JP2771503B2 - ダイボンディング方法およびその装置 - Google Patents
ダイボンディング方法およびその装置Info
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- JP2771503B2 JP2771503B2 JP1387096A JP1387096A JP2771503B2 JP 2771503 B2 JP2771503 B2 JP 2771503B2 JP 1387096 A JP1387096 A JP 1387096A JP 1387096 A JP1387096 A JP 1387096A JP 2771503 B2 JP2771503 B2 JP 2771503B2
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- die bonding
- suction nozzle
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies
- H01L24/741—Apparatus for manufacturing means for bonding, e.g. connectors
- H01L24/743—Apparatus for manufacturing layer connectors
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
- H01L2224/741—Apparatus for manufacturing means for bonding, e.g. connectors
- H01L2224/743—Apparatus for manufacturing layer connectors
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- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
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- Coating Apparatus (AREA)
- Die Bonding (AREA)
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体チップをリ
ードフレームやセラミックなどの基板に半導体チップを
搭載するダイボンディング方法およびその装置に関す
る。
ードフレームやセラミックなどの基板に半導体チップを
搭載するダイボンディング方法およびその装置に関す
る。
【0002】
【従来の技術】従来、この種のダイボンディング装置
は、生産性向上と省力化のためほとんどが自動化されて
いる。しかしながら、近年、半導体集積回路装置の用途
が拡大するに伴なって多品種小量生産となり、半導体チ
ップのサイズおよび形状が多種多様となった。このた
め、装置の自動化を勿論、これら多品種小量生産に適用
できるように汎用性も高く要求されるようになってき
た。
は、生産性向上と省力化のためほとんどが自動化されて
いる。しかしながら、近年、半導体集積回路装置の用途
が拡大するに伴なって多品種小量生産となり、半導体チ
ップのサイズおよび形状が多種多様となった。このた
め、装置の自動化を勿論、これら多品種小量生産に適用
できるように汎用性も高く要求されるようになってき
た。
【0003】図6(a)〜(c)は従来のダイボンディ
ング装置の一例を説明するための装置全体の構成を示す
斜視図(a)および接着剤塗布の動作の斜視図(b)な
らびに吸着ノズルの断面図(c)である。このダイボン
ディング装置は、図6(a)に示すように、供給部37
から送られるリードフレームを載置し順送りを行なう搬
送部28と、順送りされたリードフレームの一コマのア
イランドに接着剤を滴下する接着剤供給部33と、接着
剤が塗布されたアイランドに半導体チップを搭載するボ
ンディングヘッド32と、シート上のウェハから分割さ
れた半導体チップの位置を確認する認識カメラ29およ
び認識装置30と、認識装置30により半導体チップの
位置を修正するステージ31と、アイランドに半導体チ
ップが搭載されたリードフレームを収納する収納部36
とを備えている。
ング装置の一例を説明するための装置全体の構成を示す
斜視図(a)および接着剤塗布の動作の斜視図(b)な
らびに吸着ノズルの断面図(c)である。このダイボン
ディング装置は、図6(a)に示すように、供給部37
から送られるリードフレームを載置し順送りを行なう搬
送部28と、順送りされたリードフレームの一コマのア
イランドに接着剤を滴下する接着剤供給部33と、接着
剤が塗布されたアイランドに半導体チップを搭載するボ
ンディングヘッド32と、シート上のウェハから分割さ
れた半導体チップの位置を確認する認識カメラ29およ
び認識装置30と、認識装置30により半導体チップの
位置を修正するステージ31と、アイランドに半導体チ
ップが搭載されたリードフレームを収納する収納部36
とを備えている。
【0004】このダイボンディング装置の一連の動作
は、まず、供給部37よりリードフレームが搬送部28
に送られ、図6(b)に示すように、リードフレーム3
9のアイランド40を含む一コマづつ順送りされる。そ
して、接着剤供給部の多点ノズル34の下に位置決めさ
れたアイランド40に接着剤が滴下され塗布される。
は、まず、供給部37よりリードフレームが搬送部28
に送られ、図6(b)に示すように、リードフレーム3
9のアイランド40を含む一コマづつ順送りされる。そ
して、接着剤供給部の多点ノズル34の下に位置決めさ
れたアイランド40に接着剤が滴下され塗布される。
【0005】一方、ボンディングヘッド32は移動しス
テージ31上の決られた位置に位置決めされ、図6
(c)に示すように、ボンディングヘッド32が下降し
ステージ31上の半導体チップ38を吸着ノズル35に
より吸着保持される。次に、ボンディングヘッド32は
移動し搬送部28の上に位置決めされ下降し、接着剤が
塗布され送られてきたリードフレームのアイランドに半
導体チップ38を押し付けアイランドに搭載する。
テージ31上の決られた位置に位置決めされ、図6
(c)に示すように、ボンディングヘッド32が下降し
ステージ31上の半導体チップ38を吸着ノズル35に
より吸着保持される。次に、ボンディングヘッド32は
移動し搬送部28の上に位置決めされ下降し、接着剤が
塗布され送られてきたリードフレームのアイランドに半
導体チップ38を押し付けアイランドに搭載する。
【0006】リードフレームのアイランドの全てに半導
体チップを搭載したら、搬送部28によりリードフレー
ムは収納部36に収納される。そして、再び、供給部3
7からリードフレームが搬送部28に送られ、接着剤の
塗布および半導体チップの搭載を自動的に繰返して行な
い。供給部37にあるリードフレームの全てに半導体チ
ップを搭載し完了していた。
体チップを搭載したら、搬送部28によりリードフレー
ムは収納部36に収納される。そして、再び、供給部3
7からリードフレームが搬送部28に送られ、接着剤の
塗布および半導体チップの搭載を自動的に繰返して行な
い。供給部37にあるリードフレームの全てに半導体チ
ップを搭載し完了していた。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】上述した従来のダイボ
ンディング装置では、単一の半導体チップを基板に搭載
することを自動的に行なえるものの汎用性がないという
問題がある。何となれば、半導体チップに接着剤を塗布
するノズルは、半導体チップの大きさに応じて接着剤噴
出口の数を変えたノズルにしなければならず、半導体チ
ップに応じてノズルを交換していた。
ンディング装置では、単一の半導体チップを基板に搭載
することを自動的に行なえるものの汎用性がないという
問題がある。何となれば、半導体チップに接着剤を塗布
するノズルは、半導体チップの大きさに応じて接着剤噴
出口の数を変えたノズルにしなければならず、半導体チ
ップに応じてノズルを交換していた。
【0008】このように汎用性がないため、従来、これ
らに対応する単能機を複数台設ける場合も多々あった。
しかし、この方法は費用がかかるばかりか装置を設置す
る床面積を必要とするので、現在は採用されていない。
そこで、噴出口の数の異なる接着剤ノズルを準備し、こ
れらサイズの異なる半導体チップに対応していた。しか
しながら、ノズル設計製作などの運用費が高くなるばか
りか交換のための装置停止および装置の立上げによる稼
働率の低下と準備工数の増大を招くという問題があっ
た。
らに対応する単能機を複数台設ける場合も多々あった。
しかし、この方法は費用がかかるばかりか装置を設置す
る床面積を必要とするので、現在は採用されていない。
そこで、噴出口の数の異なる接着剤ノズルを準備し、こ
れらサイズの異なる半導体チップに対応していた。しか
しながら、ノズル設計製作などの運用費が高くなるばか
りか交換のための装置停止および装置の立上げによる稼
働率の低下と準備工数の増大を招くという問題があっ
た。
【0009】また、接着剤を塗布する際に、基板である
リードフレームの送りを停止させなければならず、この
停止時間が以外に長く一サイクル時間に占る割合が大き
く全体のスループットの向上を妨げていた。
リードフレームの送りを停止させなければならず、この
停止時間が以外に長く一サイクル時間に占る割合が大き
く全体のスループットの向上を妨げていた。
【0010】一方、上述し接着剤の塗布用のノズルは多
数の噴出口をもっているものの、単に複数の液滴を滴下
して塗布するため、液滴の間は薄くあるいは無いといっ
た塗布むらを生じ易い。この塗布むらがあると、リード
フレームに半導体チップを搭載し実装後に、接着剤が無
いためにヒートサイクルによって生ずる半導体チップと
搭載基板との界面の熱応力が吸収できず、半導体チップ
にクラックを発生したり品質に重大な欠陥をもたらす。
さらに、このように、接着剤を滴下して塗布する方法
は、余剰に接着剤を滴下することが多々あり、半導体チ
ップをリードフレームに押し付けたときその周縁部から
余剰な接着剤をはみ出させ半導体チップの上面まで廻り
込み汚染させることがある。この汚染が後工程のワイヤ
ーボンディング工程におけるワイヤの接続不良などを引
き起すという問題がある。
数の噴出口をもっているものの、単に複数の液滴を滴下
して塗布するため、液滴の間は薄くあるいは無いといっ
た塗布むらを生じ易い。この塗布むらがあると、リード
フレームに半導体チップを搭載し実装後に、接着剤が無
いためにヒートサイクルによって生ずる半導体チップと
搭載基板との界面の熱応力が吸収できず、半導体チップ
にクラックを発生したり品質に重大な欠陥をもたらす。
さらに、このように、接着剤を滴下して塗布する方法
は、余剰に接着剤を滴下することが多々あり、半導体チ
ップをリードフレームに押し付けたときその周縁部から
余剰な接着剤をはみ出させ半導体チップの上面まで廻り
込み汚染させることがある。この汚染が後工程のワイヤ
ーボンディング工程におけるワイヤの接続不良などを引
き起すという問題がある。
【0011】前述したマウント用接着剤をむら無く一様
に塗布する方法として、例えば、特開昭57一1660
24号公報に開示されている。この方法は、入口に複数
のノズルを取付けた箱状の接着剤噴霧室に基板に搭載す
べきウェハを入れ、ウェハの一面に接着剤を薄く一様に
塗布し、しかる後、赤外線ランプで溶剤を乾燥してい
る。しかし、この技術を適用にするにしても、接着剤噴
霧室に半導体チップを位置決めし、室内に挿入して入れ
接着剤塗布および溶剤の乾燥を行なう動作がさらに長く
時間がかかりかえって全体のスループットを低下させ
る。また、当ダイボンディング方法のように接着剤に熱
硬化性のエポキシ樹脂の場合は、赤外線ランプのような
高温加熱すると、ゲル化が進み基板に到達するときは接
着能力が失なわれる恐れがある。さらに、この乾燥機構
をもつ接着剤噴霧室自体は大掛かりなものとなり、ボン
ディングヘッドの移動を制限し機構が複雑になるととも
に設備コストも高くなるという欠点がある。
に塗布する方法として、例えば、特開昭57一1660
24号公報に開示されている。この方法は、入口に複数
のノズルを取付けた箱状の接着剤噴霧室に基板に搭載す
べきウェハを入れ、ウェハの一面に接着剤を薄く一様に
塗布し、しかる後、赤外線ランプで溶剤を乾燥してい
る。しかし、この技術を適用にするにしても、接着剤噴
霧室に半導体チップを位置決めし、室内に挿入して入れ
接着剤塗布および溶剤の乾燥を行なう動作がさらに長く
時間がかかりかえって全体のスループットを低下させ
る。また、当ダイボンディング方法のように接着剤に熱
硬化性のエポキシ樹脂の場合は、赤外線ランプのような
高温加熱すると、ゲル化が進み基板に到達するときは接
着能力が失なわれる恐れがある。さらに、この乾燥機構
をもつ接着剤噴霧室自体は大掛かりなものとなり、ボン
ディングヘッドの移動を制限し機構が複雑になるととも
に設備コストも高くなるという欠点がある。
【0012】従って、本発明の目的は、半導体チップの
サイズが変更になっても接着剤塗布ノズルを交換しなく
とも連続的に半導体チップを基板に搭載できスループッ
トの向上が図れるダイボンディング方法およびその装置
を提供することである。
サイズが変更になっても接着剤塗布ノズルを交換しなく
とも連続的に半導体チップを基板に搭載できスループッ
トの向上が図れるダイボンディング方法およびその装置
を提供することである。
【0013】
【課題を解決するための手段】本発明の特徴は、半導体
チップの一主面を吸着保持し前記半導体チップの一主面
側から該半導体チップの外周部に向けガスを吹き付ける
とともに前記半導体チップを移送しながら該半導体チッ
プの裏面に接着剤を吹き付け塗布し、前記接着剤が塗布
された半導体チップを基板に搭載するダイボンデイング
方法である。また、前記接着剤の吹き付けは、前記半導
体チップの裏面側から該半導体チップに向けて放射状に
接着剤を噴霧することが望ましい。さらに、このとき
に、前記半導体チップの大きさに応じて前記接着剤の噴
霧源口と前記半導体チップとの間隔を変えることが望ま
しい。
チップの一主面を吸着保持し前記半導体チップの一主面
側から該半導体チップの外周部に向けガスを吹き付ける
とともに前記半導体チップを移送しながら該半導体チッ
プの裏面に接着剤を吹き付け塗布し、前記接着剤が塗布
された半導体チップを基板に搭載するダイボンデイング
方法である。また、前記接着剤の吹き付けは、前記半導
体チップの裏面側から該半導体チップに向けて放射状に
接着剤を噴霧することが望ましい。さらに、このとき
に、前記半導体チップの大きさに応じて前記接着剤の噴
霧源口と前記半導体チップとの間隔を変えることが望ま
しい。
【0014】また、本発明の他の特徴は、前記半導体チ
ップの一主面を吸着するとともに該半導体チップの外周
部に向け前記ガスを吹き付けるブローを具備する吸着ノ
ズルと、前記半導体チップが搭載されるべき前記基板へ
の前記吸着ノズルの移送経路途中に配置されるとともに
移送されてくる移送中の前記半導体チップの裏面に向け
放射状に前記接着剤を吹き付けるスプレーとを備えるダ
イボンディング装置である。また、前記吸着ノズルに吸
着された前記半導体チップの裏面と前記スプレーとの間
隔を変える機構と前記吸着ノズルの移送速度を変える手
段を備えることが望ましい。さらに、前記吸着ノズルが
拾うべき複数の前記半導体チップが載置される枠付きシ
ートの固有識別記号を認識する手段を備えることが望ま
しい。
ップの一主面を吸着するとともに該半導体チップの外周
部に向け前記ガスを吹き付けるブローを具備する吸着ノ
ズルと、前記半導体チップが搭載されるべき前記基板へ
の前記吸着ノズルの移送経路途中に配置されるとともに
移送されてくる移送中の前記半導体チップの裏面に向け
放射状に前記接着剤を吹き付けるスプレーとを備えるダ
イボンディング装置である。また、前記吸着ノズルに吸
着された前記半導体チップの裏面と前記スプレーとの間
隔を変える機構と前記吸着ノズルの移送速度を変える手
段を備えることが望ましい。さらに、前記吸着ノズルが
拾うべき複数の前記半導体チップが載置される枠付きシ
ートの固有識別記号を認識する手段を備えることが望ま
しい。
【0015】
【発明の実施の形態】次に、本発明について図面を参照
して説明する。
して説明する。
【0016】図1(a)〜(c)は本発明の一実施の形
態におけるダイボンディング方法およびその装置を説明
するための装置全体の構成を示す斜視図(a)および接
着剤塗布部の断面図(b)ならびに吸着ノズルの断面図
(c)である。
態におけるダイボンディング方法およびその装置を説明
するための装置全体の構成を示す斜視図(a)および接
着剤塗布部の断面図(b)ならびに吸着ノズルの断面図
(c)である。
【0017】このダイボンディング装置は、図1に示す
ように、半導体チップ38の一主面を吸着するとともに
半導体チップ38の外周部に向けガスを吹き付けるブロ
ー穴10を有する吸着ノズル9を具備するボンディング
ヘッド2と、半導体チップ38が搭載されるべきリード
フレーム39のアイランド40への吸着ノズル9の移送
経路14途中に配置されるとともに半導体チップ38の
裏面に放射状に接着剤を吹き付けるスプレー5を具備す
る接着剤塗布部1と、ボンディングヘッドの移送および
上昇・下降と接着剤塗布部1の接着剤の噴霧および停止
と搬送部4の制御を行なう制御装置3を備えている。そ
の他の認識装置30、認識カメラ29、ステージ31、
供給部37および収納部36は従来例と同じように設け
られている。
ように、半導体チップ38の一主面を吸着するとともに
半導体チップ38の外周部に向けガスを吹き付けるブロ
ー穴10を有する吸着ノズル9を具備するボンディング
ヘッド2と、半導体チップ38が搭載されるべきリード
フレーム39のアイランド40への吸着ノズル9の移送
経路14途中に配置されるとともに半導体チップ38の
裏面に放射状に接着剤を吹き付けるスプレー5を具備す
る接着剤塗布部1と、ボンディングヘッドの移送および
上昇・下降と接着剤塗布部1の接着剤の噴霧および停止
と搬送部4の制御を行なう制御装置3を備えている。そ
の他の認識装置30、認識カメラ29、ステージ31、
供給部37および収納部36は従来例と同じように設け
られている。
【0018】図1(a)のダイボンディングヘッド2の
移送経路14の途中に配置された接着剤塗布部1は、図
1(b)に示すように、接着剤を蓄えるタンク8と、接
着剤を圧送するポンプ10と、ポンプ10からの圧送管
の開口を開閉する電磁弁7と、ポンプ10の圧送により
接着剤を放射状に噴霧する噴霧口15をもつスプレー5
と、通過するボンディングヘッド2を検知し電磁弁7の
開閉のタイミングをとるセンサ6a,6bとを備えてい
る。
移送経路14の途中に配置された接着剤塗布部1は、図
1(b)に示すように、接着剤を蓄えるタンク8と、接
着剤を圧送するポンプ10と、ポンプ10からの圧送管
の開口を開閉する電磁弁7と、ポンプ10の圧送により
接着剤を放射状に噴霧する噴霧口15をもつスプレー5
と、通過するボンディングヘッド2を検知し電磁弁7の
開閉のタイミングをとるセンサ6a,6bとを備えてい
る。
【0019】図1(a)の移送経路14を往復移動する
ダイボンディングヘッド1は、図1(c)に示すよう
に、基台16に取付けられ半導体チップ38を吸着する
吸着穴13と半導体チップ38の外周部にガスを吹き付
けるブロー穴17とをもつ吸着ノズル9と、吸着口13
と通ずる真空ポンプからの配管の開口を開閉する電磁弁
11と、乾燥窒素のような圧縮ガスを供給しブロー穴1
7と通ずる配管の開口を開閉する電磁弁12とを備えて
いる。
ダイボンディングヘッド1は、図1(c)に示すよう
に、基台16に取付けられ半導体チップ38を吸着する
吸着穴13と半導体チップ38の外周部にガスを吹き付
けるブロー穴17とをもつ吸着ノズル9と、吸着口13
と通ずる真空ポンプからの配管の開口を開閉する電磁弁
11と、乾燥窒素のような圧縮ガスを供給しブロー穴1
7と通ずる配管の開口を開閉する電磁弁12とを備えて
いる。
【0020】図2(a)〜(c)は図1のダイボンディ
ング装置による半導体チップを基板に搭載する動作順に
示す図である。次に、本発明のダイボンディング方法を
図1のダイボンディング装置の動作を説明することで説
明することとする。
ング装置による半導体チップを基板に搭載する動作順に
示す図である。次に、本発明のダイボンディング方法を
図1のダイボンディング装置の動作を説明することで説
明することとする。
【0021】まず、図2(a)に示すように、ステージ
31に載置された半導体チップ38を吸着ノズル9を矢
印のように下降および上昇により、半導体チップ38を
吸着保持する。次に、図2(b)に示すように、吸着ノ
ズル9を伴なうボンディングヘッドが矢印で示す移送経
路14に沿って移動し、この移動によってセンサ6bが
動作すると、吸着ノズル9のブロー穴17からガスが吹
き出され半導体チップ38の周辺部から下方に流れる。
このガスの吹き出しよりタイムラグをおいて、スプレー
5より接着剤が半導体チップ38の裏面に向って扇状に
噴霧される。この放射状に噴霧される接着剤の噴霧領域
は半導体チップ38の大きさを十分カバーされているの
で、半導体チップ38の移動に伴なって裏面に一様に接
着剤が塗布される。
31に載置された半導体チップ38を吸着ノズル9を矢
印のように下降および上昇により、半導体チップ38を
吸着保持する。次に、図2(b)に示すように、吸着ノ
ズル9を伴なうボンディングヘッドが矢印で示す移送経
路14に沿って移動し、この移動によってセンサ6bが
動作すると、吸着ノズル9のブロー穴17からガスが吹
き出され半導体チップ38の周辺部から下方に流れる。
このガスの吹き出しよりタイムラグをおいて、スプレー
5より接着剤が半導体チップ38の裏面に向って扇状に
噴霧される。この放射状に噴霧される接着剤の噴霧領域
は半導体チップ38の大きさを十分カバーされているの
で、半導体チップ38の移動に伴なって裏面に一様に接
着剤が塗布される。
【0022】なお、このとき、半導体チップ38の周縁
部から下方に向ってガスが流れているので、噴霧され半
導体チップ38より外側に噴射された接着剤は半導体チ
ップ38より上に舞上がることがない。このことにより
余剰に接着剤を塗布することが無く後工程の品質に悪影
響を及ぼす接着剤の汚染は皆無となる。次に、引続き、
ボンディングヘッドの移動に伴なって、センサ6aが反
応しスプレー5からの接着剤の噴霧が停止し、引続きガ
スのブローも停止する。
部から下方に向ってガスが流れているので、噴霧され半
導体チップ38より外側に噴射された接着剤は半導体チ
ップ38より上に舞上がることがない。このことにより
余剰に接着剤を塗布することが無く後工程の品質に悪影
響を及ぼす接着剤の汚染は皆無となる。次に、引続き、
ボンディングヘッドの移動に伴なって、センサ6aが反
応しスプレー5からの接着剤の噴霧が停止し、引続きガ
スのブローも停止する。
【0023】次に、図2(c)に示すように、接着剤が
塗布された半導体チップ38は吸着ノズル9に保持され
た状態で移送経路14に沿って移動を続け、搬送部4に
載置されたリードフレーム39の上で停止する。そし
て、矢印に示すように、吸着ノズル9が下降し半導体チ
ップ38をリードフレーム39のアイランドに押し付け
半導体チップ38を搭載し一連のサイクルを終了する。
そして、吸着ノズル9は上昇する。搭載された半導体チ
ップ38は、搬送部4に組込まれたヒータにより接着剤
は加熱され硬化し接着が確実なものとなる。
塗布された半導体チップ38は吸着ノズル9に保持され
た状態で移送経路14に沿って移動を続け、搬送部4に
載置されたリードフレーム39の上で停止する。そし
て、矢印に示すように、吸着ノズル9が下降し半導体チ
ップ38をリードフレーム39のアイランドに押し付け
半導体チップ38を搭載し一連のサイクルを終了する。
そして、吸着ノズル9は上昇する。搭載された半導体チ
ップ38は、搬送部4に組込まれたヒータにより接着剤
は加熱され硬化し接着が確実なものとなる。
【0024】図3は本発明の他の実施の態様におけるダ
イボンディング装置を説明するための吸着ノズルと接着
剤塗布部を示す図である。このダイボンディング装置
は、図3に示すように、半導体チップ38の大きさに応
じて半導体チップ38とスプレー5の噴霧口15との間
隔Hを変える機構を設けたことである。それ以外は前述
の実施の形態と同じである。
イボンディング装置を説明するための吸着ノズルと接着
剤塗布部を示す図である。このダイボンディング装置
は、図3に示すように、半導体チップ38の大きさに応
じて半導体チップ38とスプレー5の噴霧口15との間
隔Hを変える機構を設けたことである。それ以外は前述
の実施の形態と同じである。
【0025】この間隔Hを変えるのに、例えば、図3に
示すように、接着剤塗布部1を昇降させる機構として、
接着剤塗布部1を昇降させるボールスクリュー18と、
このボールスクリュー18と噛み合うナット19を歯車
対21を介して回転させるモータ20とを設ければ良
い。そして、接着剤の広がり角度Θが半導体チップ38
の裏面を十分カバーするように、間隔Hを設定すること
である。
示すように、接着剤塗布部1を昇降させる機構として、
接着剤塗布部1を昇降させるボールスクリュー18と、
このボールスクリュー18と噛み合うナット19を歯車
対21を介して回転させるモータ20とを設ければ良
い。そして、接着剤の広がり角度Θが半導体チップ38
の裏面を十分カバーするように、間隔Hを設定すること
である。
【0026】なお、接着剤の密度が間隔Hによって変る
ので、異なったサイズの半導体チップでも接着剤を常に
一定の厚さに塗布したい場合には、この間隔Hを変える
と同時に吸着ノズル9の移送速度Vを変えることが望ま
しい。この移送速度Vおよび間隔Hは、例えば、半導体
チップ38のサイズが小さい場合は、Hは狭く、Vは早
くすることである。また、サイズの大きな半導体チップ
38においては、間隔Hは大きく速度Vを遅くすること
である。
ので、異なったサイズの半導体チップでも接着剤を常に
一定の厚さに塗布したい場合には、この間隔Hを変える
と同時に吸着ノズル9の移送速度Vを変えることが望ま
しい。この移送速度Vおよび間隔Hは、例えば、半導体
チップ38のサイズが小さい場合は、Hは狭く、Vは早
くすることである。また、サイズの大きな半導体チップ
38においては、間隔Hは大きく速度Vを遅くすること
である。
【0027】また、この吸着ノズルの移送速度Vを変え
るには、周知である技術を利用してたボンディングヘッ
ドの送り用のモータをスピードコントロールすれば良
く、サイクルタイムを考慮して、速度を変える範囲は、
半導体チップ38に接着剤が塗布する範囲に留めること
が望ましい。それ以外の移送経路であるステージ31と
接着剤塗布部1との間および接着剤塗布部1と搬送部4
のリードフレーム39との間は、通常の送り速度にする
ことである。
るには、周知である技術を利用してたボンディングヘッ
ドの送り用のモータをスピードコントロールすれば良
く、サイクルタイムを考慮して、速度を変える範囲は、
半導体チップ38に接着剤が塗布する範囲に留めること
が望ましい。それ以外の移送経路であるステージ31と
接着剤塗布部1との間および接着剤塗布部1と搬送部4
のリードフレーム39との間は、通常の送り速度にする
ことである。
【0028】図4はシート上に貼付けられた半導体チッ
プを示す図である。通常、ステージに載置される半導体
チップ38は、図4に示すように、粘着性のあるシート
24に一枚のウェハから切断分割された状態で貼付けら
れている。そして、この粘着性のあるシートに張力を与
え半導体チップ38が同一面上に並ぶように枠23で挟
み込んでからステージに載置している。
プを示す図である。通常、ステージに載置される半導体
チップ38は、図4に示すように、粘着性のあるシート
24に一枚のウェハから切断分割された状態で貼付けら
れている。そして、この粘着性のあるシートに張力を与
え半導体チップ38が同一面上に並ぶように枠23で挟
み込んでからステージに載置している。
【0029】このように一枚づつシート24に貼付けウ
ェハを半導体チップ38に分割させ貼付けていることを
考慮すれば、もし、貼付けられ半導体チップ38に分割
されるウェハ毎に管理すれば、上述したその他の実施の
形態におけるダイボンディング装置の間隔Hおよび塗布
速度Vの設定を自動的にできると考え、枠23に半導体
チップとして分割された元のウェハを識別する固有の表
示部を設けることにした。ここでは、例えば、バーコー
ド表示部22を枠23に設けている。
ェハを半導体チップ38に分割させ貼付けていることを
考慮すれば、もし、貼付けられ半導体チップ38に分割
されるウェハ毎に管理すれば、上述したその他の実施の
形態におけるダイボンディング装置の間隔Hおよび塗布
速度Vの設定を自動的にできると考え、枠23に半導体
チップとして分割された元のウェハを識別する固有の表
示部を設けることにした。ここでは、例えば、バーコー
ド表示部22を枠23に設けている。
【0030】図5は図3のダイボンディング装置の変形
例を示す図である。このダイボンディング装置は、図5
に示すように、図4の半導体チップ38が貼付けられた
シート24を保持する枠23にあるバーコード表示部2
2を読み込むバーコードリーダ25を設けたことであ
る。それ以外のステージ31、認識カメラ29、認識装
置30および搬送部4は前述の実施の形態におけるダイ
ボンディング装置と同じように備えている。
例を示す図である。このダイボンディング装置は、図5
に示すように、図4の半導体チップ38が貼付けられた
シート24を保持する枠23にあるバーコード表示部2
2を読み込むバーコードリーダ25を設けたことであ
る。それ以外のステージ31、認識カメラ29、認識装
置30および搬送部4は前述の実施の形態におけるダイ
ボンディング装置と同じように備えている。
【0031】このように、ウェハ毎に管理されれば、分
割された半導体チップ38を搭載する枠のバーコード部
22をバーコードリーダ25が読み込み、その情報を制
御部3にフィードバックし、制御部3に登録された半導
体チップのサイズに対するスプレー5と吸着ノズル9に
吸着される半導体チップとの間隔Hおよびその間隔Hに
対応する速度Vを読み出し、接着剤塗布部の上昇・下降
機構および吸着ノズル9の移送機構を制御し接着剤塗布
条件を設定する。条件設定後は前述したように、一連の
サイクル動作を行ない半導体チップ38をリードフレー
ムのアイランドに搭載する。
割された半導体チップ38を搭載する枠のバーコード部
22をバーコードリーダ25が読み込み、その情報を制
御部3にフィードバックし、制御部3に登録された半導
体チップのサイズに対するスプレー5と吸着ノズル9に
吸着される半導体チップとの間隔Hおよびその間隔Hに
対応する速度Vを読み出し、接着剤塗布部の上昇・下降
機構および吸着ノズル9の移送機構を制御し接着剤塗布
条件を設定する。条件設定後は前述したように、一連の
サイクル動作を行ない半導体チップ38をリードフレー
ムのアイランドに搭載する。
【0032】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、半導体チ
ップを吸着し移送するボンディングヘッドの移送経路途
中に半導体チップの裏面に向け接着剤を噴霧するスプレ
ーを設けることによって、半導体チップを移送しながら
接着剤を塗布できるので、装置の一サイクル時間を大幅
に短縮させスループットの向上が図れるという効果があ
る。
ップを吸着し移送するボンディングヘッドの移送経路途
中に半導体チップの裏面に向け接着剤を噴霧するスプレ
ーを設けることによって、半導体チップを移送しながら
接着剤を塗布できるので、装置の一サイクル時間を大幅
に短縮させスループットの向上が図れるという効果があ
る。
【0033】また、接着剤の噴霧を円錐形のように放射
状にすることによって、スプレーと半導体チップとの間
隔を変えるだけで、半導体チップのサイズが変わっても
スプレーを交換することなく連続的に運転できるので、
稼働率も向上し運用コストも著しく低減できるという効
果があるとともに単能機を複数台並べる必要もなく床面
積も小さくて済むという効果もある。
状にすることによって、スプレーと半導体チップとの間
隔を変えるだけで、半導体チップのサイズが変わっても
スプレーを交換することなく連続的に運転できるので、
稼働率も向上し運用コストも著しく低減できるという効
果があるとともに単能機を複数台並べる必要もなく床面
積も小さくて済むという効果もある。
【0034】さらに、細かく噴霧状に接着剤を放射し相
対的に移動させ必要に応じて速度を変え塗布するので、
従来のように単に複数の接着剤液滴を滴下する液滴下方
法にように塗布むらが起ることはない。そして、噴霧さ
れる接着剤が半導体チップより上に舞い上らないよう
に、半導体チップの周縁からガスで吹き落すことによっ
て、半導体チップの側面および上面への汚染が皆無とな
り、後工程の品質に悪影響を及ぼすことが無くなるとい
う効果が得られた。
対的に移動させ必要に応じて速度を変え塗布するので、
従来のように単に複数の接着剤液滴を滴下する液滴下方
法にように塗布むらが起ることはない。そして、噴霧さ
れる接着剤が半導体チップより上に舞い上らないよう
に、半導体チップの周縁からガスで吹き落すことによっ
て、半導体チップの側面および上面への汚染が皆無とな
り、後工程の品質に悪影響を及ぼすことが無くなるとい
う効果が得られた。
【図1】本発明の一実施の形態におけるダイボンディン
グ方法およびその装置を説明するための装置全体の構成
を示す斜視図(a)および接着剤塗布部の断面図(b)
ならびに吸着ノズルの断面図(c)である。
グ方法およびその装置を説明するための装置全体の構成
を示す斜視図(a)および接着剤塗布部の断面図(b)
ならびに吸着ノズルの断面図(c)である。
【図2】図1のダイボンディング装置による半導体チッ
プを基板に搭載する動作順に示す図である。
プを基板に搭載する動作順に示す図である。
【図3】本発明の他の実施の態様におけるダイボンディ
ング装置を説明するための吸着ノズルと接着剤塗布部を
示す図である。
ング装置を説明するための吸着ノズルと接着剤塗布部を
示す図である。
【図4】シート上に貼付けられた半導体チップを示す図
である。
である。
【図5】図4のダイボンディング装置の変形例を示す図
である。
である。
【図6】従来のダイボンディング装置の一例を説明する
ための装置全体の構成を示す斜視図(a)および接着剤
塗布の動作の斜視図(b)ならびに吸着ノズルの断面図
(c)である。
ための装置全体の構成を示す斜視図(a)および接着剤
塗布の動作の斜視図(b)ならびに吸着ノズルの断面図
(c)である。
1 接着剤塗布部 2,32 ボンディングヘッド 3 制御部 4,28 搬送部 5 スプレー 6a,6b センサ 7,11,12 電磁弁 8 タンク 9,35 吸着ノズル 10 ポンプ 13 吸着穴 14 移送経路 15 噴霧口 16 基台 17 ブロー穴 18 ボールスクリュー 19 ナット 20 モータ 21 歯車対 22 バーコード表示部 23 枠 24 シート 25 バーコードリーダ 29 認識カメラ 30 認識装置 31 ステージ 33 接着剤供給部 34 多点ノズル 36 収納部 37 供給部 38 半導体チップ 39 リードフレーム 40 アイランド
Claims (6)
- 【請求項1】 半導体チップの一主面を吸着保持し前記
半導体チップの一主面側から該半導体チップの外周部に
向けガスを吹き付けるとともに前記半導体チップを移送
しながら該半導体チップの裏面に接着剤を吹き付け塗布
し、前記接着剤が塗布された半導体チップを基板に搭載
することを特徴とするダイボンデイング方法。 - 【請求項2】 前記接着剤の吹き付けは、前記半導体チ
ップの裏面側から該半導体チップに向けて放射状に接着
剤を噴霧することを特徴とする請求項1記載のダイボン
ディング方法。 - 【請求項3】 前記半導体チップの大きさに応じて前記
接着剤の噴霧源口と前記半導体チップとの間隔を変える
ことを特徴とする請求項2記載のダイボンデイング方
法。 - 【請求項4】 前記半導体チップの一主面を吸着すると
ともに該半導体チップの外周部に向け前記ガスを吹き付
けるブローを具備する吸着ノズルと、前記半導体チップ
が搭載されるべき前記基板への前記吸着ノズルの移送経
路途中に配置されるとともに移送されてくる移送中の前
記半導体チップの裏面に向け放射状に前記接着剤を吹き
付けるスプレーとを備えることを特徴とするダイボンデ
ィング装置。 - 【請求項5】 前記吸着ノズルに吸着された前記半導体
チップの裏面と前記スプレーとの間隔を変える機構と、
前記吸着ノズルの移送速度を変える手段とを備えること
を特徴とする請求項4記載のダイボディング装置。 - 【請求項6】 前記吸着ノズルが拾うべき複数の前記半
導体チップが載置される枠付きシートの固有識別記号を
認識する手段を備えることを特徴とする請求項5記載の
ダイボンデイング装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1387096A JP2771503B2 (ja) | 1996-01-30 | 1996-01-30 | ダイボンディング方法およびその装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1387096A JP2771503B2 (ja) | 1996-01-30 | 1996-01-30 | ダイボンディング方法およびその装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH09213720A JPH09213720A (ja) | 1997-08-15 |
JP2771503B2 true JP2771503B2 (ja) | 1998-07-02 |
Family
ID=11845281
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP1387096A Expired - Lifetime JP2771503B2 (ja) | 1996-01-30 | 1996-01-30 | ダイボンディング方法およびその装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2771503B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3169032B2 (ja) * | 1993-02-25 | 2001-05-21 | セイコーエプソン株式会社 | ノズルプレートとその表面処理方法 |
JP6500244B2 (ja) * | 2016-06-09 | 2019-04-17 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 部品装着装置 |
-
1996
- 1996-01-30 JP JP1387096A patent/JP2771503B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH09213720A (ja) | 1997-08-15 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 19980317 |