JP2784457B2 - 磁気抵抗センサ装置 - Google Patents
磁気抵抗センサ装置Info
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
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- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
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- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は高性能磁気ランダムアク
セス・ディスク装置、具体的には、スピンバルブ構成を
備えた磁気抵抗センサ装置を持つディスク装置に関す
る。
セス・ディスク装置、具体的には、スピンバルブ構成を
備えた磁気抵抗センサ装置を持つディスク装置に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】米国特許5,159,513にはスピンバルブ（s
pin valve）効果を利用した磁気抵抗検出器の記載があ
る。この検出器（以下センサ）は、ガラスあるいは他の
適切な基板上に付着された矩形の多層構造を持ってい
る。この多層構造は軟磁性体物質の「自由な」層（以下
自由層）と、第１の層に硬性の磁性体物質を使用する
か、あるいは、交換結合により第１層を固定するために
反強磁性体の層を使用することにより、磁化がセンサの
横幅方向に平行に「固定している」層（以下固定層）と
からなっている。自由層と固定層は、非磁性金属（例え
ば銅）の薄いスペーサ層によって隔てられている。自由
層は通常センサの長手方向に磁化されるが、検出中の磁
界の大きさで決まる角度で正または負の遷移方向に回転
することもできる。
pin valve）効果を利用した磁気抵抗検出器の記載があ
る。この検出器（以下センサ）は、ガラスあるいは他の
適切な基板上に付着された矩形の多層構造を持ってい
る。この多層構造は軟磁性体物質の「自由な」層（以下
自由層）と、第１の層に硬性の磁性体物質を使用する
か、あるいは、交換結合により第１層を固定するために
反強磁性体の層を使用することにより、磁化がセンサの
横幅方向に平行に「固定している」層（以下固定層）と
からなっている。自由層と固定層は、非磁性金属（例え
ば銅）の薄いスペーサ層によって隔てられている。自由
層は通常センサの長手方向に磁化されるが、検出中の磁
界の大きさで決まる角度で正または負の遷移方向に回転
することもできる。
【０００３】スピンバルブ構造では、抵抗の変化は、２
つの磁性層（自由層と固定層）の磁化方向の間の角度の
変化に比例する。さらに、一定のバックグラウンド値に
対するこの多層構造の抵抗の変化は、センサの高さで平
均したsin θに比例する。前述したように、θはセンサ
の長手軸に対しての自由層の磁化の角度である。抵抗の
変化がsinθに比例するので、センサによって得られた
信号は、小さな磁界即ちフィールド（以下同じ）の値に
対しては適用されたフィールド全体を通して線形であ
る。しかし、適用されたフィールドが正または負の偏位
運動をしている間に自由層が磁気的に飽和すると、セン
サ出力は非線形になり、センサが発生するピークからピ
ークの信号が制限される。
つの磁性層（自由層と固定層）の磁化方向の間の角度の
変化に比例する。さらに、一定のバックグラウンド値に
対するこの多層構造の抵抗の変化は、センサの高さで平
均したsin θに比例する。前述したように、θはセンサ
の長手軸に対しての自由層の磁化の角度である。抵抗の
変化がsinθに比例するので、センサによって得られた
信号は、小さな磁界即ちフィールド（以下同じ）の値に
対しては適用されたフィールド全体を通して線形であ
る。しかし、適用されたフィールドが正または負の偏位
運動をしている間に自由層が磁気的に飽和すると、セン
サ出力は非線形になり、センサが発生するピークからピ
ークの信号が制限される。
【０００４】センサにとって理想的な静止した磁性状態
は、自由層の高さ全体に対してθ＝０のときに達成され
る。理想的静止状態とは、正および負のフィールド励起
下において磁気飽和から最も遠い状態である。その状態
のときに、より大きな信号出力、および／または、向上
した直線性を供する線形ダイナミック・レンジを最大に
する理想的バイアス・プロファイルが生成される。しか
し、この理想的バイアス・プロファイルは、上述の米国
特許あるいは公知の技術のスピンバルブ構造では達成で
きない。理想的なバイアス・プロファイルが得られない
主な理由は、固定層と自由層との間の磁束結合、およ
び、スピンバルブ構造の各種の層を通って流れる電流に
よって生じるフィールドのためである。電流の方向を調
整し、ギャップにスピンバルブ構造を置くことによっ
て、これらの望ましくない効果を相殺する試みが行われ
ているが、結果は均一性を欠くバイアス・プロファイル
が得られただけである。
は、自由層の高さ全体に対してθ＝０のときに達成され
る。理想的静止状態とは、正および負のフィールド励起
下において磁気飽和から最も遠い状態である。その状態
のときに、より大きな信号出力、および／または、向上
した直線性を供する線形ダイナミック・レンジを最大に
する理想的バイアス・プロファイルが生成される。しか
し、この理想的バイアス・プロファイルは、上述の米国
特許あるいは公知の技術のスピンバルブ構造では達成で
きない。理想的なバイアス・プロファイルが得られない
主な理由は、固定層と自由層との間の磁束結合、およ
び、スピンバルブ構造の各種の層を通って流れる電流に
よって生じるフィールドのためである。電流の方向を調
整し、ギャップにスピンバルブ構造を置くことによっ
て、これらの望ましくない効果を相殺する試みが行われ
ているが、結果は均一性を欠くバイアス・プロファイル
が得られただけである。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】従って、スピンバルブ
構造を備えた磁気抵抗センサ要素を持ち、強磁性交換結
合、及び、電流により発生されたフィールドが、磁気抵
抗センサ要素全体にわたって一定であり、その結果これ
らの影響が適切に相殺できる磁気ディスク記憶装置が必
要である。
構造を備えた磁気抵抗センサ要素を持ち、強磁性交換結
合、及び、電流により発生されたフィールドが、磁気抵
抗センサ要素全体にわたって一定であり、その結果これ
らの影響が適切に相殺できる磁気ディスク記憶装置が必
要である。
【０００６】
【課題を解決するための手段】以下に、非磁性金属物質
の薄層で隔てられ、強磁性体物質の第１および第２の薄
層を有する層状のスピンバルブ構造を備えた磁気抵抗セ
ンサを有する磁気抵抗センサ装置を記述する。ゼロ印加
磁界（zero applied magnetic field）における第１層
の磁化方向は、磁気抵抗センサの長手方向に実質的に平
行で、第２層の固定された磁化方向に実質的に垂直であ
る。
の薄層で隔てられ、強磁性体物質の第１および第２の薄
層を有する層状のスピンバルブ構造を備えた磁気抵抗セ
ンサを有する磁気抵抗センサ装置を記述する。ゼロ印加
磁界（zero applied magnetic field）における第１層
の磁化方向は、磁気抵抗センサの長手方向に実質的に平
行で、第２層の固定された磁化方向に実質的に垂直であ
る。
【０００７】強磁性体の薄いキーパ層（keeper layer）
は、層状のスピンバルブ構造から薄いスペーサ層によっ
て隔てられている。このキーパ層は第２層の磁化方向と
実質的に逆の固定磁化方向を持っていて、第２層からの
静磁界を相殺するため、第２層のものに実質的に等しい
モーメントと厚さの積 （momentーthickness product）
を持っている。磁気抵抗センサを介して電流が発生し、
第１層と第２層の間の強磁性体交換結合を相殺する符号
（sign）と大きさの磁界ができる。第１層と第２層の磁
化の回転の差による磁気抵抗センサの抵抗の変動が、磁
界の関数として検出される。
は、層状のスピンバルブ構造から薄いスペーサ層によっ
て隔てられている。このキーパ層は第２層の磁化方向と
実質的に逆の固定磁化方向を持っていて、第２層からの
静磁界を相殺するため、第２層のものに実質的に等しい
モーメントと厚さの積 （momentーthickness product）
を持っている。磁気抵抗センサを介して電流が発生し、
第１層と第２層の間の強磁性体交換結合を相殺する符号
（sign）と大きさの磁界ができる。第１層と第２層の磁
化の回転の差による磁気抵抗センサの抵抗の変動が、磁
界の関数として検出される。
【０００８】第１層がキーパ層と第２層の間にある場合
には、キーパ層は硬性あるいは軟性の強磁性体のどちら
でもよい。第２層がキーパ層と第１層の間にある場合に
は、キーパ層は硬性の強磁性体でなければならない。
には、キーパ層は硬性あるいは軟性の強磁性体のどちら
でもよい。第２層がキーパ層と第１層の間にある場合に
は、キーパ層は硬性の強磁性体でなければならない。
【０００９】図１は、前述の従来技術のスピンバルブ構
造を持つ磁気読み取りヘッドによって発生された磁気プ
ロファイルを示したもので、エア・ベアリング表面から
始まるセンサの高さに対するsinθの値をプロットした
ものである。磁化プロファイルＡとＢは、それぞれ、デ
ィスク上の磁化遷移の検出中の正および負の励起の間に
発生した磁化プロファイルを示す。中央の線Ｃは静止し
たバイアス状態を示し、最適な磁気プロファイルを示
す。励起のぞれぞれの極性のある特定のポイント、即ち
sinθ＝±１のところで、自由層は飽和し始める。
造を持つ磁気読み取りヘッドによって発生された磁気プ
ロファイルを示したもので、エア・ベアリング表面から
始まるセンサの高さに対するsinθの値をプロットした
ものである。磁化プロファイルＡとＢは、それぞれ、デ
ィスク上の磁化遷移の検出中の正および負の励起の間に
発生した磁化プロファイルを示す。中央の線Ｃは静止し
たバイアス状態を示し、最適な磁気プロファイルを示
す。励起のぞれぞれの極性のある特定のポイント、即ち
sinθ＝±１のところで、自由層は飽和し始める。
【００１０】図２は、図１のスピンバルブ・センサの転
送曲線を示したもので、検出中の磁界に対してのsinθ
の変化の平均をプロットしたものである。この構成は、
飽和が始まる前に、ピークからピークの変動のsinθが
0.77で最大になる。曲線は飽和が始まると急に非線形に
なり、ピークからピークの信号が制限されたものにな
る。
送曲線を示したもので、検出中の磁界に対してのsinθ
の変化の平均をプロットしたものである。この構成は、
飽和が始まる前に、ピークからピークの変動のsinθが
0.77で最大になる。曲線は飽和が始まると急に非線形に
なり、ピークからピークの信号が制限されたものにな
る。
【００１１】
【実施例】図３に本発明による、スピンドル１２に支持
され、ディスクドライブ・モータ１３によって回転する
磁気ディスク１１を有する磁気ディスク記憶装置１０を
示す。磁気誘導書き込みおよび磁気抵抗読み取りの複合
ヘッド１４が、アクチュエータ手段によってディスク面
に対して動くようにとりつけられ、ディスク上のトラッ
クの磁気データを読み書きする。アクチュエータ手段
は、アクチュエータ・アーム１６、ボイスコイル・モー
タ１５、サスペンション１７、およびスライダ１８を介
して、ヘッド１４をディスク上を放射状に動かす。
され、ディスクドライブ・モータ１３によって回転する
磁気ディスク１１を有する磁気ディスク記憶装置１０を
示す。磁気誘導書き込みおよび磁気抵抗読み取りの複合
ヘッド１４が、アクチュエータ手段によってディスク面
に対して動くようにとりつけられ、ディスク上のトラッ
クの磁気データを読み書きする。アクチュエータ手段
は、アクチュエータ・アーム１６、ボイスコイル・モー
タ１５、サスペンション１７、およびスライダ１８を介
して、ヘッド１４をディスク上を放射状に動かす。
【００１２】複合ヘッド１４は、図４に示すように矩形
の磁気抵抗センサ要素２０を持っている。磁気抵抗セン
サ要素２０は、ガラス、セラミック、あるいは、適切な
半導体物質の基板２２の上に、硬性の（例えばCoCr）あ
るいは軟性の（例えばNiFe）強磁性体の磁束キーパ層
（flux keeper layer）２４、非磁性物質（例えばTa）
のスペーサ層２６、および、軟性の強磁性体（例えばNi
Fe）の自由層２８を付着させたものである。自由層２８
の磁化容易方向はセンサ要素の長辺に沿い、即ち、矢印
３０の方向である。しかし、層２８の磁化方向は、検出
中の磁界の大きさによる角度により、その磁化容易方向
から正または負の遷移方向に回転し得る。
の磁気抵抗センサ要素２０を持っている。磁気抵抗セン
サ要素２０は、ガラス、セラミック、あるいは、適切な
半導体物質の基板２２の上に、硬性の（例えばCoCr）あ
るいは軟性の（例えばNiFe）強磁性体の磁束キーパ層
（flux keeper layer）２４、非磁性物質（例えばTa）
のスペーサ層２６、および、軟性の強磁性体（例えばNi
Fe）の自由層２８を付着させたものである。自由層２８
の磁化容易方向はセンサ要素の長辺に沿い、即ち、矢印
３０の方向である。しかし、層２８の磁化方向は、検出
中の磁界の大きさによる角度により、その磁化容易方向
から正または負の遷移方向に回転し得る。
【００１３】非磁性金属物質（例えば銅）のスペーサ層
３２によって、自由層２８と固定層３４とが隔てられて
いる。層３４の磁化方向は、例えば反強磁性体の層３８
との交換結合によって、センサ要素２０の高さの寸法
（即ち短い寸法）の方向に平行に固定されている（矢印
３６）。この場合、キーパ層２４の飽和保磁力は、固定
層３４の飽和保磁力と実質的に等しく、また、自由層２
８のそれより実質的に高くすべきである。しかし、層３
４が十分に硬性の磁性物質であるか、あるいは、状態切
り換え動作中に磁化を保持できるだけの十分に高い異方
性があるならば、層３８をなくしてもよい。この場合、
キーパ層２４の飽和保磁力は、自由層２８の飽和保磁力
と実質的に等しく、固定層３４のそれより実質的に低く
なければならない。
３２によって、自由層２８と固定層３４とが隔てられて
いる。層３４の磁化方向は、例えば反強磁性体の層３８
との交換結合によって、センサ要素２０の高さの寸法
（即ち短い寸法）の方向に平行に固定されている（矢印
３６）。この場合、キーパ層２４の飽和保磁力は、固定
層３４の飽和保磁力と実質的に等しく、また、自由層２
８のそれより実質的に高くすべきである。しかし、層３
４が十分に硬性の磁性物質であるか、あるいは、状態切
り換え動作中に磁化を保持できるだけの十分に高い異方
性があるならば、層３８をなくしてもよい。この場合、
キーパ層２４の飽和保磁力は、自由層２８の飽和保磁力
と実質的に等しく、固定層３４のそれより実質的に低く
なければならない。
【００１４】上述したセンサ要素２０は、キーパ層２４
とスペーサ層２６をスピンバルブ構造に追加した点以外
では、先述の米国特許のセンサ要素と基本的に同じもの
である。
とスペーサ層２６をスピンバルブ構造に追加した点以外
では、先述の米国特許のセンサ要素と基本的に同じもの
である。
【００１５】本発明では、磁気キーパ層２４は、固定層
３４の磁化方向とは逆の磁化方向を持ち、そのモーメン
トと厚さの積は、固定層３４のそれと実質的に等しいも
のが選択される。層２４は飽和した固定層３４に対し磁
気を保つキーパ層の役目をし、固定層からの静磁界を相
殺する。
３４の磁化方向とは逆の磁化方向を持ち、そのモーメン
トと厚さの積は、固定層３４のそれと実質的に等しいも
のが選択される。層２４は飽和した固定層３４に対し磁
気を保つキーパ層の役目をし、固定層からの静磁界を相
殺する。
【００１６】自由層２８と固定層３４の間の強磁性交換
結合は、自由層の上で、固定層の磁化と同じ方向の有効
フィールドとしてはたらく。
結合は、自由層の上で、固定層の磁化と同じ方向の有効
フィールドとしてはたらく。
【００１７】電源４８（図５）からの電流の符号は、自
由層２８にフィールドを生成するように選択され、この
交換フィールドが相殺される。従って、図示したよう
に、電流は、自由層２８の上にはたらくフィールドが、
有効強磁性交換フィールドの方向の逆になるように、矢
印４０の方向でなくてはならない。電流からのフィール
ドの大きさは、電流の大きさと、読み返し信号の解像度
を減らす漂遊磁束の効果を最小にする通常の磁気シール
ド（図示せず）の間のギャップに置かれたセンサ要素２
０の場所／配置に依存する。有効交換フィールドを相殺
する所望の度合いを発生させるために、電流の大きさと
センサ要素の配置位置とを適切に組み合わせて調整する
ことができる。
由層２８にフィールドを生成するように選択され、この
交換フィールドが相殺される。従って、図示したよう
に、電流は、自由層２８の上にはたらくフィールドが、
有効強磁性交換フィールドの方向の逆になるように、矢
印４０の方向でなくてはならない。電流からのフィール
ドの大きさは、電流の大きさと、読み返し信号の解像度
を減らす漂遊磁束の効果を最小にする通常の磁気シール
ド（図示せず）の間のギャップに置かれたセンサ要素２
０の場所／配置に依存する。有効交換フィールドを相殺
する所望の度合いを発生させるために、電流の大きさと
センサ要素の配置位置とを適切に組み合わせて調整する
ことができる。
【００１８】固定層３４からの静磁界がキーパ層２４に
より相殺され、強磁性交換および検出電流フィールドも
相殺されているので、自由層２８には、その上にはたら
く有効バイアスフィールドが存在しない。従って、自由
層２８は、均一でバイアスのない（即ち実質的に角度ゼ
ロのバイアス）状態を達成する。その結果、センサ要素
２０は、磁気飽和する前に、磁気ディスク１１からのよ
り大きな励起によって駆動され、これにより、従来技術
の磁気抵抗センサで可能であったよりも大きなピークか
らピークの信号を供することができる。
より相殺され、強磁性交換および検出電流フィールドも
相殺されているので、自由層２８には、その上にはたら
く有効バイアスフィールドが存在しない。従って、自由
層２８は、均一でバイアスのない（即ち実質的に角度ゼ
ロのバイアス）状態を達成する。その結果、センサ要素
２０は、磁気飽和する前に、磁気ディスク１１からのよ
り大きな励起によって駆動され、これにより、従来技術
の磁気抵抗センサで可能であったよりも大きなピークか
らピークの信号を供することができる。
【００１９】図４で示したセンサ要素２０では、キーパ
層２４は基板２２に隣接しており、前述したように、キ
ーパ層２４は軟性の強磁性体あるいは硬性の強磁性体の
どちらでもよい。矢印４０の方向の電流からの磁界によ
り、固定層３４との磁束閉構成（flux closed configur
ation）において、軟磁性体のキーパ層が飽和される。
しかし、一方、キーパ層が硬性の磁性体であれば、図４
の矢印４１に示すように、キーパ層は、固定層の磁化方
向と逆の磁化方向を持たなければならない。磁性体が軟
性か硬性かは、磁性体の磁化方向を変えやすいか否かと
いう相対的な違いであり、基本的には、物質の異方性フ
ィールド（Hk）、飽和保磁力（Hc）、および、より少な
い度合いであるが、残留磁気（Mr）に関連する。硬性の
磁性体は基本的には永久磁石で、高い飽和保磁力を持
ち、異方性フィールドも比較的高い。これに対し、軟性
の磁性体は飽和保磁力が低く異方性フィールドも低い。
ある物質の残留磁気量は所望の用途でのその物質の目的
によって定めることができる。硬性の磁性体はある程度
の残留磁気量を持つことができるが、軟性の磁性体は残
留磁気を持つことができないか、持ててもごく僅かであ
る。
層２４は基板２２に隣接しており、前述したように、キ
ーパ層２４は軟性の強磁性体あるいは硬性の強磁性体の
どちらでもよい。矢印４０の方向の電流からの磁界によ
り、固定層３４との磁束閉構成（flux closed configur
ation）において、軟磁性体のキーパ層が飽和される。
しかし、一方、キーパ層が硬性の磁性体であれば、図４
の矢印４１に示すように、キーパ層は、固定層の磁化方
向と逆の磁化方向を持たなければならない。磁性体が軟
性か硬性かは、磁性体の磁化方向を変えやすいか否かと
いう相対的な違いであり、基本的には、物質の異方性フ
ィールド（Hk）、飽和保磁力（Hc）、および、より少な
い度合いであるが、残留磁気（Mr）に関連する。硬性の
磁性体は基本的には永久磁石で、高い飽和保磁力を持
ち、異方性フィールドも比較的高い。これに対し、軟性
の磁性体は飽和保磁力が低く異方性フィールドも低い。
ある物質の残留磁気量は所望の用途でのその物質の目的
によって定めることができる。硬性の磁性体はある程度
の残留磁気量を持つことができるが、軟性の磁性体は残
留磁気を持つことができないか、持ててもごく僅かであ
る。
【００２０】図５に示すように、高抵抗性物質（例えば
Ta）のキャップ層４２が、磁気抵抗センサ要素２０の反
強磁性体層３８の上に付着される。次に、電気的引き出
し部４４と４６がキャップ層４２の上に作られ、磁気抵
抗センサ要素２０、電源４８、および、検出手段５０の
間の回路が形成される。
Ta）のキャップ層４２が、磁気抵抗センサ要素２０の反
強磁性体層３８の上に付着される。次に、電気的引き出
し部４４と４６がキャップ層４２の上に作られ、磁気抵
抗センサ要素２０、電源４８、および、検出手段５０の
間の回路が形成される。
【００２１】電源４８から磁気抵抗センサ要素２０を介
して電流が流れ、自由層２８と固定層３４の間の強磁性
交換結合を相殺する大きさと強さの磁界が発生する。検
出手段５０は、検出される磁界の関数として、自由層２
８および固定層３４それぞれの磁化の回転の差による磁
気抵抗センサ要素２０の抵抗の変動を検出する。
して電流が流れ、自由層２８と固定層３４の間の強磁性
交換結合を相殺する大きさと強さの磁界が発生する。検
出手段５０は、検出される磁界の関数として、自由層２
８および固定層３４それぞれの磁化の回転の差による磁
気抵抗センサ要素２０の抵抗の変動を検出する。
【００２２】図６に、本発明の別の具体化のセンサ要素
２０’を示す。ここでは、キーパ層２４とスペーサ層２
６が基板２２から離れて（隣接ではなく）位置してい
る。この場合、矢印４０の方向の電流が、固定層３４の
磁化方向と同じ方向のフィールドをキーパ層２４の中に
発生させるので、キーパ層２４は固定層３４の飽和保磁
力と実質的に同じ飽和保磁力を持つ硬性の磁性体物質
（例えばCoCr）であるか、あるいは、高い異方性を持つ
物質であるか、あるいは、このフィールドに対抗する反
対方向の磁化を保持するように適切に固定されなければ
ならない。この具体化では、キャップ層４２は、キーパ
層２４および引き出し部４４と４６の間に置かれる。
２０’を示す。ここでは、キーパ層２４とスペーサ層２
６が基板２２から離れて（隣接ではなく）位置してい
る。この場合、矢印４０の方向の電流が、固定層３４の
磁化方向と同じ方向のフィールドをキーパ層２４の中に
発生させるので、キーパ層２４は固定層３４の飽和保磁
力と実質的に同じ飽和保磁力を持つ硬性の磁性体物質
（例えばCoCr）であるか、あるいは、高い異方性を持つ
物質であるか、あるいは、このフィールドに対抗する反
対方向の磁化を保持するように適切に固定されなければ
ならない。この具体化では、キャップ層４２は、キーパ
層２４および引き出し部４４と４６の間に置かれる。
【００２３】図７は、上述の両具体化での、スピンバル
ブ構造を持つ磁気抵抗センサ要素の転送曲線を示す。こ
の曲線は、検出している磁界に対するsinθの平均をプ
ロットしたもので、ピークからピークの信号変化の最大
値が0.77（図２に示した従来技術）から1.02に向上した
ことを示している。シールドされたスピンバルブを備え
たディスクのエア・ベアリング表面で、平均sinθ＝１
が、達成できる最良のものであることが実証された。上
記では、説明を簡単にするために、１つのディスクを備
えた磁気ディスク記憶装置での具体化を示したが、複数
のディスクを備えた装置でも具体化できるものである。
ブ構造を持つ磁気抵抗センサ要素の転送曲線を示す。こ
の曲線は、検出している磁界に対するsinθの平均をプ
ロットしたもので、ピークからピークの信号変化の最大
値が0.77（図２に示した従来技術）から1.02に向上した
ことを示している。シールドされたスピンバルブを備え
たディスクのエア・ベアリング表面で、平均sinθ＝１
が、達成できる最良のものであることが実証された。上
記では、説明を簡単にするために、１つのディスクを備
えた磁気ディスク記憶装置での具体化を示したが、複数
のディスクを備えた装置でも具体化できるものである。
【００２４】
【発明の効果】本発明は、スピンバルブ構造にキーパ層
とスペーサ層を追加し、これにより、センサ要素が磁気
ディスクからのより大きな励起によって駆動され、従来
技術で可能であったよりも、より大きなピークからピー
クの信号変化を供する磁気抵抗センサ装置、およびそれ
を使用した高性能磁気ディスク装置を提供するものであ
る。
とスペーサ層を追加し、これにより、センサ要素が磁気
ディスクからのより大きな励起によって駆動され、従来
技術で可能であったよりも、より大きなピークからピー
クの信号変化を供する磁気抵抗センサ装置、およびそれ
を使用した高性能磁気ディスク装置を提供するものであ
る。
【図１】従来技術のスピンバルブ構造の磁化プロファイ
ルの曲線。
ルの曲線。
【図２】図１のスピンバルブ・センサの転送曲線。
【図３】本発明を具体化した磁気ディスク記憶装置。
【図４】本発明具体化の磁気抵抗センサの１つの構成を
示す透視図。
示す透視図。
【図５】図４のセンサを持った磁気抵抗センサ装置。
【図６】本発明具体化の、もう１つの磁気抵抗センサ構
成を示す透視図。
成を示す透視図。
【図７】本発明によって構成されたスピンバルブ・セン
サで得られる転送曲線。
サで得られる転送曲線。
１０ 磁気ディスク記憶装置 １１ 磁気ディスク １２ スピンドル １３ ディスク駆動モータ １４ 読み取り／書き取り複合ヘ
ッド １５ ボイスコイル・モータ １６ アクチュエータ・アーム １７ サスペンション １８ スライダー ２０ 磁気抵抗センサ要素 ２２ 基板 ２４ 磁束キーパ層 ２６、３２ スペーサ層 ２８ 自由層 ３４ 固定層 ３８ 反強磁性体層 ３０、３６、４０、４１ 磁化方向 ４２ キャップ層 ４４、４６ 引き出し部 ４８ 電源 ５０ 検出手段
ッド １５ ボイスコイル・モータ １６ アクチュエータ・アーム １７ サスペンション １８ スライダー ２０ 磁気抵抗センサ要素 ２２ 基板 ２４ 磁束キーパ層 ２６、３２ スペーサ層 ２８ 自由層 ３４ 固定層 ３８ 反強磁性体層 ３０、３６、４０、４１ 磁化方向 ４２ キャップ層 ４４、４６ 引き出し部 ４８ 電源 ５０ 検出手段
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 デイビッド ユージーン ヘイム アメリカ合衆国 94062 カリフォルニ ア州 レッドウッドシティー グランド ストリート 502 (72)発明者 ポー・カン ワン アメリカ合衆国 95120 カリフォルニ ア州 サンホゼ シャドウブルックドラ イブ 1007 (56)参考文献 特開 平４−358310（ＪＰ，Ａ) 特開 平５−258248（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) G11B 5/39
Claims (9)
- 【請求項１】 層状のスピンバルブ構造を備えた磁気抵
抗センサが、非磁性の導電性金属物質の薄層によって隔
てられた第１と第２の強磁性物質の薄層を有し、ゼロ印
加磁界において上記第１層の磁化方向が上記磁気抵抗セ
ンサの長手軸に実質的に平行で且つ上記第２層の固定磁
化方向に実質的に垂直であり、さらに、上記層状のスピ
ンバルブ構造から非磁性の高抵抗性物質の薄いスペーサ
層によって隔てられ、上記第２層の磁化方向とは実質的
に逆の固定磁化方向を持ち且つ上記第２層からの静磁界
を相殺するために上記第２層のものに実質的に等しい磁
気モーメントと厚さの積を持つ強磁性物質の薄いキーパ
層を有する上記磁気抵抗センサと、 上記第１及び第２の層の間の強磁性交換結合によって生
ぜられる磁界を相殺する方向と大きさの磁界を生ずるよ
うに、上記磁気抵抗センサの少なくとも１つの層を通し
て電流を流す手段と、 上記第１及び第２の層における磁界の回転の差に起因す
る上記磁気抵抗センサの抵抗の変動を、検出される磁界
の関数として検出する手段と、 を有する磁気抵抗センサ装置。 - 【請求項２】 上記磁気抵抗センサが基板を持ち、上記
キーパ層が、上記第２層の飽和保磁力と実質的に等しく
且つ上記第１層の飽和保磁力より実質的に高い飽和保磁
力を持ち、上記基板と上記第１層の間に配置された請求
項１に記載の磁気抵抗センサ装置。 - 【請求項３】 上記磁気抵抗センサが基板を持ち、上記
キーパ層が、上記第１層の飽和保磁力と実質的に等しく
且つ上記第２層の飽和保磁力より実質的に低い飽和保磁
力を持ち、上記基板と上記第１層の間に配置された請求
項１に記載の磁気抵抗センサ装置。 - 【請求項４】 上記第２層が上記第１層と上記キーパ層
の間に配置され、上記キーパ層が上記第２層の飽和保磁
力と実質的に等しい飽和保磁力を持つ磁性物質でできて
いる請求項１に記載の磁気抵抗センサ装置。 - 【請求項５】 磁気抵抗センサであって、 非磁性の導電性金属物質の薄層によって隔てられた強磁
性物質の第１及び第２の薄層を有し、ゼロ印加磁界にお
いて上記第１層の磁化方向が上記磁気抵抗センサの長手
軸と実質的に平行で且つ上記第２層の固定磁化方向に実
質的に垂直である、層状のスピンバルブ構造と、 非磁性の高抵抗性物質の薄いスペーサ層と、 上記層状のスピンバルブ構造から上記スペーサ層によっ
て隔てられ、上記第２層の磁化方向とは実質的に逆の固
定磁化方向を持ち且つ上記第２層からの静磁界を相殺す
るために上記第２層のものに実質的に等しい磁気モーメ
ントと厚さの積を持つ、強磁性物質の薄いキーパ層と、 を有する磁気抵抗センサ。 - 【請求項６】 基板を持ち、上記キーパ層が上記第２層
の飽和保磁力と実質的に等しく且つ上記第１層の飽和保
磁力より実質的に高い飽和保磁力を持ち、上記基板と第
１層の間に配置された請求項５に記載の磁気抵抗セン
サ。 - 【請求項７】 基板を持ち、上記キーパ層が上記第１層
の飽和保磁力と実質的に等しく且つ上記第２層の飽和保
磁力より実質的に低い飽和保磁力を持ち、上記基板と第
１層の間に配置された請求項５に記載の磁気抵抗セン
サ。 - 【請求項８】 上記第２層が上記第１層と上記キーパ層
の間に配置され、上記キーパ層が上記第２層の飽和保磁
力と実質的に等しい飽和保磁力を持つ磁性物質でできて
いる請求項５に記載の磁気抵抗センサ。 - 【請求項９】 データの書き込みと読み取りができる少
なくとも１つの磁気記憶ディスクと、 上記ディスクの各々に関連して設けられ、各々が一の磁
気抵抗センサを備えた少なくとも１つの磁気トランスデ
ューサとを有し、 上記磁気抵抗センサの各々が、非磁性の導電性金属物質
の薄層によって隔てられた第１と第２の強磁性物質の薄
層を有する層状のスピンバルブ構造を備え、ゼロ印加磁
界において上記第１層の磁化方向が上記磁気抵抗センサ
の長手軸に実質的に平行で且つ上記第２層の固定磁化方
向に実質的に垂直であり、さらに、上記層状のスピンバ
ルブ構造から非磁性の高抵抗性物質の薄いスペーサ層に
よって隔てられ、上記第２層の磁化方向とは実質的に逆
の固定磁化方向を持ち且つ上記第２層からの静磁界を相
殺するために上記第２層のものに実質的に等しい磁気モ
ーメントと厚さの積を持つ強磁性物質の薄いキーパ層を
有し、 さらに、上記磁気トランスデューサに接続され、回転し
ている上記ディスクに対して上記トランスデューサを駆
動するアクチュエータ手段と、 上記第１及び第２の層の間の強磁性交換結合を相殺する
方向と大きさの磁界を生ずるように、上記磁気抵抗セン
サの少なくとも１つの層を通して電流を流す手段と、 上記ディスクから読み取ったデータから、検出される磁
界の関数として、上記第１及び第２の層における磁界の
回転の差に起因する上記磁気抵抗センサの抵抗の変動を
検出する手段と、 を有する磁気記憶装置。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US7661793A | 1993-06-11 | 1993-06-11 | |
| US08/076,617 | 1993-06-11 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0855312A JPH0855312A (ja) | 1996-02-27 |
| JP2784457B2 true JP2784457B2 (ja) | 1998-08-06 |
Family
ID=22133169
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6106322A Expired - Fee Related JP2784457B2 (ja) | 1993-06-11 | 1994-04-22 | 磁気抵抗センサ装置 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5508867A (ja) |
| EP (1) | EP0628835A3 (ja) |
| JP (1) | JP2784457B2 (ja) |
| SG (1) | SG44674A1 (ja) |
Families Citing this family (64)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2722918B1 (fr) * | 1994-07-21 | 1996-08-30 | Commissariat Energie Atomique | Capteur a magnetoresistance multicouche autopolarisee |
| US5898546A (en) * | 1994-09-08 | 1999-04-27 | Fujitsu Limited | Magnetoresistive head and magnetic recording apparatus |
| US5991125A (en) * | 1994-09-16 | 1999-11-23 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Magnetic head |
| EP0731969B1 (en) * | 1994-10-05 | 1999-12-01 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Magnetic multilayer device including a resonant-tunneling double-barrier structure |
| FR2729790A1 (fr) * | 1995-01-24 | 1996-07-26 | Commissariat Energie Atomique | Magnetoresistance geante, procede de fabrication et application a un capteur magnetique |
| US5608593A (en) * | 1995-03-09 | 1997-03-04 | Quantum Peripherals Colorado, Inc. | Shaped spin valve type magnetoresistive transducer and method for fabricating the same incorporating domain stabilization technique |
| JP3629309B2 (ja) * | 1995-09-05 | 2005-03-16 | アルプス電気株式会社 | 薄膜磁気ヘッド |
| US5585986A (en) * | 1995-05-15 | 1996-12-17 | International Business Machines Corporation | Digital magnetoresistive sensor based on the giant magnetoresistance effect |
| US5768067A (en) | 1995-09-19 | 1998-06-16 | Alps Electric Co., Ltd. | Magnetoresistive head using exchange anisotropic magnetic field with an antiferromagnetic layer |
| US5835003A (en) * | 1995-09-29 | 1998-11-10 | Hewlett-Packard Company | Colossal magnetoresistance sensor |
| EP0768642A3 (en) * | 1995-10-13 | 1998-12-16 | Read-Rite Corporation | Magnetic head with biased GMR element and sense current compensation |
| KR100246550B1 (ko) * | 1995-10-15 | 2000-03-15 | 가네꼬 히사시 | 자기 저항 효과 소자 |
| KR100262282B1 (ko) * | 1996-04-30 | 2000-10-02 | 니시무로 타이죠 | 자기 저항 효과 소자 |
| US5742162A (en) * | 1996-07-17 | 1998-04-21 | Read-Rite Corporation | Magnetoresistive spin valve sensor with multilayered keeper |
| US5705973A (en) * | 1996-08-26 | 1998-01-06 | Read-Rite Corporation | Bias-free symmetric dual spin valve giant magnetoresistance transducer |
| US5739988A (en) * | 1996-09-18 | 1998-04-14 | International Business Machines Corporation | Spin valve sensor with enhanced magnetoresistance |
| JP3291208B2 (ja) | 1996-10-07 | 2002-06-10 | アルプス電気株式会社 | 磁気抵抗効果型センサおよびその製造方法とそのセンサを備えた磁気ヘッド |
| US5715120A (en) * | 1996-10-09 | 1998-02-03 | International Business Machines Corporation | Magnetoresistance sensor with enhanced magnetoresistive effect |
| US5796561A (en) * | 1996-11-27 | 1998-08-18 | International Business Machines Corporation | Self-biased spin valve sensor |
| US5768069A (en) * | 1996-11-27 | 1998-06-16 | International Business Machines Corporation | Self-biased dual spin valve sensor |
| US6118622A (en) * | 1997-05-13 | 2000-09-12 | International Business Machines Corporation | Technique for robust resetting of spin valve head |
| US5825595A (en) * | 1997-05-13 | 1998-10-20 | International Business Machines Corporation | Spin valve sensor with two spun values separated by an insulated current conductor |
| US5748399A (en) * | 1997-05-13 | 1998-05-05 | International Business Machines Corporation | Resettable symmetric spin valve |
| JP2985964B2 (ja) * | 1997-06-30 | 1999-12-06 | 日本電気株式会社 | 磁気抵抗効果型ヘッド及びその初期化方法 |
| US5867351A (en) * | 1997-07-25 | 1999-02-02 | International Business Machines Corporation | Spin valve read head with low moment, high coercivity pinning layer |
| US6061210A (en) * | 1997-09-22 | 2000-05-09 | International Business Machines Corporation | Antiparallel pinned spin valve with high magnetic stability |
| US5880913A (en) * | 1997-10-27 | 1999-03-09 | International Business Machines Corporation | Antiparallel pinned spin valve sensor with read signal symmetry |
| US6108166A (en) * | 1998-03-12 | 2000-08-22 | Read-Rite Corporation | Current-pinned spin valve sensor |
| US6175475B1 (en) | 1998-05-27 | 2001-01-16 | International Business Machines Corporation | Fully-pinned, flux-closed spin valve |
| US6117569A (en) * | 1998-05-27 | 2000-09-12 | International Business Machines Corporation | Spin valves with antiferromagnetic exchange pinning and high uniaxial anisotropy reference and keeper layers |
| US6127053A (en) * | 1998-05-27 | 2000-10-03 | International Business Machines Corporation | Spin valves with high uniaxial anisotropy reference and keeper layers |
| JP2000040212A (ja) | 1998-07-24 | 2000-02-08 | Alps Electric Co Ltd | スピンバルブ型薄膜素子 |
| US6178072B1 (en) * | 1998-11-09 | 2001-01-23 | International Business Machines Corporation | Keeper layer without sense current shunting in a giant magnetoresistive (GMR) head |
| US6185077B1 (en) | 1999-01-06 | 2001-02-06 | Read-Rite Corporation | Spin valve sensor with antiferromagnetic and magnetostatically coupled pinning structure |
| JP3212569B2 (ja) | 1999-01-27 | 2001-09-25 | アルプス電気株式会社 | デュアルスピンバルブ型薄膜磁気素子及び薄膜磁気ヘッド及びデュアルスピンバルブ型薄膜磁気素子の製造方法 |
| US6351355B1 (en) * | 1999-02-09 | 2002-02-26 | Read-Rite Corporation | Spin valve device with improved thermal stability |
| JP2000348310A (ja) | 1999-06-03 | 2000-12-15 | Alps Electric Co Ltd | スピンバルブ型薄膜素子およびそのスピンバルブ型薄膜素子を備えた薄膜磁気ヘッド |
| KR20020013577A (ko) * | 1999-07-05 | 2002-02-20 | 아끼구사 나오유끼 | 스핀 밸브 자기 저항 효과 헤드 및 이것을 이용한 복합형자기 헤드 및 자기 기록 매체 구동장치 |
| US6286200B1 (en) | 1999-07-23 | 2001-09-11 | International Business Machines Corporation | Dual mask process for making second pole piece layer of write head with high resolution narrow track width second pole tip |
| US6262869B1 (en) * | 1999-08-02 | 2001-07-17 | International Business Machines Corporation | Spin valve sensor with encapsulated keeper layer and method of making |
| US6519117B1 (en) * | 1999-12-06 | 2003-02-11 | International Business Machines Corporation | Dual AP pinned GMR head with offset layer |
| US6560077B2 (en) | 2000-01-10 | 2003-05-06 | The University Of Alabama | CPP spin-valve device |
| US6404601B1 (en) | 2000-01-25 | 2002-06-11 | Read-Rite Corporation | Merged write head with magnetically isolated poletip |
| JP2001307308A (ja) * | 2000-04-24 | 2001-11-02 | Fujitsu Ltd | 磁気抵抗効果型ヘッドおよび情報再生装置 |
| US6515838B1 (en) * | 2000-06-06 | 2003-02-04 | International Business Machines Corporation | Biasing correction for simple GMR head |
| US6430014B1 (en) | 2000-08-09 | 2002-08-06 | International Business Machines Corporation | Properly biased AP pinned spin valve sensor with a metallic pinning layer and no read gap offset |
| US6693756B2 (en) | 2000-09-28 | 2004-02-17 | Seagate Technology Llc | Reducing read element power dissipation levels in a disc drive |
| US6522508B1 (en) | 2000-11-17 | 2003-02-18 | International Business Machines Corporation | Magnetic head having current resettable insulated keeper design |
| US6724586B2 (en) | 2001-03-27 | 2004-04-20 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. | Bias structure for magnetic tunnel junction magnetoresistive sensor |
| US6717403B2 (en) | 2001-09-06 | 2004-04-06 | Honeywell International Inc. | Method and system for improving the efficiency of the set and offset straps on a magnetic sensor |
| US6667682B2 (en) | 2001-12-26 | 2003-12-23 | Honeywell International Inc. | System and method for using magneto-resistive sensors as dual purpose sensors |
| US7390584B2 (en) * | 2002-03-27 | 2008-06-24 | Nve Corporation | Spin dependent tunneling devices having reduced topological coupling |
| US6989971B2 (en) * | 2002-04-05 | 2006-01-24 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands, B.V. | Giant magnetoresistance (GMR) read head with reactive-ion-etch defined read width and fabrication process |
| US20040061987A1 (en) * | 2002-09-27 | 2004-04-01 | International Business Machines Corporation | Self-stabilized giant magnetoresistive spin valve read sensor |
| US6872467B2 (en) | 2002-11-12 | 2005-03-29 | Nve Corporation | Magnetic field sensor with augmented magnetoresistive sensing layer |
| US7016163B2 (en) * | 2003-02-20 | 2006-03-21 | Honeywell International Inc. | Magnetic field sensor |
| JP3973663B2 (ja) | 2003-04-30 | 2007-09-12 | 富士通株式会社 | ヘッドサスペンション組立体および磁気記録再生装置 |
| US7171741B2 (en) * | 2003-07-25 | 2007-02-06 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. | Method for extended self-pinned layer for a current perpendicular to plane head |
| US7283333B2 (en) * | 2004-02-11 | 2007-10-16 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. | Self-pinned double tunnel junction head |
| US7221545B2 (en) * | 2004-02-18 | 2007-05-22 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. | High HC reference layer structure for self-pinned GMR heads |
| US7190560B2 (en) * | 2004-02-18 | 2007-03-13 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. | Self-pinned CPP sensor using Fe/Cr/Fe structure |
| US7397637B2 (en) * | 2004-08-30 | 2008-07-08 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. | Sensor with in-stack bias structure providing enhanced magnetostatic stabilization |
| JP2007218700A (ja) * | 2006-02-15 | 2007-08-30 | Tdk Corp | 磁気センサおよび電流センサ |
| US9099120B1 (en) * | 2014-04-09 | 2015-08-04 | HGST Netherlands, B.V. | Interlayer coupling field control in tunneling magnetoresistive read heads |
Family Cites Families (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3908194A (en) * | 1974-08-19 | 1975-09-23 | Ibm | Integrated magnetoresistive read, inductive write, batch fabricated magnetic head |
| US4755897A (en) * | 1987-04-28 | 1988-07-05 | International Business Machines Corporation | Magnetoresistive sensor with improved antiferromagnetic film |
| US5005096A (en) * | 1988-12-21 | 1991-04-02 | International Business Machines Corporation | Magnetoresistive read transducer having hard magnetic shunt bias |
| US5079663A (en) * | 1990-01-29 | 1992-01-07 | International Business Machines Corporation | Magnetoresistive sensor with track following capability |
| US5206590A (en) * | 1990-12-11 | 1993-04-27 | International Business Machines Corporation | Magnetoresistive sensor based on the spin valve effect |
| US5159513A (en) * | 1991-02-08 | 1992-10-27 | International Business Machines Corporation | Magnetoresistive sensor based on the spin valve effect |
| US5258884A (en) * | 1991-10-17 | 1993-11-02 | International Business Machines Corporation | Magnetoresistive read transducer containing a titanium and tungsten alloy spacer layer |
| US5304975A (en) * | 1991-10-23 | 1994-04-19 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Magnetoresistance effect element and magnetoresistance effect sensor |
| FR2685489B1 (fr) * | 1991-12-23 | 1994-08-05 | Thomson Csf | Capteur de champ magnetique faible a effet magnetoresistif. |
| JPH05258248A (ja) * | 1992-03-13 | 1993-10-08 | Hitachi Ltd | 多層磁気抵抗効果膜とそれを用いた磁気ヘッドおよび磁気記録再生装置 |
| EP0565102A2 (en) * | 1992-04-10 | 1993-10-13 | Hitachi Maxell, Ltd. | Magnetic laminations and magnetic heads and magnetic recording/reproducing devices using a magnetic lamination |
| US5287238A (en) * | 1992-11-06 | 1994-02-15 | International Business Machines Corporation | Dual spin valve magnetoresistive sensor |
| DE4243358A1 (de) * | 1992-12-21 | 1994-06-23 | Siemens Ag | Magnetowiderstands-Sensor mit künstlichem Antiferromagneten und Verfahren zu seiner Herstellung |
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