JP2685799B2 - Image forming device - Google Patents
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Description
【発明の詳細な説明】 〔技術分野〕 本発明は、多値化パルス幅変調された画像形成信号に
より駆動されるレーザービームによつて、中間調画像を
形成する複写機,レーザープリンタ等の画像形成装置に
関する。Description: TECHNICAL FIELD The present invention relates to an image of a copying machine, a laser printer or the like which forms a halftone image by a laser beam driven by an image forming signal which is multi-valued pulse width modulated. Forming apparatus
まず、本発明の前提となる画像形成装置について述べ
る。First, an image forming apparatus which is a premise of the present invention will be described.
第7図は、半導体レーザーを用いた書込光学系の一例
を示す斜視図である。1は半導体レーザー、2はポリゴ
ンミラー、3は感光体ドラム、4はfθレンズ、5は集
光レンズ、6はシリンドリカルレンズ、7はミラー、8
は書き出し位置を一定にするための光検知器である。FIG. 7 is a perspective view showing an example of a writing optical system using a semiconductor laser. 1 is a semiconductor laser, 2 is a polygon mirror, 3 is a photosensitive drum, 4 is an fθ lens, 5 is a condenser lens, 6 is a cylindrical lens, 7 is a mirror, 8
Is an optical detector for keeping the writing position constant.
このような構成において、半導体レーザー1から出射
されたビームは集光レンズ5において平行ビームにさ
れ、この平行ビームはシリンドリカルレンズ6によりポ
リゴンミラー2上に線状に集光される。ポリゴンミラー
2で反射されたビームはfθレンズ4によつて感光体ド
ラム3上に結像させられ、ビームはポリゴンミラー2の
回転により感光体ドラム3上を走査する。In such a configuration, the beam emitted from the semiconductor laser 1 is converted into a parallel beam by the condenser lens 5, and the parallel beam is linearly focused on the polygon mirror 2 by the cylindrical lens 6. The beam reflected by the polygon mirror 2 is imaged on the photosensitive drum 3 by the fθ lens 4, and the beam scans the photosensitive drum 3 by the rotation of the polygon mirror 2.
第8図は、第7図に示した書込光学系を備えた画像形
成装置の全体構成を説明する概略断面図である。図にお
いて、11は第7図に示した書込光学系をユニツトして示
す書込光学系ユニツトであり、ユニツトのビーム出射部
には防塵ガラス17が備えられており、ユニツトは密閉構
造になつている。12は第7図に感光体ドラム3として示
した感光体ドラム、13は帯電器、14は現像手段、15は転
写紙、16はクリーニング手段である。感光体ドラム12は
図示されていない駆動手段により矢印方向に回転させら
れ、帯電器13により帯電される。その後、書込光学系ユ
ニツト11からのレーザービームにより走査露光されて潜
像が形成される。そして現像手段14により顕像化され、
転写点において転写紙15上に像を転写する。また感光体
ドラム12上に残されたトナーはクリーニング手段16によ
り除去される。FIG. 8 is a schematic sectional view for explaining the overall structure of the image forming apparatus including the writing optical system shown in FIG. In the figure, reference numeral 11 is a writing optical system unit in which the writing optical system shown in FIG. 7 is unitized. The beam emitting portion of the unit is provided with a dustproof glass 17, and the unit has a closed structure. ing. Reference numeral 12 is a photosensitive drum shown as the photosensitive drum 3 in FIG. 7, 13 is a charger, 14 is developing means, 15 is transfer paper, and 16 is cleaning means. The photosensitive drum 12 is rotated in a direction indicated by an arrow by a driving unit (not shown), and is charged by a charger 13. Thereafter, scanning exposure is performed by a laser beam from the writing optical system unit 11 to form a latent image. And visualized by the developing means 14,
The image is transferred onto the transfer paper 15 at the transfer point. The toner remaining on the photosensitive drum 12 is removed by the cleaning unit 16.
次に、レーザービームを変調するためのパルス幅変調
方式について説明する。Next, a pulse width modulation method for modulating a laser beam will be described.
このパルス幅変調方式は、画像処理部より階調信号が
入力されると、予め用意された階調に対応するパルス幅
の変調信号により、半導体レーザーからレーザービーム
が出射されるようにしたものである。In this pulse width modulation method, when a gradation signal is input from an image processing unit, a laser beam is emitted from a semiconductor laser by a modulation signal having a pulse width corresponding to a prepared gradation. is there.
第9図は、2ビツト並列信号線を階調信号に割り当
て、2ビツトにより4階調の出力を得る構成のブロツク
図である。D1〜D4はデイレイライン、G1,G2はANDゲー
ト、G3,G4はORゲート、Sはセレクタ、Dは半導体レー
ザー(LD)駆動回路、1は半導体レーザー(LD)であ
る。FIG. 9 is a block diagram of a configuration in which a 2-bit parallel signal line is assigned to a gradation signal and an output of 4 gradations is obtained by 2 bits. D1 to D4 are delay lines, G1 and G2 are AND gates, G3 and G4 are OR gates, S is a selector, D is a semiconductor laser (LD) drive circuit, and 1 is a semiconductor laser (LD).
同図に示したパルス幅変調方式は、画素クロツクCLK
と、この画素クロツクCLKをデイレイラインで任意時間
遅延させたものの論理積または論理和をとる構成を階調
数(ここでは4種類)用意し、セレクタSにより階調信
号に応じたパルス幅の出力を得、これをLD駆動回路Dに
与え、半導体レーザー(LD)1を駆動するものである。The pulse width modulation method shown in FIG.
And the number of gradations (here, four types) are provided to obtain the logical product or logical sum of the pixel clock CLK delayed by the delay line for an arbitrary time, and the selector S outputs the pulse width corresponding to the gradation signal. Then, the semiconductor laser (LD) 1 is driven by applying this to the LD drive circuit D.
第10図,第11図は、デイレイラインとANDゲート、OR
ゲートにより画素クロツクCLKから任意のパルス幅出力
を得るための説明図で、第10図(a)はデイレイライン
とANDゲートによる構成図、同図(b)はその動作波形
図、第11図(a)はデイレイラインDとORゲートによる
構成図、同図(b)はその動作波形図である。Figures 10 and 11 show the delay line, AND gate, and OR.
FIG. 10A is an explanatory diagram for obtaining an arbitrary pulse width output from the pixel clock CLK by the gate. FIG. 10A is a configuration diagram with a delay line and an AND gate, FIG. (a) is a configuration diagram of the delay line D and the OR gate, and (b) is an operation waveform diagram thereof.
第10図において、画素クロツクCLKとデイレイライ
ンD(遅延時間:ΔT1)を通した遅延信号をANDゲー
トGに入力することにより、(T−ΔT1)のパルス幅を
持つた信号を得ることが出来る。したがつて、ΔT1を
任意に選ぶことにより、任意のパルス幅(T−ΔT1)の
信号を得ることが出来る。In FIG. 10, a signal having a pulse width of (T-ΔT 1 ) is obtained by inputting a delayed signal that has passed through the pixel clock CLK and the delay line D (delay time: ΔT 1 ) to the AND gate G. Can be done. Therefore, by arbitrarily selecting ΔT 1 , it is possible to obtain a signal having an arbitrary pulse width (T−ΔT 1 ).
第11図において、画素クロツクCLKとデイレイライ
ンD(遅延時間:ΔT2)を通した遅延信号をORゲート
Gに入力することにより、(T+ΔT2)のパルス幅を持
つた信号を得ることが出来る。第10図と同様に、ΔT2
を任意に選ぶことにより任意のパルス幅(T+ΔT2)の
信号を得ることが出来る。In FIG. 11, a signal having a pulse width of (T + ΔT 2 ) can be obtained by inputting a delayed signal passing through the pixel clock CLK and the delay line D (delay time: ΔT 2 ) to the OR gate G. . As in Figure 10, ΔT 2
A signal having an arbitrary pulse width (T + ΔT 2 ) can be obtained by arbitrarily selecting
上記した第10図(a),第11図(a)に示した構成を
階調数に対応した数だけ持ち、これらの信号をセレクタ
に入力、画像処理部から指示された階調信号により、階
調に応じたパルス幅の信号出力を得ることが出来る。The configuration shown in FIG. 10 (a) and FIG. 11 (a) is provided by the number corresponding to the number of gradations, these signals are input to the selector, and by the gradation signal instructed by the image processing unit, It is possible to obtain a signal output having a pulse width according to the gradation.
尚、第9図においては4階調の出力例を示したが、上
記回路構成及び階調信号のビツト数を増やすことによ
り、さらに高階調の出力が可能となる(例えば、8種類
のパルス幅を設定する設定回路及び3ビツトの階調信号
を用意することにより、8階調の出力が可能となる)。Although FIG. 9 shows an example in which four gradations are output, higher gradations can be output by increasing the circuit configuration and the number of bits of the gradation signal (for example, eight kinds of pulse widths). (8 gradations can be output by preparing a setting circuit for setting and a 3-bit gradation signal).
次に感光体の経時変化について説明する。一例とし
て、OPC感光体を使用し、ネガ−ポジ現像方式(露光部
にトナー像を形成する方式)を採用した場合について述
べる。Next, the change with time of the photoreceptor will be described. As an example, a case where an OPC photosensitive member is used and a negative-positive developing method (a method of forming a toner image on an exposed portion) is adopted will be described.
第12図は、感光体上の帯電電位V0が画像形成回数の増
加に伴つて変化する様子を示したものであり、帯電電位
V0は画像形成回数の増加に伴つて減少する。また、第12
図にはパルス幅T1,T2,T3(T1<T2<T3)で感光体上をビ
ーム露光したときの露光後電位VT1,VT2,VT3の経時変化
についても示してある。第12図を見てわかるように露光
後電位VT1,VT2,VT3の変化量は、帯電電位V0の変化量と
異なる。すなわち、短いパルス幅T1,T2で露光したとき
の露光後電位VT1,VT2の変化量は、帯電電位V0の変化量
より大きい(但し、VT1に比べるとVT2の変化量の方が大
きい)。また、長いパルス幅T3で露光したときの露光後
電位VT3はあるところからほぼ一定となる。その結果、
各パルス幅で露光された部分の画像の濃度は、初期と画
像形成回数を重ねたときで第13図に示すように変化す
る。FIG. 12 shows how the charging potential V 0 on the photosensitive member changes as the number of image formations increases.
V 0 decreases as the number of image formations increases. Also, the twelfth
The figure also shows changes over time in the post-exposure potentials V T1 , V T2 , and V T3 when beam exposure is performed on the photoconductor with pulse widths T1, T2, and T3 (T1 <T2 <T3). As can be seen from FIG. 12, the changes in the post-exposure potentials V T1 , V T2 , and V T3 are different from the changes in the charging potential V 0 . That is, the amount of change in post-exposure potentials V T1 and V T2 when exposed with short pulse widths T1 and T2 is larger than the amount of change in charging potential V 0 (however, the amount of change in V T2 is greater than that in V T1. Is big). Further, the post-exposure potential V T3 when exposed with a long pulse width T3 is almost constant from a certain point. as a result,
The density of the image of the part exposed with each pulse width changes as shown in FIG. 13 when the initial number and the number of times of image formation are overlapped.
図中のaは経時特性、bは初期特性である。すなわ
ち、これは経時的に画像の濃度上昇、画像の階調再現性
の低下となり、画質を低下させることになる。In the figure, a is a characteristic over time, and b is an initial characteristic. That is, this results in an increase in the image density and a deterioration in the gradation reproducibility of the image with the passage of time, resulting in a deterioration in the image quality.
この不具合を解消するため、従来、画像形成回数や感
光体の疲労を検出し、その値に応じ現像バイアス電圧を
制御する方式があつた。In order to solve this problem, conventionally, there has been a method of detecting the number of times of image formation and the fatigue of the photoconductor and controlling the developing bias voltage according to the detected values.
しかし、この方式では全体の(濃度の低いところから
高いところまでの)濃度を一様に変化させることは出来
るが、階調性を変化させることは出来なかつた。However, with this method, the overall density (from the low density area to the high density area) can be changed uniformly, but the gradation cannot be changed.
また、レーザービーム出力を変化させて、画像濃度を
変える方式も知られている。この方式においては、例え
ば特開昭59−136754号公報に記載されているような提案
がある。この提案は、感光体上に中間調部分Aと白地部
Bの潜像パターンを形成し、中間調部分Aと白地部Bの
表面電位を測定して、その測定値VA,VBと目標値VA0,VB0
の差が許容値であるC1,C2内にあるかどうか、すなわち|
VA−VA0|≦C1でかつ|VB−VB0|≦C2であるかどうか判断
される。A method is also known in which the laser beam output is changed to change the image density. In this system, for example, there is a proposal described in Japanese Patent Laid-Open No. 59-136754. This proposal forms a latent image pattern of a halftone portion A and a white background portion B on a photoconductor, measures the surface potentials of the halftone portion A and the white background portion B, and measures the measured values V A , V B and the target. Value V A0 , V B0
The difference between is within the tolerance C 1 , C 2 , ie |
It is determined whether or not V A −V A0 | ≦ C 1 and | V B −V B0 | ≦ C 2 .
その判断結果、前記関係式を満足しないと、帯電器の
帯電電流I1と半導体レーザの駆動電流I2を次の制御式に
従って制御しようとするものである。As a result of the judgment, if the above relational expression is not satisfied, the charging current I 1 of the charger and the driving current I 2 of the semiconductor laser are to be controlled according to the following control expressions.
ΔI1=α1ΔVA+α2ΔVB ΔI2=β1ΔVA+β2ΔVB (式中のα1,α2,β1,β2は関数の傾きを示す) しかし、このようにしてレーザービームの出力を変更
しただけでは、中間調の全体の階調特性を初期の状態に
戻すことができず、中間調の再現性を確実に改善するこ
とはできなかった。ΔI 1 = α 1 ΔV A + α 2 ΔV B ΔI 2 = β 1 ΔV A + β 2 ΔV B (α 1 , α 2 , β 1 and β 2 in the equation indicate the slope of the function) However, in this way Only by changing the output of the laser beam, the tone characteristics of the entire halftone could not be returned to the initial state, and the reproducibility of the halftone could not be reliably improved.
また、半導体レーザー駆動パルスのパルス幅設定値を
変更する提案が、例えば特開昭61−189567号公報に記載
されている。この提案は、感光体の表面電位Vを測定
し、それと目標中間調電位VH(現像されると所定の中間
調が得られる感光体表面電位)の差が許容値ΔVを超え
ているか否かの判定がなされる。そして許容値ΔVを超
えていると、次の制御式に従って目標パルス幅THを演算
して、それと同じかそれに近いパルス幅設定値を選択し
ようとするものである。Further, a proposal to change the pulse width setting value of the semiconductor laser drive pulse is described in, for example, Japanese Patent Application Laid-Open No. 61-189567. This proposal measures whether the surface potential V of the photoconductor is measured and whether the difference between it and the target halftone potential V H (photoconductor surface potential at which a predetermined halftone is obtained when developed) exceeds an allowable value ΔV. Is determined. When the allowable value ΔV is exceeded, the target pulse width T H is calculated according to the following control formula, and a pulse width set value equal to or close to the target pulse width T H is to be selected.
TH=T3+α(V−VH) (式中のT3は基準変調信号のパルス幅、αは定数であ
る) しかし、このようにしてパルス幅の設定値を変更した
だけでも、中間調の全体の階調特性を初期の状態に戻す
ことができず、中間調の再現性を確実に改善することは
できなかった。T H = T 3 + α (V−V H ) (T 3 in the formula is the pulse width of the reference modulation signal, α is a constant) However, even if the pulse width setting value is changed in this way, It was not possible to return the tone characteristics of the entire tone to the initial state, and it was not possible to reliably improve the reproducibility of the intermediate tone.
本発明者らは中間調の忠実な再現性を得るために諸種
の実験を行なった結果、前述のようにレーザービームの
出力を変更するだけでは、1画素当たりのパルス幅(単
にパルス幅と略称する)が短い低濃度部では効果があり
階調特性が感光体疲労前の初期の状態に戻るが、パルス
幅が長い高濃度部では階調特性が十分に回復しないこと
を確認した。また、パルス幅の設定値を変更するだけで
は、特定の濃度部では階調特性の回復効果があるが、他
の濃度部では階調特性の回復が不十分であることを見出
した。もう少し詳しく説明すると、 .パルス幅が短い低濃度部を基準にしてレーザービー
ムの出力を下げると、パルス幅が長い高濃度部では階調
特性が十分に回復しない。As a result of various experiments to obtain faithful reproducibility of halftones, the present inventors found that the pulse width per pixel (simply referred to as pulse width is abbreviated as "pulse width" simply by changing the output of the laser beam as described above. It was confirmed that the gradation characteristics returned to the initial state before the photoconductor was fatigued in the low density area where the pulse width was short, but the gradation characteristics were not sufficiently recovered in the high density area where the pulse width was long. Further, it has been found that, only by changing the set value of the pulse width, there is an effect of recovering the gradation characteristic in a specific density part, but the recovery of the gradation property is insufficient in other density parts. In more detail, ... When the output of the laser beam is reduced with reference to the low density portion having a short pulse width, the gradation characteristics are not sufficiently restored in the high density portion having a long pulse width.
.一方、パルス幅が長い高濃度部を基準にしてレーザ
ービームの出力を下げると、パルス幅が短い低濃度部で
は画像濃度が下がり過ぎる。. On the other hand, when the output of the laser beam is reduced with reference to the high density portion having a long pulse width, the image density is too low in the low density portion having a short pulse width.
.またパルス幅が短い低濃度部を基準にしてパルス幅
を短くすると、パルス幅が長い高濃度部では階調特性が
十分に回復しない。. Further, if the pulse width is shortened with reference to the low density portion having a short pulse width, the gradation characteristics are not sufficiently restored in the high density portion having a long pulse width.
.一方、パルス幅が長い高濃度部を基準にしてパルス
幅を短くすると、パルス幅が短い低濃度部では画像濃度
が下がり過ぎるという特異な現象を生じることを解明し
た。. On the other hand, it was clarified that when the pulse width is shortened with reference to the high density portion having a long pulse width, a peculiar phenomenon that the image density is excessively reduced in the low density portion having a short pulse width occurs.
本発明はこのような知見に基づいてなされたものであ
り、低濃度部から高濃度部までの広い中間調において階
調特性の忠実な再現性を得ることのできる画像形成装置
を提供することを目的とする。The present invention has been made based on such knowledge, and it is an object of the present invention to provide an image forming apparatus capable of obtaining faithful reproducibility of gradation characteristics in a wide halftone from a low density portion to a high density portion. To aim.
この目的を達成するために本発明は、 画像信号を多値化パルス幅変調して画像形成信号を生
成し、前記画像形成信号に対応して駆動されたレーザー
ビームを感光体上に照射して、この感光体上に静電潜像
を形成し、この静電潜像を現像手段により顕像化し、さ
らにこの顕像を転写紙に転写する電子写真方式の画像形
成装置を対象とるものである。In order to achieve this object, the present invention provides a multi-valued pulse width modulation of an image signal to generate an image forming signal, and irradiates a photoconductor with a laser beam driven corresponding to the image forming signal. The present invention is intended for an electrophotographic image forming apparatus that forms an electrostatic latent image on the photoconductor, visualizes the electrostatic latent image by developing means, and further transfers the developed image to a transfer paper. .
そして前記感光体の疲労を検出する例えば表面電位検
出器などの感光体疲労検出手段と、前記レーザービーム
の出力を変更するレーザービーム出力変更手段と、前記
多値化パルス幅変調のパルス幅の設定値を変更するパル
ス幅変更手段とを備えている。Then, a photoconductor fatigue detecting means such as a surface potential detector for detecting the fatigue of the photoconductor, a laser beam output changing means for changing the output of the laser beam, and a setting of the pulse width of the multilevel pulse width modulation And a pulse width changing means for changing the value.
前記感光体疲労検出手段で感光体の疲労を検出する
と、パルス幅が短い低濃度部における画像濃度が感光体
疲労前の画像濃度と同じになるように、前記レーザービ
ーム出力変更手段によりレーザービームの出力を変更す
るとともに、 パルス幅が長い高濃度部におけるパルス幅を感光体疲
労前よりも短くするように、前記パルス幅変更手段によ
りパルス幅設定値を変更するように構成したことを特徴
とするものである。When the photoconductor fatigue detection unit detects the photoconductor fatigue, the laser beam output changing unit changes the laser beam output so that the image density in the low density portion having a short pulse width becomes the same as the image density before the photoconductor fatigue. In addition to changing the output, the pulse width setting means is configured to change the pulse width setting value so that the pulse width in the high density portion having a long pulse width becomes shorter than that before the photoconductor fatigue. It is a thing.
低濃度部を基準にしてそれの画像濃度が感光体疲労前
の画像濃度と同じになるように、レーザービームの出力
を変更する(下げる)と、低濃度部の階調特性は回復さ
れる。しかしこれでは高濃度部における階調特性は初期
の階調特性と一致しない。When the output of the laser beam is changed (lowered) so that the image density of the low-density portion becomes the same as the image density before the photoconductor is exhausted, the gradation characteristics of the low-density portion are restored. However, in this case, the gradation characteristic in the high density portion does not match the initial gradation characteristic.
そこで高濃度部においては、レーザービームの出力を
変更する(下げる)とともにさらにパルス幅設定値を変
更する(短くする)ことにより、高濃度部における階調
特性を初期の階調特性に戻すことができる。Therefore, in the high-density portion, by changing (decreasing) the laser beam output and further changing (shortening) the pulse width setting value, the gradation characteristic in the high-density portion can be returned to the initial gradation characteristic. it can.
本発明の実施例を説明する前に、まず感光体の疲労度
を検出する方法について説明する。Before describing the embodiments of the present invention, a method for detecting the degree of fatigue of a photoconductor will be described first.
第4図は画像形成装置内に感光体ドラム12の表面電位
を検出する表面電位検出器18を備えた例を示したもので
ある。図において、表面電位検出器18は感光体ドラム12
上のビーム照射点P1と帯電器13の間に設けられており、
表面電位検出器18により帯電電位V0を検出でき、第12図
に示した帯電電位V0の変化、すなわち感光体の疲労度を
知ることが出来る。FIG. 4 shows an example in which a surface potential detector 18 for detecting the surface potential of the photosensitive drum 12 is provided in the image forming apparatus. In the figure, the surface potential detector 18 is the photosensitive drum 12
It is provided between the upper beam irradiation point P 1 and the charger 13,
The surface potential detector 18 can detect the charge potential V 0 which, changes in charge potential V 0 which as shown in FIG. 12, i.e. it is possible to know the degree of fatigue of the photoreceptor.
第5図は、第4図とは別の感光体の疲労度を検出する
方法について説明するための図である。図において19は
反射濃度検出器であり、現像点P2と転写点P3との間の位
置に感光体ドラム12に近接して配置されている。そして
この反射濃度検出器19によりビーム非露光部(地肌部)
の反射濃度を検出し、感光体の疲労を知ることが出来
る。FIG. 5 is a diagram for explaining a method of detecting the degree of fatigue of the photoconductor different from that of FIG. In the figure, reference numeral 19 is a reflection density detector, which is arranged near the photosensitive drum 12 at a position between the development point P 2 and the transfer point P 3 . Then, this reflection density detector 19 allows the beam non-exposed area (background area).
It is possible to know the fatigue of the photoconductor by detecting the reflection density of.
この点につき、以下詳述する。 This point will be described in detail below.
感光体は、長時間の使用(感光体の経時の疲労、感光
体の膜けずれ等が原因である)により帯電電位V0が低下
してくる。その結果、現像バイアスを初期と同一の値に
設定していた場合、帯電電位V0がある値以下になると、
ビーム露光しない部分(地肌部)にもトナーが付着して
くる。The charging potential V 0 of the photoconductor decreases due to long-term use (due to fatigue of the photoconductor over time, film deviation of the photoconductor, etc.). As a result, when the developing bias is set to the same value as the initial value, when the charging potential V 0 becomes a certain value or less,
Toner also adheres to the area not exposed by the beam (background area).
第6図は、感光体の電位と感光体上に付着するトナー
量との関係を示したものである(反射濃度検出器19は、
検出器より出射された光の反射光量を検出するものであ
り、トナー付着量が増えた場合、反射光量は低下してく
る)。すなわち、感光体の長時間の使用により帯電電位
がほぼ現像バイアスと同じ値またはそれ以下になると、
感光体上のトナー付着量が増大してくる。よつてトナー
付着量(反射濃度)を検出することにより、帯電電位の
低下、すなわち、感光体の疲労を知ることが出来る。FIG. 6 shows the relationship between the potential of the photoconductor and the amount of toner adhering to the photoconductor (the reflection density detector 19 is
The amount of reflected light of the light emitted from the detector is detected, and when the toner adhesion amount increases, the reflected light amount decreases). That is, when the charging potential becomes almost equal to or less than the developing bias due to long-term use of the photoconductor,
The amount of toner attached on the photoconductor increases. Therefore, by detecting the toner adhesion amount (reflection density), it is possible to know the decrease in the charging potential, that is, the fatigue of the photoconductor.
第1図は、本発明の一実施例を説明するための画像形
成装置全体の系統図である。FIG. 1 is a system diagram of the entire image forming apparatus for explaining an embodiment of the present invention.
第4図で説明した表面電位検出器18,電位検出回路20
により、帯電電位V0を検出する。そして、初期の帯電電
位V0に対し経時的に帯電電位がV0′に下がつたとする
と、その下がり幅ΔV0(=V0−V0′)に応じ、低濃度部
(パルス幅の短い範囲)における画像濃度が初期(感光
体疲労前)の画像濃度の同じになるように、レーザービ
ーム出力変更回路21によりレーザービームの出力を下げ
る。Surface potential detector 18 and potential detection circuit 20 described in FIG.
Thus, the charging potential V 0 is detected. Assuming that the charging potential drops to V 0 ′ over time with respect to the initial charging potential V 0 , the low-density portion (pulse width of the pulse width of ΔV 0 (= V 0 −V 0 ′) The laser beam output changing circuit 21 lowers the laser beam output so that the image density in the short range) becomes the same as the initial image density (before the photoconductor fatigue).
そのときの画像濃度の階調特性を第2図のa(破線)
に示す。b(実線)は初期特性である。The gradation characteristic of the image density at that time is shown in FIG.
Shown in b (solid line) is an initial characteristic.
第2図からわかるように、レーザービームの出力を下
げることにより、全体的に(低濃度部から高濃度部にか
けて)濃度が下がる。そして低濃度部における階調特性
は、初期の階調特性とほぼ同じとすることは出来るが、
しかし高濃度部における階調特性は初期の階調特性とは
一致しない。As can be seen from FIG. 2, by decreasing the output of the laser beam, the density is lowered as a whole (from the low density portion to the high density portion). The gradation characteristics in the low density portion can be made almost the same as the initial gradation characteristics,
However, the gradation characteristics in the high density area do not match the initial gradation characteristics.
そこでさらに高濃度部(パルス幅の長いところ)にお
けるパルス幅を、パルス幅設定回路22,セレクタS,LD駆
動回路Dを通じて初期よりも短くすることにより、濃度
の高い領域における階調特性も初期の階調特性とほぼ同
じに出来る。Therefore, the pulse width in the high density portion (where the pulse width is long) is made shorter than the initial value through the pulse width setting circuit 22, the selector S, and the LD drive circuit D, so that the gradation characteristics in the high density area also have the initial gradation characteristics. It can be made almost the same as the gradation characteristic.
一例として、初期の帯電電位:−800Vが経時的に−70
0Vに低下したときの半導体レーザー(LD)の出力とパル
ス幅の変化を表に示す。As an example, the initial charging potential: −800V is −70 over time.
The table shows the changes in the output and pulse width of the semiconductor laser (LD) when the voltage drops to 0V.
但し、 画素密度;16本/mm 感光体線速;90mm/s 有効走査期間率;71.5% 画素クロツク;10MHz 1画素点灯幅;100ms が条件となる。 However, the condition is: pixel density; 16 lines / mm photoconductor linear velocity; 90 mm / s effective scanning period ratio; 71.5% pixel clock; 10 MHz 1 pixel lighting width; 100 ms.
ここで感光体の地肌部の状態を検出する検出手段から
の出力に応じてビームの出力を変更する方法について以
下に補足説明する。Here, a method for changing the output of the beam in accordance with the output from the detecting means for detecting the state of the background portion of the photoconductor will be supplementarily described below.
尚、第7図,第8図等と共通の装置であつても別符号
を付してある。It should be noted that, even if the apparatus is common to those shown in FIG. 7 and FIG.
まず、第14図に本発明が適用されるレーザープリンタ
の構成の一例を示す。半導体レーザー101より出射され
たレーザービームはコリメートレンズ102によりコリメ
ートされ、回転多面鏡よりなる光走査装置103で偏向さ
れ、fθレンズ4により感光体105の帯電された表面に
結像される。この結像スポツトが光走査装置103の回転
に従い、矢印×方向なる主走査方向に反復して移動する
と同時に、感光体105が回転して副走査する。光検出器1
06は感光体105の軸心方向において情報書込み領域外に
設けられ、光走査装置103で偏向されたレーザービーム
を検出して同期信号(ライン同期信号LSYNC)を発生さ
せる。信号処理回路107は情報信号(ビデオデータ)を
半導体レーザー駆動回路108に印加するが、そのタイミ
ングを光検出器106からの同期信号により制御する。First, FIG. 14 shows an example of the configuration of a laser printer to which the present invention is applied. A laser beam emitted from the semiconductor laser 101 is collimated by a collimator lens 102, deflected by an optical scanning device 103 composed of a rotating polygon mirror, and imaged on the charged surface of a photoconductor 105 by an fθ lens 4. This imaging spot repeatedly moves in the main scanning direction indicated by the arrow X in accordance with the rotation of the optical scanning device 103, and at the same time, the photosensitive member 105 rotates to perform sub scanning. Photo detector 1
06 is provided outside the information writing area in the axial direction of the photoconductor 105 and detects the laser beam deflected by the optical scanning device 103 to generate a synchronization signal (line synchronization signal LSYNC). The signal processing circuit 107 applies an information signal (video data) to the semiconductor laser driving circuit 108, and the timing thereof is controlled by a synchronization signal from the photodetector 106.
一方、半導体レーザー駆動回路108は信号処理回路107
からの情報信号に応じて半導体レーザー101を駆動す
る。従つて、情報信号で変調されたレーザービームが感
光体105上に照射されて静電潜像が形成される。この静
電潜像は現像器(図示せず)により現像され、転写器
(図示せず)により紙になど転写される。On the other hand, the semiconductor laser drive circuit 108 is a signal processing circuit 107.
The semiconductor laser 101 is driven according to the information signal from the. Therefore, the laser beam modulated by the information signal is irradiated onto the photoconductor 105 to form an electrostatic latent image. This electrostatic latent image is developed by a developing device (not shown), and transferred to paper or the like by a transfer device (not shown).
また、半導体レーザー101から後方に出射されるレー
ザービームは光検出手段としての光検出器109に入射
し、その光強度が検出される。この光検出器109の出力
信号に応じて制御手段としての制御回路110が半導体レ
ーザー駆動回路108を制御して半導体レーザー101の出力
光量が一定となるように制御する。ここに、半導体レー
ザー101から後方に出射されるレーザービームを光検出
器109に入射させて、その光強度を検出させるようにし
ている。この方式によれば、前方に出射されるレーザー
ビームの一部を光検出器に導く光強度検出方式のように
実際に利用出来るレーザービームの光強度を低下させる
ことがなく、有利である。Further, the laser beam emitted rearward from the semiconductor laser 101 is incident on the photodetector 109 as a photodetector, and the light intensity thereof is detected. A control circuit 110 as a control unit controls the semiconductor laser drive circuit 108 according to the output signal of the photodetector 109 to control the output light amount of the semiconductor laser 101 to be constant. A laser beam emitted rearward from the semiconductor laser 101 is made incident on the photodetector 109 to detect its light intensity. This method is advantageous because it does not lower the light intensity of the laser beam that can be actually used unlike the light intensity detection method of guiding a part of the laser beam emitted forward to the photodetector.
次に、制御回路110の詳細な構成を第15図のブロツク
図に示す。まず、出力制御動作を開始させるためのタイ
ミング信号T1が入力されると、JKフリツプフロツプ116
がクリアされ、その出力信号がLレベルになることによ
りアツプダウンカウンタ117のカウント動作を許可す
る。比較手段としての比較器112の出力信号はDフリツ
プフロツプ113で発振器118からのクロツク信号によりラ
ツチされ、このDフリツプフロツプ113の出力信号はア
ツプダウンカウンタ117に計数モード信号として加えら
れ、この計数モードを制御すると同時にDフリツプフロ
ツプ114で発振器118からのクロツク信号によりラツチさ
れる。Dフリツプフロツプ113の非反転出力及びDフリ
ツプフロツプ114の反転出力はノア回路115に入力され、
このノア回路115の出力信号によりJKフリツプフロツプ1
16がセツトされる。Next, a detailed configuration of the control circuit 110 is shown in the block diagram of FIG. First, when the timing signal T 1 for starting the output control operation is input, the JK flip-flop 116
Is cleared and its output signal becomes L level, thereby permitting the counting operation of the up-down counter 117. The output signal of the comparator 112 as the comparing means is latched by the D flip-flop 113 by the clock signal from the oscillator 118, and the output signal of the D flip-flop 113 is added to the up-down counter 117 as a counting mode signal to control this counting mode. At the same time, the D flip-flop 114 is latched by the clock signal from the oscillator 118. The non-inverted output of the D flip-flop 113 and the inverted output of the D flip-flop 114 are input to the NOR circuit 115,
By the output signal of this NOR circuit 115, JK flip-flop 1
16 is set.
光検出器109により検出され増幅器111で増幅されたレ
ーザービームの強度に比例した出力は、比較器112で基
準電圧Vrefと比較され、その比較結果に応じて比較器11
3からは高レベルまたは低レベルの信号が出力される。
例えば、比較器112の出力が高レベル(すなわち、半導
体レーザー101の光出力が基準電圧Vrefより大)の場合
に、タイミング信号T1によりアツプダウンカウンタ117
のカウント動作が許可されると、アツプダウンカウンタ
117はDフリツプフロツプ113の高レベル出力によりダウ
ンカウンタとして動作する。そして、アツプダウンカウ
ンタ117の出力はデジタルアナログ変換器119でアナログ
出力に変換され、その出力に応じて半導体レーザー駆動
回路108から半導体レーザー101への電流が変化する。よ
つて、この場合は半導体レーザー101の駆動電流が減少
し、増幅器111の出力電圧が低下する。そして、比較器1
12の出力が高レベルから低レベルに反転すると、Dフリ
ツプフロツプ113の出力が低レベルになつてノア回路115
の出力が高レベルになり、JKフリツプフロツプ116がセ
ツトされてアツプダウンカウンタ117のカウント動作を
禁止する。The output proportional to the intensity of the laser beam detected by the photodetector 109 and amplified by the amplifier 111 is compared with the reference voltage Vref by the comparator 112, and the comparator 11 is output according to the comparison result.
A high level or low level signal is output from 3.
For example, when the output of the comparator 112 is at a high level (that is, the optical output of the semiconductor laser 101 is higher than the reference voltage Vref), the timing signal T 1 causes an up-down counter 117.
When the count operation of the
117 operates as a down counter by the high level output of the D flip-flop 113. The output of the up-down counter 117 is converted into an analog output by the digital-analog converter 119, and the current from the semiconductor laser drive circuit 108 to the semiconductor laser 101 changes according to the output. Therefore, in this case, the drive current of the semiconductor laser 101 decreases, and the output voltage of the amplifier 111 decreases. And comparator 1
When the output of 12 is inverted from the high level to the low level, the output of the D flip-flop 113 becomes the low level and the NOR circuit 115
Becomes high level, the JK flip-flop 116 is set, and the counting operation of the up-down counter 117 is prohibited.
一方、比較器112の出力が低レベル(すなわち、半導
体レーザー101の光出力が基準電圧Vrefより小)の場合
に、タイミング信号T1によりアツプダウンカウンタ117
のカウント動作が許可されると、アツプダウンカウンタ
117はDフリツプフロツプ113の低レベル出力によりアツ
プカウンタとして動作する。そして、アツプダウンカウ
ンタ117の出力はデジタルアナログ変換器119でアナログ
出力に変換され、その出力に応じて半導体レーザー駆動
回路108から半導体レーザー101への電流が変化する。よ
つて、この場合は半導体レーザー101の駆動電流が増加
し、増幅器111の出力電圧が上昇する。そして、比較器1
12の出力が低レベルから高レベルに反転すると、Dフリ
ツプフロツプ113の出力が高レベルとなる。これによ
り、アツプダウンカウンタ117がダウンカウンタとして
動作するようになる。このときノア回路115の出力は低
レベルのままで、JKフリツプフロツプ116がリセツトさ
れず、アツプダウンカウンタ117はカウント動作が許可
されたままである。すなわち、アツプダウンカウンタ11
7は半導体レーザー101の光出力が増加して基準電圧Vref
を越えたときにはカウント動作禁止とはならず、半導体
レーザー101の光出力が減少して基準電圧Vrefを越えた
ときに初めてカウント動作禁止となる。したがつて、半
導体レーザー101の保持電流は常に一定となる。On the other hand, when the output of the comparator 112 is at a low level (that is, the optical output of the semiconductor laser 101 is smaller than the reference voltage Vref), the timing signal T 1 causes an up-down counter 117.
When the count operation of the
117 operates as an up counter by the low level output of the D flip-flop 113. The output of the up-down counter 117 is converted into an analog output by the digital-analog converter 119, and the current from the semiconductor laser drive circuit 108 to the semiconductor laser 101 changes according to the output. Therefore, in this case, the drive current of the semiconductor laser 101 increases and the output voltage of the amplifier 111 increases. And comparator 1
When the output of 12 is inverted from the low level to the high level, the output of the D flip-flop 113 becomes the high level. As a result, the up-down counter 117 operates as a down counter. At this time, the output of the NOR circuit 115 remains at the low level, the JK flip-flop 116 is not reset, and the up-down counter 117 remains enabled for counting operation. That is, the up-down counter 11
7, the optical output of the semiconductor laser 101 increases and the reference voltage Vref
When the voltage exceeds Vref, the counting operation is not prohibited. When the optical output of the semiconductor laser 101 decreases and exceeds the reference voltage Vref, the counting operation is prohibited. Therefore, the holding current of the semiconductor laser 101 is always constant.
上例とは逆に、アツプダウンカウンタ117は半導体レ
ーザー101の光出力が減少して基準電圧Vrefを越えたと
きには、カウント動作禁止とはならず、半導体レーザー
101の光出力が増加し基準電圧Vrefを越えたときにカウ
ント動作禁止となるように設定しても半導体レーザー10
1の保持電流は常に一定に維持される。Contrary to the above example, the up-down counter 117 does not prohibit the counting operation when the optical output of the semiconductor laser 101 decreases and exceeds the reference voltage Vref.
Even if the count operation is disabled when the optical output of 101 increases and exceeds the reference voltage Vref, the semiconductor laser 10
The holding current of 1 is always kept constant.
すなわち、第15図において枠120で囲んで示す部分
は、比較器112からの出力の変わり目を検出し、アツプ
ダウンカウンタ117のカウント動作を許可しまたは禁止
するエツジ検出回路に相当する。上述のように増幅器11
1の出力電圧が基準電圧Vrefを基準として一定値となる
ように半導体レーザー101からの光出力を制御する(光
出力は常に一定値に保持される)。That is, the portion surrounded by a frame 120 in FIG. 15 corresponds to an edge detection circuit that detects a transition of the output from the comparator 112 and permits or prohibits the counting operation of the up-down counter 117. Amplifier 11 as described above
The optical output from the semiconductor laser 101 is controlled so that the output voltage of 1 becomes a constant value with the reference voltage Vref as a reference (the optical output is always held at a constant value).
このように例えばカウンタとD/Aコンバータを利用し
てなり、このような出力制御手段は、例えば特開昭60−
171863号公報、特開昭61−174786号公報、特開昭61−17
4787号公報等に開示されているものである。Thus, for example, a counter and a D / A converter are used, and such output control means is disclosed in, for example, Japanese Patent Laid-Open No.
171863, JP 61-174786, JP 61-17
It is disclosed in Japanese Patent No. 4787 and the like.
あるいは、上記回路構成とは別の方式でビーム出力を
安定化する方法を次に例示する。Alternatively, a method of stabilizing the beam output by a method different from the above circuit configuration will be illustrated below.
第16図に示すように、すべてをアナログ回路により構
成したものであつても同様に適用出来る。As shown in FIG. 16, the same can be applied to the case where all are configured by analog circuits.
すなわち、半導体レーザー121から射出されたレーザ
ービームは光検出手段としての光検出器122により受光
されてその光強度が検出される。That is, the laser beam emitted from the semiconductor laser 121 is received by the photodetector 122 as the photodetection means, and its light intensity is detected.
この光検出器122の検出信号は増幅器123により増幅さ
れ、比較手段としての比較器124により基準電圧Vrefと
比較され、比較結果として誤差信号が出力される。制御
手段としてのサンプルホールド回路125はパワーチエツ
クを指示するタイミング信号T1により比較器124からの
誤差信号を保持し、レーザー駆動回路126に出力する。
このレーザー駆動回路126はサンプルホールド回路125か
らの信号に応じて半導体レーザー121に与える電流値を
増減して光強度を一定にするものである。The detection signal of the photodetector 122 is amplified by the amplifier 123, compared with the reference voltage Vref by the comparator 124 as a comparison means, and an error signal is output as the comparison result. The sample hold circuit 125 as a control means holds the error signal from the comparator 124 by the timing signal T 1 instructing the power check, and outputs it to the laser drive circuit 126.
The laser drive circuit 126 increases or decreases the current value given to the semiconductor laser 121 in accordance with the signal from the sample hold circuit 125 to make the light intensity constant.
以上、第15図および第16図で説明した例では、光ビー
ム強度はいずれも増幅器(111および123)からの出力が
Vrefに一致するよう制御されることにより、設定された
光ビーム強度に一定化される。したがつて、Vrefを変化
させると、その値に応じて制御される光ビーム強度も変
化する。As described above, in the examples described in FIGS. 15 and 16, the output from the amplifiers (111 and 123) is
By controlling so as to match Vref, the set light beam intensity is made constant. Therefore, when Vref is changed, the light beam intensity controlled according to the value also changes.
本発明においては、感光体の地肌部の状態を検出する
検出手段からの出力に応じて、上記Vrefを調整すること
により、感光体の地肌部の状態の変化による画像変化の
補正をすることが可能である。In the present invention, according to the output from the detection means for detecting the state of the background portion of the photoreceptor, by adjusting the Vref, it is possible to correct the image change due to the change of the state of the background portion of the photoreceptor. It is possible.
例えば、簡単には第17図に示すように、セレクタ134
に複数の設定電圧を入力し、このうちの1つを感光体の
地肌部の状態を検出する検出手段からの検出信号に応じ
てVrefとして選択出力する方法でも良い。For example, in brief, as shown in FIG.
Alternatively, a method of inputting a plurality of set voltages to one of them and selectively outputting one of them as Vref in accordance with a detection signal from a detection unit that detects the state of the background portion of the photoconductor.
あるいは、さらに検出手段からの検出出力を演算手段
に入力し、演算処理した出力信号により、セレクタ134
の出力を選択するようにすれば、より感光体の状態変化
に細かく対応した光ビーム強度の補正が可能となる。Alternatively, the detection output from the detecting means is further input to the calculating means, and the selector 134 outputs the output signal after the arithmetic processing.
If the output of is selected, the light beam intensity can be corrected more finely in response to the state change of the photoconductor.
例えば、第18図(a)の例は、検出信号をA/D変換器1
36でデジタルデータとし、セレクタ135に入力する。セ
レクタデータは、電圧設定回路137により、予め準備さ
れた複数の電圧とし、A/D出力に応じて、そのうちの1
つの電圧がVrefとして出力される。For example, in the example of FIG. 18 (a), the detection signal is converted into an A / D converter 1
Digital data is input at 36 and input to the selector 135. The selector data is a plurality of voltages prepared in advance by the voltage setting circuit 137, and one of them is selected according to the A / D output.
Two voltages are output as Vref.
この場合、上記複数の電圧出力は、各々独立に設定が
可能であつても良い。In this case, the plurality of voltage outputs may be independently settable.
あるいは、第18図(b)に例示する構成では、検出信
号をA/D変換器138でデジタルデータに変換する。この出
力は、例えば、記憶手段(ROM139など)に入力される。
その記憶手段139には入力データに対する出力データ、
感光体の特性などに応じて決まつたデータが記憶されて
おり、A/Dからの出力によりアドレシングされ、新たな
データを出力する(補正曲線に応じたデータを出力す
る)。これはさらにA/D変換器140でアナログ信号に変換
される。この出力をVrefとして使う。Alternatively, in the configuration illustrated in FIG. 18B, the detection signal is converted into digital data by the A / D converter 138. This output is input to, for example, storage means (ROM 139 or the like).
In the storage means 139, output data for input data,
The data determined according to the characteristics of the photoconductor is stored, and is addressed by the output from the A / D, and new data is output (data corresponding to the correction curve is output). This is further converted into an analog signal by the A / D converter 140. Use this output as Vref.
このような構成は第17図に比べて多少複雑であるが、
感光体の特性などに柔軟に対応することが出来るため、
より忠実な画像再現が可能となる。Although such a configuration is slightly complicated as compared with FIG. 17,
Since it is possible to flexibly respond to the characteristics of the photoconductor,
A more faithful image reproduction becomes possible.
次に、第3図にパルス幅の設定値を変えるパルス幅設
定回路のブロツク図を示す。第9図に示したブロツク図
と異なる点は、パルス幅T3,T4を得る回路の途中に遅延
時間変更回路を設けたところである。電位検出信号を遅
延時間変更回路d3,d4に入力し、デイレイラインD3,D4の
遅延時間を変更することにより、パルス幅T3,T4を変え
ることが出来る。Next, FIG. 3 shows a block diagram of a pulse width setting circuit for changing the set value of the pulse width. The difference from the block diagram shown in FIG. 9 is that a delay time changing circuit is provided in the middle of the circuit for obtaining the pulse widths T3 and T4. The pulse width T3, T4 can be changed by inputting the potential detection signal to the delay time changing circuits d3, d4 and changing the delay time of the delay lines D3, D4.
以上、本発明によれば、感光体の長期間使用による感
度劣化等に伴う形成画像の階調性や濃度の変化を防止
し、あるいは低減することが出来る。As described above, according to the present invention, it is possible to prevent or reduce the change in gradation and density of the formed image due to sensitivity deterioration due to long-term use of the photoconductor.
第1図は本発明の一実施例に係る画像形成装置全体の系
統図、第2図は同、画像濃度の階調特性図、第3図は
同、パルス幅設定回路のブロツク図、第4図,第5図は
感光体の疲労度を検出する異なる構成を示す図、第6図
は感光体の電位とトナー量との関係を示す図、第7図は
レーザー書込光学系の斜視図、第8図は従来例に係る画
像形成装置の概略図、第9図はレーザービームのパルス
幅変調方式の一例を示すブロツク図、第10図,第11図は
その詳細を示す図であり、(a)はブロツク図、(b)
はタイムチヤート、第12図は感光体表面電位の経時劣化
特性を示す図、第13図は従来例に係る画像濃度の階調特
性図、第14図以下はレーザービーム出力を変更する方式
を補足説明するための図であり、第14図はレーザープリ
ンタ構成図、第15図はその制御回路図、第16図はビーム
出力安定化ブロツク図、第17図,第18図(a),(b)
はビーム強度の基準値を選択する方式の各例を示す図で
ある。 18……表面電位検出器、19……反射濃度検出器、20……
電位検出回路、21……レーザービーム出力変更回路、22
……パルス幅設定回路、d3,d4……遅延時間変更回路。FIG. 1 is a system diagram of the entire image forming apparatus according to an embodiment of the present invention, FIG. 2 is the same as the gradation characteristic diagram of the image density, and FIG. 3 is the same as the block diagram of the pulse width setting circuit. 5 and 5 are views showing different configurations for detecting the fatigue level of the photoconductor, FIG. 6 is a view showing the relationship between the potential of the photoconductor and the amount of toner, and FIG. 7 is a perspective view of the laser writing optical system. FIG. 8 is a schematic diagram of an image forming apparatus according to a conventional example, FIG. 9 is a block diagram showing an example of a pulse width modulation method of a laser beam, and FIGS. 10 and 11 are diagrams showing details thereof. (A) is a block diagram, (b)
Is a time chart, FIG. 12 is a diagram showing the deterioration characteristic of the surface potential of the photoconductor over time, FIG. 13 is a gradation characteristic diagram of the image density according to the conventional example, and FIG. 14 and the following are supplementary methods for changing the laser beam output. FIG. 14 is a diagram for explanation, FIG. 14 is a laser printer configuration diagram, FIG. 15 is a control circuit diagram thereof, FIG. 16 is a beam output stabilization block diagram, FIG. 17, FIG. 18 (a), and (b). )
FIG. 3 is a diagram showing each example of a method of selecting a reference value of beam intensity. 18 …… Surface potential detector, 19 …… Reflection density detector, 20 ……
Potential detection circuit, 21 …… Laser beam output change circuit, 22
...... Pulse width setting circuit, d3, d4 …… Delay time changing circuit.
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 藤岡 尚亘 東京都大田区中馬込1丁目3番6号 株 式会社リコー内 (72)発明者 金子 良雄 東京都大田区中馬込1丁目3番6号 株 式会社リコー内 (56)参考文献 特開 昭59−136754(JP,A) 特開 昭61−189567(JP,A) 特開 平1−261669(JP,A) 特開 平1−257868(JP,A) 特開 平1−276166(JP,A) 特開 昭63−30252(JP,A) ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of the front page (72) Inventor Naoko Fujioka 1-3-6 Nakamagome, Ota-ku, Tokyo Within Ricoh Co., Ltd. (72) Yoshio Kaneko 1-3-6 Nakamagome, Ota-ku, Tokyo (56) Reference JP 59-136754 (JP, A) JP 61-189567 (JP, A) JP 1-261669 (JP, A) JP 1-257868 (JP, A) JP-A-1-276166 (JP, A) JP-A-63-30252 (JP, A)
Claims (3)
成信号を生成し、前記画像形成信号に対応して駆動され
たレーザービームを感光体上に照射して、この感光体上
に静電潜像を形成し、この静電潜像を現像手段により顕
像化し、さらにこの顕像を転写紙に転写する電子写真方
式の画像形成装置において、 前記感光体の疲労を検出する感光体疲労検出手段と、 前記レーザービームの出力を変更するレーザービーム出
力変更手段と、 前記多値化パルス幅変調のパルス幅の設定値を変更する
パルス幅変更手段と、 前記感光体疲労検出手段で感光体の地肌部の疲労を検出
すると、1画素当たりのパルス幅が短い低濃度部におけ
る画像濃度が感光体疲労前の画像濃度と同じになるよう
に、前記レーザービーム出力変更手段によりレーザービ
ームの出力を変更するとともに、1画素当たりのパルス
幅が長い高濃度部におけるパルス幅を感光体疲労前より
も短くするように、前記パルス幅変更手段によりパルス
幅設定値を変更する制御手段と を備えたことを特徴とする画像形成装置。1. A multi-valued pulse width modulation of an image signal to generate an image forming signal, a laser beam driven corresponding to the image forming signal is irradiated onto the photosensitive member, and the photosensitive member is irradiated with the laser beam. In an electrophotographic image forming apparatus that forms an electrostatic latent image, visualizes the electrostatic latent image by developing means, and further transfers the developed image to a transfer paper, a photoconductor that detects fatigue of the photoconductor. Fatigue detecting means, laser beam output changing means for changing the output of the laser beam, pulse width changing means for changing the set value of the pulse width of the multi-valued pulse width modulation, and photosensitive body fatigue detecting means When the fatigue of the background portion of the body is detected, the laser beam output changing means changes the laser beam output so that the image density in the low density portion where the pulse width per pixel is short becomes the same as the image density before the fatigue of the photoreceptor. Control means for changing the output and changing the pulse width setting value by the pulse width changing means so that the pulse width in the high density portion where the pulse width per pixel is long is shorter than that before the photoconductor fatigue. An image forming apparatus characterized by the above.
出する電位検出手段であることを特徴とする請求項
(1)記載の画像形成装置。2. The image forming apparatus according to claim 1, wherein the detection unit is a potential detection unit that detects a charging potential on the photoconductor.
を検出する反射濃度検出手段であることを特徴とする請
求項(1)記載の画像形成装置。3. The image forming apparatus according to claim 1, wherein the detecting means is a reflection density detecting means for detecting the density of the background portion on the photoconductor.
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