JP2666789B2 - Method of manufacturing resin-sealed TAB semiconductor device and TAB tape structure - Google Patents
Method of manufacturing resin-sealed TAB semiconductor device and TAB tape structureInfo
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Description
【0001】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は樹脂封止型TAB半
導体装置の製造方法及びTABテープ構造体に関する。The present invention relates to a method of manufacturing a resin-sealed TAB semiconductor device and a TAB tape structure.
【0002】[0002]
【従来の技術】TABテープは、長尺の絶縁性フィルム
の中心線上に複数のデバイスホールを所定間隔あけて配
列形成し、それぞれのデバイスホール上に先端部が突出
する複数の金属箔リードを主面に被着して形成されてい
る。また絶縁性フィルムの両側にTABテープを搬送す
る送り穴を形成している。そしてそれぞれのデバイスホ
ール内に半導体素子を載置し、半導体素子の電極と金属
箔リードの先端部とを圧着している。2. Description of the Related Art A TAB tape is formed by arranging a plurality of device holes at predetermined intervals on a center line of a long insulating film, and a plurality of metal foil leads each having a protruding tip portion on each device hole. It is formed so as to adhere to the surface. Further, feed holes for transporting the TAB tape are formed on both sides of the insulating film. The semiconductor element is placed in each device hole, and the electrode of the semiconductor element and the tip of the metal foil lead are pressed.
【0003】このようなTABテープは長尺の絶縁性フ
ィルムが柔らかく変形しやすいから、樹脂封止金型の位
置決めピンに絶縁性フィルムの位置決め穴がうまく挿入
できず、また個々の半導体装置(IC)のピッチ間の精
度が出ないために搬送、収納、製造処理を含む連続作業
に支障を生じる。一方、実開昭63−136335号に
は長尺の絶縁性フィルム上の金属箔リードを保護するた
めに、絶縁性の補助テープをTABの上記絶縁性フィル
ムの表面もしくは裏面に貼付ける技術が開示されてい
る。しかしながらこのような構成を用いても、柔い絶縁
性フィルム・テープの組み合わせであるから、熱収縮等
によって全体が変形して上記作業や搬送等において問題
が生じることに変りがない。In such a TAB tape, since a long insulating film is soft and easily deformed, a positioning hole of the insulating film cannot be inserted into a positioning pin of a resin-sealing mold, and individual semiconductor devices (ICs) cannot be used. Since the accuracy between the pitches of (1) and (2) is not obtained, continuous work including transport, storage, and manufacturing processing is hindered. On the other hand, Japanese Utility Model Application Laid-Open No. 63-136335 discloses a technique for attaching an insulating auxiliary tape to the front or back surface of the insulating film of TAB to protect the metal foil leads on the long insulating film. Have been. However, even if such a configuration is used, since it is a combination of a soft insulating film and a tape, the entire structure is deformed due to heat shrinkage or the like, and a problem occurs in the above-described operation and transport.
【0004】そこで上記問題を生じる品種の半導体装置
の場合は、長尺の絶縁性フィルムのそれぞれのデバイス
ホールの周辺上に金属箔リード群を形成した後、個々の
デバイスホール単位、すなわち個々の半導体装置単位に
長尺の絶縁性フィルムを切断し、このTABテープ単体
ごとに搬送や樹脂封止作業を行なっていた。これは絶縁
フィルムを長尺にすることによる上記問題を回避するた
めである。Therefore, in the case of a semiconductor device of a kind that causes the above problem, a metal foil lead group is formed around each device hole of a long insulating film, and then each device hole, that is, each semiconductor device is formed. A long insulating film was cut for each device, and transport and resin sealing were performed for each TAB tape alone. This is to avoid the above-mentioned problem caused by making the insulating film long.
【0005】図7はこのTABテープ単体10を示す図
であり、(A)は平面図、(B)は(A)のA−A部の
断面図である。FIGS. 7A and 7B are diagrams showing the TAB tape unit 10, in which FIG. 7A is a plan view, and FIG. 7B is a cross-sectional view taken along the line AA in FIG.
【0006】厚さ20〜50μmのカプトン等による長
尺の絶縁性フィルムを切断した絶縁性フィルム個片30
の中央に四角形状のデバイスホール35が形成され、そ
の4辺にそれぞれ対向して長方形状の開孔34が形成さ
れ、さらに両端に絶縁性フィルム送り穴(スプロケット
ホール)32が形成され、対称に一対の絶縁性フィルム
位置決め穴31が形成され、絶縁性フィルム品種識別穴
32が形成されている。そして4辺のそれぞれから複数
の金属箔リード20がデバイスホール35上に突出して
形成されている。この金属箔リード20は内部リード2
2、内部リードのデバイスホール35上へ突出する先端
部21、外部リード23および測定端子部24から構成
され、デバイスホール35と開孔34間の絶縁性フィル
ムのリング部30Aおよび開孔34の外側の絶縁性フィ
ルムの箇所の面に絶縁性の接着剤36により接着されて
いる。An insulating film piece 30 obtained by cutting a long insulating film of Kapton or the like having a thickness of 20 to 50 μm.
A rectangular device hole 35 is formed at the center of the device, a rectangular opening 34 is formed on each of four sides thereof, and an insulating film feed hole (sprocket hole) 32 is formed at both ends. A pair of insulating film positioning holes 31 are formed, and an insulating film type identification hole 32 is formed. A plurality of metal foil leads 20 are formed so as to protrude above the device holes 35 from each of the four sides. This metal foil lead 20 is the inner lead 2
2. An end portion 21 of the internal lead projecting above the device hole 35, an external lead 23, and a measuring terminal portion 24. The insulating film ring portion 30A between the device hole 35 and the opening 34 and the outside of the opening 34. Is bonded to the surface of the insulating film with an insulating adhesive 36.
【0007】図8は、図7のTABテープ単体10の状
態でデバイスホール35内に半導体素子41を載置し、
そのバンプ電極42と金属箔リード20の先端部21と
をギャングボンディングし、測定端子部24で電気的測
定を行い、樹脂43で封止を行なった後、開孔34上の
外部リード23の箇所および絶縁性フィルムの支持部3
0Bの箇所を切断することによりTABテープ単体10
から切り離されたTAB型半導体装置の状態を示す断面
図である。尚、封入時の樹脂流れ止めとなっているソル
ダーレジストは図示を省略してある。FIG. 8 shows a state in which the TAB tape unit 10 shown in FIG.
The bump electrode 42 is gang-bonded to the tip 21 of the metal foil lead 20, an electrical measurement is performed at the measuring terminal 24, and the resin 43 is sealed. And insulating film support 3
By cutting the portion of 0B, the TAB tape alone 10
FIG. 4 is a cross-sectional view showing a state of the TAB type semiconductor device separated from the semiconductor device. The illustration of the solder resist for preventing the resin from flowing at the time of sealing is omitted.
【0008】[0008]
【発明が解決しようとする課題】このように従来技術で
は送り穴33を用いて長尺の絶縁性フィルムに所定の送
り動作を与えて絶縁性フィルムのそれぞれのデバイスホ
ールの周辺上に金属箔リード群を形成した後、個々のデ
バイスホール単位、すなわち個々の半導体装置単位に長
尺の絶縁性フィルムを切断してTABテープ単体10の
状態にする。したがってその後のボンディング装置や樹
脂封止装置への送りやこれら装置へのセットアップ動作
は作業者が一個一個のTABテープ単体10をピンセッ
トで把持して行なっており、このために全自動封入機等
の自動製造設備に対応できず作業性が低下したものとな
っていた。As described above, in the prior art, a predetermined feeding operation is applied to a long insulating film by using the perforation holes 33, so that the metal foil leads are provided on the periphery of each device hole of the insulating film. After the group is formed, a long insulating film is cut into individual device holes, that is, individual semiconductor device units, and the TAB tape unit 10 is formed. Therefore, the subsequent feeding to the bonding device or the resin sealing device and the set-up operation to these devices are performed by the operator holding the individual TAB tape unit 10 with tweezers. It could not cope with the automatic manufacturing equipment and the workability was reduced.
【0009】したがって本発明の目的は、テープの変形
を伴なうことなく複数単位の半導体装置中間製品を同時
に搬送および製造装置への正確なセットアップを可能に
し、もって製造作業性を向上させることができる樹脂封
止型TAB半導体装置の製造方法及びTABテープ構造
体を提供することである。Accordingly, an object of the present invention is to enable simultaneous transfer of a plurality of intermediate semiconductor device products and accurate setup to a manufacturing apparatus without deforming the tape, thereby improving manufacturing workability. It is an object of the present invention to provide a method of manufacturing a resin-sealed TAB semiconductor device and a TAB tape structure.
【0010】[0010]
【課題を解決するための手段】本発明の特徴は、位置決
め穴および一方向に配列する複数の開口部を形成した金
属枠板を用意する工程と、絶縁性フィルム個片の中央に
デバイスホールを形成し、該デバイスホール上に先端部
が突出する複数の金属箔リードを該絶縁性フィルム個片
の主面上に設けたTABテープ単体を複数個用意する工
程と、前記金属枠板のそれぞれの前記開口部の周辺外部
に前記絶縁性フィルム個片の周辺部を接着することによ
り前記開口部内に前記TABテープ単体をそれぞれ露出
させる工程と、それぞれの前記デバイスホール内に半導
体素子を載置し、該半導体素子の複数の電極と前記金属
箔リードの先端部とをそれぞれ接続する工程と、前記半
導体素子を樹脂封止した後、前記金属箔リードの外部リ
ードの部分を切断することにより、複数の樹脂封止型T
AB半導体装置を1個の前記金属枠板から切り離す工程
とを有する樹脂封止型TAB半導体装置の製造方法にあ
る。A feature of the present invention is a step of preparing a metal frame plate in which a positioning hole and a plurality of openings arranged in one direction are formed, and a step of forming a device hole in the center of an insulating film piece. Forming and preparing a plurality of TAB tapes each provided with a plurality of metal foil leads having a tip portion protruding above the device hole on the main surface of the insulating film piece; A step of exposing the TAB tape alone in the opening by bonding a peripheral part of the insulating film piece to the outside of the periphery of the opening, and mounting a semiconductor element in each of the device holes, Connecting each of the plurality of electrodes of the semiconductor element to the tip of the metal foil lead, and cutting the external lead portion of the metal foil lead after sealing the semiconductor element with resin. The Rukoto, a plurality of resin-sealed T
And a step of separating the AB semiconductor device from one metal frame plate.
【0011】本発明の他の特徴は、位置決め穴および一
方向に配列する複数の開口部を形成した金属枠板と、絶
縁性フィルム個片の中央にデバイスホールを形成し、該
デバイスホール上に先端部が突出する複数の金属箔リー
ドを該絶縁性フィルム個片の主面上に設けたTABテー
プ単体の複数個とを具備し、それぞれの前記開口部の周
辺外部に前記絶縁性フィルム個片の周辺部を接着して前
記開口部内に前記TABテープ単体が露出した態様とな
っているTABテープ構造体にある。Another feature of the present invention is that a device hole is formed in the center of a metal frame plate having a positioning hole and a plurality of openings arranged in one direction and an insulating film piece, and the device hole is formed on the device hole. A plurality of TAB tapes each provided with a plurality of metal foil leads having protruding tips on the main surface of the insulating film piece, and the insulating film pieces are provided outside the periphery of each of the openings. In a TAB tape structure in which the TAB tape alone is exposed in the opening by bonding a peripheral portion of the TAB tape.
【0012】上記樹脂封止型TAB半導体装置の製造方
法もしくはTABテープ構造体において、デバイスホー
ル内に露出するアイランドおよびアイランドを支持する
吊りリードを金属枠板に形成してこのアイランド上に半
導体素子を搭載するするような構成することができ、ま
た、金属枠板に搬送用の送り穴を形成することもでき
る。In the above-described method for manufacturing a resin-sealed TAB semiconductor device or a TAB tape structure, an island exposed in a device hole and a suspension lead for supporting the island are formed on a metal frame plate, and a semiconductor element is formed on the island. It can be configured to be mounted, and a feed hole for conveyance can be formed in the metal frame plate.
【0013】[0013]
【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明を説
明する。DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS The present invention will be described below with reference to the drawings.
【0014】図1乃至図3を参照して本発明の実施の形
態を説明する。まず図2は、板厚0.1mm〜0.3m
mのCu合金板もしくはFe合金板による金属枠板50
を示す。この金属枠板には複数個(図では5個)の開口
部55が配列形成され、それぞれの開口部55の中央に
アイランド57が4本の吊りリード58により支持され
て設けられている。このアイランド57および吊りリー
ド58は周囲の金属板と連続的に一体に形成されてい
る。またそれぞれの開口部55の近傍に一対のTABテ
ープ単体接着位置決め穴51が形成されている。An embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. First, FIG. 2 shows a thickness of 0.1 mm to 0.3 m.
metal frame plate 50 made of Cu alloy plate or Fe alloy plate
Is shown. A plurality of (five in the figure) openings 55 are arranged and formed in the metal frame plate, and an island 57 is provided at the center of each opening 55 and supported by four suspension leads 58. The island 57 and the suspension lead 58 are formed continuously and integrally with the surrounding metal plate. Further, a pair of TAB tape single-piece adhesive positioning holes 51 are formed in the vicinity of each opening 55.
【0015】そして金属枠板50全体として、一対の金
属枠板位置決め穴56および金属枠板品種識別穴52が
形成され、さらに両サイドに金属枠板送り穴53が配列
形成されている。A pair of metal frame plate positioning holes 56 and metal frame plate type identification holes 52 are formed on the entire metal frame plate 50, and metal frame plate feed holes 53 are arranged on both sides.
【0016】図1は、図2の金属枠板50のそれぞれの
開口部55を閉塞するように図7のTABテープ単体1
0を接着して得られた本発明の実施の形態のTABテー
プ構造体の一部を拡大して示す図であり、(A)は平面
図、(B)は(A)のA−A部の断面図である。FIG. 1 shows the TAB tape unit 1 of FIG. 7 so as to close the respective openings 55 of the metal frame plate 50 of FIG.
FIG. 2 is an enlarged view showing a part of the TAB tape structure according to the embodiment of the present invention obtained by adhering No. 0, (A) is a plan view, and (B) is an AA part of (A). FIG.
【0017】TABテープ単体10の絶縁性フィルム位
置決め穴31と金属枠板50のTABテープ単体接着位
置決め穴51とを画像認識で合わせて開口部55の周辺
外部と絶縁性フィルム個片30の周辺部とを絶縁ペース
ト等の接着剤37により被着する。The positioning hole 31 of the insulating film of the TAB tape unit 10 and the positioning hole 51 of the TAB tape unit adhesion of the metal frame plate 50 are aligned by image recognition. And an adhesive 37 such as an insulating paste.
【0018】これにより金属枠板50の開口部55内
に、TABテープ単体10のデバイスホール35、デバ
イスホール35上に突出する先端部21を含む内部リー
ド22、外部リード23および測定端子部24から成る
金属箔リード20、4個の長方形状の開孔34、絶縁性
フィルム品種識別穴32およびデバイスホール35と開
孔34間のリング部分30Aを含む絶縁性フィルム30
が露出し、かつ吊りリード58により支持された金属枠
板のアイランド57がデバイスホール35の中央に位置
している。尚、金属枠板50により閉塞される絶縁テー
プ送り穴33は、長尺の絶縁フィルムに金属箔リードや
デバイスホール等を加工しこの長尺の絶縁フィルムを切
断してTABテープ単体10を得るまでの工程に用いた
ものであり、金属枠板50にTABテープ単体10を接
着した後は不要である。Thus, in the opening 55 of the metal frame plate 50, the device lead 35 of the TAB tape 10 alone, the internal lead 22 including the tip 21 protruding above the device hole 35, the external lead 23 and the measuring terminal 24 are connected. Insulating film 30 including metal foil leads 20, four rectangular openings 34, insulating film type identification holes 32, and a ring portion 30A between device holes 35 and openings 34.
Are exposed, and an island 57 of the metal frame plate supported by the suspension lead 58 is located at the center of the device hole 35. In addition, the insulating tape feed hole 33 closed by the metal frame plate 50 is formed by processing metal foil leads and device holes on a long insulating film, cutting the long insulating film to obtain the TAB tape unit 10. After the TAB tape unit 10 is bonded to the metal frame plate 50, it is unnecessary.
【0019】この図1のTABテープ構造体を金属枠板
送り穴53を用いて自動搬送し、金属枠板位置決め穴5
6を用いて画像認識によりボンディング装置に自動位置
合わせを行なって、図3(A)に示すように、アイラン
ド57の一方の主面に絶縁性ペースト等の接着剤38に
より半導体素子41の表面の中央部を固着し、半導体素
子41の周辺部のバンプ電極42と金属箔リード20の
先端部21とを自動のギャングボンディング設備により
接続する。このように金属枠板の一部を構成するアイラ
ンドに半導体素子の表面を固着するから半導体素子から
の熱を効率よく放散させることができる。The TAB tape structure shown in FIG. 1 is automatically conveyed by using a metal frame plate feed hole 53, and a metal frame plate positioning hole 5 is provided.
6 and the bonding device is automatically aligned by image recognition, and as shown in FIG. 3A, one main surface of the island 57 is adhered to the surface of the semiconductor element 41 with an adhesive 38 such as an insulating paste. The central portion is fixed, and the bump electrode 42 at the peripheral portion of the semiconductor element 41 and the tip portion 21 of the metal foil lead 20 are connected by an automatic gang bonding facility. As described above, since the surface of the semiconductor element is fixed to the island constituting a part of the metal frame plate, heat from the semiconductor element can be efficiently dissipated.
【0020】次に、TABテープ構造体を金属枠板送り
穴53を用いて自動搬送し、金属枠板位置決め穴56を
用いて画像認識により試験装置に自動位置合わせを行な
って、測定端子部24に測定探針を当接してそれぞれの
半導体素子およびその金属箔リードの自動電気的試験を
行なう。Next, the TAB tape structure is automatically conveyed using the metal frame plate feed holes 53, and is automatically aligned with the test apparatus by image recognition using the metal frame plate positioning holes 56. Then, an automatic electrical test of each semiconductor element and its metal foil lead is performed by bringing a measurement probe into contact therewith.
【0021】次に、TABテープ構造体を金属枠板送り
穴53を用いて自動搬送し、金属枠板位置決め穴56を
用いて画像認識により封入装置に自動位置合わせを行な
って、封入樹脂43による自動封入を1個のTABテー
プ構造体に設けられている複数(図では5個)の半導体
素子に対して同時に行ない、図3(B)の状態にする。
尚、封入時の樹脂流れ止めとなっているソルダーレジス
トは図示を省略してある。Next, the TAB tape structure is automatically conveyed by using the metal frame plate feed holes 53, and is automatically aligned with the enclosing device by image recognition using the metal frame plate positioning holes 56, and the encapsulating resin 43 is used. Automatic encapsulation is simultaneously performed on a plurality (five in the figure) of semiconductor elements provided in one TAB tape structure, and the state shown in FIG.
The illustration of the solder resist for preventing the resin from flowing at the time of sealing is omitted.
【0022】このように本発明は熱収縮等による変形が
少ない金属枠板を用いて長尺として複数の半導体素子を
同時に封入しているから、例えば同じ数の半導体素子を
同時封入するために長尺の絶縁フィルムを用いて半導体
素子のシフト量が200μm、封入不良発生率が23/
1000(2.3%)となる従来技術と同一製造条件に
おいて、本発明では半導体素子のシフト量が50μmと
抑制され、封入不良発生率を0/1000(0%)にす
ることができる。一方、本発明はTABテープ単体ごと
の処理をしないで長尺の金属枠板に複数のTABテープ
単体を接着して処理しているから、TABテープ単体ご
とに処理をする生産性(指数)を1とすると本発明の場
合は、例えば生産性(指数)が10に向上する。As described above, according to the present invention, since a plurality of semiconductor elements are simultaneously sealed in a long shape using a metal frame plate which is less deformed by heat shrinkage or the like, for example, the same number of semiconductor elements are simultaneously sealed. Using a long insulating film, the shift amount of the semiconductor element is 200 μm, and the encapsulation failure rate is 23 /
Under the same manufacturing conditions as the prior art of 1000 (2.3%), in the present invention, the shift amount of the semiconductor element is suppressed to 50 μm, and the encapsulation failure rate can be reduced to 0/1000 (0%). On the other hand, according to the present invention, since a plurality of TAB tapes are bonded to a long metal frame plate without performing the processing for each TAB tape alone, the productivity (index) for processing each TAB tape alone is improved. If it is 1, in the case of the present invention, for example, the productivity (index) is improved to 10.
【0023】図4はこの樹脂封止の状態を模式的に示す
図である。すなわち複数の半導体素子をTABテープ単
体により結合した金属枠板50の金属板枠位置決め穴5
6と金型側の金型位置決めピン63の平面位置を画像認
識で合わせてから、金属板枠位置決め穴56に金型位置
決めピン63を挿入して固定し、下金型61と上金型6
2とに設けられたキャビティーに樹脂43を注入し凝固
させることにより複数の半導体装置の樹脂封止を同時に
行なう。FIG. 4 is a diagram schematically showing this resin sealing state. That is, a metal plate frame positioning hole 5 of a metal frame plate 50 in which a plurality of semiconductor elements are joined by a single TAB tape.
6 and the plane positions of the mold positioning pins 63 on the mold side are aligned by image recognition, and then the mold positioning pins 63 are inserted and fixed in the metal plate frame positioning holes 56 to fix the lower mold 61 and the upper mold 6.
By injecting and solidifying the resin 43 into the cavities provided in 2 and 3, resin sealing of a plurality of semiconductor devices is performed simultaneously.
【0024】次にこのTABテープ構造体を金属枠板送
り穴53を用いて自動搬送し、金属枠板位置決め穴56
を用いて切断装置に自動位置合わせを行なって、金属枠
板50の開口部55内に露出するTABテープ単体10
(絶縁性フィルム個片30)の開孔34上の外部リード
23の切断箇所23Aおよび絶縁性フィルムの支持部3
0Bの箇所を切断して、図3(C)に示すように、金属
枠板50から切り離されたそれぞれのTAB型半導体装
置を得る。Next, the TAB tape structure is automatically conveyed using the metal frame plate feed holes 53 and the metal frame plate positioning holes 56 are provided.
The TAB tape 10 exposed in the opening 55 of the metal frame plate 50
Cut portion 23A of external lead 23 on opening 34 of (insulating film piece 30) and supporting portion 3 of insulating film
The portion of 0B is cut to obtain each TAB type semiconductor device separated from the metal frame plate 50 as shown in FIG.
【0025】図5は図1のTABテープ構造体の一部を
変更した実施の形態のTABテープ構造体を示す断面図
であり、図6は図5のTABテープ構造体を用いて得ら
れた樹脂封止型TAB半導体装置を示す断面図である。
尚、図5および図6において図1乃至図4と同一もしく
は類似の箇所は同じ符号を付してあるから重複する説明
は省略する。この実施の形態ではデバイスホール35よ
り大きいアイランド57Gを金属枠板50で形成し、T
ABテープ単体10が接着される側とは反対方向に吊リ
ード58を曲げて位置している。したがって図6に示す
ように半導体素子41の裏面全体が導電性ペースト等の
接着剤38により大きいアイランド57G上に搭載され
ている。この実施の形態では大きいアイランドとなるか
ら熱抵抗がより低減し放熱量が大きい半導体装置に用い
ると有利となる。FIG. 5 is a sectional view showing a TAB tape structure according to an embodiment in which a part of the TAB tape structure shown in FIG. 1 is modified, and FIG. 6 is obtained by using the TAB tape structure shown in FIG. It is sectional drawing which shows the resin-sealed TAB semiconductor device.
In FIGS. 5 and 6, the same or similar parts as those in FIGS. 1 to 4 are denoted by the same reference numerals, and the description thereof will not be repeated. In this embodiment, an island 57G larger than the device hole 35 is formed by the metal frame plate 50, and T
The hanging lead 58 is bent in the direction opposite to the side where the AB tape unit 10 is bonded. Therefore, as shown in FIG. 6, the entire back surface of the semiconductor element 41 is mounted on the island 57G larger than the adhesive 38 such as a conductive paste. In this embodiment, since a large island is used, the thermal resistance is further reduced, and it is advantageous to use the semiconductor device in a semiconductor device having a large heat radiation amount.
【0026】[0026]
【発明の効果】以上説明したように本発明では、位置決
め穴を有する金属枠板の一方向に配列する複数の開口部
のそれぞれを閉塞するようにTABテープ単体を接着し
たTABテープ構造体を構成して樹脂封止型TAB半導
体装置を製造する。金属枠板は絶縁性フィルムより剛性
が高いから複数の半導体装置の同時処理のために長尺に
しても変形が小で位置決め穴で正確な位置で製造処理を
することができる。またTABテープ単体ごとに搬送、
製造処理を行なうのではなく、金属枠板に複数のTAB
テープ単体を接着して同時に搬送、製造処理を行なう作
業効率が高いものとなる。さらに上記構成により搬送、
収納、製造処理を含めた全自動の製造が可能となり生産
性が一層向上する。As described above, according to the present invention, a TAB tape structure in which a TAB tape alone is adhered so as to close each of a plurality of openings arranged in one direction of a metal frame plate having a positioning hole is constituted. Then, a resin-sealed TAB semiconductor device is manufactured. Since the metal frame plate is higher in rigidity than the insulating film, even if the metal frame plate is long for simultaneous processing of a plurality of semiconductor devices, the deformation is small and the manufacturing process can be performed at an accurate position with the positioning hole. In addition, each TAB tape is transported individually,
Instead of performing the manufacturing process, multiple TABs
The work efficiency in which the single tape is adhered and simultaneously conveyed and manufactured is improved. Further transport by the above configuration,
Fully automatic manufacturing including storage and manufacturing processing becomes possible, and productivity is further improved.
【図1】本発明の実施の形態におけるTABテープ構造
体の一部を示す図であり、(A)は平面図、(B)は
(A)のA−A部の断面図である。FIG. 1 is a view showing a part of a TAB tape structure according to an embodiment of the present invention, wherein (A) is a plan view and (B) is a cross-sectional view of AA section of (A).
【図2】図1のTABテープ構造体に用いる金属枠板の
全体を示す平面図である。FIG. 2 is a plan view showing the entire metal frame plate used for the TAB tape structure of FIG.
【図3】図1のTABテープ構造体を用いた本発明の実
施の形態の樹脂封止型TAB半導体装置の製造方法を示
す断面図である。FIG. 3 is a cross-sectional view showing a method for manufacturing a resin-sealed TAB semiconductor device according to an embodiment of the present invention using the TAB tape structure of FIG. 1;
【図4】図1のTABテープ構造体を用いた樹脂封止工
程を模式的に示す図である。FIG. 4 is a view schematically showing a resin sealing step using the TAB tape structure of FIG. 1;
【図5】図1のTABテープ構造体の一部を変更した実
施の形態のTABテープ構造体を示す断面図である。FIG. 5 is a sectional view showing a TAB tape structure according to an embodiment in which a part of the TAB tape structure shown in FIG. 1 is modified;
【図6】図5のTABテープ構造体を用いて得られた樹
脂封止型TAB半導体装置を示す断面図である。6 is a cross-sectional view showing a resin-sealed TAB semiconductor device obtained by using the TAB tape structure of FIG.
【図7】TABテープ単体を示す図であり、(A)は平
面図、(B)は(A)のA−A部の断面図である。FIGS. 7A and 7B are diagrams showing a TAB tape alone, wherein FIG. 7A is a plan view and FIG.
【図8】従来技術の製造方法により得られた樹脂封止型
TAB半導体装置を示す断面図である。FIG. 8 is a cross-sectional view showing a resin-sealed TAB semiconductor device obtained by a conventional manufacturing method.
10 TABテープ単体 20 金属箔リード 21 内部リードの先端部 22 内部リード 23 外部リード 23A 外部リードの切断箇所 24 測定端子部 30 絶縁性フィルム個片 30A 絶縁性フィルムのリング部 30B 絶縁性フィルムの支持部 31 絶縁性フィルム位置決め穴 32 絶縁性フィルム品種識別穴 33 絶縁性フィルム送り穴 34 開孔 35 デバイスホール 36,37,38 接着剤 41 半導体素子 42 バンプ電極 43 樹脂 50 金属枠板 51 TABテープ単体接着位置決め穴 52 金属枠板品種識別穴 53 金属枠板送り穴 55 開口部 56 金属枠板位置決め穴 57,57G アイランド 58 吊りリード 61 下金型 62 上金型 63 金型位置決めピン Reference Signs List 10 TAB tape alone 20 Metal foil lead 21 Tip of internal lead 22 Internal lead 23 External lead 23A Cut part of external lead 24 Measurement terminal part 30 Piece of insulating film 30A Ring part of insulating film 30B Support part of insulating film REFERENCE SIGNS LIST 31 insulating film positioning hole 32 insulating film type identification hole 33 insulating film feed hole 34 opening 35 device hole 36, 37, 38 adhesive 41 semiconductor element 42 bump electrode 43 resin 50 metal frame plate 51 TAB tape unit adhesive positioning Hole 52 Metal frame plate type identification hole 53 Metal frame plate feed hole 55 Opening 56 Metal frame plate positioning hole 57, 57G Island 58 Suspension lead 61 Lower die 62 Upper die 63 Mold positioning pin
Claims (6)
の開口部を形成した金属枠板を用意する工程と、絶縁性
フィルム個片の中央にデバイスホールを形成し、該デバ
イスホール上に先端部が突出する複数の金属箔リードを
該絶縁性フィルム個片の主面上に設けたTABテープ単
体を複数個用意する工程と、前記金属枠板のそれぞれの
前記開口部の周辺外部に前記絶縁性フィルム個片の周辺
部を接着することにより前記開口部内に前記TABテー
プ単体をそれぞれ露出させる工程と、それぞれの前記デ
バイスホール内に半導体素子を載置し、該半導体素子の
複数の電極と前記金属箔リードの先端部とをそれぞれ接
続する工程と、前記半導体素子を樹脂封止した後、前記
金属箔リードの外部リードの部分を切断することによ
り、複数の樹脂封止型TAB半導体装置を1個の前記金
属枠板から切り離す工程とを有することを特徴とする樹
脂封止型TAB半導体装置の製造方法。1. A step of preparing a metal frame plate having a positioning hole and a plurality of openings arranged in one direction, forming a device hole in the center of an insulating film piece, and forming a tip portion on the device hole. Providing a plurality of single TAB tapes each having a plurality of metal foil leads projecting from the main surface of the insulating film piece; and providing the insulating film outside the periphery of each opening of the metal frame plate. A step of exposing the TAB tape alone in the opening by bonding a peripheral portion of a film piece, and mounting a semiconductor element in each of the device holes, a plurality of electrodes of the semiconductor element and the metal Connecting the tip of the foil lead with each other, and sealing the semiconductor element with a resin, and then cutting the external lead portion of the metal foil lead to form a plurality of resin-sealed molds. Separating the TAB semiconductor device from one of the metal frame plates.
ンドおよび該アイランドを支持する吊りリードが前記金
属枠板に形成され、前記アイランド上に前記半導体素子
を搭載することを特徴とする請求項1記載の樹脂封止型
TAB半導体装置の製造方法。2. The semiconductor device according to claim 1, wherein an island exposed in the device hole and a suspension lead supporting the island are formed on the metal frame plate, and the semiconductor element is mounted on the island. A method for manufacturing a resin-sealed TAB semiconductor device.
り穴が形成されていることを特徴とする請求項1記載の
樹脂封止型TAB半導体装置の製造方法。3. The method of manufacturing a resin-sealed type TAB semiconductor device according to claim 1, wherein a feed hole for conveying the metal frame plate is formed in the metal frame plate.
の開口部を形成した金属枠板と、絶縁性フィルム個片の
中央にデバイスホールを形成し、該デバイスホール上に
先端部が突出する複数の金属箔リードを該絶縁性フィル
ム個片の主面上に設けたTABテープ単体の複数個とを
具備し、それぞれの前記開口部の周辺外部に前記絶縁性
フィルム個片の周辺部を接着して前記開口部内に前記T
ABテープ単体が露出した態様となっていることを特徴
とするTABテープ構造体。4. A metal frame plate having a positioning hole and a plurality of openings arranged in one direction, a plurality of device holes formed at the center of an insulating film piece, and a tip protruding above the device hole. A plurality of TAB tapes each having the metal foil lead provided on the main surface of the insulating film piece, and bonding the peripheral part of the insulating film piece to the outside of the periphery of each of the openings. The T
A TAB tape structure, wherein a single AB tape is exposed.
ンドおよび該アイランドを支持する吊りリードが前記金
属枠板に形成されていることを特徴とする請求項4記載
のTABテープ構造体。5. The TAB tape structure according to claim 4, wherein an island exposed in the device hole and a suspension lead for supporting the island are formed on the metal frame plate.
り穴が形成されていることを特徴とする請求項4記載の
TABテープ構造体。6. The TAB tape structure according to claim 4, wherein a feed hole for conveying the metal frame plate is formed in the metal frame plate.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP7282957A JP2666789B2 (en) | 1995-10-31 | 1995-10-31 | Method of manufacturing resin-sealed TAB semiconductor device and TAB tape structure |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP7282957A JP2666789B2 (en) | 1995-10-31 | 1995-10-31 | Method of manufacturing resin-sealed TAB semiconductor device and TAB tape structure |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH09129685A JPH09129685A (en) | 1997-05-16 |
JP2666789B2 true JP2666789B2 (en) | 1997-10-22 |
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ID=17659321
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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JP7282957A Expired - Lifetime JP2666789B2 (en) | 1995-10-31 | 1995-10-31 | Method of manufacturing resin-sealed TAB semiconductor device and TAB tape structure |
Country Status (1)
Country | Link |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JP3301985B2 (en) * | 1998-10-07 | 2002-07-15 | 新光電気工業株式会社 | Method for manufacturing semiconductor device |
-
1995
- 1995-10-31 JP JP7282957A patent/JP2666789B2/en not_active Expired - Lifetime
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Publication number | Publication date |
---|---|
JPH09129685A (en) | 1997-05-16 |
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