JP2683070B2 - 光ファイバの製造方法 - Google Patents
光ファイバの製造方法Info
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Description
【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ この発明は、その表面な炭素被膜が形成された光ファ
イバの製造方法に関し、分子内に塩素原子を少なくとも
１個以上含有する炭化水素を原料化合物として用いるこ
とにより、耐水素特性と機械的強度とに優れた光ファイ
バが得られるようにしたものである。
イバの製造方法に関し、分子内に塩素原子を少なくとも
１個以上含有する炭化水素を原料化合物として用いるこ
とにより、耐水素特性と機械的強度とに優れた光ファイ
バが得られるようにしたものである。
［従来の技術］ 石英系光ファイバは、水素と接触するとファイバ内に
拡散した水素分子の分子振動に起因する吸収損失が増大
し、さらにドーパントとして含有されているP2O5、Ge
O2、B2O3などが水素と反応しOH基としてファイバガラス
内に取り込まれるため、OH基の吸収による伝送損失も増
大してしまう問題があった。
拡散した水素分子の分子振動に起因する吸収損失が増大
し、さらにドーパントとして含有されているP2O5、Ge
O2、B2O3などが水素と反応しOH基としてファイバガラス
内に取り込まれるため、OH基の吸収による伝送損失も増
大してしまう問題があった。
このような弊害に対処するため、水素吸収能を有する
液状の組成物を光ケーブル内に充填する方法（特願昭61
−251808号）などが考えられているが、その効果が不十
分であるうえ、構造が複雑となって経済的にも問題があ
る。
液状の組成物を光ケーブル内に充填する方法（特願昭61
−251808号）などが考えられているが、その効果が不十
分であるうえ、構造が複雑となって経済的にも問題があ
る。
このような問題を解決するため、最近化学気相成長法
（以下、CVD法と略称する）によって光ファイバ面に炭
素被膜を形成し、これによって光ファイバの耐水素特性
を向上させうることが発表されている。この製造方法
は、紡糸炉で紡糸された光ファイバ裸線を熱CVD炉内に
挿入すると共に、炭化水素化合物を供給し、炭化水素を
熱分解させて光ファイバ裸線表面に炭素被膜を形成させ
る方法である。
（以下、CVD法と略称する）によって光ファイバ面に炭
素被膜を形成し、これによって光ファイバの耐水素特性
を向上させうることが発表されている。この製造方法
は、紡糸炉で紡糸された光ファイバ裸線を熱CVD炉内に
挿入すると共に、炭化水素化合物を供給し、炭化水素を
熱分解させて光ファイバ裸線表面に炭素被膜を形成させ
る方法である。
［発明が解決しようとする課題］ しかしながら上記のような光ファイバの製造方法で
は、熱CVDの際に、光ファイバ裸線表面に吸着された水
分子が光ファイバのコアに拡散され、コア内に予め拡散
されているドーパントと反応し、OH基の吸収に起因する
波長1.39μｍにおける伝送損失を大幅に増大させるとい
う不都合があった。
は、熱CVDの際に、光ファイバ裸線表面に吸着された水
分子が光ファイバのコアに拡散され、コア内に予め拡散
されているドーパントと反応し、OH基の吸収に起因する
波長1.39μｍにおける伝送損失を大幅に増大させるとい
う不都合があった。
さらに炭素被膜形成のための高温加熱時に、光ファイ
バ表面に吸着されている水分子が光ファイバと反応して
シラノール基を形成し、このシラノール基が光ファイバ
表面を侵食するので、光ファイバの機械的強度が低下す
るという不都合もあった。
バ表面に吸着されている水分子が光ファイバと反応して
シラノール基を形成し、このシラノール基が光ファイバ
表面を侵食するので、光ファイバの機械的強度が低下す
るという不都合もあった。
この発明は上記課題を解決するためになされたもので
あって、耐水素特性に優れた高強度の光ファイバが得ら
れる製造方法を提供することを目的としている。
あって、耐水素特性に優れた高強度の光ファイバが得ら
れる製造方法を提供することを目的としている。
［課題を解決するための手段］ この発明の光ファイバの製造方法は、分子内に塩素原
子および二重結合を少なくとも１個以上含有する炭化水
素を熱分解して、紡糸された高ファイバ裸線表面に炭素
被膜を形成することを解決手段とした。
子および二重結合を少なくとも１個以上含有する炭化水
素を熱分解して、紡糸された高ファイバ裸線表面に炭素
被膜を形成することを解決手段とした。
［作用］ 原料化合物として、分子内に塩素原子を少なくとも１
個以上含有する炭化水素を用いると、熱分解時に塩素ラ
ジカルが発生し、これが光ファイバ裸線表面に吸着され
ている水分子中の水素原子と反応する。これにより光フ
ァイバ裸線表面に吸着されている水分子を除去すること
ができる。また、二重結合が存在することにより炭化水
素が容易に熱分解し、結晶性の良好な炭素被膜が形成で
きる。
個以上含有する炭化水素を用いると、熱分解時に塩素ラ
ジカルが発生し、これが光ファイバ裸線表面に吸着され
ている水分子中の水素原子と反応する。これにより光フ
ァイバ裸線表面に吸着されている水分子を除去すること
ができる。また、二重結合が存在することにより炭化水
素が容易に熱分解し、結晶性の良好な炭素被膜が形成で
きる。
以下、この発明を詳しく説明する。
第１図はこの発明の光ファイバの製造方法に好適に用
いられる光ファイバ製造装置の一例を示したものであ
る。第１図中、符号１は光ファイバ裸線である。光ファ
イバ裸線１は、光ファイバ母材（図示せず）を光ファイ
バ紡糸炉２内で加熱紡糸したもので、光ファイバ裸線１
は紡糸されると共に、光ファイバ紡糸炉２の下段に設け
られた加熱炉３内へ供給されるようになっている。この
加熱炉３は、上段の光ファイバ紡糸炉２内で紡糸された
光ファイバ裸線１表面に炭素被膜をCVD法によって形成
するためのものであって、その内部にてCVD反応を進行
させる概略円筒状の反応管４と、この反応管４を加熱す
る発熱体５とから構成されている。この反応管４の上部
には、反応管４内へ原料化合物を供給するための原料化
合物供給管4aが、下部には未反応ガス等を排気する排気
管4bが、それぞれ取り付けられている。反応管４と、こ
れを加熱する発熱体５とは、加熱温度等によって適宜選
択することができ、抵抗加熱炉、誘導加熱炉、赤外線加
熱炉等を用いることができるほか、発熱体５には高周波
またはマイクロ波を用いてプラズマを発生させて原料化
合物をイオン分解させるようなものを用いることもでき
る。またこの加熱炉３の下段には、樹脂液塗布装置６と
硬化装置７とが連続して設けられており、上記加熱炉３
内で形成された炭素被膜上に保護被覆層が形成できるよ
うになっている。
いられる光ファイバ製造装置の一例を示したものであ
る。第１図中、符号１は光ファイバ裸線である。光ファ
イバ裸線１は、光ファイバ母材（図示せず）を光ファイ
バ紡糸炉２内で加熱紡糸したもので、光ファイバ裸線１
は紡糸されると共に、光ファイバ紡糸炉２の下段に設け
られた加熱炉３内へ供給されるようになっている。この
加熱炉３は、上段の光ファイバ紡糸炉２内で紡糸された
光ファイバ裸線１表面に炭素被膜をCVD法によって形成
するためのものであって、その内部にてCVD反応を進行
させる概略円筒状の反応管４と、この反応管４を加熱す
る発熱体５とから構成されている。この反応管４の上部
には、反応管４内へ原料化合物を供給するための原料化
合物供給管4aが、下部には未反応ガス等を排気する排気
管4bが、それぞれ取り付けられている。反応管４と、こ
れを加熱する発熱体５とは、加熱温度等によって適宜選
択することができ、抵抗加熱炉、誘導加熱炉、赤外線加
熱炉等を用いることができるほか、発熱体５には高周波
またはマイクロ波を用いてプラズマを発生させて原料化
合物をイオン分解させるようなものを用いることもでき
る。またこの加熱炉３の下段には、樹脂液塗布装置６と
硬化装置７とが連続して設けられており、上記加熱炉３
内で形成された炭素被膜上に保護被覆層が形成できるよ
うになっている。
上記製造装置を用い、この発明の製造方法に沿って光
ファイバを製造するには、以下の工程による。
ファイバを製造するには、以下の工程による。
光ファイバ母材を光ファイバ紡糸炉２内で加熱紡糸す
ると共に、光ファイバ紡糸炉２の下段に設けられた加熱
炉３、樹脂液塗布装置６、硬化装置７内へ挿通し、これ
らの中心軸上を所定の線速で走行するように供給する。
ついで発熱体５を発熱させて反応管４内を所定温度に加
熱すると共に、原料化合物供給管4aより原料化合物を反
応管４内へ供給する。この原料化合物としては、その分
子中に塩素原子および二重結合を少なくとも１個以上含
有する炭化水素で、熱分解によって炭素被膜を形成する
ものを用い、形成される炭素被膜の性状およびその析出
速度の観点から特に炭素数15以下のものが好適である。
このような炭化水素の具体例としては、モノクロルベン
ゼン、１、２ジクロロエチレンなどがある。原料化合物
となる炭化水素はガス状態にして反応管４内へ供給する
ほか、不活性ガスによって希釈したもの等を用いること
ができ、その供給速度は原料化合物の種類および加熱温
度等によって適宜選択されるが、通常0.2〜1.0／分程
度が好適である。また反応管４内の温度は、原料化合物
の種類や紡糸速度等によって適宜選択できるが、原料化
合物の炭化水素の熱分解に十分な温度であれば良く、50
0〜1200℃程度が好適である。加熱温度を500℃以下にす
ると原料化合物の熱分解が進行せず、また1200℃以上に
すると副生成物の煤が多量に発生すると共に光ファイバ
裸線１表面に形成される炭素被膜の構造が黒鉛構造に近
くなり、十分な耐水素特性が得られなくなるので好まく
ない。またこの副生成物の煤の発生を防止する目的で、
加熱温度は原料化合物の熱分解温度よりもごく僅かに低
温にしておくことが望ましい。このようにして炭素被膜
が形成された光ファイバ裸線１を、下段に設けられた樹
脂液塗布装置６内へ導入し、ついで樹脂液を硬化させる
硬化装置７内へ挿通する。樹脂液塗布装置６内へ挿通さ
れた光ファイバ裸線１は、保護被覆層を形成するための
紫外線硬化樹脂液あるいは熱硬化型樹脂液等が塗布さ
れ、ついで塗布された樹脂液に好適な硬化条件を有する
硬化装置７内で硬化されて保護被覆層が形成される。
ると共に、光ファイバ紡糸炉２の下段に設けられた加熱
炉３、樹脂液塗布装置６、硬化装置７内へ挿通し、これ
らの中心軸上を所定の線速で走行するように供給する。
ついで発熱体５を発熱させて反応管４内を所定温度に加
熱すると共に、原料化合物供給管4aより原料化合物を反
応管４内へ供給する。この原料化合物としては、その分
子中に塩素原子および二重結合を少なくとも１個以上含
有する炭化水素で、熱分解によって炭素被膜を形成する
ものを用い、形成される炭素被膜の性状およびその析出
速度の観点から特に炭素数15以下のものが好適である。
このような炭化水素の具体例としては、モノクロルベン
ゼン、１、２ジクロロエチレンなどがある。原料化合物
となる炭化水素はガス状態にして反応管４内へ供給する
ほか、不活性ガスによって希釈したもの等を用いること
ができ、その供給速度は原料化合物の種類および加熱温
度等によって適宜選択されるが、通常0.2〜1.0／分程
度が好適である。また反応管４内の温度は、原料化合物
の種類や紡糸速度等によって適宜選択できるが、原料化
合物の炭化水素の熱分解に十分な温度であれば良く、50
0〜1200℃程度が好適である。加熱温度を500℃以下にす
ると原料化合物の熱分解が進行せず、また1200℃以上に
すると副生成物の煤が多量に発生すると共に光ファイバ
裸線１表面に形成される炭素被膜の構造が黒鉛構造に近
くなり、十分な耐水素特性が得られなくなるので好まく
ない。またこの副生成物の煤の発生を防止する目的で、
加熱温度は原料化合物の熱分解温度よりもごく僅かに低
温にしておくことが望ましい。このようにして炭素被膜
が形成された光ファイバ裸線１を、下段に設けられた樹
脂液塗布装置６内へ導入し、ついで樹脂液を硬化させる
硬化装置７内へ挿通する。樹脂液塗布装置６内へ挿通さ
れた光ファイバ裸線１は、保護被覆層を形成するための
紫外線硬化樹脂液あるいは熱硬化型樹脂液等が塗布さ
れ、ついで塗布された樹脂液に好適な硬化条件を有する
硬化装置７内で硬化されて保護被覆層が形成される。
上記のように、その分子内に塩素原子を少なくとも１
個以上含有する炭化水素を原料化合物として用いると、
熱分解時に塩素ラジカルが発生する。この塩素ラジカル
が光ファイバ裸線１表面に吸着されている水分子中の水
素原子と反応して塩化水素となるので、光ファイバ裸線
１表面の脱水を行うことができる。これにより光ファイ
バ裸線１表面に吸着されている水分子が光ファイバのコ
ア内へ拡散するのを防止できると共に、水分子とドーパ
ントとの反応によるOH基の生成を防止することができる
ので、OH基の吸収に起因する光ファイバの伝送損失を小
さくすることができる。さらに水分子を光ファイバ裸線
１表面から除去することにより、光ファイバの機械的強
度を低下させる原因となるシラノール基の生成を防止す
ることができるので、高強度の光ファイバを得ることが
できる。また、原料化合物は二重結合を有するので容易
に熱分解し、得られた炭素被膜は緻密な構造を有するも
のであるので、耐水素特性にも優れたものとなる。
個以上含有する炭化水素を原料化合物として用いると、
熱分解時に塩素ラジカルが発生する。この塩素ラジカル
が光ファイバ裸線１表面に吸着されている水分子中の水
素原子と反応して塩化水素となるので、光ファイバ裸線
１表面の脱水を行うことができる。これにより光ファイ
バ裸線１表面に吸着されている水分子が光ファイバのコ
ア内へ拡散するのを防止できると共に、水分子とドーパ
ントとの反応によるOH基の生成を防止することができる
ので、OH基の吸収に起因する光ファイバの伝送損失を小
さくすることができる。さらに水分子を光ファイバ裸線
１表面から除去することにより、光ファイバの機械的強
度を低下させる原因となるシラノール基の生成を防止す
ることができるので、高強度の光ファイバを得ることが
できる。また、原料化合物は二重結合を有するので容易
に熱分解し、得られた炭素被膜は緻密な構造を有するも
のであるので、耐水素特性にも優れたものとなる。
なおこの例では、光ファイバ裸線１表面に単一の炭素
被膜を形成したが、光ファイバ裸線１表面に形成する炭
素被膜の層数はこれに限られるものではなく、２層以上
の炭素被膜を連続して形成しても良い。さらにこの例で
は炭素被膜上に単一の保護被膜層を形成したが、この保
護被膜層の層数もこれに限られるものではなく、複数の
保護被膜層を形成しても良い。
被膜を形成したが、光ファイバ裸線１表面に形成する炭
素被膜の層数はこれに限られるものではなく、２層以上
の炭素被膜を連続して形成しても良い。さらにこの例で
は炭素被膜上に単一の保護被膜層を形成したが、この保
護被膜層の層数もこれに限られるものではなく、複数の
保護被膜層を形成しても良い。
［実施例］ （実施例１） 光ファイバ母材から光ファイバ裸線を紡糸する紡糸炉
の下段に、内径40mmの石英管の反応管を有する抵抗加熱
炉を取り付けた。次にこの紡糸炉内に、GeO2がドープ剤
として含浸されたコア部を有する外径30mmの単一モード
光ファイバ母材を設置した。この光ファイバ母材を2000
℃に加熱して、20m/分の紡糸速度で外径125μｍの光フ
ァイバに紡糸した。さらに抵抗加熱炉内を1000℃に加熱
しつつ約5vol％にアルゴンガスで希釈したモノクロルベ
ンゼン蒸気を約３／分の流量で反応管内へ供給し、紡
糸された光ファイバ裸線表面に炭素被膜を形成した。さ
らに樹脂コート用ダイスポット内にウレタンアクリレー
ト樹脂液（ヤング率50kg/mm2、伸び60％）を封入し、こ
の中に炭素被膜が形成された光ファイバを挿通して、そ
の表面に紫外線硬化型樹脂液を塗布した後、紫外線ラン
プを照射して上記樹脂液を硬化させて外径が約250μｍ
の光ファイバを製造した。
の下段に、内径40mmの石英管の反応管を有する抵抗加熱
炉を取り付けた。次にこの紡糸炉内に、GeO2がドープ剤
として含浸されたコア部を有する外径30mmの単一モード
光ファイバ母材を設置した。この光ファイバ母材を2000
℃に加熱して、20m/分の紡糸速度で外径125μｍの光フ
ァイバに紡糸した。さらに抵抗加熱炉内を1000℃に加熱
しつつ約5vol％にアルゴンガスで希釈したモノクロルベ
ンゼン蒸気を約３／分の流量で反応管内へ供給し、紡
糸された光ファイバ裸線表面に炭素被膜を形成した。さ
らに樹脂コート用ダイスポット内にウレタンアクリレー
ト樹脂液（ヤング率50kg/mm2、伸び60％）を封入し、こ
の中に炭素被膜が形成された光ファイバを挿通して、そ
の表面に紫外線硬化型樹脂液を塗布した後、紫外線ラン
プを照射して上記樹脂液を硬化させて外径が約250μｍ
の光ファイバを製造した。
（実施例２） 反応管内へ供給する原料化合物を5vol％にアルゴンガ
スで希釈した1,2ジクロロエチレンとした以外は実施例
１と全く同様にして光ファイバを製造した。
スで希釈した1,2ジクロロエチレンとした以外は実施例
１と全く同様にして光ファイバを製造した。
（比較例１） 反応管内へ供給する原料化合物を5vol％にアルゴンガ
スで希釈したメタンとし、加熱温度を1400℃した以外は
実施例１と全く同様にして光ファイバを製造した。
スで希釈したメタンとし、加熱温度を1400℃した以外は
実施例１と全く同様にして光ファイバを製造した。
（比較例２） 反応管内へ供給する原料化合物を5vol％にアルゴンガ
スで希釈したベンゼンとした以外は実施例１と全く同様
にして光ファイバを製造した。
スで希釈したベンゼンとした以外は実施例１と全く同様
にして光ファイバを製造した。
（比較例３） 反応管内へ供給する原料化合物を5vol％にアルゴンガ
スで希釈したエチレンとした以外は実施例１と全く同様
にして光ファイバを製造した。
スで希釈したエチレンとした以外は実施例１と全く同様
にして光ファイバを製造した。
（試験例１） 上記実施例１および２および比較例１〜３で得られた
各光ファイバをそれぞれ20本ずつ用意し、ゲージ長3m、
歪速度10％／分の条件下で引っ張り、破断確率と引っ張
り強度のワイブルプロットを行い、50％破断確率での引
っ張り強度を測定した。この結果を第１表に示した。
各光ファイバをそれぞれ20本ずつ用意し、ゲージ長3m、
歪速度10％／分の条件下で引っ張り、破断確率と引っ張
り強度のワイブルプロットを行い、50％破断確率での引
っ張り強度を測定した。この結果を第１表に示した。
（試験例２） 実施例１および２および比較例１〜３で得られた各光
ファイバをそれぞれ500m用意し、光損失波長特性測定装
置にて各波長での吸収損失を測定した。OH基の吸収に起
因する吸収損失が表れる波長1.30μｍでの損失量を第１
表に併せて示した。
ファイバをそれぞれ500m用意し、光損失波長特性測定装
置にて各波長での吸収損失を測定した。OH基の吸収に起
因する吸収損失が表れる波長1.30μｍでの損失量を第１
表に併せて示した。
以上の結果から、この発明の製造方法による実施例１
および２の各光ファイバはいずれも高い機械的強度と、
低い吸収損失量を示すものであることが確認できた。
および２の各光ファイバはいずれも高い機械的強度と、
低い吸収損失量を示すものであることが確認できた。
［発明の効果］ 以上説明したように、この発明の光ファイバの製造方
法は、分子内に塩素原子および二重結合を少なくとも１
個以上含有する炭化水素を熱分解して、紡糸された光フ
ァイバ裸線表面に炭素被膜を形成するものであるので、
炭素被膜形成時に光ファイバ裸線表面に吸着されている
水分子を除去することができるため、水分子が光ファイ
バのコア部内へ拡散するのを防止できる。よってOH基の
吸収に起因する吸収損失量が減少するので、伝送損失の
低い光ファイバを得ることができる。さらに炭素被膜形
成時に水分子が除去されることにより、ファイバ表面を
侵食するシラノール基の生成が防止されるので、得られ
た光ファイバは高い機械強度を有するものとなる。
法は、分子内に塩素原子および二重結合を少なくとも１
個以上含有する炭化水素を熱分解して、紡糸された光フ
ァイバ裸線表面に炭素被膜を形成するものであるので、
炭素被膜形成時に光ファイバ裸線表面に吸着されている
水分子を除去することができるため、水分子が光ファイ
バのコア部内へ拡散するのを防止できる。よってOH基の
吸収に起因する吸収損失量が減少するので、伝送損失の
低い光ファイバを得ることができる。さらに炭素被膜形
成時に水分子が除去されることにより、ファイバ表面を
侵食するシラノール基の生成が防止されるので、得られ
た光ファイバは高い機械強度を有するものとなる。
また、炭化水素が二重結合を有しているので容易に熱
分解し、得られた炭素被膜は結晶性が良く、高い水素透
過阻止能力を有するものとなるので、耐水素特性に優れ
た光ファイバを得ることができる。
分解し、得られた炭素被膜は結晶性が良く、高い水素透
過阻止能力を有するものとなるので、耐水素特性に優れ
た光ファイバを得ることができる。
第１図はこの発明の光ファイバの製造方法に好適に用い
られる光ファイバの製造装置の一例を示した概略構成図
である。 １……光ファイバ裸線。
られる光ファイバの製造装置の一例を示した概略構成図
である。 １……光ファイバ裸線。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 下道 毅 千葉県佐倉市六崎1440番地 藤倉電線株 式会社佐倉工場内 (56)参考文献 特開 平２−35404（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−73315（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−83240（ＪＰ，Ａ)
Claims (1)
- 【請求項１】分子内に塩素原子および二重結合を少なく
とも１個以上含有する炭化水素を熱分解して、紡糸され
た光ファイバ裸線表面に炭素被膜を形成することを特徴
とする光ファイバの製造方法。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63303758A JP2683070B2 (ja) | 1988-11-30 | 1988-11-30 | 光ファイバの製造方法 |
| US07/423,308 US5024688A (en) | 1988-11-30 | 1989-10-18 | Method for producing carbon-coated optical fiber |
| EP89311425A EP0371628B1 (en) | 1988-11-30 | 1989-11-03 | A method of producing carbon-coated optical fiber |
| DE89311425T DE68908107T2 (de) | 1988-11-30 | 1989-11-03 | Verfahren zur Herstellung einer kohlenstoffbeschichteten optischen Faser. |
| CA002003119A CA2003119C (en) | 1988-11-30 | 1989-11-16 | Method for producing carbon-coated optical fiber |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63303758A JP2683070B2 (ja) | 1988-11-30 | 1988-11-30 | 光ファイバの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02149449A JPH02149449A (ja) | 1990-06-08 |
| JP2683070B2 true JP2683070B2 (ja) | 1997-11-26 |
Family
ID=17924920
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63303758A Expired - Fee Related JP2683070B2 (ja) | 1988-11-30 | 1988-11-30 | 光ファイバの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2683070B2 (ja) |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4512629A (en) * | 1982-03-30 | 1985-04-23 | Hewlett-Packard Company | Optical fiber with hermetic seal and method for making same |
| JPH0288446A (ja) * | 1988-09-22 | 1990-03-28 | Sumitomo Electric Ind Ltd | カーボンコート光ファイバ及びその製造方法 |
-
1988
- 1988-11-30 JP JP63303758A patent/JP2683070B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH02149449A (ja) | 1990-06-08 |
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