JP2525475B2 - 透明導電性積層体 - Google Patents
透明導電性積層体Info
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- JP2525475B2 JP2525475B2 JP1406489A JP1406489A JP2525475B2 JP 2525475 B2 JP2525475 B2 JP 2525475B2 JP 1406489 A JP1406489 A JP 1406489A JP 1406489 A JP1406489 A JP 1406489A JP 2525475 B2 JP2525475 B2 JP 2525475B2
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- indium oxide
- transparent conductive
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Description
【発明の詳細な説明】 ［利用分野］ 本発明は導電性積層体に関し、更に詳しくは有機高分
子成型物上に主として結晶質のインジウム酸化物からな
る透明導電層を形成してなる導電性積層体に関する。
子成型物上に主として結晶質のインジウム酸化物からな
る透明導電層を形成してなる導電性積層体に関する。
［従来技術］ 高度情報化社会の到来と共に、光とエレクトロニクス
の両方の特徴を利用した部品、機器の進歩は著しい。ま
たマイクロコンピュータの飛躍的普及にともない、コン
ピュータ周辺機器の革新はめざましい。これらのコンピ
ュータ入力装置としての透明タッチパネルや更に、出力
装置としての液晶ディスプレイ，エレクトロルミネッセ
ンスディスプレイ等には、透明電極が用いられるが、該
目的には、透明電極の耐久性及び信頼性が要求される。
の両方の特徴を利用した部品、機器の進歩は著しい。ま
たマイクロコンピュータの飛躍的普及にともない、コン
ピュータ周辺機器の革新はめざましい。これらのコンピ
ュータ入力装置としての透明タッチパネルや更に、出力
装置としての液晶ディスプレイ，エレクトロルミネッセ
ンスディスプレイ等には、透明電極が用いられるが、該
目的には、透明電極の耐久性及び信頼性が要求される。
透明導電性層としては、金属薄膜（Au,Pd等）タイ
プ，金属酸化物薄膜タイプ（ITO,CTO,SnO2,TiO2等）、
多層薄膜タイプ（TiOx/Ag/TiOx等）等があるが、透明
性，導電性，機械的特性等の基本特性は、金属酸化物薄
膜タイプが優れている。金属酸化物薄膜タイプの中でも
ITO（Indiumu Tin Oxide）膜は、透明性，導電性が特に
優れており、更に電極のパターン化が容易（エッチング
特性が優れている）等の特長を有し、近年注目を浴びて
来た。
プ，金属酸化物薄膜タイプ（ITO,CTO,SnO2,TiO2等）、
多層薄膜タイプ（TiOx/Ag/TiOx等）等があるが、透明
性，導電性，機械的特性等の基本特性は、金属酸化物薄
膜タイプが優れている。金属酸化物薄膜タイプの中でも
ITO（Indiumu Tin Oxide）膜は、透明性，導電性が特に
優れており、更に電極のパターン化が容易（エッチング
特性が優れている）等の特長を有し、近年注目を浴びて
来た。
本発明者らは、既に有機高分子成型物上にインジウム
・スズ低級酸化物膜を形成した後、ITO膜に転化せしめ
る方法を提案して来た（公開特許公報昭53−102881,昭5
3−73397,昭54−8670等）。
・スズ低級酸化物膜を形成した後、ITO膜に転化せしめ
る方法を提案して来た（公開特許公報昭53−102881,昭5
3−73397,昭54−8670等）。
又、真空蒸着法によりインジウム・スズ低級酸化物膜
を形成した後熱酸化を行なうと結晶質のITO膜に転化さ
れることを見出した（表面Vol.18 No.8 pp.440）。とこ
ろで上述の結晶質のITO膜は耐久性に優れているが、真
空蒸着法によりインジウム・スズ低級酸化物膜を形成す
るために工業的にいくつかの問題点がある。例えば、
（１）蒸発源が点状であることから膜厚の均一な範囲が
狭く、広幅なロール状フイルムへの製膜が困難であるこ
と、（２）蒸発材料を連続的に供給するのが困難であ
り、長時間に亘って蒸着を行なうことができないこと、
（３）二成分系の蒸発材料を用いた場合、蒸気圧の違い
から組成ずれを起こす場合があること等である。
を形成した後熱酸化を行なうと結晶質のITO膜に転化さ
れることを見出した（表面Vol.18 No.8 pp.440）。とこ
ろで上述の結晶質のITO膜は耐久性に優れているが、真
空蒸着法によりインジウム・スズ低級酸化物膜を形成す
るために工業的にいくつかの問題点がある。例えば、
（１）蒸発源が点状であることから膜厚の均一な範囲が
狭く、広幅なロール状フイルムへの製膜が困難であるこ
と、（２）蒸発材料を連続的に供給するのが困難であ
り、長時間に亘って蒸着を行なうことができないこと、
（３）二成分系の蒸発材料を用いた場合、蒸気圧の違い
から組成ずれを起こす場合があること等である。
一方、最近の薄膜形成技術の進歩はめざましく、耐熱
性のあまりない有機高分子成型物上に透明導電性層を形
成できる様になった。中でもスパッタリング法は、長時
間に亘って製膜が可能、長時間膜形成を行なっても組成
ずれがない。広幅化が容易等の特長を有し、もっとも利
用されている技術の一つである。そして、上述のITO膜
をスパッタリング法で形成することも知られている。そ
こで、本発明者らも、スパッタリング法で有機高分子成
型物上にITO膜を形成しその実用性を評価した。しか
し、スパッタリング法によりITO膜を形成してなる導電
性積層体は、耐久性及び信頼性が低いという欠点がある
ことがわかった。
性のあまりない有機高分子成型物上に透明導電性層を形
成できる様になった。中でもスパッタリング法は、長時
間に亘って製膜が可能、長時間膜形成を行なっても組成
ずれがない。広幅化が容易等の特長を有し、もっとも利
用されている技術の一つである。そして、上述のITO膜
をスパッタリング法で形成することも知られている。そ
こで、本発明者らも、スパッタリング法で有機高分子成
型物上にITO膜を形成しその実用性を評価した。しか
し、スパッタリング法によりITO膜を形成してなる導電
性積層体は、耐久性及び信頼性が低いという欠点がある
ことがわかった。
そこで、本発明者らは、先ず有機高分子成型物上に主
としてインジウム酸化物を含む波長550nmの光吸収率が
２〜30％で比抵抗が1.5×10-3Ω・cm以上の層を形成
し、次いで該層を酸素雰囲気下の加熱処理により主とし
て結晶質のインジウム酸化物からなる透明導電層に転化
せしめる方法を提案した（公開特許公報昭61−7964
7）。該方法により、耐久性及び信頼性に優れ、透明タ
ッチパネル用途に十分利用できる導電性積層体の製造が
可能となった。
としてインジウム酸化物を含む波長550nmの光吸収率が
２〜30％で比抵抗が1.5×10-3Ω・cm以上の層を形成
し、次いで該層を酸素雰囲気下の加熱処理により主とし
て結晶質のインジウム酸化物からなる透明導電層に転化
せしめる方法を提案した（公開特許公報昭61−7964
7）。該方法により、耐久性及び信頼性に優れ、透明タ
ッチパネル用途に十分利用できる導電性積層体の製造が
可能となった。
しかしながら、エレクトロルミネッセンスディスプレ
イに用いた場合、導電性積層体と発光層の貼合わせ工程
で、しばしば透明導電層に断線が発生するという実用上
大きな問題があることが明らかになった。
イに用いた場合、導電性積層体と発光層の貼合わせ工程
で、しばしば透明導電層に断線が発生するという実用上
大きな問題があることが明らかになった。
［発明の目的］ 本発明はかかる現状に鑑みなされたもので、耐久性及
び信頼性に優れた導電性積層体を目的としたものであ
る。
び信頼性に優れた導電性積層体を目的としたものであ
る。
［発明の構成］ 上述の目的は以下の本発明により達成される。すなわ
ち、本発明は、有機高分子成型物上に主として、結晶質
のインジウム酸化物からなる透明導電層を形成してなる
導電性積載体において、該透明導電層が、先ず、有機高
分子成型物上に、主としてインジウム酸化物を含む550n
mの吸光係数が１×10-3〜２×10-3［Å-1］、比抵抗が
２×10-2Ωcm以下の層を形成し、次いで該層を酸素雰囲
気下の加熱処理により主として結晶質のインジウム酸化
物からなる層に転化せしめたものであり、かつ該結晶質
のインジウム酸化物の結晶粒径が0.3μｍ以下であるこ
とを特徴とする透明導電性積層体である。
ち、本発明は、有機高分子成型物上に主として、結晶質
のインジウム酸化物からなる透明導電層を形成してなる
導電性積載体において、該透明導電層が、先ず、有機高
分子成型物上に、主としてインジウム酸化物を含む550n
mの吸光係数が１×10-3〜２×10-3［Å-1］、比抵抗が
２×10-2Ωcm以下の層を形成し、次いで該層を酸素雰囲
気下の加熱処理により主として結晶質のインジウム酸化
物からなる層に転化せしめたものであり、かつ該結晶質
のインジウム酸化物の結晶粒径が0.3μｍ以下であるこ
とを特徴とする透明導電性積層体である。
以下、その詳細を発明に到った経過と共に説明する。
前述の通り従来のスパッタリング法により形成したIT
O膜は実用上大きな問題を有することが分かった。本発
明者らは、透明導電層の断線の原因究明のために、透明
導電層の膜構造を透過型電子顕微鏡で解析した所、結晶
粒径が大きくなる程、耐屈曲性が悪くなり、断線が起き
やすいことが分かった。
O膜は実用上大きな問題を有することが分かった。本発
明者らは、透明導電層の断線の原因究明のために、透明
導電層の膜構造を透過型電子顕微鏡で解析した所、結晶
粒径が大きくなる程、耐屈曲性が悪くなり、断線が起き
やすいことが分かった。
そこで、本発明者らは、結晶粒径について鋭意研究し
た結果、スパッタリング法で形成した直後のITO膜の吸
光係数が大きい程加熱処理後のITO膜の結晶粒径を小さ
くできることを見出した。
た結果、スパッタリング法で形成した直後のITO膜の吸
光係数が大きい程加熱処理後のITO膜の結晶粒径を小さ
くできることを見出した。
また、スパッタリング法で形成した直後のITO膜の吸
光係数が１×10-3［Å-1］になるまでは吸光係数の増加
に伴い加熱処理後のITO膜の透明性が次第に低下するこ
とから吸光係数が１×10-3［Å-1］を越えるものは加熱
処理後に透明性の良いITO膜を得ることができないと考
えられていた。ところで、吸光係数が１×10-3［Å-1］
を越えると逆に加熱処理後のITO膜の透明性が高くなる
という驚くべき事実を見い出した。そして、スパッタリ
ング法で形成された直後の膜の吸光係数が１×10-3〜２
×10-3［Å-1］、かつ比抵抗が２×10-2Ωcm以下の範囲
のものが、結晶粒径が0.3μｍ以下のITO膜に転化できる
ことを見出した。
光係数が１×10-3［Å-1］になるまでは吸光係数の増加
に伴い加熱処理後のITO膜の透明性が次第に低下するこ
とから吸光係数が１×10-3［Å-1］を越えるものは加熱
処理後に透明性の良いITO膜を得ることができないと考
えられていた。ところで、吸光係数が１×10-3［Å-1］
を越えると逆に加熱処理後のITO膜の透明性が高くなる
という驚くべき事実を見い出した。そして、スパッタリ
ング法で形成された直後の膜の吸光係数が１×10-3〜２
×10-3［Å-1］、かつ比抵抗が２×10-2Ωcm以下の範囲
のものが、結晶粒径が0.3μｍ以下のITO膜に転化できる
ことを見出した。
結晶粒径が0.3μｍ以下のITO膜は耐屈曲性に優れてお
り、前述の断線を皆無にすることができる。吸光係数が
１×10-3［Å-1］未満では結晶粒径が0.3μｍを越え、
耐屈曲性が悪くなる。また、吸光係数が２×10
-3［Å-1］を越えると結晶粒径が小さくなりすぎるため
ITO膜の導電性が悪くなる。
り、前述の断線を皆無にすることができる。吸光係数が
１×10-3［Å-1］未満では結晶粒径が0.3μｍを越え、
耐屈曲性が悪くなる。また、吸光係数が２×10
-3［Å-1］を越えると結晶粒径が小さくなりすぎるため
ITO膜の導電性が悪くなる。
なお、本発明者らが以前提案して来た真空蒸着法によ
るインジウム・スズ低級酸化物膜の吸光係数は1.4×10
-3［Å-1］、比抵抗は４×10-2Ωcmであり真空蒸着法で
は本発明のスパッタリング法で形成された主としてイン
ジウム酸化物を含む層と異なる層が形成されることが確
められた。
るインジウム・スズ低級酸化物膜の吸光係数は1.4×10
-3［Å-1］、比抵抗は４×10-2Ωcmであり真空蒸着法で
は本発明のスパッタリング法で形成された主としてイン
ジウム酸化物を含む層と異なる層が形成されることが確
められた。
ここで、吸光係数ａとは積分球で測定した波長550nm
における基板も含めた透過率Ｔ（％）と反射率Ｒ（％）
及び基板である有機高分子成型物による吸収率Ｂ（％）
とITO膜の膜厚ｔ（Å）より次式で定義される。
における基板も含めた透過率Ｔ（％）と反射率Ｒ（％）
及び基板である有機高分子成型物による吸収率Ｂ（％）
とITO膜の膜厚ｔ（Å）より次式で定義される。
ａ＝（1/t）log（100−Ｒ−Ｂ）/T［Å-1］ なお、本発明者らが以前提案した光吸収率２〜30％の
ITO膜の球光係数は、ITO膜が約200Åの時、5.3×10-5〜
9.6×10-4［Å-1］であった。
ITO膜の球光係数は、ITO膜が約200Åの時、5.3×10-5〜
9.6×10-4［Å-1］であった。
また結晶粒径とは、透過型電子顕微鏡下で観察される
多角形状または長円形状の各領域における対角線または
直径の中で最大のものと定義する。
多角形状または長円形状の各領域における対角線または
直径の中で最大のものと定義する。
主としてインジウム酸化物を含む層を形成するスパッ
タリング法には、インジウムを主成分とする合金又は、
酸化インジウムを主成分とする焼結体をターゲットとし
て用いることができる。前者においては、アルゴン等の
不活性ガス及び酸素ガス等の反応性ガスを真空槽内に導
入して、反応性スパッタリングを行なう。後者において
は、アルゴン等の不活性ガス単独か或いはアルゴン等の
不活性ガスに微量の酸素ガス等の反応性ガスを混合した
ものを用いてスパッタリングを行なう。スパッタリング
の方式は直流又は高周波二極スパッタ，直流又は高周波
マグネトロンスパッタ，イオンビームスパッタ等公知の
方式が適用できる。中でもマグネトロン方式は基板への
プラズマ衝撃が少く、高速製膜が可能で好ましい。
タリング法には、インジウムを主成分とする合金又は、
酸化インジウムを主成分とする焼結体をターゲットとし
て用いることができる。前者においては、アルゴン等の
不活性ガス及び酸素ガス等の反応性ガスを真空槽内に導
入して、反応性スパッタリングを行なう。後者において
は、アルゴン等の不活性ガス単独か或いはアルゴン等の
不活性ガスに微量の酸素ガス等の反応性ガスを混合した
ものを用いてスパッタリングを行なう。スパッタリング
の方式は直流又は高周波二極スパッタ，直流又は高周波
マグネトロンスパッタ，イオンビームスパッタ等公知の
方式が適用できる。中でもマグネトロン方式は基板への
プラズマ衝撃が少く、高速製膜が可能で好ましい。
いずれの場合もスパッタリング法により形成する主と
してインジウム酸化物を含む層の吸光係数及び比抵抗が
目的の値となる様にスパッタリング条件を制御しなけれ
ばならない。スパッタリング条件は装置によって異な
る。スパッタリング条件を決める方法としては、一定の
酸素分圧下で堆積速度（即ち、投入電力）を変えて堆積
された膜の特性を調べる方法や投入電力を一定にしてお
いて、酸素分圧を変えて堆積された膜の特性を調べる方
法等がある。
してインジウム酸化物を含む層の吸光係数及び比抵抗が
目的の値となる様にスパッタリング条件を制御しなけれ
ばならない。スパッタリング条件は装置によって異な
る。スパッタリング条件を決める方法としては、一定の
酸素分圧下で堆積速度（即ち、投入電力）を変えて堆積
された膜の特性を調べる方法や投入電力を一定にしてお
いて、酸素分圧を変えて堆積された膜の特性を調べる方
法等がある。
要は、使用するスパッタリング装置において、インジ
ウム酸化物を含む層の吸光係数が１×10-3〜２×10
-3［Å-1］かつ比抵抗が２×10-2Ωcm以下になる様なス
パッタリング条件を実験的に求め、インジウム酸化物を
含む層の吸光係数及び比抵抗が上記の値となる様にスパ
ッタリング条件を制御する。
ウム酸化物を含む層の吸光係数が１×10-3〜２×10
-3［Å-1］かつ比抵抗が２×10-2Ωcm以下になる様なス
パッタリング条件を実験的に求め、インジウム酸化物を
含む層の吸光係数及び比抵抗が上記の値となる様にスパ
ッタリング条件を制御する。
本発明に用いられる透明導電層は主としてインジウム
酸化物を含む層である。インジウム酸化物層は本来透明
な電気絶縁体であるが、微量の不純物を含有する場
合、わずかに酸素不足になっている場合等に半導体に
なる。好ましい半導体金属酸化物としては、例えば、不
純物として錫又はフッ素を含む酸化インジウムをあげる
ことができる。特に好ましくは、酸化錫を２〜20wt％含
むインジウム酸化物の層である。
酸化物を含む層である。インジウム酸化物層は本来透明
な電気絶縁体であるが、微量の不純物を含有する場
合、わずかに酸素不足になっている場合等に半導体に
なる。好ましい半導体金属酸化物としては、例えば、不
純物として錫又はフッ素を含む酸化インジウムをあげる
ことができる。特に好ましくは、酸化錫を２〜20wt％含
むインジウム酸化物の層である。
本発明に用いられる主としてインジウム酸化物からな
る透明導電性層の膜圧は十分な導電性を得るためには、
50Å以上であることが好ましく、100Å以上であれば更
に好ましい。また、十分い透明度の高い被膜を得るため
には、500Å以下である事が好ましく、400Å以下がより
好ましい。
る透明導電性層の膜圧は十分な導電性を得るためには、
50Å以上であることが好ましく、100Å以上であれば更
に好ましい。また、十分い透明度の高い被膜を得るため
には、500Å以下である事が好ましく、400Å以下がより
好ましい。
本発明においてスパッタリング法により主としてイン
ジウム酸化物よりなる層を有機高分子成型物上に必要に
応じて中間層を介して形成した後、酸素雰囲気下の加熱
処理を行なう。酸素雰囲気下とは少なくとも前記スパッ
タリング法で形成したインジウム酸化物層を結晶質へ転
化せしめるに必要な酸素が存在するものであれば良く、
必要に応じて不活性ガスを導入しても良く、酸素ガス及
び／又はオゾンを含む常圧雰囲気、酸素ガス及び／又は
酸素プラズマを含む低圧雰囲気、或いは酸素ガス及び／
又はオゾンを含む高圧雰囲気等種々の雰囲気があり全て
適用できるが、酸素ガス及び／又はオゾンを含む常圧雰
囲気が好ましく用いられる。又、加熱温度は、100〜250
℃が好ましく、特に130〜200℃が好ましい。100℃未満
では結晶質の酸化インジウムに転化せしめることができ
ない。又、250℃を越えると有機高分子成型物に変形や
クラックが発生して好ましくない。なお、加熱処理時間
は、加熱温度，層組成等に応じ実験的に定める。
ジウム酸化物よりなる層を有機高分子成型物上に必要に
応じて中間層を介して形成した後、酸素雰囲気下の加熱
処理を行なう。酸素雰囲気下とは少なくとも前記スパッ
タリング法で形成したインジウム酸化物層を結晶質へ転
化せしめるに必要な酸素が存在するものであれば良く、
必要に応じて不活性ガスを導入しても良く、酸素ガス及
び／又はオゾンを含む常圧雰囲気、酸素ガス及び／又は
酸素プラズマを含む低圧雰囲気、或いは酸素ガス及び／
又はオゾンを含む高圧雰囲気等種々の雰囲気があり全て
適用できるが、酸素ガス及び／又はオゾンを含む常圧雰
囲気が好ましく用いられる。又、加熱温度は、100〜250
℃が好ましく、特に130〜200℃が好ましい。100℃未満
では結晶質の酸化インジウムに転化せしめることができ
ない。又、250℃を越えると有機高分子成型物に変形や
クラックが発生して好ましくない。なお、加熱処理時間
は、加熱温度，層組成等に応じ実験的に定める。
本発明における有機高分子成型物を構成する有機高分
子化合物としては、耐熱性を有する透明な有機高分子化
合物であれば特に限定しないが、通常耐熱性としては、
100℃以上、好ましく130℃以上のものであって、例え
ば、ポリイミド，ポリエーテルスルホン，ポリスルホ
ン，ポリパラバン酸，ポリヒダントインを始めとし、ポ
リエチレンテレフタレート，ポリエチレン−2,6−ナフ
タレンジカルボキシレート，ポリジアリルフタレート，
ポリカーボネート等のポリエステル系樹脂及び芳香族ポ
リアミド，セルローストリアセテート等が挙げられる。
もちろんこれはホモポリマー，コポリマーとして、又、
単独又はブレンドとしても使用しうる。
子化合物としては、耐熱性を有する透明な有機高分子化
合物であれば特に限定しないが、通常耐熱性としては、
100℃以上、好ましく130℃以上のものであって、例え
ば、ポリイミド，ポリエーテルスルホン，ポリスルホ
ン，ポリパラバン酸，ポリヒダントインを始めとし、ポ
リエチレンテレフタレート，ポリエチレン−2,6−ナフ
タレンジカルボキシレート，ポリジアリルフタレート，
ポリカーボネート等のポリエステル系樹脂及び芳香族ポ
リアミド，セルローストリアセテート等が挙げられる。
もちろんこれはホモポリマー，コポリマーとして、又、
単独又はブレンドとしても使用しうる。
かかる有機高分子化合物の成型物の形状は特に限定さ
れるものではないが、通常シート状，フイルム状のもの
が好ましく、中でもフイルム状のものは巻取り可能であ
り、又連続生産が可能である為、特に好ましい。更にフ
イルム状のものが使用される場合においては、フイルム
の厚さは６〜500μが好ましく、更には12〜200μが好ま
しい。
れるものではないが、通常シート状，フイルム状のもの
が好ましく、中でもフイルム状のものは巻取り可能であ
り、又連続生産が可能である為、特に好ましい。更にフ
イルム状のものが使用される場合においては、フイルム
の厚さは６〜500μが好ましく、更には12〜200μが好ま
しい。
これらのフイルム又はシートは透明性を損わない程度
において顔料を添加したり、又、表面加工例えばサンド
マット加工等をほどこしてもよい。
において顔料を添加したり、又、表面加工例えばサンド
マット加工等をほどこしてもよい。
又、これらのフイルム又はシートは単独でもラミネー
トして用いてもよい。
トして用いてもよい。
更に、透明導電層との密着性等を向上させるため透明
導電層形成前に有機高分子成型物上に中間層を形成して
も良い。中間層としては例えば有機ケイ素化合物、チタ
ンアルキルエステル，ジルコニウムアルキルエステル等
の有機金属化合物の加水分解により生成された層が好ま
しく用いられる。該中間層は、多層構成としても良い。
導電層形成前に有機高分子成型物上に中間層を形成して
も良い。中間層としては例えば有機ケイ素化合物、チタ
ンアルキルエステル，ジルコニウムアルキルエステル等
の有機金属化合物の加水分解により生成された層が好ま
しく用いられる。該中間層は、多層構成としても良い。
該中間層は、有機高分子成型物上に塗布後、乾燥し、
加熱，イオンボンバード或いは紫外線，β線，γ線など
の放射線により硬化させる。
加熱，イオンボンバード或いは紫外線，β線，γ線など
の放射線により硬化させる。
また該中間層の塗布には、透明有機高分子成型物や塗
工液の形状，性質に応じてドクターナイフ，バーコータ
ー，グラビアロールコーター，カーテンコーター，ナイ
フコーターなどの公知の塗工機械を用いる塗工法，スプ
レー法，浸漬法などが用いられる。
工液の形状，性質に応じてドクターナイフ，バーコータ
ー，グラビアロールコーター，カーテンコーター，ナイ
フコーターなどの公知の塗工機械を用いる塗工法，スプ
レー法，浸漬法などが用いられる。
該中間層の厚さとしては、100〜1000Åが好ましく、
特に200〜900Åが好ましい。100Å未満の場合には、連
続層を形成しないため密着性向上効果がない。又、1000
Åをこえると、クラックや剥離を生じたりして好ましく
ない。
特に200〜900Åが好ましい。100Å未満の場合には、連
続層を形成しないため密着性向上効果がない。又、1000
Åをこえると、クラックや剥離を生じたりして好ましく
ない。
又、本発明における導電性積層体はインジウム酸化物
よりなる透明導電層上に耐スクラッチ性を向上させる、
あるいは、他の塗工層との密着性を向上させる等の目的
のために保護層を積層させてもよい。
よりなる透明導電層上に耐スクラッチ性を向上させる、
あるいは、他の塗工層との密着性を向上させる等の目的
のために保護層を積層させてもよい。
かかる保護層としては、TIO2,SnO2,SiO2,ZrO2,ZnO等
の透明酸化物,Si3N4,TiN等の窒化物あるいはアクリロニ
トリル樹脂，スチレン樹脂，アクリレート樹脂，ポリエ
ステル樹脂，シアノエチル化プルラン等のシアノエチル
化多糖類等の透明な有機化合物重合体或いは、有機ケイ
素化合物，チタンアルキルエステル，ジルコニウムアル
キルエステル等の有機金属化合物等を用いる事ができ
る。
の透明酸化物,Si3N4,TiN等の窒化物あるいはアクリロニ
トリル樹脂，スチレン樹脂，アクリレート樹脂，ポリエ
ステル樹脂，シアノエチル化プルラン等のシアノエチル
化多糖類等の透明な有機化合物重合体或いは、有機ケイ
素化合物，チタンアルキルエステル，ジルコニウムアル
キルエステル等の有機金属化合物等を用いる事ができ
る。
かかる保護層の厚さは透明導電層の特性を低下させな
い範囲で任意に設ける事が可能である。
い範囲で任意に設ける事が可能である。
また本発明における導電性積層体は、有機高分子成型
物の両面に必要に応じて中間層を介して透明導電層を積
層した構成にしても良く或いは、有機高分子成型物の片
面に必要に応じて中間層を介して透明導電層を積層した
構成において透明導電層を積層した面と反対面におい
て、透明性を損わない範囲で接着性，表面硬度，光学特
性等を改善する目的で、例えば前述した中間層や保護層
と同種の層や、酸化物層，窒化物層，硫化物層，炭化物
層や有機物層を設けても良い。
物の両面に必要に応じて中間層を介して透明導電層を積
層した構成にしても良く或いは、有機高分子成型物の片
面に必要に応じて中間層を介して透明導電層を積層した
構成において透明導電層を積層した面と反対面におい
て、透明性を損わない範囲で接着性，表面硬度，光学特
性等を改善する目的で、例えば前述した中間層や保護層
と同種の層や、酸化物層，窒化物層，硫化物層，炭化物
層や有機物層を設けても良い。
［効果］ 以上の、本発明によりスパッタリング法を用いて、極
めて優れた耐久性及び信頼性を有し、透明タッチパネル
やエレクトロルミネッセンス用に十分利用できる導電性
積層体の製造が可能となった。
めて優れた耐久性及び信頼性を有し、透明タッチパネル
やエレクトロルミネッセンス用に十分利用できる導電性
積層体の製造が可能となった。
なお、本発明は、スパッタリング法以外の方法は例え
ばイオンプレーティング法にも適用可能であるが、スパ
ッタリング法の場合に特に本発明の効果が大きい。
ばイオンプレーティング法にも適用可能であるが、スパ
ッタリング法の場合に特に本発明の効果が大きい。
本発明はスパッタリング法で導電層を形成するので、
従来の真空蒸着法の問題がなく、品質の均一な広巾の導
電性積層体を連続的に安定して生産することができ、非
常に生産性の良いプロセスが得られた。
従来の真空蒸着法の問題がなく、品質の均一な広巾の導
電性積層体を連続的に安定して生産することができ、非
常に生産性の良いプロセスが得られた。
なお、本発明で得られる導電性積層体は、透明タッチ
パネルやエレクトロルミネッセンス用電極として適して
いるだけでなく、例えば、電子写真，帯電防止材料，面
発熱体，固体ディスプレイ，光メモリー，光電変換素
子，光通信，光情報処理，太陽エネルギー利用材料等と
広い用途を有する。
パネルやエレクトロルミネッセンス用電極として適して
いるだけでなく、例えば、電子写真，帯電防止材料，面
発熱体，固体ディスプレイ，光メモリー，光電変換素
子，光通信，光情報処理，太陽エネルギー利用材料等と
広い用途を有する。
以下、実施例をあげて本発明の効果を更に具体的に説
明する。
明する。
［実施例１〜２及び比較例１］ 75μｍ厚のポリエチレンテレフタレートフイルムの両
面に、有機ケイ素化合物のブタノール，イソプロパノー
ル混合アルコール系溶液（濃度0.6重量％）をバーコー
ターで塗布し、140℃で１分間乾燥した。乾燥後の膜厚
は300Åであった。
面に、有機ケイ素化合物のブタノール，イソプロパノー
ル混合アルコール系溶液（濃度0.6重量％）をバーコー
ターで塗布し、140℃で１分間乾燥した。乾燥後の膜厚
は300Åであった。
該フイルムを直流マグネトロンスパッタ装置内の基板
保持台に固定し、真空度２×10-5Torrまで真空槽を排気
した。その後、Ar/O2混合ガス（O225％）を槽内に導入
し、真空度を４×10-3Torrに保った後、In/Sn合金（Sn5
重量％）よりなるターゲットを用い反応性スパッタリン
グ法により体積速度を変えて実施例１〜２及び比較例１
のサンプルの吸光係数及び比抵抗を有するインジウム・
スズ酸化物膜を形成した。これらのサンプルを150℃に
保った熱風乾燥器により加熱処理を行なった後、透明導
電層の膜構造を透過型電子顕微鏡で調べた。
保持台に固定し、真空度２×10-5Torrまで真空槽を排気
した。その後、Ar/O2混合ガス（O225％）を槽内に導入
し、真空度を４×10-3Torrに保った後、In/Sn合金（Sn5
重量％）よりなるターゲットを用い反応性スパッタリン
グ法により体積速度を変えて実施例１〜２及び比較例１
のサンプルの吸光係数及び比抵抗を有するインジウム・
スズ酸化物膜を形成した。これらのサンプルを150℃に
保った熱風乾燥器により加熱処理を行なった後、透明導
電層の膜構造を透過型電子顕微鏡で調べた。
また、加熱処理後のサンプルの550nmにおける透過
率，比抵抗，耐屈曲性および発光層と貼合わせた後の断
線の程度を調べた。なお、耐屈曲性は、透明導電層が外
側になる様に、直径５φの丸棒の周囲に沿って10回繰返
し変形させて元に戻した後の抵抗値Ｒと変形させる前の
抵抗値R0の比R/R0と定義する。
率，比抵抗，耐屈曲性および発光層と貼合わせた後の断
線の程度を調べた。なお、耐屈曲性は、透明導電層が外
側になる様に、直径５φの丸棒の周囲に沿って10回繰返
し変形させて元に戻した後の抵抗値Ｒと変形させる前の
抵抗値R0の比R/R0と定義する。
結果を表１に示す。
本発明による実施例1,2の透明導電性積層体は耐屈曲
性に優れ、発光層と貼合わせた後の断線は皆無であっ
た。
性に優れ、発光層と貼合わせた後の断線は皆無であっ
た。
Claims (2)
- 【請求項１】有機高分子成型物上に主として結晶質のイ
ンジウム酸化物からなる透明導電層を形成してなる導電
性積層体において、該透明導電層が、先ず、有機高分子
成型物上に、主としてインジウム酸化物を含む波長550n
mの吸光係数が１×10-3〜２×10-3［Å-1］、比抵抗が
２×10-2Ωcm以下の層を形成し、次いで該層を酸素雰囲
気下の加熱処理により主として結晶質のインジウム酸化
物からなる層に転化せしめたものであり、かつ該結晶質
のインジウム酸化物の結晶粒径が0.3μｍ以下であるこ
とを特徴とする透明導電性積層体。 - 【請求項２】加熱処理温度が100〜250℃である請求項１
記載の透明導電性積層体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1406489A JP2525475B2 (ja) | 1989-01-25 | 1989-01-25 | 透明導電性積層体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1406489A JP2525475B2 (ja) | 1989-01-25 | 1989-01-25 | 透明導電性積層体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02194943A JPH02194943A (ja) | 1990-08-01 |
| JP2525475B2 true JP2525475B2 (ja) | 1996-08-21 |
Family
ID=11850660
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1406489A Expired - Lifetime JP2525475B2 (ja) | 1989-01-25 | 1989-01-25 | 透明導電性積層体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2525475B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2005106897A1 (ja) * | 2004-04-30 | 2005-11-10 | Nitto Denko Corporation | 透明導電性積層体およびタッチパネル |
| JP2006139750A (ja) * | 2004-04-30 | 2006-06-01 | Nitto Denko Corp | 透明導電性積層体およびタッチパネル |
| KR100830385B1 (ko) | 2004-04-30 | 2008-05-19 | 닛토덴코 가부시키가이샤 | 투명 도전성 적층체 및 터치패널 |
Families Citing this family (18)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6351068B2 (en) | 1995-12-20 | 2002-02-26 | Mitsui Chemicals, Inc. | Transparent conductive laminate and electroluminescence light-emitting element using same |
| KR100592919B1 (ko) | 1998-05-15 | 2006-06-26 | 도요 보세키 가부시키가이샤 | 투명도전성 필름 및 터치판넬 |
| ATE362843T1 (de) | 2000-03-28 | 2007-06-15 | Toyo Boseki | Transparenter leitender film, transparentes leitendes blatt und berührungsempfindliche tafel |
| JP2002287906A (ja) * | 2001-03-23 | 2002-10-04 | Mitsubishi Chemicals Corp | タッチパネル |
| US6787253B2 (en) | 2001-06-27 | 2004-09-07 | Bridgestone Corporation | Transparent electroconductive film and touch panel |
| US6896981B2 (en) | 2001-07-24 | 2005-05-24 | Bridgestone Corporation | Transparent conductive film and touch panel |
| JPWO2004065656A1 (ja) * | 2003-01-24 | 2006-05-18 | 株式会社ブリヂストン | Ｉｔｏ薄膜、その成膜方法、透明導電性フィルム及びタッチパネル |
| JP4986100B2 (ja) * | 2003-12-25 | 2012-07-25 | 東洋紡績株式会社 | 透明導電性フィルム、透明導電性シートおよびタッチパネル |
| JP4754955B2 (ja) * | 2005-11-07 | 2011-08-24 | 有限会社エイチエスプランニング | タッチパネル用導電性フィルム及びタッチパネル用導電性フィルム製造方法 |
| JP5166700B2 (ja) | 2006-01-30 | 2013-03-21 | 日東電工株式会社 | 結晶性透明導電性薄膜、その製造方法、透明導電性フィルムおよびタッチパネル |
| US20090291293A1 (en) * | 2006-07-14 | 2009-11-26 | Dai Nippon Printing Co., Ltd. | Film with transparent electroconductive membrane and its use |
| JP5114961B2 (ja) * | 2006-07-14 | 2013-01-09 | 大日本印刷株式会社 | 透明導電膜付きフィルムおよびこの透明導電膜付きフィルムからなるディスプレイ用基板、ディスプレイ、液晶表示装置ならびに有機ｅｌ素子 |
| JP5099893B2 (ja) | 2007-10-22 | 2012-12-19 | 日東電工株式会社 | 透明導電性フィルム、その製造方法及びそれを備えたタッチパネル |
| US9096921B2 (en) | 2008-09-26 | 2015-08-04 | Toyo Boseki Kabushiki Kaisha | Transparent conductive film and touch panel |
| WO2011048996A1 (ja) * | 2009-10-19 | 2011-04-28 | 東洋紡績株式会社 | 透明導電性フィルム |
| JP6031559B2 (ja) * | 2010-12-27 | 2016-11-24 | 日東電工株式会社 | 透明導電性フィルムおよびその製造方法 |
| CN104969305B (zh) | 2013-02-06 | 2017-03-22 | 三菱树脂株式会社 | 透明层叠膜、透明导电性膜和气体阻隔性层叠膜 |
| JP6298321B2 (ja) * | 2014-02-25 | 2018-03-20 | 株式会社カネカ | 透明導電層付フィルム |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6179647A (ja) * | 1984-09-28 | 1986-04-23 | 帝人株式会社 | 透明導電性積層体及びその製造方法 |
| JPH01100260A (ja) * | 1987-10-14 | 1989-04-18 | Daicel Chem Ind Ltd | 透明導電性フイルム積層体の製造方法 |
-
1989
- 1989-01-25 JP JP1406489A patent/JP2525475B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6179647A (ja) * | 1984-09-28 | 1986-04-23 | 帝人株式会社 | 透明導電性積層体及びその製造方法 |
| JPH01100260A (ja) * | 1987-10-14 | 1989-04-18 | Daicel Chem Ind Ltd | 透明導電性フイルム積層体の製造方法 |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2005106897A1 (ja) * | 2004-04-30 | 2005-11-10 | Nitto Denko Corporation | 透明導電性積層体およびタッチパネル |
| JP2006139750A (ja) * | 2004-04-30 | 2006-06-01 | Nitto Denko Corp | 透明導電性積層体およびタッチパネル |
| KR100830385B1 (ko) | 2004-04-30 | 2008-05-19 | 닛토덴코 가부시키가이샤 | 투명 도전성 적층체 및 터치패널 |
| CN1947204B (zh) * | 2004-04-30 | 2011-02-23 | 日东电工株式会社 | 透明导电性层叠体及触摸屏 |
| US8097330B2 (en) | 2004-04-30 | 2012-01-17 | Nitto Denko Corporation | Transparent conductive multilayer body and touch panel |
| US8481150B2 (en) | 2004-04-30 | 2013-07-09 | Nitto Denko Corporation | Transparent conductive multilayer body and touch panel |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH02194943A (ja) | 1990-08-01 |
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