JP2770551B2 - 半田の外観検査装置 - Google Patents
半田の外観検査装置Info
- Publication number
- JP2770551B2 JP2770551B2 JP12022190A JP12022190A JP2770551B2 JP 2770551 B2 JP2770551 B2 JP 2770551B2 JP 12022190 A JP12022190 A JP 12022190A JP 12022190 A JP12022190 A JP 12022190A JP 2770551 B2 JP2770551 B2 JP 2770551B2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- solder
- light
- peak position
- laser spot
- longitudinal direction
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
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- Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)
- Investigating Materials By The Use Of Optical Means Adapted For Particular Applications (AREA)
- Electric Connection Of Electric Components To Printed Circuits (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明の半田の外観検査装置に関し、詳しくはレーザ
スポット光の掃引照射により、電子部品の電極部を基板
に接着する半田の縦断方向の形状を計測するための手段
に関する。
スポット光の掃引照射により、電子部品の電極部を基板
に接着する半田の縦断方向の形状を計測するための手段
に関する。
（従来の技術） レーザ光による半田の外観検査手段に関しては、従
来、種々のものが提案されている（例えば特開昭63−17
7042、177045号公報）。
来、種々のものが提案されている（例えば特開昭63−17
7042、177045号公報）。
（発明が解決しようとする課題） ところで、電子部品を基板に接着する半田の形状のう
ち、殊に重要なのは半田のピーク位置を通る縦断方向の
形状であり、したがって半田形状を計測するにあたって
は、半田のピーク位置を迅速正確に検出しなければなら
ない。
ち、殊に重要なのは半田のピーク位置を通る縦断方向の
形状であり、したがって半田形状を計測するにあたって
は、半田のピーク位置を迅速正確に検出しなければなら
ない。
そこで本発明は、このような技術課題を解決するため
の半田の外観検査装置を提供することを目的とする。
の半田の外観検査装置を提供することを目的とする。
（課題を解決するための手段） このために本発明は、基板に電子部品の電極部を接着
する半田に向って、上方からレーザスポット光を掃引照
射するレーザ照射手段と、 上記レーザ照射手段により、半田の横断方向に掃引照
射されたレーザスポット光の反射光を受光することによ
り、この横断方向における半田のピーク位置を検出する
受光手段と、 上記のようにして検出されたピーク位置を通る半田の
縦断方向に掃引照射されたレーザスポット光の反射光を
受光することにより、この縦断方向に沿った半田の高さ
を検出する受光手段とから半田の外観検査装置を構成し
ている。
する半田に向って、上方からレーザスポット光を掃引照
射するレーザ照射手段と、 上記レーザ照射手段により、半田の横断方向に掃引照
射されたレーザスポット光の反射光を受光することによ
り、この横断方向における半田のピーク位置を検出する
受光手段と、 上記のようにして検出されたピーク位置を通る半田の
縦断方向に掃引照射されたレーザスポット光の反射光を
受光することにより、この縦断方向に沿った半田の高さ
を検出する受光手段とから半田の外観検査装置を構成し
ている。
（作用） 上記構成において、先ず半田の横断方向にレーザスポ
ット光を掃引照射し、その反射光を受光手段に受光する
ことにより、この半田のピーク位置を検出する。
ット光を掃引照射し、その反射光を受光手段に受光する
ことにより、この半田のピーク位置を検出する。
次いで、このピーク位置を通る半田の縦断方向にレー
ザスポット光を掃引照射し、その反射光を受光手段に受
光することにより、この縦断方向に沿った半田の高さを
検出する。
ザスポット光を掃引照射し、その反射光を受光手段に受
光することにより、この縦断方向に沿った半田の高さを
検出する。
（実施例１） 次に、図面を参照しながら本発明の実施例を説明す
る。
る。
第１図は半田の外観検査装置の斜視図であって、１は
基板であり、その上面に電子部品（以下「チップ」とい
う）２が搭載されている。３はチップ２のモールド体2a
から側方へ多数本延出する電極部としてのリード、４は
リード３を基板１に接着する半田であり、一般に半田フ
ィレットと呼ばれている。
基板であり、その上面に電子部品（以下「チップ」とい
う）２が搭載されている。３はチップ２のモールド体2a
から側方へ多数本延出する電極部としてのリード、４は
リード３を基板１に接着する半田であり、一般に半田フ
ィレットと呼ばれている。
５はレーザ照射手段であって、これから照射されたレ
ーザスポット光は、ミラー６に反射されて半田４に照射
され、その反射光は第１の受光手段71や、第２の受光手
段72に入射する。その際、ミラー６を２方向に回転させ
ることにより、レーザ光をXY方向に掃引照射する。81,8
2は集光素子、91,92はPSDのような受光素子である。
ーザスポット光は、ミラー６に反射されて半田４に照射
され、その反射光は第１の受光手段71や、第２の受光手
段72に入射する。その際、ミラー６を２方向に回転させ
ることにより、レーザ光をXY方向に掃引照射する。81,8
2は集光素子、91,92はPSDのような受光素子である。
第１の受光手段71は、半田４の延出方向（リード３の
先端面に直交するＹ方向）における斜上方にあって、半
田４の横断方向（Ｘ方向）に掃引照射されたレーザスポ
ット光を受光することにより、この横断方向における半
田４のピーク位置を検出する。また第２の受光手段72
は、半田４の側方における斜上方であって、上記のよう
にして検出されたピーク位置を通る半田４の縦断方向
（Ｙ方向）に掃引照射されたレーザスポット光の反射光
を受光することにより、半田４の縦断方向に沿った高さ
を検出する。10は基板１に形成された回路パターンのラ
ンド、Ｑは基板１の適所に形成された位置基準マークで
あり、このマークＱに対する各ランド10の座標位置は既
知である。
先端面に直交するＹ方向）における斜上方にあって、半
田４の横断方向（Ｘ方向）に掃引照射されたレーザスポ
ット光を受光することにより、この横断方向における半
田４のピーク位置を検出する。また第２の受光手段72
は、半田４の側方における斜上方であって、上記のよう
にして検出されたピーク位置を通る半田４の縦断方向
（Ｙ方向）に掃引照射されたレーザスポット光の反射光
を受光することにより、半田４の縦断方向に沿った高さ
を検出する。10は基板１に形成された回路パターンのラ
ンド、Ｑは基板１の適所に形成された位置基準マークで
あり、このマークＱに対する各ランド10の座標位置は既
知である。
本装置は上記のような構成より成り、次に半田の外観
検査方法を説明する。
検査方法を説明する。
第２図及び第３図において、まず半田４の側方にスタ
ート点Ａを設定し、ここからリード３を横着るＸ方向に
レーザスポット光を掃引照射し、その反射光を第１の受
光素子91に受光して、この横断方向におけるリード３の
ピーク位置Ｂを検出する。このスタート点Ａは、上述し
たように基板１の位置基準マークＱに対して既知の位置
である各ランド10の側方に設定される。
ート点Ａを設定し、ここからリード３を横着るＸ方向に
レーザスポット光を掃引照射し、その反射光を第１の受
光素子91に受光して、この横断方向におけるリード３の
ピーク位置Ｂを検出する。このスタート点Ａは、上述し
たように基板１の位置基準マークＱに対して既知の位置
である各ランド10の側方に設定される。
第３図において、電子部品２を基板１に搭載した際の
実装誤差のために、リード３はランド10に対して上方に
位置ずれしている。また第５図に示すように、半田４は
右側に片寄って盛り上っている。したがってリード３の
センターラインN1と、半田４のピーク位置Ｂを通る縦断
ラインN2は、距離ｅ偏位している。
実装誤差のために、リード３はランド10に対して上方に
位置ずれしている。また第５図に示すように、半田４は
右側に片寄って盛り上っている。したがってリード３の
センターラインN1と、半田４のピーク位置Ｂを通る縦断
ラインN2は、距離ｅ偏位している。
次いで第４図に示すように、上記ピーク位置Ｂを通る
縦断方向、すなわち縦断ラインN2に沿って、レーザスポ
ット光を掃引照射し、その反射光を第２の受光手段72の
受光素子92に受光して、半田４の縦断ラインN2に沿った
高さを検出する。第４図において、ｎは受光素子92の受
光点を結ぶラインであり、このラインｎから半田４の縦
断方向の形状の良否を判断する。
縦断方向、すなわち縦断ラインN2に沿って、レーザスポ
ット光を掃引照射し、その反射光を第２の受光手段72の
受光素子92に受光して、半田４の縦断ラインN2に沿った
高さを検出する。第４図において、ｎは受光素子92の受
光点を結ぶラインであり、このラインｎから半田４の縦
断方向の形状の良否を判断する。
以上のように本手段によれば、半田４のピーク位置Ｂ
を通る縦断方向に沿った形状を検出できるので、半田４
の形状の良否を的確に判断できる。
を通る縦断方向に沿った形状を検出できるので、半田４
の形状の良否を的確に判断できる。
なお第３図において、リード３のセンターラインN1に
沿ってレーザスポット光を照射することにより、半田フ
ィレット４の形状の良否を判断することが考えられる
が、このラインN1は、ピーク位置Ｂを通る縦断ラインN2
からずれていることから、このラインN1に沿って高さを
検出すると、半田４の形状が良好であっても、不良と誤
って判断される虞れがあり、したがって本手段のよう
に、上記縦断ラインN2に沿って検査することが望まし
い。
沿ってレーザスポット光を照射することにより、半田フ
ィレット４の形状の良否を判断することが考えられる
が、このラインN1は、ピーク位置Ｂを通る縦断ラインN2
からずれていることから、このラインN1に沿って高さを
検出すると、半田４の形状が良好であっても、不良と誤
って判断される虞れがあり、したがって本手段のよう
に、上記縦断ラインN2に沿って検査することが望まし
い。
（実施例２） 第６図は、半田４のピーク位置Ｂを検出するための他
の方法を示すものである。上記のようにＸ方向にレーザ
スポット光を照射して、その反射光を受光素子91により
受光した場合、半田４の横断形状は、ピーク位置Ｂを頂
点とする山形状であることから、このピーク位置Ｂにお
いては、レーザスポット光はその大部分が受光素子92へ
向って反射されるが、このピーク位置Ｂから離れた斜面
上の点C,Dにおいては、レーザスポット光のかなりの部
分は、破線矢印で示すように側方へ反射されることか
ら、受光素子91へは一部の反射光しか入射しない。換言
すれば、レーザスポット光の反射光は、ピーク位置Ｂに
おいて、受光素子91へ向って最も強く反射される。した
がって受光素子91に最も強い反射光が入射した点を検出
することにより、ピーク位置Ｂを検出できる。そしてピ
ーク位置Ｂを検出したならば、上記の場合と同様に縦断
方向にレーザスポット光を照射し、縦断方向に沿った高
さを検出する。なおこの受光素子91としては、PSDに限
らず、ホトセンサーのような光の強弱を判断できるもの
であればよい。
の方法を示すものである。上記のようにＸ方向にレーザ
スポット光を照射して、その反射光を受光素子91により
受光した場合、半田４の横断形状は、ピーク位置Ｂを頂
点とする山形状であることから、このピーク位置Ｂにお
いては、レーザスポット光はその大部分が受光素子92へ
向って反射されるが、このピーク位置Ｂから離れた斜面
上の点C,Dにおいては、レーザスポット光のかなりの部
分は、破線矢印で示すように側方へ反射されることか
ら、受光素子91へは一部の反射光しか入射しない。換言
すれば、レーザスポット光の反射光は、ピーク位置Ｂに
おいて、受光素子91へ向って最も強く反射される。した
がって受光素子91に最も強い反射光が入射した点を検出
することにより、ピーク位置Ｂを検出できる。そしてピ
ーク位置Ｂを検出したならば、上記の場合と同様に縦断
方向にレーザスポット光を照射し、縦断方向に沿った高
さを検出する。なおこの受光素子91としては、PSDに限
らず、ホトセンサーのような光の強弱を判断できるもの
であればよい。
（発明の効果） 以上説明したように本発明によれば、半田のピーク位
置を検出し、次いでこのピーク位置を通る縦断方向にレ
ーザスポット光を照射することにより、この縦断方向に
沿った半田の形状を計測するようにしているので、半田
の形状の良否を正確に判断することができる。
置を検出し、次いでこのピーク位置を通る縦断方向にレ
ーザスポット光を照射することにより、この縦断方向に
沿った半田の形状を計測するようにしているので、半田
の形状の良否を正確に判断することができる。
【図面の簡単な説明】 図は本発明の実施例を示すものであって、第１図は外観
検査装置の斜視図、第２図、第３図、第４図は検査中の
要部斜視図，平面図，斜視図、第５図は部分正面図、第
６図は他の実施例の要部平面図である。 １……基板 ２……電子部品 ３……電極部 ４……半田 ５……レーザ照射手段 71,72……受光手段
検査装置の斜視図、第２図、第３図、第４図は検査中の
要部斜視図，平面図，斜視図、第５図は部分正面図、第
６図は他の実施例の要部平面図である。 １……基板 ２……電子部品 ３……電極部 ４……半田 ５……レーザ照射手段 71,72……受光手段
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) G01B 11/00 - 11/30 G01N 21/84 - 21/91 H05K 3/34
Claims (1)
- 【請求項１】基板に電子部品の電極部を接着する半田に
向って、上方からレーザスポット光を掃引照射するレー
ザ照射手段と、 上記レーザ照射手段により、半田の横断方向に掃引照射
されたレーザスポット光の反射光を受光することによ
り、この横断方向における半田のピーク位置を検出する
受光手段と、 上記のようにして検出されたピーク位置を通る半田の縦
断方向に掃引照射されたレーザスポット光の反射光を受
光することにより、この縦断方向に沿った半田の高さを
検出する受光手段とを備えていることを特徴とする半田
の外観検査装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12022190A JP2770551B2 (ja) | 1990-05-10 | 1990-05-10 | 半田の外観検査装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12022190A JP2770551B2 (ja) | 1990-05-10 | 1990-05-10 | 半田の外観検査装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0415506A JPH0415506A (ja) | 1992-01-20 |
| JP2770551B2 true JP2770551B2 (ja) | 1998-07-02 |
Family
ID=14780883
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12022190A Expired - Lifetime JP2770551B2 (ja) | 1990-05-10 | 1990-05-10 | 半田の外観検査装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2770551B2 (ja) |
-
1990
- 1990-05-10 JP JP12022190A patent/JP2770551B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0415506A (ja) | 1992-01-20 |
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