JP2671730B2 - Plasma lighting device - Google Patents
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Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は、低ガス圧の放電室に電
子を入射し、高周波放電プラズマをスムーズに点灯させ
る装置に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a device for injecting electrons into a discharge chamber having a low gas pressure to smoothly light a high frequency discharge plasma.
【０００２】[0002]
【従来の技術】高周波放電によるプラズマを用いた装置
では、例えばプラズマＣＶＤ装置のように、一般的に１
×１０-4Torr台の圧力を使用しない。通常の高周波プラ
ズマ応用装置では１×１０-3Torr以上の圧力を使用して
おり、高周波電力の投入と同時にスムーズにプラズマを
点灯させることができる。2. Description of the Related Art In an apparatus using plasma by high-frequency discharge, generally, for example, a plasma CVD apparatus is used.
Do not use pressures on the order of × 10 -4 Torr. In a normal high-frequency plasma application device, a pressure of 1 × 10 −3 Torr or more is used, and plasma can be smoothly turned on simultaneously with the application of high-frequency power.
【０００３】しかし、高周波プラズマ技術を用い、大面
積ビ−ムで基板にイオンを注入する装置、例えば液晶装
置の駆動回路となる薄膜トランジスタアレイを形成する
イオン注入装置にあっては、基板がセットされる真空処
理チャンバは、１×１０-4Torr台の圧力となるように真
空排気されている。そしてイオンビ−ムの発生源である
高周波イオン源の放電室（プラズマ室）は真空処理チャ
ンバとイオンビ−ム引出し電極系を介して結合されてお
り、この引出し電極系は大面積ビームを引出す関係上、
その排気コンダクタンスが大きいから、イオン源ガスが
供給される放電室も１×１０-4台の低ガス圧状態にな
る。However, in a device for implanting ions into a substrate with a large area beam using a high-frequency plasma technique, for example, an ion implantation device for forming a thin film transistor array serving as a driving circuit of a liquid crystal device, the substrate is set. The vacuum processing chamber is evacuated to a pressure of the order of 1 × 10 −4 Torr. The discharge chamber (plasma chamber) of the high-frequency ion source, which is the source of the ion beam, is connected to the vacuum processing chamber through an ion beam extraction electrode system. ,
Since the exhaust conductance is large, the discharge chamber to which the ion source gas is supplied also has a low gas pressure of 1 × 10 −4 units.
【０００４】このような低ガス圧下では、周波数が１
３．５６ＭＨｚに代表される高周波の放電によりプラズ
マを点灯させるのは一般に困難である。そこで、一つの
方法として、プラズマ点灯時に一時的に放電室内のガス
圧を上昇させ、点灯後、速やかに正規の動作ガス圧に復
帰させるものがある。Under such a low gas pressure, the frequency becomes 1
It is generally difficult to turn on plasma by high-frequency discharge represented by 3.56 MHz. Therefore, as one method, there is a method in which the gas pressure in the discharge chamber is temporarily increased at the time of plasma lighting, and is returned to the normal operating gas pressure immediately after lighting.
【０００５】この方法は、プラズマを点灯させるには確
実なものではあるが、ガス圧の上昇及びプラズマ点灯後
の正規の動作ガス圧への再調整に時間を要し、秒単位で
のスムーズな点灯には適さない。Although this method is reliable for turning on the plasma, it takes time to raise the gas pressure and readjust the operating gas pressure to the normal operating gas pressure after turning on the plasma. Not suitable for lighting.
【０００６】また他の方法として、高周波イオン源の放
電室に隣接してトリガープラズマ室を設け、トリガープ
ラズマ室からトリガープラズマを放電室にしみださせ、
放電室にプラズマを点灯させるものがある。その構成図
を図２に示す。高周波イオン源１の放電室２は、筒状容
器部３と、これに絶縁材４を用いて取り付けられ放電室
の上蓋となる高周波フランジ部５からなり、放電室内に
生成されたプラズマから引出し電極系の引出し電極６、
抑制電極７及び接地電極８によってイオンビ−ムが引出
される。上述の液晶装置に係る薄膜トランジスタアレイ
形成基板へのイオン注入の場合には、イオンビ−ムは、
質量分離、偏向を行うことなく、真空ポンプに接続され
ている真空処理チャンバ９に導入され、基板１０にイオ
ンが注入される。[0006] As another method, a trigger plasma chamber is provided adjacent to a discharge chamber of a high-frequency ion source, and the trigger plasma is discharged from the trigger plasma chamber into the discharge chamber.
Some discharge lamps emit plasma. FIG. 2 shows the configuration diagram. The discharge chamber 2 of the high-frequency ion source 1 is composed of a cylindrical container portion 3 and a high-frequency flange portion 5 which is attached to the cylindrical container portion 3 with an insulating material 4 and serves as an upper lid of the discharge chamber. System extraction electrode 6,
The ion beam is extracted by the suppression electrode 7 and the ground electrode 8. In the case of ion implantation into the thin film transistor array forming substrate according to the above liquid crystal device, the ion beam is
The ions are introduced into the vacuum processing chamber 9 connected to a vacuum pump and the substrate 10 is ion-implanted without mass separation and deflection.
【０００７】放電室２の高周波フランジ部５にはトリガ
ープラズマ室１１が取り付けられており、両室はフラン
ジに設けたトリガープラズマ引出し口１２によって連通
している。トリガープラズマ室１１にイオン源ガス供給
ライン１３を接続し、イオン源ガスは引出し口１２を経
て放電室２内にも流入する。基板がセットされる真空処
理チャンバを真空排気し、同チャンバ及び放電室を１×
１０-4Torr台のガス圧にしたとき、引出し口１２によ
り、トリガープラズマ室にはこれより高い放電可能のガ
ス圧を保つことができる。トリガープラズマ室１１に絶
縁してトリガー電極１４を取付け、この電極とトリガー
プラズマ室との間にトリガー電源１５から直流電圧を印
加するようにし、イオン源における放電室２の筒状容器
部３及び引出し電極６と高周波フランジ部５間には高周
波電源１６から整合回路１７を介して高周波電力を供給
する。また、引出し電極６及び抑制電極７には引出し電
源１８及び抑制電源１９によって接地電極８に対して所
要の電圧が印加されている。[0007] A trigger plasma chamber 11 is attached to the high-frequency flange portion 5 of the discharge chamber 2, and both chambers are communicated by a trigger plasma outlet 12 provided in the flange. An ion source gas supply line 13 is connected to the trigger plasma chamber 11, and the ion source gas flows into the discharge chamber 2 via the outlet 12. The vacuum processing chamber in which the substrate is set is evacuated and the chamber and the discharge chamber are set to 1 ×
When the gas pressure is on the order of 10 -4 Torr, the trigger plasma chamber can be maintained at a higher dischargeable gas pressure by the outlet 12. A trigger electrode 14 is attached to the trigger plasma chamber 11 so as to be insulated, and a DC voltage is applied from a trigger power supply 15 between the electrode and the trigger plasma chamber. High frequency power is supplied between the electrode 6 and the high frequency flange portion 5 from a high frequency power supply 16 through a matching circuit 17. In addition, a required voltage is applied to the extraction electrode 6 and the suppression electrode 7 by the extraction power supply 18 and the suppression power supply 19 with respect to the ground electrode 8.
【０００８】イオン源ガス供給ライン１３からトリガー
プラズマ室１１及びイオン源の放電室２にガスを供給
し、トリガープラズマ室内に放電によりプラズマが生成
される。このプラズマは引出し口１２から放電室２内に
しみでて、これを種にして同室内に主プラズマが点灯す
る。Gas is supplied from the ion source gas supply line 13 to the trigger plasma chamber 11 and the discharge chamber 2 of the ion source, and plasma is generated by discharge in the trigger plasma chamber. This plasma seeps into the discharge chamber 2 from the outlet 12 and is used as a seed to turn on the main plasma in the same chamber.
【０００９】かかる放電室の主プラズマに対する点灯法
は、瞬間的な主プラズマの点灯が可能であるために非常
に有効ではあるものの、ガス種、ガス圧等の動作条件に
大きく影響されるという不安定性があり、実際の使用は
難しい。[0009] The lighting method for the main plasma in the discharge chamber is very effective because the main plasma can be turned on instantaneously, but it is uneasy that it is greatly affected by operating conditions such as gas type and gas pressure. Qualitative and difficult to use.
【００１０】また、高周波の電磁界の作用下でプラズマ
を生成する技術にあっては、プラズマ生成領域に電子を
入射してプラズマの生成をトリガーする技術も既に存在
し、低ガス圧下での高周波プラズマ放電の励起源として
フィラメントによる電子ビームの利用を示すもの（特開
平１−２０７６５４号公報参照）、インダクションコイ
ルをもつ高周波イオン源で、初期電離プラズマ生成のた
めの電子発生源としてホットカソードやスパークギャッ
プ、β-の放射線源を用いるもの（特開昭６１−１２６
７３９号公報）も公知である。Further, in the technique of generating plasma under the action of a high frequency electromagnetic field, there is already a technique of injecting electrons into the plasma generation region to trigger the generation of plasma, and the high frequency under a low gas pressure is used. What shows the use of an electron beam by a filament as an excitation source for plasma discharge (see Japanese Patent Laid-Open No. 1-207654), a high-frequency ion source having an induction coil, and a hot cathode or a spark as an electron generation source for initial ionization plasma generation. gap, β - those using the radiation source (JP-a-61-126
No. 739) is also known.
【００１１】[0011]
【発明が解決しようとする課題】本発明は、トリガープ
ラズマ室から放電室に電子ビームを入射し、低ガス圧下
でスムーズに高周波放電、プラズマを点灯させるもので
あって、簡単な電路構成で、トリガープラズマ室にトリ
ガープラズマを生成し、同プラズマに所要の電位を与え
て電子を放電室に入射することのできるプラズマの点灯
装置の提供を目的とするものである。SUMMARY OF THE INVENTION The present invention is one in which an electron beam is incident from a trigger plasma chamber into a discharge chamber, and a high-frequency discharge and plasma are lit smoothly under a low gas pressure. It is an object of the present invention to provide a plasma lighting device capable of generating a trigger plasma in a trigger plasma chamber, applying a required electric potential to the plasma, and causing electrons to enter the discharge chamber.
【００１２】[0012]
【課題を解決するための手段】本発明は、１×１０-4To
rr台の低ガス圧下で主放電室内に高周波放電によりプラ
ズマを点灯させる装置であって、前記主放電室に電気的
に絶縁して設けられたトリガープラズマ室と、このトリ
ガープラズマ室に電気的に絶縁して設けられたトリガー
電極と、このトリガー電極と前記主放電室間に接続され
たトリガー電源と、前記トリガープラズマ室と前記主放
電室間に接続された抵抗器とを備え、前記トリガー電極
とトリガープラズマ室との間に前記抵抗器を介して直流
電圧を印加することによりトリガープラズマ室にトリガ
ープラズマを生成すると共に、前記抵抗器の端子電圧に
より主放電室に対してトリガープラズマに負電位を与え
てトリガープラズマ中の電子を前記主放電室に入射させ
ることを特徴とするものである。The present invention provides a 1 × 10 -4 To
A device for igniting plasma by high-frequency discharge in a main discharge chamber under a low gas pressure of rr level, a trigger plasma chamber electrically insulated from the main discharge chamber, and an electrical connection to the trigger plasma chamber. An insulating trigger electrode, a trigger power supply connected between the trigger electrode and the main discharge chamber, and a resistor connected between the trigger plasma chamber and the main discharge chamber, the trigger electrode The trigger plasma is generated in the trigger plasma chamber by applying a DC voltage through the resistor between the trigger plasma chamber and the trigger plasma chamber, and the trigger plasma has a negative potential with respect to the main discharge chamber due to the terminal voltage of the resistor. To cause electrons in the trigger plasma to enter the main discharge chamber.
【００１３】[0013]
【作用】トリガー電極と主放電室間にトリガー電源を接
続し、トリガープラズマ室と主放電室間には抵抗器を接
続することにより、トリガー電極とトリガープラズマ室
との間には前記抵抗器を介して直流電圧が印加され、ト
リガープラズマ室に直流放電を発生させてトリガープラ
ズマを生成することができ、そして、この直流放電によ
るプラズマ分の電流がトリガー電源から抵抗器を介して
流れから、この抵抗器の端子電圧によって、自動的にト
リガープラズマ室を主放電室に対して負電位とし、これ
に伴い主放電室に対してトリガープラズマに負電位を与
えて、トリガープラズマ中の電子を主放電室に入射し、
主放電室のプラズマを点灯する。[Function] By connecting a trigger power supply between the trigger electrode and the main discharge chamber and a resistor between the trigger plasma chamber and the main discharge chamber, the resistor is provided between the trigger electrode and the trigger plasma chamber. A direct current voltage is applied through the trigger plasma to generate a direct current discharge in the trigger plasma chamber, and a plasma current due to the direct current discharge flows from the trigger power supply through the resistor to generate a trigger plasma. Depending on the terminal voltage of the resistor, the trigger plasma chamber is automatically set to a negative potential with respect to the main discharge chamber, and with this, a negative potential is applied to the trigger plasma in the main discharge chamber, causing electrons in the trigger plasma to be discharged to the main discharge. Incident on the chamber,
Turn on the plasma in the main discharge chamber.
【００１４】[0014]
【実施例】本発明を高周波イオン源に適用した一実施例
について図１の構成図を参照して説明する。なお、図２
と同一符号は同等部分を示す。高周波イオン源１におい
て、主プラズマを点灯させる主放電室２は筒状容器部３
と、これに絶縁材４を用いて取り付けられ主放電室の上
蓋となる高周波フランジ部５からなり、主放電室内に生
成された主プラズマから引出し電極系の引出し電極６、
抑制電極７及び接地電極８によってイオンビ−ムが引出
される。このイオンビ−ムは、例えば、質量分離、偏向
を行うことなく、真空ポンプが接続されている真空処理
チャンバに導入され、イオンを被注入基板に注入する。DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS One embodiment in which the present invention is applied to a high-frequency ion source will be described with reference to the block diagram of FIG. Note that FIG.
The same reference numerals indicate the same parts. In the high-frequency ion source 1, the main discharge chamber 2 for lighting the main plasma includes a cylindrical container 3.
And a high-frequency flange portion 5 attached to this using an insulating material 4 and serving as an upper lid of the main discharge chamber, and an extraction electrode 6 of an extraction electrode system from the main plasma generated in the main discharge chamber,
The ion beam is extracted by the suppression electrode 7 and the ground electrode 8. This ion beam is introduced into a vacuum processing chamber to which a vacuum pump is connected, for example, without performing mass separation and deflection, and injects ions into a substrate to be implanted.
【００１５】主放電室２の高周波フランジ部５に絶縁材
２０を介してトリガープラズマ室２１を取り付け、主放
電室に対して電気的に絶縁してトリガープラズマ室を設
ける。トリガープラズマ室２１及び主放電室の高周波フ
ランジ部５には電子射出孔２２、２３が設けられてお
り、イオン源ガス供給ライン１３からトリガープラズマ
室を通して必要なガスを導入することによりトリガープ
ラズマ室内のガス圧力を主放電室２の圧力に比べて上昇
させている。主放電室２を１×１０-4Torr台の低ガス圧
にしたとき、トリガープラズマ室２１内の圧力が１×１
０-1Torrから１×１０-3Torrの範囲になるように電子射
出孔２２、２３を設計する。これら射出孔の口径は、具
体的には１ｍｍφ前後である。A trigger plasma chamber 21 is attached to the high-frequency flange portion 5 of the main discharge chamber 2 through an insulating material 20 to electrically insulate the main discharge chamber from the trigger plasma chamber. Electron emission holes 22 and 23 are provided in the trigger plasma chamber 21 and the high-frequency flange portion 5 of the main discharge chamber, and the necessary gas is introduced from the ion source gas supply line 13 through the trigger plasma chamber, so that the inside of the trigger plasma chamber is formed. The gas pressure is increased compared to the pressure of the main discharge chamber 2. When the main discharge chamber 2 is set to a low gas pressure of the order of 1 × 10 −4 Torr, the pressure in the trigger plasma chamber 21 becomes 1 × 1
The electron injection holes 22 and 23 are designed to be in a range of 0 -1 Torr to 1 × 10 -3 Torr. Specifically, the diameters of these injection holes are around 1 mmφ.
【００１６】トリガープラズマ室２１に絶縁して取り付
けたトリガー電極２４と高周波フランジ５部間にトリガ
ー電源２５によって直流電圧を印加するようにし、トリ
ガープラズマ室と高周波フランジ間に抵抗器２６を接続
する。また、主放電室の筒状容器部３及び引出し電極６
と高周波フランジ部５間には高周波電源１６から整合回
路１７を介して高周波電力を供給する。A direct current voltage is applied between the trigger electrode 24 and the high frequency flange 5 which are attached to the trigger plasma chamber 21 by insulation, and a resistor 26 is connected between the trigger plasma chamber and the high frequency flange. Further, the cylindrical container portion 3 and the extraction electrode 6 of the main discharge chamber
High frequency power is supplied from a high frequency power supply 16 through a matching circuit 17 between the high frequency power supply 16 and the high frequency flange 5.
【００１７】トリガープラズマ室２１及び主放電室２に
イオン源ガスを供給し、主放電室内を低ガス圧状態と
し、高周波電源１６から高周波電力を主放電室に供給す
る。トリガー電源２５から抵抗器２６を介してトリガー
プラズマ室２１とトリガー電極２４間に、同電極が負電
位となるように直流電圧を印加する。トリガープラズマ
室に直流放電が発生し、トリガープラズマが生成され
る。この放電によるプラズマ分の電流がトリガー電源２
５から抵抗器２６を介して流れ、トリガープラズマ室２
１は同抵抗器の端子電圧により、自動的に主放電室、具
体的には主放電室の高周波フランジ部５に対して負電位
にバイアスされ、トリガープラズマも主放電室に対して
負電位になり、同プラズマ中の電子は射出孔２２、２３
を通してビームとなって主放電室に射出される。主放電
室に入射した電子ビームは、高周波電力が供給されてい
る同室内のイオン源ガス分子に衝突し、スムーズに主プ
ラズマが点灯し、高周波放電により主プラズマの生成が
持続する。主プラズマの点灯後、トリガー電源２５によ
るトリガープラズマ室への給電は遮断する。Ion source gas is supplied to the trigger plasma chamber 21 and the main discharge chamber 2 to bring the main discharge chamber into a low gas pressure state, and high frequency power is supplied from the high frequency power supply 16 to the main discharge chamber. A DC voltage is applied from the trigger power supply 25 via the resistor 26 between the trigger plasma chamber 21 and the trigger electrode 24 so that the electrode has a negative potential. DC discharge is generated in the trigger plasma chamber, and trigger plasma is generated. The current for the plasma due to this discharge is supplied to the trigger power supply 2
5 through the resistor 26, trigger plasma chamber 2
1 is automatically biased to a negative potential with respect to the main discharge chamber, specifically, the high-frequency flange portion 5 of the main discharge chamber by the terminal voltage of the same resistor, and the trigger plasma also has a negative potential with respect to the main discharge chamber. Then, the electrons in the plasma are emitted through the injection holes 22 and 23.
Through which a beam is emitted to the main discharge chamber. The electron beam incident on the main discharge chamber collides with ion source gas molecules in the same chamber to which high frequency power is supplied, the main plasma is lit smoothly, and the generation of the main plasma is continued by the high frequency discharge. After the main plasma is turned on, the power supply to the trigger plasma chamber by the trigger power supply 25 is cut off.
【００１８】イオン源ガスとして、水素、窒素、そして
燐、ボロンの水素化物等について実施した。トリガー電
源２５の直流電圧は−３ｋＶから−６ｋＶであり、抵抗
器２６は１００ｋΩから５ＭΩの範囲のものを用いた。
このとき、トリガープラズマから引出された電流は３〜
１０ｍＡであった。主プラズマの点灯状態はガス種に依
存したが、かかる動作条件でトリガープラズマの点灯と
同時に主プラズマを点灯させることができた。As the ion source gas, hydrogen, nitrogen, and hydrides of phosphorus and boron were used. The DC voltage of the trigger power supply 25 was −3 kV to −6 kV, and the resistor 26 used was in the range of 100 kΩ to 5 MΩ.
At this time, the current drawn from the trigger plasma is 3 to
It was 10 mA. The lighting state of the main plasma depended on the gas type, but under such operating conditions, the main plasma could be turned on at the same time as the trigger plasma was turned on.
【００１９】上述の実施例に示したトリガープラズマ室
２１と主放電室２（の高周波フランジ５）との間を抵抗
器２６で接続する方法は、トリガープラズマに負電位を
与える方法としては簡便であり、安価に実現できる。The method of connecting the trigger plasma chamber 21 and (the high-frequency flange 5 of) the main discharge chamber 2 shown in the above embodiment with the resistor 26 is a simple method for giving a negative potential to the trigger plasma. Yes, it can be realized at low cost.
【００２０】また、上述の実施例ではイオン源ガスをト
リガープラズマ室２１を通して主放電室２に供給してい
るが、イオン源ガスは主放電室に直接供給し、トリガー
プラズマ室にはイオン源ガスとは異なるガスを供給して
トリガープラズマそして電子ビームを発生させてもよ
く、例えば、トリガープラズマ生成用ガスとして水素、
窒素、ヘリウム等を用いることにより、イオン源ガスを
用いた場合におけるトリガープラズマ室内に発生する副
生成物による汚損を防止することができる。Further, although the ion source gas is supplied to the main discharge chamber 2 through the trigger plasma chamber 21 in the above-mentioned embodiment, the ion source gas is directly supplied to the main discharge chamber and the ion source gas is supplied to the trigger plasma chamber. A gas different from that may be supplied to generate a trigger plasma and an electron beam, for example, hydrogen as a trigger plasma generation gas,
By using nitrogen, helium, or the like, contamination by a by-product generated in the trigger plasma chamber when an ion source gas is used can be prevented.
【００２１】[0021]
【発明の効果】本発明は、以上説明したように構成した
ので、トリガー電極と主放電室間にトリガー電源を接続
すると共に、トリガープラズマ室と主放電室間に抵抗器
を接続することにより、トリガー電極とトリガープラズ
マ室との間に直流放電を生じさせるための直流電圧を与
え、そして、直流放電によるプラズマ分の電流がトリガ
ー電源から抵抗器を介して流れることから、抵抗器の端
子電圧によって自動的に、トリガープラズマ中の電子を
主放電室に入射させるために同室に対してトリガープラ
ズマに負電位を与えることができ、トリガープラズマ室
に係る高電位部に設ける直流電源としては単一のトリガ
ー電源だけで済み、簡素化された電路構成の下で、主放
電室内が１×１０-4Torr台の低ガス圧下にあっても、電
子ビームを入射することにより、スムーズに高周波放電
させ、主プラズマを点灯させることができる。Since the present invention is configured as described above, by connecting the trigger power source between the trigger electrode and the main discharge chamber and connecting the resistor between the trigger plasma chamber and the main discharge chamber, A direct current voltage is generated between the trigger electrode and the trigger plasma chamber to generate a direct current discharge, and the plasma component current due to the direct current discharge flows from the trigger power supply through the resistor. In order to make electrons in the trigger plasma enter the main discharge chamber automatically, a negative potential can be applied to the trigger plasma in the same chamber. Only the trigger power supply is needed, and the electron beam is injected even if the main discharge chamber is under a low gas pressure of 1 × 10 -4 Torr under the simplified electric circuit configuration. As a result, the high-frequency discharge can be smoothly performed and the main plasma can be turned on.
【図１】本発明の実施例の構成図である。FIG. 1 is a configuration diagram of an embodiment of the present invention.
【図２】従来技術の一例の構成図である。FIG. 2 is a configuration diagram of an example of a conventional technique.
【符号の説明】 1 高周波イオン源 2 主放電室 3 筒状容器部 5 高周波フランジ部 13 イオン源ガス供給ライン 16 高周波電源 21 トリガープラズマ室 22,23 電子射出孔 24 トリガー電極 25 トリガー電源 26 抵抗器[Explanation of symbols] 1 High-frequency ion source 2 Main discharge chamber 3 Cylindrical container 5 High-frequency flange 13 Ion source gas supply line 16 High-frequency power supply 21 Trigger plasma chamber 22,23 Electron injection hole 24 Trigger electrode 25 Trigger power supply 26 Resistor
Claims (1)
室内に高周波放電によりプラズマを点灯させる装置であ
って、前記主放電室に電気的に絶縁して設けられたトリ
ガープラズマ室と、このトリガープラズマ室に電気的に
絶縁して設けられたトリガー電極と、このトリガー電極
と前記主放電室間に接続されたトリガー電源と、前記ト
リガープラズマ室と前記主放電室間に接続された抵抗器
とを備え、前記トリガー電極とトリガープラズマ室との
間に前記抵抗器を介して直流電圧を印加することにより
トリガープラズマ室にトリガープラズマを生成すると共
に、前記抵抗器の端子電圧により主放電室に対してトリ
ガープラズマに負電位を与えてトリガープラズマ中の電
子を前記主放電室に入射させることを特徴とするプラズ
マの点灯装置。1. A device for lighting plasma in a main discharge chamber by high-frequency discharge under a low gas pressure of 1 × 10 −4 Torr, the trigger plasma chamber being electrically insulated from the main discharge chamber. A trigger electrode electrically insulated from the trigger plasma chamber, a trigger power source connected between the trigger electrode and the main discharge chamber, and a trigger electrode connected between the trigger plasma chamber and the main discharge chamber. And a trigger plasma is generated in the trigger plasma chamber by applying a DC voltage between the trigger electrode and the trigger plasma chamber through the resistor, and a main voltage is generated by the terminal voltage of the resistor. A plasma lighting device, characterized in that a negative potential is applied to a trigger plasma with respect to a discharge chamber to cause electrons in the trigger plasma to enter the main discharge chamber.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4291990A JP2671730B2 (en) | 1992-10-07 | 1992-10-07 | Plasma lighting device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4291990A JP2671730B2 (en) | 1992-10-07 | 1992-10-07 | Plasma lighting device |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06119897A JPH06119897A (en) | 1994-04-28 |
| JP2671730B2 true JP2671730B2 (en) | 1997-10-29 |
Family
ID=17776094
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4291990A Expired - Fee Related JP2671730B2 (en) | 1992-10-07 | 1992-10-07 | Plasma lighting device |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2671730B2 (en) |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61126739A (en) * | 1984-11-22 | 1986-06-14 | Toshiba Corp | High frequency ion source |
| JPH0746586B2 (en) * | 1985-10-18 | 1995-05-17 | 株式会社日立製作所 | Ion source |
| JPH01207654A (en) * | 1988-02-15 | 1989-08-21 | Figaro Eng Inc | Manufacture of gas sensor |
-
1992
- 1992-10-07 JP JP4291990A patent/JP2671730B2/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH06119897A (en) | 1994-04-28 |
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