[go: up one dir, main page]
More Web Proxy on the site http://driver.im/

JP2692984B2 - Laser recording device - Google Patents

Laser recording device

Info

Publication number
JP2692984B2
JP2692984B2 JP1243771A JP24377189A JP2692984B2 JP 2692984 B2 JP2692984 B2 JP 2692984B2 JP 1243771 A JP1243771 A JP 1243771A JP 24377189 A JP24377189 A JP 24377189A JP 2692984 B2 JP2692984 B2 JP 2692984B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
semiconductor laser
output
pixel
current
light
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP1243771A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JPH03105368A (en
Inventor
仁司 井上
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Canon Inc
Original Assignee
Canon Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Canon Inc filed Critical Canon Inc
Priority to JP1243771A priority Critical patent/JP2692984B2/en
Priority to CA 2025549 priority patent/CA2025549C/en
Priority to EP90117935A priority patent/EP0418819B1/en
Priority to AT90117935T priority patent/ATE249060T1/en
Priority to US07/584,263 priority patent/US5270736A/en
Priority to DE69034099T priority patent/DE69034099T2/en
Publication of JPH03105368A publication Critical patent/JPH03105368A/en
Application granted granted Critical
Publication of JP2692984B2 publication Critical patent/JP2692984B2/en
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Laser Beam Printer (AREA)
  • Exposure Or Original Feeding In Electrophotography (AREA)
  • Facsimile Scanning Arrangements (AREA)
  • Fax Reproducing Arrangements (AREA)
  • Facsimile Image Signal Circuits (AREA)
  • Semiconductor Lasers (AREA)
  • Dot-Matrix Printers And Others (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分野] 本発明は、半導体レーザを用いて記録媒体上へ光ビー
ム記録するレーザ記録装置に関する。
Description: TECHNICAL FIELD The present invention relates to a laser recording apparatus for recording a light beam on a recording medium using a semiconductor laser.

[従来の技術] デジタルで表現されたハーフトーン画像を感光性の記
録媒体上へ記録する装置として、従来から広く用いられ
ているものにレーザビームプリンタがある。これは画像
濃度に比例して強度変調されたレーザビームを光偏向器
により偏向し主走査とし、フイルムやドラム等の記録媒
体を主走査方向と垂直に移動させて副走査として、該記
録媒体上に画像記録するものである。
[Prior Art] A laser beam printer has been widely used in the past as a device for recording a digitally represented halftone image on a photosensitive recording medium. This is because the laser beam whose intensity is modulated in proportion to the image density is deflected by an optical deflector for main scanning, and a recording medium such as a film or a drum is moved perpendicularly to the main scanning direction to perform sub-scanning. The image is recorded on.

上記のレーザビームを発生する手段として、半導体レ
ーザは現在最も安価で小型であり、駆動電流によって直
接強度変調が行える特長を持つ。
As a means for generating the above-mentioned laser beam, a semiconductor laser is currently the cheapest and the smallest, and has a feature that the intensity can be directly modulated by a driving current.

しかしながら半導体レーザの欠点として、駆動電流−
光出力特性が著しい温度負性特性を持っている事が上げ
られる。第12図の半導体レーザの駆動電流−光出力特性
の一例であり、横軸に半導体レーザの駆動電流〔mA〕、
縦軸には光出力〔mW〕をとり、ケース温度を0℃,25℃,
50℃にして測定したものである。グラフから読み取る
と、約−0.1mW/℃の温度負性特性が見いだせる。この事
は外気温の変動により光出力が大きく変動する事を意味
している。また、半導体レーザチツプは自らの発光損失
により温度上昇し、そのための光出力の低下が起こる。
However, the disadvantage of the semiconductor laser is that the drive current
It can be said that the light output characteristic has a remarkable temperature negative characteristic. 12 is an example of the drive current-optical output characteristics of the semiconductor laser of FIG. 12, the horizontal axis of the semiconductor laser drive current [mA],
The vertical axis is the optical output [mW] and the case temperature is 0 ℃, 25 ℃,
It is measured at 50 ° C. When read from the graph, a temperature negative characteristic of about -0.1 mW / ° C can be found. This means that the light output fluctuates greatly due to fluctuations in the outside temperature. Further, the semiconductor laser chip raises its temperature due to its own light emission loss, which causes a decrease in optical output.

レーザプリンタは主走査が1〜2msec,1ページ数秒と
いう速度で記録を行うため、少なくとも1主走査期間で
は外気温は変化せず、その間の温度変化による光出力変
化は半導体レーザ自身の発光損失による熱上昇に起因す
るもののみで与えられる。
Since the laser printer records at a speed of 1 to 2 msec for main scanning and a few seconds for one page, the ambient temperature does not change during at least one main scanning period, and the change in light output due to temperature changes during that period is due to the emission loss of the semiconductor laser itself. Only given due to heat rise.

上記温度変化による光出力変動を補償する手段とし
て、従来より半導体レーザの発光レベルが所定レベル
(照射時間中で一定)に一致するか逐次フォオトダイオ
ードでモニタし駆動電流へフイードバツクする回路(以
下APC回路)が知られている。
As a means for compensating the optical output fluctuation due to the above temperature change, a circuit that feed-backs to the drive current by monitoring the emission level of the semiconductor laser to a predetermined level (constant during the irradiation time) successively by using a photodiode (hereinafter APC) Circuit) is known.

第13図は基本的なAPC回路の構成ブロツク図であり、
1は発光量に比例させようとする設定電圧、2は電圧加
算回路、3は半導体レーザ駆動電圧Vd、4は3の駆動電
圧を実際の駆動電流Idに変換する電圧/電流変換回路、
5は駆動電流Id、6は半導体レーザ、7はレーザ発光量
をモニタするPINフオトダイオード、8はモニタ電流I
m、9はモニタ電流Imを10のモニタ電圧Vmに変換する電
流/電圧変換回路である。半導体レーザ6の光出力をPI
Nフオトダイオード7でモニタするため、図では省略し
てあるが、PINフオトダイオード7はレーザチツプの後
端部で半導体レーザの後面発光量をモニタするか、もし
くはレーザチツプの前面にビームスプリツタを設け、分
光された光をモニタするように構成されている。第13図
は典型的な単一ループフイードバツク制御系を示してお
り、1の設定電圧Vsとモニタ電圧Vmの誤差分が3の駆動
電圧Vdになることにより、光出力が温度変化により変動
しないよう、常に設定電圧Vsに比例するように制御す
る。
Figure 13 is a block diagram of the basic APC circuit configuration.
1 is a set voltage for making the amount of light emission proportional, 2 is a voltage addition circuit, 3 is a semiconductor laser drive voltage Vd, 4 is a voltage / current conversion circuit for converting the drive voltage of 3 into an actual drive current Id,
5 is a drive current Id, 6 is a semiconductor laser, 7 is a PIN photodiode for monitoring the laser emission amount, and 8 is a monitor current I.
m and 9 are current / voltage conversion circuits for converting the monitor current Im into the monitor voltage Vm of 10. The optical output of the semiconductor laser 6 is set to PI
Since it is not shown in the figure because it is monitored by the N photo diode 7, the PIN photo diode 7 monitors the amount of light emitted from the rear surface of the semiconductor laser at the rear end of the laser chip, or a beam splitter is provided in front of the laser chip. It is configured to monitor the dispersed light. FIG. 13 shows a typical single loop feedback control system, in which the error between the set voltage Vs of 1 and the monitor voltage Vm becomes the drive voltage Vd of 3, so that the optical output changes due to the temperature change. In order not to do so, control is always performed so as to be proportional to the set voltage Vs.

[発明が解決しようとする課題] しかしながら、上記従来例では矩形波形の入力電流で
半導体レーザを駆動し発振させるため、温度変化により
光出力レベルが上下に変化し、これを高速に補償するた
めのAPC回路は後述するように設計が非常に困難であ
る。
[Problems to be Solved by the Invention] However, in the above-mentioned conventional example, since the semiconductor laser is driven and oscillated by the input current having the rectangular waveform, the optical output level changes up and down due to the temperature change, and it is necessary to quickly compensate for this. The APC circuit is very difficult to design as described later.

すなわち光出力の消光比(ダイナミックレンジ)を大
きくとるために、光出力を一定として1画素のパルス幅
/数を変化させて強度変調を行う方式(パルス幅/数変
調)、もしくはパルス幅/数変調と光出力変化(振幅変
調)を組み合わせた方式を採用することを考えると、レ
ーザビームプリンタの1画素当りの記録速度(画素クロ
ツク周波数)は数MHzと高速であり、例えば8ビツトの
階調を持つパルス幅変調を行なえばパルス幅は最小のも
ので数nsecと非常に短いものになる。このような短いパ
ルス幅を発する半導体レーザの強度調節を該APC回路で
精度良く行なうためには、制御速度を数十GHzと極めて
高くしなければならない。そのような高速な制御を行な
うことは非常に困難であり非現実的と言える。
That is, in order to increase the extinction ratio (dynamic range) of the light output, a method of performing intensity modulation by changing the pulse width / number of one pixel while keeping the light output constant (pulse width / number modulation), or pulse width / number Considering the adoption of a system that combines modulation and light output change (amplitude modulation), the recording speed (pixel clock frequency) per pixel of the laser beam printer is as high as several MHz, and for example, a gradation of 8 bits. If pulse width modulation with is performed, the pulse width will be the minimum and a very short number of nsec. In order to accurately adjust the intensity of the semiconductor laser emitting such a short pulse width with the APC circuit, the control speed must be extremely high, several tens GHz. It can be said that such high-speed control is extremely difficult and unrealistic.

又、通常の安定した制御速度のAPC回路を用いると、
半導体レーザ駆動回路全体の駆動速度を落すことにな
り、高速なパルス幅/数変調が行えない。
Also, if you use a normal stable control speed APC circuit,
The drive speed of the entire semiconductor laser drive circuit is reduced, and high-speed pulse width / number modulation cannot be performed.

本発明は上述した従来例の問題点を解決し、簡便な構
成で温度変動に影響を受けることなく半導体レーザによ
る露光制御を正確に行なえるレーザ記録装置を提供する
ことを目的とする。
SUMMARY OF THE INVENTION It is an object of the present invention to solve the above-mentioned problems of the conventional example, and to provide a laser recording apparatus which has a simple structure and can accurately perform exposure control by a semiconductor laser without being affected by temperature fluctuations.

[課題を解決するための手段] 上記目的を達成するための本発明の要旨は、情報記録
のために1画素毎に記録媒体を露光する半導体レーザ光
源と、該半導体レーザ光源からの出射光を各画素毎に1
画素の範囲内で漸次出力増加させるように制御する制御
手段と、前記出射光の一部を分離して検出する検出手段
とを有し、前記制御手段は漸次出力増加する前記出射光
を一部を検出した前記検出手段の検出結果に基づいて、
各画素のデータに応じて前記出射光の漸時の出力増加を
停止させることを特徴とするレーザ記録装置である。
[Means for Solving the Problems] The gist of the present invention for achieving the above object is to provide a semiconductor laser light source that exposes a recording medium for each pixel for information recording, and a light emitted from the semiconductor laser light source. 1 for each pixel
It has a control means for controlling so as to increase the output gradually within the range of the pixel, and a detection means for separating and detecting a part of the emitted light, and the control means partially outputs the emitted light whose output gradually increases. Based on the detection result of the detection means that has detected,
The laser recording apparatus is characterized in that the gradual output increase of the emitted light is stopped according to the data of each pixel.

[実施例の説明] まず、本発明の各実施例の原理について以下に説明す
る。
Description of Embodiments First, the principle of each embodiment of the present invention will be described below.

[課題を解決するための手段及び作用] かかる本発明では半導体レーザを時間的に漸次上昇す
る波形の電流で駆動し、その光出力をモニタして温度変
化に対応させる。
[Means and Actions for Solving the Problem] In the present invention, the semiconductor laser is driven by a current having a waveform that gradually rises with time, and its optical output is monitored to respond to a temperature change.

第12図に示す半導体レーザの電流−光出力特性を見る
と、温度が変動してもスロープ効率η〔mW/mA〕はほと
んど変化していない。(温度変動によってグラフは平行
移動する。) なお、半導体レーザの種類によってはスロープ効率が
若干変動するものもあるが、温度変動が小さい範囲では
不変であるとみなせるものであれば使用可能である。
Looking at the current-light output characteristics of the semiconductor laser shown in FIG. 12, the slope efficiency η [mW / mA] hardly changes even if the temperature changes. (The graph moves in parallel due to temperature fluctuations.) The slope efficiency may vary slightly depending on the type of semiconductor laser, but it can be used as long as it can be regarded as invariable within a range where temperature fluctuations are small.

今、半導体レーザのレーザ発振の最低光出力をP0とす
る。P0以下のLED発振領域の光出力は無視できるものと
する。もし無視できない場合は、コヒーレントの悪いLE
D領域の光は干渉フイルタもしくは偏光フイルタによっ
て低減することができる。ある温度T1の時に、最低レー
ザ発振出力P0を出力するための駆動電流をi0とする。半
導体レーザの駆動電流をi0から直線状に上昇させてい
き、光出力をモニタする。時間をt〔sec〕として、電
流iは次式のように時間に比例して増えるとする。
Now, let P 0 be the minimum optical output of the laser oscillation of the semiconductor laser. The light output in the LED oscillation region below P 0 shall be negligible. If you can't ignore it, LE with poor coherence
The light in the D area can be reduced by an interference filter or a polarization filter. The driving current for outputting the minimum laser oscillation output P 0 at a certain temperature T 1 is i 0 . The drive current of the semiconductor laser is linearly increased from i 0 and the optical output is monitored. It is assumed that the time i is t [sec] and the current i increases in proportion to time as shown in the following equation.

i=i0+kt …(1) kは定数。i = i 0 + kt (1) k is a constant.

光出力がP0よりPsだけ上昇した時点で駆動電流を遮断
する。この様子を第7図に示す。第6図において11が直
線状に上昇する駆動電流、12が温度T1の時の光出力であ
る。光出力12の積分値が露光量Eであり、次式で求ま
る。
The drive current is cut off when the light output rises from P 0 by Ps. This is shown in FIG. In FIG. 6, 11 is a drive current that linearly increases, and 12 is an optical output when the temperature is T 1 . The integrated value of the light output 12 is the exposure amount E, which is obtained by the following equation.

ここで半導体レーザチツブの温度がT1からT2まで上昇
した場合を考える。上述の通り半導体レーザ光出力の温
度特性においてスロープ効率は変動せず、電流−光出力
特性が平行移動するのみと考えられる。この場合、最低
レーザ発振光出力P0は変化せず、P0を出力するための駆
動電流i0が変化する。これは近似的に、平行移動した温
度T2における電流−光出力特性の光出力がP0となる電流
である。半導体レーザチツプの温度がT2(>T1)になっ
た時のP0を出力するための駆動電流をi0′(>i0)とす
る。前と同様に(1)式のように直線状に電流を上昇さ
せた時の光出力変化を第7図の13(破線)に示す。レー
ザ発振はi0′から起こり、光出力がPsだけ上昇した時に
駆動電流を遮断する。第7図に示すように、スロープ効
率が変わらないことから13の光出力の形状は温度がT1
時と全く同じであり、従って露光量Eは(2)式とほと
んど同じものとなる。即ち(2)式の露光量を1画素の
露光量と考えると、半導体レーザの温度変化によって露
光量は変化せず、露光する位置のみが温度変動によって
変化することになる。この温度変動量による位置移動は
1画素の範囲内に入っており、微小であることから人眼
の解像力を下回れば、温度変化による露光量変化が実質
的に補正されたことになる。
Here, consider the case where the temperature of the semiconductor laser chip rises from T 1 to T 2 . As described above, it is considered that the slope efficiency does not change in the temperature characteristics of the semiconductor laser light output and only the current-light output characteristics move in parallel. In this case, the minimum laser oscillation light output P 0 does not change, but the drive current i 0 for outputting P 0 changes. This is approximately a current at which the optical output of the current-optical output characteristic at the temperature T 2 after the parallel movement becomes P 0 . The drive current for outputting P 0 when the temperature of the semiconductor laser chip becomes T 2 (> T 1 ) is i 0 ′ (> i 0 ). As in the previous case, the change in light output when the current is linearly increased as shown in equation (1) is shown in FIG. 7 at 13 (broken line). Laser oscillation occurs from i 0 ′ and cuts off the drive current when the light output rises by Ps. As shown in FIG. 7, since the slope efficiency does not change, the shape of the light output of 13 is exactly the same as when the temperature is T 1 , and therefore the exposure amount E is almost the same as the expression (2). That is, considering the exposure amount of the equation (2) as the exposure amount of one pixel, the exposure amount does not change due to the temperature change of the semiconductor laser, and only the exposure position changes due to the temperature change. The position movement due to this temperature fluctuation amount is within the range of one pixel, and since it is minute, it falls below the resolving power of the human eye, which means that the exposure amount change due to temperature change is substantially corrected.

次にこのように鋸波で半導体レーザを露光した時の消
光比を求めてみる。(2)式において設定光出力Psは、
理論的には0になり得るが、実際は制御系の遅れ等の要
因で0にはなり得ず最小値Ps≠0から設定できる。最高
値をPs1とすると消光比は次式になる。
Next, the extinction ratio when the semiconductor laser is exposed to the sawtooth wave in this way will be obtained. In equation (2), the set light output Ps is
Theoretically, it can be 0, but in reality it cannot be 0 due to factors such as the delay of the control system, and can be set from the minimum value Ps ≠ 0. If the maximum value is Ps 1 , the extinction ratio is as follows.

Ps0(P0+Ps0/2) :Ps1(P0+Ps1/2) …(3) この値は設定値の2乗に比例するものである。例え
ば、P0=1mWとして半導体レーザの最大光出力を15mWと
すると、単純に強度変調したのでは消光比は1:15にな
る。(3)式においてPs0=1mW,Ps1=15mWとすると、本
発明の鋸波で露光した時の消光比は1:85と大幅に上昇す
る。
Ps 0 (P 0 + Ps 0 /2): Ps 1 (P 0 + Ps 1/2) ... (3) This value is proportional to the square of the set value. For example, if P 0 = 1 mW and the maximum light output of the semiconductor laser is 15 mW, the extinction ratio will be 1:15 if simply intensity-modulated. When Ps 0 = 1 mW and Ps 1 = 15 mW in the equation (3), the extinction ratio when exposed by the sawtooth wave of the present invention is significantly increased to 1:85.

本発明の制御系はパルス幅変調と露光量制御を同一の
回路で構成できるため比較的単純化される。また、1回
のオンと1回のオフのみで制御するので、安定した制御
系が構成しやすい。
The control system of the present invention is relatively simple because the pulse width modulation and the exposure amount control can be configured by the same circuit. Further, since the control is performed only by turning on once and turning off once, a stable control system can be easily configured.

さらに露光量Eを変化させるには、(2)式におい
て、Psを変化させてEを変化させれば良いが、この代わ
りにPsを一定として傾きkを変化させる、もしくはkと
Psの両者を変化させてEを変化させることも可能であ
る。
In order to further change the exposure amount E, in Eq. (2), Ps may be changed to change E. Alternatively, the slope k may be changed with Ps kept constant, or k and
It is also possible to change E by changing both of Ps.

又、同一チツプ上もしくは筐体内に2つのレーザ発振
機構を持つマルチビームタイプの半導体レーザでは、一
方の半導体レーザを鋸波状に駆動し、もう一方を定電流
によるパルス幅変調にすることにより従来のパルス幅変
調の露光量の温度変動補正が定電流駆動で行える。
Further, in a multi-beam type semiconductor laser having two laser oscillation mechanisms on the same chip or in the housing, one semiconductor laser is driven in a sawtooth shape and the other is pulse width modulated by a constant current, which is a conventional method. The temperature variation correction of the exposure amount of the pulse width modulation can be performed by the constant current drive.

第8図はこの場合の光出力を示したもので、光出力A
は鋸波状に駆動される半導体レーザの光出力、光出力B
は定電流で駆動される半導体レーザの光出力を示す。上
記両半導体レーザの温度は同一チツプ上にあるためほぼ
同じである。光出力AがPsだけ上昇した時に光出力Bを
遮断する。温度がT1からT2へ上昇した時には光出力Bは
図のように温度上昇分だけ減少するが、その分温度T2
なった時には図のように遮断されるタイミングが遅れ、
結果的に光出力Bの露光量(時間積分値)はいかなる温
度でも等しくなる。
FIG. 8 shows the optical output in this case.
Is the optical output of a semiconductor laser driven in a sawtooth wave, the optical output B
Indicates the optical output of a semiconductor laser driven by a constant current. The temperatures of the two semiconductor lasers are almost the same because they are on the same chip. When the light output A rises by Ps, the light output B is shut off. When the temperature rises from T 1 to T 2 , the optical output B decreases by the amount of temperature rise as shown in the figure, but when it reaches the temperature T 2 , the timing of interruption is delayed as shown in the figure,
As a result, the exposure amount (time integrated value) of the light output B becomes equal at any temperature.

[実施例1] 以下、ハーフトーン画像を記録するレーザ記録装置に
適用した実施例を図面を用いて詳細に説明する。第1図
は本発明の半導体レーザ駆動回路のブロツク図を示した
ものであり、22は半導体レーザである。23は半導体レー
ザ22の光出力をモニタするためのPINフオトダイオード
であり半導体レーザ22内部のチツプの後端部で後面発光
量をモニタするか、半導体レーザ22の外部にビームスプ
リツタを設けて前面発光量の一部をモニタするように構
成してある。
Example 1 Hereinafter, an example applied to a laser recording apparatus for recording a halftone image will be described in detail with reference to the drawings. FIG. 1 is a block diagram of a semiconductor laser drive circuit of the present invention, and 22 is a semiconductor laser. Reference numeral 23 denotes a PIN photodiode for monitoring the optical output of the semiconductor laser 22, which monitors the rear surface emission amount at the rear end of the chip inside the semiconductor laser 22 or provides a beam splitter outside the semiconductor laser 22 to provide the front surface. It is configured to monitor a part of the light emission amount.

半導体レーザ22から出射されたレーザビームは、ここ
では図示していないポリゴンミラー等の光偏向器を含む
光学系により主走査され、感光フイルムや感光ドラム等
の記録媒体上に光照射される。記録媒体は副走査方向に
僅かずつ移動し、これにより記録媒体上には2次元的に
ハーフトーン画像が記録される。
The laser beam emitted from the semiconductor laser 22 is main-scanned by an optical system including an optical deflector such as a polygon mirror (not shown), and is irradiated onto a recording medium such as a photosensitive film or a photosensitive drum. The recording medium is gradually moved in the sub-scanning direction, so that a halftone image is two-dimensionally recorded on the recording medium.

30は、半導体レーザ22の発光量に比例させようとする
発光量設定値であり、デジタルデータである。27は画素
データを変換するルツクアツプテーブルであり、露光量
が設定値の2乗に比例したものになるのを補正する手段
である。28は補正された画素データをアナログ値に変換
するデジタル/アナログ変換器である。26は検出された
光出力と画素データを比較する比較器。25はセツト/リ
セツトを入力の立ち上がりエツジで行うフリツプフロツ
プであり、画素クロツクでセツトされ比較器26の出力で
リセツトされる。20は画素クロツクに同期した鋸波を出
力する鋸波発生回路である。21は鋸波を半導体レーザ22
の駆動電流に変換する電圧/電流変換回路、31はフリツ
プフロツプ25の出力Qによりオンオフされるスイツチ手
段を表わす。24はPINフオトダイオード23の検出電流を
電圧に変換する電流/電圧変換器である。
Reference numeral 30 is a light emission amount setting value that is intended to be proportional to the light emission amount of the semiconductor laser 22, and is digital data. A look-up table 27 for converting pixel data is a means for correcting that the exposure amount becomes proportional to the square of the set value. 28 is a digital / analog converter for converting the corrected pixel data into an analog value. 26 is a comparator for comparing the detected light output with pixel data. Reference numeral 25 is a flip-flop for performing set / reset at the rising edge of the input, which is set by the pixel clock and reset by the output of the comparator 26. Reference numeral 20 is a sawtooth wave generation circuit that outputs a sawtooth wave synchronized with the pixel clock. 21 is a sawtooth wave semiconductor laser 22
, A voltage / current conversion circuit for converting the driving current into a drive current of the flip-flop 25, and a switch means 31 which is turned on / off by the output Q of the flip-flop 25. Reference numeral 24 is a current / voltage converter for converting the detection current of the PIN photodiode 23 into a voltage.

次に以上の構成における動作を第2図に示すタイミン
グチヤートに従って説明する。第2図においてCは画素
クロツクをあらわす。eは画素クロツクに同期されて入
力される画素データをデジタル/アナログ変換器28で変
換したアナログ値を示す。Qはフリツプフロツプ25の出
力でスイツチ31のオンオフを制御する。Vdは鋸波発生器
20の出力であり、電圧/電流変換器21の入力で、v0は半
導体レーザをレーザ発振させるための最小電流に対応す
るオフセツトである。Idは半導体レーザの駆動電流であ
り、Qがオンの時にはVdに従った電流が流れ、オフの時
は電流が流れない。Lは半導体レーザの光出力である。
Rsは比較器26の出力であり、アナログ/デジタル変換器
28の出力eが光出力の検出値である電流/電圧変換器24
の出力よりも大きい時ハイレベルになり小さい時ローレ
ベルになる。Rsの立ち上がりエツジでフリツプフロツプ
25の出力Qがリセツトされる。
Next, the operation of the above configuration will be described according to the timing chart shown in FIG. In FIG. 2, C represents a pixel clock. "e" indicates an analog value obtained by converting the pixel data input in synchronization with the pixel clock by the digital / analog converter 28. Q is the output of flip-flop 25, which controls the on / off of switch 31. Vd is a sawtooth generator
The output of 20 is the input of the voltage / current converter 21, and v 0 is the offset corresponding to the minimum current for laser oscillation of the semiconductor laser. Id is a drive current of the semiconductor laser, and when Q is on, a current according to Vd flows, and when it is off, no current flows. L is the optical output of the semiconductor laser.
Rs is the output of the comparator 26 and is an analog / digital converter
A current / voltage converter 24 in which the output e of 28 is the detected value of the optical output
When it is larger than the output of, it becomes high level, and when it is smaller, it becomes low level. Rs rising edge flip-flop
The output Q of 25 is reset.

第2図において29の立ち上がりエツジによってフリツ
プフロツプ25の出力Qがハイレベルになりスイツチ31が
オンになる。半導体レーザはスイツチ31がオンとなると
同時にレーザ発振を始める。光出力Lがアナログ/デジ
タル変換器の出力より大きくなるとRsがハイレベルにな
り、その立ち上がりエツジ30でフリツプフロツプがリセ
ツトされ光出力を遮断する。この操作により前述の通
り、光出力の露光量は温度変化に依存せず、アナログ/
デジタル変換器の出力eのみに依存したものとなる。
In FIG. 2, the rising edge of 29 causes the output Q of the flip-flop 25 to go high and the switch 31 to turn on. The semiconductor laser starts laser oscillation at the same time when the switch 31 is turned on. When the optical output L becomes larger than the output of the analog / digital converter, Rs becomes high level, and at the rising edge 30, the flip-flop is reset and the optical output is cut off. By this operation, as described above, the exposure amount of the light output does not depend on the temperature change,
It depends only on the output e of the digital converter.

露光量は(2)式でPsをeに置き換えたものになり、
eに関する2次式の形である。従って画素データ30に露
光量を比例させようとするためのルツクアツプテーブル
27は(2)式から得られる。第3図はルツクアツプテー
ブルの形状を示したもので、32が露光量の形状(2)
式、31がルツクアツプテーブルである。
The exposure amount is the value obtained by replacing Ps with e in equation (2),
It is a form of a quadratic equation for e. Therefore, a lookup table for trying to make the exposure amount proportional to the pixel data 30.
27 is obtained from equation (2). Fig. 3 shows the shape of the lookup table, where 32 is the shape of the exposure dose (2).
Equation 31 is the lookup table.

[実施例2] 第4図は本発明の第2実施例のブロツク図である。先
の第1実施例のブロツク図である第1図とほぼ同様であ
るため異なる所のみ説明する。33は半導体レーザであ
り、半導体レーザ22と同一チツブ上に構成されたもので
ある。半導体レーザ22はPINフオトダイオード23と直接
光学的に結合されている。半導体レーザ33から発生され
たレーザビームは、ここでは図示していない光学系、光
偏光器等を用いて走査され、感光性の記録媒体上に画像
を記録する。そして第1図で用いたスイツチ31は半導体
レーザ33の駆動電流をオンオフするのに用いられる。34
は半導体レーザ33を定電流で駆動する定電流源である。
[Embodiment 2] FIG. 4 is a block diagram of a second embodiment of the present invention. Since it is almost the same as the block diagram of the first embodiment shown in FIG. 1, only different points will be described. Reference numeral 33 denotes a semiconductor laser, which is formed on the same chip as the semiconductor laser 22. The semiconductor laser 22 is directly optically coupled to the PIN photodiode 23. The laser beam generated from the semiconductor laser 33 is scanned by using an optical system, an optical deflector, etc. not shown here, and an image is recorded on the photosensitive recording medium. The switch 31 used in FIG. 1 is used to turn on / off the drive current of the semiconductor laser 33. 34
Is a constant current source for driving the semiconductor laser 33 with a constant current.

定電流源34の出力電流は、半導体レーザ33が適当な光
出力を発するように事前に設定されている。そして半導
体レーザの光出力は第2図のタイミングチヤート中のQ
と同様になり、1画素内のパルス幅変調が行われる。前
述の通り半導体レーザチツプの温度が変化して光出力が
変化しても、パルス幅の調整により温度変動に影響を受
けない露光量制御が行える。この場合、画素データと露
光量とは比例し、第1図にあったようなルツクアツプテ
ーブルは不要になる。
The output current of the constant current source 34 is preset so that the semiconductor laser 33 emits an appropriate light output. The optical output of the semiconductor laser is Q in the timing chart of FIG.
Similarly, the pulse width modulation within one pixel is performed. As described above, even if the temperature of the semiconductor laser chip changes and the light output changes, the exposure amount can be controlled by adjusting the pulse width without being affected by the temperature change. In this case, the pixel data and the exposure amount are proportional to each other, and the look-up table as shown in FIG. 1 is unnecessary.

[実施例3] 第5図は本発明の第3実施例のブロツク図である。本
実施例ではレーザの駆動電流として上昇と下降の速度が
同じである三角波波形を用いている。
[Embodiment 3] FIG. 5 is a block diagram of a third embodiment of the present invention. In this embodiment, a triangular waveform having the same rising and falling speed is used as the laser drive current.

22は半導体レーザである。23は半導体レーザ22の光出
力をモニタするためのPINフオトダイオードであり、半
導体レーザ22内部のチツプの後端部で後面発光量をモニ
タするか、半導体レーザ22の外部にビームスプリツタを
設けて前面発光量の一部をモニタするように構成してあ
る。半導体レーザ22から発生されたレーザビームは、こ
こでは図示しない光学系、光偏向器等を用いて走査さ
れ、感光材料上で画像を記録する。30は、半導体レーザ
22の発光量に比例させようとする発光量設定値であり、
デジタルデータである。27は画素データを変換するルツ
クアツプテーブルであり、露光量が設定値の2乗に比例
したものになるのを補正する手段である。28は補正され
た画素データをアナログ値に変換するデジタル/アナロ
グ変換器である。26は検出された光出力と画素データを
比較する比較器。25はセツト/リセツト入力の立ち上が
りエツジで行なうフリツプフロツプであり、画素クロツ
クでセツトされ比較器26の出力でリセツトされる。35は
アンドゲートであり、方形波出力Vsのデユーテイを制御
するために用いる。36は方形波を三角波Vtに成型する積
分回路、37は半導体レーザのレーザ発振を行わせる最小
電流を流すための電圧v0を出力するために設けられた比
較器、38は三角波Vtとv0を加算し駆動電圧Vdを出力する
加算器である。21は駆動電圧Vdを半導体レーザ22の駆動
電流に変換する電圧/電流変換回路、24はPINフオトダ
イオード23の検出電流を電圧に変換する電流/電圧変換
器である。
22 is a semiconductor laser. Reference numeral 23 denotes a PIN photodiode for monitoring the optical output of the semiconductor laser 22, which monitors the rear surface emission amount at the rear end of the chip inside the semiconductor laser 22 or provides a beam splitter outside the semiconductor laser 22. It is configured to monitor a part of the front surface emission amount. The laser beam generated from the semiconductor laser 22 is scanned by using an optical system, an optical deflector, or the like not shown here, and an image is recorded on the photosensitive material. 30 is a semiconductor laser
It is the light emission amount setting value that is going to be proportional to the light emission amount of 22.
It is digital data. A look-up table 27 for converting pixel data is a means for correcting that the exposure amount becomes proportional to the square of the set value. 28 is a digital / analog converter for converting the corrected pixel data into an analog value. 26 is a comparator for comparing the detected light output with pixel data. A flip-flop 25 is set at the rising edge of the set / reset input, is set by the pixel clock, and is reset by the output of the comparator 26. An AND gate 35 is used to control the duty of the square wave output Vs. 36 is an integrating circuit for shaping a square wave into a triangular wave Vt, 37 is a comparator provided to output a voltage v 0 for flowing a minimum current for causing laser oscillation of a semiconductor laser, and 38 is a triangular wave Vt and v 0 Is an adder that outputs the drive voltage Vd. Reference numeral 21 is a voltage / current conversion circuit for converting the drive voltage Vd into the drive current of the semiconductor laser 22, and 24 is a current / voltage converter for converting the detection current of the PIN photodiode 23 into a voltage.

次に以上の構成における動作を第6図に示すタイミン
グチヤートに従って説明する。第6図においてCは画素
クロツクをあらわす。eは画素クロツクに同期して入力
される画素データをデジタル/アナログ変換器28で変換
したアナログ値を示す。
Next, the operation of the above configuration will be described according to the timing chart shown in FIG. In FIG. 6, C represents a pixel clock. e represents an analog value obtained by converting the pixel data input in synchronization with the pixel clock by the digital / analog converter 28.

Vsはアンドゲート35の出力で、画素クロツクに同期し
フリツプフロツプ25の出力でデユーテイを制御された方
形波である。Vtは積分回路36の出力の三角波である。Vd
は電圧/電流変換器21の入力電圧であり、Vt>0である
ならv0を、Vt=0であるなら0をVtに加えたものであ
る。この比較器37の出力を加えることにより、三角波の
立ち上がりの最初から半導体レーザ22はレーザ発振す
る。Lは半導体レーザの光出力である。Rsは比較器26の
出力であり、アナログ/デジタル変換器28の出力eが光
出力の検出値である電流/電圧変換器24の出力よりも大
きい時ハイレベルになり、小さい時ローレベルになる。
Rsの立ち上がりエツジでフリツプフロツプ25の出力Qが
リセツトされる。
Vs is the output of the AND gate 35, which is a square wave whose duty is controlled by the output of the flip-flop 25 in synchronization with the pixel clock. Vt is a triangular wave output from the integrating circuit 36. Vd
Is an input voltage of the voltage / current converter 21, and is obtained by adding v 0 to Vt when Vt> 0 and 0 when Vt = 0. By adding the output of the comparator 37, the semiconductor laser 22 oscillates from the beginning of the rising of the triangular wave. L is the optical output of the semiconductor laser. Rs is the output of the comparator 26, which becomes high level when the output e of the analog / digital converter 28 is larger than the output of the current / voltage converter 24 which is the detected value of the optical output, and becomes low level when smaller. .
The output Q of the flip-flop 25 is reset at the rising edge of Rs.

第6図において39の立ち上がりエツジによってフリツ
プフロツプ25の出力Qがハイレベルになり三角波Vtが発
生する。三角波が発生すると比較器37によって、三角波
に電圧v0を加えてVdが作られる。Vdに比例した駆動電流
が流れることにより半導体レーザの光出力Lが図のよう
に発生する。Lを検出し、デジタル/アナログ変換器28
の出力eを越えると、比較器26の出力がハイレベルにな
りその立ち上がりエツジによりフリツプフロツプ25がリ
セツトされる。すると積分器36は放電を始め、三角波Vt
が下降を始める。この下降速度は上昇速度と同じであり
光出力も上昇時と対称な形になる。この光出力による露
光量も先の第1実施例と同様に温度依存性のないもので
ある。ルツクアツプテーブルも先の第1実施例と同様で
ある。
In FIG. 6, the rising edge of 39 causes the output Q of the flip-flop 25 to go high, generating a triangular wave Vt. When a triangular wave is generated, the comparator 37 adds the voltage v 0 to the triangular wave to generate Vd. A light output L of the semiconductor laser is generated as shown by the flow of a drive current proportional to Vd. L is detected and a digital / analog converter 28
Exceeds the output e of the comparator 26, the output of the comparator 26 becomes a high level, and the rising edge thereof resets the flip-flop 25. Then, the integrator 36 starts discharging and the triangular wave Vt
Begins to descend. This descending speed is the same as the ascending speed, and the light output also has a symmetrical shape to that at the rising time. The amount of exposure due to this light output also has no temperature dependence as in the first embodiment. The look-up table is the same as in the first embodiment.

[実施例4] 第9図は本発明の第4の実施例のブロツク図である。
先の第1実施例のブロツク図である第1図とほぼ同様で
あるため異なる所のみ説明する。
[Embodiment 4] FIG. 9 is a block diagram of a fourth embodiment of the present invention.
Since it is almost the same as the block diagram of the first embodiment shown in FIG. 1, only different points will be described.

50は鋸波発生器であるが、発生する鋸波の傾きを外部
より電気的な入力で設定可能となっている。傾きは画素
データをデジタル/アナログ変換器28でアナログ値に変
換したものを用いる。比較器26はフオトダイオード23で
検出された光出力と所定の一定値Psを比較するように構
成してある。この構成により光出力が一定値Psを越えた
時点で駆動電流を遮断することができる。この時の露光
量E(光出力の積分値)は前述した(2)式で与えられ
る。説明のために(2)式を再び記す。
50 is a sawtooth wave generator, but the slope of the sawtooth wave generated can be set by an external electrical input. The inclination is obtained by converting the pixel data into an analog value by the digital / analog converter 28. The comparator 26 is configured to compare the optical output detected by the photodiode 23 with a predetermined constant value Ps. With this configuration, the drive current can be cut off when the light output exceeds the constant value Ps. The exposure amount E (the integrated value of the light output) at this time is given by the above-mentioned equation (2). Equation (2) is described again for explanation.

めここでηは半導体レーザーのスロープ効率、kは駆
動電流の傾き、P0は半導体レーザの最低光出力である。
Therefore, η is the slope efficiency of the semiconductor laser, k is the slope of the driving current, and P 0 is the minimum optical output of the semiconductor laser.

先の実施例1では(2)式のkを一定として、Psを変
化させて露光量Eを制御していたが、本実施例ではPsを
一定としてkを画素データに対応させて変化させ、露光
量Eを制御する。
In the above-described first embodiment, the exposure amount E is controlled by changing Ps while keeping k in the equation (2) constant, but in the present embodiment, Ps is kept constant and k is changed corresponding to pixel data. The exposure amount E is controlled.

鋸波の傾きを電気的な入力によって変化させる手段
は、例えば第10図に示すような回路構成で実現できる。
第10図において、画素クロツクを単安定マルチバイブレ
ータに入力してデユーテイ比を固定し、演算増幅器を用
いた三角波発生器に入力する。三角波発生器に用いる抵
抗器をFETを用いた電子ボリユームにより可変にして鋸
波の傾きを変化させる。
A means for changing the slope of the sawtooth wave by an electric input can be realized by a circuit configuration shown in FIG. 10, for example.
In FIG. 10, the pixel clock is input to the monostable multivibrator to fix the duty ratio, and the pixel clock is input to the triangular wave generator using the operational amplifier. The slope of the sawtooth wave is changed by changing the resistor used in the triangular wave generator by an electronic volume using an FET.

本実施例では光出力を直線状に上昇させ、ある光出力
で遮断する方式であるため、温度変化による露光量変化
がほとんど無くなる効果があるのは先の実施例1と同様
である。
In this embodiment, since the light output is linearly increased and cut off at a certain light output, the effect of almost eliminating the change in the exposure amount due to the temperature change is the same as in the first embodiment.

なお半導体レーザの駆動電流を鋸波ではなく、先の実
施例3に示したような三角波を用いても良いことは勿論
のことである。
It goes without saying that the driving current of the semiconductor laser may be a triangular wave as shown in the third embodiment, instead of the sawtooth wave.

[実施例5] 第11図は本発明の第5の実施例のブロツク図である。
構成は先の第9図と類似するが、比較器26の入力も画素
データに接続されていることを特徴とする。本実施例で
は光量設定値Psも傾きkと比例して共に変化し、画素デ
ータの値に拘らず一定のパルス幅(1画素分)となるよ
うに構成されている。このことは(2)式において駆動
電流の傾きkと光量設定値Psを同時に変化させて露光量
Eを制御することを表わしている。
[Fifth Embodiment] FIG. 11 is a block diagram of a fifth embodiment of the present invention.
The configuration is similar to that of FIG. 9 described above, but is characterized in that the input of the comparator 26 is also connected to the pixel data. In the present embodiment, the light amount setting value Ps also changes in proportion to the slope k, so that the pulse width is constant (one pixel) regardless of the pixel data value. This indicates that the exposure amount E is controlled by simultaneously changing the gradient k of the drive current and the light amount setting value Ps in the equation (2).

さて、これまでの実施例1〜実施例4は一種のパルス
幅変調であり、画素データの値に応じてパルス幅、即ち
露光時間が変化するようになっている。よって、これを
画像記録装置に適用した場合には、1画素内でパルス幅
が画素データの値に応じて変化してしまい、1画素内で
の露光領域に偏りが生じ、更に画素データに応じて偏り
の度合いも変動してしまう問題点があった。
Now, the above-described first to fourth embodiments are a kind of pulse width modulation, and the pulse width, that is, the exposure time is changed according to the value of the pixel data. Therefore, when this is applied to the image recording apparatus, the pulse width within one pixel changes according to the value of the pixel data, and the exposure area within one pixel is biased. There was a problem that the degree of bias also fluctuated.

これに対して本実施例では、傾きkと光量設定値Psを
関連付けながら同時に変化させることにより、パルス
幅、即ち露光時間を常にほぼ一定に保つことができる。
つまり常にほぼ1画素内全ての領域を露光するため、パ
ルス幅変調の欠点である、露光領域の偏り及び変動が無
くなる。これにより記録精度の高い画像が得られる。
On the other hand, in the present embodiment, the pulse width, that is, the exposure time can be kept substantially constant by simultaneously changing the slope k and the light amount setting value Ps while associating them.
In other words, almost all the area within one pixel is exposed, so that the bias and fluctuation of the exposure area, which is a drawback of pulse width modulation, is eliminated. As a result, an image with high recording accuracy can be obtained.

なお、本実施例においても駆動電流を鋸波ではなく、
先の実施例3に示したような三角波を用いても良いこと
は勿論のことである。
In this embodiment also, the drive current is not a sawtooth wave,
As a matter of course, the triangular wave as shown in the third embodiment may be used.

三角波を用いることにより、各画素の濃度中心が1画
素内の中心に揃い、1画素内での濃度分布もより均一化
されるため、更に精度の高い良質なハーフトーン画像が
得られる。
By using the triangular wave, the density center of each pixel is aligned with the center of one pixel, and the density distribution within one pixel is made more uniform, so that a more accurate and high-quality halftone image can be obtained.

さて、以上説明してきた全ての実施例においては、1
画素内で1度のパルス幅変調を行なうものであったが、
1画素内で複数回同様の変調を繰り返すようにしても良
い。これは実施例の構成で鋸波あるいは三角波の周波数
を整数倍することで達成できる。これにより1画素内で
の濃度分布が細分均等化され、より良質の画像が得られ
る。
Now, in all the embodiments described above, 1
Although the pulse width modulation is performed once in the pixel,
The same modulation may be repeated multiple times within one pixel. This can be achieved by multiplying the frequency of the sawtooth wave or the triangular wave by an integer in the configuration of the embodiment. As a result, the density distribution within one pixel is subdivided and equalized, and a higher quality image is obtained.

[発明の効果] 以上本発明によれば、半導体レーザの光出力による露
光量制御を、温度変動に影響を受けること無く高速且つ
低コストで行なうことができる。
[Advantages of the Invention] As described above, according to the present invention, the exposure amount control by the optical output of the semiconductor laser can be performed at high speed and at low cost without being affected by the temperature variation.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

第1図は本発明を実施した半導体レーザ駆動装置の構成
図、 第2図は第1図の動作を説明するためのタイミングチヤ
ート、 第3図は第1図中のルツクアツプテーブルの形状を示し
た図、 第4図は第2の実施例の構成図、 第5図は第3の実施例の構成図、 第6図は第4の動作を説明するためのタイミングチヤー
ト、 第7図は本発明の考え方を説明するための図、 第8図は本発明の考え方を説明するための図、 第9図及び第10図は本発明の第4の実施例の構成図、 第11図は本発明の第5の実施例の構成図、 第12図は半導体レーザの駆動電流−光出力特性の一例、 第13図は従来のAPC回路のブロツク図、 であり、図中の主な符号は、 20……鋸波の発生手段、 21……電圧/電流変換手段、 22……半導体レーザ、 23……PINフオトダイオード、 25……立ち上がりエツジで動作するセツトリセツトフリ
ツプフロツプ、 31……半導体レーザの駆動電流を遮断するためのスイツ
チ、 26……光出力の検出値と設定値を比較する比較器、 27……ルツクアツプテーブル、
FIG. 1 is a block diagram of a semiconductor laser driving device embodying the present invention, FIG. 2 is a timing chart for explaining the operation of FIG. 1, and FIG. 3 shows the shape of the look-up table in FIG. FIG. 4, FIG. 4 is a block diagram of the second embodiment, FIG. 5 is a block diagram of the third embodiment, FIG. 6 is a timing chart for explaining the fourth operation, and FIG. FIG. 8 is a diagram for explaining the concept of the invention, FIG. 8 is a diagram for explaining the concept of the present invention, FIGS. 9 and 10 are configuration diagrams of a fourth embodiment of the present invention, and FIG. FIG. 12 is a configuration diagram of a fifth embodiment of the invention, FIG. 12 is an example of a driving current-optical output characteristic of a semiconductor laser, and FIG. 13 is a block diagram of a conventional APC circuit. The main symbols in the figure are: 20 …… Sawtooth generation means, 21 …… Voltage / current conversion means, 22 …… Semiconductor laser, 23 …… PIN photodiode, 25 …… Set-up reset flip-flop that operates on the rising edge, 31 ... Switch for cutting off the semiconductor laser drive current, 26 ... Comparator that compares the detected value of optical output with the set value, 27 ... Lookup table,

Claims (3)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】情報記録のために1画素毎に記録媒体を露
光する半導体レーザ光源と、該半導体レーザ光源からの
出射光を各画素毎に1画素の範囲内で漸次出力増加させ
るように制御する制御手段と、前記出射光の一部を分離
して検出する検出手段とを有し、前記制御手段は漸次出
力増加する前記出射光を一部を検出した前記検出手段の
検出結果に基づいて、各画素のデータに応じて前記出射
光の漸時の出力増加を停止させることを特徴とするレー
ザ記録装置。
1. A semiconductor laser light source that exposes a recording medium for each pixel for information recording, and control so that light emitted from the semiconductor laser light source is gradually increased within a range of one pixel for each pixel. And a detection means for separating and detecting a part of the emitted light, wherein the control means detects a part of the emitted light whose output gradually increases based on the detection result of the detection means. A laser recording device, characterized in that the gradual increase in output of the emitted light is stopped according to the data of each pixel.
【請求項2】前記出射光の漸時の出力増加の停止は光出
力の遮断である請求項(1)に記載のレーザ記録装置。
2. The laser recording apparatus according to claim 1, wherein the gradual stop of the output increase of the emitted light is a cutoff of the optical output.
【請求項3】前記出射光の漸時の出力増加は、1画素内
で複数回同様の変調を繰り返して実行される請求項
(1)に記載のレーザ記録装置。
3. The laser recording apparatus according to claim 1, wherein the gradual output increase of the emitted light is executed by repeating the same modulation a plurality of times within one pixel.
JP1243771A 1989-09-19 1989-09-19 Laser recording device Expired - Fee Related JP2692984B2 (en)

Priority Applications (6)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP1243771A JP2692984B2 (en) 1989-09-19 1989-09-19 Laser recording device
CA 2025549 CA2025549C (en) 1989-09-19 1990-09-17 Method and apparatus for modulating semiconductor laser or the like, and system using the same
EP90117935A EP0418819B1 (en) 1989-09-19 1990-09-18 Method and apparatus for modulating semiconductor laser or the like, and system using the same
AT90117935T ATE249060T1 (en) 1989-09-19 1990-09-18 METHOD AND APPARATUS FOR MODULATING A SEMICONDUCTOR LASER OR THE LIKE AND SYSTEM USING THE SAME
US07/584,263 US5270736A (en) 1989-09-19 1990-09-18 Light modulation method
DE69034099T DE69034099T2 (en) 1989-09-19 1990-09-18 Method and apparatus for modulating a semiconductor laser or the like and system using the same

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP1243771A JP2692984B2 (en) 1989-09-19 1989-09-19 Laser recording device

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH03105368A JPH03105368A (en) 1991-05-02
JP2692984B2 true JP2692984B2 (en) 1997-12-17

Family

ID=17108730

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP1243771A Expired - Fee Related JP2692984B2 (en) 1989-09-19 1989-09-19 Laser recording device

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2692984B2 (en)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4975348B2 (en) * 2006-03-31 2012-07-11 住友電工デバイス・イノベーション株式会社 Laser diode drive circuit, electronic circuit, and duty control method
JP2015146396A (en) * 2014-02-03 2015-08-13 スタンレー電気株式会社 Light emitting device, vehicle lamp fitting and vehicle illuminating device

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5893025A (en) * 1981-11-30 1983-06-02 Hitachi Ltd Light beam scanner
JPS59146456A (en) * 1983-02-10 1984-08-22 Canon Inc Controller of light quantity
JPS62198184A (en) * 1986-02-25 1987-09-01 Fuji Photo Film Co Ltd Method for detecting semiconductor laser mode hopping
JPH07100374B2 (en) * 1986-08-27 1995-11-01 キヤノン株式会社 Recording device

Also Published As

Publication number Publication date
JPH03105368A (en) 1991-05-02

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2000031577A (en) Regulation of laser diode output power compensator
US5270736A (en) Light modulation method
EP0273361B1 (en) Laser beam recording method and apparatus
JP2715206B2 (en) Laser recording device
US4835781A (en) Drooping elimination device for semiconductor laser
JP2692984B2 (en) Laser recording device
JPH01106667A (en) Laser recorder
JPH0556712B2 (en)
US5761231A (en) Method and circuit arrangement for regulating the luminous power of a laser diode
JP3045357B2 (en) Optical scanning recording device
JP2805300B2 (en) Laser recording device
JPH0771176B2 (en) Laser recording device
JPS63167557A (en) Method and device for laser beam recording
JPH0618421B2 (en) Laser recording device
JPH0618425B2 (en) Laser recording device
JP2941907B2 (en) Light modulation device and light beam recording device
JPH03150964A (en) Light source driver and optical scanner
CA2025549C (en) Method and apparatus for modulating semiconductor laser or the like, and system using the same
JPH0556713B2 (en)
JPS63204869A (en) Method and device for laser recording
JPH0556716B2 (en)
JPH0483661A (en) Light modulator
JPS61248658A (en) Laser printer
JPS63202712A (en) Method and device for laser recording
JPH0556711B2 (en)

Legal Events

Date Code Title Description
LAPS Cancellation because of no payment of annual fees