を示すグラフである。 １……高圧容器、３……るつぼ、５……原料融液、６…
…液体封止剤層、７……結晶引上げ軸、８……ガス導入
管、９……育成結晶、14……熱遮蔽板。
それぞれLEK法により育成した結晶をるつぼ内で冷却し
た場合における冷却速度とクラックの発生状況との関係
を示す縦断面図、 第２図は本発明の第１の構成手段（るつぼ内で５℃/min
以下の速度で冷却）のみ適用して得られた結晶のウェハ
面内転位密度の分布を示すグラフ、 第３図は育成した結晶の大きさ（高さと直径の比）とウ
ェハの転位密度の最大値と最小値の比との関係を示すグ
ラフ、 第４図は本発明の第１の実施例により得られた結晶のウ
ェハ面内転位密度の分布を示すグラフ、 第５図（ａ）および（ｂ）はそれぞれ従来のLEK法にお
ける結晶成長過程および結晶冷却過程での結晶の状態を
示す縦断面図、 第６図は本発明の第２の実施例に使用した結晶成長装置
を示す縦断面図、 第７図は従来法により得られた結晶のウェハ面内転位密
度の分布を示すグラフである。 １……高圧容器、３……るつぼ、５……原料融液、６…
…液体封止剤層、７……結晶引上げ軸、８……ガス導入
管、９……育成結晶、14……熱遮蔽板。
フロントページの続き (72)発明者 小田 修 埼玉県戸田市新曽南３丁目17番35号 日 本鉱業株式会社内 (56)参考文献 特開 昭60−90897（ＪＰ，Ａ) 特開 平１−145395（ＪＰ，Ａ)
Claims (2)
- 【請求項１】高圧容器内に配置したるつぼ中の原料融液
を液体封止剤層で覆い、高圧容器内を高圧不活性ガス雰
囲気とし、原料融液に種結晶を浸漬して単結晶の成長を
行なう化合物半導体単結晶の製造方法において、育成さ
れる単結晶の形状を、その高さＬと直径Ｄとの比L/Dを
0.8以上とし、るつぼ内液体封止剤層下において５℃／
分以下の速度で冷却を行なうようにしたことを特徴とす
る化合物半導体単結晶の製造方法。 - 【請求項２】特許請求の範囲第１項記載の方法におい
て、原料融液の温度がるつぼ底部にいくほど高くなるよ
うに炉内温度を制御することを特徴とする化合物半導体
単結晶の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19920089A JP2700145B2 (ja) | 1989-08-02 | 1989-08-02 | 化合物半導体単結晶の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19920089A JP2700145B2 (ja) | 1989-08-02 | 1989-08-02 | 化合物半導体単結晶の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0365592A JPH0365592A (ja) | 1991-03-20 |
| JP2700145B2 true JP2700145B2 (ja) | 1998-01-19 |
Family
ID=16403807
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19920089A Expired - Lifetime JP2700145B2 (ja) | 1989-08-02 | 1989-08-02 | 化合物半導体単結晶の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2700145B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4736401B2 (ja) * | 2004-11-02 | 2011-07-27 | 住友金属工業株式会社 | 炭化珪素単結晶の製造方法 |
-
1989
- 1989-08-02 JP JP19920089A patent/JP2700145B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0365592A (ja) | 1991-03-20 |
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