JP2605608B2 - ＨｇＣｄＴｅ薄膜の成長方法 - Google Patents
ＨｇＣｄＴｅ薄膜の成長方法Info
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- JP2605608B2 JP2605608B2 JP5308248A JP30824893A JP2605608B2 JP 2605608 B2 JP2605608 B2 JP 2605608B2 JP 5308248 A JP5308248 A JP 5308248A JP 30824893 A JP30824893 A JP 30824893A JP 2605608 B2 JP2605608 B2 JP 2605608B2
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、赤外線センサに使用さ
れるＨｇＣｄＴｅとの間に格子不整合による歪と熱膨張
係数差による熱歪の存在する、ガリウム砒素（ＧａＡ
ｓ）やシリコン（Ｓｉ）などの基板上へＨｇＣｄＴｅ膜
を成長する方法に関する。
れるＨｇＣｄＴｅとの間に格子不整合による歪と熱膨張
係数差による熱歪の存在する、ガリウム砒素（ＧａＡ
ｓ）やシリコン（Ｓｉ）などの基板上へＨｇＣｄＴｅ膜
を成長する方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、赤外線センサに使用されるＨｇ
1 - x Ｃｄx Ｔｅの組成比ｘは０．２〜０．４であり、
これに相当する格子定数は０．６４６４２〜０．６４６
８４ｎｍである。このＨｇＣｄＴｅと格子不整合（＞１
０％）の大きい材料、例えばＧａＡｓ（格子定数０．５
６５３２ｎｍ）やＳｉ（格子定数０．５４３１ｎｍ）な
どをＨｇＣｄＴｅエピタキシー用の基板として使用する
場合、基板の上にまずＣｄＴｅバッファ層が形成され
る。分子線エピタキシー法では、アリアス等（Ｊ．Ｍ．
Ａｒｉａｓ ｅｔ ａｌ）によるアプライド・フィジク
ス・レター（Ａｐｐｌｉｅｄ Ｐｈｙｓｉｃｓ Ｌｅｔ
ｔｅｒ Ｖｏｌ．５４ （１９８９）１０２５頁）によ
れば３００℃でＣｄＴｅバッファ層の成長が行われてお
り、また、有機金属化学堆積法では、エドウォール等
（Ｄ．Ｄ．Ｅｄｗａｌｌ ｅｔ ａｌ）によるジャーナ
ル・オブ・バキューム・サイエンス・アンド・テクノロ
ジー（Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ｖａｃｕｕｍ Ｓｃｉｅ
ｎｃｅ ａｎｄ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ Ｖｏｌ．Ａ８
（１９９０）１０４５頁）によれば４２０℃でＣｄＴｅ
バッファ層の成長が行われている。ただしＣｄＴｅは格
子定数０．６４８１ｎｍで、Ｈｇ1 - x Ｃｄx Ｔｅ
（０．２≦ｘ≦０．４）との間にまだ、０．２３〜０．
２６％程度の格子不整合が存在している。この格子不整
合による歪をさらに緩和する目的で例えば、更にＨｇＣ
ｄＴｅ層に格子整合したＣｄ1 - y Ｚｎy Ｔｅ（Ｚｎ濃
度ｙ約４％）をＨｇＣｄＴｅ層直下のバッファ層とする
成長方法がアルグレン等（Ｗ．Ｌ．Ａｈｌｇｒｅｎ ｅ
ｔ ａｌ）によってジャーナル・オブ・バキューム・サ
イエンス・アンド・テクノロジー（Ｊｏｕｒｎａｌ ｏ
ｆ ＶａｃｕｕｍＳｃｉｅｎｃｅ ａｎｄ Ｔｅｃｈｎ
ｏｌｏｇｙ Ｖｏｌ．Ａ７（１９８９）３３２頁）に開
示され、実施されている。
1 - x Ｃｄx Ｔｅの組成比ｘは０．２〜０．４であり、
これに相当する格子定数は０．６４６４２〜０．６４６
８４ｎｍである。このＨｇＣｄＴｅと格子不整合（＞１
０％）の大きい材料、例えばＧａＡｓ（格子定数０．５
６５３２ｎｍ）やＳｉ（格子定数０．５４３１ｎｍ）な
どをＨｇＣｄＴｅエピタキシー用の基板として使用する
場合、基板の上にまずＣｄＴｅバッファ層が形成され
る。分子線エピタキシー法では、アリアス等（Ｊ．Ｍ．
Ａｒｉａｓ ｅｔ ａｌ）によるアプライド・フィジク
ス・レター（Ａｐｐｌｉｅｄ Ｐｈｙｓｉｃｓ Ｌｅｔ
ｔｅｒ Ｖｏｌ．５４ （１９８９）１０２５頁）によ
れば３００℃でＣｄＴｅバッファ層の成長が行われてお
り、また、有機金属化学堆積法では、エドウォール等
（Ｄ．Ｄ．Ｅｄｗａｌｌ ｅｔ ａｌ）によるジャーナ
ル・オブ・バキューム・サイエンス・アンド・テクノロ
ジー（Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ｖａｃｕｕｍ Ｓｃｉｅ
ｎｃｅ ａｎｄ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ Ｖｏｌ．Ａ８
（１９９０）１０４５頁）によれば４２０℃でＣｄＴｅ
バッファ層の成長が行われている。ただしＣｄＴｅは格
子定数０．６４８１ｎｍで、Ｈｇ1 - x Ｃｄx Ｔｅ
（０．２≦ｘ≦０．４）との間にまだ、０．２３〜０．
２６％程度の格子不整合が存在している。この格子不整
合による歪をさらに緩和する目的で例えば、更にＨｇＣ
ｄＴｅ層に格子整合したＣｄ1 - y Ｚｎy Ｔｅ（Ｚｎ濃
度ｙ約４％）をＨｇＣｄＴｅ層直下のバッファ層とする
成長方法がアルグレン等（Ｗ．Ｌ．Ａｈｌｇｒｅｎ ｅ
ｔ ａｌ）によってジャーナル・オブ・バキューム・サ
イエンス・アンド・テクノロジー（Ｊｏｕｒｎａｌ ｏ
ｆ ＶａｃｕｕｍＳｃｉｅｎｃｅ ａｎｄ Ｔｅｃｈｎ
ｏｌｏｇｙ Ｖｏｌ．Ａ７（１９８９）３３２頁）に開
示され、実施されている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来技
術で用いられているＣｄ1 - y Ｚｎy Ｔｅをバッファ層
とする方法では、Ｃｄ1 - y Ｚｎy Ｔｅのような３元化
合物の作製にはＣｄＴｅとＺｎＴｅのように２種類以上
の化合物の母材が必要となり、蒸気圧制御に必要なパラ
メータが増加していた。また、Ｚｎ濃度の制御が難し
く、Ｚｎが偏析し易いため（田中ら：電気学会編：電子
材料研究会資料＃ＥＦＭ−８８−１８、６８頁、図
６）、面内での不均一さが生じ易く逆に格子不整合を大
きくしてしまう場合があった。このためＨｇＣｄＴｅ層
の歪は成長ごとに異なるのが問題であった。また、赤外
線検出器としてＨｇＣｄＴｅ層を用いる場合、基板側か
らバッファ層を通して赤外線波長３μ〜１０μｍを入射
する必要があるため、バッファ層は同赤外線を透過する
材料でなければならないという制限がある。
術で用いられているＣｄ1 - y Ｚｎy Ｔｅをバッファ層
とする方法では、Ｃｄ1 - y Ｚｎy Ｔｅのような３元化
合物の作製にはＣｄＴｅとＺｎＴｅのように２種類以上
の化合物の母材が必要となり、蒸気圧制御に必要なパラ
メータが増加していた。また、Ｚｎ濃度の制御が難し
く、Ｚｎが偏析し易いため（田中ら：電気学会編：電子
材料研究会資料＃ＥＦＭ−８８−１８、６８頁、図
６）、面内での不均一さが生じ易く逆に格子不整合を大
きくしてしまう場合があった。このためＨｇＣｄＴｅ層
の歪は成長ごとに異なるのが問題であった。また、赤外
線検出器としてＨｇＣｄＴｅ層を用いる場合、基板側か
らバッファ層を通して赤外線波長３μ〜１０μｍを入射
する必要があるため、バッファ層は同赤外線を透過する
材料でなければならないという制限がある。
【０００４】また、上記従来技術では格子不整合による
歪のみの緩和を目的としているため、これ以外に存在す
る、異なった材料間の熱膨張係数差に基づいた熱歪は全
く無視されていた。例えば分子線エピタキシー法におい
て、ＧａＡｓ基板上にＣｄＴｅバッファ層を３００℃で
成長後、ＨｇＣｄＴｅ成長温度１９０℃まで降温するた
めにＣｄＴｅバッファ層には降温時の熱歪およそ３×１
０7 ｄｙｎ／ｃｍ2 がそのまま保存される。このため同
バッファ層上に作製したＨｇＣｄＴｅ層には自ずと熱歪
が導入され、基板を含めた反り（重中ら，’９２年第５
３回秋季応用物理学会学術講演会予稿集２７３頁，１８
ａ−ＳＬ−４）や結晶性を損なう原因となっていた。
歪のみの緩和を目的としているため、これ以外に存在す
る、異なった材料間の熱膨張係数差に基づいた熱歪は全
く無視されていた。例えば分子線エピタキシー法におい
て、ＧａＡｓ基板上にＣｄＴｅバッファ層を３００℃で
成長後、ＨｇＣｄＴｅ成長温度１９０℃まで降温するた
めにＣｄＴｅバッファ層には降温時の熱歪およそ３×１
０7 ｄｙｎ／ｃｍ2 がそのまま保存される。このため同
バッファ層上に作製したＨｇＣｄＴｅ層には自ずと熱歪
が導入され、基板を含めた反り（重中ら，’９２年第５
３回秋季応用物理学会学術講演会予稿集２７３頁，１８
ａ−ＳＬ−４）や結晶性を損なう原因となっていた。
【０００５】本発明の目的はこのような格子歪と熱歪を
なるだけ簡便な手段で緩和して結晶性のよいＨｇＣｄＴ
ｅ層を得ることにある。
なるだけ簡便な手段で緩和して結晶性のよいＨｇＣｄＴ
ｅ層を得ることにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明は上記問題点を解
決するための手段として、水銀カドミウムテルル薄膜直
下のバッファ層を、基板に接して設けられたバッファ層
よりも低温で形成することを特徴とするＨｇＣｄＴｅ膜
の成長方法である。つまり、従来技術のＣｄＴｅバッフ
ァ層よりも低温で、同層の結晶性を損なわない程度のＨ
ｇＣｄＴｅ成長温度になるだけ近い温度（具体的には２
３０℃〜２７０℃程度）でＣｄＴｅバッファ層を成長
し、ＨｇＣｄＴｅ層の直下に挿入することを特徴として
いる。また、分子線源として化合物ＣｄＴｅとＨｇによ
りバッファ層の成長を行うことを特徴としている。
決するための手段として、水銀カドミウムテルル薄膜直
下のバッファ層を、基板に接して設けられたバッファ層
よりも低温で形成することを特徴とするＨｇＣｄＴｅ膜
の成長方法である。つまり、従来技術のＣｄＴｅバッフ
ァ層よりも低温で、同層の結晶性を損なわない程度のＨ
ｇＣｄＴｅ成長温度になるだけ近い温度（具体的には２
３０℃〜２７０℃程度）でＣｄＴｅバッファ層を成長
し、ＨｇＣｄＴｅ層の直下に挿入することを特徴として
いる。また、分子線源として化合物ＣｄＴｅとＨｇによ
りバッファ層の成長を行うことを特徴としている。
【０００７】
【作用】ＨｇＣｄＴｅ層直下のＣｄＴｅバッファ層の成
長温度がＨｇＣｄＴｅ成長温度に近くなるため、降温時
に作用するＨｇＣｄＴｅ層への熱歪が緩和できる。低温
で成長することにより表面平坦度がよくなる。成長温度
としては２３０〜２７０℃であれば十分本発明の効果が
得られるが、特に２３０℃〜２５０℃が最適である。
長温度がＨｇＣｄＴｅ成長温度に近くなるため、降温時
に作用するＨｇＣｄＴｅ層への熱歪が緩和できる。低温
で成長することにより表面平坦度がよくなる。成長温度
としては２３０〜２７０℃であれば十分本発明の効果が
得られるが、特に２３０℃〜２５０℃が最適である。
【０００８】また、分子線エピタキシー法で用いるＨｇ
の蒸気圧はほとんど一定なのでもう一方の分子線源であ
るＣｄＴｅの蒸気圧と基板温度によってＨｇ濃度が制御
でき容易に作製が行える。この場合分子線源のＣｄＴｅ
からは分子線ＣｄＴｅおよびＣｄとＴｅ2 に別れるが、
Ｔｅ2 分子線はＣｄとＴｅの分解効率に依存するために
ＨｇとＣｄＴｅを同時に照射することによりバッファ層
に取り込まれるＨｇ量はおよそ２０％程度までに制限さ
れる。このためこの層（Ｈｇ1 - x Ｃｄx Ｔｅのｘ≧
０．８）の格子定数はＣｄＴｅの格子定数よりも赤外線
検出層ＨｇＣｄＴｅ（０．２≦ｘ≦０．４）に近づき、
格子歪が緩和され、なおかつこのバッファ層はｘ≧０．
８の組成比なので３〜１０μｍの赤外線に対しても吸収
が起こることはない。
の蒸気圧はほとんど一定なのでもう一方の分子線源であ
るＣｄＴｅの蒸気圧と基板温度によってＨｇ濃度が制御
でき容易に作製が行える。この場合分子線源のＣｄＴｅ
からは分子線ＣｄＴｅおよびＣｄとＴｅ2 に別れるが、
Ｔｅ2 分子線はＣｄとＴｅの分解効率に依存するために
ＨｇとＣｄＴｅを同時に照射することによりバッファ層
に取り込まれるＨｇ量はおよそ２０％程度までに制限さ
れる。このためこの層（Ｈｇ1 - x Ｃｄx Ｔｅのｘ≧
０．８）の格子定数はＣｄＴｅの格子定数よりも赤外線
検出層ＨｇＣｄＴｅ（０．２≦ｘ≦０．４）に近づき、
格子歪が緩和され、なおかつこのバッファ層はｘ≧０．
８の組成比なので３〜１０μｍの赤外線に対しても吸収
が起こることはない。
【０００９】
【実施例】以下に分子線エピタキシー法により実施した
本発明を説明する。 （実施例１）図１に本発明の請求項１によるＨｇＣｄＴ
ｅ膜の作製工程を示す。この図に示したように基板上に
従来の３００℃で５μｍのＣｄＴｅバッファ層を形成す
る。この第１層は基板からの不純物拡散防止の役目を果
たす。不純物分析の結果からＧａＡｓ基板を用いた場
合、この第１バッファ層により基板からのＧａ拡散は１
０1 5 ｃｍ- 3 以下に抑えられた。この第１バッファ層
で不純物拡散を防止したうえで、本発明の請求項１によ
る低温での第２ＣｄＴｅバッファ層を成長する。図２に
その構造の概略を示す。この場合低温成長においても同
層の結晶性が損なわれないことが条件である。そこでＣ
ｄＴｅバッファ層における結晶性と成長温度の関係を調
べた。図３は成長温度とＣｄＴｅバッファ層のＸ線回折
半値幅の関係を示す図である。この図から２５０℃程度
まではＣｄＴｅバッファ層の結晶性は保証されることが
分かる。そこで２５０℃において本発明による第２Ｃｄ
Ｔｅバッファ層を１μｍ成長し、その上にＨｇＣｄＴｅ
（ｘ＝０．２２）を成長した。このとき降温時に生じる
熱歪εは ε＝Δα×ΔＴ （１） ここでΔα：熱膨張係数差、 ΔＴ：降温時の温度差で
表される。分子線エピタキシー法でのＨｇＣｄＴｅ成長
温度はだいたい１９０℃なので、従来のバッファ層成長
温度３００℃から１９０℃に降温するよりも、本発明に
よる低温成長温度２５０℃から１９０℃へ降温した場合
の方が熱歪は倍近く緩和されることになる。
本発明を説明する。 （実施例１）図１に本発明の請求項１によるＨｇＣｄＴ
ｅ膜の作製工程を示す。この図に示したように基板上に
従来の３００℃で５μｍのＣｄＴｅバッファ層を形成す
る。この第１層は基板からの不純物拡散防止の役目を果
たす。不純物分析の結果からＧａＡｓ基板を用いた場
合、この第１バッファ層により基板からのＧａ拡散は１
０1 5 ｃｍ- 3 以下に抑えられた。この第１バッファ層
で不純物拡散を防止したうえで、本発明の請求項１によ
る低温での第２ＣｄＴｅバッファ層を成長する。図２に
その構造の概略を示す。この場合低温成長においても同
層の結晶性が損なわれないことが条件である。そこでＣ
ｄＴｅバッファ層における結晶性と成長温度の関係を調
べた。図３は成長温度とＣｄＴｅバッファ層のＸ線回折
半値幅の関係を示す図である。この図から２５０℃程度
まではＣｄＴｅバッファ層の結晶性は保証されることが
分かる。そこで２５０℃において本発明による第２Ｃｄ
Ｔｅバッファ層を１μｍ成長し、その上にＨｇＣｄＴｅ
（ｘ＝０．２２）を成長した。このとき降温時に生じる
熱歪εは ε＝Δα×ΔＴ （１） ここでΔα：熱膨張係数差、 ΔＴ：降温時の温度差で
表される。分子線エピタキシー法でのＨｇＣｄＴｅ成長
温度はだいたい１９０℃なので、従来のバッファ層成長
温度３００℃から１９０℃に降温するよりも、本発明に
よる低温成長温度２５０℃から１９０℃へ降温した場合
の方が熱歪は倍近く緩和されることになる。
【００１０】表１は従来の３００℃でＣｄＴｅバッファ
層を成長しＨｇＣｄＴｅを成長した膜と本発明により成
長したＨｇＣｄＴｅ膜の結晶性をＸ線回折により比較し
たものである。ＨｇＣｄＴｅ層直下のＣｄＴｅバッファ
層を低温で成長した本発明による方が熱歪が低減され、
ＨｇＣｄＴｅ層の結晶性は改善されたこと。さらに、低
温で成長した結晶ほど表面状態は非常に滑らかとなる。
層を成長しＨｇＣｄＴｅを成長した膜と本発明により成
長したＨｇＣｄＴｅ膜の結晶性をＸ線回折により比較し
たものである。ＨｇＣｄＴｅ層直下のＣｄＴｅバッファ
層を低温で成長した本発明による方が熱歪が低減され、
ＨｇＣｄＴｅ層の結晶性は改善されたこと。さらに、低
温で成長した結晶ほど表面状態は非常に滑らかとなる。
【００１１】
【表１】
【００１２】（実施例２）第２の発明による方法におい
ては、第２ＣｄＴｅバッファ層を３００℃で成長中に、
Ｈｇのセル温度を１００℃にしＨｇを照射した。この層
をＸ線光電子分光により調べた結果およそ２０％程度の
Ｈｇが取り込まれていた。この場合、Ｈｇの分圧はＣｄ
Ｔｅ化合物の分圧よりも１桁以上高い為、分子線源にＣ
ｄＴｅ化合物を用いることにより取り込まれるＨｇの量
はＣｄＴｅ化合物からのＴｅ2 への分解効率に依存す
る。したがって、この層には２０％以下のＨｇつまりＨ
ｇ1 -x Ｃｄx Ｔｅはｘ≧０．８に制限される。このた
め同層のバンドギャップはハンセン等（Ｈａｎｓｅｎ
ｅｔ ａｌ）によるジャーナル・オブ・アプライド・フ
ィジクス（Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ａｐｐｌｉｅｄ Ｐ
ｈｙｓｉｃｓ．Ｖｏｌ．５３（１９８２）７０９９頁）
の計算式を用いて、絶対温度７７Ｋにおいて１．１ｅＶ
以上となり、波長にして約１μｍ以上の波長帯に対して
透明である。しかも、ｘ＝０．８で第２バッファ層の格
子定数は０．６４７６８ｎｍと計算され、赤外線センサ
として使うＨｇ1 - x Ｃｄx Ｔｅ（０．２≦ｘ≦０．
４）に対する格子不整合は０．１２９７〜０．１９４５
％であり、従来のＣｄＴｅバッファ層を用いた場合の格
子不整合０．１９４４〜０．２５９％よりも歪を小さく
することが可能となる。このように、精密で煩雑な分圧
の制御を用いること無くＣｄＴｅ化合物分子線とＨｇの
照射により容易に格子歪の緩和が実施できる。
ては、第２ＣｄＴｅバッファ層を３００℃で成長中に、
Ｈｇのセル温度を１００℃にしＨｇを照射した。この層
をＸ線光電子分光により調べた結果およそ２０％程度の
Ｈｇが取り込まれていた。この場合、Ｈｇの分圧はＣｄ
Ｔｅ化合物の分圧よりも１桁以上高い為、分子線源にＣ
ｄＴｅ化合物を用いることにより取り込まれるＨｇの量
はＣｄＴｅ化合物からのＴｅ2 への分解効率に依存す
る。したがって、この層には２０％以下のＨｇつまりＨ
ｇ1 -x Ｃｄx Ｔｅはｘ≧０．８に制限される。このた
め同層のバンドギャップはハンセン等（Ｈａｎｓｅｎ
ｅｔ ａｌ）によるジャーナル・オブ・アプライド・フ
ィジクス（Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ａｐｐｌｉｅｄ Ｐ
ｈｙｓｉｃｓ．Ｖｏｌ．５３（１９８２）７０９９頁）
の計算式を用いて、絶対温度７７Ｋにおいて１．１ｅＶ
以上となり、波長にして約１μｍ以上の波長帯に対して
透明である。しかも、ｘ＝０．８で第２バッファ層の格
子定数は０．６４７６８ｎｍと計算され、赤外線センサ
として使うＨｇ1 - x Ｃｄx Ｔｅ（０．２≦ｘ≦０．
４）に対する格子不整合は０．１２９７〜０．１９４５
％であり、従来のＣｄＴｅバッファ層を用いた場合の格
子不整合０．１９４４〜０．２５９％よりも歪を小さく
することが可能となる。このように、精密で煩雑な分圧
の制御を用いること無くＣｄＴｅ化合物分子線とＨｇの
照射により容易に格子歪の緩和が実施できる。
【００１３】表２は第２バッファ層を３００℃でＨｇ照
射した、本発明の請求項２により作製したＨｇＣｄＴｅ
膜と従来のＣｄＴｅバッファ層にＨｇＣｄＴｅ膜を作製
した場合の結晶性の比較である。本発明により格子歪が
緩和され、Ｘ線回折半値幅が減少した。したがって、Ｈ
ｇＣｄＴｅ層の結晶性が改善したことがわかる。
射した、本発明の請求項２により作製したＨｇＣｄＴｅ
膜と従来のＣｄＴｅバッファ層にＨｇＣｄＴｅ膜を作製
した場合の結晶性の比較である。本発明により格子歪が
緩和され、Ｘ線回折半値幅が減少した。したがって、Ｈ
ｇＣｄＴｅ層の結晶性が改善したことがわかる。
【００１４】
【表２】
【００１５】なお、本発明では請求項１と請求項２を別
々に実施したが両者を同時に実施してもよい。又、バッ
ファ層の厚みは特に実施例には限定されず、適宜選択で
きる。
々に実施したが両者を同時に実施してもよい。又、バッ
ファ層の厚みは特に実施例には限定されず、適宜選択で
きる。
【００１６】
【発明の効果】以上述べたように、本発明によって実施
したＨｇＣｄＴｅ薄膜の成長方法によれば、格子不整合
と熱膨張係数差の大きい基板上へのＨｇＣｄＴｅ成長に
おいて、比較的容易に歪の緩和が実施でき、結晶性を損
なうこと無くＨｇＣｄＴｅ層を作製することができる。
したＨｇＣｄＴｅ薄膜の成長方法によれば、格子不整合
と熱膨張係数差の大きい基板上へのＨｇＣｄＴｅ成長に
おいて、比較的容易に歪の緩和が実施でき、結晶性を損
なうこと無くＨｇＣｄＴｅ層を作製することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】実施例１によるＨｇＣｄＴｅ膜を作製する工程
を示す図である。
を示す図である。
【図２】本発明によるＨｇＣｄＴｅ膜の構造を示す概略
図である。
図である。
【図３】ＣｄＴｅバッファ層の結晶性と成長温度の関係
を示す図である。
を示す図である。
１ 基板 ２ 第１ＣｄＴｅバッファ層 ３ 第２ＣｄＴｅバッファ層 ４ ＨｇＣｄＴｅ層
Claims (4)
- 【請求項１】水銀カドミウムテルル（Ｈｇ1 - x Ｃｄx
Ｔｅ）と格子不整合の大きい基板上に複数層のＣｄＴｅ
薄膜をバッファ層として形成し、その上に水銀カドミウ
ムテルル薄膜を成長する方法において、水銀カドミウム
テルル薄膜直下のバッファ層を、基板に接して設けられ
たバッファ層よりも低温で形成することを特徴とするＨ
ｇＣｄＴｅ膜の成長方法。 - 【請求項２】 水銀カドミウムテルル薄膜直下のバッファ
層を、２３０〜２７０℃で形成することを特徴とする請
求項１記載のＨｇＣｄＴｅ膜の成長方法。 - 【請求項３】 基板に接して設けられたバッファ層を３０
０℃で形成することを特徴とする請求項１記載のＨｇＣ
ｄＴｅ膜の成長方法。 - 【請求項４】 水銀カドミウムテルル（Ｈｇ1 - x Ｃｄx
Ｔｅ）と格子不整合の大きい基板上に複数層のバッファ
層を形成し、その上に水銀カドミウムテルル薄膜を成長
する方法において、水銀カドミウムテルル薄膜直下のバ
ッファ層をＨｇの含有量が２０％以下となるようにＣｄ
ＴｅとＨｇの分子線源を用いて分子線エピタキシー装置
により形成し、かつ分子線源としてＨｇ，ＴｅおよびＣ
ｄＴｅの３つを同時に照射して分子線エピタキシー装置
によってＨｇ1 - X Ｃｄx Ｔｅ膜（０．２≦ｘ≦０．
４）を形成することを特徴とするＨｇＣｄＴｅ膜の成長
方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5308248A JP2605608B2 (ja) | 1993-12-08 | 1993-12-08 | ＨｇＣｄＴｅ薄膜の成長方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5308248A JP2605608B2 (ja) | 1993-12-08 | 1993-12-08 | ＨｇＣｄＴｅ薄膜の成長方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07161737A JPH07161737A (ja) | 1995-06-23 |
| JP2605608B2 true JP2605608B2 (ja) | 1997-04-30 |
Family
ID=17978727
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5308248A Expired - Lifetime JP2605608B2 (ja) | 1993-12-08 | 1993-12-08 | ＨｇＣｄＴｅ薄膜の成長方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2605608B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1298022C (zh) * | 2004-07-27 | 2007-01-31 | 中国科学院上海技术物理研究所 | 用于碲镉汞外延生长的数字合金复合衬底及制备方法 |
| JP6686183B2 (ja) * | 2017-09-20 | 2020-04-22 | 株式会社東芝 | エピタキシャル成長用基板、エピタキシャル成長用基板の製造方法、エピタキシャル基板及び半導体素子 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06267998A (ja) * | 1993-03-15 | 1994-09-22 | Fujitsu Ltd | エピタキシャル結晶を備えた半導体基板 |
-
1993
- 1993-12-08 JP JP5308248A patent/JP2605608B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH07161737A (ja) | 1995-06-23 |
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