JP2698357B2 - 電極間の短絡部分離法及び液晶パネルの製造法 - Google Patents
電極間の短絡部分離法及び液晶パネルの製造法Info
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Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の分野〕
本発明は、液晶パネルの修復法に関するもので、特に
セル内の異物の混在により生じた上下電極間の短絡を修
復する強誘電性液晶パネルの修復法に関するものであ
る。 〔従来技術〕 液晶パネルは、1971年にＭ・シヤツトとＷ・ヘルフリ
ヒが“アプライド・フイジクス・レターズ”（“Applie
d Physics Letters"）第18巻、４号、P127〜P128でツイ
ステツド、ネマチツク液晶（TN液晶）を発表して以来、
飛躍的な発展をとげで来たが、最近では、当初のセグメ
ント電極による数字表示パネルからドツトマトリクス電
極による文字表示パネルへの商品開発が行なわれる様に
なって来ている。特に、近年では、ワープロやパソコン
の表示画面、TV表示画面に対応しうる大容量の画素をも
つ液晶パネルの商品化が望まれている。 しかしながら、前述したTN液晶のマルチプレシング駆
動には、走査線数（Ｎ）の増大に伴ってデユーデイー比
が1/Nの割合で減少し、このため走査線数の増大には限
界があった。又、走査線とデータ線との交差部で形成し
た画素を、画素毎に制御するアクテイブ・マトリクス方
式の液晶パネルでは、液晶パネル基板上に、画素数に対
応した数の薄膜トランジスタを形成する必要があるが、
この薄膜トランシスタを大面積に亘って形成することが
技術的に難かしい問題点があった。 これらの問題点を解決しうる液晶パネルとして、1980
年にＮ・クラークとS.T.ラガウエルによって“アプライ
ド・フイジツクス・レターズ”（“Applied Physics Le
tters"）第36巻、第11号、P.899〜P901で発表された表
面安定型強誘電性液晶素子（Surface Stability Ferroe
lectoric Liquid Crystal）が提案された。この強誘電
性液晶素子は、電界の方向に応じてコントラストを識別
しうる双つの安定配向状態を生じるが、このためにセル
厚をカイラルスメクチツク液晶が固有するらせん構造を
消失させる薄さ、例えば0.5μｍ−２μｍ程度に設定す
る必要があった。 このため、上述した強誘電性液晶セルの内部に微小の
異種物質が混入されるだけで、上下電極間に短絡を生じ
る問題点があった。特に、上下電極としてマルチプレク
シング駆動のためのマトリクス電極（走査電極と信号電
極）を配線した強誘電性液晶セルを表示パネルに適用す
ると、走査電極と信号電極との交差部に短絡個所がある
と、駆動時には、短絡個所の走査ラインと信号ラインと
が十字状の線欠陥（非スイツチングライン）として観察
者に識別され、表示品位を低下させる問題点があった。 〔発明の概要〕 従って、本発明は、前述の問題点を解決した液晶パネ
ルの修復法を提供することにあり、このことにより表示
品位を向上させた液晶パネルを提供することにある。 又、本発明の別の目的は、液晶パネルの製造上の歩留
まりを改善した液晶パネルの製造法を提供することにあ
る。 すなわち、本発明は、 共通電極を設けた第一の基板と、対向電極を設けた第
二の基板とを、該共通電極と対向電極とで複数の相対向
部を形成するように重ね合せた構造のセルにおいて、該
共通電極と対向電極との間に生じる短絡部を、レーザビ
ームの照射によって、該短絡部の周辺の電極部分から分
離する方法であって、 b.前記複数の相対向部のうち、短絡を生じている相対
向部を検出する工程と、 c.前記検出された短絡箇所に対応して、レーザビーム
の照射部のＸ軸及びＹ軸を制御することによって該照射
箇所の位置決めを行い、更にレーザビームのスポット径
を１〜10μｍの範囲で調整して、レーザビームのスポッ
ト決めを行う工程と、 d.前記相対向部にある短絡箇所に、前記工程ｃにおい
て決定されたレーザビームを照射して、該短絡箇所を該
短絡箇所の周辺の共通電極及び／又は対向電極から絶縁
断線する工程と、 を有することを特徴とする電極間の短絡部分離法を提供
するものである。 更に、本発明は、 a.共通電極を設けた第一の基板と、対向電極を設けた第
二の基板とを、該共通電極と対向電極とで複数の相対向
部を形成するように重ね合せ、セルを形成する工程と、 b.前記複数の相対向部のうち、短絡を生じている相対
向部を検出する工程と、 c.前記検出された短絡箇所に対応して、レーザビーム
の照射部のＸ軸及びＹ軸を制御することによって該照射
箇所の位置決めを行い、更にレーザビームのスポット径
を１〜10μｍの範囲で調整して、レーザビームのスポッ
ト決めを行う工程と、 d.前記相対向部にある短絡箇所に、前記工程ｃにおい
て決定されたレーザビームを照射して、該短絡箇所を該
短絡箇所の周辺の共通電極及び／又は対向電極から絶縁
断線する工程と、 e.セルに液晶を注入する工程と、を順次行ことを特徴
とする液晶パネルの製造法、及び a.共通電極を設けた第一基板と、対向電極を設けた第二
の基板とを、該共通電極と対向電極とで複数の相対向部
を形成するように重ね合せ、セルを形成する工程と、 e.セルに液晶を注入する工程と b.前記複数の相対向部のうち、短絡を生じている相対
向部を検出する工程と、 c.前記検出された短絡箇所に対応して、レーザビーム
の照射部のＸ軸及びＹ軸を制御することによって該照射
箇所の位置決めを行い、更にレーザビームのスポット径
を１〜10μｍの範囲で調整して、レーザビームのスポッ
ト決めを行う工程と、 d.前記相対向部にある短絡箇所に、前記工程ｃにおい
て決定されたレーザビームを照射して、該短絡箇所を該
短絡箇所の周辺の共通電極及び／又は対向電極から絶縁
断線する工程と、を順次行うことを特徴とする液晶パネ
ルの製造法、を提供するものである。 〔発明の態様の詳細な説明〕 以下、本発明を図面に従って説明する。 第１図（Ａ）は、液晶パネル11の平面図で、第１図
（Ｂ）は部分Ｘの拡大平面図である。第１図（Ｃ）は、
第１図（Ｂ）のＡ−Ａ′断面図である。 第１図に示す液晶パネル11は、透明共通電極（端子）
12（例えばマルチプレクシング駆動時の走査電極として
機能する）が設けられた上基板12と透明対向電極（端
子）14（例えば、マルチプレクシング駆動時の信号電極
として機能する）を設けた下基板15との間に強誘電性液
晶16が配置されている。第１図に示す液晶パネル11で
は、マルチプレクシング駆動時に、表示画面内に非スイ
ツチングの走査ラインαと非スイツチングの信号ライン
βが、観察者に識別される。尚、第１図（Ｂ）中のライ
ンＮは、相対向する電極が形成していないラインに相当
し、偏光子と倹光子との間に配置した時、ラインＮでの
液晶配向状態が暗状態となる様に、偏光子と倹光子の偏
光軸の位置が設定されている。又、透明共通電極12と透
明対向電極14には、透明それぞれ電気的に接続された低
抵抗ライン17bと17aが設けられている。この低抵抗ライ
ン17bと17aは、銀、銅、金、アルミニウム、クロム、モ
リブデンなどの金属又は合金によって形成することがで
き、その膜厚は500Å〜5000Å、好ましくは1000Å〜300
0Åの範囲内で、そのライン幅としては10μｍ〜50μｍ
の範囲内に設定されているのがよい。 前述した表示画面に現われた欠陥ラインα−βは、第
１図（Ｃ）に示す様に、欠陥ラインα−βの交差部に相
当する個所で、透明共通電極12aと透明信号電極14aとで
短絡を生じていることが原因となっている。この短絡個
所では下基板15と透明対向電極14aとの間に異物（例え
ば、ホコリ、樹脂など）が混入し、このため透明対向電
極14aに凸部が生じ、そこで透明共通電極12aとの間で短
絡を生じている。又、短絡の原因としては、上述した態
様の他に導電性粒子が透明共通電極12と透明対向電極14
との間に挾持された態様も挙げることができる。 かかる短絡部は、例えばテスター19の端子19aと19bの
作動によって検出することができる。 第２図は、本発明の方法で用いた修復装置のブロツク
図である。図中、21は顕微鏡、22は観察者、23は対物レ
ンズ、24はスリツト、25はパイロツト光源、26はビーム
エキスパンダ、27はレーザビーム、28はレーザービーム
発振器を表わしている。 第２図に示す修復装置では、顕微鏡21で強誘電性液晶
パネル11内に存在する短絡個所を検出した後、パイロツ
ト光源25からの光照射によって、予めレーザビーム27を
照射する個所の位置決めとレーザービーム27のスポツト
決めを行なうことができる。パイロツト光源25と強誘電
性液晶パネル11との光路中には、ハーフミラー20aと20
b、さらに下述のレーザビーム照射部31のＸ軸とＹ軸を
制御し、ビーム幅を絞るスリツト24が配置されている。 次に、レーザビーム発振器28からのレーザビーム27
は、ビームエキスパンダ26を通してビーム幅を拡げた
後、ハーフミラー20bと20aで反射されて強誘電性液晶パ
ネル11に照射される。そこで、本発明では、レーザビー
ム27を第３図に示す如く照射すると（レーザビーム照射
部31）、第４図に示す如く短絡個所を透明共通電極12a
と透明対向電極14aとから断線させた絶縁断線部41を形
成することができる。 本発明では、レーザビーム27としてYAGレーザ、ルビ
ーレーザやCO2レーザが用いられ、透明電極12,14がITO
（インジウム−テイン−オキサイド）で形成され、さら
に低抵抗ライン17a、ｂがモリブデンで形成されている
場合などでは、YAGレーザ（発振波長1.06μｍ）を用い
るのが好ましい。このレーザビーム27のビームスポツト
は、任意に設定できるが、一般には１μｍ〜100μｍ、
好ましくは１μｍ〜10μｍ程度でよい。又、レーザパワ
ーは0.1mJ/パルス〜10mJ/パルス程度でよく、又その発
振パルス幅１〜100nsec程度でよい。この際、絶縁断線
部41は、透明共通電極12と透明対向電極14がそれぞれの
端子部から絶縁断線を生じない様に設定する必要があ
る。 上述した絶縁断線部41を形成する工程は、透明共通電
極12を設けた上基板13と透明対向電極14を設けた下基板
15とを重ね合せ、空セルを形成する工程の後で、該空セ
ル内に液晶を注入する工程の前の工程に導入することが
できる。又、絶縁断線部41を形成する工程は、空セル内
に液晶を注入する工程の後の工程に導入することができ
る。この際、セル内の液晶が強誘電性液晶である時に
は、レーザビーム27の照射部で局所的に液晶が加熱され
ることによって、この部分に配向乱れを生じるために、
再配向工程を採るのが望ましい、すなわちレーザビーム
27の照射後、強誘電性液晶パネル11内の液晶16を等方相
まで加熱し、その後５℃/h程度の割合で徐冷することに
よって液晶16の再配向を行なことができる。 本発明で用いた上基板13及び／又は下基板15には、一
軸性配向処理軸を付与した配向制御巻膜を設けるのが好
ましい。一軸性配向処理軸はラビング処理、斜方蒸着処
理や斜方エツチング処理によって付与されることができ
る。又、配向制御膜としては、例えば、米国特許456172
6号公報、米国特許第4639089号公報に開示されたポリイ
ミド，ポリアミド，ポリアミドイミド，ポリエステル，
ポリエステルイミド，ポリビニルアルコール，ポリエチ
レンなどの有機配向制御膜あるいはSiO,SiO2,TiO2など
の無配向制御膜を用いることができる。 又、本発明者らの実験によれば、配向制御膜としてポ
リイミド，ポリアミドイミド，ポリエステルイミド，ポ
リアミド，ポリビニルアルコール,SiO2を用いた時に
は、レーザビーム27の局所的な加熱が生じた後であって
も、ほとんど配向制御機能に影響を与えていないことが
判明した。 本発明では、前述した強誘電性液晶16として、例えば
米国特許第4561726号公報、米国特許第4589996号公報、
米国特許第4592858号公報、米国特許第4596667号公報、
米国特許第4613209号公報、米国特許第4614609号公報、
米国特許第4615586号公報、米国特許第4622165号公報、
米国特許第4639089号公報などに開示されたものを用い
ることができる。 又、本発明では、上基板13と下基板15との間の間隔を
一定に制御するためのスペーサ部材を配置することがで
きる。このスペーサ部材としては、平均粒径が0.5μｍ
〜５μｍのプラスチツクビーズ、ガラスビーズなどを用
いることができる。この際プラスチツクビーズとして、
上基板13と下基板15とを接着することが可能な接着性樹
脂ビーズを用いることができ、又この接着性樹脂ビーズ
とガラスビーズとの混合ビーズとしても用いることがで
きる。 以下、本発明を実施例に従って説明する。 実施例１ ガラス基板上に、酸化インジュウムとモリブデンから
なるストライプ状の電極を下表のように形成した。 次に、電極基板上にポリイミド高分子被膜（東レ社製
のsp−710（商品名）を用いた）を設け、上下基板に、
布で一方向にラビング配向処理を行った。更に、一方の
基板上に平均粒径1.5μのSiO2ビーズを0.05重量％含ん
だイソプロピルアルコール溶液をスピンコートした後、
加熱乾燥後、エポキシ接着剤であるシール材を介して上
下基板を貼り合せ、圧着加熱により約1.5μギヤツプの
パネル（空セル）を形成した。こうして得られたパネル
に強誘電性液晶（チツソ製;CS−1014）を封入し、表示
デバイスを作製した。次いで、上下電極間にて表示信号
を印加したところ、第１図（Ａ）に示す様な十字状に、
他の電極部と異なる表示状態を示す部分が在り、テスタ
ーにてその部分に対応する上下電極間の抵抗値を測定し
たところ、約30KΩを示し、短絡状態である事が判明し
た。該当する画素を金属顕微鏡にて観察したころ画素内
に直径約10μｍの異物が発見された。 この表示デバイスを第２図に示すYAGレーザ・リペア
装置（NEC製;SL456B）にて次表の条件にて表示デバイス
の状態のままで異物の周囲電極をレーザにて 切断した。この状態を第５図に示した。再び、テスター
にて同電極間の抵抗値を測定したところ、20MΩ以上の
値となり、他の正常な電極で示す抵抗値と同等であっ
た。更に、この表示デバイスを温度90℃で２時間の加熱
から温度40℃まで８時間かけて徐冷処理を加えた後、上
下電極間に表示信号を印加したところ第１図（Ａ）に示
す十字状の線欠陥も無く、レーザーリペアで修正した画
素においても肉眼レベルでは、画質上問題の無い配向状
態でスイツチング特性を示し、表示品位が著しく向上し
た。 第５図（Ａ）は、空セルの上基板と下基板を惹き剥し
た後の上基板の状態を示し、第５図（Ｂ）はその下基板
の状態を示したもので、それぞれ倍率1000の顕微鏡写真
である。 実施例２ 実施例１で用いたYAGレーザ・リペア装置による短絡
個所の絶縁断線処理工程を、空セル内に強誘電性液晶を
注入する前の工程で行なったほかは、実施例１と全く同
様の方法で実験を行なったところ、実施例１と同様の結
果が得られた。 実施例３ 実施例のセルを作成した際に用いたポリイミド膜に代
えて、ポリビニルアルコール膜を用いたほかは、実施例
１と全く同様の方法で実験を行なったところ、実施例１
と同様の結果が得られた。
セル内の異物の混在により生じた上下電極間の短絡を修
復する強誘電性液晶パネルの修復法に関するものであ
る。 〔従来技術〕 液晶パネルは、1971年にＭ・シヤツトとＷ・ヘルフリ
ヒが“アプライド・フイジクス・レターズ”（“Applie
d Physics Letters"）第18巻、４号、P127〜P128でツイ
ステツド、ネマチツク液晶（TN液晶）を発表して以来、
飛躍的な発展をとげで来たが、最近では、当初のセグメ
ント電極による数字表示パネルからドツトマトリクス電
極による文字表示パネルへの商品開発が行なわれる様に
なって来ている。特に、近年では、ワープロやパソコン
の表示画面、TV表示画面に対応しうる大容量の画素をも
つ液晶パネルの商品化が望まれている。 しかしながら、前述したTN液晶のマルチプレシング駆
動には、走査線数（Ｎ）の増大に伴ってデユーデイー比
が1/Nの割合で減少し、このため走査線数の増大には限
界があった。又、走査線とデータ線との交差部で形成し
た画素を、画素毎に制御するアクテイブ・マトリクス方
式の液晶パネルでは、液晶パネル基板上に、画素数に対
応した数の薄膜トランジスタを形成する必要があるが、
この薄膜トランシスタを大面積に亘って形成することが
技術的に難かしい問題点があった。 これらの問題点を解決しうる液晶パネルとして、1980
年にＮ・クラークとS.T.ラガウエルによって“アプライ
ド・フイジツクス・レターズ”（“Applied Physics Le
tters"）第36巻、第11号、P.899〜P901で発表された表
面安定型強誘電性液晶素子（Surface Stability Ferroe
lectoric Liquid Crystal）が提案された。この強誘電
性液晶素子は、電界の方向に応じてコントラストを識別
しうる双つの安定配向状態を生じるが、このためにセル
厚をカイラルスメクチツク液晶が固有するらせん構造を
消失させる薄さ、例えば0.5μｍ−２μｍ程度に設定す
る必要があった。 このため、上述した強誘電性液晶セルの内部に微小の
異種物質が混入されるだけで、上下電極間に短絡を生じ
る問題点があった。特に、上下電極としてマルチプレク
シング駆動のためのマトリクス電極（走査電極と信号電
極）を配線した強誘電性液晶セルを表示パネルに適用す
ると、走査電極と信号電極との交差部に短絡個所がある
と、駆動時には、短絡個所の走査ラインと信号ラインと
が十字状の線欠陥（非スイツチングライン）として観察
者に識別され、表示品位を低下させる問題点があった。 〔発明の概要〕 従って、本発明は、前述の問題点を解決した液晶パネ
ルの修復法を提供することにあり、このことにより表示
品位を向上させた液晶パネルを提供することにある。 又、本発明の別の目的は、液晶パネルの製造上の歩留
まりを改善した液晶パネルの製造法を提供することにあ
る。 すなわち、本発明は、 共通電極を設けた第一の基板と、対向電極を設けた第
二の基板とを、該共通電極と対向電極とで複数の相対向
部を形成するように重ね合せた構造のセルにおいて、該
共通電極と対向電極との間に生じる短絡部を、レーザビ
ームの照射によって、該短絡部の周辺の電極部分から分
離する方法であって、 b.前記複数の相対向部のうち、短絡を生じている相対
向部を検出する工程と、 c.前記検出された短絡箇所に対応して、レーザビーム
の照射部のＸ軸及びＹ軸を制御することによって該照射
箇所の位置決めを行い、更にレーザビームのスポット径
を１〜10μｍの範囲で調整して、レーザビームのスポッ
ト決めを行う工程と、 d.前記相対向部にある短絡箇所に、前記工程ｃにおい
て決定されたレーザビームを照射して、該短絡箇所を該
短絡箇所の周辺の共通電極及び／又は対向電極から絶縁
断線する工程と、 を有することを特徴とする電極間の短絡部分離法を提供
するものである。 更に、本発明は、 a.共通電極を設けた第一の基板と、対向電極を設けた第
二の基板とを、該共通電極と対向電極とで複数の相対向
部を形成するように重ね合せ、セルを形成する工程と、 b.前記複数の相対向部のうち、短絡を生じている相対
向部を検出する工程と、 c.前記検出された短絡箇所に対応して、レーザビーム
の照射部のＸ軸及びＹ軸を制御することによって該照射
箇所の位置決めを行い、更にレーザビームのスポット径
を１〜10μｍの範囲で調整して、レーザビームのスポッ
ト決めを行う工程と、 d.前記相対向部にある短絡箇所に、前記工程ｃにおい
て決定されたレーザビームを照射して、該短絡箇所を該
短絡箇所の周辺の共通電極及び／又は対向電極から絶縁
断線する工程と、 e.セルに液晶を注入する工程と、を順次行ことを特徴
とする液晶パネルの製造法、及び a.共通電極を設けた第一基板と、対向電極を設けた第二
の基板とを、該共通電極と対向電極とで複数の相対向部
を形成するように重ね合せ、セルを形成する工程と、 e.セルに液晶を注入する工程と b.前記複数の相対向部のうち、短絡を生じている相対
向部を検出する工程と、 c.前記検出された短絡箇所に対応して、レーザビーム
の照射部のＸ軸及びＹ軸を制御することによって該照射
箇所の位置決めを行い、更にレーザビームのスポット径
を１〜10μｍの範囲で調整して、レーザビームのスポッ
ト決めを行う工程と、 d.前記相対向部にある短絡箇所に、前記工程ｃにおい
て決定されたレーザビームを照射して、該短絡箇所を該
短絡箇所の周辺の共通電極及び／又は対向電極から絶縁
断線する工程と、を順次行うことを特徴とする液晶パネ
ルの製造法、を提供するものである。 〔発明の態様の詳細な説明〕 以下、本発明を図面に従って説明する。 第１図（Ａ）は、液晶パネル11の平面図で、第１図
（Ｂ）は部分Ｘの拡大平面図である。第１図（Ｃ）は、
第１図（Ｂ）のＡ−Ａ′断面図である。 第１図に示す液晶パネル11は、透明共通電極（端子）
12（例えばマルチプレクシング駆動時の走査電極として
機能する）が設けられた上基板12と透明対向電極（端
子）14（例えば、マルチプレクシング駆動時の信号電極
として機能する）を設けた下基板15との間に強誘電性液
晶16が配置されている。第１図に示す液晶パネル11で
は、マルチプレクシング駆動時に、表示画面内に非スイ
ツチングの走査ラインαと非スイツチングの信号ライン
βが、観察者に識別される。尚、第１図（Ｂ）中のライ
ンＮは、相対向する電極が形成していないラインに相当
し、偏光子と倹光子との間に配置した時、ラインＮでの
液晶配向状態が暗状態となる様に、偏光子と倹光子の偏
光軸の位置が設定されている。又、透明共通電極12と透
明対向電極14には、透明それぞれ電気的に接続された低
抵抗ライン17bと17aが設けられている。この低抵抗ライ
ン17bと17aは、銀、銅、金、アルミニウム、クロム、モ
リブデンなどの金属又は合金によって形成することがで
き、その膜厚は500Å〜5000Å、好ましくは1000Å〜300
0Åの範囲内で、そのライン幅としては10μｍ〜50μｍ
の範囲内に設定されているのがよい。 前述した表示画面に現われた欠陥ラインα−βは、第
１図（Ｃ）に示す様に、欠陥ラインα−βの交差部に相
当する個所で、透明共通電極12aと透明信号電極14aとで
短絡を生じていることが原因となっている。この短絡個
所では下基板15と透明対向電極14aとの間に異物（例え
ば、ホコリ、樹脂など）が混入し、このため透明対向電
極14aに凸部が生じ、そこで透明共通電極12aとの間で短
絡を生じている。又、短絡の原因としては、上述した態
様の他に導電性粒子が透明共通電極12と透明対向電極14
との間に挾持された態様も挙げることができる。 かかる短絡部は、例えばテスター19の端子19aと19bの
作動によって検出することができる。 第２図は、本発明の方法で用いた修復装置のブロツク
図である。図中、21は顕微鏡、22は観察者、23は対物レ
ンズ、24はスリツト、25はパイロツト光源、26はビーム
エキスパンダ、27はレーザビーム、28はレーザービーム
発振器を表わしている。 第２図に示す修復装置では、顕微鏡21で強誘電性液晶
パネル11内に存在する短絡個所を検出した後、パイロツ
ト光源25からの光照射によって、予めレーザビーム27を
照射する個所の位置決めとレーザービーム27のスポツト
決めを行なうことができる。パイロツト光源25と強誘電
性液晶パネル11との光路中には、ハーフミラー20aと20
b、さらに下述のレーザビーム照射部31のＸ軸とＹ軸を
制御し、ビーム幅を絞るスリツト24が配置されている。 次に、レーザビーム発振器28からのレーザビーム27
は、ビームエキスパンダ26を通してビーム幅を拡げた
後、ハーフミラー20bと20aで反射されて強誘電性液晶パ
ネル11に照射される。そこで、本発明では、レーザビー
ム27を第３図に示す如く照射すると（レーザビーム照射
部31）、第４図に示す如く短絡個所を透明共通電極12a
と透明対向電極14aとから断線させた絶縁断線部41を形
成することができる。 本発明では、レーザビーム27としてYAGレーザ、ルビ
ーレーザやCO2レーザが用いられ、透明電極12,14がITO
（インジウム−テイン−オキサイド）で形成され、さら
に低抵抗ライン17a、ｂがモリブデンで形成されている
場合などでは、YAGレーザ（発振波長1.06μｍ）を用い
るのが好ましい。このレーザビーム27のビームスポツト
は、任意に設定できるが、一般には１μｍ〜100μｍ、
好ましくは１μｍ〜10μｍ程度でよい。又、レーザパワ
ーは0.1mJ/パルス〜10mJ/パルス程度でよく、又その発
振パルス幅１〜100nsec程度でよい。この際、絶縁断線
部41は、透明共通電極12と透明対向電極14がそれぞれの
端子部から絶縁断線を生じない様に設定する必要があ
る。 上述した絶縁断線部41を形成する工程は、透明共通電
極12を設けた上基板13と透明対向電極14を設けた下基板
15とを重ね合せ、空セルを形成する工程の後で、該空セ
ル内に液晶を注入する工程の前の工程に導入することが
できる。又、絶縁断線部41を形成する工程は、空セル内
に液晶を注入する工程の後の工程に導入することができ
る。この際、セル内の液晶が強誘電性液晶である時に
は、レーザビーム27の照射部で局所的に液晶が加熱され
ることによって、この部分に配向乱れを生じるために、
再配向工程を採るのが望ましい、すなわちレーザビーム
27の照射後、強誘電性液晶パネル11内の液晶16を等方相
まで加熱し、その後５℃/h程度の割合で徐冷することに
よって液晶16の再配向を行なことができる。 本発明で用いた上基板13及び／又は下基板15には、一
軸性配向処理軸を付与した配向制御巻膜を設けるのが好
ましい。一軸性配向処理軸はラビング処理、斜方蒸着処
理や斜方エツチング処理によって付与されることができ
る。又、配向制御膜としては、例えば、米国特許456172
6号公報、米国特許第4639089号公報に開示されたポリイ
ミド，ポリアミド，ポリアミドイミド，ポリエステル，
ポリエステルイミド，ポリビニルアルコール，ポリエチ
レンなどの有機配向制御膜あるいはSiO,SiO2,TiO2など
の無配向制御膜を用いることができる。 又、本発明者らの実験によれば、配向制御膜としてポ
リイミド，ポリアミドイミド，ポリエステルイミド，ポ
リアミド，ポリビニルアルコール,SiO2を用いた時に
は、レーザビーム27の局所的な加熱が生じた後であって
も、ほとんど配向制御機能に影響を与えていないことが
判明した。 本発明では、前述した強誘電性液晶16として、例えば
米国特許第4561726号公報、米国特許第4589996号公報、
米国特許第4592858号公報、米国特許第4596667号公報、
米国特許第4613209号公報、米国特許第4614609号公報、
米国特許第4615586号公報、米国特許第4622165号公報、
米国特許第4639089号公報などに開示されたものを用い
ることができる。 又、本発明では、上基板13と下基板15との間の間隔を
一定に制御するためのスペーサ部材を配置することがで
きる。このスペーサ部材としては、平均粒径が0.5μｍ
〜５μｍのプラスチツクビーズ、ガラスビーズなどを用
いることができる。この際プラスチツクビーズとして、
上基板13と下基板15とを接着することが可能な接着性樹
脂ビーズを用いることができ、又この接着性樹脂ビーズ
とガラスビーズとの混合ビーズとしても用いることがで
きる。 以下、本発明を実施例に従って説明する。 実施例１ ガラス基板上に、酸化インジュウムとモリブデンから
なるストライプ状の電極を下表のように形成した。 次に、電極基板上にポリイミド高分子被膜（東レ社製
のsp−710（商品名）を用いた）を設け、上下基板に、
布で一方向にラビング配向処理を行った。更に、一方の
基板上に平均粒径1.5μのSiO2ビーズを0.05重量％含ん
だイソプロピルアルコール溶液をスピンコートした後、
加熱乾燥後、エポキシ接着剤であるシール材を介して上
下基板を貼り合せ、圧着加熱により約1.5μギヤツプの
パネル（空セル）を形成した。こうして得られたパネル
に強誘電性液晶（チツソ製;CS−1014）を封入し、表示
デバイスを作製した。次いで、上下電極間にて表示信号
を印加したところ、第１図（Ａ）に示す様な十字状に、
他の電極部と異なる表示状態を示す部分が在り、テスタ
ーにてその部分に対応する上下電極間の抵抗値を測定し
たところ、約30KΩを示し、短絡状態である事が判明し
た。該当する画素を金属顕微鏡にて観察したころ画素内
に直径約10μｍの異物が発見された。 この表示デバイスを第２図に示すYAGレーザ・リペア
装置（NEC製;SL456B）にて次表の条件にて表示デバイス
の状態のままで異物の周囲電極をレーザにて 切断した。この状態を第５図に示した。再び、テスター
にて同電極間の抵抗値を測定したところ、20MΩ以上の
値となり、他の正常な電極で示す抵抗値と同等であっ
た。更に、この表示デバイスを温度90℃で２時間の加熱
から温度40℃まで８時間かけて徐冷処理を加えた後、上
下電極間に表示信号を印加したところ第１図（Ａ）に示
す十字状の線欠陥も無く、レーザーリペアで修正した画
素においても肉眼レベルでは、画質上問題の無い配向状
態でスイツチング特性を示し、表示品位が著しく向上し
た。 第５図（Ａ）は、空セルの上基板と下基板を惹き剥し
た後の上基板の状態を示し、第５図（Ｂ）はその下基板
の状態を示したもので、それぞれ倍率1000の顕微鏡写真
である。 実施例２ 実施例１で用いたYAGレーザ・リペア装置による短絡
個所の絶縁断線処理工程を、空セル内に強誘電性液晶を
注入する前の工程で行なったほかは、実施例１と全く同
様の方法で実験を行なったところ、実施例１と同様の結
果が得られた。 実施例３ 実施例のセルを作成した際に用いたポリイミド膜に代
えて、ポリビニルアルコール膜を用いたほかは、実施例
１と全く同様の方法で実験を行なったところ、実施例１
と同様の結果が得られた。
【図面の簡単な説明】
第１図（Ａ）は、修復前の表示パネルの平面図、第１図
（Ｂ）はその短絡個所の拡大平面図で、第１図（Ｃ）は
そのＡ−Ａ′断面図である。第２図は本発明の方法で用
いた修復装置のブロツク図である。第３図（Ａ）は、本
発明の方法を示す平面図で、第３図（Ｂ）はその断面図
である。第４図（Ａ）は、本発明による修復後の表示パ
ネルの平面図で、第４図（Ｂ）はその断面図である。第
５図（Ａ）は、修復後の上基板上の金属組織の態様を示
す顕微鏡写真で、第５図（Ｂ）はその下基板上の金属組
織の態様を示す顕微鏡写真である。
（Ｂ）はその短絡個所の拡大平面図で、第１図（Ｃ）は
そのＡ−Ａ′断面図である。第２図は本発明の方法で用
いた修復装置のブロツク図である。第３図（Ａ）は、本
発明の方法を示す平面図で、第３図（Ｂ）はその断面図
である。第４図（Ａ）は、本発明による修復後の表示パ
ネルの平面図で、第４図（Ｂ）はその断面図である。第
５図（Ａ）は、修復後の上基板上の金属組織の態様を示
す顕微鏡写真で、第５図（Ｂ）はその下基板上の金属組
織の態様を示す顕微鏡写真である。
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フロントページの続き
(72)発明者 榎本 隆
東京都大田区下丸子３丁目30番２号 キ
ヤノン株式会社内
(56)参考文献 特開 昭58−23017（ＪＰ，Ａ)
特開 昭62−49323（ＪＰ，Ａ)
Claims (1)
- (57)【特許請求の範囲】 １．共通電極を設けた第一の基板と、対向電極を設けた
第二の基板とを、該共通電極と対向電極とで複数の相対
向部を形成するように重ね合せた構造のセルにおいて、
該共通電極と対向電極との間に生じる短絡部を、レーザ
ビームの照射によって、該短絡部の周辺の電極部分から
分離する方法であって、 b.前記複数の相対向部のうち、短絡を生じている相対向
部を検出する工程と、 c.前記検出された短絡箇所に対応して、レーザビームの
照射部のＸ軸及びＹ軸を制御することによって該照射箇
所の位置決めを行い、更にレーザビームのスポット径を
１〜10μｍの範囲で調整して、レーザビームのスポット
決めを行う工程と、 d.前記相対向部にある短絡箇所に、前記工程ｃにおいて
決定されたレーザビームを照射して、該短絡箇所を該短
絡箇所の周辺の共通電極及び／又は対向電極から絶縁断
線する工程と、 を有することを特徴とする電極間の短絡部分離法。 ２．前記レーザビームが、YAGレーザ、ルビーレーザ、
又はCO2レーザである特許請求の範囲第１項記載の電極
間の短絡部分離法。 ３．前記レーザビームのレーザパワーを0.1〜10mJ/パル
スの範囲で設定する特許請求の範囲第１項記載の電極間
の短絡部分離法。 ４．前記セルにおいて、前記共通電極が走査電極とし
て、前記対向電極が信号電極として機能する特許請求の
範囲第１項記載の電極間の短絡部分離法。 ５．a.共通電極を設けた第一の基板と、対向電極を設け
た第二の基板とを、該共通電極と対向電極とで複数の相
対向部を形成するように重ね合せ、セルを形成する工程
と、 b.前記複数の相対向部のうち、短絡を生じている相対向
部を検出する工程と、 c.前記検出された短絡箇所に対応して、レーザビームの
照射部のＸ軸及びＹ軸を制御することによって該照射箇
所の位置決めを行い、更にレーザビームのスポット径を
１〜10μｍの範囲で調整して、レーザビームのスポット
決めを行う工程と、 d.前記相対向部にある短絡箇所に、前記工程ｃにおいて
決定されたレーザビームを照射して、該短絡箇所を該短
絡箇所の周辺の共通電極及び／又は対向電極から絶縁断
線する工程と、 e.セルに液晶を注入する工程と、を順次行うことを特徴
とする液晶パネルの製造法。 ６．前記レーザビームが、YAGレーザ、ルビーレーザ、
又はCO2レーザである特許請求の範囲第５項記載の液晶
パネルの製造法。 ７．前記レーザビームのレーザパワーを0.1〜10mJ/パル
スの範囲で設定する特許請求の範囲第５項記載の液晶パ
ネルの製造法。 ８．前記セルにおいて、前記共通電極が走査電極とし
て、前記対向電極が信号電極として機能する特許請求の
範囲第５項記載の液晶パネルの製造法。 ９．前記液晶がカイラルスメクチック液晶である範囲第
５項記載の液晶パネルの製造法。 １０．前記カイラルスメクチック液晶の膜厚がカイラル
スメクチック液晶に固有のらせん構造を消失させるのに
十分な厚さに設定されている特許請求の範囲第９項記載
の液晶パネルの製造法。 １１．前記工程ａにおいて、第一の基板と第二の基板間
に平均粒径0.5〜５μｍのビーズからなるスペーサ部材
を配置する特許請求の範囲第５項記載の液晶パネルの製
造法。 １２．a.共通電極を設けた第一の基板と、対向電極を設
けた第二の基板とを、該共通電極と対向電極とで複数の
相対向部を形成するように重ね合せ、セルを形成する工
程と、 e.セルに液晶を注入する工程と b.前記複数の相対向部のうち、短絡を生じている相対向
部を検出する工程と、 c.前記検出された短絡箇所に対応して、レーザビームの
照射部のＸ軸及びＹ軸を制御することによって該照射箇
所の位置決めを行い、更にレーザビームのスポット径を
１〜10μｍの範囲で調整して、レーザビームのスポット
決めを行う工程と、 d.前記相対向部にある短絡箇所に、前記工程ｃにおいて
決定されたレーザビームを照射して、該短絡箇所を該短
絡箇所の周辺の共通電極及び／又は対向電極から絶縁断
線する工程と、を順次行うことを特徴とする液晶パネル
の製造法。 １３．前記レーザビームが、YAGレーザ、ルビーレー
ザ、又はCO2レーザである特許請求の範囲第12項記載の
液晶パネルの製造法。 １４．前記レーザビームのレーザパワーを0.1〜10mJ/パ
ルスの範囲で設定する特許請求の範囲第12項記載の液晶
パネルの製造法。 １５．前記セルにおいて、前記共通電極が走査電極とし
て、前記対向電極が信号電極として機能する特許請求の
範囲第12項記載の液晶パネルの製造法。 １６．前記液晶がカイラルスメクチック液晶である範囲
第12項記載の液晶パネルの製造法。 １７．前記カイラスメクチック液晶の膜厚がカイラルス
メクチック液晶に固有のらせん構造を消失させるのに十
分な厚さに設定されている特許請求の範囲第16項記載の
液晶パネルの製造法。 １８．前記工程ａにおいて、第一の基板と第二の基板間
に平均粒径0.5〜５μｍのビーズからなるスペーサ部材
を配置する特許請求の範囲第12項記載の液晶パネルの製
造法。
Priority Applications (5)
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|---|---|---|---|
| JP62204426A JP2698357B2 (ja) | 1987-08-17 | 1987-08-17 | 電極間の短絡部分離法及び液晶パネルの製造法 |
| US07/231,469 US4937423A (en) | 1987-08-17 | 1988-08-12 | Method of disconnecting a short-circuited part between mutually opposed electrodes |
| DE3889395T DE3889395T2 (de) | 1987-08-17 | 1988-08-16 | Verfahren zur Trennung eines kurzgeschlossenen Teiles zwischen oberen und unteren Elektroden einer Flüssigkristallanzeigetafel und Verfahren zur Fertigung einer Flüssigkristallanzeigetafel unter Verwendung dieses Verfahrens. |
| EP88113285A EP0304015B1 (en) | 1987-08-17 | 1988-08-16 | Method of disconnecting short-circuited part between upper and lower electrodes of liquid crystal display panel, and process of preparing liquid crystal display panel by using the same |
| US07/511,796 US5124816A (en) | 1987-08-17 | 1990-04-20 | Method of disconnecting short-circuited part between upper and lower electrodes of liquid crystal display panel, and process of preparing liquid crystal display panel by using the same |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62204426A JP2698357B2 (ja) | 1987-08-17 | 1987-08-17 | 電極間の短絡部分離法及び液晶パネルの製造法 |
Publications (2)
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ID=16490343
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|---|---|---|---|
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Country Status (4)
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