JP2641594B2 - メッキ装置 - Google Patents
メッキ装置Info
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- JP2641594B2 JP2641594B2 JP10085590A JP10085590A JP2641594B2 JP 2641594 B2 JP2641594 B2 JP 2641594B2 JP 10085590 A JP10085590 A JP 10085590A JP 10085590 A JP10085590 A JP 10085590A JP 2641594 B2 JP2641594 B2 JP 2641594B2
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- Japan
- Prior art keywords
- plating
- tank
- plating solution
- child
- partition plate
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- Electroplating Methods And Accessories (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は、半導体ウエハプロセスのメタライズに用
いるメッキを形成する装置に関するものである。
いるメッキを形成する装置に関するものである。
第３図は、従来のメッキ装置およびそのタンクを示す
模式図で、図において、１はメッキ液を貯蔵するタン
ク、２はメッキ液の温度を一定に保つためのヒーター、
３はメッキ液を循環するためのポンプ、４はメッキ液中
のパーティクルを除去するためのフィルタ、５はその内
部にメッキ液を噴流させるためのメッキカップで、６は
被メッキ物に電流を供給するためのカソード、７は同じ
くアノード、８は被メッキ物である半導体ウエハで、９
はメッキ液、10はオーバーフロー槽である。
模式図で、図において、１はメッキ液を貯蔵するタン
ク、２はメッキ液の温度を一定に保つためのヒーター、
３はメッキ液を循環するためのポンプ、４はメッキ液中
のパーティクルを除去するためのフィルタ、５はその内
部にメッキ液を噴流させるためのメッキカップで、６は
被メッキ物に電流を供給するためのカソード、７は同じ
くアノード、８は被メッキ物である半導体ウエハで、９
はメッキ液、10はオーバーフロー槽である。
第３図ではメッキカップが１個の場合を示している
が、実際には複数個ある場合が多い。
が、実際には複数個ある場合が多い。
次に動作について説明する。
この装置を用いてメッキを行なう際には、ヒーター２
によりメッキ液の温度を50〜100℃に保ちながらポンプ
３により各カップ内に循環させてカソード6,アノード７
間に電流を供給することによって半導体ウエハ上にメッ
キを施す。
によりメッキ液の温度を50〜100℃に保ちながらポンプ
３により各カップ内に循環させてカソード6,アノード７
間に電流を供給することによって半導体ウエハ上にメッ
キを施す。
このときの電流波形には例えば第４図のような波形を
用いる。第４図（ａ）はDC法、同図（ｂ）はパルス法、
同図（ｃ）はPR（periodical reverse）法である。
用いる。第４図（ａ）はDC法、同図（ｂ）はパルス法、
同図（ｃ）はPR（periodical reverse）法である。
ところで、メッキ液は電解質であるため、電気を通し
やすい性質をもつ。第３図においては、複数のメッキカ
ップを用いて同時にメッキを行うときに、メッキ液は各
カップ間を循環して同じタンクに戻ってくるために、こ
のメッキ液を介して電流パスが生じる。そのため意図し
ないメッキが形成されて、これがメッキ厚みのばらつき
や異常メッキの大きな原因となっている。
やすい性質をもつ。第３図においては、複数のメッキカ
ップを用いて同時にメッキを行うときに、メッキ液は各
カップ間を循環して同じタンクに戻ってくるために、こ
のメッキ液を介して電流パスが生じる。そのため意図し
ないメッキが形成されて、これがメッキ厚みのばらつき
や異常メッキの大きな原因となっている。
この発明は上記のような問題点を解消するためになさ
れたもので、メッキ厚みのばらつきや異常メッキが発生
しにくく、微細配線形成用の精密メッキが可能なメッキ
装置を得ることを目的とする。
れたもので、メッキ厚みのばらつきや異常メッキが発生
しにくく、微細配線形成用の精密メッキが可能なメッキ
装置を得ることを目的とする。
この発明に係るメッキ装置は、メッキ液を導入する導
入管、この導入管により導入されたメッキ液に浸された
被メッキ物に電流を供給するカソードとアノード、及び
メッキ液を排出する排出管を有する複数のメッキ槽と、
順次高さが低くなる仕切板によってタンク内部に形成さ
れた複数の子タンク、及びメッキ中断時にこの子タンク
の下流側から最上流の子タンクに向けてメッキ液を還流
する還流手段を有し、メッキ液が上記仕切板をオーバー
フローした時に階段状のメッキ液の流れが可能となるメ
ッキ液タンクと、このメッキ液タンクの子タンクとこの
子タンクに対応するメッキ槽の前記導入管，排出管とを
それぞれ接続する配管を有し、メッキ形成時にこの配管
を介してメッキ液を循環させる循環手段とを備えるよう
にしたものである。
入管、この導入管により導入されたメッキ液に浸された
被メッキ物に電流を供給するカソードとアノード、及び
メッキ液を排出する排出管を有する複数のメッキ槽と、
順次高さが低くなる仕切板によってタンク内部に形成さ
れた複数の子タンク、及びメッキ中断時にこの子タンク
の下流側から最上流の子タンクに向けてメッキ液を還流
する還流手段を有し、メッキ液が上記仕切板をオーバー
フローした時に階段状のメッキ液の流れが可能となるメ
ッキ液タンクと、このメッキ液タンクの子タンクとこの
子タンクに対応するメッキ槽の前記導入管，排出管とを
それぞれ接続する配管を有し、メッキ形成時にこの配管
を介してメッキ液を循環させる循環手段とを備えるよう
にしたものである。
この発明においては、上述のように構成したことによ
り、メッキ液タンク内の各子タンクは仕切板により仕切
られているので、メッキ液を介して流れる電流成分は発
生しない。また、メッキ中断時には子タンクの下流側か
ら最上流の子タンクに向けてメッキ液が還流し、メッキ
液が子タンクを階段状に流れるので、メッキ液の組成は
各子タンク間において均一に保たれる。さらに、メッキ
液タンクの子タンクとこの子タンクに対応するメッキ槽
とをそれぞれ配管によって接続し、メッキ形成時にこの
配管を介してメッキ液を循環させるので、各子タンク内
でのメッキ液の組成は均一に保たれる。
り、メッキ液タンク内の各子タンクは仕切板により仕切
られているので、メッキ液を介して流れる電流成分は発
生しない。また、メッキ中断時には子タンクの下流側か
ら最上流の子タンクに向けてメッキ液が還流し、メッキ
液が子タンクを階段状に流れるので、メッキ液の組成は
各子タンク間において均一に保たれる。さらに、メッキ
液タンクの子タンクとこの子タンクに対応するメッキ槽
とをそれぞれ配管によって接続し、メッキ形成時にこの
配管を介してメッキ液を循環させるので、各子タンク内
でのメッキ液の組成は均一に保たれる。
以下、この発明の一実施例を図について説明する。第
１図は本発明の一実施例によるメッキ装置のタンクを示
し、同図（ａ）において、１はタンク、13はタンク内に
設けられた第１の仕切板で、端から順番に低くなるよう
に形成されている。２は第１の仕切板で区切られた各子
タンクの内部に設けられたヒーターで、メッキ液の温度
を一定に保つ役目を持つ。14は第１の仕切板で区切られ
た各子タンク内部に設けられた第２の仕切板で、隣から
オーバーフローしたメッキ液を一旦下部へ導く役目をも
つ。15は第１の仕切板により区切られた各子タンクの内
部に設けられた第３の仕切板で、隣からオーバーフロー
してきたメッキ液を下部から上部へ均一に流れるように
する役目を持つ。また、11aと12aはバルブ、3aはポンプ
で、メッキ中断時にメッキ液を子タンクの下流側から最
上流の子タンクに還流し、メッキ液を子タンク間で循環
させる役目をもつ。4aはフィルターである。３はポンプ
で、メッキ液をカップ間で循環する役目をもつ。11と12
はバルブで、４はフィルターである。16と17はそれぞれ
メッキカップの入口配管と出口配管である。そしてこの
メッキ装置全体としては第２図（ａ）のような構成にな
っている。第１図（ａ）中の配管16と17にはそれぞれ第
２図（ｂ）に示されたメッキカップ（メッキ槽）５の配
管16と17に接続されている。
１図は本発明の一実施例によるメッキ装置のタンクを示
し、同図（ａ）において、１はタンク、13はタンク内に
設けられた第１の仕切板で、端から順番に低くなるよう
に形成されている。２は第１の仕切板で区切られた各子
タンクの内部に設けられたヒーターで、メッキ液の温度
を一定に保つ役目を持つ。14は第１の仕切板で区切られ
た各子タンク内部に設けられた第２の仕切板で、隣から
オーバーフローしたメッキ液を一旦下部へ導く役目をも
つ。15は第１の仕切板により区切られた各子タンクの内
部に設けられた第３の仕切板で、隣からオーバーフロー
してきたメッキ液を下部から上部へ均一に流れるように
する役目を持つ。また、11aと12aはバルブ、3aはポンプ
で、メッキ中断時にメッキ液を子タンクの下流側から最
上流の子タンクに還流し、メッキ液を子タンク間で循環
させる役目をもつ。4aはフィルターである。３はポンプ
で、メッキ液をカップ間で循環する役目をもつ。11と12
はバルブで、４はフィルターである。16と17はそれぞれ
メッキカップの入口配管と出口配管である。そしてこの
メッキ装置全体としては第２図（ａ）のような構成にな
っている。第１図（ａ）中の配管16と17にはそれぞれ第
２図（ｂ）に示されたメッキカップ（メッキ槽）５の配
管16と17に接続されている。
次にこの実施例の動作について説明する。
ヒーター２によりメッキ液の温度を50〜100℃に保ち
ながら各カップ内に循環させてカソード，アノード間に
電流を供給することによって半導体ウエハ上にメッキを
施す。このときの電流波形には例えば第４図のような波
形を用いる。第４図（ａ）はDC法、同図（ｂ）はパルス
法、同図（ｃ）はPR（periodical reverse）法である。
ながら各カップ内に循環させてカソード，アノード間に
電流を供給することによって半導体ウエハ上にメッキを
施す。このときの電流波形には例えば第４図のような波
形を用いる。第４図（ａ）はDC法、同図（ｂ）はパルス
法、同図（ｃ）はPR（periodical reverse）法である。
ここで、メッキ液はバルブ11aと12aで遮断され、さら
にカップ側に循環しているため対応するタンク内の液面
は第１図（ｂ）に示すようにそれぞれの配管とカップの
体積分だけ低下する。従って、第１の仕切板で区切られ
た各子タンク間のメッキ液を介して流れる電流成分は発
生しない。
にカップ側に循環しているため対応するタンク内の液面
は第１図（ｂ）に示すようにそれぞれの配管とカップの
体積分だけ低下する。従って、第１の仕切板で区切られ
た各子タンク間のメッキ液を介して流れる電流成分は発
生しない。
メッキ形成をしないときは、各子タンク内のメッキ液
組成を均一化するためにバルブ11aと12aが開いてポンプ
3aにより各子タンク間で循環させる。このときメッキ液
はポンプ3aによりバルブ11a側から吸引されバルブ12a側
へ送り出された後、第１の仕切板13からオーバーフロー
して隣のタンクに流出する。そして第２の仕切板14によ
り下部へ流れ、第３の仕切板15によって上部に流れ出
す。このようにして順番に隣の子タンク内に階段状に流
れ込むことにより、メッキ液の組成が均一になる。
組成を均一化するためにバルブ11aと12aが開いてポンプ
3aにより各子タンク間で循環させる。このときメッキ液
はポンプ3aによりバルブ11a側から吸引されバルブ12a側
へ送り出された後、第１の仕切板13からオーバーフロー
して隣のタンクに流出する。そして第２の仕切板14によ
り下部へ流れ、第３の仕切板15によって上部に流れ出
す。このようにして順番に隣の子タンク内に階段状に流
れ込むことにより、メッキ液の組成が均一になる。
なお、上記実施例ではメッキの場合において説明した
が、エッチングの場合にも応用可能であり、上記実施例
と同様の効果を奏する。
が、エッチングの場合にも応用可能であり、上記実施例
と同様の効果を奏する。
〔発明の効果〕 以上のように、この発明に係るメッキ装置によれば、
メッキ液を導入する導入管、この導入管により導入され
たメッキ液に浸された被メッキ物に電流を供給するカソ
ードとアノード、及びメッキ液を排出する排出管を有す
る複数のメッキ槽と、順次高さが低くなる仕切板によっ
てタンク内部に形成された複数の子タンク、及びメッキ
中断時にこの子タンクの下流側から最上流の子タンクに
向けてメッキ液を還流する還流手段を有し、メッキ液が
上記仕切板をオーバーフローした時に階段状のメッキ液
の流れが可能となるメッキ液タンクと、このメッキ液タ
ンクの子タンクとこの子タンクに対応するメッキ槽の前
記導入管，排出管とをそれぞれ接続する配管を有し、メ
ッキ形成時にこの配管を介してメッキ液を循環させる循
環手段とを備えるようにしたので、メッキ液を介して流
れる電流成分は発生しない。従ってメッキ厚みのバラツ
キや異常メッキの発生が大幅に減少する。さらにメッキ
液の組成も均一に保たれるので、メンテナンス性も良い
ものが得られる効果がある。
メッキ液を導入する導入管、この導入管により導入され
たメッキ液に浸された被メッキ物に電流を供給するカソ
ードとアノード、及びメッキ液を排出する排出管を有す
る複数のメッキ槽と、順次高さが低くなる仕切板によっ
てタンク内部に形成された複数の子タンク、及びメッキ
中断時にこの子タンクの下流側から最上流の子タンクに
向けてメッキ液を還流する還流手段を有し、メッキ液が
上記仕切板をオーバーフローした時に階段状のメッキ液
の流れが可能となるメッキ液タンクと、このメッキ液タ
ンクの子タンクとこの子タンクに対応するメッキ槽の前
記導入管，排出管とをそれぞれ接続する配管を有し、メ
ッキ形成時にこの配管を介してメッキ液を循環させる循
環手段とを備えるようにしたので、メッキ液を介して流
れる電流成分は発生しない。従ってメッキ厚みのバラツ
キや異常メッキの発生が大幅に減少する。さらにメッキ
液の組成も均一に保たれるので、メンテナンス性も良い
ものが得られる効果がある。
【図面の簡単な説明】 第１図はこの発明の一実施例によるメッキ装置のタンク
の模式断面図で、第１図（ａ）はタンク内でメッキ液を
循環している状態を示す図、第１図（ｂ）はメッキカッ
プ側で循環してメッキを形成している状態を示す図、第
２図は第１図の実施例のタンクを含むメッキ装置を示す
図で、第２図（ａ）はその全体図、第２図（ｂ）はメッ
キカップ部の断面図である。第３図は従来のメッキ装置
の全体図である。第４図はメッキカップに供給する電流
波形を示した図で、第４図（ａ）はDC法を示す図、第４
図（ｂ）はパルス法を示す図、第４図（ｃ）はPR（peri
odical reverse）法を示す図である。 図において、１はタンク、２はヒーター、３と3aはポン
プ、４と4aはフィルター、５はメッキカップ、６はカソ
ード、７はアノード、８は半導体ウエハ、９はメッキ
液、10はオーバーフロー槽、11と11aは出口バルブ、12
と12aはバルブ、13は第１の仕切板、14は第２の仕切
板、15は第３の仕切板、16はカップ入口配管、17はカッ
プ出口配管である。 なお図中同一符号は同一又は相当部分を示す。
の模式断面図で、第１図（ａ）はタンク内でメッキ液を
循環している状態を示す図、第１図（ｂ）はメッキカッ
プ側で循環してメッキを形成している状態を示す図、第
２図は第１図の実施例のタンクを含むメッキ装置を示す
図で、第２図（ａ）はその全体図、第２図（ｂ）はメッ
キカップ部の断面図である。第３図は従来のメッキ装置
の全体図である。第４図はメッキカップに供給する電流
波形を示した図で、第４図（ａ）はDC法を示す図、第４
図（ｂ）はパルス法を示す図、第４図（ｃ）はPR（peri
odical reverse）法を示す図である。 図において、１はタンク、２はヒーター、３と3aはポン
プ、４と4aはフィルター、５はメッキカップ、６はカソ
ード、７はアノード、８は半導体ウエハ、９はメッキ
液、10はオーバーフロー槽、11と11aは出口バルブ、12
と12aはバルブ、13は第１の仕切板、14は第２の仕切
板、15は第３の仕切板、16はカップ入口配管、17はカッ
プ出口配管である。 なお図中同一符号は同一又は相当部分を示す。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｃ２５Ｄ 21/10 ３０１ Ｃ２５Ｄ 21/10 ３０１
Claims (1)
- 【請求項１】メッキ液を導入する導入管、この導入管に
より導入されたメッキ液に浸された被メッキ物に電流を
供給するカソードとアノード、及びメッキ液を排出する
排出管を有する複数のメッキ槽と、 順次高さが低くなる仕切板によってタンク内部に形成さ
れた複数の子タンク、及びメッキ中断時にこの子タンク
の下流側から最上流の子タンクに向けてメッキ液を還流
する還流手段を有し、メッキ液が上記仕切板をオーバー
フローした時に階段状のメッキ液の流れが可能となるメ
ッキ液タンクと、 このメッキ液タンクの子タンクとこの子タンクに対応す
るメッキ槽の前記導入管，排出管とをそれぞれ接続する
配管を有し、メッキ形成時にこの配管を介してメッキ液
を循環させる循環手段とを備えたことを特徴とするメッ
キ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10085590A JP2641594B2 (ja) | 1990-04-16 | 1990-04-16 | メッキ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10085590A JP2641594B2 (ja) | 1990-04-16 | 1990-04-16 | メッキ装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04395A JPH04395A (ja) | 1992-01-06 |
| JP2641594B2 true JP2641594B2 (ja) | 1997-08-13 |
Family
ID=14284925
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10085590A Expired - Lifetime JP2641594B2 (ja) | 1990-04-16 | 1990-04-16 | メッキ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2641594B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101493857B1 (ko) | 2013-06-17 | 2015-02-16 | 주식회사 포스코 | 용융금속 공급장치 |
| KR102034466B1 (ko) * | 2019-06-20 | 2019-10-21 | 지원석 | 생산성이 향상된 무광 니켈 도금조의 운영방법 |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3308333B2 (ja) * | 1993-03-30 | 2002-07-29 | 三菱電機株式会社 | 電解メッキ装置，及び電解メッキ処理方法 |
| JP5650899B2 (ja) * | 2009-09-08 | 2015-01-07 | 上村工業株式会社 | 電気めっき装置 |
-
1990
- 1990-04-16 JP JP10085590A patent/JP2641594B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101493857B1 (ko) | 2013-06-17 | 2015-02-16 | 주식회사 포스코 | 용융금속 공급장치 |
| KR102034466B1 (ko) * | 2019-06-20 | 2019-10-21 | 지원석 | 생산성이 향상된 무광 니켈 도금조의 운영방법 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH04395A (ja) | 1992-01-06 |
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