JP2748497B2 - オキシチタニウムフタロシアニン結晶の製造法 - Google Patents
オキシチタニウムフタロシアニン結晶の製造法Info
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- phthalocyanine crystal
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Description
【発明の詳細な説明】 ＜産業上の利用分野＞ 本発明はオキシチタニウムフタロシアニン結晶の製造
法に関し、特に電子写真用感光体に通したオキシチタニ
ウムフタロシアニン結晶の新規な製造法に関する。
法に関し、特に電子写真用感光体に通したオキシチタニ
ウムフタロシアニン結晶の新規な製造法に関する。
＜従来の技術＞ オキシチタニウムフタロシアニンの結晶型には、製造
条件によって準安定なα型と安定なβ型が存在すること
はつとに知られるところである。そしてこれらのオキシ
チタニウムフタロシアニンの結晶型が機械的ひずみ、有
機溶剤および熱の影響下に、相互に結晶型が転移するこ
とも知られている。例えばα型のオキシチタニウムフタ
ロシアニンはＮ−メチルピロリドン等の有機溶剤中で加
熱することによりβ型に転移する。
条件によって準安定なα型と安定なβ型が存在すること
はつとに知られるところである。そしてこれらのオキシ
チタニウムフタロシアニンの結晶型が機械的ひずみ、有
機溶剤および熱の影響下に、相互に結晶型が転移するこ
とも知られている。例えばα型のオキシチタニウムフタ
ロシアニンはＮ−メチルピロリドン等の有機溶剤中で加
熱することによりβ型に転移する。
また、α型のオキシチタニウムフタロシアニンを水性
懸濁液となし、これに芳香族炭化水素溶剤を添加し加熱
処理することによって、Ｘ線回折スペクトルにおいてブ
ラッグ角（２θ）27.3゜に強いピークを示すα型にもβ
型にも分類されない結晶型のオキシチタニウムフタロシ
アニンが得られ、かかる結晶型のオキシチタニウムフタ
ロシアニンが光ディスク用記録材料への応用が期待され
る等有用なものであることが特開昭63−20365号公報に
記載されている。
懸濁液となし、これに芳香族炭化水素溶剤を添加し加熱
処理することによって、Ｘ線回折スペクトルにおいてブ
ラッグ角（２θ）27.3゜に強いピークを示すα型にもβ
型にも分類されない結晶型のオキシチタニウムフタロシ
アニンが得られ、かかる結晶型のオキシチタニウムフタ
ロシアニンが光ディスク用記録材料への応用が期待され
る等有用なものであることが特開昭63−20365号公報に
記載されている。
＜発明が解決しようとする課題＞ 本発明は従来知られていなかった新規な方法で、電子
写真用感光体等の用途に有用なオキシチタニウムフタロ
シアニン結晶型を製造する工業的有利な製造法を提供す
ることを目的とするものである。
写真用感光体等の用途に有用なオキシチタニウムフタロ
シアニン結晶型を製造する工業的有利な製造法を提供す
ることを目的とするものである。
＜課題を解決するための手段＞ 本発明の要旨は、オキシチタニウムフタロシアニンを
脂肪族カルボン酸溶媒中、硫酸またはＲ・SO3H（式中、
Ｒは置換基を有していてもよい脂肪族または芳香族の残
基を表す。）で表されるスルホン化物とともに加熱処理
してＸ線回折スペクトルにおいてブラッグ（２θ±0.2
゜）27.3゜に主たる回折ピークを示す結晶を取得するこ
とを特徴とするオキシチタニウムフタロシアニン結晶の
製造法に存する。
脂肪族カルボン酸溶媒中、硫酸またはＲ・SO3H（式中、
Ｒは置換基を有していてもよい脂肪族または芳香族の残
基を表す。）で表されるスルホン化物とともに加熱処理
してＸ線回折スペクトルにおいてブラッグ（２θ±0.2
゜）27.3゜に主たる回折ピークを示す結晶を取得するこ
とを特徴とするオキシチタニウムフタロシアニン結晶の
製造法に存する。
＜作 用＞ 以下本発明をさらに詳細に説明する。
本発明方法の原料とするオキシチタニウムフタロシア
ニンはα型、β型または他のいずれの結晶型でもよく、
非晶質のものを用いてもよい。
ニンはα型、β型または他のいずれの結晶型でもよく、
非晶質のものを用いてもよい。
用いられる脂肪族カルボン酸としては、酢酸、プロピ
オン酸、酪酸、吉草酸等が挙げられる。好ましくは酢酸
であり、用いる量は原料とするオキシチタニウムフタロ
シアニンに対し10倍〜100倍（重量比）であり、好まし
くは20倍〜50倍である。
オン酸、酪酸、吉草酸等が挙げられる。好ましくは酢酸
であり、用いる量は原料とするオキシチタニウムフタロ
シアニンに対し10倍〜100倍（重量比）であり、好まし
くは20倍〜50倍である。
また、Ｒ・SO3Hで表わされるスルホン化物としては、
例えばメタンスルホン酸、エタンスルホン酸、プロパン
スルホン酸、ブタンスルホン酸等の脂肪族スルホン酸類
および下記式で表わされる芳香族スルホン酸類等が挙げ
られる。
例えばメタンスルホン酸、エタンスルホン酸、プロパン
スルホン酸、ブタンスルホン酸等の脂肪族スルホン酸類
および下記式で表わされる芳香族スルホン酸類等が挙げ
られる。
（式中、R1,R2は水素原子；水酸基；ニトロ基；メチル
基、エチル基、プロピル基等のアルキル基；メトキシ
基、エトキシ基等のアルコキシ基；フッ素原子、塩素原
子、臭素原子等のハロゲン原子；カルボキシル基；シア
ノ基；アミノ基；ジメチルアミノ基等が挙げられる。）
中でもトルエンスルホン酸が好適である。用いる量はオ
キシチタニウムフタロシアニンに対し1.5倍モル〜15倍
モルであり、好ましくは３倍モル〜５倍モルである。
基、エチル基、プロピル基等のアルキル基；メトキシ
基、エトキシ基等のアルコキシ基；フッ素原子、塩素原
子、臭素原子等のハロゲン原子；カルボキシル基；シア
ノ基；アミノ基；ジメチルアミノ基等が挙げられる。）
中でもトルエンスルホン酸が好適である。用いる量はオ
キシチタニウムフタロシアニンに対し1.5倍モル〜15倍
モルであり、好ましくは３倍モル〜５倍モルである。
本発明方法においては、脂肪族カルボン酸溶媒中での
加熱処理は、溶媒の沸点に近い温度で充分行うほど目的
の結晶型のオキシチタニウムフタロシアニンが確実に得
られるが、工業的には、50〜200℃、好ましくは70〜130
℃で１時間〜５時間加熱処理すれば充分である。
加熱処理は、溶媒の沸点に近い温度で充分行うほど目的
の結晶型のオキシチタニウムフタロシアニンが確実に得
られるが、工業的には、50〜200℃、好ましくは70〜130
℃で１時間〜５時間加熱処理すれば充分である。
尚、本発明において「主たる回折ピーク」とは、その
Ｘ線回折スペクトルにおける強度が一番強い（高い）ピ
ークを指す。又、本発明方法によって得られたオキシチ
タニウムフタロシアニン結晶の粉末Ｘ線スペクトルの例
を第１図、第４図に示す。電子写真感光体に用いるに
は、ブラッグ角（２θ±0.2゜）27.3゜の回折ピークが
主たるピークであり、そのピーク以外は細かい条件によ
って種々ふれるが、第１図及び第４図の様に27.3゜のピ
ーク強度に対していずれのピークもその強度（ピーク高
さの比較）が50％以下であるスペクトルを示すオキシチ
タニウムフタロシアニン結晶が帯電性、感度等の点から
好ましい。
Ｘ線回折スペクトルにおける強度が一番強い（高い）ピ
ークを指す。又、本発明方法によって得られたオキシチ
タニウムフタロシアニン結晶の粉末Ｘ線スペクトルの例
を第１図、第４図に示す。電子写真感光体に用いるに
は、ブラッグ角（２θ±0.2゜）27.3゜の回折ピークが
主たるピークであり、そのピーク以外は細かい条件によ
って種々ふれるが、第１図及び第４図の様に27.3゜のピ
ーク強度に対していずれのピークもその強度（ピーク高
さの比較）が50％以下であるスペクトルを示すオキシチ
タニウムフタロシアニン結晶が帯電性、感度等の点から
好ましい。
＜実施例＞ 次に本発明を実施例と応用例により更に具体的に説明
するが、本発明はその要旨をこえない限り以下の実施例
に限定されるものではない。
するが、本発明はその要旨をこえない限り以下の実施例
に限定されるものではない。
実施例１ β型オキシチタニウムフタロシアニン5.0gに、ｐ−ト
ルエンスルホン酸25gおよび酢酸500mlを加え、５時間加
熱還流させた。過後、物を水500mlで熱水懸洗し、
続いてメタノール500ml中で熱懸洗した。得られたオキ
シチタニウムフタロシアニン（収量4.2g）のＸ線回折ス
ペクトル（第１図）は、α型およびβ型オキシチタニウ
ムフタロシアニンのスペクトル（第2,3図）とは異な
り、ブラッグ角（２θ±0.2゜）27.3゜に主たる回折ピ
ークを示すものであった。
ルエンスルホン酸25gおよび酢酸500mlを加え、５時間加
熱還流させた。過後、物を水500mlで熱水懸洗し、
続いてメタノール500ml中で熱懸洗した。得られたオキ
シチタニウムフタロシアニン（収量4.2g）のＸ線回折ス
ペクトル（第１図）は、α型およびβ型オキシチタニウ
ムフタロシアニンのスペクトル（第2,3図）とは異な
り、ブラッグ角（２θ±0.2゜）27.3゜に主たる回折ピ
ークを示すものであった。
実施例２ β型オキシチタニウムフタロシアニン5.0gに、メタン
スルホン酸5.0gおよび酢酸100mlを加え、５時間加熱還
流させた。過後物を水200mlで熱水懸洗し、続いて
メタノール200ml中で熱懸洗した。得られたオキシチタ
ニウムフタロシアニン（収量3.9g）のＸ線回折スペクト
ルを第４図に示す。
スルホン酸5.0gおよび酢酸100mlを加え、５時間加熱還
流させた。過後物を水200mlで熱水懸洗し、続いて
メタノール200ml中で熱懸洗した。得られたオキシチタ
ニウムフタロシアニン（収量3.9g）のＸ線回折スペクト
ルを第４図に示す。
実施例３ 溶媒およびスルホン化物として表に記載したものを用
いる以外実施例１および実施例２と全く同様にしたとこ
ろ、いずれもＸ線回折スペクトルにおいてブラッグ角
（２θ±0.2゜）27.3゜に主たるピークを示すオキシチ
タニウムフタロシアニンが得られた。
いる以外実施例１および実施例２と全く同様にしたとこ
ろ、いずれもＸ線回折スペクトルにおいてブラッグ角
（２θ±0.2゜）27.3゜に主たるピークを示すオキシチ
タニウムフタロシアニンが得られた。
応用例１ 実施例１で製造したオキシチタニウムフタロシアニン
結晶0.4g、ポリビニルブチラール0.2gを４−メトキシ−
４−メチル−２−ペンタノン30gと共に、サンドグライ
ンダーで分散し、この分散液をポリエステルフィルム上
に蒸着したアルミ蒸着層の上にフィルムアプリケータに
より乾燥膜厚が0.3g/m2となる様に塗布、乾燥し、電荷
発生層を形成した。
結晶0.4g、ポリビニルブチラール0.2gを４−メトキシ−
４−メチル−２−ペンタノン30gと共に、サンドグライ
ンダーで分散し、この分散液をポリエステルフィルム上
に蒸着したアルミ蒸着層の上にフィルムアプリケータに
より乾燥膜厚が0.3g/m2となる様に塗布、乾燥し、電荷
発生層を形成した。
この電荷発生層の上に、Ｎ−メチル−３−カルバゾー
ルカルバルデヒドジフェニルヒドラゾン90部、ポリカー
ボネート樹脂（三菱ガス化学社製、商品名ユーピロンＥ
−2000）100部からなる膜厚17μｍの電荷移動層を積層
し、積層型の感光層を有する電子写真感光体を得た。
ルカルバルデヒドジフェニルヒドラゾン90部、ポリカー
ボネート樹脂（三菱ガス化学社製、商品名ユーピロンＥ
−2000）100部からなる膜厚17μｍの電荷移動層を積層
し、積層型の感光層を有する電子写真感光体を得た。
この感光体の感度として半減露光量（E1/2）を静電複
写紙試験装置（川口電機製作所製モデルSP−428）によ
り測定した。すなわち、暗所でコロナ電流が50μＡにな
る様に設定した印加電圧によるコロナ放電により感光体
を負帯電し、次いで0.125μW/cm2の強度を持つ775nmの
単色光により露光し表面電位が−500Vから−250Vに半減
するのに要した露光量（E1/2）を求めたところ0.22μJ/
cm2であった。
写紙試験装置（川口電機製作所製モデルSP−428）によ
り測定した。すなわち、暗所でコロナ電流が50μＡにな
る様に設定した印加電圧によるコロナ放電により感光体
を負帯電し、次いで0.125μW/cm2の強度を持つ775nmの
単色光により露光し表面電位が−500Vから−250Vに半減
するのに要した露光量（E1/2）を求めたところ0.22μJ/
cm2であった。
この時の感光体の帯電圧（初期表面電位）は672Vであ
り露光10秒後の表面電位（残留電位）は−7Vであった。
り露光10秒後の表面電位（残留電位）は−7Vであった。
応用例２ 用いるオキシチタニウムフタロシアニン結晶を実施例
２で製造された結晶とおきかえた以外は前記応用例１と
全く同様にしたところ測定された半減露光量（E1/2）は
0.25μJ/cm2であった。
２で製造された結晶とおきかえた以外は前記応用例１と
全く同様にしたところ測定された半減露光量（E1/2）は
0.25μJ/cm2であった。
＜発明の効果＞ 本発明方法によれば、ブラッグ角（２θ±0.2度）27.
3度に主たる回折ピークを有するオキシフタロシアニン
結晶を一段階の処理で収率よく得ることができる等工業
的有利に製造可能である。
3度に主たる回折ピークを有するオキシフタロシアニン
結晶を一段階の処理で収率よく得ることができる等工業
的有利に製造可能である。
又、この様にして得られるオキシチタニウムフタロシ
アニン結晶を電荷発生材料として用いる電子写真用感光
体は高感度で、残留電位が低く帯電性が高く、かつ、繰
返しによる変動が小さく、特に、画像濃度に影響する帯
電安定性が良好であることから、高耐久性感光体として
用いることができる。又750〜800nmの領域の感度が高い
ことから、特に半導体レーザプリンタ用感光体に適して
いる。
アニン結晶を電荷発生材料として用いる電子写真用感光
体は高感度で、残留電位が低く帯電性が高く、かつ、繰
返しによる変動が小さく、特に、画像濃度に影響する帯
電安定性が良好であることから、高耐久性感光体として
用いることができる。又750〜800nmの領域の感度が高い
ことから、特に半導体レーザプリンタ用感光体に適して
いる。
第１図および第４図は、実施例１および実施例２で得ら
れた本発明の結晶型オキシチタニウムフタロシアニンの
Ｘ線回折スペクトルを示す。第２図および第３図はそれ
ぞれ公知のα型およびβ型オキシチタニウムフタロシア
ニンのＸ線回折スペクトルを示す。
れた本発明の結晶型オキシチタニウムフタロシアニンの
Ｘ線回折スペクトルを示す。第２図および第３図はそれ
ぞれ公知のα型およびβ型オキシチタニウムフタロシア
ニンのＸ線回折スペクトルを示す。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 竹内 昌子 神奈川県横浜市緑区鴨志田町1000番地 三菱化成株式会社総合研究所内 (56)参考文献 特開 平２−215866（ＪＰ，Ａ)
Claims (1)
- 【請求項１】オキシチタニウムフタロシアニンを脂肪族
カルボン酸溶媒中、硫酸またはＲ・SO3H（式中、Ｒは置
換基を有していてもよい脂肪族または芳香族の残基を表
す。）で表されるスルホン化物とともに加熱処理してＸ
線回折スペクトルにおいてブラッグ角（２θ±0.2゜）2
7.3゜に主たる回折ピークを示す結晶を取得することを
特徴とするオキシチタニウムフタロシアニン結晶の製造
方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3808789A JP2748497B2 (ja) | 1989-02-17 | 1989-02-17 | オキシチタニウムフタロシアニン結晶の製造法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3808789A JP2748497B2 (ja) | 1989-02-17 | 1989-02-17 | オキシチタニウムフタロシアニン結晶の製造法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02215867A JPH02215867A (ja) | 1990-08-28 |
| JP2748497B2 true JP2748497B2 (ja) | 1998-05-06 |
Family
ID=12515694
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3808789A Expired - Fee Related JP2748497B2 (ja) | 1989-02-17 | 1989-02-17 | オキシチタニウムフタロシアニン結晶の製造法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2748497B2 (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5132197A (en) * | 1989-07-21 | 1992-07-21 | Canon Kabushiki Kaisha | Oxytitanium phthalocyanine, process for producing same and electrophotosensitive member using same |
| US5290928A (en) * | 1990-11-22 | 1994-03-01 | Fuji Xerox Co., Ltd. | Process for preparing oxytitanium phthalocyanine hydrate crystal |
| JP6368134B2 (ja) * | 2014-04-25 | 2018-08-01 | キヤノン株式会社 | 電子写真感光体、プロセスカートリッジおよび電子写真装置 |
| CN113092228A (zh) * | 2021-03-23 | 2021-07-09 | 宁波创润新材料有限公司 | 一种用于gdms检测钛晶体样品及其制备方法 |
-
1989
- 1989-02-17 JP JP3808789A patent/JP2748497B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH02215867A (ja) | 1990-08-28 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |