JP2798350B2 - A method for selecting a waveguide-type electro-optical element in which a drift of a DC voltage is controlled. - Google Patents
A method for selecting a waveguide-type electro-optical element in which a drift of a DC voltage is controlled.Info
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Description
【0001】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、印加直流電圧のド
リフトが制御されている導波路型電気光学素子の選別方
法に関するものである。更に詳しく述べるならば、本発
明は、Ti:LiNbO3 製の導波路型変調器素子で代
表されるような、電気光学素子において、その出力光を
制御するための直流制御電圧のドリフトが所定値に制御
されている素子の簡単な選別方法に関するものである。[0001] 1. Field of the Invention [0002] The present invention relates to a method for selecting a waveguide type electro-optical element in which a drift of an applied DC voltage is controlled. More specifically, the present invention relates to an electro-optical device, such as a waveguide modulator device made of Ti: LiNbO 3 , in which the drift of a DC control voltage for controlling the output light is a predetermined value. And a simple method for selecting elements controlled by the method.
【0002】[0002]
【従来の技術】Ti:LiNbO3 製の導波路型変調器
素子で代表されるような、電気光学素子からの出力光を
制御するための制御電圧のドリフト現象を評価する手段
として、一定値の直流バイアス電圧を素子に印加し、出
力光の動作点の経時変化をモニターする方法が既に報告
されている(例えば、H.Nagata and K.Kiuch, J.Appl.P
hys.73(1993)4162. およびK.Seino, T. Nakazawa, Y.Ku
bota, M.Doi, T.Yamaneand H.Hakogi, Proceedings of
the OFC'92, San Jose, February 8-11, 1992(Optical
Soc.of America)p.325)。2. Description of the Related Art As a means for evaluating a drift phenomenon of a control voltage for controlling output light from an electro-optical element, as represented by a waveguide type modulator element made of Ti: LiNbO 3 , a constant value is used. A method has been reported in which a DC bias voltage is applied to a device to monitor the change over time in the operating point of output light (for example, H. Nagata and K. Kiuch, J. Appl.
hys. 73 (1993) 4162. and K. Seino, T. Nakazawa, Y. Ku
bota, M. Doi, T. Yamaneand H. Hakogi, Proceedings of
the OFC'92, San Jose, February 8-11, 1992 (Optical
Soc. Of America) p.325).
【0003】しかし、前記素子の実際の使用では、出力
光の動作点をある初期値に直流バイアス電圧により調整
し、ここに交流(高周波)電圧を重ね合わせることによ
り、前記外部電圧信号に対応した出力光強度の変調状態
を得ている。このため、前記直流バイアス電圧は一定値
に固定されるものではなく、出力光の動作点を常に初期
値の状態に維持するために、刻々と調整変化されるもの
である。この、出力光の動作点を常に初期値の状態に維
持するために必要なバイアス電圧(制御電圧)の経時変
化が、真のDCドリフト現象である。そして、この動作
バイアス電圧(制御電圧)の変化が、システムの許容値
を超過してしまうと、素子は制御不能の状態になる。However, in actual use of the device, the operating point of output light is adjusted to a certain initial value by a DC bias voltage, and an AC (high frequency) voltage is superimposed on the operating point to correspond to the external voltage signal. The modulation state of the output light intensity is obtained. For this reason, the DC bias voltage is not fixed to a constant value, but is adjusted and changed every moment so that the operating point of the output light is always maintained at the initial value. This time-dependent change in the bias voltage (control voltage) required to always maintain the operating point of the output light at the initial value is a true DC drift phenomenon. If the change in the operation bias voltage (control voltage) exceeds the allowable value of the system, the element is in an uncontrollable state.
【0004】したがって、前述のような、固定直流バイ
アス電圧のみを印加した状態において、当該光素子のD
Cドリフトを評価してもそれは実際のシステムにおける
素子動作に対応したものではない。しかし、固定直流バ
イアス電圧印加方式の利点は、評価される素子性能の個
体差に関わりなく、ある規定された一定値のバイアス電
圧を連続印加すれば、サンプルが複数個であっても、出
力光の位相変化あるいは強度変化を時間経過にしたがっ
て順次モニターしていくだけで、動作点の経時変化を、
一つの測定系で、複数サンプルを非常に簡便に測定・評
価できることである。Therefore, in the state where only the fixed DC bias voltage is applied as described above, the D
Even if the C drift is evaluated, it does not correspond to the element operation in the actual system. However, the advantage of the fixed DC bias voltage application method is that regardless of individual differences in the element performance to be evaluated, continuous application of a bias voltage of a specified constant value allows the output light to be obtained even if there are a plurality of samples. By simply monitoring the phase change or the intensity change over time, the change over time of the operating point
It is very easy to measure and evaluate multiple samples with one measurement system.
【0005】一方、実際のシステム回路あるいは類似の
回路によって、素子の実際の動作中に生ずるバイアス電
圧(制御電圧)のドリフトを直接測定・評価することも
可能である(例えば、H.Jumonji and T.Nozawa, IEICE
Transaction, J75-C-1(1992)17)。しかし、測定系が前
者に比べ複雑となり、それぞれドリフト特性が異なる複
数個のサンプルを評価する場合、サンプルと制御回路を
一対一対応させる必要が生じ、系はさらに複雑になる。On the other hand, it is also possible to directly measure and evaluate the drift of the bias voltage (control voltage) generated during the actual operation of the device by using an actual system circuit or a similar circuit (for example, H. Jumonji and T.) .Nozawa, IEICE
Transaction, J75-C-1 (1992) 17). However, the measurement system becomes more complicated than the former, and when evaluating a plurality of samples each having a different drift characteristic, it is necessary to make a one-to-one correspondence between the sample and the control circuit, which further complicates the system.
【0006】[0006]
【発明が解決しようとする課題】前記素子の制御電圧の
ドリフトの程度を簡便に測定し、かつ製造工程中の検査
項目として、大きなドリフト、特に制御電圧が発散して
しまうような不良特性をもつ素子(製品)を選別・ふる
い分けることのできる方法を提供する。上記目的のた
め、基本的な測定手段としては、従来の固定直流バイア
ス電圧印加方式を採用することが、測定の簡便さおよび
複数同時評価の能力の点で好ましい。またこの固定直流
バイアス電圧印加方式により測定されるドリフト特性値
と、実際のシステムにおける制御電圧のドリフト現象と
の対応を明確にすることにより、実際の動作時に生ずる
DCドリフトを考慮した、光素子の判定基準を与える必
要がある。SUMMARY OF THE INVENTION The degree of drift of the control voltage of the element is easily measured, and has a defect characteristic such that a large drift, particularly a control voltage is diverged, as an inspection item during a manufacturing process. Provided is a method for selecting and sifting elements (products). For the above purpose, it is preferable to adopt a conventional fixed DC bias voltage applying method as a basic measuring means in terms of simplicity of measurement and ability of simultaneous evaluation of a plurality. In addition, by clarifying the correspondence between the drift characteristic value measured by the fixed DC bias voltage application method and the drift phenomenon of the control voltage in the actual system, the optical element in consideration of the DC drift generated during the actual operation is considered. Judgment criteria need to be given.
【0007】[0007]
【課題を解決するための手段】DCドリフト現象は、雰
囲気温度を高くすることにより加速される現象であるた
め(前出の文献参照)、雰囲気温度をできる限り高く保
つことで、測定時間を短縮することができる。Since the DC drift phenomenon is accelerated by increasing the ambient temperature (see the above-mentioned document), the measurement time is reduced by keeping the ambient temperature as high as possible. can do.
【0008】したがって、導波路型の電気光学変調器素
子を、その出力変調光の動作点を規定位置に調整するた
めの直流バイアス電圧を印加した状態で動作させる際、
前記動作点を規定位置に維持するために必要となるバイ
アス電圧が経時変化する現象として定義される「制御電
圧のドリフト」の程度を推定し、前記制御電圧のドリフ
トが発散しない、つまり制御不能にならない素子を選別
する方法であって、室温(30℃程度)よりも高く、か
つ100℃以下の任意の一定温度環境下に保持した前記
素子に、任意一定値の直流バイアス電圧を連続印加した
状態で前記素子を動作させ、その出力光の動作点(例え
ば変調光強度のピーク位置)の経時変化もモニターし、
前記出力光の動作点の経時変化、いわゆるDCドリフ
ト、から電圧量を単位として求めた見かけの飽和ドリフ
ト量(VC)と、定値印加した前記バイアス電圧(V
B)の比(A=VC/VB)が、少なくとも1より小さ
い素子を選別することにより、製品のふるい分けを容易
に行うことができる。Therefore, when operating the waveguide type electro-optic modulator element in a state where a DC bias voltage for adjusting the operating point of the output modulated light to a specified position is applied,
Estimate the degree of `` control voltage drift '' defined as a phenomenon in which the bias voltage required to maintain the operating point at the specified position changes over time, and the control voltage drift does not diverge, that is, it becomes impossible to control. A method for selecting elements that do not need to be applied, wherein a DC bias voltage of an arbitrary constant value is continuously applied to the element maintained at an arbitrary constant temperature environment higher than room temperature (about 30 ° C.) and 100 ° C. or lower. The device is operated at and the change over time of the operating point of the output light (for example, the peak position of the intensity of the modulated light) is also monitored.
The apparent saturation drift amount (VC) obtained in units of voltage from the temporal change of the operating point of the output light, so-called DC drift, and the bias voltage (V
By selecting the elements having a ratio of B) (A = VC / VB) smaller than at least 1, the products can be easily sieved.
【0009】ドリフト現象を加速するための加熱温度を
室温よりも高くすることにより、測定時間をより短くす
ることができるが、素子の組立に使用されている、接着
剤等の熱劣化を抑えるために、加熱温度は100℃以下
であることが望ましい。雰囲気温度80℃で測定した場
合、上記のドリフト特性値「A」を導出するに要する測
定時間は、後述の実施例においては、数10時間(およ
そ1日間)で充分であった。By making the heating temperature for accelerating the drift phenomenon higher than room temperature, the measurement time can be shortened. However, in order to suppress the thermal deterioration of the adhesive and the like used for assembling the elements. Preferably, the heating temperature is 100 ° C. or less. When measured at an ambient temperature of 80 ° C., the measurement time required to derive the drift characteristic value “A” was several tens of hours (about one day) in the examples described later.
【0010】本発明の印加直流電圧のドリフトが制御さ
れている導波路型電気光学素子は、室温以上の所定温度
を保持された導波路型電気光学素子に所望値の直流バイ
アス電圧を連続印加した状態で、前記素子に光を入力
し、この素子から出力する光の動作点の経時変化をモニ
ターしたとき、飽和電圧ドリフト量VCと、前記印加さ
れた直流バイアス電圧(VB)の比、A=VC/VBが
1未満であることを特徴とする、ものである。In the waveguide type electro-optical element according to the present invention, in which the drift of the applied DC voltage is controlled, a desired value of a DC bias voltage is continuously applied to the waveguide type electro-optical element which is maintained at a predetermined temperature equal to or higher than room temperature. In this state, when light is input to the element and the change with time of the operating point of the light output from the element is monitored, the ratio of the saturation voltage drift amount VC to the applied DC bias voltage (VB), A = VC / VB is less than 1.
【0011】本発明の、印加直流電圧のドリフトが制御
されている導波路型電気光学素子の選別方法は、導波路
型電気光学素子を室温よりも高く100℃以下の所定温
度に保持し、これらの素子に所定値の直流バイアス電圧
を印加し、この電圧印加された素子に光を入力し、この
素子の出力光の動作点の経時変化をモニターし、電圧の
ドリフト量の飽和値(VC)と、前記印加された直流バ
イアス電圧(VB)との比:A=VC/VBを算出し、
この比Aとして1未満の値を示す素子を選別することを
特徴とするものである。According to the method of the present invention for selecting a waveguide type electro-optical element in which the drift of the applied DC voltage is controlled, the waveguide type electro-optical element is maintained at a predetermined temperature higher than room temperature and equal to or lower than 100 ° C. A DC bias voltage of a predetermined value is applied to the element, and light is input to the element to which the voltage is applied, the change over time of the operating point of the output light of the element is monitored, and the saturation value (VC) of the voltage drift amount is monitored. And the ratio of the applied DC bias voltage (VB): A = VC / VB,
An element showing a value of less than 1 as the ratio A is selected.
【0012】上記素子およびその選別方法において、前
記比Aの値が0.5以下であることが好ましく、このよ
うにすることにより素子に対する直流制御電圧のドリフ
ト量をより低く維持することができる。In the above-mentioned element and the method for selecting the same, the value of the ratio A is preferably 0.5 or less, whereby the drift amount of the DC control voltage with respect to the element can be kept low.
【0013】[0013]
【作用】図1に、Ti:LiNbO3 製の導波路型マッ
ハツェンダー強度変調器素子について、固定直流バイア
ス電圧連続印加方式で測定したDCドリフトと、動作時
間、(70℃において)を示す。印加固定直流バイアス
電圧を−5,0,1,2,4,5Vの6水準にと変化さ
せて、それぞれ雰囲気温度70℃で測定した。FIG. 1 shows the DC drift, operating time and (at 70 ° C.) of a waveguide type Mach-Zehnder intensity modulator device made of Ti: LiNbO 3 measured by a fixed DC bias voltage continuous application method. The applied fixed DC bias voltage was changed to six levels of -5, 0, 1, 2, 4, and 5 V, and the measurement was performed at an ambient temperature of 70 ° C.
【0014】使用した素子の構造は、z−カットLiN
bO3 基板の表面に、Tiを熱拡散(980℃)させる
ことにより光導波路パタンを形成し、次にスパッタリン
グ法を用いてSiO2 バッファ層(高帯域用変調器で
は、通常、厚さ500nm〜1μm)を堆積、600℃
酸素気流中で熱処理した後、進行波型の電極パタン(A
u)を蒸着および電界メッキにより配設したものであ
る。導波路の両端の片方には薄膜型の偏光子を介して、
光ファイバが、紫外線硬化型の低屈折率エポキシ系接着
剤で固定されている。電極パタンの入出力部には、高周
波用の市販電極コネクタが、ボンディングされている。
これらの部品は、通常、金属筐体中にパッケージされる
が、本発明における一連の実験では、特に気密封止を施
さない筐体に実装したサンプルを用いた。The structure of the element used is z-cut LiN
An optical waveguide pattern is formed on the surface of the bO 3 substrate by thermally diffusing Ti (980 ° C.), and then using a sputtering method to form an SiO 2 buffer layer (a high-band modulator typically has a thickness of 500 nm to 500 nm). 1 μm) at 600 ° C.
After heat treatment in an oxygen stream, a traveling wave type electrode pattern (A
u) is provided by vapor deposition and electrolytic plating. One of the two ends of the waveguide through a thin-film polarizer,
The optical fiber is fixed with an ultraviolet curing type low refractive index epoxy adhesive. A commercial electrode connector for high frequency is bonded to the input / output section of the electrode pattern.
These components are usually packaged in a metal housing, but in a series of experiments in the present invention, a sample mounted on a housing that is not particularly hermetically sealed was used.
【0015】図1の実験におけるDC電圧ドリフトの測
定では、素子に上記固定DCバイアス電圧と同時に、1
kHz の±20V交流電圧を印加し、素子から出力される
強度変調された光(入力光の波長1.55μm)強度を
オシロスコープ上でモニターし、ある特定のピーク位置
(便宜上、横軸の印加電圧値OVの位置に最も近いピー
クをとった)の経時変化を追跡した(変化の単位は、電
圧値(V)である)。図1において初期状態からの、こ
の変化量(電圧単位)をDC電圧ドリフト量として図示
した。同様なドリフト測定は、交流電圧を印加せずに、
固定直流バイアス電圧のみを印加した状態でも測定でき
る。その場合、ドリフトは出力光強度変化として測定さ
れるが、素子の初期動作点、半波長電圧がわかっていれ
ば、測定された強度変化を、電圧単位のドリフト量に換
算することは容易である。In the measurement of the DC voltage drift in the experiment shown in FIG.
A ± 20 V alternating current voltage of kHz is applied, and the intensity of the intensity-modulated light (wavelength of the input light: 1.55 μm) output from the element is monitored on an oscilloscope, and a specific peak position (for convenience, the applied voltage on the horizontal axis) The change over time of the peak closest to the position of the value OV was tracked (the unit of change is the voltage value (V)). In FIG. 1, the amount of change (unit of voltage) from the initial state is shown as a DC voltage drift amount. A similar drift measurement, without applying an AC voltage,
It can be measured even when only a fixed DC bias voltage is applied. In that case, the drift is measured as the output light intensity change, but if the initial operating point of the element and the half-wavelength voltage are known, it is easy to convert the measured intensity change into a drift amount in voltage units. .
【0016】図2は、温度70℃で、まず固定直流バイ
アス電圧(−5,1,4V:白ぬき記号で示してある)
を連続して印加した状態でDC電圧ドリフトを測定し、
次に、ドリフト値がほぼ飽和した段階で、印加していた
バイアス電圧をゼロにして測定したドリフト値(黒記
号)を示してある。図2より、印加していたDCバイア
ス電圧を切ると、それまでのバイアス印加により生じた
DCドリフト値が、ほぼ同じ時間かかって回復すること
が明らかに理解できる。FIG. 2 shows that at a temperature of 70 ° C., first, a fixed DC bias voltage (−5, 1, 4 V: indicated by white symbols)
DC voltage drift is measured with
Next, at the stage when the drift value is almost saturated, the drift value (black symbol) measured by setting the applied bias voltage to zero is shown. From FIG. 2, it can be clearly understood that when the applied DC bias voltage is turned off, the DC drift value caused by the previous bias application recovers in substantially the same time.
【0017】図1,2に示されている結果は、誘電体に
電界(バイアス)を印加した場合の分極現象、特に比較
的長い緩和時間を有する配向分極、あるいはイオン分極
現象に類似している。観察されたDCドリフトが全て分
極の寄与によるものであるとは限らないが、素子を構成
する材料が酸化物誘電体および強誘電体であること、お
よび観察されるドリフトが数時間もの長時間を必要とす
る現象であることを考慮すると、素子中の電子の移動に
よる現象ではなく、少なくともイオンの変位・泳動によ
るものであることが推測できる。The results shown in FIGS. 1 and 2 are similar to the polarization phenomenon when an electric field (bias) is applied to the dielectric, particularly the orientation polarization having a relatively long relaxation time or the ionic polarization phenomenon. . Although the observed DC drift is not always due to the contribution of polarization, the materials constituting the device are oxide dielectrics and ferroelectrics, and the observed drifts may be as long as several hours. Considering that the phenomenon is a necessary phenomenon, it can be inferred that the phenomenon is at least due to ion displacement / migration, not a phenomenon due to the movement of electrons in the device.
【0018】さらに、バイアスの方向にドリフトが依存
し、バイアス電圧を切るとドリフトが回復することよ
り、イオン伝導的なメカニズムよりも、イオンあるいは
イオン対の変位、つまり分極現象が大きく関与している
と考えられる。つまり、バイアス電圧を印加することに
より、時間的な遅れ(緩和時間)をもって、電界(バイ
アス)を打ち消す方向に分極が生じ、素子に実効的に印
加されているバイアス電圧が徐々に小さくなって、これ
がDC電圧ドリフト現象として観察されるものと思われ
る。分極のメカニズムは、現段階では明らかでないが、
誘電体の構成イオン自身、酸化物材料中に不純物として
含まれる水素に基づく−OH基、および素子中に不純物
として含有される水分子等に生ずるものと考えられる。Furthermore, the drift depends on the direction of the bias, and the drift recovers when the bias voltage is cut. Therefore, the displacement of ions or ion pairs, that is, the polarization phenomenon, is more involved than the ionic conduction mechanism. it is conceivable that. That is, by applying the bias voltage, polarization occurs in a direction to cancel the electric field (bias) with a time delay (relaxation time), and the bias voltage effectively applied to the element gradually decreases. This seems to be observed as a DC voltage drift phenomenon. Although the polarization mechanism is not clear at this stage,
It is considered that ions constituting the dielectric itself are generated in —OH groups based on hydrogen contained as impurities in the oxide material, and water molecules contained as impurities in the element.
【0019】したがって、図1,2に示されているよう
な、単一の一定値DCバイアス電圧を連続印加した場合
に観察される、時間遅れを有する電圧ドリフト現象は、
緩和現象に関する一般式、 V(t)=V(∞){1−exp(−t/τ)} (0) で表すことができる。上記式においてtは時間、τは緩
和時間を表す。Therefore, the voltage drift phenomenon having a time delay observed when a single constant value DC bias voltage is continuously applied as shown in FIGS.
It can be expressed by a general formula relating to the relaxation phenomenon, V (t) = V (∞) {1−exp (−t / τ)} (0). In the above equation, t represents time, and τ represents relaxation time.
【0020】このことを確認するために、図3に、図1
のデータを、動作時間とlog(V(∞)−V(t))
の関係に換算してプロットした。V(∞)は見かけの飽
和ドリフト電圧、V(t)は時刻tにおけるドリフト電
圧である。図3より、固定DCバイアス電圧方式で観察
されるDC電圧ドリフト現象は、式(0)で表すことが
可能で、(雰囲気温度70℃での)緩和時間は、図3中
において、括弧内に記したように、およそ4時間である
ことがわかった。In order to confirm this, FIG.
Of the operation time and log (V (∞) −V (t))
And plotted. V (∞) is the apparent saturation drift voltage, and V (t) is the drift voltage at time t. From FIG. 3, the DC voltage drift phenomenon observed in the fixed DC bias voltage method can be expressed by equation (0), and the relaxation time (at an ambient temperature of 70 ° C.) is shown in parentheses in FIG. As noted, it was found to be about 4 hours.
【0021】次に、固定バイアス電圧方式で測定したD
Cドリフト現象に関する上記考察をもとに、固定バイア
ス電圧方式による測定データと実際のシステムにおける
制御電圧のドリフトとの関連づけを行った。実際の素子
動作では、まず素子の動作点を最適な電圧位置に調整す
るために、初期バイアス電圧を印加する。この初期バイ
アス電圧により、時間Δt後にドリフトV(Δt)が生
ずると、そこでドリフト分の電圧V(Δt)を初期バイ
アス電圧に追加する。このような操作を繰り返していく
ことにより、出力光の動作点(変調状態)を、常に、初
期状態と同一に維持することが可能になる。Next, D measured by the fixed bias voltage method
Based on the above consideration on the C drift phenomenon, the measurement data by the fixed bias voltage method was associated with the drift of the control voltage in an actual system. In actual device operation, first, an initial bias voltage is applied to adjust the operating point of the device to an optimal voltage position. When a drift V (Δt) occurs after a time Δt due to this initial bias voltage, the voltage V (Δt) corresponding to the drift is added to the initial bias voltage. By repeating such an operation, the operating point (modulation state) of the output light can always be kept the same as the initial state.
【0022】下記で、固定バイアス電圧方式で得られる
ドリフト特性値をもとに、実際の素子動作(follo
wing up制御方式)で現れる制御電圧のドリフト
を推測するための関係式を導出することができる。In the following, based on the drift characteristic value obtained by the fixed bias voltage method, actual device operation (following
It is possible to derive a relational expression for estimating the drift of the control voltage appearing in the wing up control method.
【0023】時刻t=0で、素子に直流バイアス電圧V
B を印加した場合、時刻tにおけるDCドリフトV
(t)は、周囲温度が一定であれば、下記式(1):At time t = 0, a DC bias voltage V
When B is applied, the DC drift V at time t
(T) is given by the following equation (1) if the ambient temperature is constant:
【0024】[0024]
【数1】 〔但し A:係数(V(∞)=AVB ) τ:緩和時間〕に従うものと仮定する。(Equation 1) [Where A: coefficient (V (∞) = AV B ) τ: relaxation time].
【0025】また印加するバイアス電圧VB が時間によ
り変化していく場合、総ドリフトV(t)は、(1)式
に基づき、各追加バイアスに対するドリフトの和により
与えられる、と仮定する。上記の仮定より、素子に初期
バイアス電圧V0 を印加した場合、時刻t=nΔtで、
素子からの出力光の動作点を初期動作点と同じ状態に維
持するために追加するバイアス電圧(BnΔt)の値を
求める。When the applied bias voltage V B changes with time, it is assumed that the total drift V (t) is given by the sum of the drifts for each additional bias based on the equation (1). From the above assumption, when the initial bias voltage V 0 is applied to the element, at time t = nΔt,
A value of a bias voltage (BnΔt) to be added to maintain the operating point of the output light from the element in the same state as the initial operating point is obtained.
【0026】図4に示されているように: 0.時刻t=0で初期バイアス電圧V0 を印加する。 1.時刻t=ΔtでのドリフトV(Δt)は、下記式に
より求められる。As shown in FIG. At time t = 0, an initial bias voltage V 0 is applied. 1. Drift V (Δt) at time t = Δt is obtained by the following equation.
【0027】[0027]
【数2】 1′.時刻t=Δtでバイアス電圧B(Δt)=V(Δ
t)を追印加する。 2.時刻t=2Δtでの電圧ドリフト値:V(2Δt)
は、図4に示されているように、V1 +V2 となる。つ
まり下記式により求められる。(Equation 2) 1 '. At time t = Δt, bias voltage B (Δt) = V (Δ
t) is additionally applied. 2. Voltage drift value at time t = 2Δt: V (2Δt)
Is V 1 + V 2 as shown in FIG. That is, it is obtained by the following equation.
【0028】[0028]
【数3】 2′.時刻t=2Δtで追印加するバイアス電圧B(2
Δt)は、図4に示されているように、下記式により求
められる。(Equation 3) 2 '. The bias voltage B (2
Δt) is obtained by the following equation, as shown in FIG.
【0029】[0029]
【数4】 同様にして、時刻t=3Δt,t=4Δtにおけるバイ
アス電圧B(3Δt),B(4Δt)は下記式により求
められる。(Equation 4) Similarly, bias voltages B (3Δt) and B (4Δt) at times t = 3Δt and t = 4Δt are obtained by the following equations.
【0030】[0030]
【数5】 (Equation 5)
【0031】従って時刻t=nΔtにおけるバイアス電
圧B(nΔt)は、下記式(2)により求められる。Therefore, the bias voltage B (nΔt) at the time t = nΔt is obtained by the following equation (2).
【0032】[0032]
【数6】 (Equation 6)
【0033】時刻t=nΔtにおける制御電圧のドリフ
ト量V(nΔt)は、前記式(2)に基づき、下記式
(3)により求められる。The drift amount V (nΔt) of the control voltage at time t = nΔt is obtained by the following equation (3) based on the above equation (2).
【0034】[0034]
【数7】 (Equation 7)
【0035】V(nΔt)が収束するためには下記関係
式(4): B(nΔt)<B((n−1)Δt) (4) が成立することが、必要である。よってこの関係を満た
すための条件を求めると、B(nΔt)とB((n−
1)Δt)との差は、下記式(5)から求められる。In order for V (nΔt) to converge, it is necessary that the following relational expression (4) is satisfied: B (nΔt) <B ((n−1) Δt) (4) Therefore, when conditions for satisfying this relationship are obtained, B (nΔt) and B ((n−
1) The difference from Δt) is obtained from the following equation (5).
【0036】[0036]
【数8】 (Equation 8)
【0037】(5)式よりA<1であれば、(4)式の
関係が満たされ、V(nΔt)が収束することがわか
る。またA=1の時は式(5)により B(nΔt)=B((n−1)Δt) となり、つまりV(nΔt)は線型に発散することがわ
かる。また、式(3)よりV(nΔt)の収束状況は、
パラメータA,Δt、およびτに依存することがわか
る。From equation (5), it can be seen that if A <1, the relationship of equation (4) is satisfied and V (nΔt) converges. Also, when A = 1, B (nΔt) = B ((n−1) Δt) according to equation (5), that is, V (nΔt) diverges linearly. From equation (3), the convergence state of V (nΔt) is
It can be seen that it depends on the parameters A, Δt, and τ.
【0038】式(3)より、任意時間における制御電圧
のドリフト量は、制御間隔Δt、固定バイアス電圧方式
で測定した緩和時間τと、固定バイアス電圧方式で測定
した、見かけの飽和ドリフト量(電圧単位)の印加バイ
アス電圧に対する比A、に依存することがわかった。そ
して、制御電圧のドリフトが発散せず、収束するための
条件は、式(5)より比A<1、つまり、固定バイアス
方式で得られる見かけの飽和ドリフト量(VC)が、印
加バイアス電圧(VB)よりも小さいことである。Δt
は、システムに依存するパラメータである。τは、温度
に依存するパラメータであり、温度加速係数が予めわか
っていれば、高温の加速環境下で測定したτの値に加速
係数を乗ずることにより、任意の温度でのドリフト量を
見積もることもできる。素子のドリフト特性を選別する
ための基準値として、少なくともA<1を示したが、こ
れとは別に、τが大きい素子ほどドリフトが遅いことは
明かである。したがって、当然、τの値も素子の選別基
準に使うことは可能である。From the equation (3), the drift amount of the control voltage at an arbitrary time can be calculated by the control interval Δt, the relaxation time τ measured by the fixed bias voltage method, and the apparent saturation drift amount (voltage) measured by the fixed bias voltage method. (Unit) applied to the applied bias voltage. The condition for the control voltage drift not to diverge but to converge is that the ratio A <1 according to equation (5), that is, the apparent saturation drift amount (VC) obtained by the fixed bias method is equal to the applied bias voltage (VC). VB). Δt
Is a system dependent parameter. τ is a temperature-dependent parameter.If the temperature acceleration coefficient is known in advance, the drift amount at an arbitrary temperature can be estimated by multiplying the value of τ measured in a high-temperature acceleration environment by the acceleration coefficient. Can also. At least A <1 was shown as a reference value for selecting the drift characteristics of the elements. However, it is clear that the element having a larger τ has a slower drift than the element. Therefore, it is of course possible to use the value of τ as a criterion for element selection.
【0039】図5に、式(3)に実際に値を代入して計
算した結果を示す。図1,図3の測定例に従い、τの値
を4時間とした。初期バイアス電圧は、素子の半波長電
圧に相当する3.5Vとし、Δtの値は、便宜上1時間
とし、Aの値が1,0.8,0.5,0.2,0.1の
場合について計算した。A=1の場合は、式(5)から
もわかるように、動作時間の経過に従い、必要となる制
御電圧(VB)は線形に増大し、発散してしまう。FIG. 5 shows the result of calculation by substituting actual values into the equation (3). According to the measurement examples of FIGS. 1 and 3, the value of τ was set to 4 hours. The initial bias voltage is 3.5 V corresponding to the half-wavelength voltage of the element, the value of Δt is 1 hour for convenience, and the value of A is 1, 0.8, 0.5, 0.2, 0.1. Calculated for the case. In the case of A = 1, the required control voltage (VB) linearly increases and diverges as the operation time elapses, as can be seen from Expression (5).
【0040】図6は、図5の関係を、動作時間をlog
スケールにとり直したものである。図5、および図6か
らわかるように、A<1であれば制御電圧は発散しない
が、より低い制御電圧の範囲、特に10V(初期バイア
スを含む)以内で素子を動作させるためには、A≦0.
5であることが好ましい。FIG. 6 shows the relationship of FIG.
It has been rescaled. As can be seen from FIGS. 5 and 6, the control voltage does not diverge if A <1, but in order to operate the device within a lower control voltage range, particularly within 10 V (including the initial bias), A ≦ 0.
It is preferably 5.
【0041】図7に、初期バイアス電圧:3.5V、緩
和時間:4時間、A=0.5の条件で、Δtの値を5〜
240分間の範囲で変化させて計算したときの動作時間
−動作電圧の関係を示す。Δtを大きくするほど、少な
くとも初期のドリフト電圧は小さくなる。したがって、
式(3)から制御電圧ドリフトの絶対量を見積もる場合
は、Δtをできる限り小さくして計算するのが安全であ
る。Δt→0として、式(3)を積分して一般式、ある
いは近似式を導いてもよい。FIG. 7 shows that the value of Δt was 5 to 5 under the conditions of an initial bias voltage: 3.5 V, a relaxation time: 4 hours, and A = 0.5.
The relationship between the operation time and the operation voltage when the calculation is performed by changing the change in the range of 240 minutes is shown. As Δt increases, at least the initial drift voltage decreases. Therefore,
When estimating the absolute amount of the control voltage drift from Expression (3), it is safe to make Δt as small as possible. Assuming that Δt → 0, Expression (3) may be integrated to derive a general expression or an approximate expression.
【0042】[0042]
【実施例】実際の測定例と、式(3)との対応を検討し
た。図1に示した素子サンプルは、Aの値がほぼ1で、
発散型のドリフトを示すため、A<1の素子を作製し
た。この素子は、図1に示したものと形態は同一であっ
たが、SiO2 バッファ層を、スパッタリング法ではな
く、真空蒸着法で作製した。EXAMPLE The correspondence between the actual measurement example and the equation (3) was examined. In the device sample shown in FIG. 1, the value of A is almost 1, and
In order to exhibit a divergent type drift, an element having A <1 was manufactured. This device had the same form as that shown in FIG. 1, but the SiO 2 buffer layer was produced not by sputtering but by vacuum evaporation.
【0043】図8は、雰囲気温度80℃で、バイアス電
圧5Vの固定バイアス電圧方式で測定した、DCドリフ
トである。ドリフトは最初負の方向に生じ、途中から図
8にみられるような正方向のドリフトに転じた。初期の
負方向のドリフト発生の原因は不明であるが、最終的に
は、分極現象等に基づくものと思われるドリフトが優勢
になるものと考えて、式(3)との対応を検討した。ド
リフトが一度負方向に起こるため、見かけの飽和ドリフ
ト量として、図8中に示したように、1.4V(A=
0.28)と2.3V(A=0.46)の二つが与えら
れた。FIG. 8 shows a DC drift measured by a fixed bias voltage method at an ambient temperature of 80 ° C. and a bias voltage of 5 V. The drift initially occurred in the negative direction, and turned into a drift in the positive direction from the middle as shown in FIG. Although the cause of the initial generation of the drift in the negative direction is unknown, it was considered that the drift presumably due to the polarization phenomenon or the like would eventually become dominant, and the correspondence with the equation (3) was examined. Since the drift occurs once in the negative direction, as an apparent saturation drift amount, as shown in FIG.
0.28) and 2.3 V (A = 0.46).
【0044】図8のドリフトの緩和時間は、図9に示す
ように、8.4時間であった。(プロットの傾きの逆
数)。The relaxation time of the drift in FIG. 8 was 8.4 hours as shown in FIG. (Reciprocal of the plot slope).
【0045】図10は、実際のシステム動作に近い形、
つまりドリフトによる動作点変化を補償するためにバイ
アス電圧を随時制御(5分間隔)していく方式で測定し
た制御電圧のドリフト値と、式(3)により計算した結
果の対応を示している。直線は、緩和時間=8.4時
間、A=0.46の場合、破線はA=0.28の条件
で、Δt=1時間として計算した結果である。初期バイ
アス電圧は、実測、計算いずれも3.5Vとした。式
(3)が多くの仮定をもとに導出した第一近似的なもの
であることを考慮すると、A=0.28の場合の計算と
実測値は、比較的よい一致をみせている。FIG. 10 is a diagram similar to the actual system operation.
That is, it shows the correspondence between the drift value of the control voltage measured by a method of controlling the bias voltage as needed (at 5-minute intervals) to compensate for the change of the operating point due to the drift, and the result calculated by the equation (3). The straight line is a result obtained by calculating Δt = 1 hour under the condition of A = 0.28 when the relaxation time = 8.4 hours and A = 0.46. The initial bias voltage was 3.5 V in both the actual measurement and the calculation. Considering that Equation (3) is a first approximation derived based on many assumptions, the calculation and the measured value in the case of A = 0.28 show relatively good agreement.
【0046】本例のように、Aの値の決め方に2通りあ
る場合は、仮に制御電圧上限値が決められた条件で、素
子選別のためのしきい値を判断するには、確認のため若
干の予備測定を行っておくことが好ましい。In the case where there are two ways of determining the value of A as in this example, the threshold for element selection is determined under the condition that the control voltage upper limit is determined. It is preferable to make some preliminary measurements.
【0047】[0047]
【発明の効果】導波路型の電気光学変調器素子の好適な
DC電圧ドリフト特性を有するものおよびその選別を行
う方法が提供された。According to the present invention, there is provided a waveguide type electro-optic modulator element having a preferable DC voltage drift characteristic and a method of selecting the same.
【図1】図1はTi:LiNbO3 製の導波路型マッハ
ツェンダー強度変調器素子について、固定バイアス連続
印加方式で測定したDCドリフトの一例を示すグラフ。FIG. 1 is a graph showing an example of DC drift of a waveguide type Mach-Zehnder intensity modulator device made of Ti: LiNbO 3 measured by a fixed bias continuous application method.
【図2】図2は温度70℃で、まず固定直流バイアス
(−5,1,4V:白ぬき記号で示してある)を連続し
て印加した状態におけるDC電圧ドリフトの一例、およ
びドリフトがほぼ飽和した段階で、印加していたバイア
スをゼロにして測定したドリフト(黒記号)の一例を示
すグラフ。FIG. 2 shows an example of a DC voltage drift in a state where a fixed DC bias (−5, 1, 4V: indicated by an open symbol) is continuously applied at a temperature of 70 ° C. The graph which shows an example of the drift (black symbol) measured by making the applied bias zero at the stage of saturation.
【図3】図3は、図1のデータを、動作時間tとlog
(V(∞)−V(t))の関係に直してプロットして示
したグラフ。FIG. 3 is a diagram showing the data of FIG.
A graph plotted by changing the relationship of (V (∞) -V (t)).
【図4】図4は実際の素子の制御方法と、固定バイアス
電圧方式で観察されるドリフト現象と制御電圧のドリフ
ト現象との関連性を示すグラフ。FIG. 4 is a graph showing the relationship between a drift phenomenon of a control voltage and a drift phenomenon observed in a fixed bias voltage method, and an actual element control method.
【図5】図5は動作時間と動作電圧との関係を式(3)
に実際に値を代入して計算した結果を示すグラフ。FIG. 5 is a graph showing a relationship between an operation time and an operation voltage according to an equation (3).
Is a graph showing the result of calculation by actually substituting values for.
【図6】図6は図5における動作時間−動作電圧の関係
において、動作時間をlogスケールにとり直したグラ
フ。FIG. 6 is a graph in which the operation time is changed to a log scale in the relation between the operation time and the operation voltage in FIG. 5;
【図7】図7は初期バイアス3.5V、緩和時間4時
間、A=0.5の条件で、Δtの値を5〜240分間ま
で変化させて計算したときの動作時間−動作電圧の関係
を示すグラフ。FIG. 7 is a relationship between operation time and operation voltage when the value of Δt is changed from 5 to 240 minutes under the conditions of an initial bias of 3.5 V, a relaxation time of 4 hours, and A = 0.5. A graph showing.
【図8】図8は雰囲気温度80℃で、バイアス電圧5V
の固定バイアス方式で測定したときの動作時間−DCド
リフト関係を示すグラフ。FIG. 8 shows an atmosphere temperature of 80 ° C. and a bias voltage of 5 V.
5 is a graph showing an operation time-DC drift relationship when measured by the fixed bias method of FIG.
【図9】図9は図8に示され、DCドリフトの緩和時間
を求めるための、動作時間−ln{V(∞)−V
(0)}関係を示すグラフ。FIG. 9 is an operation time for calculating a relaxation time of DC drift shown in FIG. 8, which is -ln {V (∞) -V;
(0) Graph showing the relationship.
【図10】図10は実際のシステム動作に近い形、つま
りドリフトによる位相変化を補償するためにバイアス電
圧を随時制御(5分間隔)していく方式で測定した制御
電圧のドリフトと、式(3)により計算した結果の対応
を示すための動作時間−動作電圧関係を示すグラフ。FIG. 10 shows a drift of the control voltage measured in a manner close to the actual system operation, that is, a method of controlling the bias voltage as needed (at 5-minute intervals) to compensate for a phase change due to the drift, and an equation ( 3 is a graph showing an operating time-operating voltage relationship for indicating the correspondence between the results calculated in 3).
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 荻原 淳一 千葉県船橋市豊富町585番地 住友セメ ント株式会社 中央研究所内 (72)発明者 箕輪 純一郎 千葉県船橋市豊富町585番地 住友セメ ント株式会社 中央研究所内 (56)参考文献 特開 平5−257105(JP,A) 特開 平4−346310(JP,A) 特開 平5−215927(JP,A) OPTICAL FIBER COM MUNICATION CONFERE NCE,1992 TECHNICAL D IGEST SERIES,VOL. 5,PP.325−328 (FEBRUAR Y 2−7,1992) M.SEINO ET.AL.,「A LOW DC−D RIFT TI:LINBO3 MOD ULATOR ASSURED OVE R 15 YEARS」 (58)調査した分野(Int.Cl.6,DB名) G02F 1/00 - 1/055 505 G02F 1/29 - 1/313 G02B 6/12 - 6/14──────────────────────────────────────────────────続 き Continuing from the front page (72) Inventor Junichi Ogihara 585 Tomicho, Funabashi-shi, Chiba Sumitomo Cement Co., Ltd. Central Research Laboratory (72) Inventor Junichiro Minowa 585 Tomicho-cho, Funabashi-shi, Chiba Sumitomo Cement (56) References JP-A-5-257105 (JP, A) JP-A-4-346310 (JP, A) JP-A-5-215927 (JP, A) OPTICAL FIBER COM MUNICATION CONFERENCE, 1992 TECHNICAL DIGEST SERIES, VOL. 5, PP. 325-328 (FEBRUARY 2-7, 1992). SEINO ET. AL. , "A LOW DC-D RIFT TI: LINBO3 MOD ULATOR ASSURED OVER R 15 YEARS" (58) Fields investigated (Int. Cl. 6 , DB name) G02F 1/00-1/055 505 G02F 1/29-1 / 313 G02B 6/12-6/14
Claims (2)
りも高く100℃以下の所定温度に保持し、これらの素
子に所定値の直流バイアス電圧を印加し、この電圧印加
された素子に光を入力し、この素子の出力光の動作点の
経時変化をモニターし、電圧ドリフト量の飽和値(V
C)と、前記印加された直流バイアス電圧(VB)との
比:A=VC/VBを算出し、この比Aとして1未満の
値を示す素子を選別することを特徴とする、印加直流電
圧のドリフトが制御されている導波路型電気光学素子の
選別方法。1. A plurality of waveguide-type electro-optical elements are maintained at a predetermined temperature higher than room temperature and equal to or lower than 100 ° C., and a DC bias voltage having a predetermined value is applied to these elements. Light is input, the change over time in the operating point of the output light of this element is monitored, and the saturation value (V
C) and calculating the ratio of the applied DC bias voltage (VB): A = VC / VB, and selecting an element having a value of less than 1 as the ratio A. For selecting a waveguide-type electro-optical element in which drift of the waveguide is controlled.
項1に記載の導波路型電気光学素子の選別方法。2. The method according to claim 1, wherein the value of the ratio A is 0.5 or less.
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